TWI304224B - A method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method - Google Patents

Description

1304224 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於一種佈植一基材的方法，其中控制基材 與佈植束之間的相對移動，用以維持基材表面上所欲之佈植 物種及其之均勻劑量。本發明同時也關於用以執行該方法的 離子佈植機。 【先前技術】 在一典型離子佈植機中，其係以内含所需原子物種之 相當小截面的離子束相對於一欲進行佈植之基材（典型為一 半導體晶圓）來作掃描。 該離子束可相對於一靜止晶圓作二維橫向掃描，或是 晶圓可以相對於一靜止的離束來進行二維掃描。此外，還有 混合掃描技術，其係在以一離子束進行一維掃描時，於一典 型第二正交方向機械掃描該晶圓。 各種技術均有優點及缺點。對於批次處理半導體晶圓 來說，一批次之晶圓可能安裝在一旋轉輪上 工之後可來回掃 描該輪的旋轉軸以提供一晶圓相對於一固 q心雕于朿的二維 機械掃描。此類型之批次佈植機的例子係描述於美國專利第 5,389,793 號案中。 描 單一晶圓佈植機可以使用上述之機械及 或電磁束掃描。此一配置係描述於共同受讓 5,898，179號案中 靜電之混合掃 之美國專利第 於此， 離子束係在與離子佈植機之束轴 3 1304224 成垂直的第一方向上進行電磁掃描，此時晶圓係在一大致成 正交的第二方向上進行機械性的移動。 佈植時最重要的是確保所需佈植入半導體晶圓或其他 基材的物種之總劑量在整個基材表面上均有一所需劑量均 \ 勻度程度。在上述批次類型佈植機中，這點係藉由以高度旋 轉佈植機輪及往復掃描輪軸來完成，使得安裝在輪上之多數 晶圓於佈植時通過掃描束很多次。於一上述混合的單晶圓佈 • 植機中，劑量均勻度係藉由以相較於欲進行佈植之晶圓的機 械移動速率為高之速度，作靜電掃描或電磁束掃描來維持。 位在晶圓機械移動方向中之晶圓表面上的劑量均勻度，係藉 由控制機械移動速度來確保，但機械移動速度係永遠遠小於 . 掃描束的速度。 參考WO 0 3/0 8 8299號，其揭示一採用二維機械掃描之 配置，用以在一佈植機中得到良好的劑量均勻度。本發明之 實施例在較前面的例子，有敘述對該佈植機和佈植方法之改 一 良0 【發明内容】 本發明實施例的一目的為提供一新穎之掃描演繹法， 其可以提供由下所知之特別優點。 因此，本發明提供一佈植一基材的方法，其包含·· a) 產生一具有預定方向的佈植束；b)將基材繞著一與該基材平 面垂直之軸將基材相對於該佈植束定位於一第一方向.^)在 1304224 、第方向’於該基材及該佈植束間產生一第一相對運動， 包括（1)在與該佈植束方向垂直之第一方向的平行方向上，產 生該佈植束並使佈植束通過基材至少一次及（ii)於每一次通 過動作（pass)時，在與該佈植束方向垂直的第二方向和該第 一方向的平行方向上，產生多個掃描束並通過基材上方，藉 以使該等掃描可在基材上繪出由具有中點的掃描線所構成 之一第一光柵，其於第一方向上具有預定之間隔；d)將該 基材繞著該軸定位於與該第一方向呈18〇度之第二方向；以 及e)在該第二方向上，於該基材與該佈植束間產生一第二相 對運動，用以在該基材上繪出由該等掃描線形成之一第二光 概’其係插敍於有該第一光柵的多個掃描線之間。 上述之方法中’在插敍於掃描時該基材以相反的方向 繞著垂直軸旋轉。當該結合之插敍於掃描的有效線間距減少 時，此通過動作可以確保在第一方向所送達該基材之劑量具 有良好的均勻度。同時，該佈植線段之間的方向相反，可以 拉平掃描束中離子因為佈植角度所引起之任何分布不均勻 差距。 而且，可以減少該基材之熱負载。該基材與掃描束間 相對移動之第一方向為慢速掃描方向，並且通常在此方向之 移動事實上係互相反方向的。在相反之慢速掃描通過動作 (Pass)之間將該基材旋轉18〇度，可以使每一通過動作（pass) 杈越i基材都疋從基材之相同邊緣點開始，如此可以拉平 曝露於離子束之熱效應差距。 5 1304224 本發明可以使用於慢速掃描方向中之掃描束與基材間 之連續相對移動’用以在基材上產生一 z字型的或鋸齒掃描 圖案。然而，若掃描在基材上怜屮去知^ ^^、 工、、F出禾相乂之均勻分隔之實質 平行線時可得到較佳結果。 * 如此，即使在基材的第一方向單一通過動作（pass)掃描 •、 束，基材上仍然可以得到良好的劑量均勻度。 亦是重要的是，即使在第二方向中之掃描束進行快速 φ 知描時仍然可能得到良好之劑量均勻度，雖然其等與電磁/ 靜電束描繪系統比較時速度較慢。結果，該方法係特別應用 料一晶®機械掃m中，其中相對於掃描束之晶圓的快 速掃私係藉由使一晶圓夾具上之晶圓進行往復機械移動來 70成藉由往復機械掃描系統，限制晶圓往復於佈植束之最 南速度。社里 „ 、’、°果’具有所需原子物種的預定通量之一佈植束， 當佈植类I 1 一面積上完成單一橫越，則配送至基材的每一單 位面積之密，丨署h $相S高。因此，傾向於使連續快速掃描間之間 _ β特別疋於掃描系統所形成光柵之線間的間隔更大。 * · 最好县笛 &弟二方向中之基材與佈植束間之相對移動係使 ， 基材在與該笛_ 、 乐—方向平行的方向進行機械往復運動來產 生，而該於楚 '禾一方向中之相對移動係在掃描之間使基材在與 該第一方向來夕 °干行之方向進行機械平移均勻距離來產生。 此類刑J», Μ1之二維機械掃描程序係對晶圓進行單個佈植 (亦即，不0 疋从批次方式進行），使用一相當簡單佈植束線， 而沒有用 ;例如上述之混合掃描單晶圓佈植機之佈植束掃 6 1304224 田系、、先。因為一晶圓的往復機械掃描相較於電子束掃描係相 田地’所以需要於晶圓上之佈植束的幾次掃描，以配送由 •程程式所指疋之原子物種的劑量至基材上。此表示由掃描 程序所產生光栅的個別線可以被離子束的寬度分開成相當 4 /7。同時’完整佈植可能佈植束只需要少次數通過基材（於 V 與上述機械往復方向垂直的上述第一方向上，即第二方向）。 通常在該第一方向該佈植束具有係非對稱的強度分 • 布此時’最好是該第一和第二光柵係以一共同的線間距繪 出’而該第二位移（phase shift)繪出該第二光柵，如此可以 具有相對於該第一光栅之一空間位移，其不同程度從5〇〇/。 起’此處’ 1 00%位移係等於該共同線間距。可以選擇該空間 • 位移來改良劑量在該第一方向之劑量不均勻度。該劑量不均 句之改良，如後述之說明係可以提升的。 本發明係提供一離子佈植機，包含：一離子束產生器， 用以製造具有含有一所需原子物種之一預定離子束通量的 % 佈植離子束；一基材夾具，係用以夾住一欲被佈植之基材， • 該夾具係安裝成可繞著一與在該夾具上的基材晶圓平面呈 垂直的扭轉軸旋轉；一扭轉驅動件，用以將該夾具繞著該扭 轉軸旋轉至相對於該佈植束之一選擇方向，掃描裝置，其作 用為使在夾具上之一基材晶圓與該佈植束之間達成以下的 相對移動，包括⑴在與佈植束方向垂直之第一方向平行的方 向，使至少一佈植束通過基材及（ii)在與第二方向平行並與 該佈植束方向及第一方向垂直的方向，於每一通過動作中於 7 1304224 子，係由離子束中藉由質量解析狹縫14選出。已為吾人所 热知，該選擇用來佈植之束離子，可以是只含有所需要佈植 原子物種之原子離子、包含所需要原子物種之分子離子，或 疋l含所所需物種之多個原子或是多個分子之簇離子。

