1344262 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種應用於負迴授之單位增益輸入 , 緩衝器的運算放大器，尤指一種應用鏡射電流的比較來 -控制輔助輸出，用以增加運算放大器迴轉率之裝置。 -【先前技術】 習知的運算放大器為了達到高迴轉率（Slew Rate)的需 求，方式包括增加差動輸入對(Differential Input Pair)的電 0 流或減少補償電容；但增加差動輸入對的電流會增加靜態 電流消耗，減少補償電容則犧牲了運算放大器的穩定度。 習知另一方法是使用誤差放大器（Error Amplifier)去 推動共源極輸出級，即推挽式(Push-pull)輸出級輸出，也 就是增加額外的電路來達到目的。請參閱第1圖，係習知 高迴轉率運算放大器的示意圖，其組成是由一運算放大器 11，二個誤差放大器12與13,以及一 P型金氧半場效電 晶體(PM0S)14與一 N型金氧半場效電晶體(NM0S)15所 組成的推挽式（Push-pull)輸出級。誤差放大器12與13用 ® 來控制輸出級的P型金氧半場效電晶體14與N型金氧半 場效電晶體15，其原理為利用誤差放大器12與13反相 (Inverting)輸入端接至運算放大器11的輸出端，非反相 (Non- Inverting)輸入端接至輸出端節點Vout所構成的虛 擬短路(Virtual short)’加上誤差放大器12和P型金氧半 場效電晶體14，以及誤差放大器13和N型金氧半場效電 晶體15所形成的負迴授迴路來控制P型與N型金氧半場 效電晶體14、15所組成的推挽式輸出級，以提供負载端 推入(Push)或拉出（Pull)的電流。 ^44262 當其轉率的高迴轉率運算放大器的卫作原理是 誤差“大哭f V0小於運算放大器11的輸出電壓VI時’ 14择加輸出電壓…會使P型金氧半場效電晶體 金氧而誤差放大器13的輸出_ V3會使g 效電晶體15減少導通或完全關閉，此時p型金 力琢效電晶體14會推入（Push)，也就是產生U電 二二輸出端節點Vout。當輸出電壓V0大於運算放大器11 型^電壓V1時’誤差放大器12的輸出電壓V2會使P 2氧+場效電晶體14減少導通或完全關閉，而誤差放 的輸出電壓V3會使Ν塑金氧半場效電晶體^增 通此時Ν型金氧半場效電晶體15會自輸出端節點 v〇ut拉出（Pull)，也就是匯集（sink)電流。 :而當輸出電壓V0等於運算放大器的輸出電壓V1 時誤差放大器12的輸出電壓V2會使的p型金氧半場效 電曰a體14操作在一靜態電流下，而誤差放大器13的輸出 電壓V3會使的ν型金氧半場效電晶體15操作在此靜態 電流下。也就是當輸入與輸出相等時，p型金氧半場效電 晶體14與N型金氧半場效電晶體15操作在原先設定的 直流偏壓條件(DC bias condition)下。 這種架構通常是用來推動重負載，如小電阻、大電容 等。為了要讓P型金氧半場效電晶體14與N型金氧半場 效電aa體15能提供大電流至負載，其外觀比(ASpect ratio) 要非常大。因此，推挽式輸出級需消耗很大的靜態電流， 要符合低功率消耗、高迴轉率之目標反而非常困難。此 外’電路結構也較複雜’在誤差放大器的設計上亦需要考 慮其偏移電壓（Offset Voltage)、佈局上的對稱性、頻寬， 1344262 . 以及雜訊的大小，因此勢必要佔掉極大之晶片面積，增加 製造的成本。 【發明内容】 . 於是為解決上述之缺失，避免缺失存在，本發明之 目的在提供一種增加運算放大器迴轉率之裝置，且不增 , 加運算放大器靜態消耗電流，不改變運算放大器極零點 位置。 本發明是一種應用於具推挽式輸出級之負迴授單 φ 位增益輸入緩衝器的運算放大器，用以增加運算放大器 迴，率的裝置，本發明包括：一運算放大器，該運算放 大器具有一輸入級、一控制級與一輸出級，該輸入級接 收輸入訊號，而該輸出級的輸出端在該運算放大器對輸 入訊號運算放大後輸出訊號，其中該輸出級是由一推入 電晶體和一拉出電晶體串接所成，且該推入電晶體受該 控制級的一推入控制節點的控制，該拉出電晶體受該控 制級的一拉出控制郎點的控制；一輔助控制裝置，該輔 助控制裝置連接到該控制級的推入控制節點與拉出控 鲁制節點’該輔助控制裝置鏡射該輸出級的電流與參考電 流比較’用以產生一輔助推入控制訊號與一輔助拉出控 制訊波，以及一輔助輸出裝置，該輔助輸出裝置連接到 該運算放大器之輸出級’並受該輔助控制裝置的輔助推 入與輔助拉出控制訊號所控制。