TWI301930B - Antireflective compositions for photoresists - Google Patents

Description

1301930 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關新穎抗反射塗料組合物及其在影像處理内用 途於一反射底質與一光阻塗料間形成新穎抗反射塗料組合 物的薄層。此類組合物特別適合藉感光石印技術用於製作 半導體裝置。 【先前技術】 光阻組合物在顯微石印法中用以製作小型化電子組份諸 如计私機晶片與集體電路之加工。此等製程内通常先塗敷 薄層光阻組合物膜塗料於底質材料如製作集體電路所用的 t晶片上。隨後烘焙底質以蒸發光阻組合物中任何溶劑使 塗料固定於底質。底質烘過的塗層表面然後接受輕射 像化曝光。 此輻射曝光導致已塗層表面之曝光區化學轉變。可見光 ’紫外（uv)光，電子光束與χ_線輻射能為現時顯微石印法 中通用的輕射型。經此影像化曝光後用一顯影溶液處理塗 過之底質使溶解並移除光阻的任意輻射已曝露或未曝露區。 半導把衣置對小型化之趨向已引領敏感的新光阻用途至 輻射之日趨更低的波長，亦已導使微妙之多級系統聯合^匕 種小型化作用以克服困難。 咼度分解、化學擴大、深紫外⑽-300 nm)、正自色澤光 阻能用作模仿影像幾何形象顯微相差低於四分之;:微米。 有二主要深紫外(w)曝露技藝曾提供小型化方 步，即在⑽㈣nm發散㈣的此等輻射。此類光时 89082 1301930 例在以下專利中闡述，文内引用參考：美國4,491，628;美國 5,350,660 ;歐洲專利794458及英國232〇718。248 之光阻典型 地根據取代的聚羥基苯乙烯與其共聚物。另一方面，193mn 曝光之光阻必須非芳族聚合物，因為在此波長時芳族物不 透明。通常將脂環烴類摻入聚合物取代因不含芳族物而喪 失的蝕刻抗性。加之，波長較低時來自底質的反射變為對 光阻之石印成果益增損傷。因此，在此等波長時抗反射塗 層乃屬必要。 感光石印術中利用高度吸收抗反射塗料為減少自高度反 射底質的背面光反射所產問題之較簡單處理方法。背面反 射性的二主要缺點為薄膜干擾影響與反射缺口。薄膜干擾 或不褪的波動，結果在由總光強度於抗阻膜内變動導生: 臨界線寬維度產生成抗阻變化的厚度4射缺卩於光阻在 含地形特徵之底質上模成時變為簡樸，使光分散通過光阻 膜，引致線寬變化’於極端情形下生成完全光阻喪失區。 以往曾利用染色光阻解決此等反射難題。但咸知染色光 阻僅降低自此底質反射而不能實質上消除之。而且染色光 时使光阻的石印績效降低連帶染料可能昇華及染料在光 倘須進一步降低或消除線寬變 # μ、卜 見又井使用底邵抗反射塗剩 才疋供消除反射之最佳解決。底. 、，> ό ^天底4抗反射塗料塗敷於底質後 以光阻塗覆，然後曝光。光 一 柷反射塗層於是典型在一氧電 ^ 、 平蚀刻，光阻圖案读鏟孩 至底質。柷反射膜的餘刻率岸 I比先阻較鬲，俾使蝕刻製程 89082 -10- 1301930 期間蝕刻抗反射膜不致過份損耗抗阻膜。抗反射塗料的無 機型包括諸膜如TiN、TiON、TiW及旋轉塗上约30 nm範圍之 聚合物。無機B.A.R.C·必須精確控制膜厚度、膜之齊一、特 別澱積裝置、複雜黏附促進技術然後光阻塗層、各別乾钱 刻圖案轉移步騾及脫除乾蝕刻。 有機B.A.R.C·較佳，配方經加染料於一聚合物塗料（p⑺e SPIE V〇l· 1086 (1989) ρ·106)。此等摻混染料的塗料之問題包括 1)旋轉塗敷期間聚合物與染料組份分離，2)染料洗提入抗 阻溶劑内，及3)經烘焙過程後熱擴散入抗阻。所有此等效 應引起光阻性質降級，故非合宜組合物。 吸光，成膜聚合物為另一選擇。聚合的有機抗反射塗料 為技術上所知如ΕΡ 583,205，文内引證參考。但此等聚合物 於用作對193 nm敏感性光阻的抗反射塗料時經發現無效。相 信此類抗反射聚合物本性極屬芳族，因而太過反射，作用 成鏡而非吸收劑。此外，此等聚合物極屬芳族，相對193麵 曝光所用新型非芳族光阻，有太低乾蝕刻率，因此成像與 蝕刻無效。倘若抗反射塗層之乾蝕刻率與抗反射塗層面上 所塗光阻的蝕刻率相似或較小，光阻圖案可能受損或不正 確轉移至底質。 ' 所以，必要有一在230 nm以下曝光作用良好之底部抗反 射塗料。此類抗反射塗層須有高蝕刻率並充分吸收作抗反 射空層用。美國專利5,935,76〇號敘述以一極明確能交聯的聚 醋聚合物為基礎之底部抗反射塗料。 本發明新穎抗反射塗料含一新穎聚酯聚合物以獨特化學 89082 -11 - 1301930 、结構為基礎，經發現有良好乾姓刻性，使良好影像能自光 阻傳送至底質，亦具良好吸收特徵以防止反射缺口及線宽 變異或不褪的波，特別於193咖。本發明抗反射塗料有較高 蚀刻率致使抗反射塗料在光阻層厚度中移除損耗最少。而 且抗反射塗層與光阻膜間實f上無混合出現。抗反射塗料 亦有良好溶液穩定性’形成有良好塗覆品質之特薄膜，後 ^特別有利於石印術。當抗反射塗料與—光阻使用於成像 過程時得到石印性質良好的清楚影像。 【發明内容】 中it之目的在提供有優秀石印績效之抗反射塗料，其 與-酸= 此一抗反射塗料組合物含一聚合物、-交聯劑 ^或/與產酸劑，其聚合物中含自結構卜⑴中之至 單元，

