TWI300170B - Low-dropout voltage regulator - Google Patents
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Description
13 00 llSflwf.doc/g 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種低壓降線性穩壓器(low drop_out voltage regulator),且特別是關於一種適用於手持式電子妒 置的低壓降線性穩壓器。 【先前技術】 由於手持式電子裝置的應用越來越廣泛,對於電池使 用時間的要求也越來越長。若是能夠讓整個系統的靜態電 ® 流(quiescent current)消耗減少,就能延長手持式電子裝置 的使用時間。然而在一般的低壓降線性穩壓器中,其靜熊 電流並不會隨著負載電流的改變而改變。 ’、^ 舉例而5,响參知圖1繪示的傳統低壓降線性穩壓器 100。低壓降線性穩壓器1〇〇接收參考電壓Vref,提供輸 出電壓Vout。因為緩衝器(buffer) 1〇1消耗的電流幾乎是: 疋不、交,所以整個電路在輕負載時(也就是電阻器&的負 載電流較小時)消耗的靜態電流仍具有一定的比例以上。 • 這個持續的耗電會縮短手持式電子裝置的使用時間。 【發明内容】 、本叙明的目的是在提供一種低壓降線性穩壓器,可以 減少在輕負載時消耗的靜態功率,進而延長手持式裝置的 使用時間。 〇為達成上述及其他目的,本發明提出一種低壓降線性 穩壓器,包括回饋電路、運算放大器(〇perati〇nampnf㈣、 % ;電路(transconductor)、電流鏡(current mirror)、以及功 6 I3〇〇llc/g 率電晶體(power transistor)。其中,回饋電路根據功率電晶 體提供的電流大小,提供輸出電壓。運算放大器以反相輸 入端(inverting input)耦接於回饋電路,以正相輸入端 (non-inverting input)接收參考電壓。跨導電路麵接於運算 放大為的輸出端,根據運算放大器的輸出電壓,決定電流 鏡輸入跨導電路的電流大小。電流鏡耦接於跨導電路,驅 動功率電晶體。最後,功率電晶體耦接於電流鏡與回饋電 路之間,提供電流至回饋電路。 上述之低壓降線性穩壓器,在一實施例中,電流鏡輸 入跨導電路的電流大小為運算放大器的輸出電壓的遞增函 數(increasing function)。 上述之低壓降線性穩壓器,在一實施例中,上述的功 率電晶體為功率金氧半場效電晶體(p〇wer metal 〇xide semiconductor field effect transistor,簡稱為 power MOSFET) 〇 上述之低壓降線性穩壓器,在一實施例中,上述之低 丨 壓降線性穩壓器更包括補償電容器(C〇mpensati〇n capacit〇r) 以及補償電路(compensation network)。補償電容器的一端 耦接於運算放大器的輸出端,另一端接地。補償電路則耦 接於回饋電路的輸出電壓與運算放大器的反相輸入端之 間。其中,補償電容器造成低壓降線性穩壓器的迴圈增益 (loop gain)的一個極點(p〇le),補償電路造成上述迴圈增益 的一個零點(zero),而且上述極點與上述零點影響迴圈增益 的單位增益頻率(unit-gain freqUenCy),使迴圈增益的相位 13001¾ twf.doc/g 邊際(phase margin)大於零。 上述之低壓降線性穩壓器,在一實施例中,上述補償 電路為電壓控制電流轉換器(v〇ltage_to-current 。 依照本發明的較佳實施例所述,本發明提出的低壓降 線性穩壓器因為使用電流鏡做為緩衝器,所以當負載電流 變大時,電流鏡的電流就會變大,而當負載電流變小時^ 電流鏡的電流就會變小。因此當電路操作在輕負載的時 候,消耗的靜態電流會隨著減少。也就是說,本發明可以 減少在輕負載時消耗的靜態功率,進而延長手持式裝置的 使用時間。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂,下文特舉本發明之較佳實施例,並配合所附圖式, 作禅細說明如下。 【實施方式】 圖2為根據於本發明一實施例的低壓降線性穩壓器 200的電路示意圖。低壓降線性穩壓器2〇〇的作用是接收 參考電壓VREF,提供穩定的輸出電壓v〇ut。在圖2當中, 除了負載笔阻器Rl以外的電路’都是低壓降線性穩壓器 200的一部分。更明確的說,低壓降線性穩壓器2〇〇包括 回饋電路204、運算放大器〇p、跨導電路202、電流鏡201、 功率電晶體MPW、串接電路203、補償電容器CC0MP、以 及補償電路205。低壓降線性穩壓器200的主體是由回鑛 電路204、運算放大器〇p、跨導電路202、電流鏡201、 以及功率電晶體MPW組成的回饋迴圈(fee(jback loop),至 8 13 00 doc/g 於補償電容器CC0MP和補償電路205,主要用途是提高整 個穩壓器200的穩定度。 