TWI294126B - System and method for testing memory - Google Patents

Description

Ι294][^1Γ^--η 年月 日修正本 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 * 本發明係關於一種測試系統及方法，尤其係關於一種.記格 缺方法。 良 【先前技術】 °己隱體（包括SDRAM，DDR，Flash memory等易失性或择 易失性存儲器）於製造完成後需經過測試，以達到出貨品質需 求。 駕知之冗憶體測試方法一般係使用專用設備對記憶懸進 行測4 ’透過檢測讀寫過程中資料正確與否以判斷記憶體是否 苇包括有·對記憶體進行隨機位址測試；對記憶體進 行存儲列測試；對記憶體進行隨機區塊測試；對記憶體進行 刷新測試等。 上述記憶體測試方法之項目較為全面，適合於記憶體之實 —至則忒然，對於產品出貨測試而言，其不足之處主要在於： 由於記憶體在進行大規模生產時，其良品率财預估之變量， 亦即大多數記憶體之品質較有保障。此時大部分記憶體測試項 目非常基礎且簡單，測試任務之實現並不㈣，若再採用上述 方法則過於繁瑣，從而降低了測試效率。 【發明内容】 本發明之主要目 法，透過對記憶體進行 的在於提供一種記憶體蜊試系統及方 讀寫操作以確定記憶體是否達到出貨品 12941a -3~^ 年月 日修正本 質需求。 一種記憶體測試系統，包括一監控器、一驅動程式及一测試執行 裝置。監控器包括一命令行介面，驅動程式包括一命令行編輯_及一 命令翻澤器。命令行編輯器用於編輯複數測試命令及參數。命令行介 面用於接收該等測試命令及參數。命令翻譯器用於依該等測試命令及 參數調用對應之子程式。測試執行裝置用於依該等測試命令及參數以 複數種規格化比特序列填充該記憶體，並讀取該記憶體之内容，以檢 查該内谷是否為該比特序列，並根據檢查結果產生一測試結果。 一種記憶體測試方法，包括：提供一命令行介面、一命令行編輯 态、一命令翻譯器，以及一測試執行裝置；啟動命令行編輯器，以編 輯複數測試命令及參數；命令行介面依次接㈣等測試命令及參數； 〒令翻譯驗該_試命令及參數_對應之子程式；測試執行裝置 依該等測試命令及參數，以複數觀格化比特糊填充記憶體，以及 喝取德體之内谷’並檢查勒容是否為該比特賴；以及測試執行 裝置根據檢查結果產生一測試結果。 採用本發明之測試系統及方法，用簡單的讀寫操作即可夠 試記憶體之品質狀態，從而有效提高了測試速度。 【實施方式】 凊參閱第一圖，係本發明記憶體4〇測試系統之架構示意 圖。該系統包括：一監控器10、一驅動程式2〇以及一測試執 行裝置30。 監控器10包括一命令行介面，用於接收複數測試命令及 I29412^W^T本 翻譯 參數。驅動程式20包括一命令行編輯器201以及一命令 器202。印令行編輯器201用於編輯複數測試命令及參數，其中用 戶在使用監控器10之命令行介面之前需先行啟動該命令行編 輯器201，以控制其所輸入命令之最大允許長度為255個字 符。命令翻譯器202用於依該等測試命令及參數調用對應之子 程式。 驅動程式20還包括-錯誤標諸位2〇3以及一錯誤計數位 2〇4。錯誤標諸位2〇3用於在記憶體4〇在出現錯誤時進行掉 諸。錯誤計數位204用於統計被測試之記憶體4〇出現錯誤 數0 測試執行裝置30用於依該等測試命令及參數以複數種規格化 b、、序列填充記憶體40，並讀取記舰4()之内容，以檢查該内容是 否為該比特序列，並根據檢查結果產生一測試結果。 圖。