離子佈植機之這些元件係為標準並在離子佈植之領域 中為已知的。這些元件一起形成一離子束產生器，其產生一 含一用以佈植於半導體晶圓中之所需原子物種的離子束。 來自上述離子束產生器中之質量選定離子束進入一抽 真空處理室，其具有一室壁，其部份標示為15。一表示為 1 6之晶圓掃描配置係安裝在處理室的室壁丨5，並可被操作 在兩方向掃描由晶圓夾具18夾住之晶圓17，該兩方向係與 質量選定離子束19垂直。晶圓夾具18係安裝在掃描臂21 的遠端2G ’其自處理室内部！外部延伸穿過真空密封件η。 真空密封件22係形成於滑動板23中，該板係安裝於可旋轉 載板24上，用於在與掃描臂21的縱長垂直的方向作線性移 動’隨後將該載板24安裝在於—與相對處理室壁Η之掃描 臂21垂直方向的平面中，用以旋轉移動。 掃描臂21係安裝於滑動柘 月動板23上，用以縱向移動並可以 被一馬達25往復地縱向驅動。一 驅動馬達26可以在與掃描 臂21垂直之方向驅動承载掃拗 卸插臂22之滑動板23。藉由適當 地操作驅動馬達25及26，可以μ β 使日日圓夾具18及於其上之任 何半導體晶圓產生越過的離+ 4 7離子束19的二維掃描圖案式的組 合掃描移動。 9 1304224

在一適當的例子中，掃描系統的旋轉支撐板24係安裝 在處理室壁15,藉由一空氣軸承及真空密封的組合，例如於 美國專利第5,898，179號及英國專利GB-A-2360332號案所 揭示者。同樣地，滑動板23係亦由上述美國專利說明書所 揭不之空氣軸承及真空密封組合，安裝成線性移動於旋轉支 擇板24上。該掃描臂2 1係最好是安裝成可以沿著該真空密 封件縱向移動’並配合空氣軸承真空密封配置，該配置係揭 不於申請人申請中之國際專利申請第W〇 03/088303號案 中，該案之說明書内容以引用的方式併入本文中。 法拉第係位於晶圓夾具 於佈植機的處理室中，一 下游，當晶圓夾具18係定位成沒有任何離子束19碰撞於夾 /、1 8或掃描臂2丨上之晶圓丨7時，其所在位置可吸收整個 束1 9法拉第3 0所吸收自離子束的總電荷，可作為含 有預定佈植原子物種之離子的離子束19中之通量的量測。 :控制器3"妾收一來自位在同一線32上的法拉帛3〇的信 :’並可被操作以由此信號導出用於所需物種之總.離子束通 I之值。控制器31同時也可被操作用以控制驅動馬達25及 、通過動作’以控制掃描臂2 i的掃描通過動作。 於-較佳配置中，控制器31係可操作來於第i圖的紙 籬：面中’以一連串的的線性移動將晶圓夾具18移動越過 離子束19，直中卷—成 .^ ^ 線性移動係被一步階性移動分開，步階 性移動係與紙張平面垂 直所传柃描圖案係例示於第2圖 ，其中虛線35係掃描臂2…座標方向往復移動晶圓 10 1304224 時，以及在與Y座標方向平 J十仃方向且指標向下之每一 動行程末端時，晶圓17的士 仕设移 的中心36的執跡。 於第2圖中，離子戾 係例不為具有一實質圓形 其具有實質上小於晶圓17吉〆 〇面’