89082 -12- 1301930

O^f 其中Y係一 1至約10碳原子的烴連接基；R、Ri、R’與R”獨立 為氫、1至約10碳原子之烴基、鹵素、-0(C0)Z、-C(CF3)2Z、 -c(cf3)2(co)oz、-so2cf3、-(co)oz、-so3z、-coz、-oz、-nz2 、-SZ、-S02Z、-NHCOZ、-NZCOZ 或-S02NZ2，其中 Z 係 H 或一 1 至約10碳原子的烴基；n=l-4，n，= l-4 ; X為0、CO、S、COO 、CH20、CH2COO、S02、NH、NL、OWO、OW、W，其 L 及 W獨立 係1至約10碳原子之烴基，又m=0-3。 本發明進一步提供一種方法供表現本發明抗反射塗料組 合物。 【實施方式】 本發明係關一種新穎抗反射塗料組合物，包含一聚合物 、一交聯劑與一產酸劑。本發明又敘述一種方法，特別於 193 nm使用此新穎組合物。本發明的聚合物含有選自結構1 、2與3中之至少一單元。

ROOC COOR” 89082 -13 - 1301930

其中全體透露自始至終，Y係一 1至約10碳原子的烴連接基 ;R、R!、R’與R”獨立為氫、1至約10碳原子之烴基、鹵素、 -o(co)z、-C(CF3)2Z、-C(CF3)2(CO)OZ、-so2cf3、-(co)oz、-so3z、 -COZ、-0Z、-NZ2、-SZ、-S02Z、-NHCOZ、-NZCOZ 或-S02NZ2，其 中Z係H或一 1至約10碳原子的烴基；n=l-4，n’ = l-4 ; X為O 、CO、S、COO、CH20、CH2COO、S02、NH、NL、OWO、OW、W ，其L及W獨立係1至約10碳原子之烴基，又m=0-3。 文内用辭“烴取代基”或“烴基”係按其平常意義使用，乃 技術人士所週知者。明確言之，係指有一碳原子直接附帶 於分子且主要具備烴特質的基。烴質實例包括： (1) 烴基，即脂族（例如烷基、烯基或烷撐基）、脂環基（例 如環烷基、環烯基）、芳基、脂屬-、及脂環經取代之芳屬 取代物以及環狀取代物其中環經過分子的另一部分完成（例 如二取代物一起形成脂環基團）； (2) 含碳與氫以外原子之烴基但本質上主要為烴，其中其 89082 -14- 1301930 他原子實例為硫、氧或氮，可單獨存在（諸如p塞或酸）或呈 官能性鍵諸如酯、羧、碳基等； (3) 經取代的烴基，即含非烴基之取代基，在本發明全文 内並不變更主要烴取代基（例如i素（特別氯與氟）、羥基、 燒氧基、酸基、统巯基、硝基、亞硝基及硫氧基）；

(4) 雜取代基即在本發明全文内取代物同時有顯著烴特性 而環内或鍵上含碳以外或其他由碳原子構成者。雜原子包 括硫、氧、氮及圍繞取代基如吡啶基、呋喃基、嘧嗯基與 咪π坐基。普通，烴基内每十個碳原子可存不超過二個，較 佳不超過一個非烴取代物；典型地烴基中應無非烴取代基。

烴基實例為經取代的或未經取代的脂屬（C1-C10)烯基、 經取代的或未經取代的硫雜烯脂屬（C1-C10)基、經取代的 或未經取代的環晞、經取代的或未經取代的苄基、烷氧 基烯、烷氧基芳基、經取代的芳基、雜環烯、雜芳基、 氧代環己基、環内酯、苄基、經取代的苄基、羥烷基、 羥烷氧基、烷氧烷基、烷氧芳基、烷芳基、經取代的芳 基、雜環烷基、雜芳基、硝基烷基、1¾烷基、烷亞胺、 燒*胺或其混合物等。

較明確言之，R、Ri、R’ 與 R” 獨立係 Z、-0(C0)0Z、-C(CF3)2Z 、-c(cf3)2(co)z、-so2cf3、-(co)oz、-so3z_、-coz、-oz、-nz2、 -SZ、-S02z、CN、N02, _NHCOZ、-NZCOZ 或-S02NZ2 或其混合物 等，其中Z獨立為Η、或一烴基。較明確言之Z係Η、鹵素 或烷基、環烷基、經取代的環烷基、氧代環己基、環内 酯、苄基、經取代的苄基、羥烷基、羥烷氧基、烷氧烷 89082 -15- 1301930 基、烷氧芳基、烷芳基、晞基、經取代的芳基、雜環烷 基、雜芳基、硝基、i素、iS代烷基、銨基，烷銨基或 其混合物等。此處舉z實例，惟非限於此等：-(ch2)2oh、 -0(CH2)20(CH2)〇H、-(〇CH2CH2)kOH(其中 k=0-10)。

W實例但非限制於經取代的或未經取代的脂屬（C1-C10) 烯、經取代的或未經取代的硫雜晞、環烯、經取代的環 烯、苄基、經取代的苄基、羥烯、烷氧烯、烷氧芳基、 烷芳基、烯基、經取代的芳基、雜環烯、雜芳基、鹵代 烯或其混合物等；L為烷基、環烷基、經取代的環烷基、 氧代環己基、環内酯、苄基、經取代的苄基、羥烷基、 羥烷氧基、烷氧烷基、烷氧芳基、烯基、經取代的芳基 、雜環燒基、雜芳基或其混合物等。

以上定義及本申請案全篇中脂族指一非芳族之主要烴 鏈。經取代的或未經取代的烯基或硫雜烯基（C1-C10)意謂 主要烴鏈可係含最多10個碳原子之直鏈或支鏈，其取代基 為典型不改變烴鏈本質為業界普通技術人士所知可係完 全有機化合物者，諸如醚、酯、羥、炔醇、氰基、硝基 、醯基、鹵素（氯或溴）、苯基及經取代的苯基基。烷基指 最多含10個碳原子之烴鏈，可係甲、乙、丙、異丙、丁等 。一硫雜烷基在鏈中含一或多個硫基。脂屬經取代的或 未經取代的晞基（C1-C10)例可係直線或分枝者例如而非限 於甲撐、乙撐、丙撐、異丙撐、丁撐、異丁撐、戊撐、 己撐、庚撐、辛撐、甲基己撐、乙基辛撐、苯基烷撐、 硝基烷撐、溴硝基烷撐及經取代的苯基烷撐。脂基經取 89082 -16- 1301930 代的或未經取代的硫雜烷撐（C1-C10)基之例為但不限於3,6-二硫-1，8-辛晞。環烷基可係單環或多環，其實例如環戊、 環己、環庚、並可另以上述有機基取代。芳基指經取代 的或未經取代的芳族基諸如苯基或莕基。芳基可係聚合 物主幹之一部分或連接於主幹。鹵素指氟、氯及溴，惟 以氟與氯為佳。. 聚合結構的幾個具體例可由式4、5、6及7較明確代 表··

(5)

