TWI305949B - Package body and method for its production - Google Patents

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Vi 1305949 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種封裝體及其製造方法。 【先前技術】 一種這種型態的封襄體係可以用來作為 件’其係稱為-側面發射元件(或所謂的側視封 y的疋 元件可以許多不同的方式製造。舉例而々，^ 面發射 為基礎來製造。 °其可以用導線架 歐洲專利公開號EP0400175A1揭露一種側視 -金屬的載體和電性端點，一個半導體晶片 ^、具有 點上。此半導體晶片和其他的端點使用—高材^ ^ ^而 熱固或是熱塑膠’於放置半導體晶片之後用 側視f體。__可_及__==此 的風險。嫩⑽是材料疲勞 【發明内容】 是，為提供—财錄碎壽命之域體。特別 封裝趙的’可㈣免此 達成。 的了^藉由申Μ專利範園第1項的封裝體來 #, # "θ —目的輕供—具雜長工作壽命之側面發射元 Μ㈣1 ’即使在姆㈣波長幼是低於奈狀輕射下， β 4封裝體的劣化。此目的可簡由申請專繼15第19項 1305949 的側面發射元件來達成。 本發明之又-目的為提供-種方法來製造此封裝體。此目的 可以藉由申請專利範圍第25項的方法來達成。 此封▲體具有—上方侧’―相對於此上方侧之底侧，以及- 侧表面’其與上相和底侧翻，且提供—蚊表面，此封裝體 具有複數個包含一陶瓷材料的層次，以及這些層次的一主軸，其 與固定表面互相傾斜。

此具有包含-陶紐料的多層次結構之封裝體可以使其製造 變得十分簡易。這些層次可以堆疊在彼此之上作為綠薄片然後再 ，結。在此情況下，-綠薄片可以被理解為—未燒結的陶究層， 、在此狀％下可以賴被成形，也就是可以進—步被處理，如切 斷'猛擊或壓印。藉由對此綠薄片的繼續燒結，個別層次間的良 ^接著可以被達成。這可使得的驗被降低，如崎於此封 裝體的長壽或安定性具有正面的影響。 攻些層次最好被安排成無絲面互相傾斜。制最好是， 次被安排成與固絲面互減直。此種鋪可以被理解 ，’、、’攻些層次在-平面上’第一層的底侧在一第二層的上方側之 ==種鋪可以是需要被重複許多次，其可形成—具有任何期 、之堆疊。此财式卿成之—絲祕作為此封裝體的固 與習知封裝體不_是，本發明之封裝體也可叫用於-侧 =射兀件具有—在紅外線或可見光範圍之輕射發射，特別是也 面發射元件具有—在紫外線或近紫外線範圍之輕射發 i乎=之波長大約是低於鄕奈米，最好是低請 不未或甚至430奈米。此縣體不會受财化的敎性， 在紫外線騎時’枝林發明職歸_最重要考量。’一陶 6 ^ 1305949 瓷材料通常不會受到紫外線照射的影響。因此，本發明之封裝體 材料最好包含一紫外線穩定的材料，特別最好是氧化鋁(Al2〇3)或 氮化鋁(A1N)。此兩種材料也可以在傳導此封裝體工作時所產出的 熱方面具有絕佳之優點，以避免熱所導致的失效，因為其導熱性 疋相對地大。舉例而§，氧化銘(八丨2〇3)在介於3〇到之間的 導熱性是18到30W/mK，氮化鋁(A1N)是30到l8〇w/mK。相對而 吕’傳統高分子材料的導熱性通常係低於IW/mK。

