TWI301232B

TWI301232B - Operating a processing system controller in a semiconductor processing system

Info

Publication number: TWI301232B
Application number: TW094127905A
Authority: TW
Inventors: Merritt Funk; Wesley Natzle
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Ibm
Priority date: 2004-08-27
Filing date: 2005-08-16
Publication date: 2008-09-21
Also published as: US20060047356A1; WO2006025945A8; JP4969446B2; KR20070070164A; TW200622538A; US7212878B2; JP2008511988A; WO2006025945A1; CN101031851A; KR101154658B1; CN101031851B

Description

1301232 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】理室工本發=關:關==圓;=理模型。更詳言之具在處模組為「利用實體模二虛案名入參考資料。〃本h翻—日期提出中請，在此將其内容列【先前技術】模組綱關的處理 :統與工廠控制系統之間的分界i變成: 3具f制 °，具控制系統控制處理順序的特、;，土統允晶圓間為基礎的一部分之處理順之甚至以晶圓與控制系統將對晶圓的控制交給工且的。若工廠實際所發生的直接知識交給相同料：的因舌:則台報告晶圓所發生的事，it新的結構需要工具平力核況等等。新的結構必須需要工料、件、例此外，多模組工導且體需回應。 (semi)規格之界面連接備暨材料協會 —旦在晶圓到相同之模組的一具平台之控制器或藉由工廠系統控將可以藉由工定模誕之中所進行的資料，而^ & ^自夕重事件而在特置的-個限制是··因為使用實體 1301232 解的:種=組不， ^多處理室的處理=的問題的多處Ϊ室G;:決編態路由(又包括晶圓取樣之 s，則需要次要的解法。詳古之，者ii 以上：出方ί取;if;能功效，資訊系統結構之需i已逐ί產生或取樣時，則對能夠發揮就半導體處理而言，根深蒂固的是·· 1 敞）可以在半導體積體電路製饋豆^（曰曰圓以批量或批次方式處理晶圓且在批二;^^ 這些取樣測量“處中量值且基於處理模型ί 赠正L2L控制之處理配方所需的晶圓」的功能。處理工具之中測量久曰鬥二、=爰’立即測，各 ⑽）。接著，ΙΜ使晶圓與晶圓間1為整合之置測整處理配方的能力。因Al^ = i W)的層次能夠測量且調處理之間僅有丄次’具有進行晶圓與晶圓間（W2w)控制的能力。疋日日0敞曰【發明内容】本方法係包括接收靜態虛系包括 1301232 順;至少一晶圓之處理順序’而處理晶圓到模組（nvvm)物件。彻物件 1與之未至ΐ ^且NVVM物件與晶圓未到實體模組彻物件被執行時，/、^糊序之中的

_ _執行時，則嶋到訪之U 方法另係提供一種半導體處理系統中的主控制器之摔作 Ϊ二ίί體處餘酬含有主純與處理系統。本方法5= 虛擬模組計劃（SVMP)，其中SVMp包含至少個f忐处理結果與至少一晶圓之處理順序。處理順序俜包：組(VM)物件。第一數量I)的== 之虛棱柄組（VVM)物件，且篦-盤旦l 卞句 (NVVM) 本丄;=括=:ί，一器之=例=^^ 主系統接收至少一晶圓之預期;處 (DVMP>Dvmp係具註少—晶圓之處動^ 件為到訪之虛擬模組（VVM)物件，且第 =Y物到狀虛獅(NVVM)鱗。懷里二)與= 另-實施例係提供另-種半導體處理系財社控制器之操 1301232 理系統則含有主系統與處理系統。本方法係包

# ^ ί、、f攸處祕接收動態虛擬模組計劃（DVMP)。DVMP 順序。就至少一晶圓產生處理順序而達處處理順序包含（N個）虛擬模組（物）物件，、1^個）懷物件為到訪之虛麵組（VVM)物件且（N =1^件為ί到訪之虛擬模組（NWM)物件。vUt 圓到貫體模組之到訪相關，且NVVM物件為與至少二曰曰員妾貝體模組之未到訪相關。本方法亦包括執行Dv游。 • 之其它樣態及優點可參照町之詳細說明及圖示本發而更加清楚。本發明之翻並非僅限於實施樣能或貝把例所述之内容，岐可延伸到任何及所有之等同物。。在圖式中，相似的參考符號指示類似的元件。【實施方式】一圖1顯示根據本發明之一實施例的處理系統之方塊略所不的實施例中，處理系統100包含處理工具110、控制器120，理ΐ具11G、及製造^備系統（MES) 13(3，其_合於控制态120與處理工具11〇。此外，處理工具11〇、控制器丨如、及

MES130的至少=個包含圖像化使用者界面（GUI)元件及/或資 =庫兀件（未圖示）。在又一實施例中，則不需要〇υι元件及/或資料庫元件。一藉由處理工具110及/或控制器12〇從工廠系統13〇獲得些結構及/或架構資訊。可以利用玉廠層次的業務規則建^控制制^。例如，處理工具110及/或控制器120可以獨立地操作、或藉由工廠系統130進行某種程度的控制。此外，可以利用工廠層次的業務規則決定何時暫停及/或停止處理，且回應對已暫停及/或停止處理的決定而決定何者完成。此外，利用^廠層業務規則不僅可以決定如何改變處理、更可以決定何時改變處理。業務規則亦可用以確認就一般的處理所採取的動作及就異常 9 1301232 的狀態所採取的動作。這些動預钱刻量測資料_選；（c)批匕括·（a)初始的模型載入；（b) 料篩選；（e)'回饋計瞀；及;;7器+配方選擇；（d)後蝕刻量測資可以將業務規則定義在㈣^更新。制模型層次。無論什麼時候^ ^層次、控制計劃層次、_ 規則。不僅在較低層次遇到境，皆可指定執行f務關的業務規則、更可在輕古馬^衣兄日守，可以執行與較高層次相較高層次相關的業務規則仍可f執行與則。允許使用者以大於一#的旦面疋義且維濩業務規定。可以在資料庫之中维次進行業務規則的定義與指及維護業務規則設置使用說以就如何定義、指定、

料庫7 V綱⑼⑽相關的資務規則決定監測那二可以利用工觸次的業及/或控制S m 例如，處理工具HO ΐ _度的控制。此外，當處理改變、暫停、= T J ’iJp以利用讀層次的業務規則決^如何管理資料。或押制哭’120 H係提供運作時的架構f訊給處理工具110及/ 2制ϋ 從工薇將自動處理控制（处〇設定值、目 ίΐο 運3、f運算法下載到處理工具110及/或控制

