TWI303892B - Organic electroluminescence structure - Google Patents

Description

1303892 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電激發光顯示結構；特別是一種可明 顯減少暗點產生之有機電激發光結構。 【先前技術】 有機電激發光元件（organic electroluminescence device， f OELD)顯示器之基本顯示結構如第1圖所示，具有複數條訊號線 形成於基板上，訊號線最常見者係由複數條掃描線（scanline) 15 及資料線（dataline) 17所組成，以在基板上定義出複數像素區域 10，且每一像素區域1〇上皆有一薄膜電晶體（TFT) n及一有機 電激發光元件13，藉由複數條掃描線15及資料線17來控制該等 像素區域10之顯示。 相車父於液晶顯示器，由於OELD顯示器不需要背光模組，其 具備自發光、高對比、省電、廣視角、輕薄、以及反應速度快g 優點’更符合電子產品的發展趨勢，故已被視為了一世代 力的顯示器技術之一。 然而，輕薄的OELD暴員示器仍存在製作上之失敗風險； 而：，ί於其第一基板及第二基板（通常稱為「蓋板(e〇ve: sl "r rt· 1 Λ弟一基板很容易相互接觸，倘若期間夾雜 j J t子（particles)，即非常容易壓傷〇ELD層，進而使 域之土光結構，受_壞，使產品產生暗點之械。 ，、°° 第2圖係位於第—基板21與第二基板23之間的像素區域1〇 5 1303892 =1面示意圖。由該圖可明顯看出，像素區域1G包含一 ^光區域（即TFT及控制元件所在區域）及一較 光線可穿透區域）。〜^低之域（及 其把J @非域上表面存在微小雜質時，第二 該雜Ϊ之—粒子25，使粒子25接觸像素區 i值表對〇eld層24產生應力，該應力 Ϊ ，即可能對發光區域之有機電激發光元件13破 4吏八毛光機此出現瑕痴，即所謂「暗點」之產生。 ，前作法中，或有考慮增加非發光區域中的各層厚度， 以使 發光區域最終具有—較高之^度二以延緩 ϋί改變各層厚度之作法需要變更多道製程， 方^。〈率不，反而增加製造成本，故仍非業界所青睞之 干4鑑32供—有效解決㈣破壞發光元件之有機電激顯 =構’叫升產品良率及可紐，乃為此—業界鱗解決的問 【發明内容】 低產的在於提供—有機電激發光結構，其可有效降 激及ί點之數量’藉由提高控制元件與有機電 ^" :間之尚度差，可有效減缓由非發光區域傳遽至 ;失;展性應力’減少造成發光區域中’有機電激發光元 目的在於提供一有機電激發光結構，藉由上述 、° 不但可於蒸鑛（evaporation)製程中減少因為神1 —k)壓返粒子所造成有機電激發光元件之破壞 !3〇3892 為達上述目的，本發明之有機電激發光結構包含一第一美 ，、一有機電激發光元件、以及至少一控制元件，第一基板上立 ^複數像素區域，各該像素區域具有—發光區域及—非發光^區 且該非發級域係與該發光區域娜。有機電激發光元件係 设置於該發光區域上，而控制元件係設置於該非發光區域上， 與該有機電激發光元件呈電性連接。其中，該控制件 麝面與該有機電激發光元件之一上表面之間，具 ’於2微米之高度差。 t 本發明之有機電激發光結構尚可包含一墊高層，設置於該第 一基板於非發光區域與該控制元件間，其中，該墊高層具 大於0.5微米之厚度。 、 、本發明之有機魏發光結構亦可包含―凹槽，設置於發光區 域，其中凹槽之一上表面與非發光區域之一上表面之間，具 介於約0.1微米至約1〇〇微米間之高度差。 ，使J發明之上述目的、技術特徵、和優點能更_易懂， 下文係以錄實酬配合觸圖式進行詳細說明。 【實施方式】 ㈣^圖二其，為本發明之第-實施例。本發明之有機 ^ -匕3 一第一基板30、至少一控制元件31、及一有 ϊ 33。第一基板3〇係具有複數像素區域，為清楚揭 路本&，；各圖中皆僅顯示其中-像素區域40 厂;各言亥像素i 7 Ϊ303892 財發光區域41 一連接區郝，連接可另包含 ^來說，控制元件31係設置於該非發光區域41上， =機電激發光元件33係設置於該發統域上43先並與m 件31呈電性連接，圖中即係藉由一 查 /、 一 件35，來表示錢電激發光元件33及㈣元件 τ須^ ’控制70件31較健包括—細電晶體(Thin Film