直徑的直徑。實際上，晶圓17可 以具有300mm的直徑，而齙 T 而離子束的直徑典型為50mm。 看出’晶圓1 7的往復掃括从 作用確保晶圓17的所有部 露於離子束19中。晶圓17从 勺曝 的移動使得離子束1 9在晶圓i 7 上完成重覆之掃描，其個則u v ㈣〃個別掃描係平行並等距地分隔，直到 離子束完整通過晶圓為止。 雖然於第2圖中之線35代表在夾具心之晶圓以 對於-固定離子束19的移動，但是線35也可以想像成越過 晶圓之離子束的掃描線。在此情況下，晶圓係在所示掃 描圖案的中心，以虛線17a作為代表，及離子束係以代 表。明顯地，離子束19a相對於晶圓17a的移動方向與晶圓 17相對於離子束19之實質移動方向比較時為相反方向。 於此例子中，控制器3丨掃描晶圓丨7，使離子束i %在 基材上，繪出一非相交之均勻分隔之平行線的光柵。每一掃 描線37相當於在基材上之離子束的單一掃描。如所示，這 些離子束掃描超出晶圓丨7的邊緣，至離子束剖面完全離開 晶圓17a的位置3 8，因此晶圓未吸收離子束通量。於這些位 置時離子束19a的全通量到達位在晶圓夾具18下游的法拉 第3 0 ’使得所需物種的全電流束可以為控制器31由來自線 32上之信號所決定。應了解在第2圖所示之圖中的視覺效 11 1304224 果，離子束19a掃描整個晶圓17a，法拉第3〇有效地與離子 束1〇a 一起移動。惟在實際上，離子束19及法拉第30係被 固定的而移動的是晶圓17。 • 假設欲被佈植之原子物種的離子束通量在時間上為恆 • ·定’藉由維持沿著光柵之線之晶圓17的恆定移動速度，被 •酉己送至晶圓17a之所需物種的劑量在晶圓上，於光栅之择描 線37的座標方向X中亦係維持於·^。同時，藉由確保於 • 個別光栅之掃描線37間之間隔為均勻，沿著座標方向丫的 劑量分佈也實質維持為恆定。 然而實際上，於a曰曰H 17執行於離子束19的完整通過所 化的時間’即完成如第2圖所示之全光栅之掃描線37的時 間内，離子束通量可能一些漸進的變化。 為了降低於掃描光栅時之此等離子束通量變化的影 響，當整個離子束通量為法拉第3 〇所吸收時，控制器係配 置成可量測在位置38的離子束通量，接著，使用所量得之 φ 通量來調整晶圓夾具18下一掃描或光柵之掃描線37上之移 .· 動速度。若於位置38之離子束通量量測值指示離子束通量 變少，則控制器確保晶圓夾具以一較慢速度沿著下一掃描線 37驅動，以保持沿著掃描線之晶圓夾具18的行程的單位距 離所需原子物種的所需佈植逮率。藉由此方式，於晶圓上之 掃描線的完整光柵的形成路徑中之電流束的變化並不會造 成配送於基材上之知描線間隔方向中之劑量的變化。 在上述之實施例，在進行掃描通過動作完成佈植之期 12 之軸的外形。該晶圓扭轉方向係藉由轉動晶圓夾具18繞著 貫穿該晶圓中心之—垂直軸來調整，在該掃描臂21之遠端 2〇具有一扭轉馬達56。因為該晶圓之傾斜角可以藉由旋轉 該中心掃描配置16來調整，隨後掃描該晶圓之平面，亦傾 斜於相對於該離子束相同角度之一平面（χ，γ1)。隨後在對χ

1304224 的佈：Βθ回係維持在與該離子束垂直之平面。這是-零角度 2亦同樣可以執行具有角度的佈植，即將該晶圓（尤 、疋圓晶之結晶構造）維持在-所需的傾斜角並對該佈植束 呈才丑古A» σ 。該晶圓傾斜角可以藉由位於旋轉載板24上之 =掃描配置16繞著該掃描f 21之—平行軸旋轉，在晶圓 夾/、上之—晶圓17的平面内進行調整，並且與該離子路徑 …目交。第丄圖係-示意圖，並沒有完全顯示旋轉載板24 及Υ1雙方向之光柵進行掃描的期間，該傾斜晶圓對晶圓平 面進行平移。 於目前已描述之例子中，於半導體基材或晶圓及離子束 間之相對移動係藉由機械掃描半導體晶圓在與束離子垂直 的兩方向提供。此避免了使用離子束偏向系統來掃描離子束 本身。然而，於不同例子中，該離子束可以藉由束偏向器來 掃描於兩橫向方向中之至少之一方向中，該兩橫向方向提供 於晶圓及離子束間之二維相關掃描。然而，於所有例子中， 掃描系統在晶圓上，於一或多數通過動作（pass)中的每一次 通過動作（pass)中，產生離子束的多重掃描，藉由諸掃描在 晶圓上繪出非相交之均勻分隔之平行線的光栅。同時，離子 13 中，於每一個 ’沿著其軸的 均勻距離，用

1304224 2量係在晶圓邊緣外之掃描延伸位置上進行量測並且調 知描速度’以維持掃描的每一單位長度 一所需值。 ~ 於上述參考第1及2圖中之機械掃描系統 :掃描間平移晶圓17 一均句距離，也就是說 掃描孑21的往復運動的每一個別行程平移一 以產生如第2圖所示之z字型的光柵圖案。然而，可以控制 掃洛機械’以使得多重掃描沿著光柵的同一線進行。例如， 母光柵之線可以代表掃描臂21的兩次行程或往復運動， 然後只有在每次之兩次行程間平移晶圓夾具丨8該均勻距 離。所得掃描圖案係如第3圖所示。 同時，第2圖也只例示在晶圓上與γ座標方向平行之離 子束的單一通過動作（pass)，但完整之佈植程序也可以包含 多次通過動作。然後，佈植程序的每一如此通過動作可以安 排來搶出均勻分隔平行線的個別獨立光柵。然而，多重通過 動作的掃描線也可以組合，以繪出由多重通過動作之掃描所 有效繪出之複合光柵。例如，一第二通過動作掃描可以精確 繪於第一通過動作掃描間之中途上，以產生一具有均勻光柵 的線間隔的複合光概’該線間隔係為後續掃描的每一通過動 作的間隔的一半。 如前所述，使用一純機械掃描系統一般會使半導體晶圓 上之離子束的行程的最大速度，被晶圓夾具的機械掃描的最 大速度所限制。於如第1圖所示之機械掃描系統類型及上述 14 1304224 國際專利第WO 03/088303號所詳述之系統中，沿著掃描臂 2 1縱軸之往復移動的最大速率可以為約1 Hz。對於一特定離 子電流束，或欲被佈植之所需原子物種的通量，於離子佈植 製程中，曝露在離子束的時間係由欲被佈植之原子物種的處 方劑量（recipe dose)所表示。假設晶圓相對於離子束的橫越 掃描係被限制在確保在晶圓上之劑量之均勻分佈時所需的 置’即例如第2圖所示之正方光柵圖案，假設每一掃描緣出 一分離之線，可以看出該被限定的佈植與機械掃描速度以及 被限定的總體時間控制在晶圓表面上進行掃描所繪出光柵 線的間隔。 月”具也為了確保被送至晶圓上之於光柵的線間隔方向 中之劑篁的適當均均性，此間隔或線間距必須低於線間隔方 向（第1圖之γ座標方向）中之離子束的剖面尺寸。實際上， y量均勻度係藉由更小光柵的線間距來改善。 印电流末所掌控之線間距處之掃描線以

的單一通過 乍、％描機構之機械往復速率、及所需戈 劑量將處方劑晷献w r。η 配达至日日圓。然而，較佳地，在晶 通過離子束時，献、、，、、，1 ^ 己运运相同處方劑量至晶圓以降低