上述的重點是’降低此封裝體在料線或近料線範圍之劣 化所產生脫落的驗’以及’最後’改善散熱性，其對封裝體壽 命的重要影響，以及’假如此封紐係作為_發射元，改 善其工作壽命。 此封裝體最好具有電性傳導晶片連接區域。特別是較佳，一 第-電性傳導連接區域是-導線連接區域。特別是最佳，一第二 電性傳導連接區域是-晶片連接區域，此，在此安排情況下， 此封裝_之-產生輻料賴晶片，此轉體晶片可一 導體手段，較佳是一導線手段，固定於并曰y 4區域且與導線連接 £或相連。在此情況下’此導線連接區域為第—電性傳導連接區 域，而此晶片連接區域為第二電性傳導連接區域。 ^ 每一晶片連接區域可以直接與包含一 連。特別較佳是，此導線連接區域安排在 域安排在與第一層不同之第二層。 陶材料的層次之一相 第—層，而晶片連接區 在此情況下’每-晶片連接區域可以具有—較小 佳係介於#和心之間，特別是最佳為8微米^ ::情況下，此晶片連接區域並不需要形成做為 = 支撐的結構，因此，此晶片連接區域並兩 度的特殊需求。僅需要確保其電性傳導率種機械穩定 年千具可使用一金屬來達 7 Ί305949 成。一個較低的元件整體高度之優點也可以被理解由較低的晶片 連接區域和連接至晶片連接區域之區域連接的厚度所達成。 此晶片連接區域最好是透過一包含金屬的溶液或塗料與包含 一陶瓷材料的層次相連，特別是最好利用一金屬墨水，再加以固 化。舉例而言，包含鎢的溶液或塗料。特別是最好利用一溶液或 塗料塗在該層上，再加以固化。 特別是考量此晶片連接區域的脫落風險，仍可利用之前所描 述過的：此包含一陶瓷材料的層可以被燒結與此晶片連接區域連 接，因此可防止剝落的黏著被產生。 、在本發明一較佳改良的情況下，此封裝體具有至少一個電性 連接介層孔(或介層）。此介層孔可以通過一輻射軸側，沿著固定表 面’至此底側。最好是安排成其與至少一區域連接電性相連，此 區域連接會連接介層孔至連接_。此 排成具有介於兩層陶瓷之間。 也j以女 此介層孔最好是形成如—難於半管或是半除的形狀 =層孔的形狀係類似於—管狀或是圓柱_狀，μ著 =分離。此獅狀的優點應可輕易理解，可以在燒 圓 ==屬 =::斜:=中，，此』 介層孔形成如-類似於半管或是半_:形狀端分離使得 其剖面可 以θ此^層孔可以描述為—類似於隨道的形狀， 以疋一圓形、橢圓形、長方形或多邊形。 此金屬化可崎封賴棚定在層孔的械配合。 置。此外，糊咖㈣伽糊====

S 1305949 . 焊錫時幫助其對準中心。 對安排一輻射源而言，例如一輻射發出半導體晶片，此封裝 體具有一凹陷。此凹陷最好是安排成此發射進入此元件的輻射可 以在最小損失的情況下被耦合至一後續元素。舉例而言，此後續 元素為一光波導，其可以與一載體連接。為了此目的，此凹陷可 以在相對於固定表面的另一面延伸更靠近於侧面。 此凹陷具有可作為一反射體的優點。舉例而言，此凹陷可以 傾斜成一自此上方側的上端向底侧傾斜如一漏斗狀。更進一步， _ 此凹陷的表面可吨覆-增進反㈣層次。如此可以使得反射集 中’且使得此侧面發射的輻射強度增加。 此凹陷的一邊緣與此封裝體的一邊緣之間的距離大小尺寸最 好是大約為0.3 mm。最好是，此尺寸係大於〇.3 mm。如此的尺寸 可以使穿過此封衷體的輻射被減少，且可以防止不利於此側面發 射元件的輻射分布。 適當地選取高度與厚度的比例，可以使得封裝體在固定時的 處理較為料。在此情況下，此封裝體高度的定義為此邊緣相對 • 於固定表面傾斜之尺寸。此厚度則定義為此邊緣相對於上方側傾 斜之尺寸。此高度與厚度的比例最好是介於1:1到2:1之間。 在此情況下，此封裝體的尖端於一封裝膠帶内能夠避免一大 於1:1之比例。更進-步，此封裝體可以被確有適當地穩定性 因為其並不需制其上限，因此此封裝體在固定時會翻倒的 會降地。此封裝體的每一侧面皆與其他面接近垂直的方式安排。 • 、在一較佳的改進，此封裝體可以被用作為一側面發^元件°。 . 為了產生輻射的目的，此側面發射元件具有至少—輻射源， 疋輻射產生的半導體晶片，其可被安置於一凹陷内。藉由 合適數目的半導體晶#，可以產生不同等級的輕射元件。、 9 1305949 在一較佳實施例中，至少兩個發射不同輻射波長的半導體晶 片被安置於一凹陷内。藉由選取合適的波長，不但可以產生多重 顏色，甚至是混合顏色，最好是白色，可以由混合這些輻射而產 生。如此可以擴大此側面發射元件的應用範圍。舉例而言，白光 可以做為一顯示裝置的背光源之用。