89082 -17- 1301930 在聚合物之一較佳具體例内γ係烷撐、硫雜烷撐、其芳 屬或混合物等；更佳Υ為甲撐、乙撐、丙撐、-CH2〇CHr、 -CH2CH2OCH2CH2-、-CH2CH2SCH2CHr、-CH2CH2SCH2CH2SCH2CHr 、苯乙撐、烷基硝基烷撐、溴基硝基烷撐、苯基及萘基。 另一較佳具體例中X為CO或S02 ; Y係烷撐，較佳Y為甲撐 、乙撐、丙撐、-CH2OCHr、_CH2CH2OCH2CH2_、-0«20^012012_ 、-CH2CH2SCH2CH2SCH2CHr、苯乙撐、燒基硝基院撐、溴基 硝基烷撐、苯基及萘基。 本發明聚合物可用技術上已知的任一標準聚合方法製 備。此類方法之實例為縮合、陰離子或陽離子共聚法等 。聚合物可用溶液、乳液、整體、懸浮聚合作用之類合 成。典型一種二酐與一種二醇縮合，大多一種非芳屬二 酉手於升溫，及隨意一酸存在中產生一有酯鍵的聚合物。 可得聚合物之多種異構物，其中聚合物键隨便在鄰位或 對位。聚合物可進一步反應以修飾聚合物内取代基。所 得苯環上羧酸取代基可係自由酸式、可反應成酯、或附 帶於另一聚合物鏈、或為此等或其他取代基之混合物。 某些可用以合成本發明聚合物的單體並能代表γ組份者 罝係二醇、乙二醇與氧化物，其實例為乙二醇' 二甘醇 、丙二醇、氧化丙烯、環氧乙烷、環氧丁烷、卜苯_1，2_乙 一酉予、2-溴-2-硝基-ΐ，3-丙二醇、2_甲_2_硝基]，3_丙二醇、 二乙基雙（#i甲基）丙二酸酯與3,6_二硫_丨，8•辛二醇。芳屬 一醇之貫例為2,6-雙（羥甲基）甲酚及2,2，_(丨，2_苯二氧）·二 乙醇，1，4-苯二甲醇。 89082 -18- 1301930 二醇類典型與本發明聚合物的酚組份縮合，此聚合物 典型自單體諸如芳屬二酐例如苯均四酸二酐、3,3’，4,4’-二 苯甲酮•四羧二酐及萘二酐等衍生。合成結構3聚合物之合 宜二酐包括2,3,6,7-萘四羧酸二酐與1，4,5,8•苯四羧酸二酐。 典型先由二酐與二醇在適當溶劑内反應製備線型聚酯。 聚酯藉沉澱入一非溶劑離析。聚酯可由羧酸基以醇類或 環氧烷反應再修飾。

某些事例中要點在控制抗反射塗層之蝕刻抗性與吸收 力。為供應抗反射塗層的所須蝕刻率，特別為200 nm以下 成像計可變化聚合物内芳屬程度。欲得高蝕刻率時聚合 物主幹中Y組份宜係非芳屬。業界普通技術人士咸知芳屬 物降低蝕刻率。低蝕刻率與/或高吸收性希望高芳屬聚合 物，其中Y組份可係高芳屬。不過某些具體例内特別在200 nm以下波長成像者可藉用一脂族單體作Y或一脂族與一芳 族單體的適當混合物控制蝕刻率與吸收性得到最佳績效 。芳屬官能度亦可在聚合物内其他官能點攙合。 為自抗反射塗料組合物作成良好抗反射塗層起見，聚 合物應能溶於組合物之溶劑中。此外，塗料應不溶於光 阻的溶劑，因其將塗覆於抗反射的塗層上面，又抗反射 塗料亦應不溶於光阻顯影用之含水顯影液内。聚合物的 最佳結構具全部必要性質者可用各種策略顯影。其方式 之一為聚合物可含由單體特別如Y、R、氏、R’與R”的混合 物聚合衍生之取代基混合物時，取代基能在同一聚合物 内自氫、婦醇、甲基與聚合物鏈交聯等變動。於是，聚 89082 -19- 1301930

合物由含不同取代基的各種單體諸如二醇與二酐等之混 合物合成。聚合物一旦合成後可進一步與其他化合物反 應產生適宜官能性。另一策略為部分交聯此聚合物以增 加分子量。聚合物合成後可進一步與一含有能交聯此聚 合物的基或基群之化合物反應，或用一交聯劑交聯。聚 合物的交聯可藉業界技術人士熟知之技術促進，例如藉 加熱與/或催化。交聯程度由所須聚合物物理與化學性質 決定。隨後將已交聯的聚合物配方加入本發明之抗反射 塗覆組合物中。 聚合物的重量平均分子量範圍可自約1，500至約180,000， 較佳自約4,000至約60,000，尤佳自約10,000至約30,000。重量 平均分子量低於1，500時不得良好抗反射塗層的成膜性質， 而重量平均分子量過高時諸如溶解度、貯存穩定性之類 可能折衷。