Tractor，TFT) ’本發明之實施例係以上問極型（t〇p•蛛帥y 之夕晶梦為範例，但並_以限制本發明，本發明亦可使用於下 閘極型（bottom-gatetype)或雙閘極型（dualgatetype)，而盆 質可為多_、單晶梦、微㈣、非祕、或上述組合，且亦可 使用於N型（N_tyPe)、P型（ρ.)、或上述組合。有機電激 發光元件係，括有機發光二極體（〇rganic light emitting出〇如， OLED)或馬分子發光二極體（p〇lymer light emitting ， PLED)。再者，有機電激發光元件可包含（但不限於）下發光型 (bottom emitting type)、上發光型（topemittingtype)或雙發光 型（dual emitting type )。 特別的是，於本實施例中，控制元件31之一上表面311與有 機電激發光元件33之一上表面331之間具有一高度差a，此高度 差a較佳者係約大於或約等於2微米。更明確地說，於蒸鍍 (evaporation)製程後，將遮罩（mask)移除而覆上第二基板5〇 (如上所述，通常為「蓋板(eoversubstrate)」）前，通常會以一保 護層或平坦層（passivation，圖未示）覆蓋於控制元件η及有機 電激發光元件33上，保護層覆蓋於二者之上表面後，二者之上表 面與該保護層間之距離差（即二者之上表面高度差），則是約大 1303892 於或約等於2微米之高度差a。

^本發明之第二實施例如第4圖所示，其係上述第3圖所示實 ，例之其中一種實施方式。即令有機電激發光結構3另包含一墊 高層37，設於該第一基板3〇之非發光區域41與該控制元件31 之間，使該墊高層37具有一厚度b，較佳係約大於〇二5微米，且 所設定之厚度b，加上控制元件31及有機電激發光元件33間原來 即已存在之鬲度差（如第2圖所示），即足以使控制元件31之上 表面311與有機電激發光元件33之上表面331間所呈現之高度差 二，達到所預期之約大於或約等於2微米。前述墊高層37 有 機材料、無機材料、透明材料、不透明材料、或上述組合。 本發明之第三實施例如第5圖所示，其係上述第3圖實施例 ^ 一種實施方式。其中令有機電激發光結構3之發光區域43上 ^凹槽39，該凹槽39之一上表面391與該非發光區域41之一 ^面411之間，具有一介於約〇·1微米至約100微米間之高度差 之高度差e’加上控制元件31及有機電激發光ΐ件 件ίΐ Λ已存在之高度差（如第2圖所示），即足以使控制元 Λ表面311與有機電激發光元件33之上表面331間所呈 回度差a，達到所預期之約大於或約等於2微米。 39, 解的是，前述第三實關之設於發光區域之凹样

二t可同時配合第二實施例所揭露之設於非發光區域上之Z 驗非發光^域41上之控制元件31相對於發光 似之_@電激發先％件33所欲設定之高度差，而達_ 達成ΐΪΓίϊίί層間之搭配運用’不限於所载方式’任何可 目的之方式，均屬可予接受之結構安排。舉例而言，於 9