更進一步，使用兩個發射相同輻射波長的半導體晶片，藉由 利用波長轉換技術，多重顏色或是混合顏色的光線，仍可以由使 用一波長轉換元素而產生。在此情況下，此波長轉換元素可以被 安排在一半導體晶片的下游，且可被包覆於其中。 更進一步，搭配使用一波長轉換元素以及一半導體晶片，也 可以產生不同波長的輻射。 甘此半導體晶片可以被一包覆材料所環繞，最好是一矽膠樹酯 或，一合適地紫外線穩定之環氧樹酯。更進一步，也可以是一矽 膠树Ss和;合適地紫外線穩定之環氧細旨或是其他紫外線穩定 之材料或樹酯的混合物。 此包覆材料可以被用來抵抗貞面的機械影響或是降低在半導 $片與其介關反射損失之保護之用。此輻射發射元件的 及同__合發纽柯以#由使用 材料來增加。 t較佳實施例中，-光學元素，最好是一制’可以被安 =此=導體W的下游，以進—步調縣束的雜或密度。此 先子凡素可以被安置於―凹陷内及/或延伸自此凹陷。 裝體或疋側面發射元件最好是111定於一印刷電路板之 -杜恭1"°此封裝體或是側面發射元件的電能以及自此側面發射 兀件::的熱量，可以藉由印刷電路板傳導的優點。 ’、仏應電戒而言，此印刷電路板可以提供區域連接，其可以 10 130-5949 • 利用介層孔的方式來提供最簡單的區域連接。舉例而言，此印刷 電路板的區域連接可以用直線的方式安排。 更進-步’對此封裝體的散熱而言，此印刷電路板可以包含 具有良好導熱性的物質。舉例而言，此印刷電路板是包含一金 屬核心的電路板。為了適當地將由封裝體或是侧面發射元件產生 的熱傳導至印刷電路板，最好是-個大的熱傳導表面，舉例而言， 可焊接表面，被提供於此封裝體的底面。此表面區域的尺寸可以 由-連續的尺寸或是由-複數個不連續的表面尺寸所構成。 ’〜對於-種可以大量生產—封裝體或是侧面發射元件的方法而 言，此封裝體包含-上方側、-相對於此上方側之底側、以及一 側表面，此侧表面與此上方側和此底側連接，且提供作為一固定 表面’此封裝體具有複數她含—喊材料的層次，以及利用一 被分割成複數個封裝本體的薄片。如此，一封裝體可以十分容易 地被產出。 如此可以大量生產一封裝體或是側面發射元件的方法而言， 相較於傳統個別生產的方式可以節省生產成本。 I 此薄>1最好包含彡層材料之堆叠。在此情況下，其最好 疋在-上方側具有-凹陷。在此薄片被分誠複數個封裝本體之 後’其上方觸應於-封裝體的上方侧。制是較佳，這些封裝 本體具有相_大小及形狀如此可以在此上箱_陷中安排成 一長方形的分布。 此薄片最好是具有-平坦的上方侧。在此情況下，在此上方 侧的這些凹陷可以被安排成一網狀格子狀的交會點。 此封裝體會敎具有介層孔來被安錄―固絲面，這些介 層孔最好是形成如-類似於半管或是半圓柱的形狀。最盆量產 時’此薄片提供具有管狀或是_狀的介層孔，最好是在燒結前 11 1305949 將此管狀或是圓柱壓入此與綠薄片中。這些擠壓可以襯上一電性 導通層或是填滿一電性導通材料，最好一用電鍍所形成的金屬。 在此情況下必須確保在介層孔之間具有一足夠的距離，以防止在 後續操作中如一短路的情況發生，假如此封裝體係被用作一側面 發射元件。