子束所造成之S <曰曰圓的熱負載。接著，為了最大 度，於每一通 ^ Έ k動作時所繪之掃描線最好是被配置 前一通過動作 柵 、知描線，以產生具有降低線間距的潜 例如 冷由處方劑量要求所掌控之線間距如上所示為 15 1304224 τ ’則四次通過動作中的每一次皆可由以4T分離的掃插來6 成。每一通過動作係被配置成各通過動作（pass)的掃插具有 τ量的空間位移，使得由四次通過動作所繪出之複合光柵具 有間距T的線。藉由此方式可降低晶圓的熱負載，同時，確 保了光柵的線間距被維持於所需值T。第4圖例示如u ^ ^上述之 四次插敍式通過動作（pass)的掃描圖案的一部份。 本發明實施例之一插敍式光栅的修改版，如第Ua 13b 13〇及l3d圖之說明。在一已知佈植程序，可以將一所 需佈植量分成數等份，各等份係在不同的晶圓扭轉方向配送 至該晶圓。在一零角度佈植的例子，該晶圓通常與該離子束 垂直，能夠以四等份來配送該劑量，該等份係以軸方向為各 自等間距、約與該晶圓平面垂直（並且與離子束平行）之方式 配送至該晶圓。如此，例如在本實施例，該佈植劑量之四個 不同部分之不同方向的間隔為9〇度。該最後佈植程序有時 破稱為「四分式」佈植。如此四分式佈植的目的之一，係用 以相互抵銷離子束中的離子因佈植角度所引起之任何分配 不均勻。 任何如此佈植程序，該佈植劑量之不同部分係以將晶圓 方向扭轉180度進行配送，該劑量之各部分可以經由分開路 徑之離子束配送到被掃描的晶圓上，而在晶圓上產生具有掃 描離子之一光栅。隨後，將晶圓扭轉18〇度以插敍式來產生 光栅’用以改良劑量之均勻度。 第13a圖示具有一插描間距為2丁之掃描線5〇的一第一 16 1304224 光柵。該第一光柵係以箭號5 2位置所示一第一方向在晶圓 51上面實行。在實行一第二光柵之掃描線之前，該晶圓如第 13b圖以改變位置180度重新定位。隨後實行一第二光柵之 掃描線，該第二光柵之掃描線5 3係插敍於該第一光柵之掃 描線50之中間。該二光柵之最後組合物的整體掃描線間距 為Τ’如此’能夠提升與該掃描50和53之方向垂直的劑量 均勻度。 為了完成該四分式佈植，如第13c和13d圖所示，實行 掃描54及55之另外二光柵，該晶圓相對第i3a之方向係定 位於90度及270度。同樣地，該第四光柵之掃描線55係安 排插敍於該第三光栅之掃描線5 4之中間。 如此方式之四分式佈植，可以藉由在第1圖之控制器 3 1中設計程式，用以使用掃描線對該晶圓實行四個分開的通 過動作（pass) ’並且操作一旋轉驅動馬達56，依各通過動作 之間的需要來重新定位該晶圓夾具1 8。 如上述之實施例，該四分式佈植係以零佈置角度實行， 如此該晶圓之垂直方向與該離子束平行。然而，若是該佈置 係在晶圓傾斜情況實行，例如，如上述提供一有角度的佈 植’其有時候為了佈植不同的線段需要繞著一與該離子束平 行的軸調整該晶圓的方向，而非繞著一與該晶圓垂直的軸。 藉由如此方法，為了佈植該不同佈植線段，該離子束相對於 該晶圓之晶軸的角度可以保持相同。 雖然上述之實施例僅敘述一「四分式（quad)」佈植，當 17 1304224 然可以在更高等級之佈植中同樣地將該晶圓以類似旋轉i8〇 度的方式實行插敍式光栅，如將該該晶圓重新定位於度 角間隔（「六分式（sextal)」佈植」）、45度角間隔（「八分式 (octal)」佈植），或是其他可以整除36〇度之角度間隔。 如上述實施例並如第l3a至i 3d圖之說明，假設掃描中 心線係如第13a至13d圖所表示之離子束中心執跡，在該插 敍式光橋之空間位移為各自光柵之間距的5 〇%。一在Y.、或 掃描線間距、方向等具有對稱分布之佈植束是可以接受的。 然而該佈植束通常有些不對稱。當方向不對稱之一佈植 束，且假設在Υ-方向之佈植束中心係該佈植束的中間點時， 光柵以間距位移50%之形式插敍於一被18〇度重新定位或是 扭轉之晶圓時，會造成在γ方向的劑量不均勻，若和對一被 夾住於固定方向晶圓實行該二插敍式光柵所能到的比較 時，是明顯較差的。 此理由可以從以下的分析得到了解。一對稱佈植束之例 子（在Υ-方向）在插敍式光栅之間重新18〇度定位該晶圓時， 對來自該二光柵之掃描線在晶圓之γ_方向的離子束通量分 佈（或是接收區域）是沒有差異的。因此，在晶圓上之佈植束 之Υ-分佈的對稱接收區域，因為該等插敍式光柵係一樣地重 複之結果，有效間距都是τ/2亦即等於各自光栅之間距τ的 一半（如第13b之說明）。 然而，當一在Y-方向具有非稱佈植束分佈之佈植束， 在進行第二光柵掃描時，在該晶圓上該佈植束之Υ—分佈之對 18 1304224 應不對稱接收區域係反轉的。結果，在插敍式光柵中，晶圓 上佈植束之Y-分佈之相同接收區域重複，致使各光柵之有效 間距只能達到τ。Y-分佈具不對稱特點時之有效間距為τ， 然而具對稱特點時之有效間距為τ/2。因為不均勻度與有效 間距有很大的關聯，在Υ-方向不對稱的佈植束會使不均勻的 結果更為惡化。 將晶圓1 80度扭轉來進行插敍式掃描所引起該不均勻 度降低’藉由在該插敍式光柵之間選擇一差距為τ/2(各掃插 間距之50%)之位移時，幾乎可以完全消除。可以從測定該 離子束之γ-分佈以及各光栅之預定間距τ而確定一與 不同的最佳位移。 使用電腦來執行一數字分析，可以從以間距為τ掃描而 成的單一光柵，計算在Υ-方向之劑量分配。隨後，將該劑量 分配數字加在其鏡像（二者之間具有不同空間位移）上，而該 結合分配劑量之結果用來計算該不同相位移，係為該特定間 距值Τ找出使Υ-方向劑量變動達到最小之最適當的相仅移。 已知在單一光柵間距值τ的範圍計算一典型不對稱離 子束分佈的最適化之空間相位移值，可以得到一劑量的均勻 度，其不僅符合不扭轉晶圓180度而以50%插敍於不對稱離 子束（如同具有間距Τ/2之一單一光柵）的均勻度，且亦能夠 提供-些具有相當均勻度之丁值。如f 15、16及17圖之圖 示。 第1 5圖係表示在γ_方向具有一些不對稱之佈植束分佈 19 1304224 圖。第16圖顯示使用第15圖之佈植束分佈，對一晶圓進行 一平行掃描之光栅時’劑量之非均勻度（γ_轴）對間距（χ^ 之描繪線。在第16圖’線70係表示在一零角度佈植，不同 間距時-單-光柵之非均句度。線71係表示二重疊之光柵 之非均句度’各光柵具有和線70之單一光栅相同的間距而 空間位移為50%、該晶圓在二光柵之間未重新定位。因此，