1303892 製程開始時，可先在整個第—基板3G上之所有像素區域4〇 -凹槽（圖未示）。隨後，再搭配設置於第二實施例中的 37，以補足所需之高度差a數值，亦屬可行之替代方案。 θ ，上述之有機電激發光結構3可另包含—訊號線，設置於該 發光區域/1上，更明確地來說，係與控制元件31電性連接。浐 一併參閱第1圖，訊號線係由複數掃描線15及複數資料線口 組成，將顯示訊號傳遞至有機電激發光結構3之每一控制元 31，進而驅動有機電激發光元件33於發光區域43之運 到發光顯示之效果。 在後段之封裝（encapsulation)製程中，上述有 結構3可結合-第：基板5〇,第二紐 ίΐ岡ί第6圖所示’該第二基板5G及該第—基板3G之間且於 八周圍處係以框膠60加以接合。再者，該第二基板5〇除了且 保護有機電激魏元件33，不受外界環境辟之功鮮卜、尚;^ 含其它改善有機電激發光元件33可靠度之其它元件的設置，如. 乾，劑、吸水劑、吸氧劑或類似之材質。更甚者，該第二基板5〇 可„件結合，如：與有機電激發光元件33結合成為雙面顯 til、桃濾光片或色彩轉換層結合成為多色顯示器、與反射 ί、二1歧㈣齡1、或與半料枝簡結合絲半穿透 牛反射型顯示器。 〜 本I明之设计，係利用設定控制元件31之上表 電激發光元件33之上表面331 _ H ^衣面川興有機 “ t t 間的间度差&’至一特定數值或特 連接tit’ 於苐—基板像素區域4G之連接區域45上的 之钭相ΛΓΤ結構’具有—增長之路徑（即圖式所示 之斜向路彳空），當製程中遇上任何狀況時，控制元 311受到雜質粒子25壓迫後’有機電激發光元件％之〇咖層 1303892 連接鱗35緩衝，故較不易受到影響；即便 3 =壞仍不至於向側邊傳遞，影響管控顯示功能之發光 &域，故整體顯示品質將不受影響。 明之例舉本發明之實施態樣，以及闡釋本發 ’並非用來限制本發明之保護範疇。任何熟悉此技 ΐ者太成之改變或鱗性之安排均屬於本發明所主張之範 圍’本♦明之權利保護範圍應以申請專利範圍為準。

【圖式簡單說明】 係為習知OELD顯示器之平面示意圖； 為第1圖各像素區域之剖面示意圖； 糸為本發明第—實施例之剖面示意圖； 第S ^糸ί本發明第ΐ實施例之剖面示意圖； 本發明第三實施例之剖面示意 圖。第6關林發狀〇ELD顯抑於難製雜之剖面示意 【主要元件符號說明】 1G 像素區域 13 有機電激發光元件 17 資料線 23 弟二基板 粒子 30 第一基板 311控制元件上表面 11 薄膜電晶體 15 掃描線 21 第一基板 24 OELD 層 3 有機電激發光結構 31 控制元件 33 有機電激發光元件 1303892 331 有機電激發光元件上表面 34 OELD 層 35 連接元件 37 墊高層 39 凹槽 391 凹槽上表面 40 像素區域 41 非發光區域 411 非發光區域上表面 43 發光區域 45 連接區域 50 第二基板 60 框膠 a 高度差 b 厚度 c 南度差

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Claims (1)