此介層孔的形成最好在此分割過程中可以有效率地被露出。 此目的可以糊本㈣的介層孔而達成，其最好是在兩個相鄰的 凹陷之間以平行直線方式排列且互相分離。此薄片可以沿著這些 平行的直線方分離。特別是，此薄片分離後可以造成這些 以不對稱的方式分離。 1 這些沿著一直線之不對稱的分離最好是利用一封裝體具有用 於電性傳導固定表面介層孔的方式達成，然而—第二封裝體，鄰 近於第-封裝體’通常沒有介層孔，或是㈣這些分離的介 於相對於此固定表面的另一側。 離之前’此第―封裝體的另—固定表面，鄰近於第二封 定表面，此另―固絲面係相對於蚊表面。這種 2方式係十分有效率’因為在薄片分割時並不會有破片產生 離 之後j結果是’其生產時間可以被減少，因為骑裝體在分 爰就疋正確的尺寸，可以不需要被第二次加工。 此^對稱的分離方式較蚁延著料非對稱地 a - Μ ^ ^ 除時’其可以露出在此第—封裝咖定表_上 之離，械介層⑽下半部係沿著—蝴線而被 ^ 其二:相對：固巧！的第二封裝趙固定表面是平坦的表面: 在此情況下，此薄片必須確保是以之後的侧表面: 用，點是’此第二封裝體的側表面可以在作為 用…藉由吸附來固定元件，其平坦表面可以使得元 1305949 為方便，因為其可以使元件的吸附更為容易。 在此薄片被分割之前，最好是將所有的半導體晶片放置於每 一個凹陷之中。 在生產之後’此封裝體可以被安置於印刷電路板之上，利用 一精確的方式使得介層孔經由區域連接而與印刷電路板接觸。 此側面發射元件最好是使用於需要一較低元件高度的情況 下。這是因為侧面輻射可以使得元件被安置於相對於另一元件的 侧向，這樣可以在水平方向上照射。另一方面，對於一垂直輻射 ® 的元件而言，其可以被安排在垂直方向上照射元件的下游，如此 會增加元件整體的高度。此外’側向發射元件對於光會被導入一 光導的應用中是較佳的，因為其會形成例如一平坦的方式。 舉例而言，一側向發射元件可以被用來作為行動電話顯示、 行動電話按鍵或是液晶顯示器的背光之用。此外，其也可以作為 照明系統、閃光指示器或是高溫的應用之用。 【實施方式】 -此封裝體1的上方侧2，如第ία圖中所示，形成一輕射發出 轉的-輻射出π側。此上相2係為—第―層的前端，其與下 游之一第二層與―第三層最好是形成—多層堆疊，此封裝體1包 含此多層堆疊。 此第一層具有1陷6 ’其自第二層上方側2的方向上傾斜。 纽情況下，第1A圖中的封裝體！，三個晶片區域7被安排 ★凹陷—6中。-細源’最好是—輻射發射半導體晶片，可以被 女排於每-晶片區域7中。而每—晶片區域7對外的—電性連接， 導線連接區域3G與—晶片區域7分職提供。也提供一介層孔 ’其藉由—區域連接5與導線連接區域3G或晶片區域7連接。 13 l3〇5949 此介層孔3 ’最好包含—金屬，制最好是鶴。此介層孔3 係為半環形。其沿著固定表面19自上方侧2至與上方侧相反的底 側。此介層孔3也可以藉由在此不同三層中挖出—關，且利用 如電鑛墊上或填滿鶴於其中。在此情況下，此金屬層u可以做為 一電極。

、第1A圖中，顯不了六個介層孔3 ’兩個相鄰的介層孔以電性 連接方式分別連接到-半導體晶片。此外，兩個相鄰的介層孔3 分別連接到-第-電性接點和—第二電性接點。每—半導體晶片 具有可以分別啟動之優點。替代地方式，半導體晶片可以串接或 並接。 ，繞於此介層孔3上箱2的她t 4可以作為如標示作用 的金屬化10。藉由金屬化4辨識的介層孔3位置之幫助，此介層 孔3與*置於_電路板上的區域連接之—電性連接，可以在此 封褒體1固定在此印刷電路板時輕易地完成。類似地，此金屬化 10可以在此封裝體1定位方向時更容易。 髓ϋ此金屬化4也可以幫助此封裝體1在紅外線照射或是 知錫重新流動時對準其中心點。 —水平線Α_Α形成此凹陷6的中心軸，其與固絲面19平行。 固疋表面I9糾目對於m絲面^賴邊更遠離絲。此不在中 =凹陷6安排具有更有鱗與輻編合之優點 容易地進入一光壤。 在第1B圖中，顯示此封裝體1的剖面圖。一堆疊層8，其包 3有二層23、24、25其包含—陶究材料，如圖所示。 骑^ 3⑸陷6 ’其具有可作為反射體之優點。此反射 隹由—置於凹陷6中的半導體晶片所發出之輻射聚 '、、、^^ $成-侧面發射元件具有一特別高的輕射效率。此可 14 1305949 藉由例如—9g〇的絲肖度9而達成。 中的3m—晶片凹陷26,其可搭配-置於晶編或7凹陷 牛導體晶片尺寸大小而調整其尺寸。 性。「可以提供此元件的冷卻之用，以及後續影響其穩定 此層越厚的話則可以吸收越多的熱量。 虎到1分顧⑽言’如在—印刷電路板上，必須考 I古與厚度2G的比例。此比例最好是2:1。舉例而言， 3 2mm而此厚度以是丨65咖。 且右圖巾’顯讀此上方侧2麵之躺22。此底側22 層孔3的金屬化4 ’以及—作為如封_標示作用 的金屬化1G ’以及作為電極之用的金屬層11。