_作時的「腹配方」、「APC系統規則」、及「APC 則ΐΐίίίί及/或架構資訊一開始是由系統100所形成時，系i声二，及/或控制器120加以決定。可以利用 (祕規則）建立控制制度。例如，處理工 :口/二^制到某種程度。此外，可以利用系統規則2 物止處理，且決^當處理暫停及/或停止時何考兀成。此外’可以利用系統規則決定何時改變處理及如何改變 1301232 ίϊ作又，控制器12G係利用工具層次的規則控制某些工具層次態喊ίϊί規則允許系統及/或工具操作基於系統的動態狀個處理工具110與一個控制器咖，但吾人 2里知.廷並非本發明之必要條件。除了獨 =以外’半導體處理系統⑽可以包含任意數量的處 110，而其具有與其相關的任意數量之控制器12〇。处具除了任意數量之獨立的處理工具110與模組以外，可以 ίί if Γ及，或控制器120構成任意數量的處理工具110，Ξ /、/、有/、/、相關的任意數量之處理工具110。處理工且 f,j; 12，欠集、提供、處理、儲存、及顯示來自涉八處理次系統、處理模組、及感測器之處理的資料。處理工具110及/或控制器120包含多數的應用軟體，包 ^至少了具相關的應用軟體;⑻至少—模組相關的應用軟體，（C)至> 一感測器相關的應用軟體；（d) 應用軟體，·⑷至少-資料庫相關的應用^ ; 士 ^^目= 相關的應用軟體；及（g)至少一架構應用軟體。例如，系統100包含東京威力科創股份有限公司的控制（APC)系統，其包括優勒提（Unity)工具、特利厄斯（t 工具、及/或德里亞斯（Trias)工具與其相關的處理次系統理模組。此外，本系統包含批次間（R2R)控制器，例如東 ^ 科創股份有限公司的英哲尼歐（Ingeni〇) TL Es伺服哭，^ 威力科創股份有限公司的整合之量測模組（IMM)。^，控二 120可以支援其它的處理工具及其它的處理模組。 11X1 GUI元件（未圖示）提供使用界面的便利性，其使使用者处夠：（a)查看工具狀況與處理模組狀況；（b)產生與編輯選^ 晶圓的總和與原始（追蹤）參數資料之Χ_γ圖；（c)查看工具氅報記錄；（d)構成用以確認將資料寫入資料庫或輸出^案之^ 11 1301232 的貢料收集計劃；（e)輸入槽案到統計製程控制（spc) 型化與空白表格程式；（f)檢查特定晶圓之晶圓處理資訊，且查目前正存入資料庫的資料；（g)產生及編輯處理參數之处 ^設定用以產生電子郵件（e儒u)警告的spc警報數^及/或PLS模型運作；及⑴為 ^ 故障診斷及報告問題而查看診斷晝面。 uu進仃將來自工具之原始資料與追蹤資料當作槽案儲存中。此外’ T以將Μ資料與主量測資料儲存在資料庫之中。= 量不僅取決於處理以何種頻率進行及處理工具以何種作、更取，於那些構成資料收集計劃的資料。將從處理工具、感測益、及操作系統所獲得之資料儲存在資料庫之中。在又一實施例中，系統100包含用戶端工作站統100係支援複數之用戶端工作站。用戶端許使者進行配置程序：（a)查看包括卫具、控制器、處理廠狀況，（b)查看目前與歷程資料；⑷進行模型化鱼及⑷輸入資料到控制器。例如，可以職予使用者管理曰權^ ’ 許使用者控制由控制器所進行之一個或更多個處义而允斷11 12(^於_3()且可以是E診 =系統的-部伤。處理工具110及/或控制器12〇盘八此 ==S130係送出命令及/或撤鎖資訊到處理2 = 例如’ _30將任意數量的處理模組、' ^具、及測罝裝置之可下载的配方，連同各配方失. =饋到處紅具11G及/或控制器⑽。』^ ’ 鍵尺寸⑽)目標值、極限值、偏差值、及必須的工具層次之系統之中的變數。此外，可以將^ f正資料前饋至控制器120。。先^ CD里測又可以利肖MES130提供測量資料，例如將鍵 2子顯微鏡（CDSEM)資訊提供給控制器j ;可手：：提供CD S舰資訊。調整因子係用以調整IM與5 12 1301232 戳^何，n。cd sem資料的手動與自動輸入係包括時間控制迴之中以正確地插入到嫌控制器之中的回饋⑽ 可建構的項目係構成為從讀1_ (OEM SECS) 「紙配方」的—部份加以進出。^配方係3有-個以上的次配方且各次配方係含有可變的參數。如上所述，雖然圖〗亦顯示出單一處理工具ιι〇，但 ’ f Γ吏用額外的處理工具。在一實施例中，處 ^ /、110包含一個或更多個處理模組。處理工且 ^工具11G包含鍵結112、114，用以輕合於至少一個其它 ^理工具及/或控制器。例如，其它的處理卫具及已進行的處理有關及/或其它的控制器係與之後 ^ 112.114 tlfo lit J饋二包ί與送來的晶圓相關之資料。此資料係包括批次資 ^批罝貧料、運作資料、成份資料、及晶圓歷程資料。資料【 =可以用以建立晶圓之輸入狀態的預處理資料。將供^控，器12G ’且將第二部份的預處理資料提供給處里工具110。又，這兩部份包含相同的資料。處理工具110包含單一整合之量測模組（IMM =)或多重測量裝置。系統1〇〇 <系包括與模組相關的冗忿圖 -、工具相關的測量裝置、及外部測量裝置。例如， ^人二個或更多個處理模組之感測n及輕合於處理卫具之貝料。此外，可以從外部裝置獲得資料，例如SEM工位輪# (0DP)工具。0DP工具可由迪伯技術公司取以$ 其提供用以測量半導體裝置之中的特徵部之輪_獲准專利之技術。例如，可以利用0DP技術獲得關鍵尺寸（cd) 13 1301232 貧訊使資訊、介層構造輪廓資訊。交換資及施S13。，且其之間可以启姦>+士* 頂處理貝科與後處理資料。例如，各工且110正 MES130事控制器120將送出訊息;如警報，到改變而使有危險的晶圓數量降到最$主要改父，可以作出必要的件，亦可I用12G’但這並非本發明之必要條饋（FB)㈣ί t月丨屬（）控制器、處理模型控制器、回關’及/或其它的控制器‘係:之後:t之:ίΐπ處理相利用鍵結m、124前饋及/或回饋 =進仃之處理相關。可以狀態資料。糸狀付貝科’例如輸入狀態及/或預期的預期 ί二=:=2= 進仃的配方而使晶圓從輸入狀態改變成處 11 Ρ固t上配方描述涉及-組處理模組的多步^=理之狀^例如，此組 ^器m的時間常數係基於測量值之間的時間成之後才取得測量的資料時，控_的時間常數將基於=次之^ 14 1301232 的日可間在晶圓完成之後才取得欠數將基於晶圓之間的時間。在處理]上貝，日:，控制器的時間常控制器的時間常數將基於晶圓之内===，測量資料時， f、而在晶圓完成之後或在批次完成SC: s取得測量的資之間的時間、及/或批次之間的^處理步驟之間的時間、晶圓一個或更多個控制器可以在任一 4 個控制器處於操作模式，而第5 。例如，其中- 迴圈，且迴圈可以具有不同的時制二f3早—迴圈或多重 ^ ^ .：0®Γ^Βθθ 工廠時序。至守序、工具時序、及/或控制器120可以當作單輸入單輸出（入多輸出（SIMO)裝置、當作多鈐入口口认山^衣置、萄作單輸當作多輸入多輸出（ΜΙΜΟ)震置^作早^外，置:及或一個或更多個控制器之：，：ϊί 例如CD與侧壁角度等多重輸入時， =田使用及回饋輸人與輸出（亦即—個進行⑦ “ ^之間_ 2情況中’可以將資訊從其中—個控制器前镇或回饋到，制H 120係基於輸入狀態、處理特徵、及處理曾 :十巧又’可以利射虫刻速率模型連同處理時間而 ϋ虫刻味度’且可以彻沉積速率模型連同處理時間沉積；度。此外，模型係包括SPC圖、PLS模型、PCA ^ 距離關聯（FDC)模型、及多變數分析（MVA)模型。、支、應，制器120係接收及利用由外部提供之處理模組之中的處理多數極限值所需之資料。例如控彻GUI元件係提供手動輸入 15 1301232 J理參數極限值所需的襄置。此 „需之處理參數的極限值。型4= 執行由市售之模型化軟體所產生的模制 0接收及執行模型（PLS、PCA箄耸彳，外部的應職體職生且細^彻^。S PCA相，其由過濾器12。包含:個或更多個用以靜態正確且必須^π 1不° y以利用異常值濾'波器去除非利用雜之中間值計算結果的異常值。可以批也I - Μ…以卡爾又（Kaman)濾波器。將“到工例如，控制器m :此外，在確可子郵件（e-mau)、或傳啤器送出通知。 ^ 採取的動作存棺於可;;：庫:中出=:制器120所備份及指眉純田^ΐ 庫中此外，控制器120包含 %、加湘的衣置。此外，可搜尋的f料庫係包括模型資訊、架構貧訊、及歷程資訊且控制器12〇 = 復原過去與目前的模型資訊與模型架構資訊。、’、 #伤及 120 能S器含一組在安裝時所設置的預設模型’俾 :量、载入璋數量、卡嶋、二方=|ID= 業ID及/或插槽數量所限定的背景所建立之業務規則對例夕^狀j 16 1301232 採取動作。 f制器12G具有管理多重處理模則同時執行且受到不同組的處理配方nm— 不同模式進行運作：模擬模式、測試模5及gif 2種 120 =在模ί模式及實際的處理模式並行地α 未使ί虛的配方時’且若與通過實體模組之第」進目關的資料將 ?，ΐ制器120及/或主控制器將以來Γ1過貝料覆寫過來自通過模組之第—進出的資料。、-進出的 "ir(mx) 0 ^ ^ 利用其它的通用名稱，例如模組（xx=(^j^又，可以 =用虛她組名稱作域引項而將虛擬模組資料儲存於資料= 組，2 多_卩的測量模建立與外部的測量模組相關之資料槽案的案。此外，可以利用不同的外部測組相關之貧料槽以利用虛鋪組而允許工具層次及八戈系===配方。可部測量模組的用法，俾使外部測量“ 安排外間降到最低。、的利用性琅大且使產出時此外，當處理系統控制器執行模模組。利用虛擬模、址可以儲存模擬模行二用虛擬在其中-轉況中，主系統係提错果。 120使用一個歧多個虛擬模組。▲資示控制器與主系統之間進出時，主系統係提供通用名稱供 17 1301232 名稱指定給處理順序之中的—個或更多個處理步驟。押聯繫在一起。在另一情況中，主系統允許^^ 认?工制盗產生虛擬杈組。當處理工具變其二 2?=性最大且使產出時間最小的考量而利用工具ϋίϊ /或糸統層次的控繼決定使细卜個處理及/或測量模组。可 =用虛麵組而允許工具層次及/或純層次的控㈣安排實 -果、、且的用法，俾使處理模組的利用性最大且使產出時間降到最控制H 12G健生各虛賴組之處理健且使實杈組（VM)聯繫在一起。、。μ狹士當半，體處理系統1〇〇包括主系統與一個或更多個處理系統 n主系統/係當作主要系統操作且控制及/或監測大部份的處 r°、主系統係產生包括處理順序之靜態虛擬模組計割 ^^ΙΡ)，且將SVMp送出到處理系、统。在一實施例中，處^ 序包έ 一連串的虛擬模組（VM)物件。、，2顯示根據本發明之一實施例的工薇整合架構之簡化方塊在所不的實施例中，所示之工_統_合於處理系統。東不威力科創股份有限公司所提供的特利厄斯™ ( TELms™)處理統被視為可供本發賊⑽—鑛理純。^而，熟悉本項技藝，人士應π疋瞭解·只要在不脫離本發明之範圍的情況下，亦可採用其它的處理系統。如圖f示，—工廠系統為MES130，尤其包括，先進處理控制能力、資料收集策略（DCS)、適應距離關聯模組（FDC)、 ι!ί斷系統E1。在所示的例子中，順130工廉系統係藉由E診 _結而與特利厄斯™( TELms™ )處理系統通訊並與其交換資訊。圖3顯，根據本發明之一實施例的整合之處理系統的簡化方 &圖。在=不的實施例中，所示之處理系統，例如特利厄斯™ TELIUS )處理系統，包含處理工具、整合之量測模組（IMM)、 18 1301232 及工具層次的先進處理控制（APC)控制器。圖顯示根據本發明之一實施例的整合之測量處理的簡化圖。在所示的實施例中，整合之量測（IM)係基於光學數位輪廓 (ODP)技術而進行處理。例如，收集受處理的晶圓（例如蝕刻及/或修整）之上的光㊁晋資料且與〇Dp資料庫中的模擬之光譜比對。匹配的光譜係相當於具有CD、膜厚與側壁聚合物資訊^輪廓。對處理系統及/或主系統報告量測資料。圖5顯示，據本發明之—實施例的多步驟之處理順序的簡化 -流程®。摘補實_巾，不鶴示出_與_控制能力、卜更顯4測量步驟的數量與處理步驟的數量（例如光阻修整、餘刻、化學氧化物絲修整料）。可喊圖示之各職步驟與理步驟產生-個或更多個虛擬模組物件。這並非本發明所。可以利用其它的處理順序，且可以利用不同數量的虛擬模組物件。圖6顯不根據本發明之—實_的控做理之簡化方塊在^不的貫施财，顯^出控制計劃之簡化方塊圖。可擬模組控制計劃及/或策略且映對到實體模組。亚所- m艮據本發明之一實施例的實體模組之關聯略圖。在顯示出六個實體模組且六個實體模_包括四 ίϊΐΐ ( M4)與兩個測量模組(IMM1與職2)。必須。在又—實施例中，實體模組的數量及其配就各路由步咖=模組。咖侧順序。例如’可以圖8為根據本發明之一實施例的處理系統控的流程圖。在所示的實施例中，雖铁方法 _ ’但這並非本發日狀必要條件。^ = ^=序例如主事件、曰曰0达入事件、批次開始事件、批量開始事 19 1301232 或來自另一處理的結束事件。處理系統包含處理模組及測量模組。處 =沉，組、化學氧錄去除（a)R)模組、加熱模組、二丨、、且目二物組、顯影拉組、或其中兩個或更多個處理模組的組 ^7! 係包括光學測量模組、光學數位輪廓（〇DP) 、 SEM模組、TEM模組、或其中兩個或更多個測量模組的組合。卢縣ίΠ!』〜’處理系統控制器係從主系統接收晶圓之靜態組计劃（SVMP)。為了處理一個或更多個晶圓，故SVMp • ΐϋίΪΐ理系統的指令。當使用SVMP時，主系統係當作主 ^ f包含晶圓的翻處理結果，而這可由衫統加以決的處理結^1係包括修整量、_量、沉積量、或其中兩個或更多個的組合。又，SVMP包含通過可使晶圓達成預期之處理結果的實體模 ϋϊΐ的實際數量（N⑽）、通過可使晶圓達細期之處理結果進出的最A數量（Nmax)、及未到實體模組之未到訪勺數里（Nnon)。SVMP包含各實體模組之處理配方。阶包含？飼輯tlj，其巾#不同的日日日圓使到達處冰ίΐϊ到讀量不同時，將可關用計劃。多朗訪計劃為取 "甘、舅的，亦即，某些晶圓必須多重到訪才能到處理模組，而 '八匕的晶^則需要單一或未到訪就能到處理模組。丨ΐ施例中，可以由主控制器決定多重到訪計劃且送至制^。在又一實施例中，可以利用另一控制器，例如R2R 払制為，產生及/或修正多重到訪計劃。 SVMP包含取樣計劃，其中當不同的晶圓使到達測量二二一數1不同時，將可以利用取樣計劃。亦可利用取樣計二可日才作出預處理與後處理的測量值。如同多重到訪計劃，剎為取決於晶圓的，其中某些晶圓需要多重到訪才能到測里吴、、且，而其它的晶圓則需要單一或未到訪就能到測量模組。 20 1301232 告丨。。在々广”中’可以由故難蚊取樣計，且送至R2R和制态。在又一貫施例中，可以利用 T-j儿k至幻化拴產生及/或修正取樣計劃。工态，例如R2R控制器， SVMP需要晶圓到訪實體模組又次， 2整數，且SVMP需要晶圓跳過實體模組γ 版）ΧΜ3Χ為的到訪的最大數量及YM為未到訪的隶大數置（跳過之到訪）。 Max马禾到# 表格1