請參閱第二圖’係本發明記憶體4G測試方法之流程示意 用戶在使用監控器10之命令行前，兩 on - X 而耳先啟動驅動裎式 〒々行編輯器201，以編輯複數測試命人 人八一入；分a社a扣 7及參數(步驟1〇〇) 0 〒令仃介面依次接收用戶輸入之該等 輸入之參數包括位址範圍及循環次數(步驟咖)卩7及參數’所 驅動程式20之命令翻譯器2〇2依 命令及參數調用對應之子程式（步驟3⑻）。戶輪人之該等測試 測試執行裝置30執行相關子程式 、。己憶體40進行測試 1294126 yi>. 1JL - 3 ---- 年月日修正本 (步驟400)。在本實施方式中，測試執行裝置3〇係依該等測試命 令及參數，以複數種規格化比特序列填充該記憶體，並讀取該記憶體 之内容，該等種規格化比特序列包括0x55aa55AA、0xAA55AA55、0 及 OxFFFFFFFF 〇 測試完成後測試執行裝置30透過驅動程式20將測試結果 返回到監控器10(步驟500)。在本實施方式中，測試執行裝置3〇 係藉由檢查該内容是否為該比特序列，並根據檢查結果產生一測試結 果0 請參閱第三圖，係第二圖中步驟4〇〇之細化流程圖。 本發明之實施方式中，測試執行裝置3〇以〇χ55ΑΑ55ΑΑ 填充§己憶體40(步驟4110)，寫入後讀取記憶體4〇，檢查其内 容是否為0Χ55ΑΑ55ΑΑ(步驟4120)，若否則將錯誤標誌位2〇3 置1(步驟4130)，進行下一步操作；若是則直接進行下一步操 作。 測試執行裝置30以〇χΑΑ55ΑΑ55填充記憶體4〇(步驟 4210)，寫入後讀取記憶體4〇，檢查其内容是否為 0xAA55AA55(步驟4220) ’若否則將錯誤標誌位2〇3置i(步驟 4230) ’進行下一步操作；若是則直接進行下一步操作。 測試執行裝置30以〇填充記憶體4〇(步驟431〇)，寫入後 讀取記憶體40’檢查其内容是否為〇(步驟432〇)，若否則將錯 誤標誌位203置ί(步驟4330) ’進行下一步操作；若是則直接 進行下一步操作。 1294126ΓψΓ^τ~~~ 平月日修正本 測試執行裝置30以OxFFFFFFFF填充記憶體40(步驟 441〇) ’寫入後讀取記憶體4〇，檢查其内容是否為 〇xFFFFFFFF(步驟4420)，若否則將錯誤標誌位203置1(·步驟 4430) ’進行下一步操作；若是則直接進行下一步操作。 測試執行裝置30檢查錯誤標誌位203是否為1(步驟 450)右為1則説明此次測試中存在錯誤，將錯誤計數位2〇4 加1，同時將錯誤標誌位203重新置〇(步驟460)，進行下一步 操作，右為〇則說明此次測試中未發現錯誤，直接進行下一步 操作。 測^執行|置3〇麟衫已達咖設之循環次數（步驟 470) ’若㈣跳轉至步驟伽錢執行上述測朗程。若是 則結束測試’將錯誤計數做為測試結果返回（步驟480)。 综上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申 〇月 X上所述者僅為本發明之較佳實施方式，舉凡孰朵本 案技藝之人士，在援依本案發_神所作之等效修飾或變1， 皆應包含於以下之申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第一圖係本發明記憶體測試系統之架構示意圖。 第二圖係本發明記憶體測試方法之流程示意圖。 第二圖係第二圖中步驟_之細化流程圖。 【主要元件符號說明】 監控器 10 1294]|2學1V3日修正本 驅動程式 20 命令行編輯器 201 命令翻譯器 202 錯誤標誌位 203 錯誤計數位 204 測試執行裝置 30 記憶體 40