=2圖中，顯示此封裝體丨之層23的不同方向上之視圖。 4 θ 23特別作為光束控制之用。為此目的，其包含—凹陷6, /凹可以將由—置於凹陷6下或是於此凹陷6内(如第^ 示的‘射;騎發&之&射離開此侧面發射元件。此光束控制 具有一可由凹陷6形狀所影響之優點。 ^第2A圖中，顯示此封裝體丨的此上方侧2，其可作為此側 S、7L件之#射射出端。圖巾亦顯示出介層孔3、金屬化4和 〇、電極11以及凹陷6。此_ 6可以形成如圖巾所示賴圓形。 ^夕’ Ϊ也可以自此層23的前端向後端傾斜如—漏斗狀。 在第2B圖中’顯示此層23的剖面圖。此層23包含-陶究材 料。在製造時，此層23可以部分被抽出以形成此凹陷6。此時此 ό可以像疋削短的圓錐。其可適用作為—反㈣，而孔徑 角度最好是90。類似地，在第2C圖截面中此凹陷6中的孔徑角 度9最好也是90G。 在第2D圖中，顯示此層23的背面圖。此金屬化*和1〇以及 1305949 電極η被安置在此層23的前端及後端，而此介層孔3自前端向 後端延伸’因此在此固定表面19上延伸。 在第3圖中，顯示此封裝體1之層24的不同方向上之視圖。 在第3Α圖中，顯示此層24之前視圖。此前視係面對於多層 堆疊中之此層23的後端。此層24具有電性導通導線連接區域％。 每-導線連接區域3G連皆至區域連接5，此區域連接係鄰近一介 層孔3。在與介層孔3交界的邊緣，此區域連線5會以讓介層孔3