抗反射塗料組合物包含一聚合物、一交聯劑、一酸或/ 與一產酸劑及一溶劑。 本發明組合物中能用多種交聯劑。能於酸存在中交聯 聚合物的任何適當交聯劑皆可用。此類交聯劑之實例並 非限制者為樹脂類包括蜜胺、羥甲塑料、甘脲、苯并胍 胺、尿素、羥烷醯胺、環氧與環氧胺樹脂、經保護的異 氰酸酯與聯乙烯單體等。單體蜜胺如六甲氧甲基蜜胺； 甘脲如四個（甲氧甲基）甘脲；及芳屬羥甲塑料如2,6-雙羥 甲基p-甲盼較佳。 本發明產酸劑較佳熱產酸劑為一化合物於加熱至90°C以 89082 -20- 1301930 上，250°C以上溫度時產酸。此酸與交聯劑組合後使聚合 物交聯。抗反射膜經熱處理後變成不溶於塗覆光阻用的 溶劑，且亦不溶於光阻成像用之鹼性顯影劑。熱產酸劑 _ 宜於9(TC活化，較佳在120°C以上，更佳在150°C以上活化。 · 抗反射膜加熱歷足夠長時間使塗料交聯。熱產酸劑實例 為甲苯磺酸硝基苄酯，諸如甲苯磺酸-2-硝基芊酯、甲苯 ’ 磺酸2,4-二硝基芊酯、甲苯磺酸-2,6-二硝基苄酯、甲苯磺 ^ 酸-4-硝基芊酯；苯磺酸酯諸如4-氯苯磺酸-2-三氟甲基-6- , @ 硝基芊酯、4-硝基苯磺酸-2-三氟甲基-6-硝基芊酯；苯酚 磺酸酯諸如4-甲氧苯磺酸苯酯；有機酸類的烷基銨鹽，諸 如1 0-樟腦磺酸之三乙基銨鹽。 熱產酸劑比游離酸較佳，雖然新穎抗反射組合物内亦 可用游離酸類，因為倘若聚合物將在溶液内交聯可能有 酸存在會影響抗反射溶液過時的搁置壽命。熱產酸劑僅 當抗反射膜在底質上加熱時受活化。此外，可用熱酸與 游離酸之混合物。熱產酸劑雖適供有效交聯聚合物，亦 f 可用一含聚合物與交聯劑的抗反射塗覆組合物於熱交聯 聚合物處。游離酸之非限制性實例為強酸類諸如續酸類 。磺酸類如甲苯磺酸、三氟甲烷磺酸或此等的混合物較 佳。 新穎組合物可又含一光酸產生劑，其非限制性實例為 鐳鹽、磺酸酯化合物、硝基苄酯及三畊類等。較佳光酸 產生劑為羥基亞胺之鑕鹽與磺酸酯，特別二苯碘鑕鹽、 三苯硫鑌鹽、二烷碘鍇鹽、三烷硫鑌鹽及其混合物等。 89082 -21 - 1301930 本組合物内聚合物量相對組合物的固體部份能變化自 約95 wt·%至約50 wt·%，較佳約85 wt·%至約70败％，尤佳約 80 wt·%至約70 wt·%。本組合物内交聯劑量相對組合物之固 體部份能變化自5 wt.%至約50 wt·%，較佳15机％至約3〇机％ 。本組合物内酸或產酸劑量相對組合物的固體部份能變 化自0.1 wt·%至約5 wt·%，宜〇.5就％至約3破％，更佳1桃％ 至約2 wt.%。 本組合物能作混合物或單獨使用之典型溶劑係，但非 限於丙二醇單甲基醚醋酸酯（PGMEA)、丙二醇單甲基醚 (PGME)、及乳酸乙酯（el)、2-庚酮、環戊酮、環己酮與γ_ 丁内酯，但以PGME、PGMEA及EL或其混合物等為佳。溶 劑一般以低毒性程度、良好塗覆及溶解度性質為佳。 抗反射塗料組合物含共聚物、交聯劑為本發明的產酸 劑及一適當溶劑或溶劑之混合物。可加其他組份以加強 土料的、、、貝效，例如單體染料、低醇、表面均化劑、黏附 促進劑及防沬劑等。組合物中可加其他聚合物諸如酚醛 樹脂、聚羥苯乙缔、聚異丁烯酸甲酯及聚芳基化物，只 要成果不遭負面衝擊。此聚合物量宜保持低於組合物總 固體的50 wt·%，較佳2〇加％，尤佳低於1〇桃％。 抗反射塗層之光學特徵對曝光波長及其他需求的石印 特性最適化。例如新穎組合物作193 _曝光之吸收參數（k) 用橢圓對稱測量得範圍自約〇. 1至約1.0，較佳自約0.2至約 0.75，尤佳自約0·25至約〇·65。折射率⑷範圍自約125至約 2_〇 ’車父佳自約ι·3至約19，更佳自約155至約185。由於此 89082 -22- 1301930 組合物在193 nm的吸收特性良好，可用约⑽咖等級之極薄 抗反射膜。用一非芳屬光阻如在⑼邮時敏感者此點特別 有利，其光阻膜薄並必須作抗反射膜的蝕刻罩用。 因為抗反射膜經塗覆於底質面上且再經乾蝕刻，想見 此膜屬充分低金屬離子水準，並具足夠純度以致對半導 體設備之性質無不利影響。# —聚合物$液通過一離子 交換塔、過遽及萃提程序等處理能用以降低金屬離子的 濃度並縮小粒子。 +用技術上熟練人士週知之技術諸如浸潰、旋轉塗覆或 噴霧塗覆抗反射塗料組合物於底質上。抗反射塗層的膜 厚範圍自約20 mn至約200 nm。如技術上所週知，最佳膜厚 將測定在綠内觀察無不褪之波動I。已意外地發現由 於此膜的卓越吸收作用與折射率性質能用此新穎组合物 極薄塗層。'塗層再在一熱板或對流爐上加熱充分長時間 脫除一切殘留溶劑並謗導交聯’遂使抗反射塗層不能溶 解而防止抗反射塗層與光阻層間混合。 光阻能具半導體工業上所用任何型式，只要光阻與抗 反射塗層内的光活性化合物吸收成像過程所用曝光波長。 光阻組合物有二型，負功與正功。當負功光阻組合物 對輻射成像化曝露時曝露於輻射的抗阻組合物區域對顯 影落液變成不甚易溶（例如出現交聯反應）同時未曝光之光 阻爱覆區保持較易溶於此一溶液。目此，以顯影劑處理 曝光負功抗阻使脫除光阻塗層的未曝光區並於塗覆上創 一負像，從而路出其下底質表面之要求部分面上澱積光 89082 -23 - 1301930 阻組合物。 雨另万面，當正功光阻組合物成像化曝露於輕射時曝 路库田射的光阻組合物區變為更易溶於顯影液（例如出現重 :作用反應）’同時未曝光諸區保持較不溶於顯影液。於 、身、.員〜^處理已曝光之正功光阻使脫除塗層的已曝 光區並於光阻塗層上創—正像。再揭露其下表面之一要 求部分。 正功光阻組合物一般比負功抗阻有利，因為前者常有 =好^能力與圖案傳送特性。