KR101017339B1 - 포토레지스트용 반사방지성 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (18)
- 중합체, 가교결합제, 및 산 또는/및 산 발생제를 포함하는 포토레지스트층용 반사방지성 코팅 조성물로서, 상기 중합체는 하기 구조식 1, 2 및 3에서 선택된 1 이상의 유닛을 포함하는 것인 조성물:상기 구조식들에서, Y는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌 결합기이고, R 및 R1은 독립적으로 수소, 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기, 할로겐, -O(CO)Z, -C(CF3)2Z, -C(CF3)2(CO)OZ, -SO2CF3, -(CO)OZ, -SO3Z, -COZ, -OZ, -NZ2, -SZ, -SO2Z, -NHCOZ, -NZCOZ 또는 -SO2NZ2이며, 여기서, Z는 H 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, R' 및 R"는 독립적으로 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기, -C(CF3)2Z, -C(CF3)2(CO)OZ, 또는 -COZ이며, 여기서, Z는 H 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, 구조식 1에서 n은 1-2이며, 구조식 2에서 n은 1-3이고, n'는 1-3이며, 구조식 3에서 n은 1-4이고, X는 O, CO, S, COO, CH2O, CH2COO, SO2, NH, NL, OWO, OW 또는 W이며, L 및 W는 독립적으로 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, m은 0-3이다.
- 제1항에 있어서, 히드로카빌 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌이 치환 또는 비치환된 지방족 (C1-C10)알킬렌기, 치환 또는 비치환된 티아-알킬렌 지방족 (C1-C10) 기, 치환 또는 비치환된 시클로알킬렌, 치환 또는 비치환된 벤질, 알콕시 알킬렌, 알콕시아릴, 치환된 아릴, 헤테로 시클로알킬렌, 헤테로아릴, 옥소시클로헥실, 시클릭 락톤, 벤질, 치환된 벤질, 히드록시 알킬, 히드록시알콕실, 알콕시 알킬, 알콕시아릴, 알킬아릴, 알케닐, 치환된 아릴, 헤테로 시클로알킬, 헤테로아릴, 니트로알킬, 할로알킬, 알킬이미드, 알킬 아미드 및 이들의 혼합물에서 선택되는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, Y가 메틸렌, 에틸렌, 프로필렌, 부틸렌, 페닐에틸렌, 알킬니트로알킬렌, 디티아옥틸렌, 브로모니트로알킬렌, 페닐, 나프틸, 페닐의 유도체, 및 나프틸의 유도체에서 선택되는 것인 조성물.
- 제3항에 있어서, Y가 1-페닐-1,2-에틸렌, 2-브로모-2-니트로-1,3-프로필렌, 2-메틸-2-니트로-1,3-프로필렌, 3,6-디티아-1,8-옥틸렌, -CH2OCH2, -CH2CH2OCH2CH2-, -CH2CH2SCH2CH2- 및 -CH2CH2SCH2CH2SCH2CH2-에서 선택되는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 중합체가 하기 구조식 4, 5 및 6에서 선택된 1 이상의 유닛을 포함하는 것인 조성물:상기 구조식들에서, Y는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌 결합기이고, R 및 R1은 독립적으로 수소, 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기, 할로겐, -O(CO)Z, -C(CF3)2Z, -C(CF3)2(CO)OZ, -SO2CF3, -(CO)OZ, -SO3Z, -COZ, -OZ, -NZ2, -SZ, -SO2Z, -NHCOZ, -NZCOZ 또는 -SO2NZ2이며, 여기서, Z는 H 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, R' 및 R"는 독립적으로 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기, -C(CF3)2Z, -C(CF3)2(CO)OZ, 또는 -COZ이며, 여기서, Z는 H 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, 구조식 4에서 n은 1-2이며, 구조식 5에서 n은 1-3이고, n'는 1-3이며, 구조식 6에서 n은 1-2이고, 구조식 7에서 n은 1-3이며, n'는 1-3이고, X는 O, CO, S, COO, CH2O, CH2COO, SO2, NH, NL, OWO, OW 또는 W이며, L 및 W는 독립적으로 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, m은 0-3이다.
- 제1항에 있어서, 가교결합제가 멜라민, 메틸올, 글리콜우릴, 히드록시 알킬 아미드, 에폭시 및 에폭시 아민 수지, 블록된 이소시아네이트 및 디비닐 단량체에서 선택되는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 산 발생제가 열적 산 발생제인 것인 조성물.
- 제6항에 있어서, 열적 산 발생제가 니트로벤질 토실레이트, 니트로벤질 벤젠술포네이트 및 페놀릭 술포네이트에서 선택되는 것인 조성물.
- 부분적으로 가교결합된 중합체, 가교결합제, 및 산 또는/및 산 발생제를 포함하는 포토레지스트층용 반사방지성 코팅 조성물로서, 상기 부분적으로 가교결합된 중합체는 하기 구조식 1, 2 및 3에서 선택된 1 이상의 유닛을 포함하는 것인 조성물:상기 구조식들에서, Y는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기 결합기이고, R 및 R1은 독립적으로 수소, 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기,할로겐, -O(CO)Z, -C(CF3)2Z, -C(CF3)2(CO)OZ, -SO2CF3, -(CO)OZ, -SO3Z, -COZ, -OZ, -NZ2, -SZ, -SO2Z, -NHCOZ, -NZCOZ 또는 -SO2NZ2이며, 여기서, Z는 H 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, R' 및 R"는 독립적으로 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기, -C(CF3)2Z, -C(CF3)2(CO)OZ, 또는 -COZ이며, 여기서, Z는 H 또는 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, 구조식 1에서 n은 1-2이며, 구조식 2에서 n은 1-3이고, n'는 1-3이며, 구조식 3에서 n은 1-4이고, X는 O, CO, S, COO, CH2O, CH2COO, SO2, NH, NL, OWO, OW 또는 W이며, L 및 W는 독립적으로 1개 내지 10개의 탄소 원자의 히드로카빌기 또는 헤테로 원자를 포함하는 히드로카빌기이고, m은 0-3이다.
- 제1항에 있어서, 중합체가 1 이상의 디올과 1 이상의 이무수물의 반응 산물 인 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 조성물이 폴리히드록시스티렌, 노볼락, 폴리아릴레이트 및 폴리메틸메타크릴레이트에서 선택된 중합체를 추가로 포함하는 것인 조성물.
- 제1항에 있어서, 산이 술폰산인 것인 조성물.
- 제1항의 반사방지성 코팅 조성물 층과, 그 위에 중합체와 광활성 화합물을 포함하는 포토레지스트의 코팅을 가지는 기판을 포함하는 물품.
- a) 기판을 제1항의 반사방지성 코팅 조성물로 코팅 및 베이킹하는 단계;b) 반사방지성 코팅의 상부에 포토레지스트 필름을 코팅 및 베이킹하는 단계;c) 포토레지스트를 이미지와이즈(imagewise) 노출하는 단계; 및d) 포토레지스트 내의 이미지를 발색하는 단계를 포함하는 이미지 형성 방법.
- 제14항에 있어서, e) 노출 단계 이후에 기판을 베이킹하는 단계를 더 포함하는 것인 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서, 포토레지스트가 130 nm 내지 250 nm의 파장에서 이미지와이즈 노출되는 것인 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서, 포토레지스트가 중합체와 광활성 화합물을 포함하는 것인 방법.
- 제14항 또는 제15항에 있어서, 반사방지성 코팅이 90℃보다 높은 온도에서 베이킹되는 것인 방법.
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