如上所示，表格1係顯示八個虛擬模組之不同的例示性處理順序^數量。在本實例中，到第一測量模組（IM〇1)之到訪的最大，量係等於三個、到第二測量模組（IM〇2)之到訪的最大數量係等於一個、到第一處理模組（PM01)之到訪的最大數量係等於兩個、且到第二處理模組（PM02)之到訪的最大數量係等於兩個。 21 1301232 2-實闕中，處理模組的數量為不同紐量置為不同的數量、且到訪的最大數量為不同的數量。]成且的數箄;編號1 +，使晶圓到訪第-測量模組的實際數量實·量等於本實例可允許的最大數匕=1 = ^晶^到訪第二處理模組的實際數量等於本實例可。料 ί晶『本發明所必須。所示之處理順序可適用於二個1更1 第一處理模1 且ΡΜ〇ΐ(η ίΐ $\第f虛擬模、组％物件係與到件係與到第吻里模L1關===組ρ物、组，物件係與到第-測量模組IMQf (一2===擬= =姆:組vm5物件係與到第二處理模組PM02⑴之^ 一到第到1六ί擬^且糧6物件係與到第二處理__(2)ΐ 時;丨弟2麵組物7物件係與到第-測量模組_ 模組的到有—個或更多個到實體 —個或更㈣_ (‘取;以;)且日日圓可·剛實麵組的第-理結果需要三個到第—測量模組的到訪、兩個到 ί測的到r >兩個到第二處理模組的到訪、及一個到第以葬：：二半至1訪打’就可以產生第-例示性的處理順序。當可其“i理Ιί^Γΐ理結果時，就可以產生 ir 3 結果時，就需要到處理模組的多重到訪。口’所兩的爛量、所需的修整量、或所需的沉積量係大於經 22 1301232 =個處她組之單_進出所能達後處f撞辦，就可產生_量模_多重%=鑛理及/或表袼1亦顯示某些其它處理順序 * =實，ί小於可允許的最大數量時，就會 *要考1處__實際數量可以等於或大於零。例如，當不 :量：，二ί如修整處理或蝕刻處理’則到訪處理模組的；際 5二，模組的魏數量可以等於或大於ί -與主二:=?二具，r量處理或卜*第二處理順序；第組的貫際數量為零。處理順^中3曰(=、f'f，關。在包括虛擬模組物件的可以逮☆「社办°斗1曰圓跳過一個或更多個到實體模組的到訪，且用時，將產味-Ί 模組。當虛擬模組當作佔位的虛擬模組使繼，㈣綱恤模組名稱與處理二ΐΐ不^組之數量而達成不同晶圓之預期的等於-個或更多個實======量= 财，抑使用多重到訪計峨取大數在又一貫施的單虛Zti^)物件係代表經過（到訪）實體模組最大數旦的衫數量鱗於通過實雜組而進出的 i ^中’VVM物件的實際數量係等於通過一個或 ν\^ί次料組而進出的實際數量。可以就VVM物件將 VVM貝七，例如事件資料與測量資料，送至主系統。㈣(nvvm)物件係代絲财體模組之未 Sim Ϊ彻物件的最錄量麟於未到訪實體模 ί此情況ί ’卿彻物件的實際數量係等於未到 -3夕個未到訪之實體模組的實際數量。可以就NVVM物 23 1301232 件將NVVM資料，例如事件資料與佔位資料，上傳到主系統。表格2 晶圓編號 1 2 3 4 5 6 7 8 虛擬模組實體模組 VMl IM01(1) WMi VVM1 VVMl VVMj VVMj VVM1 VVM1 VVMj VM 2 PM01(1) VVM, VVM0 2 VVM, 2 VVM, VVM, VVM， 2 NVVMl VVM， 2 VM3 PM01(2) VVM3 vvm3 VVM, 3 VVM3 VVM3 NVVM1 NWM， 2 NVVM1 VM, IM01(2) VVM 4 VVM, VVM, NVVM1 VVM, vvm3 nwm3 NVVM, 2 VM5 PM02(1) VVM5 VVM5 VVM5 VVM 4 NVVMl VVM, VVM， 2 NVVM, 3 VM, 6 PM02(2) VVM, 6 VVM, VVM, 6 NVVM 2 NVVM, 2 NWM， NVVM, 4 NVVM, 4 vm7 IM01(3) VVM7 VVM7 NVVMl vvm5 vvm5 NWM3 nvvm5 nvvm5 vm8 IM02(1) VVM 8 NVVMj NVVM 2 NVVM 3 VVM, 6 NVVM, 4 NVVM, 6 NVVM, 0