光阻分解定義為抗阻組’ "自光罩以问度影像邊界銳敏性於曝光及顯影後傳 送至底質的最小特色。現今許多製造應用中必要程度小 米之抗阻分解。而且’幾乎總是要求顯影的光阻壁 外开d目對底質近於垂直。抗阻塗層之已顯影與未顯影區 間的此等劃分表現成精確圖案轉移掩蔽影像於底質上。 向小型化推進時縮減裝置上臨界維度時此種情況甚至更 加嚴格。 本各明中此用對短波長在約18〇 nm與約3〇〇 間敏感之 切光阻。此等光阻正常含聚幾苯乙缔或經取代的聚輕 苯乙晞何生物、一光活性化合物與隨意一溶解度抑制劑 。以下資料例證所用光阻型式，文内引用參考：美國專 利M91，628、美國專利5,〇69,997及美國專利5,35〇,66〇。特別 適供丨幻麗與丨”職曝光者為含非芳屬聚合物、一光酸產 生劑、隨意一溶解度抑制劑及溶劑之光阻。以往技術上 所知193 rnn時敏感的光阻在以下資料内說明並於本文内引 89082 -24- 130193° 用.；£1>794,458、\^0 97/33198及1；8 5,585,219，不過在193 11111敏 g之任何光阻均可用於本發明抗反射組合物上面。已知 氟化的聚合物在193 11111與I57 11111處係透明者。光阻内所用 此等聚合物揭示於 EP 789,278、WO 00/67072 及 WO 00/17712 中 · 〇WO00/67072特別透露非芳屬、帶氟化側基之脂環聚合物。 本發明製程另包括以新穎抗反射塗料塗覆底質，在熱 板或對流爐上於充分高溫加熱足夠長時間脫除塗覆溶劑 ’並交聯此聚合物至足夠程度使塗層不溶於光阻的塗料.# 溶液中或含水鹼性顯影劑内。可用技術上週知之方法運 用一邊緣珠移除器清潔底質邊緣。適宜溫度範圍為自約90 °C至約250°C。若溫度低於9(TC則發生溶劑喪失不夠或交聯 量不足，而若溫度高過250°C時組合物可能變為化學性不 穩定。隨後塗覆一光阻膜於抗反射塗層上，烘焙以充分 脫除光阻溶劑。光阻經成影化曝光並在一顯影劑水液内 顯影除去已處理的光阻。顯影劑宜係一含水鹼液，包含 例如氫氧化四甲基銨。製程内能摻併一隨意加熱步驟然 f 後曝光及顯影。 光阻之塗覆與成像過程為業界技術人士所熟知，並最 適化供特別抗阻型用。有圖案的底質於是能以一種蝕刻 氣或混合氣在適當蝕刻室内乾蝕刻以脫除抗反射膜之曝 光部份，用餘留光阻作蝕刻掩蔽。多種氣體已知在技術 上供蝕刻有機抗反射塗層用，如〇2、C12、F2及CF4。 抗反射塗層與光阻間可置一中間層以防混合，設想放 入本發明範圍。中間層係一惰性聚合物自一溶劑内澆注 89082 -25- 1301930 ’其水合物貫例為聚颯與聚酸亞胺類。 以下說明確實例將提供製造及利用本發明組合物方法 的詳細說明。不過此等實例非欲限制或界定本發明任何 方面的範圍且不應解釋為楹+ 夂# ^ 、1 乂辟评為彳疋出條件、參數或評價必須獨 佔地使用以貫施本發明。 實例 以下實例内抗反射塗層之折射率⑷及吸收作用（k)值係 在一 J· A. Woollam VASE 32橢圓對稱計上測得。 聚合物的分子量係在一凝膠滲透色層儀上量取。 實例1 在一設有凝縮器與機械攪拌器之1L_燒瓶中懸浮10莫耳 分子苯均四酸二酐於300 g乙腈。加等克分子乙二醇。在氮 下加熱混合物至溫和回流。約30分鐘後得淡黃色透明溶液 。反應於此溫度保持6小時後冷至室溫。濾出反應期間所 生白色固體棄去。轉移澄清滤液至—2L_燒瓶。此中加3〇〇 g敌酸乙晞及5 g下基二乙基銨化氯。加熱混合物至12〇。〔並 保持16小時。反應完全後冷卻反應液至室溫，徐緩傾入一 高速摻合器内大量水中。收集聚合物，徹底水洗。聚合 物最後在真空烘箱内乾燥。 將用上述方法製備的聚酯5〇 g溶解於1L_燒瓶中之丨％ g甲 酉手與150 g乳酸乙酯的混合物内。加5 g濃硫酸作觸媒。加 熱/谷液至溫和回流。保持反應22小時。冷至室溫後緩慢傾 此液於一高速摻合器内大量水中。濾集所得白色聚合物 ，以水徹底洗清。最後聚合物在真空烘箱中乾燥丨天，得 89082 -26- 1301930 約50%的總產率。所得聚合物有重量平均分子量約8200與 聚合度分佈性2.8。 溶解2·4 g上述聚合物、0·72 g四（甲氧甲基）甘脲、0.048 g 10-樟腦磺酸之三乙基銨鹽於47.6 g乳酸乙酯内製一抗反射 塗料組合物。將此溶液經一 0.2 μιη滤器滤過。 此抗反射塗料配方之績效用AZ® EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自 ΑΖ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評估。自以上 溶液在一矽晶片上塗覆得一 106 nm抗反射膜，於200°C烘焙 60秒鐘。發現此抗反射膜有（η)值1.51及（k)值0.32。用AZ® EXP AX1020P光阻塗覆一 330 nm膜，於115°C烘焙60秒鐘。晶 片隨後用一 ISI 193 nm微分步器以0.6 NA，0.7 Σ在傳統照明下 用二元掩蔽成像化曝光。已曝光晶片於ll〇°C烘焙60秒鐘， 用2.38重量％氫氧化四甲基銨水液顯影60秒鐘。在掃描電 子顯微鏡下觀察於16 mJ/cm2曝光劑量時線與空間圖案在 0.13微米處證明無不褪的波動，指示底部抗反射塗層之功 效。 實例2 在一設有凝縮器與機械攪拌器的1L-燒瓶中懸浮1.0莫耳 分子苯均四酸二酐於300 g乙腈。於是加等克分子乙二醇。 氮下加熱混合物至溫和回流。及反應繼續24小時。冷卻反 應混合物至室溫後再續攪幾小時。靠抽吸收集反應期間 所生白色沉殿，以乙腈徹底洗清。固體在真空烘箱内乾 燥一日。