當該輸出訊號的電壓位 準實質上不等於該輸入訊號的電壓位準時，則該輔助控 制裝置控制開啟該輔助輸出裝置提供一辅助輸出電流 至該輸出端，而當該輸出訊號之電壓位準實質上等於該 輸入訊號之電壓位準時’該輔助輸出裝置則關閉不再提 1^44262 供電流。 其中’該輔助輸出裝置包括：一輔助推入電晶體， ^ 1推入電晶體用以接收該輔助推入控制信號，而其 ^f端連接至該運算放大器的輸出端；以及一輔助拉出 體該輔助拉出電晶體用以接收該輔助拉出控制信 〇；u而其輸出端連接至該運算放大器的輸出端。 5亥輔助控制裝置包括：一推入控制裝置與一拉出控 j裝置。該推入控制裝置具有一第一電流比較器與一第 一轉換装置’其中’該第一電流比較器接入與該輸出級 的推入電晶體鏡射且受該控制級的推入控制節點控制 的第一鏡射電晶體所輸入的一第一鏡射電流，該第一 鏡射電流與一第一參考電流透過該第一電流比較器後 產生一第一控制訊號給該第一轉換裝置，用以切換該第 二轉換裝置接入的一第一關閉訊號與一第一開啟訊號 形成該輔助推入控制訊號，用以控制該輔助輸出裝置的 輔助推入電晶體。該拉出控制裝置，具有一第二電流比 較器與一第二轉換裝置，其中，該第二電流比較器接入 與該輸出級的拉出電晶體鏡射且受該控制級的拉出控 制節點控制的一第二鏡射電晶體所輸入的一第二鏡射 電流，該第二鏡射電流與一第二參考電流透過該第二電 流比較器後產生一第二控制訊號給該第二轉換裝置，用 以切換該第二轉換裝置接入的一第二關閉訊號與一第 二開啟訊號形成該輔助拉出控制訊號，用以控制該辅助 輸出裝置的輔助拉出電晶體。 本發明對運算放大器添加一輔助輸出裝置及一輔 助控制裝置，該輔助控制裝置鏡射輸出級的電流與一參 1344262 考電流比較’透過監控輸出級的電流，快速的產生輔助 推挽（推入/拉出）控制訊號控制該輔助輸出裝置，當該輸 出訊號的電壓位準實質上不等於該輸入訊號的電壓位 • 準時’則該輸出級控制該輔助控制裝置開啟該輔助輸出 * ·： 裝置提供一輔助輸出電流至該輸出端，而當該輸出訊號 . 的電壓位準實質上等於該輸入訊號的電壓位準時，該輔 助輸出裝置則關閉不再提供電流。當然也可以透過該電 流比較器延遲該推出與輔助拉出電晶體的關閉時間，搭 Φ 配輸出電流至負載的考慮。與其他技術利用電壓變化來 控制’本發明利用電流調節輔助輸出端的開關可以更快 的反應輸入端的變化，且可視應用情況延遲輔助輸出級 電晶體之關閉。 【實施方式】 兹有關本發明的詳細内容及技術說明，現以實施例 來作進一步說明’但應瞭解的是，該等實施例僅為例示 說明之用’而不應被解釋為本發明實施之限制。 請先參閱第2圖，為一般AB類（Class AB)運算放大 # 器之電路示意圖。一般AB類（Class AB)運算放大器為 具推挽式輸出級之運算放大器，該運算放大器包含一輸 入級（Input Stage)110、一 AB 類（Class-AB)控制級 120 及一輸出級150。該輸入級110包含由p型電晶體lu、 113與115所組成的P型輸入對，p型電晶體m為其 電流源；以及三個N型電晶體112、114與116所組成 的N型輸入對’ N型電晶體116為其電流源。該AB類 (Class-AB)控制級120包含由四個ρ型電晶體131、 133、135與137所組成的P型主動負载130，以及四個 1344262 N型電晶體14卜143、145與147所組成的N型主動 載140。輸出級150由一個推入電晶體（p型電晶體口η 和一個拉出電晶體（Ν型電晶體）153串接所成。 非反相輸入端V+接到ρ型電晶體U5和Ν型電晶 體112的閘級，反相輸入端ν_接到ρ型電晶體ιΐ3 : 型電晶體114的閘級。輸出級15〇的推入電晶體ΐ5ι與 拉出電晶體153的汲極連接在一起接到輸出端v〇ut。ρ 型電晶體113與115的汲極接至N型主動負載14〇，n 型電晶體112與114的汲極接至ρ型主動負載13〇Qp 型主動負載130透過電阻121與122連接至ν型主動 負載140。輸出級150的推入電晶體151的閘極接至p 型主動負載130和電阻122之間的推入控制節點Gp，