:以良好地位於區域連、線5中的方式形成。齡層孔3最好θ是半 環形方式形成在此區域連線5的邊緣，而此區域連線5 環形的凹口。 '、 ^ 此區域連線5可以彻來建立—提供日日日片_ 26 晶片最好是利用所提供之個“ 陷由層Μ所覆蓋，而此導線連接區域3。在此凹 之尺Γ片凹槽26被安置於此層Μ中。其尺寸係對應於此晶片 的薄片之不對稱分離所造成。°在疋因為由前述產生個別元件時 在第3B圖中，顯示此声 層24的前端向後端延伸。“、:1圖。晶片凹槽26最好自此 骰子狀的凹槽。 __是’晶片凹槽26大致形成— 在第3C圖中，顯示此層 圖中’顯不此封裝體丨之層Μ的不同方向上之視圖。 1305949 在第4A圖中’顯示此層25之前視圖。此前視係面對於多層 堆疊中之此層24的後端’此後端係完全覆蓋住前端。僅有晶片凹 槽26相對於此層25形成窗口。經由這些窗口，此晶片區域7可 以被看到’而晶片可以被安置於晶片區域7中。此區域連線5可 以被用來建立一晶片區域7與介層孔3之間的電性連接。此層25 的區域連線5其與介層孔3之間的距離較與一晶片區域7之間的 距離為近。 在第4A圖的例示實施例中，三個晶片可以被放置在三個不同 • 的晶片區域7中，這些晶片可以分別被啟動。或是替代地，這些 晶片可以利用串接或並接方式放置在一共同晶片區域中。 在第4B圖中，顯示此層25的剖面圖。此層25可以形成一散 熱片。在此情況下，此層25最好包含有一陶瓷材料於其中。 在第4C ®中，顯示此層25的背面圖，其同時也顯示構成封 裝體1的底侧22。 在第5圖中’顯示一薄片27 ’其被分割成四個封裝體】。此 薄片最好包含多層喊材料之堆疊。特別是較佳，此多層堆疊包 • 含三層。此三層可以形成如對應第2圖到第4圖中的三層23、24、 25。之後，此薄片27的第一層可以具有一漏斗狀凹陷6，豆自上 方侧延伸，構成之後的封裝體1之上方侧2，至此第一層的底侧。 安排在此第-層的下游是第二層和第三層。圖中可見導線連接區 域30在第二層，而晶片區域7在第三層。 *與此薄片27連接之金屬化4最好是安排成延著一直線12。此 ' 薄片27也可以是分離安排成延著此直線12。此薄27最好是以 — 之後的侧表面29之介層孔3移除時，其可贿出在此固定表面19 的方式分離。其結果是，封裝m僅與固定表面19具有電 此側表面29是平坦的以為了之後封裝體丨固定之用，如安置在一 17 1305949 印刷電路板上，以使得元件的放置更為方便。舉例而言，此薄片 27係延著此直線丨2鋸開，此鋸開的執跡最好是與此直線12的寬 度對應。 更進一步的分離可以沿著此直線28,此薄片27可以利 斷的手段分離。 在第6圖中，一側面發射元件31其可自薄片27中分割，由 -^示來表示。其為―多層堆疊，最好包含層23、％和。此層 23提供有凹陷6。安排於凹陷6中的每-晶片區域6中為一晶^ 13 ^其藉由導線14連接手段與一導線連接區域30相連。此^片 13最好是利用一導電膠而與晶片區域7相連。 曰曰 此半導體晶片13可以視實施例之不同而改變其輕射發射之波 長。此波長可以在如紅、綠或是黃色光譜範圍中。 在第7圖中’顯示出一封裝體j被固定於一印刷電路板η上。 度21與厚度2G的比例為2:1時，會使得封裝體1在固 2的處理較為料。於焊接時，尖端_力15會施加於此封裝 A屈上。攻些作用力可以集中在如對稱地施加在焊锡條上。此 板以較佳地執行電性及/或熱傳導於封裝體1與印刷電路 組成 必須注意的是’層23、24和25可以由—定數目的部分層所 雖穌發_已麵触實_來加挪述 =是’本發明並未受限於其詳細描述内容。熟習此= 本情本發明所述之實施例加以修改及潤飾。然而，根據 、查==結構’所有具有實質上相同於本發明之組件結合而 此财上相同結果者皆不_本創作之精神範轉。因 此’所有此㈣換方式及修改樣式係意欲落在本發·隨 1305949 專利範圍及其均等物所界定的齡之中。 【圖式簡單說明】 、s沒些附加圖式第1至第7圖，包含且建構部分之本發明，用 於說明本發敗魏例，且伴隨本發狀綱，作鱗釋本發明 之特徵、優點及主旨，其中： U、出和1C圖分別顯示本發明之第—實施例中所揭露之 封裝體的前視、剖面以及—後視示意圖。 露之、2C和2D圖分別顯示本發明之第—實施例中所揭 第^ —第—層的前視、剖面、長轴剖面以及一後視示意圖。 封裝辦3B和3C圖分別顯示本發明之第—實施例中所揭露之 第一層的前視、剖面以及一後視示意圖。 封裝=B和4C圖分別顯示本發明之第—實施例中所揭露之 —θ的萷視、剖面以及一後視示意圖。 第6^顯^一分割成四個封裂本體之薄片的平面示意圖。 示意圖。2示本發明之實施例中所揭露—侧向發射桃的三維 弟7圖顯示-狀於印刷電路板之封裝體的示意圖。 【主要元件符號說明】 1封裝體 2上方側 3介層孔 4、10金屬連接線 5區域連接 6凹陷 19 1305949 晶片區域 孔徑角度 、18金屬層 尖端作用力 焊錫條 印刷電路板 固定表面 厚度 高度 底側 、24 、 25 層 晶片凹陷 薄片 直線 侧表面 導線連接區域 20

Claims (1)