以上所得150 g聚合物與催化量芊基三乙基銨化氯在一 2L 89082 -27- 1301930 燒瓶内分散於600 g碳酸乙婦酯中。在氮下機械攪拌中加熱 混合物至120°C。維持反應約16小時。隨後升溫至140°C，得 一透明溶液時終止反應。反應液冷卻後濾、過。滤液攪拌 下緩慢傾入大量水内。濾集白色聚合物，徹底水洗後置 真空烘箱中乾燥。 用上述方法所製聚酯聚合物150 g溶解於一 2L-燒瓶内的 450 g甲醇與450 g乳酸乙酯混合物中。加催化量之濃硫酸。 加熱溶液至溫和回流。保持反應22〜24小時。冷卻至室溫 後徐緩將溶液傾入高速摻合器内大量水中。濾集所得白 色聚合物，徹底水洗。聚合物在真空烘箱内乾燥一日。 總產率為約50%。所得聚合物有重量平均分子量約7300與 聚合度分佈性2.7。 溶解2.4 g上述聚合物、0.72 g四（甲氧甲基）甘脲、0.048 g 10-樟腦磺酸的三乙基銨鹽於47·6 g乳酸乙酯製備一抗反射 塗料組合物。溶液經0.2 μπι滤器滤過。 抗反射塗層配方的績效用AZ® EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自ΑΖ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 液在一矽晶片上塗覆一 106 nm抗反射膜，並於20CTC烘焙60 秒鐘。發現抗反射膜有（η)值1.51及（k)值0.32。用AZ® EXP AX1020P光阻塗覆一 330 nm膜並於115°C烘焙60秒鐘。晶片隨 後用一 ISI 193 nm微分步器以0.6 NA，0.7 Σ在傳統照明下用二 元掩蔽成像化曝光。已曝光晶片於ll〇°C烘焙60秒鐘，用 2.38重量％氫氧化四甲基銨水液顯影60秒鐘。在掃描電子 顯微鏡下觀察於16 mJ/cm2曝光劑量時線與空間圖案在0.13 89082 -28- 1301930 微米處證明無不褪的波動，指示底部抗反射塗層之功效。 實例3 在一設有凝縮器與機械攪拌器的1L-燒瓶内懸浮1.0莫耳 分子苯均四酸二酐於300 g乙腈。於是加等克分子乙二醇。 氮下加熱混合物至溫和回流。反應繼續24小時。冷卻反應 混合物至室溫後再續攪幾小時。靠抽吸收集反應期間所 生白色沉澱，以乙腈徹底洗清。固體在真空烘箱内乾燥 一日0 加料300 g環氧丙烷及300 g乙腈於一帶磁棒與凝縮器之2 L 燒瓶中。此中又加52 g前製的固體與2.5 g之苄基三乙基銨 化氯。反應混合物於氮下加熱至溫和回流。保持反應20小 時。冷至室溫後將反應液徐緩傾入攪;動的大量水内。抽 吸收集聚合物徹底水洗，最後在真空烘箱中乾燥一日。 總產率約70%。所得聚合物有重量平均分子量約7000及聚 合度分佈性2.1。 溶解2.4 g上述聚合物、0.72 g四（甲氧甲基）甘脲、0.048 g 10-樟腦磺酸的三乙基銨鹽於47.6 g乳酸乙酯製備一抗反射 塗料組合物。溶液經0.2 μιη滤器滤過。 抗反射塗層配方的績效用ΑΖ⑧EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自ΑΖ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 液在矽晶片上塗覆一 106 nm抗反射膜並於200°C烘焙60秒鐘 。發現抗反射膜有（η)值1.50及（k)值0.28。用AZ⑧EXPAX1020P 光阻塗覆一 330 nm膜並於115°C烘焙60秒鐘。晶片隨後用一 ISI 193 nm微分步器以0.6 NA，0.7 Σ在傳統照明下用二元掩蔽 89082 -29- 1301930 成像化曝光。已曝光晶片於11(TC烘焙60秒鐘，用2.38重量 %氫氧化四甲基銨水液顯影60秒鐘。在掃描電子顯微鏡下 觀察於16 mJ/cm2曝光劑量時線與空間圖案在0.13微米處證 _ 明無不褪的波動，指示底部抗反射塗層之功效。 · 實例4 , 在一帶機械攪拌器的1L-燒瓶内溶解1.0莫耳分子苯均四 酸二纤於600 g碳酸乙錦r酯中。隨後加等克分子乙二醇。氮 下加熱反應混合物至120°C。持續反應7小時後加10 g苄基，φ 三乙基銨化氯，反應於同一溫度再續16小時。冷卻反應液 並過濾。攪拌中徐緩傾倒濾液入大量水内。濾集白色聚 合物，徹底水洗後繼在真空烘箱内乾燥。 溶解用上述方法所製聚酯聚合物250 g於燒瓶中750 g甲 醇與750 g乳酸乙酯之混合物内。加20 g濃硫酸作觸媒。加 熱溶液至溫和回流。維持反應22〜24小時。冷至室溫後徐 緩傾倒溶液於高速掺合器中。濾集所得白色聚合物，用 水徹底洗清。聚合物最後在真空烘箱内乾燥一日。總產 n 率約50%。所得聚合物有重量平均分子量約6700與聚合度 分佈性3.0。 溶解2.4 g的上述聚合物、0J2 g四（甲氧甲基）甘脲、0.048 g 10-樟腦磺酸三乙基銨鹽於47.6 g乳酸乙酯中製一抗反射 塗料組合物。溶液經0.2 μιη滤器滤過。 抗反射塗層配方的績效用AZ® EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自ΑΖ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 液在矽晶片上塗覆一 106 nm抗反射膜並於200°C烘焙60秒鐘 89082 -30 - 1301930 。發現抗反射膜有（η)值1.51及（k)值〇·32。用ΑΖΦ EXP AX1020P 光阻塗覆一 330 nm膜並於115°C烘焙60秒鐘。晶片隨後用一 ISI 193 nm微分步器以0.6 NA，0.7 Σ在傳統照明下用二元掩蔽 成像化曝光。已曝光晶片於11〇。〇烘焙6〇秒鐘，用2.38重量 %氫氧化四甲基銨水液顯影60秒鐘。在掃描電子顯微鏡下 觀察於16 mJ/cm2曝光劑量時線與空間圖案在〇.13微米處證 明無不褪的波動，指示底部抗反射塗層之功效。 實例5 300 g碳酸乙烯酯在一帶機械攪拌器的丨L_燒瓶内溫熱成 液怨。此中加0.31莫耳分子苯均四酸二酐、〇〇31莫耳分子 的1-苯基乙二醇與0.086莫耳分子之2-溴_2_硝基_丨，3-丙 二醇。混合物於氮下加熱至8(rc。在此溫度維持反應23小 時後加4·0 g苄基三乙基銨化氯並升溫至11〇。〇。反應於此溫 度保持7小時。冷至室溫後攪拌中徐緩傾倒反應溶液於大 里水内。收集沉澱的聚合物，徹底水洗，最後在真空烘 箱中乾燥。 /谷解上述方法所製聚酯5〇 g於i L_燒瓶内之15〇 g甲醇與 150 g礼酸乙酯混合物中。加5 g濃硫酸作觸媒。加熱溶液 至溫和回流。維持反應22〜24小時。冷至室溫後徐緩傾倒 此液入咼速摻合器内大量水中。濾集所得白色聚合物， 锨底水洗。最後，聚合物在真空烘箱内乾燥丨日。總產率 約50〇/〇。所得聚合物有重量平均分子量約侧與聚合度分 佈性2.7。 落解上述聚合物2.4g、⑸（甲氧甲基）甘腺〇.72g、1M章腦 89082 -31- 1301930 磺酸的三乙基銨鹽0.048 g於47.6 g乳酸乙酯製一抗反射塗料 組合物。溶液經0.2 μιη漉器漉過。 抗反射塗層配方的績效用ΑΖ⑧EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自ΑΖ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 液塗覆一抗反射塗料膜於矽晶片上並在200°C烘焙60秒鐘。 