線71之描繪線對應該線70描繪線並在X軸以二倍間距值移 動至右方。 第10圖之描繪線72係表示空間位移為5〇%之二重疊光 柵的非均勻度，但是將晶圓扭轉180度後施行第二光栅。該 50%光柵移動係在γ-方向施行在該非對稱離子束之中心掃 描線軌跡上。 相形之下，第17圖之掃描線73係表示重疊光柵的均勻 度，扭轉1 80度並且光柵之移動為間距各值之最適化。可以 看出在某些低間距值所得到之均勻度，實際上比沒有扭轉 180度的更好。這種改善程度似違反直覺想法的。然而，可 以從以下具體說明得到解釋’在一最適化間距移動下結合一 不對稱分佈與其鏡像可以產生一結合分佈，該結合分佈係對 稱而且比原來的不對稱分佈寬。在一選擇間距中掃描線可以 達成的劑量均勻度，與在掃描線間距方向之有效佈植束分佈 寬度有很大的關聯。因此’即使藉由結合分佈所形成之光柵 (在晶圓上由該結合分布所形成之組合線之間）具有一間距， 該間距等於掃描線之各自分開光栅之各自實際上的間距Τ， 20 1304224 因為該結合分佈係對稱的，故仍而可以有良好的均勻度，並 且具有大於該離子束分佈實際寬度之一有效寬度。 如上述光柵的掃描線之該等例子，該整體光柵實質上概 略而言係四分式，即便被佈植的晶圓係圓形的。若需要改良 生產性及減少各光栅掃描期間的時間，因為離子束該晶圓旁 通過時並沒有離子束通量被吸收，可以調整該掃描線之長度 來減少沒有離子束通量被晶圓吸收之時間。第14圖示一修 改之光栅，以掃描線60來說明佈植束在晶圓上之相對移動， 而該虛線61㈣四分式光栅之該等部a，在修正掃描圖案 該等部分被排除在外。結果，如第"圖之說明，可以減少 製作該光栅的時間、提升佈植之生產性。可以增加產量約 10〜20%。該掃描圖案如第14圖之說明，可能不完全是圓形 的。例如，《測定該佈植束分佈係不對稱時…邊之掃描線 可以延伸至比在另外一邊更超過晶圓之邊緣。而且，若實行 一有角度的佈植時，於是將與該佈植束方向垂直之掃描圖案 平面的外形修改成為橢圓形。又，在佈植期間，有時為了劑 量測定的目的，可以容許整個電流束繞道通過該晶圓及夾 具，並進入該佈植束法拉第後停止較長的時間。因此，一適 合的掃描圖案之外形，可以實質上係圖形而具有一完整的方 形角。如前述之第14圖，係為了方便說明離子束在晶圓上 知七田之路徑’然而’如第i圖示之一機械掃描裝置，實際上 是該晶圓握描過一靜止的佈植束。 雖然可與機械掃描系統一起使用之光栅的線間隔係如 21 1304224 上所述為處方劑量及電流束所掌控，但重要的是，需確保線 間隔或間距係小到足以提供間隔方向中之所需的劑量均勻 X °匕均勻度係為佈植束分佈形狀及光柵的線間距的函數。 • 較j之間距造成於晶圓上之更均勻的劑量分佈。以下為均勻 度係如何隨著平行線掃描圖案的掃描間距函數變化的數學 ， 說明。傅氏轉換係被用以作為一工具，因為分析涉及於劑量 分佈中之週期圖案。 • 以此研究中’假設在佈植時電流束及分佈並不會改變。 雖然時間依附性雖然相似，並未加以處理。符號τ ' t、U、 ^及τ被使用作為空間變數，同樣地，μ及1/T為空間頻率。 於平行線掃描器中，在晶圓位置t上的佈植劑量 A(t)可以使用一週期^函數來完成： ^ ( δ Τ (t τ )= η /!=-〇〇 1 / • 其中6(ζ*)為於慢速掃描方向（第2圖中之y)中之佈植束 ·· 分佈及5 T(r)為週期T的5函數。T相當於一平移步階或於 • 一複合光栅中之光柵的線間之間隔。第5圖例示諸函數及第 6圖例示光柵的掃描圖案。晶圓17係在被掃描束19掃描的 前面以分開一定距離T的平行線之形式被掃描。更簡單地 說，6(r )被定義於一範圍[〇, 1；1内。換句話說，步階τ為护 準化為實際佈植束大小。方程式繪出在完整慢速掃描或具有 1/Τ快速掃描之完整光或後之位置t的累積劑量。劑量办⑴ 22 1304224 同時也是具有週期T的週期函數。 方程式1的函數之傅氏轉換被定義如下： 5 τ⑴一^△岣⑽

h(t)_JL_^H{c〇) 週期δ函數的傅氏轉換也是一週期5函數。 △(历)=〇 〇 · Σ占(仍-⑽〇)， ω 〇 = 2 7Γ /Τ 2) ϋ W=-〇〇 使用褶積定理及上述之符號，方程式1被轉換為：

Η(ω )=Β(ω ) Α ω^(ω )= ω〇·5(ω)· Σδ(ω^ηω〇^ /!=-〇〇 =ω 〇 · Σ5(⑽〇)·咖-⑽〇) 3) Λ=-〇〇 這是一個重要的結果。方程式3顯示劑量A (t)的傅氏轉 換包含一連串之具有定間隔ω 〇 = 2 7Γ T的脈衝所構成，及在ω 23 1304224 =η ω 〇之每一脈衝的振幅係等於ω ω 〇)，其係為 ω〇之離子束分佈頻譜密度的倍。 佈植之偏差σ2被定義為： σ2=1/τ. \m^W)fdt ο 其中λ⑺為平均劑量。積分係被執行於[Ο，Τ]的區 為A(t)為週期Τ的週期函數。 兩=1/Τ · 丄零)=i_) w 0 2π 2π ιιιπ 若劑量偏差被寫為/(t)= A(t) Α⑺及/(t)- 方程式4)， σ 2=1/Τ - Ο 這是為/(t)的冪的定義。使用巴色伐定理，這可 不為. ω =η