回饋電路204耦接於功率電晶體MPW&及運算放大器 OP之間’根據功率電晶體]\41^輸入的電流大小,提供輸 出電壓Vout’並且提供回饋電壓VFB至運算放大器Qp 的反相輸入端。在本實施例中,因為輸出電壓V〇ut不等於 參考電壓VREF,而回饋電壓VFB必須很接近參考電壓 VREF,所以回饋電路204實際上是一個分壓電路~〇1仏狀 divider),以接收輸出電壓Vout並維持輸出電壓v〇ut和回 饋電壓VFB之間的比例關係。為達到分壓的目的,回饋電 路204是由電阻器R1及R2組成。電阻器R1的一端耦接 於回饋電壓VFB,也就是運算放大n Qp的反相輸入端, 另一立而接地。電阻為R2則麵接於輸出電壓v〇ut與回饋電 壓VFB之間。從圖2不難看出,輸出電壓v〇ut和回饋電 壓 VFB 之間的比例為 Vout = (1 + R2/R1) * vfb。 運异放大為OP以反相輸入端|馬接於回饋電路204, 以正相輸人端減參考㈣VREF ^跨導電路搬則搞接 於運算放大器OP的輸出端與電流鏡201之間。跨導電路 202的作用是將運算放大器〇P輸出的電壓信號轉換為回 饋電,204接受的電流信號。實際上,跨導電路2〇2會根 據運异放mp的輸出電壓,決定電流鏡則輸入跨導 電路202的電流大小,進而控制功率電晶體Mpw輸入回鑛 電路204的電流大小與輸出至負載電阻器&之電流大小。、 在本實施例中,跨導電路2〇2包括N型金氧半場效電 9 1300 doc/g 晶體(n-channel MOSFET,以下簡電晶體)Mi 與M2。NMOS電晶體Ml與M2的汲極(drain)皆輕接於電 流鏡201,閘極(gate)皆耦接於運算放大器〇p的輸出端, 源極(source)皆接地。因此電流鏡2〇丨輸入跨導電路2〇2的 電流大小是運异放大器OP的輸出電壓的遞增函數。 電流鏡201耦接於跨導電路2〇2與功率電晶體Mpw之 間,負責驅動功率電晶體MPW。在本實施例中,電流鏡2〇1 為廣範圍串璺式電流鏡(wide_swing casc〇(je current 馨 mirror)。然而在本發明的範圍中,可以使用任何種類的電 鏡’例如較單純的串疊式電流鏡(casc〇(je current mirr〇r)。 功率電晶體MPW耦接於電流鏡201與回饋電路2〇4 之間’負責提供電流至回饋電路2〇4與負載電阻器。在 本實施例中,功率電晶體Mpw為功率金氧半場效電晶體。 由圖2可以看出,功率電晶體Mpw和p型金氧半場效電晶 體(p-channd MOSFET,以下簡稱pm〇S電晶體)M6的 源極、閘極與没極各自連接,所以功率電晶體Mpw* pM〇s # 電晶體M6可視為同一顆電晶體。而且功率電晶體MPW的 尺寸大於PM〇S電晶體M6,導通時的電阻也較低。結果 就是’功率電晶體MPW*電流鏡201的組合等於一個電流 放大器,會將電流鏡201輸入NMOS電晶體Ml的電流放 大之後,從功率電晶體Mpw輸入回饋電路2〇4及負載電阻 器Rl。 低壓降線性穩壓器200的穩壓功效是由回饋電路 204、運算放大器〇p、跨導電路2〇2、電流鏡2〇卜以及功 I3001i73Qtwf.d〇c/g 率電晶體MPW組成的回饋迴圈達成。為了降低輕負載時的 靜態電流,本發明以電流鏡取代傳統的緩衝器。然而,電 流鏡會使穩壓器200的信號路徑多出一個極點,而且這個 極點會隨負載電流(流經負載電阻器rl的電流)的大小而 受動’所以需要補償電容器Ccomp以及補償電路205配合 串接電路203來做補償。 串接電路203是電阻器與電容器串接而成的簡單電 路,一端輕接於輸出電壓Vout,另一端接地,主要功能為 .造成穩壓态200的主極點(dominant pole)。補償電容器 Cc0MP的一端耦接於運算放大器〇p的輸出端,另一端接 地,會使低壓降線性穩壓器200的迴圈增益再增加一個極 點(不同於串接電路203與電流鏡201造成的極點)。補 償電路205耦接於輸出電壓v〇ut與運算放大器OP的反相 輸入端之間,會使上述的迴圈增益增加一個零點。在本實 施例中,補償電路205是一個電壓控制電流轉換器。補償 電容器(^⑺⑽造成的極點和補償電路205造成的零點會影 ,響上述迴圈增盈在波德圖(bode plot)的單位增益頻率,使上 述迴圈增益的相位邊際大於零,如此穩壓器2〇〇才會穩定。 本實施例對於靜態電流消耗的改進請參照圖3,圖3 為本實施例和先前技術的靜態電流Iq對負載電流II的比較 圖。先鈾技術的電流比較曲線標示為301,本實施例的電 流比較曲線標示為302。由圖3可知,本實施例與先前技 術相比,在低負載時大約可減低一半的靜態電流Iq。 綜上所述,本發明提出的低壓降線性穩壓器因為使用 :二::緩:!,所以當負載電流變大時’電流鏡的電 小。因此Ϊ * 載電流變小時,電流鏡的電流就會變 隨著減少二在,載的時候’雜的靜態電流會 靜態功率,ΐ% ’本㈣可以減少在㈣载時消耗的 、、’進而延長手持式裝置的使用時間。 限定日ΐ發Γ已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以