表格2，如上述，顯示與表格丨所示之處理順序相關的到訪之虛擬模組（VVM)物件及未到訪之虛擬模組（NVVM)物件。在本實例中，到訪第一測量模組（IM01)的最大數量係等於三個、到=第二測量模組（IM02)的最大數量係等於一個、到訪第一處理杈組（PM01)的最大數量係等於兩個、及到訪第二處理模組 (PM02)的最大數量係等於兩個。例示性的處理順序具有等於八個的長度（例如3+1+2+2=8)。在又一實施例中，處理模組的數量為不同的數量、測量模組的數量為不同的數量、且到訪的最大數量為不同的數量。 24 1301232 在表格2所示的實例中，曰組（WM)物件的實際數號1相關的到訪之虛擬模組之晶圓編號1的實卩双赵旦f寺於本貫例之中的到訪第一測量模的實際數量加上到訪第:^1力=到訪第二測量模組之晶圓編號！加上到訪第二處理模組二訪晶圓編號1的實際數量發明所必須。就晶U編號際數量。這並非本個晶圓。斤不之處理順序亦適用於一個或更多大數產組的實際數量小於可允許的最到訪的最大數量減去到3 到訪的數量係等於模組（NVVM)物件的數量係^於到=且未到訪之虛擬的實際數，等於可允許之到"，未到訪實體模組模組Ϊί ^物件之數量鱗於到訪實體於未到1體模組之晶圓的實；^關精彻物件之數量係等施例巾，可以彻取決於晶®且由處理作掌所半定的 ===”由取樣計劃，藉由具測量模圓路由構成系統配方且接著就不同的制計劃或回ϊίΓ 統配方。可以將測量模組資料送至控順库回if i圖8，晶圓為主的程序_錄行工作㈣時的處理如理解利用―鐵更多個處理系統控制器，例如老4払制為，執打處理順序。在一實施例中，處理順序包含N 件且可以寫成（VMi、覆2、至Wn)。處理順序係匕括罘，里的VVM物件與第二數量的NVVM物件。斤處理系統控制器係含有多個控制系統之操作的Apc配方（护制策略），而控制策略係與系統配方相關。控制策略含有押制^ 剎，且受控制之實體模組係具有為到訪實體模組所定義的^二 25 1301232 ，制計劃。控制計劃含有模型、極限值、目標值，且涵蓋模组之重處理步驟。在—實施例中’可以建立虛擬控制策略及/ 且可以映對到實體模組。當接收及/或產生處理日守，就可建立控制策略及/或計劃。 ”