發現抗反射膜有（η)值1.74及（k)值0.33。隨後塗覆一 330 nm 厚之ΑΖ⑧EXP AX1020P光阻並於115°C烘焙60秒鐘。於是用一 193 nm曝光工具成像化曝光。已曝光晶片在110°C烘焙60秒 鐘，用2.38重量％之氫氧化四甲基銨水溶液顯影60秒鐘。 在掃描電子顯微鏡下觀察時線與空間圖案證明無不褪的 波動指示底部抗反射塗層之功效。 實例6 500 g碳酸乙烯酯在一帶機械攪拌器之1L-燒瓶内溫熱至 呈液態。此中加0.44莫耳分子苯均四酸二酐與0.44莫耳分 子之2-溴-2-硝基-1，3-丙二醇。混合物於氮下加熱至80°C。 在此溫度維持反應7小時。隨後加5 g苄基三乙基銨化氯並 升溫至110°C。於此溫度維持反應16小時，在120°C再經5小 時。冷至室溫後攪拌中徐緩傾入大量水内。收集沉澱的 聚合物，徹底水洗，最後在真空烘箱内乾燥。總產率約 50%。所得聚合物有重量平均分子量約6500及聚合度分佈 性 3.1。 溶解2.4 g上述聚合物、0.72 g四（甲氧甲基）甘脲、0·048 g 10-樟腦磺酸之三乙基銨鹽於47.6 g乳酸乙酯内製成一抗反 射塗料組合物。溶液經0.2 μιη滤器漉過。 89082 32- 1301930 抗反射塗層配方的績效用AZ⑧EXP AX1020P光阻（得自AZ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 液在一矽晶片上塗覆90 nm抗反射塗層膜並於200°C烘焙60 秒鐘。發現抗反射膜有（η)值1.69及（k)值0.29。用AZ⑧EXP AX1020P光阻塗覆一 330 nm膜並於115°C烘焙60秒。晶片隨後 用一 ISI 193 nm微分步口器以0·6 NA，0.7 Σ在傳統照明下用二 元掩蔽成像化曝光。已曝光晶片於11(TC烘焙60秒鐘，用 2.38重量％氫氧化四甲基銨水液顯影60秒鐘。在掃描電子 顯微鏡下觀察於16 mJ/cm2曝光劑量時線與空間圖案在0.13 微米處證明無不褪的波動，指示底部抗反射塗層之功效。 實例7 在有機械攪拌器之1 L-燒瓶内溫熱400 g碳酸乙烯酯至呈 液態。此中加0.50莫耳分子苯均四酸二酐、0.50莫耳分子2_ 甲-2-硝基-1，3-丙二醇。混合物於氮下加熱至80°C。反應在 此溫度維持23小時。加5 g苄基三乙基銨化氯後升溫至130 °C，保持4小時。冷至室溫後攪拌中徐緩傾倒反應液入大 量水内。收集沉殿聚合物，徹底水洗，最後在真空烘箱 中乾燥。 溶解40.5 g上述聚合物於1L-燒瓶内的122 g甲醇與20 g苄醇 混合物中。加5 g濃硫酸作觸媒。加熱溶液至溫和回流， 維持反應22小時。冷至室溫後將溶液徐缓傾入高速摻合器 内大量水中。滤集所得白色聚合物，徹底水洗。聚合物 最後在真空烘箱内乾燥一日。總產率約50%。所得聚合物 有重量平均分子量約6300及聚合度分佈性3.4。 89082 -33- 1301930 溶解上述聚合物2.4g、四（甲氧甲）基甘脲〇.72g、ι〇_棒腦 磺酸的三乙基銨鹽0.048 g於47.6 g乳酸乙酯製一抗反射塗料 組合物。溶液經〇·2 μιη濾器濾過。 抗反射塗層配方的績效用ΑΖ⑧EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自ΑΖ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 液塗覆一 106 nm抗反射膜於石夕晶片上，在200°C烘培60秒鐘 。發現抗反射膜有（η)值I·52及（k)值0.33。用ΑΖ®ΕΧΡΑΧ1〇2〇Ρ 光阻塗覆一 330 nm膜，於115°C烘焙60秒鐘。晶片隨後用193 nm曝光工具成像化曝光。於是用一 ISI 193 nm微分步器以0.6 NA，0.7 Σ在傳統照明下用二元掩蔽成像化曝光。已曝光晶 片於110°C烘焙60秒鐘，用2.38重量％氫氧化四甲基銨水液 顯影60秒鐘。在掃描電子顯微鏡下觀察於16 mJ/cm2曝光劑 量時線與空間圖案在0.13微米處證明無不褪的波動，指示 底邱抗反射塗層之功效。 實例i 在有機械攪拌器之1L-燒瓶内溫熱450 g碳酸乙烯酯至呈 液態。此中加〇·72莫耳分子苯均四酸二酐、0.61莫耳分子2-甲-2-硝基-1，3-丙二醇、〇u莫耳分子1-苯-1,2-乙二醇及8 g 节基三乙基銨化氯。混合物於氮下加熱至80°C。反應在此 溫度維持8小時。冷至室溫後攪拌下徐緩將反應液傾入大 量水中。收集沉澱聚合物，徹底水洗，最後在真空烘箱 内乾燥。再一次自丙酮/水中重沉澱聚合物。總產率約50% 。所得聚合物有重量平均分子量約70〇〇及聚合度分佈性2.7。 溶解上述聚合物2.4g、四（甲氧甲基）甘脲0.72 g、10-樟腦 89082 -34- 1301930 磺酸的三乙基銨鹽0.048 g於47.6 g乳酸乙酯内製備一抗反射 塗料組合物。溶液經0.2 μηι滤器滤過。 抗反射塗層配方的績效用AZ® EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自ΑΖ 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 _ 液塗覆一抗反射膜於矽晶片上，在200°C烘焙60秒鐘。發現 抗反射膜有（η)值1.66與（k)值0.36。用AZ® EXP AX1020P光阻 塗覆一 330 nm膜，於115°C烘焙60秒鐘。晶片隨後用193 nm ^ 曝光工具成像化曝光。於110°c烘焙已曝光的晶片60秒鐘，，φ 用一 2.38重量％氫氧化四甲基銨之水液顯影。在掃描電子 顯微鏡下觀察於16 mJ/cm2曝光劑量時線與空間圖案證明無 不褪的波動，指示底部抗反射塗層之功效。 實例9 在一設有凝縮器與機械攪拌器的1L-燒瓶中懸浮0.2莫耳 分子3,3’，4,4、二苯甲酮-四羧酸二酐與0.2莫耳分子3,6-二硫-1，8-辛二醇於250 g乙腈。混合物在氮下加熱至溫和回流。 維持反應24小時。反應期間聚合物沉澱析出。反應混合物 f 冷至室溫後抽吸收集聚合物。重溶聚合物於300 ml丙酮， 自水中再沉殿。收集聚合物，徹底水洗。最後在真空烘 箱内乾燥聚合物。聚合物總產率約65%。所得聚合物有重 量平均分子量約5830及聚合度分佈性2.2。 溶解上述聚合物2.4g、四（甲氧甲基）甘脲0.72 g、10-樟腦 磺酸三乙基銨鹽0.048 g於47.6 g乳酸乙酯中製備一抗反射塗 料組合物。溶液經0.2 μηι滤器滤過。 抗反射塗層配方的績效用ΑΖ⑧EXP ΑΧ1020Ρ光阻（得自ΑΖ 89082 -35 - 1301930 電子材料，Clariant Corporation，Branchburg，NJ)評價。自以上溶 液塗覆一抗反射膜於矽晶片上，在200°C烘焙60秒鐘。發現 抗反射膜有（η)值1.65及（k)值0.38。用AZ® EXP AX1020P光阻 塗覆一 330 nm膜，於115°C烘焙60秒鐘。晶片隨後用193 nm 曝光工具成像化曝光。已曝光晶片於ll〇°C烘焙60秒鐘，用 一 2.38重量％氫氧化四甲基銨之水液顯影60秒鐘。在掃描 電子顯微鏡下觀察時線與空間圖案證明無不褪的波動， 指示底部抗反射塗層之功效。 89082 36-