Claims (1)

1. I294[W^ 十、申請專利範圍： 1· 一種記憶體測試系統，其包括： · 一監控器，包括一命令行介面，用於接收複數測試命令及參數； 一驅動程式，包括： 一命令行編輯器，用於編輯該等測試命令及參數；； 一命令翻譯器，用於依該等測試命令及參數調用對應之子程式；以 及 -測試執行裝置，驗依該_試命令及參數峨數魏格化比特 序列填充該記憶體，並讀取該記憶體之内容，以檢查該内容是否為 該比特序列，並根據檢查結果產生一測試結果。 2. 如申請專利範圍第！項所述之記憶體測試系統，其中該命令行編輯 器限定所輸入命令之最大允許長度為255個字符。 3. 如申請翻細第！項所述之記紐測财統，其巾動程式進 一步包括-錯誤標諸位’用於在該記憶體出現錯誤時進行標諸。 4. 如申請細請第3項所述之記鐘測試祕，其巾難動程式進 -步包括-錯誤計數位，用於統計該記憶體錯誤出現次數。 5· —種記憶體測試方法，包括·· 提供-命令行介面、—命令行編輯器、—命令翻譯器，以及一測試 執行裝置； 啟動該命令行轉11，以轉複數戦料及參數； 該命令行介面依次接收該等測試命令及參數； 該命令翻譯魏鱗測試命令及參數調麟應之子程式； 13 12941%11月3日修正本 該測試執行裝置依該等測試命令及參數，以複數種規格化比特序列 填充該記憶體，以及讀取該記憶體之内容，並檢查該内容是否為該 比特序列；以及 — 該測試執行裝置根據檢查結果產生一測試結果。 6·如申請專利範圍第5項所述之記憶體測試方法，其中該等參數包括 該記憶體之測試位址範圍及循環次數。 7·如申請專利範圍第6項所述之記憶體測試方法，其中該測試執行裝 置依該等測試命令及參數，以複數種規格化比特序列填充該記憶 體，以及讀取該記憶體之内容，並檢查該内容是否為該比特序列之 步驟包括： 以第一規格化比特序列填充該記憶體，寫入後讀取該記憶體檢查其 内谷是否為該比特序列，若否則將錯誤標誌位置1，進行下一步操 作，若是則直接進行下一步操作； 以第二規格化比特序列填充該記憶體，寫入後讀取該記憶體檢查其 内谷疋否為該比特序列，若否則將錯誤標誌位置i，進行下一 作，若是則直接進行下一步制乍； 、 ^二規格化比特糊填充記髓，寫人後讀取該記崎檢查其内 今疋否為該比特序列，若否則將錯誤標諸位置i，進行下一步操作， 若是則直接進行下一步操作； 、 、^:規格化比特序列填充該記憶體，寫入後讀取該記憶體檢查其 =是否為該比特序列’料則將錯誤標雜置i，柄下 作，若是則直接進行下一步操作； ^ 「年T日修正替 檢查錯誤標誌位， 重新置。，進行下一步操作則= 輪位加1 ’同時將錯誤祕 判斷是否已達到預_二，直接進行下-步操作；’ 特序列填充該記憶體，寫查右否則跳轉至「以第一規格化比 特庠列Μ ' ’’’ °Λ知憶體檢查其内容是否為該比 特序列’右否則將錯誤標諸位 遵仃下一步刼作，若是則直接 、丁下y操作」這-步骤’麵執行上制試過程；若是則結束 測試，將錯誤計數做為測試結果返回。 8·如申请專利範圍第7項所述之記憶體測試方法，其中所採用之規格 化比特序列包括：〇x55AA55AA、0xAA55AA55、0 及 OxFFFFFFFF。 -15- 1294釋3日修正本 十一、圖式：

   16 i29412聲1V3日修正本 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（一）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 監控器 10 驅動程式 20 命令行編輯器 201 命令翻譯器 202 錯誤標諸位 203 錯誤計數位 204 測試執行裝置 30 記憶體 40