處理系統控制器可以額外地執行到訪之虛擬模組（Vyj^)資料收集（DC)策略，*wm資料收集（DC)策略則包含至少二到訪之虛擬模組（VVM)資料收集（DC)計劃。VVM 的，，始亦可以是背景為主的。當執行VVMDC策略時，可以就在實體模組之中受到處理的晶圓收集VVM資料。

hDC 劃係決定收集那一個資料、如何收集資料、將資料儲存裡。处理系統控制器係自動產生虛擬模組之資料收集計劃。二型地，一次就特定的模組啟動一個資料收集計劃，且控制器 if擇；J利用與£日圓背景相配的資料收集計劃。資料係包括追縱 ϋ斗、處理記錄資訊、配方資料、維修計數資料、0ES資料、VIP ，料、或類比資料、或其中兩個或更多個的組合。可以藉由DC 裝置及/或感測11開始及停止。Dc計劃亦提供資訊給 4正貧料、截割資料，且處理阻止資料與異常值。 Μ又’當處理順序之中的VVM物件被執行時，處理系統控制器係執仃到訪之虛擬模組（VVM)分析策略。VVM分析策略包含擬模組（VVM)分析計劃、或到訪之虛擬模組（VVM) 其組合。當VVM分析策略被執行時，將可以分析晶 W貝料、處理資料、及/或模組龍，且可以識別出故障狀況。如:在收集到資料之後，就可以將資料送至統計製程控制 )転式進行運轉法則評估。基於歷程資料可以自動地計算 C極限值或基於客戶的經驗或處理知識而手動地輸入SPC極限，二或可以從主電腦獲得SPC極限值。可以藉由控制器自動地生虛擬模組的SPC圖。士了以就資料與警告及控制極限值加以比較，且在違反運轉法則時，將產生代表處理已超過統計極限值的SPC警報。當警報產 26 1301232 (係進Γ知或介人。可以藉由電子郵件户理李^ϋ/)致動的傳呼器進行通知。此外， :時前:理理或在_ 生的虛擬模組。处系、就制益可以識別造成警報產 t處理系統控制器係決定處理順序之中的各 Γ處理t/理配方。又，可⑽_統決定、糾、及/或理夺:擬模組與未到訪實體模組相關時，則處虛峨梅到訪之包含一個或更多個未到訪之虛擬餘（ΝννΜ) ί；^ 計劃，用以收集NVVM資料。 VM)貝科收集（DC) 處理當/Ζΐΐ 彳=Ηΐ，並無晶圓在實體模組之中受到入模組、儲存模組、力例如傳送模組、載料量件生具有最少資宙少加了·^田日日0在其中一個實體模組之中不需要一個赤執行期間，處理系統5:义4 物件。在Νν;彡物:》動到保持位置。又晶1 到達目前的位置或將其移例如傳送模組、載人模纟且、齡=」的配方將晶圓剌暫存點，當虛擬模_佔位使科，:===。， 27 1301232 負料播案包含虛擬模相么摇纺？> 在工祚R:二舟與热效」的識別符號。木忐寸，晶圓為主的程序800係收集資料。上蓋士 :處理:黃序之中的虛擬模組物件與通過且的實：:之’ t貝處，統控制器係收集到訪之虛擬模組(出相關 ίΐίίίί中的虛擬模組與未到實體模組的未到訪相二又目I =f、私制益係收集未到訪之虛 =則