1. ^年[月，。日修正本 1303892 第095121486號專利申請案 申請專利範圍替換本（無劃線版本，97年6月） 十、申請專利範圍： 1· 一種有機電激發光結構，包含·· 一。一第一基板，具有複數像素區域，各該像素區域具有一發 =區域及-非發光區域，且該非發紐域係與該發光區域相 11機電激發光元件（organlc elee_umm device) ’係設置於該發光區域上；以及 電激連^置_非發絲域上，並與該有機 其中，該控制元件之—上表面與該有 上表面之間，具有-實質上大於或等於A;件之- 2· ^請求項1所述之有機電激發光結構，人 第一基板像素區域的發光區域上。 S凹乜，設於該 3.=請^項1所述之有機電激發 第一基板像素區域的發光區域及非發光ΙΪΓ凹槽，設於該 4·如請求項1所述之有機電激發 該第一基板像素區域的非發^區&上。匕含一墊高層，設於 墊高層，設於 5. 如請求項2所述之有機電 該第一基板像區域的非發“上。另包含， 6. 如，求項3所述之有機電激 該第-基板像素區域的非發^區^上。另包含-塾高層，設於 7. 如請求項4、5或6 $ 有機爾綠構，料該墊高層 1 1303892 第095121486號專利申請案 _專利範圍替換本(無劃線版本，97年6月) 包含有機材料。 包料μ 6 機電激發光結構，其中轉高層 其中該墊高層 1〇·如請求項4、5或6所述之 包含不透明材料。 、電激I光結構，其中該墊高層 U·如請求項2或3所述右 介於實質上〇·1微米至1〇〇微^光結構，其中該凹槽之深度 12·如請求項4、5或6 之厚度係實質上大於^微^機電激發光結構，其中該墊高層 13.如凊求項1所述之有機電激 上 含—連接區域，連接該發光▲域i非發;該像素區域另包 4·如凊求項13所述之有機電、 設於該第像素區域 ^ ^ 2一連接元件， 元件及該控制元件。 建接S域上，連接該有機電激發光 •如明求項1所述之有機電 置於該非發光區域上。丄、。構，另包s —訊號線，係設 綱，嫩—第二基板，與 又且5亥第二基板及該第一基板之間，係以 2 1303892 第09512H86號專利申請案 申請專利範圍替換本（無劃線版本，97年6月） 一框膠接合。 Π· —種有機電激發光結構，包含： 光區域光f ’各該像素區域具有-發 鄰； 或’且轉發光區域係與該發光區域相 件’設於該發光區域上；以及 電激發光元件呈電置μ非發光區域上’並與該有機 發光ί:之刻有：槽眘，槽之-上表面與該非 微米間之高度差。 /、 實貝上介於0·1微米至1〇〇 1δ·包如述ίί機電激發光結構，其_像素區域另 連接^域，連接該發光區域與非發光區域。 19==8基==電激發光結構’另包含一連接元件， 元件及該控i元件素或之連接區域上’連接該有機電激發光 目對设置，且該第二基板及該第一基板之間，係 21·如。月求項I7所述之有機 於該第-基板像素區域的^。另心—墊⑽’设 機=員21所述之有機電激發光結構’其中該墊高層包含有 3 1303892 第09512H86號專利申請案 申請專利範圍替換本(無劃線版本，97年6月） 層包含無 機^^員Μ所述之有機電激發光結構，其中該墊高 項Μ所述之有機電激發減構，其中該墊高層包含透 透戶斤述之有機電激發光結構，其中該墊高層包含不 A 電激發光結構，另包含-訊號線，係 28· —種有機電激發光結構，包含： # F ，具有複數像素區域，各該像輕域具有一發 ^或料光區域，且該非發光區域係與該發光區域相 一，機電激發光元件，設於該發光區域上；以及 制元件’係設置於該非發光區域上，並與該有機 兒〉放叙先兀件呈電性連接； ^其中’該第一基板於非發光區域與該控制元件間設有一墊 雨層’該塾高層具有一實質上大於0.5微米之厚度。 29· 求項28所述之有機電激發光結構，其中各該像素區域另 匕含一連接區域，連接該發光區域與非發光區域。 4 1303892 第095121486號專利申請案 申請專利範圍替換本（無劃線版本，97年6月） 30·如請求項29所述之有機電激發光結構，另包含— 設於該第-基板像素區域之連接區域上，連接該 元件及該控制元件。 、電激裔光 3ι.如請求項％所述之有機電激發光結構，另包含 Ξ該相對設置’且該第二基板及該第—基板^，係 以一框膠接合。 32·!^^項28所述之有機電激發光結構，其中該發光區域設有 一凹槽。 1 所述之有機電激發光結構，其中該凹槽之深度係 實質上介於0頂米至1〇〇微米間。 機電激發光結構，其中該墊高層包含有 34·如請求項28所述之有 機材料。 機電激發光結構，其中該墊高層包含無 35·如請求項28所述之有 機材料。 36.如請求項28所述之 明材料。 饿笔激發光結構，其中該墊高層包含透 π如請求項28所述之 透明材料。 成電激發光結構，其中該塾高層包含不 38.如請求項28所 设置於該#發光區域上铖電激發光結構，另包含一訊號線，係 5