4) 間，因 5) ，則由 以被表

其中 為F之第η項的振幅 24 1304224 由方程式3及5 ω)^Η{ω) /ί(〇)= ω〇· ^Β(ηωο)^δ(ω-πωο)-ωο'Β(0)·δ(ω) 胃1 α〇 ω 〇 · Υ,Β(ηω0)·δ(ω-ηω0)^ω0^Β(ηω0)^δ(ω-ηω0) 因為6⑴為實數，所以。 因此，σ 2=2·ϋ^5(⑽ 〇)|2 及標準偏差σ為 (7 = 6l) .Λί2^Έ\Β(<ηω〇\2 6) 標準至平均劑量_(見方程式5)之相對標準偏差σ r為 σ r= σ / Α(0= 2.Σ ㈣⑽。f/5(0) 7) 25 1304224 方程式6及7描述劑量非均勻度如何取決於ω 〇，因而 如何取決於慢速掃描步階Τ。佈植於頻率1/τ之劑量的棹準 偏差係由〇)的振幅構成（其中ω 〇 = 2;r /T , n=1 上、· · ·) 於佈植束函數的頻譜密度中。對於〇 或ω σ嚴未 包含振幅5(ω)。方程式6及7只有當無限總和被執行時， 算術上才會正確。然而，係為ω的快遞減函數，及口 及^；,的相當良好近似值係藉由只總和幾個級數中之低調和 項來取得。 於連績頻域中計算β(ω)係相當費時的。或者也可以 使用快速傅氏轉換（FFT)並導出用於分立頻率之〇的 值其中n+U，…）。由21資料點所構^之 佈植束分佈的FFT只得到至 μ 1-1 171 1 之 )。若佈 植束分佈函數被量測並為相當於6(Λ τ .m)，（其中m=〇 i， 2 ’ ...，27)之每一元素的向量，則可以取得至多27 他 頻率之β(ω)。方程式6及7桩签担说知一工# 夂/接者提供相當正確之 之值，至多至27 2 = 32Hi頻率。·）可以藉由使用傅氏轉 換的比例特性’加以於非整數之頻率導出。當（>1為一比例 因數時，對於頻率級數，矗奴L/ 、 了 只干紙函數WO： t)的傅氏轉換得到 5U)/a，其中 ωη =2以 /α (n = 〇 , 1，2，…）。 第7圖顯示對於第5圖所千夕紅备&& &、 _所不之任意佈植束分佈函數，所 計算之σ r為頻率I/τ之函數。 默FFT對於&(△ τ · m)被執行 至-長度27。對於“之典型要求為在一佈植後小於〇 5%。 26 1304224 叫米，五 / 一r 作為佈植掃描空間頻 光柵的線間隔T應小 以符合所需之劑量均 吾人可以選擇1/T> 率。因此，悔 &逯知描步階或標準化掃 於間隔方向（Υ) ;r之離子束尺寸的1/ί 勻度 J r<0.5%。 第8圖中，在以兩不同值之 σ Γ之繪圖係被顯示。 α施加比例特性至5(ω )後， ' 圖中，FFT結果被與由方程式4所計算出之結果

作比車乂。儘管佈植束分佈6⑴只被取樣於Am點，但pa 符口精確曲線。可以注意的是，除了當頻率上升時的一快速 遞減傾向外，σ r有一週期圖案。 若佈植束分佈函數為高斯，如第1〇圖所