Claims (1)

13 01 ^3b&131265號專利申請案 M. 中文申請專利範圍替換本(96年7月） 拾、申請專利範圍： 1. 一種光阻層的抗反射塗料組合物，其含有聚合物、交聯 劑與一種酸或/與產酸劑，其中聚合物包括選自結構1、2 及3之至少一單元，

0〆

ROOC

π

〇/γ、ο^ 其中Υ係1至約10碳原子之烴連接基；尺與Ri獨立為氫、1 至約10碳原子之烴基、鹵素或-OZ、，其中Z為Η或1至約10 碳原子的烴基；n=l-4，n’ = l-4 ; R’與R”獨立為氫或1至約 10 碳原子之烴基；X 係 Ο、CO、COO、CH20、CH2COO、so2 、OWO、OW或W，及其中W係1至約10碳原子之烴基；及 89082 1301930 m=0-3 〇 2. 根據申請專利範圍第1項之組合物，其中烴基係選自經取 代的或未經取代的脂屬（C1-C10)晞基、經取代的或未經取 代的硫缔脂屬（C1-C10)基、經取代的或未經取代的環烯基 、經取代的或未經取代的芊基、燒氧晞基、燒氧芳基、 經取代的芳基、雜環婦基、雜芳基、氧代環己基、環内 酯、苄基、經取代的苄基、巍燒基、經燒氧基、燒氧燒 基、烷氧芳基、烷芳基、晞基、經取代的芳基、雜環烷 基、雜芳基、硝基烷基、1¾烷基、烷醯亞胺、烷醯胺及 其混合物。 3. 根據申請專利範圍第1項之組合物，其中γ係選自亞甲基 、乙錦r基、丙晞基、丁烯基、苯乙婦基、烷基硝基烯基 、二硫辛晞基、溴硝基晞基、苯基、茶基、苯基衍生物 及奈基衍生物。 4_根據申請專利範圍第3項之組合物，其中Y係選自1-苯一 1，2-乙烯基、2-溴硝基-i，3-丙烯基、2-甲基-2-硝基-1，3-丙缔基、3,6-二硫辛烯基、_CH2〇CH2_、-CH2CH2〇CH2CHr 、-CH2CH2SCH2CH2〜CH2CH2SCH2CH2SCH2CH2- 〇 5 ’根據申請專利範圍第1項之組合物，其聚合物含結構4、5 、6與7的至少一單元，

89082 2- 1301930

Rf〇OC (R^ (¾ ' COOR" (5)

ROOC ^ O

COOR，， ⑹

其中Y係1至約10碳原子的烴連接基；以與!^獨立為氫、1至 約10碳原子之烴基、鹵素或-OZ，其中Z係Η或1至約10碳 原子的烴基；n=l-4，n’ = l-4，R’與R”獨立為氫、1至約10 碳原子之烴基；X 為 0、CO、COO、CH20、CH2COO、so2、 OWO、OW或W，其W係1至約10碳原子之烴基；及m=0-3 〇 6.根據申請專利範圍第1項之組合物，其交聯劑係選自蜜胺 、羥甲塑料、甘脲、羥烷醯胺、環氧與環氧胺樹脂、經 保護之異氰酸酯及聯乙晞單體等。 89082 -3- 1301930 7·根據申请專利範園第1項之組合物，其產酸劑係一熱產酸 劑。 8·根據申請專利範園第7項之組合物，其熱產酸劑係選自硝 基爷基甲苯績酸酯、硝基苄基苯磺酸酯及苯酚磺酸酿。 9·根據申請專利範園第1項之組合物，其聚合物係部分交聯 的聚合物。 10·根據申請專利範圍第丨項之組合物，其聚合物係至少一個 二醇與至少一個二奸的反應產物。 11.根據申請專利範圍第丨項之組合物，其組份又包括選自聚 經苯乙晞、酚醛樹脂、聚芳酸酯及聚甲基丙烯酸甲酿的 其他聚合物。 12·根據申請專利範圍第1項之組合物，其酸係一種磺酸。 13· —種物件，包含有一層根據申請專利範圍第1項之抗反射 塗料組合物的基材，及其上含一種聚合物與一光活性化 合物之光阻塗層。 14· 一種形成影像之方法，包括： a) 塗覆並以自約90°C至約250°C範圍之溫度烘焙具有根 據申請專利範圍第1項之抗反射塗料組合物的基材； b) 塗覆並烘培在抗反射塗層面上之光阻膜； 0成像化曝光此光阻劑； d)使用一含水鹼性顯影劑顯示影像於光阻劑； 幻曝光步驟後視情況烘焙基材。 15·根據申請專利範圍第14項之方法，其光阻劑係在13()⑽至 250mn間波長成像化曝光。 89082 -4- 1301930 16. 根據申請專利範圍第14項之方法，其光阻劑含一聚合物 與光活性化合物。 17. 根據申請專利範圍第14項之方法，其抗反射塗層係在90°C 以上溫度烘培。 89082 5-