和熟f此技,在不_本發明之精神 …^内’當可作些許之更祕潤飾,因此本發明之保鑊 靶圍S視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ’、 【圖式簡單說明】 圖1為先前技術的低壓降線性穩壓器的電路圖。 圖2為根據於本發明一實施例的低壓降線性 電路圖。 心1。口的 圖3為先前技術與本發明一實施例的靜態電流血 電流的比較圖。 /、 m 【主要元件符號說明】
CC〇MP :補償電容器
Ml〜M6 :金氧半場效電晶體 MPW :功率電晶體 OP :運算放大器
Rl、R2、Rl :電阻器 100 :低壓降線性穩壓器 101 :緩衝器 200 :低壓降線性穩壓器 12 I3001i2^wfd()C/g 201 :電流鏡 202 :跨導電路 203 :串接電路 204 :回饋電路 205 :補償電路
Claims (1)
13001激 f.doc/g 十、申請專利範圍: 1.一種低壓降線性穩壓器,包括: 一回饋電路; 運《η*放大為,以一反相輸入端搞接於該回饋電路, 以一正相輸入端接收一參考電壓; ~ $電路’麵接於該運算放大器的輸出端; 一電流鏡,耦接於該跨導電路;以及 一功率電晶體,耦接於該電流鏡與該回饋電路之間, 提供電流至該回饋電路;其中 該回饋電路根據該功率電晶體提供的電流大小,提供 一輸出電壓; 該跨導電路根據該運算放大器的輸出電壓,決定該電 流鏡輸入該跨導電路的電流大小; 兒 該電流鏡驅動該功率電晶體。 2·如申請專利範圍第1項所述之低壓降線性穩壓器, 其中δ亥回饋電路更接收該輸出電壓,並輸出一回饋電壓至 該運算放大器的反相輸入端,該回饋電壓與該輸出電壓之 間保持一個固定的預設比例。 3·如申請專利範圍第2項所述之低壓降線性穩壓器, 其中該回饋電路更包括: 土°° 一第一電阻器,一端耦接於該回饋電壓,另—端 地;以及 @ 一第二電阻器,耦接於該輸出電壓與該回饋電 間。 、 14 BOOl^Q, twf.doc/g 4·如申請專利範圍第1項所述之低壓降線性穩壓器, 其中該電流鏡輸入該跨導電路的電流大小為該運算放大器 的輸出電壓的遞增函數。 5·如申睛專利範圍第4項所述之低壓降線性穩壓器, 其中該跨導電路更包括: 一第一金氧半場效電晶體;以及 一第二金氧半場效電晶體; 么上述兩個&氧半场效電晶體的汲極皆耗接於該電流 叙閘極皆摩馬接於該運算放大器的輸出端,源極皆接地。 6·如申%專利範圍第5項所述之低壓降線性穩壓器, 2該功率電晶體輸人該回饋電路的電流與該電流鏡輸入 ^弟一金氧半場效電晶體的電流成正比。 ^如申μ專利範圍第6項所述之低壓降線性穩壓器, 力率,日日體輸人该回饋電路的電流大於該電流鏡輪 该弟一金氧半場效電晶體的電流。 睛寻利範圍外i項 其中該電流鏡為串疊式電流鏡 9·如h專利顧第丨項所述之低壓降線性穩壓器, /、中該電流鏡為廣範圍串疊式電流鏡。 。 如中請專利範圍第i項所述之低壓降線性穩壓 。。’八中柄率電晶體為功率金氧半場效電晶體。 器,ίΐ括申4專利範圍第1項所述之低壓降線性穩壓 一補償電容器…端祕於該運算放大器的輸出端, I3〇〇ll-g 另一端接地;以及 一補償電路,耦接於該輸出電壓與該運算放大器的反 相輸入端之間;其中 該補償電容器造成該低壓降線性穩壓器的迴圈增益 的一極點,該補償電路造成該迴圈增益的一零點,該極點 與該零點影響該迴圈增益的單位增益頻率,使該迴圈增益 的相位邊際大於零。 12.如申請專利範圍第11項所述之低壓降線性穩壓 > 器,其中該補償電路為電壓控制電流轉換器。 _ 16
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI468895B (zh) * | 2012-07-13 | 2015-01-11 | Issc Technologies Corp | 低壓降穩壓器與其電子裝置 |
TWI477940B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-03-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 線性穩壓電路 |
TWI493314B (zh) * | 2014-03-11 | 2015-07-21 | Himax Tech Ltd | 低壓差線性穩壓器 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE602004013917D1 (de) * | 2004-03-15 | 2008-07-03 | Freescale Semiconductor Inc | Gleichstromspannungsregler mit niedrigem Spannungsabfall |
JP2011254353A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | On Semiconductor Trading Ltd | ループゲイン調整回路 |