U X 當掃描間距降低時很快速地遞減。這是因為高斯函數的傅氏 轉換也是一高斯函數，如下所示： 6⑴—exp( a t ) —4nI a ) * exp( ω 2/4 a 2) 8) 可以看出由於項 |5〇/\^。| & 2) · exp(-n6L) 〇2/2a 2)，則 σ很快接近〇 ^於方程式8中之更小值&造成更寬的分佈及 於σ的更快降低。 示於第11圖中之圖表例示出當a=5.7時，在1/Τ = 4.3Ηζ 時’ ar落在0.5%以下。這幾乎是第5圖之任意佈植束分佈 的頻率的一半。 27 1304224 概要如上’對於特定離子束分佈函數在間隔方向中一 快速傅氏轉換方法可以用以計算具有光栅的線間距在光柵 的線間隔方向中’晶圓上之劑量均句度的變化。於操作中， 上述計算可以藉由— • 電恥供連地執仃，例如一用於其他佈植 • 機控制功能的電腦。p 4η πτ?丁 _ ϊ田她 去FET處理機或軟體應用可以用於此 • 目的。替代FFT技術，妁q声舛筲π & , 可均勾厪计异可以以其他方式來進行， 例如藉由使用電腦模擬。 • 《用上述掃描處理來執行-佈植時，選擇掃描的光栅 的線間隔的值，以相當於離手走 、離于果尺寸在間隔方向中係足夠地 J、 以確保在此方向Ψ 免丨戶X， 中之W]篁均生符合所要之偏差，即於上 述例子中小於0.5%。 若干不同程序可以η…a + 用W決疋於光柵的線間隔方向中之 離子束的分佈函數，以用认 用於上述劑量均勻度的計算中。例 如’可以使用於上述美國襄 闷导利申凊序號第10/1 19290號案中 所揭示的配置。於此配置中，安裝-具有典型W開口之 # 、拉第在掃描方21上’使得其可以藉由馬達25及26的 .·適當操作’而掃描過離子束，以於兩分量方向中，驅動掃描 ·. f21。然後，可以於x及Y-方向中，完成由離子束剖面分 佈之全二維圖’並可以計算於γ·方向中之有效分佈函數。 使用於Υ-方向中之量測分佈函數最大值可以計算出， 而如上繪出光柵的線間隔或間距，其可以提供所需的劑量均 句度。當執行佈植時，隨後控制掃描機構機構來確定所用之 光栅的線間隔並不會超出所計算之最大值。 28 1304224 實際上，可使用由可得電流束、依佈植程式欲被佈植之 晶圓的每單位面積的離子劑量、以及，以掃描機構可以完成 通過離子束（這係無關於X方向中之最大掃描速度）之所需數 目的速度等計鼻出之光棚·的線間隔，用於掃描操作。因此， 在執行一佈植之前，計算出光柵的線間隔的所需值，並量測 離子束剖面分佈及可得電流離子束。然後，比較此所需線間 隔與不同線間隔所取之劑量均勻度之計算出的變化，來確定 所計鼻出之所需間隔值將繪出所需的劑量均勻度。只有舍古十 算之間隔值提供滿意均勻度才會進行佈植。 若使用所需間隔值之計算均勻度比所需均勻度差時，則 可降低離子束通量。降低離子束通量亦會使所計算之線間隔 降低。離子束通量係被降低至一水準，使得計算劑量均句度 符合所需之標準。可以藉由調整離子源的一或多個操作參數 來離子束通量降低，包含供應饋送氣體至源的電狐室的速 率、電弧電源、陰極功率、抽取電壓及由抽取電極與離子源 之間隔等。適當調整係為熟習於本技藝者所知。或者，離子 束通量也可以藉由改變沿著離子束路徑之選定位置的離子 束孔徑來調整，以降低通過該孔徑的離子束的電流。 或者’計算之均勻度可以藉由修改離子束分佈來改善。 如上所示，若離子束分佈係接近於一高斯形狀，則離子束、 混合特性可以被大大地改良，使得良好劑量均勻度可以藉2 較大光栅的線間隔來取得。以本技藝中者 <万式進行離 子束的再調諧，可以改良離子束分佈。再調諧可以當離 丁术 29 1304224 由離子源通過至處理室時，最小化離子束的截波，藉以去除 於離子束分佈中之不所需的非對稱或尖峰。離子束可以藉由 '如調整離子源抽取電極相對於源的電風室的橫向位置來 再調讀’以確保被抽取之離 s 丁术/σ耆佈植機的離子束線沿著 最佳飛行路徑被指向中 Τ 離千朿分佈也可以藉由引入單一 磁四極於離子束線中來修改， 乂隹γ-方向中，產生所需分散 之離子束。 _於此程序中，再量測離子束分佈及再計算使用所需線間 隔之所得結果均勻度，以符合所需之均勻度規格。 於上述例子中，掃描機構被控制以提供一步階式慢速掃 描，具有一均勻階段移動於連續快速掃描間，以在晶圓上產 生平行掃描線。於本發明的其他實施例中，一連續慢逮掃步 通過動作可以與快速掃描一起使用，以在晶圓上，產生— 字型的掃描圖案，例如第12圖所示。於慢速掃描方向中 可獲得可忍受劑量均勻度，例如連續掃描之中點41、 I尔 均勻地分隔於慢速掃描方向中。然而，可以看出劑量 在中心線44的兩侧上，朝向晶圓43的邊緣被遂漸 牲 掉，其中，於連續線對間之間隔變成愈來愈不同。然〜 、、 ’若 相較於慢速掃描方向中之離子束大小，若（於線中點間之）門 距係足夠地小，則可以在整個晶圓上取得適當均勻度。 夏要 的是，控制相對於快速掃描重覆率的慢速掃描速度，以取得 小到可提供所需均勻度之線中點間隔。於慢速掃描方向中之 劑量均勻度可以在接近晶圓的邊緣的位置來計算，其中，^ 30 1304224 由z字型的掃描圖案可以符合均勻度。這些計算可以藉由使 用類彳、 似於上述用於平行線掃描之傅氏轉換技術來執行。或 者，^7 t可以使用電腦模擬技術。

為了確保於慢速掃描方向中之良好整體均勻度，一（於 . 線中BB Μ間之）最小間距大小係藉由對離子束分佈形狀暸解度 • 的5十算來決定。然後，晶圓的後續掃描必須維持於一間距大 小為不大於此計算之最小值。 % 如同平行線掃描，有必要降低電流束或改良離子束分 佈’以完成所需之最小間距尺寸，同時也不會超出在晶圓上 所需之劑量。 為了補償於一通過動作時電流離子束的變化，在連續快 速掃描間之轉彎點被量測及後續快速掃描之速度被據此控 制。快速掃描之重覆速率最好是維持不變，使得於快速掃描 速度中之改變並不會影響於掃描線中點間之間距。這可能在 母一快速掃描轉彎處需要一些空載時間，以容許例如由降低 φ 之快連掃描速度所造成之增加的快速掃描時間。 -· 於上述例子中’所揭示機械系統係基於國際專利申請第 • · W〇 03/088303號之結構。任何其他形式之機械掃描配置也 可以用以提供所需之等距分隔及平行光柵的線。例如，亦可 以採用如2002年六月二十一曰所申請之英國專利申請第 0214384.0號之關節臂掃描同時，形成平行光柵線之基材夾 具的掃描並不需要精確之線性，例如，也可以形成為同心圓 之弧狀。 31 1304224 請專利範圍之本 报多其他配置均可以用以提供如下申 發明的基本特性。 【圖式簡單說明】 第1圖為例示本#明一|施狀離子佈植機的示意圖； 第2圖為由第1圖之佈植機所執行之機械掃描圖案之示 意圖，用以產生所需之光栅；

第3圖為可以執行之另一掃描圖案； 第4圖為另一掃描圖案； 第 5圖為於一維中之任音離早由 <仕心離千束強度分佈函數之圖形 代表； 示意圖，顯示在基材 第ό圖為一欲被佈植之半導體晶圓 上之光柵及例示任意離子束形狀； 第 圓上之光栅線之空間頻 7圖為劑量相對於在基材晶 率的圖形代表 出； 該二間頻率係以快速傅氏轉換（FFT)來計算 第8圖為劑量均句度對空間頻率的類似圖形代表，其顯 不使用傅氏轉換的比例特性所繪出之其他點； 第9圖為劑量均勻度對被更精確計算之光柵線的空間 頻率的圖形代表； 第10圖為以高斯函數表示之理想離子束分佈的圖形代 表， 第丨1圖為用於第10圖之高斯分佈之光柵線的計算劑量 32 1304224 句勻度對空間頻率的圖形代表； 第12圖為另一掃描圖案； 第13a圖至第13(1圖係用於一四分式佈植的插敍式光 撕用以說明本發明； 第1 4圖為一分佈光栅來改良生產性； 第1 5圖為一離子束之離子電流分佈之橫剖面的繪圖；

第1 6圖為掃描線之插敍式光柵之佈植均勻度對掃描線 的間距之繪圖；以及 第1 7圖為類似第1 6圖之繪圖，顯示將該插敍式光栅之 間的移動最適化之優點。 【元件代表符號簡單說明】

10 離子源 11 離子束 12 抽取電極 13 質量分析磁鐵 14 質量分析狹縫 15 室壁 16 晶圓掃描配置 17 晶圓 18 晶圓夾具 19 質量選擇離子束 20 遠端 21 掃描臂 22 真空密封 23 滑動板 24 旋轉載板 25 馬達 26 驅動馬達 30 法拉第 31 控制器 32 線 35 虛線 36 中心 33 1304224