貧料，NVW資料儲存在與處理系統相』的資將VVM rwf;?施例中’處理系統控制器係送出到訪之声心㈠ (貧料、或未到訪之虛擬模組（NWM)資料二甘核、、且到主系統。此外，將WM資料或其组合關的資料庫之中。、七、VVM貝科儲存在與主系統相欠集到VVM與NVV]V[資料之後，寇;^〇〇 =所=表的^問’俾決定是否需要處理另—個晶圓。^是作 ΐ另-個行圖8所示之處理順序。 ====實施例中，雖醜示出晶圓為主的二是晶圓i入事=t 作彻，例如，其中開始事件可以處理的結束。事件、或批量開始事件、或來自另- 需以二、;;=】用;曰圓的麵择吝斗七^序一决疋處理順序之後，主控制器係在工作930 順序長Ctf劃（svmp)。s·包含處理順序、處理 ίΝ Y (N)、VVM物件的數量（Naet)、NVVM物件的數量或更實體模組之進出的最大數量（Nmax)、或其中兩個，控制n係決定實際㈣達成翻之處理結果的晶圓通肢板組之進㈣實際數量（Naet)，且可以建立使通過實體模組1 28 1301232 晶圓的各實際之進出的VVM物件。此外，主控制 =達成預期之處理結果的晶圓未到訪實體模組^ 二件且If就與晶圓相關之各未到訪（跳過之到訪）建立 2=進出的最大數量（Ν腿）。此外，主控制器係決定 f=序長度（Ν)，其中處理順序長度（Ν)係等於鱼夂與晶圓相關之到訪實體模組的數量（Nact)，其中（Nm= • 數’且可以就與晶圓相關之到訪實體‘組=到s (Nact)建立到訪之虛擬模組（VVM)物二 (Νηο；} _ max Nact)且（Nnc)n)為等於或大於零的整數兵晶圓相關之未到實體模組的各未到訪（N) 尤模組⑽彻）物件。此外，主控制器係決定=貝序未疑個VVM物件、及（N_)個NWm物件，理上3 act) VVM物件係與通過實體模組之實、·^的f 的各NVVM物件與未到訪實體模組相關出侧域理順序之中在產生SVMP之後，如工作940所示，主季轉♦、、，到處理系統。程序900係終止於工作·。系'、摘^出SV瞻當處理系統執行SVMP時，處理系統可以料:例如，當處理系統執行處理順序且WM物件被= 處理順序且NV物物件被執行時，主2卜收工，理系、J執行組（NVVM)資料。了王乐補接收未到訪之虛擬模之處=====的各VVM物件理系統。主控制器係決定處理順序^'中理配方到處方，且主控制器送出處理順序之、物件之處理配處理系統。处頃序之中的各NVVM物件之處理配方到 29 1301232 量、'預期的處理結果包含修整舍U:匕f其中兩個或更多個的組合。 .方、、ί㈣實猶㈣歧純控㈣之摔作卜序_，但這並非本發明之必要條件tut，為3程或以批量為主。程序門 y、王序了疋批夂為主 .是晶圓送入事件、批次開工作10曰10。例如，開始事件可以處理的結束事件。^ 、或批量開始事件、或來自另— 果。預期:：。:果制：ί系:嫩預期的處理結個或更多個的組合。〆里蝕刻1、或沉積量、或其中兩序’俾用以處i:圓處：統:②乍而決定正確的處理順些晶圓不需要通過c〇R^ =處理中’例如COR處理，某組的-個進出，且j：它的曰、圓+ 某些晶圓需要通過COR模出。在此情況中，主系過⑽模組之一個以上的進擬模組的進出數量/可以理系統決賴過CQR模組與虛理順序之中的處理物件之不同圓建立進出的數量而管理處以利i所接處理結果，處理系統控制器將可 (DVMP)，如工作if而產/晶圓之動態虛擬模組計劃之預期的處理結果、用以—實施例中，DVMP包含晶圓組之進出的實際數量（N 處理結果的晶圓通過實體模過實體模组之進出的最大^日=達成職之處理結果的晶圓通出的取大數$ (N_)、處理順序、及晶圓之處理 30 1301232 啦度(n)係等於通過實體模組之進出理順^ ( max)。處理順序係包括队⑽個虛擬模組物件，且處中 1的到Ϊ之虛擬模組（WM)物件與通過實體模組之實到訪之虛擬模組_權）物件與未到訪實體 i工作時，處_驗制II送出DVMP到主系統。声王二ίίΪ處理順序時，處理系統控制器將執行處理順序，且 ΐ、或個/擬模組物件且包括爾物件、或NVVM物組（vvm)龍，且當處理祕之中的nH = 先控制器係送出到訪之虛擬模組(么2 (^VM) t,4 ^ , , „ 〇 ^ 料庫之中1 貝料儲存在與處理系統及/或主系統相關的資程序1000終止於工作1〇5〇。行到ΐί ί 211的v w件被執行時，處理系統控制器係執 (ννΜ)控制計劃。4 =略= 將的。當vvm控制策略被執行時，晶圓收隹，上，理系統控制器係執行到訪之虛擬模組（VVM)資料木jDC)朿略，而VVM資料收集（DC)策略則包含至 f之虛麵組（WM)資料收集（Dc) τ以收集，斷組之t正糾處理的晶κ^ννΜ資料。俜執ί到ίί ΐΐΐί中的WM物件被執行時，處理系統控制器，订^之虛_組（VVM)分析策略。_ 到软虛擬模組（WM)分析計劃、或到訪之虛擬模 31 1301232 =計劃:或其組合。當VVM分析策略被執行時，將可以 '貧:二卢及’或模組資料’且可以識別出故障狀況:曰處理配方。又了以糟由主糸統決定、送出、及/或核對季统ΐΐϊίί2的虛擬模組與未到訪她莫組相關時，處理 .訪^虛擬模組（NVVM)控制策略包含一個或j (NVVM)控制計劃。未到訪之虛二 -收集(DC)策略亦可被執行，且，料收集7=匕，-個或更多個未翁之虛賊組（NVV ^ 劃，用以收集NVVM資料。貝計收木（DC)叶控織略錄行時，關在#體触之+並不受到 :理。當NVVMDC策略被執行時，將可以收集晶圓的 .,uxvr:r/：r^f+ 且之中而當作操作的「保持」型:i的入模組、，麵組、加鏡組、或糊驗。傳讀組、载 4宙Ι—ϊ施例中，處理系統控制器係接收處理順序之中的-徊以:擬模組物件之處理配方。例如，主系統:需供：體拉組執仃的特定之處理配方。此外，主了i、只的」晶圓所需的特定之處理步驟。例如以將$1、\取樣測量模組。 A 1㈣]以將晶圓送至外部的處理模組包含蝕刻模組、沉積模組、模組、加熱模組、傳送模組、·去除:(C〇R) WOw隨模組、或ΤΕΜ模組、或其中 32 1301232 個的組合。與主系統一致動作的處理系統#產± 或|測處理操作。 ^ CWMP) 〇主系統係執行DVMP。。在一實施例中 ^且虛擬模組（VM)物件。丨員序包3 —連串的圖11顯示根據本發明之另的處㈣統方法的k程圖。在所示的實施例中，雖出、日；作以批量為主。程序 =事事;::批次開始事件、或批量開始 t.j (D^Zt^ 也®从田已έ日日圓之預期的處理結果、用以逵忐葙甘Β 之處理結果的晶圓通過實體模組成^ 序、及晶圓之處理順序長度（N)。處理順序ΐί HitUU體模組之進出的最大數量(υ處“i 實進出相組物件。處理順序係包括與通過實體模組之模Lwm) 的擬模組物件之到訪之虛擬中白H板組物件之未到訪之虛擬模組（NVVM)物件 D替旦在：二：之後，主控制器將在工作1130時執行 =A作1140呀，程序1100係結束。日士 + 例中，當處理系統執行處理順序且VVM物件被執杆 (VVM) 組（Ν&Μ) tNVVM#;件被執行時，將接收未到訪之虛擬模 33 1301232 擬模組(VVM)二處^^巾的至少-到訪之虛更多=;=組—物“二 ^更多個未到訪之虛擬模組⑽物二二的純建立ί訪33組實，組之各實際的進出 ί到訪實體模組（U建立 !S；MP) B ^ 包含體模組（PM)與虛擬模件處理順序 ♦要^可以是取決於晶圓的，亦即Ϊ此曰圓將同μ日- 圓肘而要到汸貫體模組的零到訪。略圭L/不根據本發明之—實施例的虛擬模組⑽）押制策略晝面之例示圖。VM控制策書 ι : &制朿 =之模=略：係用賦能框賦能或失能VM控制策略。H雜A可以利利，工具獲得目前的載入埠資訊。了以利用載入谭搁從處理可以利用系統配方欄從處理工具獲得一列的系統配方。可以 34 1301232 按知^?^方更新按㈣作更新魏，且可以純配方更新或更ΐίΐΐϊ獲得目前的配讀訊。例如，可以藉由比對一個發VM控目’例如系統配方名稱，而利用系統配方名稱觸方所足處理工具獲得選擇之載入槔與系統配且可以利用ί路利用傳送路*更新按钮當作更新功能，傳祕岐新按練處理工具獲得目前配方資訊。方所由?從處理工具獲得選擇之載入埠與系統配送二利用傳送路由決定何時將晶圓傳之中處i日圓H )之中，及妓何時在處理模組⑽χχ) 處f θθ® :可j彻說明欄提供VM模型之說明。後;顯示出晶圓移動到IM模組而進行預處理測量盘。在VM處理期間’可以利用一個或更多個整C量路由，實施例中’可以使用不同的傳送可=5,杈又’可以顯示出虛擬模組名稱。障動:咖足以下功能輸入，編輯量測雜 f (額定配方）—軟體送出指示到處理 ^处二利用工具處理配方。不利用處理配方（「無效」的且曰圓與晶圓她1之「無效」的配方資關處理工具；4曰if 的狀態下進人且離開處理室。pM暫停-暫停

處理权組，及系統暫停-暫停含有傳送系統的系統。抓A 利用功=入，編輯控制故障功能： /、處理配方（頭疋配方）—軟體送出指示理工 ϋ利用工具處理配方。不利用處理配方（「無效」的配二與晶圓相關之「無效」的配方資訊到處理工呈且晶圓在、组，及系統暫停-暫停含有傳送系統的系統。曰了机處理杈 35 1301232 制故障i生時:將可欠的控制器係彳貞測控制故障。若控方）、利用「無效的」配方'、、、、=成為利用工具處理配方（額定配或暫停整個系統。或停止VM處理、或暫停處理模組、此外，當需要這些額外的境明細欄提供額外的環境項目蚪，可以利用多個用法環攔輸入/編輯批次識別蒋號.、!；目。可以利用批次ID(多批次ID) 入/編輯晶圓識別符號；二晶圓/D (多晶圓ID)攔輸控制作業識別符號；可以利（夕CJID)欄輸入/編輯作業識別符號；可以利用卡（夕PJDD)攔輸入/編輯處理