US8390491B2 (en) | 2011-01-14 | 2013-03-05 | Analog Devices, Inc. | Buffer to drive reference voltage |
US8841970B2 (en) * | 2012-03-22 | 2014-09-23 | Qualcomm Incorporated | Low GM transconductor |
TWI487278B (zh) * | 2013-04-24 | 2015-06-01 | Richtek Technology Corp | 數位衛星設備控制信號產生電路及相關的信號產生方法 |
EP2824531B1 (en) * | 2013-07-10 | 2019-09-18 | Dialog Semiconductor GmbH | Method and circuit for controlled gain reduction of a gain stage |
US9395731B2 (en) * | 2013-09-05 | 2016-07-19 | Dialog Semiconductor Gmbh | Circuit to reduce output capacitor of LDOs |
JP6253418B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2017-12-27 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | ボルテージレギュレータおよび半導体装置 |
US9665111B2 (en) * | 2014-01-29 | 2017-05-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Low dropout voltage regulator and method |
DE102015205359B4 (de) * | 2015-03-24 | 2018-01-25 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Ruhestrombegrenzung für einen low-dropout-regler bei einer dropout-bedingung |
DE102016201171B4 (de) | 2016-01-27 | 2021-07-22 | Dialog Semiconductor (Uk) Limited | Anpassbare Verstärkungssteuerung für Spannungsregler |
US11209848B2 (en) | 2016-06-07 | 2021-12-28 | Analog Devices International Unlimited Company | Fast regulator architecture having transistor helper |
CN107526388B (zh) * | 2016-06-22 | 2018-10-30 | 上海和辉光电有限公司 | 低压差线性稳压器 |
US10001797B2 (en) * | 2016-07-25 | 2018-06-19 | Sandisk Technologies Llc | Space and power-saving multiple output regulation circuitry |
CN109032230B (zh) * | 2017-06-12 | 2024-02-20 | 合肥格易集成电路有限公司 | 一种低压差稳压器 |
TWI689803B (zh) * | 2018-12-14 | 2020-04-01 | 致茂電子股份有限公司 | 電源供應器及其補償方法 |
IT201900006715A1 (it) * | 2019-05-10 | 2020-11-10 | St Microelectronics Srl | Circuito di compensazione in frequenza e dispositivo corrispondente |
US11556143B2 (en) * | 2019-10-01 | 2023-01-17 | Texas Instruments Incorporated | Line transient improvement through threshold voltage modulation of buffer-FET in linear regulators |
WO2021232426A1 (en) * | 2020-05-22 | 2021-11-25 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Circuit and method for compensating output of voltage source, and voltage source |