1305949 月斗修波)正替換頁 第095Π9070號專利申請案 T多正後無劃線之中文說明書替換本 民國97年7月22日呈送-附件二 '、申請專利範圍： h 上方側、-相對於該上方側之底側、以 -固定表面，該封和該底側連接’且提供作為 導晶片連接區域安排在—第—層，該第二電性 傳導晶片連接區域安排在—第二層。 * W 2 利範圍第1項之封裝體，其中該陶究材料係在紫外線 3. 4. 5. 6. 如申請專利範圍第1項之封裝體 如申請專利範圍第1項之封裝體 如申請專利範圍第1項之封裴體 接區域為一導線連接區域。 如申請專利範圍第1項之封裝體 接£域為一晶片區域。 ’其中該陶瓷材料是氧化鋁。 ，其中該陶瓷材料是氮化鋁。 ，其中該第一電性傳導晶片連 ，其中該第二電性傳導晶片連 7. 如申請專利範圍帛1項封裝體，其中該封裝體更包含一介層 孔，其自該上方側至該底側延伸。 8. 如申請專利範圍第7項封裝體，其中該介層孔是以一半環型或 是半圓柱型方式形成。 1305949 γ- ----------------—_____________ .替換 9’ *申請專概圍第7項之封裝體，其巾該介層孔是沿著該固定 表面延伸。 10.如申請專利範圍第7項之封裝體，其中該介層孔是以一金屬化 導線環繞該上方侧及/或該底侧。 u.如申請專利範圍帛ίο項之封裝體，其中該金屬化導線係以一 拱形方式形成。 12. 如申睛專利範圍第1項封裝體，其中該封裝體更包含-凹陷， 其位於該上方側。 13. 如申請專利範圍帛12項封裝體，其中該凹陷係安排林 向該固絲面_側邊較㈣於棚絲_ 更 此軸的方叙伸。 忠又退離

14.如申請專利範圍第12項之封裝體 射體。 ’其中該凹陷係安排為—反 I5·如申請專利範圍第i項之封裝體，其中該封裝體的一高声斑— 厚度的一比例介於1:1到2:1之間。 ° ^、一 —種具有一封裝體的側面發射元件，其包含一上方側、一 於該上方側之底側、以及-側表面，該侧表面與 ^^目詞 底側連接’且提供作為-蚊表面，該封裝體 一陶瓷材料的層次，以及該些層次有與固定表^傾斜匕令 向，其特徵在於至少一半導體晶片被安置於—凹陷中:主方 體具有-第-電性傳導晶片連接區域和一第二電性傳^= 1305949 為修⑩ι.替換頁 連接區域，其中該第一電性傳導晶片連接區域安排在一第一 層，该第二電性傳導晶片連接區域安排在一第二層。 17.:種具有一封裝體的侧面發射元件，其包含一上方側、一相對 =該上方側之底側、以及—側表面，該侧表面與該上方侧和該 ^側連接’且提供作為―固絲面，該封裝體具有複數個包含 一陶究材料的層次’以及該些層次有與固定表面傾斜之一主方 向’其特徵在於至少兩個轉體晶片，其發出不同波長之轄射 • ^安置於-凹陷中，該封裝體具有-第-電性傳導晶片連接區 、:和-第二電性傳導晶片連接區域，其中該第—電性傳導晶片 f接區域安排在-第-層，該第二電性傳導晶片_區域安 在一第二層。 如申《月專利範圍第16項或第17項之侧面發射元件，其中該半 導體晶片係被一包覆材料所包覆住。 、/

19.如申請專利範圍第項或第n項之側面發射元件，更包含一 光學元素被安置於該半導體晶片的下游。 20·如申請專利範圍帛16項或第17項之侧面發射元件，其中 面發射元件被安置於一印刷電路板上。 Λ :係· 一電，二導及/或二 =牛式，與其:=:J 種生產-封裝體的方法’該封裝體包含—上方側、一 邊上方側之細、以及面，該·面無上方側和該底 22. 1305949

側連接，且提供作為一 向，該封裝體係利用=::=:斜之-主方 出，其中該複數個封裝本體的料具薄片來產 接區域安排在-第—層，以及—第 =傳導晶片連 排在-第二層。 m傳導晶片連接區域安 23.如申請專利範圍第22項之方法，其中該

.體 罐咖蝴__：上方侧= ，數個最好是安排成長方形_陷和介層孔，其自該上方側至 该底側，被安排介於兩個相鄰之該凹陷之間且該薄片以該介 層孔呈對稱分離的方式被分割成複數個封裝： / ^；， 24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該介層孔被鋸穿。 25. 如申請專利範圍第23項之方法，更包含至少一個輻射產生半 導體晶片在該分離之前被安置於該凹陷中。

26.如申請專利範圍第23項之方法，其中該封裝體以該介層孔利 用區域連接方式而與印刷電路板接觸的方式被安置於一印刷 電路板上。 4