識別符號；可以載置台ID =攔輸人/編輯卡H 台識別符號；可以利用插# Γ夕j置口1D)欄輸入/編輯載置可以利用細插槽數量; 利用晶圓種類（多晶圓種入^編輯基板識別符號；可以切割之晶圓ω 輯晶圓種類；可以利用符號；可以利用一個開始輯切割之晶圓識別用第二個開始時間攔輸入/編輯輯開始時間，·及可以利笛田夂、Li Ληνπ &制束略、刪除現有的VM控制 ί動作朿略。例如’可以利用下拉表選擇一系列干圖圖據例的控制計劃編輯器晝面之例不圖。在圖13中，VM控制計劃晝面係顯示理模組（ΡΜ01)之虛擬模'组之控制計劃。又，可以^用盆^的g 組’例如其它的處理模組（PMxx)與測量模組（1&):、、為了產生VM控制計劃，使用者可以選且選擇新的控制計劃或現有的計賊模型。例如，在谓控制策略晝 36 1301232 面中，將出現下拉選單且可以選擇增加計劃選項。 VM控制計劃晝面包含多個攔。^ :輯：，=劃，。可咖模組鮮== 鱼盆益批K與策略侧時，將自動地填人模組攔。若計劃利賴_處理漁或測賴組。可以方攔輸人/編輯配方。例如，若計劃與策略相_，將自若計酸其無關時，則可_用本攔選擇處理扠、、且之處理配方或選擇測量模組之測量配方。啟來ΐ表格輸入/編輯資料來源。例如，可以開絲格係包括來源種類、資料源.「預期=為處具之—部份的整合之量測模組資料來饋偏差值」、ίι^ϊί 控制器輸入固定的單位；「回杳詢環環境項目」種類允許使用者產生單選擇來源ϊί擇符號，且可以從#料來源種類下拉選而改變末'、貧料來源資訊攔係隨著所選的資料來源以利用不同源（dl)，但^並非是必要的。可同的符號值。例如/置广、個各輸入貧料來源可以具有不以是處理工2Ϊ4來源可以是㈣工具’且其可 M且> 數/數值可以是實際的測量資料，例 1301232 如CD-SEM資料。一般而言，處理控制係句乜· 利用預處理資料決定到各種實歸· ^配方。控制器係理結果為模型方程式之中的「估'而要有夕少到訪。預期的處正確的值時，就可以決定工作。」°⑽期的處理結果「y」為在目標值計算攔中，在VM控制計算值。例如，可以將標n旦面％，可以輸入目標可以輸入用以使一組資么資料來源項Μ 標值計算包含額外的補償項目。例方程式。此外，目修正另一步驟所引進的誤差，例如騎利用額外的補償因子可以是在運作時間時或之前計算新的目標值目標值。 7开日7文數，且可以利用方程式計算此外，可以利用新的下及上限值，且值攔與上限值攔。例如，新的下及 η 輸入下限之前計算的常數或變數，且疋在運作時間時或可以利上 1 方程式計算新的下及上限值。例如，在模型種類選擇項目之下，、士 =式杈i。輪入及/或編輯模^種類。可以從表样 ^ ^達擇項目下拉參推;^、||埋Thu 不口項目啟動下拉表且可以從生·二。下拉表中的其中—個功能允許新的模型被產類可以具有模組名稱、目標值、下限值、上限ί =ί=ΐ_之中’可以利用新的模型名稱且將其可以利用預測之結果計算攔輸入新的預測結果值或 2測結綠。_之絲财岐馳之絲龄料H有名稱、目標計算值、及模型選擇f訊時，將可以儲存控制 38 1301232 編號攔包含模型清單中的模型之編號。模型種類允許選擇靜態或公式模型。模型名稱攔表列出可用之模型的名稱。例如，為了產生新賴型，可腹F縣「新的健丄或4 的公式配方」功能。可以產生包含—個或更多個靜態配方的靜態控制計劃。例如，可以顯示出十個或更多個靜態模型。雖然靜離模型顯示出具有相_目標值⑻，但這並非是必涵。可以^ 用不同婁丈蓋的靜悲及/或公式模型，且各模型可以具有不同的目標值。當利用各靜態配方時，將可以計算新的目標值。如圖i 示，靜態配賴型可以具有由下限值與上 ==此:卜’靜態配方模型可以具有不同的靜態酉義己方^ = 可以就各靜怨配方決定不同的靜態配方輸出。輸控制賴係包括靜||姻配方、或公式模型配方、 ί Ϊί _生虛擬模組的控制計劃。處理配方包 ί口或各處理包含—個或更多個處理步驟。ΐ 以在早-處理至或多重處理室之中進行處理配方。可以配方2態配方、與模型的至少—個構成處理配方。月f恶配方可以是用以達成特定的處理結果之單組配方值。可以利用其中-組靜態配方建立表格為主—二正利用靜態配方連同公式模型處理預期之輸出的範g，二中

用靜態配方作為回饋時，將可以確:所使I 之各静恶配方的控制計劃之中的單一隹疋听便用模型調整、模型方程式、-系列的後i型;;整。預模型調整允許將職的處理結m参重新表不於模型方財之巾的正確單位、、日守）期的處；果(;τί出:執 =且將其值指定成特定用於配方參數映== 39 1301232 定義ΐί空模型。可以利用處理模型、:果所需之接收的變數之間的驗證：以這些理配方，且更新現有的處理配方。彳用處理_核對新的處之人發明之較實施例，但熟悉本項技術下，可麟本购讀轉優點的情況圍係可包括婦^耻，本發明之範【圖式簡單說明】 ,3示根據本發明之—實施例的處理祕之方塊略圖。圖回頌不根據本發明之-實施例的工薇整合架構之簡化方塊塊圖程圖。圖3顯示根據本發明之一實施例的整合之處理系統的 0圖4顯示根據本發明之一實施例的整合之測量處理的簡化流簡化方、。圖5顯示根據本發明之一實施例的多步驟之處理順序的簡化流程圖。圖6，示根據本發明之一實施例的控制處理之簡化方塊圖。圖7顯示根據本發明之一實施例的實體模組之關聯略圖。圖8顯示根據本發明之一實施例的處理系統控制器之操作方法的流程圖。圖9顯示根據本發明之另一實施例的主系統控制器之操作方法的流程圖。圖10顯示根據本發明之另一實施例的處理系統控制器之操作 40 1301232 方法的流程圖。法的根據本㈣之另—實關駐系統㈣11之操作方略晝艮據本發明之—實施例的虛擬模組_控制策圖13顯不根據本發明之一實施例的虛擬模組（VM)控制劃晝面之例示圖。 • 【主要元件符號說明】 100 處理系統 # 110處理工具 112、114、122、124 鍵結 120 控制器 130 製造設備系統（MES) 1000、1100、800、900 程序 1010、1020、1030、1040、1050、1110、1120、1130、1140、810、 820、830、840、850、910、920、930、940、950 工作 APC 先進處理控制 DCS 資料收集策略參-dl 輸入資料來源 E1 診斷系統 •’ FDC 適應距離關聯模組 IM01、IM02、IMM1、IMM2 測量模組 PM01、PM02、PM1 處理模組 SEM 電子顯微鏡 SPC 統計製程控制 ▽…^至vm8 虛擬模組 41