受該推入控制節點GP的控制，而輸出級15〇的N型電 晶體152的閘極接至N型主動負載14〇和電阻122之 間的拉出控制節點GN，受該拉出控制節點GN的控制。 補償電容C1 一端接至ρ型主動負載丨3〇的ρ型電晶體 133和137之間，其另一端則接到輸出級丨5〇的輸出端 Vout;補償電容C2 —端接至N型主動負載140的N型 電晶體143和147之間，其另一端則接到輸出級15〇的 輸出端Vout。
Vb 1 ~Vb4為偏壓電壓’用來設定電晶體的工作範 圍’例如圖示中的偏壓電壓Vb 1連接到P型電晶體π 1 的閘極，用以偏壓P型電晶體1U，以控制該輸入級n〇 中P型輸入對的電流源。而圖示中的偏愿電壓Vb2連 接到N型電晶體116的閘極，用以偏壓ν型電晶體 116 ’以控制該輸入級11 〇中N型輸入對的電流源。而 1344262
偏壓電壓Vb3貝彳連接备丨p并〗+ A 』疋丧到p型主動負載130的P型電晶 體135和137，用以控制其偏壓的狀態。而偏壓電壓 Vb4則連接型主動負載刚㈣型電晶體⑷和 * 143 ’用以控制其偏壓的狀態。電容CL為運算放大器 ^ 所要推動之負載。 在上述AB類運算放大器中，p型電晶體lu為該 輸入級11〇的p型輸入對提供了一定電流lp，N型電晶 體為N型輸入對提供了一定電流In。當非反相輸 入端V+和反相輸入端的電壓相等時，定電流汴會平 均j流過P型電晶體113和115，即定電流化的一半， 而定電流In會平均地流過N型電晶體丨丨2和丨丨4，即 定電流In的一半。 當非反相輸入端V+的電壓位準大於反相輸入端v_ 的電壓位準時，定電流In會幾近全部流往N型電晶體 112 ’定電流ip會幾近全部流往p型電晶體113。定電 流In會流入P型主動負載i 3〇，使輸出級j 5〇的推入 電晶體151的源極與閘極的電壓差（Vsg)增加以提供更 • 大之推入電流至負載（電容CL)。定電流ip會流入n型 主動負載140，使輸出級150的拉出電晶體153的閘極 與源極的電壓差（Vgs)減少以降低自負載（電容CL)拉出 的電流。 當非反相輸入端V+的電壓位準小於反相輸入端γ_ 的電壓位準時，定電流In會幾近全部流往N型電晶體 114 ’定電流Ip會幾近全部流往p型電晶體115。定電 流In會流入P型主動負載130，使輸出級150的推入 電晶體151的源極與閘極的電壓差（vsg)減少以降低送 12 1344262 至負載（電容CL)的推入電流。定電流ip會流入n型主 動負載140 ’使輸出級150的拉出電晶體153的閘極與 源極的電壓差（Vgs)增加以增加自負載（電容CL)拉出的 電流。 電阻121和122是用以形成AB類控制級120控制 輸出級150靜態消耗電流的元件，為了說明方便此處使 用電阻，但也可以使用其它元件，如電晶體來替代。 為了達到增加運算放大器迴轉率的目的，本發明在 原有運算放大器的輸出級上增加一輔助輸出裝置與一 輔助控制裝置，該辅助輸出裝置是用來提供一額外電流 至負載’而該輔助控制裝置利用鏡射輸出級的電流與參 考電流比較的方式，透過電流的同步快速比較，快速的 控制該輔助輸出裝置。當輸出級的輸出訊號的電壓位準 實質上不等於輸入級的輸入訊號的電壓位準時，則開啟 該輔助輸出裝置提供一輔助輸出電流至該輸出端，而當 輸出訊號的電壓位準實質上等於輸入訊號的電壓位準 時’該輔助輸出裝置則關閉不再提供電流。 請參閱第3圖，為本發明增加運算器迴轉率之裝置 不意圖，以AB類運算放大器為例，其包括：一運算放 大器200，該運算放大器2〇〇具有一輸入級21〇、一控 制級220與一輸出級25〇，該輸入級21〇具有一非反相 輸入端V+與一反相輸入端v_接收輸入訊號，而該輸出 級250的輸出端Vout在該運算放大器2〇〇對輸入訊號 經過運算放大後輸出一輸出訊號，其中該輸出級250是 由一推入電晶體251和一拉出電晶體253串接所成，且 該推入電晶體251受該控制級22〇的一推入控制節點 13 1344262 GP的控制，該拉出電晶體253受該控制級220的一拉 出控制節點GN的控制。一輔助控制裝置260，連接到 該控制級220的推入控制節點GP與拉出控制節點 , GN，並鏡射該輸出級250的電流與參考電流（272、282) ‘ 比較，用以產生一輔助推入控制訊號GPP與一輔助拉 ' 出控制訊號GNN ;以及一輔助輸出裝置290連接到該 " 運算放大器200之輸出級250,並由該輔助控制裝置260 所控制。該輔助輸出裝置290包括：一輔助推入電晶體 291，該輔助推入電晶體291用以接收該輔助推入控制 * 信號GPP，而其汲極輸出端連接至該運算放大器200的 輸出端Vout ;以及一輔助拉出電晶體293，該輔助拉出 電晶體293用以接收該輔助拉出控制信號GNN，而其 汲極輸出端連接至該運算放大器200的輸出端Vout。 而該輔助控制裝置260包括：一推入控制裝置270 與一拉出控制裝置280。該推入控制裝置270具有一第 一電流比較器273與一第一轉換裝置274,其中該第一 電流比較器273接入與該輸出級250的推入電晶體251 • 鏡射且一樣受該控制級220的推入控制節點GP控制的 一第一鏡射電晶體271所輸入的一第一鏡射電流Π，該 第一鏡射電流II與一第一參考電流272透過該第一電 流比較器273後產生一第一控制訊號VI給該第一轉換 裝置274，用以切換該第一轉換裝置274接入的一第一 關閉訊號275(例如系統的操作電壓VDD)與一第一開啟 訊號276(例如用來設定電晶體工作範圍的偏壓電壓 VD1)形成該輔助推入控制訊號GPP，用以控制該辅助 輸出裝置290的輔助推入電晶體291。 14 1344262 該拉出控制裝置280，具有一第二電流比較器283 與一第二轉換裝置284，其中，該第二電流比較器283 接入與該輸出級250的拉出電晶體253鏡射且一樣受該 . 控制級220的拉出控制節點GN控制的一第二鏡射電晶 • 體281所輸入的一第二鏡射電流12，該第二鏡射電流 • 12與一第二參考電流282透過該第二電流比較器283 " 後產生一第二控制訊號V2給該第二轉換裝置284，用 以切換該第二轉換裝置284接入的一第二關閉訊號 285(例如系統的低電壓Vss)與一第二開啟訊號286(例 * 如用來設定電晶體工作範圍的偏壓電壓VD2)形成該輔 助拉出控制訊號GNN，用以控制該輔助輸出裝置290 的輔助拉出電晶體293。 在該運算放大器200穩態的情況下，即當非反相輸 入端V+和反相輸入端V-的電壓相等時，受該控制級220 的推入控制節點GP控制的第一鏡射電晶體271所輸入 的第一鏡射電流II將會小於該第一參考電流272,所以 該第一控制訊號VI的輸出為” low” ，則第一轉換裝 • 置274會將該輔助推入控制訊號GPP切換為第一關閉 訊號275(系統的操作電壓VDD)，所以該輔助輸出裝置 290的輔助推入電晶體291關閉不工作；而受該控制級 220的拉出控制節點GN控制的第二鏡射電晶體281所 輸入的第二鏡射電流12將會小於該第二參考電流 282,所以該第二控制訊號V2的輸出為” low” ，則第 二轉換裝置284會將該輔助拉出控制訊號GPP切換為 第二關閉訊號285(系統的低電壓Vss)，所以該輔助輸 出裝置290的輔助拉出電晶體293關閉不工作，也就是 15 1344262 . 整個輔助輸出裝置290都不工作。 當非反相輸入端V+的電壓位準大於反相輸入端v_ 的電壓位準時，該推入控制節點Gp的電壓會大幅降 ' 低，使該輸出級250中推入電晶體251的推入電流增 *； 大，相同的該第一鏡射電晶體271所輸入的第一鏡射電 , 流Π將會大於該第一參考電流272,所以該第一控制訊 號vi的輸出為’’ high” ，則第一轉換裝置274會將該 辅助推入控制訊號GPP切換為第一開啟訊號276 (偏壓 φ 電壓VD1) ’所以該輔助輸出裝置290的輔助推入電晶 體291導通，增加輸出端Vout送至負載的電流量。而 該拉出控制節點GN的電壓不變，所以該第二鏡射電流 Π還是小於該第二參考電流282，該第二控制訊號V2 的輸出為’’ l〇w” ，則第二轉換裝置284的辅助拉出控 制訊號GPP為第二關閉訊號285(系統的低電壓vss)， 所以該輔助輸出裝置290的辅助拉出電晶體293關閉不 工作。 如果，當非反相輸入端V+的電壓位準小於反相輸 _ 入端V_的電壓位準時，該推入控制節點GP的電壓與穩 態時相同，所以該第一鏡射電晶體271所輸入的第一鏡 射電流11將會小於該第一參考電流272，所以該第一控 制訊號VI的輸出為” i〇w，’ ，則第一轉換裝置274會 將該輔助推入控制訊號GPP維持在第一關閉訊號 275(系統的操作電壓VDD)，所以該輔助輸出裝置29〇 的輔助推入電晶體291關閉不工作。但該拉出控制節點 GN的電壓會大幅增加，使該輸出級25〇的拉出電晶體 253的拉出電流增大；相同的該第二鏡射電晶體28丨所 1344262 輸入的第二鏡射電流12將會大於該第二參考電流 ' 282，所以該第二控制訊號V2的輸出為” high” ，則第 二轉換裝置284會將該輔助推入控制訊號GNN切換為 . 第二開啟訊號286 (偏壓電壓VD2)，所以該輔助輸出裝 置290的輔助拉出電晶體293導通，使增加自輸出端 Vout拉出的電流。 本發明透過監控輸出級的電流》可以快速的產生輔 助推入/拉出控制訊號控制該輔助輸出裝置，當該輸出 訊號之電壓位準實質上不等於該輸入訊號之電壓位準 •時1開啟該輔助輸出裝置提供一輔助輸出電流至該輸出 端，而當該輸出訊號之電壓位準實質上等於該輸入訊號 之電壓位準時，該輔助輸出裝置則關閉不工作。當然本 發明也可以於該電流比較器中加入遲滯電路，用以延遲 該輔助推入/拉出電晶體的關閉時間’搭配輸出電流至 負載的考慮。與其他技術利用電壓變化來控制，本發明 利用電流調節輔助輸出端的開關，可以更快的反應輸入 端的變化增加運算放大器迴轉率，且就電路結構而言， • 構造簡單，可以直接套用到現有的運算放大器上，不需 重新设計’也就是保有原有運送放大器的特性。 惟上述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用來限 定本發明實施之範圍。即凡依本發明申請專利範圍所做 的均等變化與修飾，皆為本發明專利範圍所涵蓋。 17 C S > 1344262 【圖式簡單說明】 第1圖，為習知高迴轉率運算放大器的示意圖。 第2圖，為一般AB類（Class AB)運算放大器之電路示 . 意圖。 .. 第3圖，為本發明增加運算器迴轉率之裝置示意圖。 ^ 【主要元件符號說明】 :輸入級 ⑴、113、115、131、133、135、137 : P 型電晶體 鲁 112、114、116、141、143、145、147 : N 型電晶體 120 : AB類控制級 121、122 :電阻 130 : P型主動負載 140 : N型主動負載 15 0 ·輸出級 15 1 :推入電晶體 153 :拉出電晶體 2〇〇 :運算放大器 鲁 210 ·輸入級 220 :控制級 250 ·輸出級 251 :推入電晶體 253 :拉出電晶體 260 :輔助控制裝置 270 :推入控制裝置 271 :第一鏡射電晶體 272 :第一參考電流 1344262 273 :第一電流比較器 * 274 :第一轉換裝置 275 :第一關閉訊 , 276 :第一開啟訊號 280 :拉出控制裝置 ' 281 :第二鏡射電晶體 > 282 :第二參考電流 283 :第二電流比較器 284 :第二轉換裝置 • 285 :第二關閉訊號 286 :第二開啟訊號 290 :輔助輸出裝置 291 :輔助推入電晶體 293 :輔助拉出電晶體 V+ :非反相輸入端 V-:反相輸入端 Vout :輸出端 • GP:推入控制節點 GN :拉出控制節點 Cl、C2 :補償電容
Vbl、Vb2、Vb3、Vb4 :偏壓電壓
Ip、In .定電流 GPP :輔助推入控制訊號 GNN :輔助拉出控制訊號 11 :第一鏡射電流 12 :第二鏡射電流
19 1344262 νι :第一控制訊號 V2 :第二控制訊號