37 掃描線 17a 為虛線 19a 離子束的代表 38 晶圓的々 40 慢速掃描方向 41， 42 中J 43 晶圓邊緣 44 中心線 50 掃描線 51 晶圓 52 箭號 53 掃描線 54 光柵 55 光柵 60 光柵 61 虛線 72 描繪線 73 描繪線 4表之晶圓 置

34

Claims (1)

1304224 ”年》月f修(動正替換頁 第抑ΰΟ丨你號專^案q了年3月修正 拾、申請專利範圍： 1 · 一種佈植一基材的方法，其包含以下之步驟： a) 產生 具有預疋方向的佈植束； b) 將基材繞著一與該基材平面垂直之軸將基材相對於 該佈植束定位於一第一方向；

c) 在該第一方向，於該基材及該佈植束間產生以下的一 第一相對運動，包括（i)在與佈植束方向垂直之第一方 向平行的方向，使至少一佈植束通過基材及（Η)在與 第二方向平行並與該佈植束方向及第一方向垂直的 方向，於每一通過動作中於基材上產生多數掃描束， 藉由該等掃描在基材上繪出具有中點的掃描線構成 之光栅，其於第一方向中具有一樣的間隔；

d) 將該基材繞著該軸定位於與該第一方向呈丨8〇度之第 二方向， e) 在該第二方向上，該基材與該佈植束間產生一第—相 對運動’以在該基材上繪出一第二光柵的掃描線，其 係插敘於該第一光栅的掃描線間。 2*如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含以π此 / d Μ下步驟： 將該基材繞著該軸定位於與該第一方向之轴呈9 0产 之一第三方向； 在該第三方向，產生一第三相對運動，用以在與該第 及第一光拇呈9〇度的方向、纟會出第三光柵;

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1304224 將該基材於繞著該軸定位於與該第三方向呈180度 之一第四方向； 在該第四方向，產生一第四相對運動，用以繪出插敍 於該掃描線與該第三光柵之間的第四光柵。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該軸與該佈植束方 向平行。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等掃描在基材上 繪出非相交、均勻分隔之實質平行線的光柵。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該基材與佈植束 間，在該第二方向的相對移動係藉由在與該第二方向平 行之方向的機械性往復移動基材來產生，且在該於第一 方向的相對移動係在平行於該第一方向之方向，藉由在 掃描之間機械性平移該基材一均勻距離來產生。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該基材係在每一掃 描之間以該均勻距離步階式平移。 7. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該佈植束具有在該 第一方向為非對稱之強度分佈，該第一及第二光柵以一 相同掃描線間距繪製，且第一和第二光栅係以一共同的 線間距繪出，而該第二位移繪出該第二光柵，如此可以 具有相對於該第一光柵之一空間位移，其不同程度從 5 0%起，此處，100%位移係等於該共同線間距。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中選擇該空間位移用 以改善在該第一方向之劑量均勻度。 36

1304224 一種離子佈植機，其包含： 一離子束產生器，用以產生具有一 定離子束通量的佈植束； 基材夾具’用以夾住欲被佈種 安裳成可繞著一與在該夾具上的基 的扭轉軸旋轉； 一扭轉驅動件，用以將該夾具繞著 對於該佈植束之一選擇方向； 掃描裝置’其作用為使得在夾具上 佈植束之間以達成以下的相對移動， 方向垂直之第一方向平行的方向，使 基材及（ii)在與第二方向平行並與該 方向垂直的方向’於每一通過動作中 掃描束，藉由該等掃描在基材上缘出 構成之光柵，其於第一方向中具有一 一控制益’在佈植時控制該扭轉驅 置，用以 a) 將位於該夾具上的基材繞著該 向， b) 在該第一方向’產生一基材與該 一相對移動’以在基材繪出一 ！ c) 將位於該夾具上的基材繞著該 方向呈180度之第二方向，

‘所需原子物種之預 .的基材’該夾具係 材晶圓平面呈垂直 該扭轉軸旋轉至相 之一基材晶圓與該 包括⑴在與佈植束 至少一佈植束通過 佈植束方向及第一 於基材上產生多數 具有中點的掃描線 樣的間隔；以及 動件以及該掃描裝 轴定位於一第一方 佈植束之間的一第 $ —光柵， 軸定位於與該第一 37 1304224 7年，曰修(美)正替换 d)在該第二方向上’該基材與該佈楂束間產生一第二 相對運動’以在該基材上繪出一第二光柵的掃描 線，其係插敘於該第一光栅的掃描線間。 10.如申請專利範圍第9項之離子佈植機，其中該控制器進 • 一步被配置成用以： • 將該夾具上的基材繞著該軸定位於與該第一方向呈 90度之一第三方向； ® 在該第二方向，產生一第三相對運動，用以在與該第 一及第二光栅呈90度的方向繪出第三光柵； 將該夹具上的基材繞著該宙定位於與該第三方向呈 180度之一第四方向；以及 在該第四方向，產生一第四相對運動，用以緣出插敍 於該第三光栅的掃描線之間的第四光柵的掃描線。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之離子佈植機，其中該扭轉軸 係垂直於夾具上該晶圓的平面，而該夾具之安裝係進一 Φ 步安裝成可繞著一與該平面平行之傾斜軸旋轉，該佈植 • 機包含··一傾斜驅動件，用以將該夾具繞著該傾斜軸旋 轉至相對於佈植束之一選擇角度；以及其中該控制器被 配置時，在該基材與該佈植束間之進行第一相對移動 日寸’用以控制邊傾斜驅動件將該失具定位在一第一傾斜 角’及在該基材與該佈植束間之進行第二相對移動時， 用以將該夾具定位在相等或相反於該第一傾斜角之一 第二傾斜角， 38 1304224 年> 月^曰修漫)正替換Kj 12. 如申請專利範圍第9項之離子佈植機，其中該掃描裝置 之作用為，可使該掃描在基材上繪出非相交、實質上均 勻分隔之平行掃描線。

13. 如申請專利範圍第1 2項之離子佈植機，其中該掃描裝 置之作用為，可使得該基材與該佈植束在該第二方向相 對移動係藉由在與該第二方向平行之方向的機械性往 復移動基材來產生，且在該於第一方向的相對移動係在 平行於該第一方向之方向，藉由在掃描之間機械性平移 該基材一均勻距離來產生。 14. 如申請專利範圍第1 3項之離子佈植機，其中該掃描裝 其作用為在各次掃描之間，以該均勻距離平移該基材夾 具0

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