Claims

1301232 十、申請專利範圍：體處理祕包含^^作方法，此-半導驟： &錢輪作方法包含以下步劃二Ξίί=：^;;ί驟，接收-靜態虛擬模組計至少-晶圓之-處理順犬件，其中複數之虛擬模組物件二21二硬數之虛擬模組物相關的到訪之虛擬模組物件、及二1實體模組之到訪未到訪相_未到訪之虛擬模_=—晶81相—實體模組之 -處理順J的執行步驟，執行處理一到訪之虛擬模組資粗沾h 、斤 -到訪之虛擬模組物件時:::::之行處理順序之中的一未到訪之虛擬模组資之虛擬模組資料；及的-未到訪之虛擬模組物件時:：:：到處理順序之中職木未到访之虛擬模組資料。 2.如申請專利範圍第丨之操作方法，更包含㈣處理_巾的—統控制器統。送出到訪之虛擬模組資料與未到訪之虛擬模組資料到主系之操，方:導體處理系統中的處理系統控制器 J -ι^ 更多個到訪之虛擬触控擬她控制策略包含一個或資料略，其中到訪之虛擬模組 ^到访之虛擬模組資料收集計劃。 42 1301232 4·如申請專利範圍第3項之之操作方法，更包含以下步^體處理純中的處理系統控制器當執行處理順序之中的至彳訪之虛擬模組分析策略，苴虛擬模組物件時，則執行一到訪之虛擬模组分析計劃及1訪之虛擬模組分析策略包含一到一或一到訪之虛擬模組判斷計劃。 iit乍財的處料統控制器 .物件的-處理配方;及卜 γ ^口未到访之虛擬模組物件的一處理配方。到訪未物件時，則執行一未一個或更多個未到訪之虛擬模組控制策略包含組資ί :ίί=::: j略：f:未到訪之虛擬模以收集虛擬模組未到訪資料。=亚疑杈組貧料收集計劃，用之操雜處衫財的處_統控制器理順序中的各到訪之虛擬模接收處理順序中的各未到訪之虛__“==;及望中的至少一個。里钱刻1、與沉積 43 1301232 迗杈組、及/或一支承模組。杈、、且、—測量模組、一傳專利範®第9項之半導體處理季料⑽/ =作方法，其巾處理模 ^巾的處理系統控制器 /或一顯影模組。子迗杈組、一冷卻模組、及 U·如申睛專利範圍第9項之操作方法，其中測量的處理系統控制器 f鏡模組、—光學數位輪賴掃描電子顯組。及牙透式電子顯微鏡模 12·種半導體處理系統中的主控理系統包含—主系統Lrn 半導體處劃，靜態虛擬模組計書J包2少一 ^生—靜態虛擬模組計少-晶圓之-處理順序，處理二期，理結果、至而複數之虛擬模組物件包含數之虛擬模組物件，到訪之虛擬模組物件、及八戈盥：？ 2體赁組之到訪相關的相關的未到訪之虛擬模組物及曰曰未到—貫體模組之未到訪處理系Γγ虛她組"增的送出步驟，送4靜態虛擬模組計劃到之半導體處理系統中的主控制H之# 决疋一晶圓之預期的處理結果；決定用以達細_處理結果之晶關訪__更多個實體 44 1301232 模組的一實際數量；量；就各到訪建立一到訪之虛擬模組物件； •決定肋魏職的處理結叙㉟目未到訪— 實體模組的數數量與未到訪的數量之總和 .建立一未到訪之虛擬模組物決定晶圓之處理瓣長度，其巾處盥去&丨贫沾舍d a、斤食度係#於到訪的 14·如申請專利範圍第12項器之操作方法，更包含町步驟：¥體驗核巾的主控制整 =決最定最大數量 =晶圓之處理順序長度，其中處理順序長度係荨於到訪的 ;5方如法申請更專:=^^ 數量決定咖《達成預_處理結果之晶_訪各實體模組的就各^訪建立一到訪之虛擬模組物件；絲ΐ定ΐΐ用以達成預期的處理結果之晶圓未到訪模植的數，’其中未到訪的數量為等於或大於零的一 J ;體杈、、且就各未到訪建立-未到訪之虛擬模組物件。正，器之操作方法，更包含以下步驟 ±當^理系統執行處理順序且一到訪之虛擬模組牯，則接收到訪之虛擬模組資料；及被執仃 L如:請*專=圍!」i項之半導體處理系統心 45 1301232 * ίϋί、統執行處理順序且一未到訪之虛擬模組物件被執行吋，則接收未到訪之虛擬模組資料。圍f 12項之半導體處㈣統巾駐㈣器之操作方法，更包含以下步驟：就處理順序之中的各到訪之虛擬模組物件決定一處理配方；及理系=出處理順序之中的各到訪之虛擬模組物件的處理配方到處請圍第12項之半導體處理系統中的主控制器之操作方法，更包含以下步驟： π ^尤處理順序之中的各未到訪之虛擬模組物件決定万，及處理系:統Γ丨貞序之巾的各未到訪之虛擬模組物件的處理配方到第12項之半導體處理純中駐控制叫品組、及/或-支承模組心里拉組、一測！模組、一傳送模 2^)·種半導體處理系統中的、 =處理純包含—緣賴-處理 —_==_接_，從主__、—晶圓之畫i動二生;動態虛擬模組計 ~晶圓產生處理順序而達:二序= 46 !3〇1232 體模的到訪::❹;:f :包含與至少-晶圓到-實未到一實體模组心到或^少—晶圓祕额模組計劃的如_, 2器1之導體處㈣财的纽系統控制執行處理順序；料^執行到訪之虛鋪組物件時，則收集到訪之虛擬模組資資料當執行未到訪之虛擬模組物件時，職絲到訪之虛擬模組 22·如申請專利範圍第21項半器之操作方法，更包含以下步^體處理系統中的處理系統控制個。送出到訪之虛擬模組資料與未到訪之虛擬模組資料的至少一體處理系統中的處理系統控制制第：執ΐΐ訪之虛ΐ模組物件時，則執行-到訪之虛擬模_ 控制策略包含-個或更多個到訪：執行一到訪之虛擬模組資料收集策略，：M：中到$ _ 資料收集策略包含至少1訪之擬核組處理系統中的處理系統控制 47 1301232 萄執行到訪之虛擬模組物件析策略，其中到訪之虛擬 : 卜到訪之虛擬模組分計劃與到訪之虛擬模組判斷計書彳中的至^合，訪之虛擬模組分析 25·如申請專利範圍第23 器之操作方法，更包含以下步^5：體處理錢巾的處理系統控制 ϊίίίΐ虛，组“決定-處理配方;及 '出μ之虛擬模組物件的處理配方駐系統。器含導體處理系統中的處理系統控制到訪ί虛擬模疑模組控制策略包含—個或更多個未組資料收集J略’其中未到訪之虛擬模以收集虛擬模組未到訪資料彳软倾模組資料收集計劃，用賴梅_理編制，各未到訪之虛擬模組物件決定一處理配方；及送出各未到訪之虛擬模組物件的處理配方到主系統。綱錄物貌_制 ^收處理順序之中的到訪之虛擬模組物件的—處理配方； !正到訪之虛擬模組物件之處理配方；及送出修正之處理配方到主系統。 48 1301232 ==項下之步半驟導體树物處理输制理順序之中的未到訪之虛擬模組物件的-處理配方· ^正未到訪之虛擬模組物件的處理配方；及，迗出修正之處理配方到主系統。範圍第20項之半導體處理系統中的處理系·制 1\1重半導體處理純中的主控㈣之操作方法，半導體户理系統包含—f系統與—處理祕，本綠包含町步,^¥體處理糸一動恶虛擬模組計劃的接收步驟，從處理糸絲姑w ^ At 組計劃包含至序則包含複數二至ί 理結果，處理順組物件、及/或盘至少一曰3丄，3、组的到訪相關的虛擬模到訪之虛擬模組物件ί及日日51未到—貫體模組的未到訪相關的未 -動態虛擬模組計劃的執行步驟，執行動態虛擬模組計劃。 I如範m項之料職理錢巾社_器之操時，了 r之虛擬模組物件被執行模組^未到訪之虛擬模組物件被執行時，則接收未到訪之虛擬 33.如申請專利範圍第31項之半導#虛理会^ ^ 作方法，更包含以下步驟：，歧K射社控制器之操 49 1301232 從處理系統接收處理順序之中的至少一到訪之虛擬模組物的一處理配方；及送出至少一到访之虛擬模組物件的處理配方到一資料庫。 =·如申請專利範圍第31項之半導體處理系統中的主控制器之作方法，更包含以下步驟： y、 I从攸處理系統接收處理順序之中的至少—未到訪之虛擬模纪物件的一處理配方；及、、〜送出至少一未到訪之虛擬模組物件的處理配方到一資料庫。項之半導體處理系統中的主控制器之操的統接收處理順序之中的至少-到訪之虛擬模組物件至少一到訪之虛擬模組物件的處理配方；及迗出修正之處理配方到處理系統。件的，接收處理順序之中的至少-未到訪之虛擬模組物到訪之虛擬模組物件的處理配方;及、出铋正之處理配方到處理系統。十一、圖式: 50