US11625057B2 (en) * | 2021-03-04 | 2023-04-11 | United Semiconductor Japan Co., Ltd. | Voltage regulator providing quick response to load change |
CN115268554B (zh) * | 2022-06-16 | 2024-07-09 | 中国科学院微电子研究所 | 一种低压差线性稳压器 |
CN115421547B (zh) * | 2022-09-30 | 2023-07-25 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 一种具有跨导增强电路的低压差线性稳压器 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5625278A (en) | 1993-06-02 | 1997-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Ultra-low drop-out monolithic voltage regulator |
US5929617A (en) | 1998-03-03 | 1999-07-27 | Analog Devices, Inc. | LDO regulator dropout drive reduction circuit and method |
US6188211B1 (en) * | 1998-05-13 | 2001-02-13 | Texas Instruments Incorporated | Current-efficient low-drop-out voltage regulator with improved load regulation and frequency response |
US6225857B1 (en) | 2000-02-08 | 2001-05-01 | Analog Devices, Inc. | Non-inverting driver circuit for low-dropout voltage regulator |
US6573694B2 (en) * | 2001-06-27 | 2003-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Stable low dropout, low impedance driver for linear regulators |
US6518737B1 (en) | 2001-09-28 | 2003-02-11 | Catalyst Semiconductor, Inc. | Low dropout voltage regulator with non-miller frequency compensation |
US6690147B2 (en) | 2002-05-23 | 2004-02-10 | Texas Instruments Incorporated | LDO voltage regulator having efficient current frequency compensation |
-
2005
- 2005-09-13 TW TW094131436A patent/TWI300170B/zh not_active IP Right Cessation
-
2006
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI477940B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-03-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 線性穩壓電路 |
TWI468895B (zh) * | 2012-07-13 | 2015-01-11 | Issc Technologies Corp | 低壓降穩壓器與其電子裝置 |
TWI493314B (zh) * | 2014-03-11 | 2015-07-21 | Himax Tech Ltd | 低壓差線性穩壓器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7218087B2 (en) | 2007-05-15 |
US20070057660A1 (en) | 2007-03-15 |
TW200712822A (en) | 2007-04-01 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |