TWI299505B - Systems and methods for removal of debris on a reflecting surface of an euv collector in an euv light source - Google Patents

Description

1299505 玖、發明說明： c發明所屬技^^領域】 發明領域 本發明係有關於用於如半導體積體電路餘刻曝現光源 5用途之EUV(軟X光）光的產生之領域，且特別是有關於此裝 置用之集光器。 本申請案為2003年4月8日建檔之美國專利第1〇/4〇9, 254號之後續部分，其揭示在此被納為參考。 10 發明背景 隨著半導體積體電路製程一直持續變小的關鍵維度的 應用之需求，由產生深紫外線(DUV)光變為極端紫化線光 (EUV，亦稱為軟X光）的需求已產生。用於在有效能量位準 產生此光的裝置與方法存在有各種提議以針對如主要元件 15之重置間可接受的寿年促成EUV#刻工具（如步進掃描器 或掃描器）的適當產出。 提議存在於使用如鋰產生以13.5nm波長為中心之光 線，其被導入與/或放射以形成電漿，其刺激鋰原子至由此 之衰變會形成具有以約13.5nm為中心之能量分佈的大部分 20 EUV光子的狀態。該電漿可如2003年7月1日發給Melynchuk 等人之美國專利第6,586,757號，標題為PLASMA FOCUS light source with active buffer gas control 與上述參照之專利申請案序號No· 10/409,254(2003年4月8 曰），與2003年5月20日發給Rauch等人之美國專利第6,566, 1299505

668號，標題為PLASMA FOCUS LIGHT SOURCE WITH TANDEM ELLIPSOIDAL MIRROR UNITS，及2003年5 月 20 曰發給Partlo等人之美國專利第6,566,667號，標題為 PLASMA FOCUS LIGHT SOURCE WITH IMPROVED 5 PULSE POWER SYSTEM所討論地用在固態或液態形式之 鋰來源附近的稠密電漿聚焦電極以電氣放電被形成，其被 指定給本申請案之代理人，且其所有之申請案、專利與此 處所參照之其他文獻的揭示在此被納為參考，及如發明人 Amemlya等人在2002年1月24曰出版之美國申請案公報第 10 2002-0009176A1，標題為X-RAY EXPOSURE APPARATUS

之揭示亦在此被納為參考。此外，如2001年9月4日發給Kondo 等人之專利與申請案公報第6,285,743號，標題為METHOD AND APPARATUS FOR SOFT X-RAY GENERATION, 2002 年12月10發給Bisschops等人之專利與申請案公報第 15 6,493,423 號，標題為 METHOD OF GENERATING

EXTREMELY SHORT-WAVE RADIATION …，2002 年 10 月 3 曰公佈之發明人Richardson等人之美國專利與申請案公報 第 2002-0141536A1號，標題為EUV，XUV AND X-RAY WAVELENGTH SOURCE CREATED FROM LASER 20 PLASMA···，2002年4月23曰發給Richardson等人之美國專 利第 6,377,651 號，標題為LASER PLASMA SOURCE FOR EXTREME ULTRAVIOLET LITHOGRAPHY USING WATER DROPLET TARGET，與 2001 年 10 月 23 日發給Foster 等人之美國專利第6,307,913號，標題為SHAPED SOURCE 1299505

OF X-RAY，EXTREME ULTRAVIOLET AND ULTRAVIOLET RADIATION所指出者（其揭示在此被納為參考），該電漿可 藉由放射如鋰之液體金屬的小滴之目標，或含有小滴内之 液態或固態形式之鋰金屬的目標之小滴並用雷射聚焦於該 5 目標上而被引發。 由於自創立此電漿與EUV光電漿產生結果在所欲帶寬 内要產生所要的EUV光能量如1〇〇瓦/cm2之高，其有必要使 EUV光之收集效率儘可能地高。其亦被要求此效率不會顯 著地被惡化，即就有效的1〇〇%工作週期以高脈衝重複率 10 (4kHz以上)在有效的一年作業的相當長之作業期間能維持 此高效率。在達成本發明有關之EUV光源的集光器之解釋 層面的目標存在很多挑戰。 有些課題為針對可工作的設計，如以漫射至入射反射 鏡之多層法線角之層、如透過用如銦（M〇或Moly)與石夕（Si) 15交替層作成的多層鏡以歛(Ru)之外層塗層與對基本與/或輔 助集光器壽命的影響、如[丨與^間之化學作用對基本與/或 輔助集光器壽命的影響、如為形成電漿點火放射所產生之 雷射的帶外放射之濺射，假設深uv阻抗型式可被實施為蝕 刻之EUV範圍内且來自目標被濺射的帶外光線可形成非常 20有效率地曝現阻抗，來自KrF激光雷射之248nm放射被保持 為低以避免對阻抗曝現的任何影響、達成1〇〇w之輸出光線 能量遞送至中間焦點、使基本與輔助集光器之壽命達到至 少5G脈衝、以如某一目標、目標小滴或小滴内目標或其他 目^在作業性的升高温度與如13 5nm附近之中心波長的帶 1299505 外放射保持所需要的多層鏡之壽命而達成所要求的變換效 率。 其被相當習知反射之法線入射（NIR)鏡可運多層反射 為如約5與20nm間，或如11.3nm或13.0-13.5nm附近之所論 5 及的EUV波長被構建。此類鏡之亦所有層所涉及之合成、 個數、順序、晶性、表面糙度、相互繞射、期間與厚度比 及退火量之類，以及繞射障壁是否被使用、障壁層之材料 與厚度為何及其對障壁所隔離之合成物的影響之事項而 疋’此在SPIE論文集5037(2003)之Braun等人的 10 “Multi-component EUV multi-layer mirros(簡稱 Braun)、 Microelectronic Engineering 57_58第 3-8頁（2001)，Feigl等人 之Heat resistance of EUV multi-layer mirros for long-time applications (簡稱Feigl)，根據2002年5月1日建檔發給 Barbee Jr·等人之美國專利第i〇/847,744號，標題為 15 MULTILAYER FILMS WITH SHARP， STABLE INTERFACE FOR USE IN EUV AND SOFT X-RAY APPLICATION(簡稱為Barbee)、根據1994年6月7日建檔發 給Itoh等人之美國專利第5,319,695號，標題為 MULTILAYER FILMS REFLECTOR FOR SOFT X-RAYS、 20根據1993年4月14日建檔之申請案序號第45,763號、聲明對 1992年4月21日建檔之日本專利申請案的優先權（簡稱It〇h) 中被討論。

Itoh討論不同繞射指數之材料，如矽（si)與鉬（Mo)交替 地被沉積於一基體上以形成由石夕與鉬層組成之多層薄膜， 10 1299505 與一氫化介面層在每對相鄰的層間被形成。Barbee討論如 奴化硼（B4C)之第三種化合物的薄層被置於二種介面 (Mo-on-Si與Si-on-Mo介面）上。此第三層包含硼碳化物與其 他碳與硼基之化合物，具有EUV波長與軟乂光波長之低吸收 5力的特徵。因而，包含1^1〇與^交替層之多層薄膜包括硼碳 化物（如B4C)與/或硼基化合物的薄中間層介於每一層間。 該中間層改變表面（介面）化學性，其可形成反射性與熱穩定 性提咼的結果，例如相互繞射可被防止或被降低的M〇/si 會形成此些所欲的效果。Barbee亦討論改變由Μο-οη-Si介面 10至Si-〇n-M〇介面的第三層之厚度。Barbee亦討論M〇_〇n_si 介面之銳度典型上比Si-on-Mo介面差了約2.5倍，然而由於 在Mo-on-Si介面之中間層的沉積，此介面銳度可匹敵於 Si-on-Mo介面者。Bmun討論使用障壁層以降低在M〇-Si邊 界之繞射以改善熱穩定性與降低内部應力及同時提高反射 15性。Braun注意到Mo-Si邊界通常在Μο-οη-Si邊界與 Si-on-Mo邊界以變化的厚度形成MoSi2，且Mo與/或Si層的 形態可被如碳含量之障壁層影響。此外，Braun注意到障壁 層成形對沒有障壁層之Mo-Si介面的介面糙度之影響。 Braun報告使用Mo/Si多層在λ = 13·3ηηι時之反射率為 20 70·1%。甚至使用比起Mo/Si/c多層具有退火之内部應力降 低會影響使用此類多層鏡作為曲面鏡之能力亦被討論。 Braun也討論中間層對比、影響反射性與多層組配之吸收力 間之取捨，例如NbSi具有較低的Nb吸收但對比也較低、及 Ru/Si具有較高對比但如層的吸收也較高，此二者均比 11 1299505 作業的示意圖； 第2A圖顯示依據本發明之一層面由朝向集光器實施例 之放射點火點觀看依據本發明一實施例的EUV光集光器實 施例之側面圖； 5 第2 B圖顯示第2 A圖之實施例沿著第2 A圖之2 B線的斷 面圖； 第3圖顯示依據本發明之一層面的入射集光器的法線 角之一替選實施例； 第4圖顯示依據本發明之一層面的入射集光器殘骸管 10理系統之法線角的示意圖； 第圖顯示依據本發明一實施例之層面在RF與/或 DC至集光器鏡之集光器清潔信號/電流的提供； 第6&與1)圖以斷面顯示依據本發明一實施例之層面關 於入射餘角的示意圖； 15 第7圖顯示在相關5度入射角之特定波長各種反射表面 之入射反射性的入射餘角之描點圖； 第8圖顯示在相關15度之特定波長各種反射表面之入 射反射性的入射餘角之描點圖； 第9圖顯示依據本發明之一層面之一集光器的替選實 20 施例之示意圖； 弟10圖顯示每小滴對小滴直徑之鐘原子被計算數目， 此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 弟11圖顯示在鏡表面對鏡半徑上鐘原子被計算之流 入，此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 14 1299505 第12圖顯示濺射率對鏡直徑被計算之所需鋰厚度，此 在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第13圖顯示為了要有300對多層塗層鏡之1年壽命鋰濺 射率對鏡半徑的鉬濺射率之所需的比值，此在說明依據本 5 發明一實施例之層面為有用的； 第14圖顯示具有氦離子之鋰、矽與鉬的濺射產出，此 在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第15圖顯示鋰、矽與鉬的濺射產出與正規化氦離子能 量，此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 10 第16圖顯示鋰、矽與鉬的濺射產出與氦離子流密度， 此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第17圖顯示鋰、矽與鉬的濺射產出總氦離子率，此在 說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第18圖顯示鋰與鉬的濺射產出與正規化氦離子能量， 15 此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第19圖顯示一黑本體之放射功率密度對溫度，此在說 明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第20圖顯示依據本發明一實施例之層面的示意圖； 第21A與B圖顯示有關依據本發明一實施例之層面針 20 對錫與鋰離子二者之氦與氬緩衝氣體的停止功率之實驗結 果；以及 第22A-E圖顯示有關依據本發明一實施例之層面針對 錫與鋰離子二者之氦與氬緩衝氣體的停止功率之進一步實 驗結果。 15 !2995〇5 t實施方式3 較佳實施例之詳細說明 現在轉到第1圖，顯示依據本發明之一層面之電漿EUV 光源20所產生之雷射的EUV光源整體廣泛觀念的示意圖。 5光源20可包含如氣體放電雷射、KrF或ArF雷射、激光氣體 放電雷射之脈衝雷射系統22以高功率與高脈衝重複率作 業’且可為如美國專利第6,625，191，6,49,551與6,567,45〇 就顯示之ΜΟΡΑ組配的雷射系統。該雷射亦可為如YAG雷射 之固態雷射。光源描述亦可包括一目標傳遞系統24，如以 1〇液體小滴、固態粒子或包含於液體小滴内之固態粒子形式 傳遞目標。該等目標可被目標傳遞系統24傳遞至室26之内 口 P至一放射座28 ’其或者被習知為點火座或火球之視距。 目標傳遞系統24之實施例在下面更詳細地被描述。 由脈衝雷射系統22沿著雷射光轴55穿過室26之窗（未 15晝出）’如下面配合被目標傳遞系統24產生之目標的到達以 創立形成X光（或軟X光)釋放電漿之適當地被聚焦的被傳遞 之雷射脈衝依據該目標之材料具有某些特徵，包括χ光所產 生之波長及在點火之際或之後由電漿被釋放的殘骸型式與 數量。 20 光源亦可包括如截斷橢圓形式反射器之集光器30，具 有孔讓雷射光進入點火座28。集光器系統之實施例在丁面 更詳細地被描述。集光器30例如可為一橢圓鏡具有在點火 座之一第一焦點與在所謂中間點（亦被稱為中間焦點40)之 '弟^焦點’此處EUV光由光源被輸出且被輸入如一積體 16 1299505 電路敍刻工具(未畫出）。系統2〇亦可包括一目標位置偵測系 統42。脈衝系統22可包括如一主振盪器功率放大器 (ΜΟΡΑ)’被組配成如具有振盪器雷射系統料與放大器雷射 系統48之雙室氣體放電雷射，具有如磁反應器切換壓縮與 5计日^電路50用於振蘯器電射系統44與磁反應器切換壓縮與 汁時電路52用於放大器雷射系統牝，以及 一脈衝電力計時 監測系統54用於振盪器電射系統牡與一電力計時監測系統 54用於放大恭雷射系統仙。該脈衝電力系統可包括一 光源控制裔60，其亦可包括如一目標位置偵測回饋系統62 1〇與—擊發控㈣祕以及-f射光蚊位系統66。 目標位置偵測系統可包括數個小滴成像器7〇，72與 二4 ’其提供如相冑於點火座之相對於目標小滴的輸入，並 提供k些輪入至該目標位置偵測系統，一目標誤差可由此 被计异(若非以逐一小滴為基準，便為以平均數為基準），然 15後其被提供作為系統控制器60之-輸入，其可提供如一雷 射位置與方向修正信號至如雷射光束定位系統％，此雷射 光束疋位系統66可使用以如控制雷射位置與方向改變器68 之位置與方向以如改變雷射光束之焦點至不同的點火 28 〇 成像器7 2可沿如一成像線75如對齊由目標傳遞機構9 2 ^上所欲的執道路徑被對齊，及成像器74與76可與如於沿 著為所欲的執道路徑在所欲的點火點2 8前的某一點_交 之成像線76與78對齊。 目軚傳遞控制系統9〇在回應於來自系統控制器60之信 17 1299505 號下可如修改目標小滴94之釋放點成為被目標傳遞機構92 釋放以修正在所欲的點火座28所到達的目標小滴之誤差。 在中間焦點40或其附近的一 EUV光源偵測器iQ〇可提 供回饋至系統控制器60,以可指出如雷射脈衝之時機與聚 5焦事項之誤差以在正確的位置與時間適當地攔截該等目標 小滴以便有效及效率的LPPEUV光產生。 10 15 20 現在轉到苐1A圖’其不思地顯不第1圖之控制哭夺统6〇 與相關的監測與控制系統62，64與66的進一步細節。該控 制器了由目^位置债測回饋糸統接收如數個位置作號134 與一軌道信號136，以將如被系統時鐘116提供之一系統時 鐘信號與系統元件在一時鐘匯流排115上配以相關。控制器 60可具有一預先到達追蹤與計時系統ιι〇，其可計算如在系 統時間中某-點的目標之實際點；及—目標軌道計算系統 ”可α十异-目標小滴在某—系統時間的實際執道；以 及放射座時間與空間計算系統叫，其可計算如比較點火發 生之所欲的時間與空間點下之—時間與空間誤差信號。 / 後控fj 可提供如時間誤差信號㈣至擊發控制 六:Ά間决差k號138至雷射光束定位系統66。擊發控 制糸統64可計算及提供—共振充電杨信號⑵至磁反應 :刀換脈_縮與計時電路％之振_雷射Μ的共振充電 及可提供如—共振充電起動信號122至PA磁反應器 2的共振充電部位120,此二起動 σ 為相同^號，且可提一 义广、 较仏觸發信號132至磁反應器切 、脈衝壓縮與計時電路 、、日的 之振盈咨雷射44及磁反應器切換 18 1299505 脈衝壓縮與計時電路52之放大器雷射系統48，此可能不為 相同的信號，且部分由時間誤差信號140及分別由振蘯器雷 射系統與放大器雷射系統之光線輸出偵測裝置54與56之輸 入被計算。 5 該空間誤差信號可被提供至雷射光束位置與方向控制 系統66 ’其可提供一擊發點信號與一列視線信號至雷射光 束定位器，其藉由在擊發及在雷射輸出光束瞄準方向時改 變雷射系統放大器雷射4 8的二輸出位置之一而使雷射定位 以改變點火座28的焦點。 現在轉到第2A與2B圖，其分別示意地顯示向集光器鏡 150注視之側面圖與在沿著第2A圖的橫斷線之旋轉上對稱 的集光器鏡150配置之斷面圖（雖然此斷面圖在第2A圖之任 一徑向軸會相同）。 15 20 如第2A圖顯示者，橢圓形集光器鏡150在注視該鏡的斷 面為圓形，其可為在第1A圖顯示之鏡的最大擴展之斷面而 幾乎在橢圓鏡15 0之焦點2 8，而不致阻斷目標小滴9 4到達被 設計為焦點28之點火點。然而，其將被了解，該鏡可進一 步朝向中間焦點延伸而在鏡中具有適當的孔（未晝出）以讓 目標小滴通過焦點。橢圓鏡亦可具有_孔152(在第2a圖顯 不為圓形⑽允許LPP雷射光束154以、透過鏡⑽由聚焦 鏡頭156被聚焦至欲為橢圓鏡焦點之點火點。孔巧2亦可 =為光束輪廓(如所要求之大致為長方形的)，依所運用 的控制糸統型式而定地若有光束 之雷射光扣4_狀^雜改崎行對點火座 19 1299505 同樣在第2A與2B圖中亦依據本發明一實施例之層面 顯示一殘骸屏蔽180。殘骸屏蔽iso可由如鉬箔片做成之數 片薄板182做成，由所欲的點火座延伸且定義窄的扁平徑向 延伸之槽溝184穿過殘骸屏蔽18〇。第2A圖為相當示意性的 5且不成比例，及實際上該等槽溝儘可能地被做薄。較佳的 是，箔板182甚至比槽溝184薄以儘可能少阻斷被聚焦於點 火座28之雷射光束155的目標小滴94點火所形成之電漿放 射的X光。 在第2B圖的斷面中可看到殘骸屏蔽18〇之槽溝182的作 10用。單一的徑向槽構可在第2B圖中看到且相同者可在集光 器30的任何段落被看到穿過在殘骸屏蔽180内集光器鏡150 與殘骸屏蔽180之旋轉上對稱的旋轉軸。EUV光(與其他光 線能量）的每一射線190由點火座28放射、由點火座28向外 ^二向地運行、通過殘骸屏蔽之各槽溝M2，此在第圖 15中被顯示，必要時均可一路延伸至集光器鏡150之反射表 面在以任何入射角撞擊橢圓鏡150之表面之際，射線19〇 將在同一槽溝内182内被反射回來成為第1圖顯示之被聚焦 於中間焦點40的反射線192。 現在轉到第3圖，其顯示依據本發明一實施例之層面的 2〇 一替選實施例。在此實施例中，殘骸屏蔽180為了簡單起見 =破顯示，且本實施例運用殘骸屏蔽與否如在下面更詳細 =地均與f2^2B圖顯示之單—橢㈣光器橢圓亦為 =當的。在此實施例中，-輔助集光器反射鏡綱已被添 /、可包括如一段球面鏡202’具有之中心在點火座28(即 20 1299505 橢圓鏡150之焦點），且具有孔210讓光線由集光器鏡150通 過至焦點40(第1圖中顯示）。集光器鏡150如上面相關第2A 與2B圖討論地作用，針對射線190由放射點28向集光器鏡 150被放射。由點火座28被放射之光線204離開集光器鏡 5 150,此撞擊該段之球面鏡202,且將由橢圓集光器鏡132之 焦點被反射回來、傳送至橢圓集光器鏡150,就好像是由橢 圓集光器鏡150被放射，且因而亦在中間焦點40被聚焦。其 將明白此以相關第2A與2B圖描述之殘骸屏蔽的出現與否 均會發生。 10 現在轉到第4圖，其示意地顯示依據本發明一實施例之 殘骸管理的另一層面。第4圖顯示一集光器鏡150被連接於 如DC電壓源220之電流。此電流依據本發明一實施例可維 持反射器於所選擇之溫度以蒸發被沉積之鋰。由第一集光 裔鏡去除經的替選概念為運用氣離子或氮離子錢射。這些 15 離子之低質量在維持於低能量（<50eV)時會導致如在以 Mo/Si層組配之EUV多層鏡之鉬層與/或矽層的相當低之濺 射產出。 現在轉到第4圖，其顯示依據本發明一實施例之層面的 一殘骸清潔配置。如第4圖顯示者，如dc電壓源220之電流 20可被連接至集光器鏡150至該鏡150所用之鋁或鎳金屬之背 板（未畫出）。鏡150因而可被加熱至高於組成EUV光源室26 内部含量之如氦氣體的環繞氣體溫度。反射器之其他加熱 可依據本發明替選實施例例如用來自如室26内之加熱燈 (未晝出）的輻射加熱而發生。 21 1299505 殘骸清潔之另一層面可如第4圖顯示地納入如來自rF 頻率電壓230源之導aRF與在第4圖示意地顯示之室26内的 天線232。事實上，RF如第4圖顯示之Dc，可被連接至鏡15〇 或金屬背板(未畫出），在此事情中，由適當傳導材料做成且 5被連接至接地電位之暗屏蔽（未晝出）可在集光器鏡150背面 被做成用如空氣間隙之絕緣體與鏡15〇隔離，且如來自DC 源之DC電位亦被連接至鏡15〇。 如第5a-c圖顯示者，在時間tl，t2，t3之特定的周期性 LPP點火，RF可在tl，t2，t3發生點火之時及在點火時間任 10 一側的短時間内用DC電壓被取代，而若在下一個點火之際 若未完全地通過下一個DC電位出現，在這些時間之間有 RF(至少直接在點火後”同樣被顯示者為來自電壓源22〇之 DC在各點火時間之際為可為正電位（可能與來自 之連縯電壓為共同延伸的），且在這些正脈衝間為負電位。 15 另一方面，被施用至集光器鏡15〇之電壓在鋰與其他目 標金屬材料之目標小滴的點火之際與之後蒸發由電浆被放 射之鋰的金屬殘骸。同樣被蒸發的可能為如κ，以，Na之 類的金屬元素，其因鋰目標小滴本身的不純且在點火後類 似地沉積在集光器鏡15〇表面而出現。 20 RF欲在集光器鏡150表面附近形成如受激發+ 的局部化離子«，其含量為在局部化電料之這些受激 發的離子會縣㈣祕⑽上之料子統化合物^將 之濺射離開鏡表面。本發明之此實施例意圖在如即若為 <500W(如在RF頻率濺射之聯邦管制所指 出之13·65ΜΗζ)於 22 1299505 蒸發機構與濺射機構間求得平衡，則鏡溫度應被維持於一 些所欲溫度或其附近，且若处在13 65]^沿被提高至 >500W，則該溫度可對應地被降低。 現在轉到第6A與6B圖，其顯示有關替選集光器配置之 5本發明的實施例層面。如第6A與6B圖顯示地，集光器225 可由如數個由第6a圖之拋物線形殼230與24〇及橢圓殼25〇 與260的橢圓與拋物線形殼組成的不同段形成之巢狀殼加 以組成。拋物線形殼230與240可分別由第一拋物線形反射 表面233 ’ 242與弟二抛物線形反射表面234，244組成。橢 10圓段250與260包含橢圓反射表面252與262。第6B圖顯示之 替選實施例具有額外的二拋物線形段232與236，以段232包 含如一第一拋物線形反射表面231與一第二拋物線形反射 表面234 ;及段236包含一第一拋物線形反射表面237、一第 二拋物線形反射表面238、與一第三拋物線形反射表面239。 15 每一反射殼230，240，250與260被配置以在其間反射 100%之光線，其在由大致對準反射殼之集光器225的焦點 之旋軸310由11°至55°的球段落内之點火點21被放射，而 殼230，240，250與260亦大致對此旋轉軸310對稱。舉例之 下，第6A圖之實施例顯示在剛所描述之此球該部位中的光 20 線進入殼230，240，250與260的至少之一。在拋物線形殼 段230與240入射於第一反射表面233，242的情形中向中間 焦點40被反射抑或亦被反射離開各第二反射表面234，244 至該中間焦點。在橢圓殼段250，260之情形中，進入此殼 250，260之所有光線因例如被反射表面252，262形成之橢 23 1299505 圓每一個具有在點火點28之一第一焦點與在中間焦點4〇之 一第二焦點而被反射至該中間焦點。 依各反射表面233，234 ’ 242，244，252與262之材料、 特定射線之入射角、特定殼段230，240，250與260之反射 5 數目而定，反射之平均效率將發生；且亦依殼之構造而定， 某些百分比之現有可用光線將進入每一段230, 240, 250與 260，使得如第6A圖顯示地，19%被反射且以平均總效率 65%被聚焦於殼段230、17%被反射且以平均總效率75%被 聚焦於殼段240、43%被反射且以平均總效率80%被聚焦於 10 殼段25〇、21%被反射且以平均總效率91%被聚焦於殼段 260。

第6B圖顯示添加多二個拋物線形殼232，236之一替選 實施例。這些被添加之段可用作為由旋轉軸收集到達約 85%之光線，且被添加之段至少之一具有一第一反射表面 15 237、一第二反射表面238與一第三反射表面239。如由第6B 圖可看出者，由光源或點火點被放射之射線290可恰進入拋 物線形反射殼段236且被反射作為射線292至第二反射表面 238，然後被反射作為射線至第三反射表面239，及然後形 成被聚焦之射線296。類似地，射線可恰進入拋物線形反射 2〇 殼段236之其他端點的殼開口且亦被反射離開第一反射表 面237而作為射線302與第二反射表面237作為射線304、及 最終於第三反射表面作為被聚焦之射線306。在如段240的 拋物線形殼段之一的情形中，射線280可恰進入此段240且 被反射離開第一拋物線形反射表面242作為射線282及最終 24 Ϊ299505 於第二拋物線形反射表面作為被聚焦之射線283，且另一射 線284可恰進入此段240且被反射離開第二拋物線形反射表 面244作為射線286在橢圓殼段250之一的情形中，由點火點 被放射之射線308可恰進入此殼段250且被反射離開橢圓反 5 射表面252作為被聚焦之射線309，以及一射線在相反側恰 進入殼段250作為射線308且被反射作為被聚焦之射線319。 現在參照第7與8圖，顯示（1)單一層歛反射表面與(2)具 有14nm厚之單一Mo層與4nm厚之單一Si層，以及⑺一個10 期間之多層Mo/Si堆疊，以節距為9.4nm及Mo/Si厚度比為 10 22.5:1 ’就具有5。與15。之餘角的入射反射性之描點圖，每 一入射餘角為5。與15。。在具有Mo/Si之反射器中係假設採用 錮基體。在光譜純度為被傳遞之光線的規格之一部分的情 形中’集光器可被調諧為某種波長以藉由使用如巢狀殼集 光器之反射性質偏好如第6A與6B圖之實施例的被選擇之 15 中心波長附近的反射性而具有某些特定帶寬。 第9圖顯示本發明一實施例之層面。在此實施例中，一 集光器總成330可包含如一部分之球面鏡反射表面332，其 可為入射多層堆疊之一法線角、反射由點火點28被產生之 光線至如在巢狀橢圓殼集光器334的三個巢狀橢圓殼段 20 336，338與340之一。每一殼段330，338與340可具有一反 射表面366，，369在各殼360，362，364内側。如第9圖 顯示地，如殼段336可接收來自球面鏡332的肋段370之光 線、殼段338可接收來自球面鏡332的中間段之光線、及殼 段340可接收來自球面鏡332的中央部位被反射的光線。 25 1299505 巢狀橢圓殼可被塗裝多層之Mo/Si而非慣常提議之厚 單層Ru。依據本發明一實施例之層面，二反射如可由第7與8 圖看出地發生：一個來自球面鏡及一個在如以約5。與15。間之 入射餘角具有橢圓反射表面的每一殼中。此可顯著地降低 5如帶外EUV放射之顯著的數量（如假設13.5為所欲的頻 帶）。如Wolter型式組配中之Ru層在5。與15。入射餘角二者就 13.5nm與llnm二者均保持非常的反射性，而如第7與8圖顯 示之入射反射塗層的入射餘角之Mo/Si堆疊可為較有選擇 性的，特別是在15。附近。 10 上面描述的實施例未具有如在本技藝中已提出之光柵 光譜純度濾光器的空間純度，但其比起如在本技藝中已提 出之光柵濾光器的其他做法確具有在帶内EUV放射的反射 性與預保存性之重大優點。 依據本發明一實施例之層面的鐘Lpp EUV光源可運用 15液體链或鐘小滴源之固態流。就一小滴而言，每小滴之原 子數可被计算，且就固態流而言，吾人可假設僅有在被聚 焦之光束内的材料構成點火之小滴，雖然由殘縣之觀點來 說，在該流中相鄰的材料亦可形成殘骸，特別是在該被聚 焦之雷射光束的能量分配之裙邊被較低能量放射時尤然。 2〇由於其意圖小滴源具有之小滴大小配合被聚焦之光 束’目標游之二種型式在給予小滴直徑d—下被考量為均 具有相同小滴大小。該小滴之體積便由下列得到： =丄 TTfl 3 droplet ~ 6 dropiet {1} 由如鋰與其原子重量之密度計算 π母小滴之原子數。該小滴 26 1299505 之質量為： Μ, ^droplet P1 droplet Y droplet r lithium {2}； 此處/3 1_11111=0.535§/〇113，為鐘之密度，使得： ^droplet = 0.280 · ddroplet { 3 }; 5此處小滴直徑為以公分表示且結果之質量為以公克表示。 然後小滴中之原子數便為將小滴質量除以鐘之原子質量並 適當地換算單位而得到： Μ

Mdropiet (g) lamu lithium atom (amu) 1.6605xl0'24 g {4}； 此處]^出1^1111131。111=6.941311111,即

Natoms=2.43xl022.d3droplet {5}; 此處小滴直徑為以公分表示。將小滴直徑由公分換算為微 米付到·

Natoms=2.43xl010-d3droplet {6}. 每小滴之原子數相對於小滴大小在第10圖中被顯示。 15 如第圖顯示者為包含於單一40mj脈衝中之13.5nm的光子 數。該40mj脈衝例係假設變換為4ττ球面角度與400mj雷射 脈衝之效率為10%。每脈衝之13.5nm光子數為： {7}； 13.5nm OpticalPulseEnergy(mJ) EPhoton(eV)-1.6xl016(mJ/eV) 此處13·5光子能量為91.6eV。40mj脈衝之光子中數結果為 2〇 2·72χ1015。如50μιη之小滴就每13.5nm光子具有一裡原子。 27 1299505 一般而言，吾人可假設多個光子由每一放射元件被放射。 此假設亦允許使用小於50μπι之小滴直徑。由於在集光器鏡 頭上之鋰使用與鋰沉積率隨小滴直徑之三次方而比例地改 變，故較小的小滴直徑是重要的。 5 假設依據本發明一實施例之層面，其沒有鋰恢復，則 鐘年使用量之計算為每年之脈衝數乘以每脈衝之量。假 設，例如重複率為RR，及工作週期為DC，則質量使用之結果為： 質量(每年)=Mdroplet · RR · 60· 60 · 24 ·365 · DC {8}· 即 10 質量(每年）=8·83XΙΟ—6 · d3d_ · RR · DC {9}; 此處小滴直徑為以微米表示及質量結果為以公克表示。例 如具有小滴為50μιη以6kHz運轉、工作週期為全年之 100%，且沒有鋰恢復之系統將耗用6,622公克或12.3公升容 積之鋰。25μηι小滴直徑在類似狀況下會僅耗用828公克或 15 約1.5公升之鐘。 假設鐘小滴一旦在被雷射脈衝加熱會在所有方向均勻 地膨脹，原子通量將隨著由雷射小滴互作用點（點火座）之距 離的平方下降。由該互作用點每秒被放射之原子數為每小 滴之原子數乘以重複率： 20 總原子放射:^…乂仙。]3—〆!^ {10}; 此處小滴直徑為以微米為單位，及重複率RR為Hz。 穿過以點火座為中心之想像球體的雇子通量（原子/cm2) 將為總原子放射除以公分表示之表面積： 28 1299505

d3 · RR 原子通量= 1·93χ109^—— {11}; r sphere 結果所得之通量的單位為原子/cm2。第11圖顯示數種小滴 直徑之鏡表面上裡流入率對鏡半徑，即（1)25μπι，（2)50μπι， (3)100μιη與(4)200μιη(假設6kHz之重複率與100%之工作週 5期）。 為維持高鏡反射性’對鏡表面之鐘流入可被如入射氦 離子所致的鋰之濺射率超過。此外，為了長鏡壽命，同者(如 乱離子）所致之藏射率便必須比鐘之量小了很多階(〇r(jer)。 為了達成多層塗層之集光器鏡的一年壽命，如鉬至鋰 10之該等第一與第二金屬的濺射率所要求的比值可如藉由 300對之層的多層堆疊被計算，使得如前面2〇〇對之層的腐 蝕仍留下有效的100良好之對，即仍維持高反射性。同時亦 叙设者為比如鉬層之第一金屬高很多之矽層濺射率，且因 而提供對鏡壽命之可忽略的貢獻。 15 典型的EUV鏡可由—對翻與矽之層組成，層之厚 度為2.76細，故200對的犧牲腐姓層，即552麵之翻在此鏡 壽命結束前腐蚀。就-年之有用壽命而言，錢射率必須 低於552nm/年，即 1.75xl(T5nm/秒。 以每秒每cm2之原子數表示之鍾減率（等於上面導出之 20鋰流入率），在已知每-鋰之質量密度與原子重量的原子數 密度下可用適當的單位變換如下列地由單層裡之厚度被換 算： 29 1299505 原子數密度 Μ lithium atom

Piithium(g/cm3)__ ~ Γΐ.6605χ1〇-24α (amu) ·-~~® lamu {12}； 此處/3 lithium — 〇.535g/cm 及M Hthium at〇m= 6.941 aum。結 果所得之鋰原子數密度為4.64X1022原子/cm3。若此數目之 原子被配置於每側1 c m維度之立方體内時，則沿著一邊緣每 5公分之原子數會為該原子數密度之立方根，3·58χ107原子 /cm。結果之單層厚度為2·78χ1〇-8咖或⑴挪邮。在單層中 母cm之原子數便為沿著一邊緣每公分之原子數的平方，即 1·28χ1〇15原子/cm2。 被賤射每秒去除之如鋰的原子數必須符合公式n所給 予的机入率。因而每秒被去除之單層的數目等於流入率除 2單層中每⑽2之原子數。厚度去除率為該單層去除率乘以 單層之厚度，即 厚度去除率=單層厚度(nm)—流入率（原子/cm2s) 單層中之原子數（原子/cm2) 15 就鋰使用這些值： {13}· 社鐘厚度去除率= 2.17x10—16 .鐘流入率(原子Ws) {14} 單位為咖/秒。第11圖顯示之織入率就同-之Μ 經严片重複率與工作週期換算為第I2圖赫之被要求的 經与度錢射率。 要。2果進—步強調對小滴小尺寸與大的鏡半徑之需 J破要求之濺射率會變得不實際的。 30 20 1299505 對鐘所要求之厚度濺射率可與對鉬允許的最大厚度濺 射率例如就1年之集光器壽命被比較。第12圖中被分別為被 允許的最大厚度濺射率1.75xl(T5nm/秒之資料在第13圖中 就同一之1-4滴大小、重複率與工作週期被顯示。 5 問題為創立比鋰濺射率小4階以上之濺射率為需要什 麼。鐘與翻在被氦離子攻擊時之濺射產出在如2〇〇2年6月24 日 W· Eckstein 之 “Calculated Sputtering，Reflection and

Range Values” [出版處未知]中被討論。此濺射產出資料對 離子能量在第14圖中與矽之能量一起就三種離子能量：（3) 10 在Eth=52.7eV，鋰於Mo内，（2)在Eth= lO.leV，氦在矽内 與（1)氦在Li内被顯示。就如吾人可看出者，適當地被選擇 之氦離子能量會有可接受之鋰濺射產出且根本無鉬濺射產 出的結果。然而有一問題會因吾人無法完美地控制入射離 子能量之事實而發生。此即入射氦離子之能量頻譜並非一 15 delta函數。此為在決定鋰與鉬間之差別濺射時必須被評估 之離子能量的分散。 有關創立如具有FWH1V[為2.5eV之Gaussian形狀的離子 能量分配之RF引發(RFI)電漿在如Applied Physics Letters第 62卷第9期（1993年3月1日），第940-942頁之J· Hopwood的 20 “Ion Bombardment Energy Distribution in a Radio Induction

Plasma”的文獻例中被討論。 該離子能量分配之尖峰可用如電場強度與氦壓力之適 當選擇被調整。藉由選擇如20eV之尖峰離子能量，氦離子 就鋰具有高濺射產出，但很安全地使能量低於鉬濺射門檻 31 1299505 者。在第15圖中顯示以2齡中心之常規化後的離子能量分 配（1為log比例尺，2為線性比例尺）以及脑(3)、石夕(4)與: (5)之濺射產師WH_2.5eV)。吾人可看出高射目賤射門 檻之氦離子非常少。為在此狀況下決定鉬之濺射率，需要 5計异為維持鏡表面沒有鋰原子所需的氦離子之流入。每離 子有0.2原子之固定濺射產出可被假設，原因在於氦離子能 量分配的大部分為落在幾乎為固定鋰濺射產出之區域内。 {15}· 氦離子流入(離子/cm2s) = ^流入(原fZcm2s) 濺射產出（原子/離子;) 10 因而，氦離子密度必為第11圖之各種狀況所顯示的鋰流入 密度值之5倍。 在公式15所表示的此氦離子流入在假設鋰未均勻地沉 積下可被視為其純粹的最小值。在此情形可能要求較高的 總濺射率以確保如鋰之島不會生成。另一方面，其他的研 究人員已證明由LPP電漿排出之材料易於朝向雷射源運 15 行。所以吾人可配置該系統，使得雷射以遠離集光器之方 向或透過集光器鏡中之一孔照射該鋰小滴，此致使此殘骸 不撞擊集光器鏡。因而，在鏡上之總鋰負荷可由撞擊該鏡 之總理論數量被降低。 在已知氦離子之總通量及假設具有20eV尖峰與2.5eV 20 FWHM之Gaussian能量分配下，常規化之Gaussian分配的積 分為，此處σ2為該分配之變異數，而與FWHM相關， 即： 32 {16}·1299505 (FWHM) 41n(4)

則常規化Gaussian之積分為 電流密度為：

5 尖峰氦電流密度(離子/cm2sper eV)=氦離子(離土 {17}· 以25μιη小滴及鏡半徑為10cm為例，尖峰氦電流密度必須為 每eV 3·38χ1015離子/cm2s以濺射總量為1·88χ1015鋰原子 /cm2s。此氦電流分配（1)在第16圖以log比例尺被描圖，而（2) 10 為石夕減:射密度、（3)為鋰ί賤射密度、以及(4)鋰之實證決定的 濺射產出、（5)為矽與(6)為鉬，且這些函數之乘積乘以離子 電流密度。此分析之驚奇的有益結果顯示鉬之尖峰濺射密 度為每eV之3·5χ1(Τ2(}5離子/cm2s(圖中未晝出），此為不可置 信之小值。事實上，尖峰矽濺射密度甚至比鋰者之量小了3 15 階以上。 這些濺射密度對所有離子能量之積分得到濺射率。這 些積分在第17圖中分別就鋰(1)與矽(2)被顯示成虛線。積分 後之鋰濺射密度為1·88χ1015原子/cm2s，符合鋰流入率。積 分後之矽濺射密度為9·17χ101()原子/cm2s。積分後之鉬濺射 20 密度為1.16xl〇-2()5原子/cm2s。所以鉬與鋰間之差別濺射率 33 1299505 為低的，使得較少的集光器鏡層必須被運用，所少的數目 以成對鏡為準之概念為先前預期的300。單層之鉬在這此狀 況及假設此濺射產出模型下將持續一年以上。此績效可藉 由在點火點與集光器主鏡或輔助鏡間使用殘骸屏蔽甚至更 5被改善，但該殘骸屏蔽如由這些結果可看出者亦可完全地 或至少對鋰目標被消除。此種被刺激型式之由Euv光學的 殘骸之電漿離子化濺射，尤其是就鐘目標而言，由上面可 看出，甚至可允許使用其他目標型式，如活動帶子或其他 型式之活動固態目標系統。氦離子濺射可被安排使得其以 10充分的速度由集光器鏡去除鋰原子而至目前以夠低的速度 使壽命大於1年。 利用如鐘離子之鉬濺射亦必須在所討論的本發明實施 例中被考慮，原因在於如其將由未到達鏡頭表面之點火電 聚形成殘骸，但其將可用於濺射電漿且以類似氦離子之能 15里刀配朝向鏡表面被加速。該文獻亦提供以鋰離子之鋰與 #目’賤射的資料。此資料在第18圖中就鋰以Eth=36.3eV於曲 、線1破顯示’以及相同的常規化鋰離子能量分配就氦離子被 徒用。去 馬了由鋰計算鉬濺射密度，總鋰離子流入必須為已 知的。不像為氦之計算（公式15)者，不清楚的是總鋰流入為 20 何？然而保守的選擇為LPP點火電漿所產生之總鋰原子流 入。使用公式17,且假設25μπι小滴與10cm鏡半徑，1.88><1〇15 鐘離子/cm2s將入射於鏡且尖峰鋰離子電流密度為每 eV7,〇6xl〇15鋰離子/cm2s，其假設2.5eV FWHM在入射離子 能1中散佈，其在被乘以鉬之濺射產、出且對所有離子能量 34 1299505 積分下得到總鉬濺射密度為2·54χΙΟ·48原子/Cm2s。此高於氦 離子者甚多，但仍比一年之有用壽命所要求的速率低很多 4艮多。 具有鋰離子之鉬密度可藉由使用公式12與13被換算為 5厚度損失率，就鉬而言： P m〇iy= 10.2g/cm3 P m〇iy at〇m= 95.94amu= 1.59xl0"22g 鉬原子數密度=6.40xl(T22原子/cm3 錮單層厚度=2.50xlCT8cm= 0.250nm 10 鉬單層原子密度=1·59χ1015原子/cm2 因而鉬之濺射厚度損失率在被鋰原子撞擊時為 3·"χ10 64nm/秒或1；25xl0-56nm/年。此導出之結論為利用如 氦離子濺射之EUV鏡頭的濺射電漿離子化清潔之上面指出 的利益結果甚至在用鉬之鋰濺射仍為可實現的。 ^ 另利藏結果為重新考慮先前提議之如於多層鏡上使 用鈥加蓋層。鈥加蓋層曾被提議以防止M〇/si堆疊中第一矽 層因EUV之助的氧化。由於鉬層一旦在被曝現於室内空氣 會迅速氧化，多層鏡通常以矽層而非鉬層被截斷。申請人 在上述有關Euv鏡頭之濺射電漿清潔分析前（如用矽截斷 2〇多層鏡），若採用此做法會期望第一層石夕會被腐钱以露出第 一層之鉬或-鈥加蓋層以避免第-層鉬之氧化 。鉬之超低 腐餘率與鉸之類似的期望低腐餘率允許鈥加蓋層之使用以 期待延績该鏡之有用的壽命。此形成第一層石夕沒有損失之 結果且不須擔心被濺射的石夕原子會致使的大破壞，且不會 35 1299505 有露出鉬層之氧化問題。由於鈥具有比鉬較高的原子質 量’具有鋰之鈥與氦之濺射產出雖然被期望類似於鉬者， 但仍要被決定。 在鏡頭表面或其附近創立所欲的濺射電漿所需的最小 5 RF功率可藉由如假設被創立的每一氦離子撞擊集光器鏡而 被計算，其將低估所需的RF功率，但應給予估計量之階。 撞擊集光器鏡之每一氦離子需要23.4eV以離子化，且依據 上面的例子，本發明之一實施例在其到達該集光器鏡時必 須具有20eV之功能。此二能量值乘上來自公式15之所需的 10 氦離子之流入9·40χ1015離子/cm2s得到電漿功率。將能量單 位由eV換算為了得到一最小電漿功率密度66.9mW/cm2。此 乘上10cm半徑鏡之一半表面積628cm2得到42w之最小總電 漿功率。相反地，假設僅有1%之電漿功率有效地被使用， 則所需的電漿功率被計算為4.2kW，此為可接受的，特別是 15在考慮到此功率可被消散的非常大面積時尤然。此電漿功 率之估計比起先前在6kHz LPP雷射功率（2.4kw之雷射功率） 之每脈衝400mJ之假設且假設集光器鏡對弦π球面角度，其 將被曝現於此雷射功率之一半，即1.2kw。來自LPP的熱負 載類似於電漿清潔之熱負載。此二功率之和為5.4kw，形成 20 之結果為8.6W/cm2之鏡上的功率密度。本申請人相信曝現 於10W/cm2功率誤差以下之集光器鏡利用如在鏡背面或接 地屏蔽與鏡間之水槽溝為容易冷卻的。 若電漿功率有效性為如10 %以上，則鏡上總功率密度僅 為2.6W/cm2,使得依據輻射之Stefan定律的輻射式為可能 36 Ϊ299505 的，此表示在溫度T來自黑物體之每平方公尺被放射的功率 Ρ = 5.67χ1〇"12 · Τ4 {18} 此處溫度為以Kelvin表示且結果之功率密度為以w/cm2表 5 示，其在第19圖被畫出。超過500°C之溫度會被要求放射所 有此入射功率，使得集光器鏡之主動冷卻出現成為防止該 多層堆疊之損毀所必要的。 現在轉到第20圖，其依據本發明一實施例之層面示意 地顯示用於收回如因在反射表面上來自進入EUV電漿室之 10 污染或來自EUV裝置上反射表面之多層反射性堆疊的各層 去除的濺射或光子之碳與/或碳基分子的沉積而失去入射 性所致的損壞之EUV鏡頭的裝置與方法。如由第20圖可看 出者，一光化學清潔裝置400可包括一室，其内可被安裝一 集光器固定機架402,其適應於固定要清潔之一集光器。亦 15 被包括者可如一光子能量源，如DUV光源410，而以集光器 固定機架402與410被配置使得來自光源410之光線刺激來 自如上面討論的點火座28之於集光器焦點的點光源之光 線，使得集光器404好像被一目標點火座之光線照射。 依據本發明一實施例如室401首先可使用透過N2閥被 20提供之氮被清潔，然後使用氣體出口閥由室401被排出，隨 後為導入如F2或NF3之含氟的氣體。然後集光器4〇4可用如 在160-300nm入範圍之DUV光、以193nm來自KrF激光雷射 之光源受到照射，此為用於約4〇w之高功率ΜΟΡΑ組配且具 有約4肋之脈衝複率。此可作用來在氣相刺激如Cf4之氣基 37 1299505 碳材料的產生，此然後可在第二次氮清潔下透過氣體出口 閥420由室401被排出。

KrF DUV光源之替選物可為如KrC1 DUV燈之市面上 可購得的DUV燈。 5 本申請人期望在如集光器反射表面之EUV鏡頭上約 3.5nm碳原子沉積厚度可降低約5%之入射性而1〇nm沉積為 約14%。此沉積厚度水準被期待在以被選擇之濃度的氟處 理與上面的基準D U V光位準處理一段選擇時間下由集光器 鏡頭反射表面被去除。此處理亦可用氣體流控制閥（未晝出） 10以在清潔過程之際維持所欲的氟濃度運用重新補充氟供 應。 本申請人在此亦依據本發明一實施例之層面提議其他 的障壁材料可在多層入射鏡堆疊中被使用以協助改善如就 13.5nm EUV光入射性被最佳化iMo/si入射堆疊的熱穩定 15 性與入射性。為促進如與Mo/Si與也許亦與MoSi相容的lnm 障壁層之非常薄的光滑度、保持如13.5nm光之適當透明度 水準，本申請人提議使用包含由ZrC，NbC，SiC之群組被 選擇的碳化物、由ZrB2，NbB2之群組被選擇的硼化物、由 ZrSi，NbSi2之群組被選擇的二矽化物與由bn，ZrN，NbN， 20 Si3N4之群組被選擇的氟化物之相互繞射的障壁層。其他這 類層可包括金乙、銃、鳃化合物與/或這些純金屬形式之材料。 在上面所提及者中，碳化物與硼化物因其以這類材料創立 較光滑的繞射障壁層之能力而為較佳的。 依據本發明一實施例之層面，本申請人意圖使多層堆 38 1299505 疊包括如MoSi2/Si，Mo2C/Si，Mo/C/Si/C與Mo/X/Si/X，其 中前兩個為MLM，此處MoSL或Mo2取代在正常Mo/Si鏡塗 層一般所使用之Mo被使用而不會有相互繞射的障壁層。其 他的兩個為具有所謂之相互繞射的障壁層，此處C表示碳及 5 X表示適當的材料，進一步包括如上面提及之侧化合物、二 矽化合物與氮化合物之進一步化合物作為X材料。氮化合物 依據本申請人為在依據本發明一實施例之應用中作為相互 繞射的障壁層之目前較佳實施例。Mo2Si/Si在Appl.phys·期 刊（1995)第78期第5227頁之Y· Ishii等人的論文“Heat 10 resistance of Mo/Si，Mosi2/Si與 Mo5Si3/Si multiplayer soft x-ray mirrors” 中被描述。 氦對EUV具有高透明性，此使其成為緩衝氣體的好選 擇，90%之傳輸為其代表。根據有效率的濺射所要求的部 分壓力（少數幾mTorr)，氦緩衝氣體會幾近1〇〇%。可能的集 15 光器多層表面可包含如300對塗層取代一般的9〇對。多出的 對不會比90對之鏡改善入射性而是這些多出的對在若被要 求時可在一旦被使用時頂端的層被腐姓掉。在為3〇〇對之鏡 下，鋰與鏡間的濺射率差別不必為高的，使得單鏡層一次 持續數月。代之的是，其可有如額外的210對層能用於可被 2〇維持之鏡腐蝕。 可在LPP容器中被產生之鋰化合物（如LiH，LiOH與 Li2C〇3等）可具有超過6〇〇°C之炼點且因而不會由該鏡被蒸 發。此甚至就沉積於鏡表面的鋰上之浮渣的某些情形也是 如此。然而，此可用如含有離子化之He原子的濺射離子電 39 1299505 漿非常有效地被濺射，或用鋰本身以高速鋰離子與自撞擊 於反射表面上之電漿被排出之原子為形式被濺射。 被要求要留在鋰沉積前的濺射率在EUV光源前會比文 獻指出者南很多，此典型上在現代沉積與蝕刻機器中被實 5作，其至少為如維持鋰離開鏡表面的部分理由。依據本發 明一實施例之層面，本申請人意圖使用蒸發以去除大塊的 鋰而運用非常輕之濺射率以去除在鏡表面所沉積的不可避 免之鐘與碳化合物。然而，就算撞擊至少主要與輔助反射 表面之非常輕的錢射電漿也可能具有相同有利的碳與其他 10鋰化合物去除性質。運用此在中間焦點後之觀念，如在照 射器反射表面亦在投射反射表面亦可證明對去除發生在到 達蝕刻工具反射表面的殘骸為有利的。在該蝕刻工具本 身，由於如較小的沉積率，其熱負荷與濺射率可充分地低 以便此為有效的。 15 被濺射之鋰與鋰化合物以及由未在反射表面被收集之 電漿被排出之鋰可在該EUV容器中之冷指狀物以由該容器 内側延伸且離開集光器之光學路徑至中間焦點的水冷式翼 片或板形式中被陷入。 在錫做為來源元素之情形中，其可能使用如SnH4之氫 2〇化金屬（此在室溫會蒸發）以及氫電漿用於清潔以錫為基礎 之LPP源的集光器。氫氣具有15.3nm之高傳輸性且結果產生 之SnEU可被泵動抽掉而非如鋰被陷入於冷指狀物上。 本申請人已檢驗如氦與氬對錫與鋰離子之停止功率。 此結果在第21A與B圖中被顯示。此二圖具有相同的資料只 40 1299505 有比例尺不同。曲線500, 502與503為對錫分別以距電漿源 96.5cm，61cm與32.5cm的不同距離被測量，而實線表示氦 緩衝氣體及虛線表示氬緩衝氣體。曲線5〇6為經。若壓力* 距離之比例尺被應用，這三組錫資料將約落在彼此之頂端。 5 本申請人亦已判斷在某一氣體壓力下氬至少具有比氦 高10倍之停止功率。同樣地，鋰比錫可用較少的緩衝氣體 被知止。而且’在以LPP集光器之工作距離(〜1〇cm)為比例 尺下，就算是氬之所要求的緩衝壓力就錫而言必須為約 10mT之範圍内。由於氙與錫具有幾乎相同的原子質量，本 10申請人期待氙之緩衝壓力亦為10mT之範圍。此種高緩衝氣 體壓力就氙與錫可呈現EUV本身之吸收問題。但就裡則不 然’原因在於鐘之較低的緩衝壓力要求亦及較低的Ευν吸 收。 繼續使用如Faraday枉以一已知距離透過已知孔徑大小 15在不同漸增中緩衝氣體壓力收集及測量離子來檢驗緩衝氣 體對如LPP所產生之快速離子的停止功率，此Faraday枉信 號下降得到該離子停止功率之測量。錫與鋰之結果在下面 第22A-E圖被顯示。第22A與22B圖分別就錫與鋰顯示原始 Faraday枉信號對時間的描圖。在第22(：與d圖為分別就錫與 20锂使用飛行時間描繪這些信號對離子能量。在第22E圖中曲 線下之面積對緩衝氣體的壓力距離被描繪，較低的描點線 (1)為錫及較高的描點線(2)為鋰。 本申請人所做的此分析之驚奇結果為最後一圖就锡與 链二者顯示Faraday枉信號對緩衝氣體P*d乘積對此二元素 41 1299505 為大約相同。本申請人相信此為可解釋的，在於該分析並 非實際測量被Faraday枉所捕取之離子損失，代之者為測量 用緩衝氣體之離子中性化，即所謂被離子捕取之電子。若 一離子被中性化，其不會登入Faraday枉。此可被解釋，如 5因錫比鋰可能具有較大的電子捕取斷面，特別是考慮到錫 離子被高度地充電、7-11倍之離子化，而鋰最多只可3倍離 子化。第22E圖顯示之停止功率結果可被視為緩衝氣體停止 功率的高估，在於其不會比用這些曲線被預測之值更佳。 採用所觀察之停止功率值作為上限，吾人可計算延伸 10集光器鏡之壽命至100B脈衝所需的氬緩衝氣體之壓力。由 EUVLLC所建立之工程測試標準氓TS)的結果開始，其報告 以一氙LPP與集光器距離為i2cm且假設多層鏡之入射性在 10對層被去除前不致惡化下，一多層鏡對就每15Μ脈衝被 腐蚀’該ETS集光器鏡比起ιοοΒ脈衝具有15觀脈衝之壽 15命。此導致腐蝕率中666Χ降低為必要的結論。在第22Ε圖 之描點圖中，約500mT*cm之P*D乘積被要求以達成此降低 之水準。如12cm之工作距離給予對42mT之氬壓力的需求。 此亦形成一結論：鋰比氙為較佳之目標，原因為就氙Lpp 而言，42mT之緩衝壓力因在氬緩衝氣體中被捕取的氙之強 20吸收性而不為非常令人滿意的。然而就經而言，此緩衝氣 體壓力之量對鋰吸收為沒有問題的。錫依來自集光器鏡表 面之S11H4之蒸氣壓力與放射率而定亦可為令人滿意的。所 以相當大之緩衝氣體壓力似乎為一要求，其導致之結論為 氙不為良好的目標、錫可能是、但鐘是為最佳的。 42 1299505 本申請人亦已判斷就算加熱集光器反射表面之有效性 受到被蒸發之材料在蒸氣壓力的公布值被實現前必須具有 如50人之厚度及約1〇片單層，即如鋰之材料可能較難直接蒸 發離開鏡表面的事實之影響，不過在該等鏡表面上之此厚 5度的經傳輸性為約95%且約90%之雙通過，使得在鏡上之此 種層不在如13.5nm由整體CE重大地減損。此外，這種「無 蒸發」之鐘層實際上的好處在於，其能保護集光器鏡免於 局速經原子與離子之猛擊。此鋰將取代多層鏡之鉬層被濺 射。氤因其為氣體而無形成保護層，及錫因其非常高之EUV 10 吸收性而將只有52%之傳輸。 假設鐘針對鉬之濺射產生比起氙針對鉬之濺射產出 少’則就IkeV附近的離子密度而言（濺射率在高於此能量水 準時傾向於飽和）： 15 目標材料 入射離子 Μ 鋰 0.21 ?? 鉬 0.081 1.45 氙濺射鉬將比娌高18倍之比率。此差異本身將給予2.7B脈 衝之集光器壽命而不須改變任何他事情。薄鋰層之該「無 20蒸發」穩定可提供濺射率中其餘之37Χ降低。就算不如此， 產生具有〜100額外犧牲層對2EUV LLC觀念可增加10Χ之 寿命至如27B脈衝，其與來自鋰之較低腐蝕組合下可給予 100B脈衝之集光器壽命。 本申睛人亦曹檢驗集光器鏡之靜電保護。此觀念已在 43 !299505 $獻中被提出以在來狀LPm_ =能量之離子在其向鏡運行時攸上電位井。此電 Γ 井可 ’使得該等離子在到達鏡前放掉其動能。二 5 10 15 20 =:電位井轉動且_而絕不會到達該鏡。然 胃現止圖藉由透過容轉動電氣連接至集 之為無效的’原因在於目標偏壓在雷射脈衝 際掉至IU近為〇,此被判斷為維持偏壓所需之尖 应 =求的大導線之結果㈣著該導線之感應降低所有之電 。為改正關題本巾請人便在真空容⑼安裝電㈣並 在接地與目標板間構建低傳導之輸送卫作件。傳導性藉由 =目標周圍置-銅片並附掛於接地而被測量。藉由將電容 為充電至低電壓並將銅片壓向目標而放電，本中請人測量 %電壓波形並脸其傳導性。其結果為iq她之㈣耶半週 期放電波形。此放電期間比雷射_長，且後續的euv放 射起始地致使關切在離子被創立且離開電漿區（〜2〇η〇時在 關鍵期間之際邊偏壓疋否可被維持。然而，本申請人判斷 此短時間之比例尺為不重要的。重要的是如在比起離子由 目標至鏡之運行時間短的時間比例尺維持或重新建立目標 偏壓。在目前的幾何下離子運行時間為約2·5μδ，故〇7叩 之半週期電路將為足夠的。 在測試此配置中，本申請人驚訝地發現全〇·47μΡ電容 在與使用銅片的傳導性測量之際幾乎準確相同的時間比例 尺被排掉其-1000V之電位。本申請人判斷該雷射脈衝起動 目標板與容器壁間之放電。此放電完成電容器之高電壓接 44 1299505 頭與接地間之電路，因而排洩該等電容器，就好像銅片已 被置於通過其間。明顯的是，在雷射脈衝之際或緊接於後， 電漿在目標點被創立且此電漿在整個容器放射大量的uv 與EUV輻射。大多數這些光子之能量高於容器内側之金屬 5的工作功能，且光電子因而在所有金屬表面被創立。這些 光子亦具有充分能量以將離開容器之任何氣體原子離子 化。在此情形中氬被用作為緩衝氣體且其可用LPP所產生之 硬UV與EUV輻射容易地被離子化。最後，電子與離子在LPP 中被創立且流出進入容器之體積内。除了這些離子外其被 10吸引至被偏壓之目標板。其撞擊該板並創立輔助的電子。 基本上’在彼此間維持電位之二金屬板間的放電創立會發 生，就好像該配置為一雷射觸發之放電開關。 其仍有完成有效的靜電推斥之某些可能性，但其變得 有點較複雜且並非真的靜電。此想法為使偏壓脈動使其僅 15在雷射脈衝之起始事件後出現。在僅數百ns，大多數的電 子將撞擊容器壁且輻射將不見。此時其可能施用偏壓並吸 引或排斥離子離開集光器鏡。 … 食可聆f解到上面參照本發明之較佳實施例 20 與其層面並錢他之意，謂上面參照之實軸的其他修 改與添增可被完成μ致偏離本發日脉 精神與領域。心所^應被視斤= 面揭示的實施例與層面所限制而應以所述之元素與 几素之等值事項包括切請專利之領域與精神 而言’其他的目標㈣與多層反射性塗層金屬可具有如上 45 1299505 面討論之關係以藉由如在鏡頭反射表面附近濺射電漿之創 立所引發的離子濺射允許連續的清潔，這些離子亦可氦之 外的如Η，N或0。同時，如用於反射表面之加熱機構可為 在該反射表面引導下之加熱燈。其他的改變與添增可為熟 5 習本技藝者了解。 t圖式簡單說明3 第1圖顯示依據本發明之一層面之雷射產生電漿EUV 光源的整體廣泛觀念之示意圖； 第1A圖顯示依據本發明一實施例之層面之系統控制器 10 作業的示意圖； 第2A圖顯示依據本發明之一層面由朝向集光器實施例 之放射點火點觀看依據本發明一實施例的E U V光集光器實 施例之側面圖； 第2B圖顯示第2A圖之實施例沿著第2A圖之2B線的斷 15 面圖； 第3圖顯示依據本發明之一層面的入射集光器的法線 角之一替選實施例； 第4圖顯示依據本發明之一層面的入射集光器殘骸管 理系統之法線角的示意圖； 20 第5a-c圖顯示依據本發明一實施例之層面在RF與/或 DC至集光器鏡之集光器清潔信號/電流的提供； 第6a與b圖以斷面顯示依據本發明一實施例之層面關 於入射餘角的不意圖， 第7圖顯示在相關5度入射角之特定波長各種反射表面 46 1299505 之入射反射性的入射餘角之描點圖； 第8圖顯示在相關15度之特定波長各種反射表面之入 射反射性的入射餘角之描點圖； 第9圖顯示依據本發明之一層面之一集光器的替選實 5 施例之不意圖， 第10圖顯示每小滴對小滴直徑之鋰原子被計算數目， 此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第11圖顯示在鏡表面對鏡半徑上鋰原子被計算之流 入，此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 10 第12圖顯示錢射率對鏡直徑被計算之所需鐘厚度，此 在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第13圖顯示為了要有300對多層塗層鏡之2年壽命裡濺 射率對鏡半徑的鉬濺射率之所需的比值，此在說明依據本 發明一實施例之層面為有用的； 15 第14圖顯示具有氦離子之Μ、石夕與鉬的濺射產出，此 在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第15圖顯示鋰、矽與鉬的濺射產出與正規化氦離子能 量，此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第16圖顯示經、矽與鉬的濺射產出與氦離子流密度， 20 此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第17圖顯示鋰、矽與鉬的濺射產出總氦離子率，此在 說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第18圖顯示經與！目的錢射產出與正規化氦離子能量， 此在說明依據本發明一實施例之層面為有用的； 47 1299505 第19圖顯示一黑本體之放射功率密度對溫度，此在說 明依據本發明一實施例之層面為有用的； 第20圖顯示依據本發明一實施例之層面的示意圖； 第21A與B圖顯示有關依據本發明一實施例之層面針 5 對錫與鋰離子二者之氦與氬緩衝氣體的停止功率之實驗結 果；以及 第22A-E圖顯示有關依據本發明一實施例之層面針對 錫與鋰離子二者之氦與氬緩衝氣體的停止功率之進一步實 驗結果。 10 【圖式之主要元件代表符號表】 20...光源 56...赃1 衝功率計時監測系統 22...脈衝雷射系統 60 ...EUV光源控制器系統 24...目標產出系統 62...目標位置偵測回饋系統 26···室 65...擊發控制系統 28...點火座 66…雷射光束定位系統 30···集光器 68...雷射位置與方向改變器 40...中間焦點 70...小滴成像器 42··.目標位置偵測系統 72...小滴成像器 44...振盪器雷射系統 74…小滴成像器 48...放大為雷射糸統 75...成像線 50…計時電路 76...成像線 52…計時電路 78...成像線 54...脈衝功率計時監測系統 80···點 55...雷射光軸 90···目標傳遞控制系統 48 1299505 92...目標傳遞機構 182...薄板 94...目標小滴 184.··槽溝 100...EUV光源偵測器 190…射線 _ 110…預先到達追蹤與計時系統 192...入射線 112...目標執道計算系統 200…輔助集光器反射鏡 114…放射座時間與空間誤差 202···球面鏡 計鼻糸統 204···光線 115...時鐘匯流排 210…孔 220...DC電壓源 ^ 118...共振充電部位 120...共振充電部位 225…集光器 122...共振充電起動信號 230 ...RF頻率電壓 126...壓縮電路部位 231…拋物線形反射表面 - 130…觸發信號 232···天線 - 132…觸發信號 233...拋物線形反射表面 134...位置信號 234...拋物線形反射表面 136...執道信號 236...拋物線殼段 φ 138...空間誤差信號 237...拋物線形反射表面 140···時間誤差信號 238...拋物線形反射表面 150...橢圓集光鏡 239...拋物線形反射表面 152…孔徑 240...橢圓反射表面 ’ 154...LPP雷射光束 242...拋物線形反射表面 - 156...聚焦鏡頭 244...拋物線形反射表面 116…系統時鐘 250…橢圓段 180…殘骸屏蔽 252...橢圓反射表面 49 1299505 260...橢圓段 338...殼段 262...擴圓抛物線形反射表面 340…殼段 280…射線 360···殼 282...射線 362···殼 284…射線 364...殼 290…射線 366...反射表面 292…射線 368...反射表面 294…射線 369...反射表面 296…射線 370...肋段 300…射線 372...集光器 302…射線 374...集光器 304…射線 400...光化學清潔裝置 306…射線 401·.·室 308…射線 402·.·集光器固定機架 310...旋轉軸 404…集光器 318...射線 410...光源 319...射線 500...曲線 330…集光器總成 502.··曲線 332…球面鏡反射表面 503.··曲線 334...巢狀橢圓殼集光器 504…曲線 336...殼段 506···曲線 鲁 50

Claims (1)

1299505 // r 拾、申請專利範圍： 第93108686號申請案申請專利範圍修正 94.11 〇 ^ 1. -㈣EUV*源中之EUV集光_ . · 漿產生之殘餘殘骸的殘骸去除系統，其中該^由電 含-殘骸包含〜料，該系二面包 文技制之濺射離子源，其可包含· · -乳體，其包含蘭離子材料之原子； 10 15 一刺激機構，舰__子材料之原 化狀態’該離子化狀態被選擇以在具有高機率之：： 二材料與低機率之濺射第_材:射： 附近之分配。 、擇之此置尖峰 2. 如申請專利範圍第1項所述之系統，進—步包含： 補激機構為一 RF或微波感應機構。 3. 如申請專利範圍第1項所述之系統，進-步包含： 該氣體被維持於部份地決定該被選擇之L量尖峰 的壓力。 + 參 4. 如申請專利範圍第2項所述之系統，進-步包含： 該氣體被維持於部份地決定該被選擇之能量尖峰 的壓力。 ％ 20 5·如申請專利範圍第1項所述之系統，進-步包含： ㈣激機構可創立_離子材料之離子的流入，其 由射-表面創立第二材料之離子的流入，並由反射器 表面創立⑦H原子的騎密度，其等於或超過第 二材料之電漿殘骸原子的流入率。 51 1299505 6. 如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構可創立濺射離子材料之離子的流入，其 由反射器表面創立第二材料之離子的流入，並由反射器 表面創立第二材料之原子的濺射密度，其等於或超過第 5 二材料之電漿殘骸原子的流入率。 7. 如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含：

該刺激機構可創立濺射離子材料之離子的流入，其 由反射器表面創立第二材料之離子的流入，並由反射器 表面創立第二材料之原子的濺射密度，其等於或超過第 10 二材料之電漿殘骸原子的流入率。 8. 如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構可創立濺射離子材料之離子的流入，其 由反射器表面創立第二材料之離子的流入，並由反射器 表面創立第二材料之原子的濺射密度，其等於或超過第 15 二材料之電漿殘骸原子的流入率。

9. 如申請專利範圍第1項所述之系統，進一步包含： 該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 的疊片。 20 10.如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 的疊片。 11.如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含： 52 1299505 該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 的疊片。 12. 如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： 5 該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 的疊片。 13. 如申請專利範圍第5項所述之系統，進一步包含：

該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 10 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 的疊片。 14. 如申請專利範圍第6項所述之系統，進一步包含： 該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 15 的疊片。

15. 如申請專利範圍第7項所述之系統，進一步包含： 該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 的疊片。 20 16.如申請專利範圍第8項所述之系統，進一步包含： 該反射表面為對EUV光具有高度反射性之入射多 層反射器之法線角，包含第一材料之層與第三材料之層 的疊片。 17.如申請專利範圍第1項所述之系統，進一步包含： 53 1299505 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 18. 如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 5 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 19. 如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含：

用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 10 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 20. 如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 15 壽命的結果之速度或低於此速度。

21. 如申請專利範圍第5項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 20 22.如申請專利範圍第6項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 23.如申請專利範圍第7項所述之系統，進一步包含： 54 1299505 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 24. 如申請專利範圍第8項所述之系統，進一步包含： 5 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 25. 如申請專利範圍第9項所述之系統，進一步包含：

用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 10 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 26. 如申請專利範圍第10項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 15 壽命的結果之速度或低於此速度。

27. 如申請專利範圍第11項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 20 28.如申請專利範圍第12項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 29.如申請專利範圍第13項所述之系統，進一步包含： 55 1299505 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此藏射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 30.如申請專利範圍第14項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此錢射以便有大於所選擇之 哥命的結果之速度或低於此速度。

31·如申請專利範圍第15項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。 32·如申請專利範圍第16項所述之系統，進一步包含： 用於用該第二材料濺射第一材料的濺射厚度率為 將形成單層第一材料維持此濺射以便有大於所選擇之 壽命的結果之速度或低於此速度。

33·如申請專利範圍第17項所述之系統，進一步包含： 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 時間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 34·如申請專利範圍第18項所述之系統，進一步包含： 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 56 Ϊ299505 ㈣成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 =的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第—材料更有利的性質。 5 35·如申請專利範圍第19項所述之系統，進一步包含： 、該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有:騎厚度率，其為用該第二材料亦維持軸於 1形成單層第四材料維持此賤射以便有大於所選擇之 ^間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環i兄時具有比該第一材料更有利的性質。 1〇 36·如申請專利範圍第20項所述之系統，進一步包含： 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 乂具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 15 日守間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 37·如申凊專利範圍第21項所述之系統，進一步包含： 该反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 日寸間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 38·如申請專利範圍第22項所述之系統，進一步包含·· 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 57 Ϊ299505 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 日寸間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭戈 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 39 \ 11 •如申請專利範圍第23項所述之系統，進一步包含： 5 二 5亥反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將幵^成單層第四材料維持此錢射以便有大於所 守竭的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭戈 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 40·如申凊專利範爵第24項所述之系統，進一步包含： 忒反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 時間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 15 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 41·如申請專利範圍第25項所述之系統，進一步包含： 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之時 2〇 間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或作業 環境時具有比該第一材料更有利的性質。 42·如申請專利範圍第26項所述之系統，進一步包含· 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為甩該第二材料亦維持濺射於 58 1299505 ㈣成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選揮之 時間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭 作業環i兄時具有比該第一材料更有利的性質。 2 43·如申明專利範圍第27項所述之系統，進一步包含： 5 该反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持溅射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 時間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。

1〇 料·如申請專利範圍第28項所述之系統，進一步包含： 该反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 日守間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭戈 15 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 45·如申請專利範圍第29項所述之系統，進一步包含：

5亥反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持機射於 將形成单層第四材料維持此錢射以便有大於所選擇< 2〇 時間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 46·如申請專利範圍第30項所述之系統，進一步包含： 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選揮 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 59 1299505 將形成單層第四材料維持此錢射以便有大於所選擇之 日守間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 47·如申請專利範圍第31項所述之系統，進一步包含：

该反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 日守間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 1〇 你·如申請專利範圍第32項所述之系統，進一步包含： 该反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將开》成單層第四材料維持此丨賤射以便有大於所選擇之 日寸間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 15 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 49·如申請專利範圍第33項所述之系統，進一步包含：

10亥反射表面包含一加益層，包含一弟四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 20 士 日守間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 〇·如申凊專利範圍第34項所述之糸統，進一步包含： 。亥反射表面包令—加I層，包含一弟四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 60 1299505 將形成單層第四材料維持此濺射以便有大於所選擇之 日寸間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 51·如申請專利範圍第35項所述之系統，進一步包含： 该反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將^/成早層弟四材料維持此》賤射以便有大於所選擇之 時間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 作業環境B夺具有比該第一材料更有利的性質。 10 52·如申請專利範圍第36項所述之系統，進一步包含： 該反射表面包含一加蓋層，包含一第四材料被選擇 以具有一濺射厚度率，其為用該第二材料亦維持濺射於 將形成單層第四材料維持此滅射以便有大於所選擇之 時間的結果之速度或低於此速度及在被曝現於周遭或 15 作業環境時具有比該第一材料更有利的性質。 53.如申請專利範圍第1項所述之系統，進一步包含： 該第一材料為鉬。 54·如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 該第一材料為鉬。 20 55·如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含： 該第一材料為鉬。 56·如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： σ亥弟一材料為在目。 57.如申請專利範圍第5項所述之系統，進一步包含： 1299505 該弟一材料為铜。 58. 如申請專利範圍第6項所述之系統，進一步包含： 該弟^一材料為铜。 59. 如申請專利範圍第8項所述之系統，進一步包含： 5 該第一材料為鉬。 60. 如申請專利範圍第9項所述之系統，進一步包含： 該第一材料為鉬。 61. 如申請專利範圍第1項所述之系統，進一步包含：

該第二材料包含鋰。 10 62.如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 該第二材料包含鋰。 63. 如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含： 該第二材料包含鋰。 64. 如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： 15 該第二材料包含鋰。

65. 如申請專利範圍第5項所述之系統，進一步包含： 該第二材料包含鋰。 66. 如申請專利範圍第6項所述之系統，進一步包含： 該第二材料包含鋰。 20 67.如申請專利範圍第7項所述之系統，進一步包含： 該第二材料包含鋰。 68. 如申請專利範圍第8項所述之系統，進一步包含： 該第二材料包含鋰。 69. 如申請專利範圍第1項所述之系統，進一步包含： 62 1299505 該濺射離子材料包含氦(He)。 70. 如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 該濺射離子材料包含lUHe)。 71. 如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含： 5 該濺射離子材料包含氦(He)。 72. 如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： 該濺射離子材料包含氦(He)。 73. 如申請專利範圍第5項所述之系統，進一步包含：

該濺射離子材料包含氦(He)。 10 74.如申請專利範圍第6項所述之系統，進一步包含： 該濺射離子材料包含氦(He)。 75. 如申請專利範圍第7項所述之系統，進一步包含： 該濺射離子材料包含氦(He)。 76. 如申請專利範圍第8項所述之系統，進一步包含： 15 該濺射離子材料包含氦(He)。

77. 如申請專利範圍第1項所述之系統，進一步包含： 一加熱器元件操作性地被耦合至該反射表面，將該 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 境獨立地加熱。 20 78.如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 一加熱器元件操作性地被耦合至該反射表面，將該 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 境獨立地加熱。 79.如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含： 63 1299505 一加熱器元件操作性地被耦合至該反射表面，將該 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 境獨立地加熱。 80. 如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： 5 一加熱器元件操作性地被轉合至該反射表面，將該 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 境獨立地加熱。 81. 如申請專利範圍第5項所述之系統，進一步包含：

一加熱器元件操作性地被耦合至該反射表面，將該 10 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 境獨立地加熱。 82. 如申請專利範圍第6項所述之系統，進一步包含： 一加熱器元件操作性地被耦合至該反射表面，將該 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 15 境獨立地加熱。

83. 如申請專利範圍第7項所述之系統，進一步包含： 一加熱器元件操作性地被耦合至該反射表面，將該 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 境獨立地加熱。 20 84.如申請專利範圍第8項所述之系統，進一步包含： 一加熱器元件操作性地被耦合至該反射表面，將該 反射表面以與該刺激機構及反射表面之該周遭作業環 境獨立地加熱。 85.如申請專利範圍第1項所述之系統，進一步包含： 64 1299505 該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 生器。 86. 如申請專利範圍第2項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 5 生器。 87. 如申請專利範圍第3項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 生器。

88. 如申請專利範圍第4項所述之系統，進一步包含： 10 該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 生器。 89. 如申請專利範圍第5項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 生器。 15 90.如申請專利範圍第6項所述之系統，進一步包含：

該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 生器。 91. 如申請專利範圍第7項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 20 生器。 92. 如申請專利範圍第8項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構被連接至該反射表面且包含一信號產 生器。 93. 如申請專利範圍第85項所述之系統，進一步包含： 65 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 94. 如申請專利範圍第86項所述之系統，進一步包含： 5 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 95. 如申請專利範圍第87項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 10 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 96. 如申請專利範圍第88項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 15 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 97. 如申請專利範圍第89項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 20 98.如申請專利範圍第90項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 99.如申請專利範圍第91項所述之系統，進一步包含： 66 1299505 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 100. 如申請專利範圍第92項所述之系統，進一步包含： 5 該刺激機構提供在一電漿形成時間基本上為繼續 不斷的信號及在該電漿形成時間與後續繼的電漿形成 時間之間的至少一部分之際提供一高頻率交替信號。 101. 如申請專利範圍第93項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構包含一電流產生器，其提供在一電漿形 10 成時間基本上為繼績不斷的信號及在該電聚形成時間 與後續繼的電漿形成時間之間的至少一部分之際提供 一高頻率交替信號。 102. 如申請專利範圍第94項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構包含一電流產生器，其提供在一電漿形 15 成時間基本上為繼續不斷的信號及在該電聚形成時間 與後續繼的電漿形成時間之間的至少一部分之際提供 一高頻率交替信號。 103. 如申請專利範圍第95項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構包含一電流產生器，其提供在一電漿形 20 成時間基本上為繼續不斷的信號及在該電浆形成時間 與後續繼的電漿形成時間之間的至少一部分之際提供 一高頻率交替信號。 104. 如申請專利範圍第96項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件包含一電流產生器，其在該電漿形成 67 1299505 時間之際提供一第一基本上為繼續不斷的直流電，及在 該電漿形成時間與後續繼的電漿形成時間之間的至少 一部分之際提供一第二相反極性的基本上繼續不斷之 直流電。 5 105·如申請專利範圍第97項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構包含一電流產生器，其提供在一電漿形 成時間基本上為繼續不斷的信號及在該電漿形成時間 與後續繼的電漿形成時間之間的至少一部分之際提供 一高頻率交替信號。 10 106.如申請專利範圍第98項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構包含一電流產生器，其提供在一電漿形 成時間基本上為繼續不斷的信號及在該電漿形成時間 與後續繼的電漿形成時間之間的至少一部分之際提供 一高頻率交替信號。 15 107.如申請專利範圍第99項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構包含一電流產生器，其提供在一電漿形 成時間基本上為繼續不斷的信號及在該電漿形成時間 與後續繼的電漿形成時間之間的至少一部分之際提供 一高頻率交替信號。 20 108·如申請專利範圍第100項所述之系統，進一步包含： 該刺激機構包含一電流產生器，其提供在一電漿形 成時間基本上為繼續不斷的信號及在該電漿形成時間 與後續繼的電漿形成時間之間的至少一部分之際提供 一高頻率交替信號。 68 1299505 109·—種形成一EUV反射表面之多層反射塗層，包含： 一相互繞射障壁層，包含由SiC，ZrC與NbC之群組 被選擇之一碳化合物。 110·—種形成一EUV反射表面之多層反射塗層，包含： 5 一相互繞射障壁層，包含由ZrB2與NbB2之群組被選 擇之一棚化合物。 111·一種形成一EUV反射表面之多層反射塗層，包含·· 一相互繞射障壁層，包含由ZrSi2與NbSi2之群組被 選擇之一二矽化合物。 10 112·—種形成一EUV反射表面之多層反射塗層，包含·· 一相互繞射障壁層，包含由Bn，ZrN，NbN，ScN 與Si^4之群組被選擇之一之氮化合物。 113.—種形成一EUV反射表面之多層反射塗層，包含： 一光譜濾光器被調諧以選擇性地高度反射在以一 15 第一較佳波長為中心之波帶内的光線及顯著地降低以 一第二波長為中心之波帶内的光線之反射。 114·如申請專利範圍第113項所述之塗層，進一步包含： 一光譜濾光器，包含入射殼之數個巢狀入射餘角， 該等入射殼包含有多層反射塗層之反射表面。 20 115·—種EUV光源集光器，包含： 一電漿點火點； 一集光鏡，具有在該電漿點火點之焦點且包含入射 多層反射表面之一法線角； 一聚焦光譜濾光器，包含入射殼之數個巢狀入射餘 69 1299505 角，該等入射殼包含有多層反射塗層之反射表面。 116.如申請專利制第115項所述之集光器，進—步包含： 該等入射反射表面之入射餘角被選擇以差別地反 射在該入射餘角之某些範圍内的—第一中心波長附近 5 #EUV光線之—第—頻帶與-第二中^波長附近的 EUV光線之-第二頻帶，在該範圍内來自該集光鏡之光 線入射於该專數個殼之每^_個。 117.如申請專利範圍第115項所述之集光器，進—步包含： 該集光鏡包含一球形反射表面。 Π) 118·如中請專利範圍第116項所述之集光器，進—步包含·· 該集光鏡包含一球形反射表面。 119.一種EUV光源集光器，包含·· 一電漿點火點； 15 20 -橢圓集光器鏡’具有在該電漿點之―第一焦點及 在該EUV光源之一中間焦點的一第二焦點； 在該電槳點火點與該橢圓集光器鏡中間之一殘繫 屏蔽，包含數條徑向延伸之槽溝，其由該第—焦點以對 通過該第-焦點之-旋轉軸對稱且對準該橢圓集光器 鏡之長轴地延伸。 uu·如曱請專利範圍第119項所述之 w 口 疋一歹巴含： 數條槽溝被形成於數U致騎的以間，直的 第一焦Γ以對通過該第—焦點之-旋轉轴對似解 該集光為鏡之長轴地延伸。 ⑵.如申請專利範圍第119項所述之集光器進—步包含： 70 1299505 該橢圓集光鏡包含一孔位於該橢圓集光器鏡之長 轴中心，允許該電漿點火點用雷射光束放射。 122. 如申請專利範圍第120項所述之集光器，進一步包含： 該橢圓集光鏡包含一孔位於該橢圓集光器鏡之長 5 軸中心，允許該電漿點火點用雷射光束放射。 123. 如申請專利範圍第119項所述之集光器，進一步包含： 一電漿點火點； 一第一集光鏡，包含一橢圓反射表面，具有在該電 漿點火點之一第一焦點； 10 一第二集光鏡，包含一段球面鏡具有以該電漿點火 點為中心且被配置以收集未撞擊該第一集光鏡之光 線，並反射此光線至該第一集光鏡上，透過該第一集光 鏡之第一焦點被聚焦。 124. —種校正包含有被殘骸污染之反射表面的EUV光源集 15 光器之方法，包含： 在含有碳氧化物氣體之一清潔室内及在來自紫外 線光源之放射下光化學式地清潔該集光器反射表面。 125. 如申請專利範圍第124項所述之方法，反射表面： 該放射步驟係用基本上來自一點光源於基本上對 20 應於正常使用中之集光器的EUV光源電漿點火點之點 光源位置放射一光源而被完成。 126. 如申請專利範圍第124項所述之方法，進一步包含： 該紫外線光源為一 DUV光源。 127. 如申請專利範圍第125項所述之方法，進一步包含： 71 1299505 該紫外線光源為一 DUV光源。 128.—種由EUV光源中之一集光器反射表面連續女除殘骸 以便去除在該反射表面上所產生的殘餘殘骸之方法’其 中該反射表面包含一第一材料及該殘餘殘骸包含〆第 二材料，該方法包含之步驟為： 創立受控制之濺射離子源，包含之步驟為： 提供一種氣體，包含該濺射離子材料之原孑， 以及 激發該濺射離子材料之原子成為離子化狀 態，該離子化狀態被選擇以具有在一被選擇之能重 尖峰附近之分配，其具有濺射該第二材料之高機率 及濺射該第一材料之低機率。 129·—種由EUV光源中之一集光器反射表面連續杳除殘骸 以便去除在該反射表面上所產生的殘餘殘骸之方法，其 中該反射表面包含-第-材料及該殘餘殘骸必含，第 二材料，該方法包含之步驟為： 將該反射表面加熱以有效地去除包含沉積在該反 射表面上之第二材料的殘餘殘敢；以及 創立受控制之麟離子源，包含之步驟為： 提供-種氣體’包含該機射離子材料之原子； 以及 激發該濺射離子材料之原子成為離子化狀 悲，該離子化狀態被選擇以具有在一被選擇之能重 尖峰附近之分配’其具有濺射該第二材料之高機率 72 1299505 及濺射該第一材料之低機率。 130.—種由EUV光源中之一集光器反射表面連續去除殘骸 以便去除在該反射表面上所產生的殘餘殘骸之方法，其 中該反射表面包含一第一材料及該殘餘殘骸包含一第 5 二材料，該方法包含之步驟為： 將該反射表面加熱以有效地去除包含沉積在該反 射表面上之第二材料的殘餘殘骸；以及 使用在該電漿中產生之第二材料的離子來濺射沉 積在該反射表面上之第二材料的化合物。 10 131.如申請專利範圍第61項所述之系統，進一步包含： 該第二材料為鋰之化合物。 132. 如申請專利範圍第62項所述之系統，進一步包含： 該第二材料為鋰之化合物。 133. 如申請專利範圍第63項所述之系統，進一步包含： 15 該第二材料為鋰之化合物。 134. 如申請專利範圍第64項所述之系統，進一步包含： 該第二材料為鋰之化合物。 135. 如申請專利範圍第65項所述之系統，進一步包含： 該第二材料為鋰之化合物。 20 136.如申請專利範圍第66項所述之系統，進一步包含： 該第二材料為鋰之化合物。 137. 如申請專利範圍第67項所述之系統，進一步包含： 該第二材料為鋰之化合物。 138. 如申請專利範圍第68項所述之系統，進一步包含： 73 1299505 該第二材料為鋰之化合物。 139. 如申請專利範圍第77項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件維持該反射表面之溫度於高到足以 蒸發該第二材料及低到不致於毀損該等反射表面材料 5 之溫度。 140. 如申請專利範圍第78項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件維持該反射表面之溫度於高到足以 蒸發該第二材料及低到不致於毀損該等反射表面材料 之溫度。 10 141.如申請專利範圍第79項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件維持該反射表面之溫度於高到足以 蒸發該第二材料及低到不致於毀損該等反射表面材料 之溫度。 142. 如申請專利範圍第80項所述之系統，進一步包含： 15 該加熱器元件維持該反射表面之溫度於高到足以 蒸發該第二材料及低到不致於毁損該等反射表面材料 之溫度。 143. 如申請專利範圍第81項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件維持該反射表面之溫度於高到足以 20 蒸發該第二材料及低到不致於毀損該等反射表面材料 之溫度。 144. 如申請專利範圍第82項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件維持該反射表面之溫度於高到足以 蒸發該第二材料及低到不致於毁損該等反射表面材料 74 1299505 之溫度。 145. 如申請專利範圍第83項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件維持該反射表面之溫度於高到足以 蒸發該第二材料及低到不致於毀損該等反射表面材料 5 之溫度。 146. 如申請專利範圍第84項所述之系統，進一步包含： 該加熱器元件維持該反射表面之温度於高到足以 蒸發該第二材料及低到不致於毁損該等反射表面材料 之溫度。 10 147.如申請專利範圍第139項所述之系統，進一步包含： 該溫度為介於400°C與700°C之間。 148. 如申請專利範圍第140項所述之系統，進一步包含： 該溫度為介於400°C與700°C之間。 149. 如申請專利範圍第141項所述之系統，進一步包含： 15 該温度為介於400°C與700°C之間。 150. 如申請專利範圍第142項所述之系統，進一步包含： 該溫度為介於400°C與700°C之間。 151. 如申請專利範圍第143項所述之系統，進一步包含： 該溫度為介於400°C與700°C之間。 20 152.如申請專利範圍第144項所述之系統，進一步包含： 該温度為介於400°C與700°C之間。 153. 如申請專利範圍第145項所述之系統，進一步包含： 該溫度為介於400°C與700°C之間。 154. 如申請專利範圍第146項所述之系統，進一步包含： 75 1299505 該溫度為介於400°C與700°C之間 155. 如申請專利範圍第147項所述之系統， 該溫度為介於450°C與650°C之間 156. 如申請專利範圍第148項所述之系統， 5 該溫度為介於450°C與650°C之間 157. 如申請專利範圍第149項所述之系統， 該溫度為介於450°C與650°C之間 158. 如申請專利範圍第150項所述之系統， 該溫度為介於450°C與650°C之間 10 159.如申請專利範圍第151項所述之系統， 該溫度為介於450°C與650°C之間 160. 如申請專利範圍第152項所述之系統， 該溫度為介於450°C與650°C之間 161. 如申請專利範圍第153項所述之系統， 15 該溫度為介於450°C與650°C之間 162. 如申請專利範圍第154項所述之系統， 該溫度為介於450°C與650°C之間 進一步包含 ) 進一步包含 ， 進一步包含 進一步包含 進一步包含 進一步包含 進一步包含 進一步包含 76