TWI607455B - 記憶體資料檢測方法 - Google Patents

Description

記憶體資料檢測方法

本發明是有關於一種電子資料檢測方法，特別是指一種記憶體資料檢測方法。

常用於伺服器等電腦系統的儲存設備，如集束磁碟(Just a bunch of disks，JBOD)中，包含多個硬碟、一電連接伺服器及該等硬碟的擴充處理器(Expander)，及一電連接該擴充處理器的非揮發隨機存取記憶體(Non-volatile random access memory，NVRAM)，該擴充處理器支援串列附接式小型電腦介面(SAS)，且讀取該非揮發隨機存取記憶體所儲存的開機組態、映像檔等實體層設定資料，來執行開機初始化，或使伺服器電腦透過其存取該等硬碟的資料等。

然而，當該非揮發隨機存取記憶體的資料線(Data line)存在例如開路、短路故障，造成資料寫入不全、或是儲存的資料損毀時，會導致該擴充處理器功能無法正常執行，且使伺服器 無法存取該等硬碟等。因此，提供一種記憶體資料傳輸檢測方法就成為一個重要的課題。

因此，本發明之目的，即在提供一種記憶體資料檢測方法。

於是，本發明記憶體資料檢測方法，由一處理晶片執行，該處理晶片電連接一外部記憶體，且該記憶體資料檢測方法包含一步驟(A)、一步驟(B)、一步驟(C)、一步驟(D)、一步驟(E)、一步驟(G)，及一步驟(H)。

該步驟(A)是該處理晶片將一測試資料寫入該外部記憶體。

該步驟(B)是該處理晶片讀取該外部記憶體的測試資料，且檢測該測試資料是否正確。

該步驟(C)是若步驟(B)的檢測結果為不正確，則該處理晶片增加一重傳計數值。

該步驟(D)是該處理晶片判斷該重傳計數值是否大於一上限次數值。

該步驟(E)是若步驟(D)的判斷結果為否，則該處理晶片清除該外部記憶體的測試資料，並返回步驟(A)。

該步驟(G)是若步驟(B)的檢測結果為正確，則該處理晶片判斷該重傳計數值是否大於一下限次數值，且該下限次數值小於該上限次數值。

該步驟(H)是若步驟(G)的判斷結果為是，則該處理晶片記錄一錯誤訊息。

本發明之功效在於：藉由該處理晶片將該測試資料寫入該外部記憶體，並驗證該測試資料是否正確，並於該測試資料檢測為不正確時，累積該重傳計數值並重傳該測試資料，藉此實現對該外部記憶體的資料檢測。

1‧‧‧儲存設備

11‧‧‧處理晶片

111‧‧‧系統記憶體

112‧‧‧匯流排介面

113‧‧‧資料線

12‧‧‧外部記憶體

13‧‧‧警示單元

S1‧‧‧載入測試資料的步驟

S2‧‧‧清除重傳計數值的步驟

A‧‧‧寫入測試資料的步驟

B‧‧‧驗證測試資料步驟

C‧‧‧增加重傳計數值的步驟

D‧‧‧判斷重傳計數值的步驟

E‧‧‧清除測試資料的步驟

F‧‧‧警示步驟

G‧‧‧判斷重傳計數值的步驟

H‧‧‧記錄錯誤訊息的步驟

I‧‧‧清除測試資料的步驟

J‧‧‧等候預定時間的步驟

本發明之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一系統方塊圖，說明執行本發明記憶體資料檢測方法的一儲存設備；圖2是一流程圖，說明本發明記憶體資料檢測方法的一第一實施例；及圖3是一流程圖，說明本發明記憶體資料檢測方法的一第二實施例。

在本發明被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖1，本發明記憶體資料檢測方法，在如圖1所示的一儲存設備(Storage)1中實施，該儲存設備1例如應用於伺服器等電腦系統的集束磁碟(Just a bunch of disks，JBOD)，且包括一處理晶片11、一外部記憶體12，及一警示單元13。

該處理晶片11包括一預存一測試資料的系統記憶體111，及一用以傳輸該測試資料的匯流排介面112，且該處理晶片11記錄一重傳計數值，當該測試資料傳輸失敗時，該處理晶片11會重新傳送，並在此時累加該重傳次數值，來計算重傳的次數。詳言之，該處理晶片11為擴展處理器(Expander)，支援串列附接式小型電腦介面(SAS)的工業標準，並可與例如硬碟(圖未示出)電連接，以提供例如伺服器電腦存取硬碟的功能，及擴展伺服器電腦的儲存容量。另外，該匯流排介面112具有多條用以傳輸該測試資料的資料線(Data line)113，且每條資料線113可記錄1位元(bit)的資料。

該外部記憶體12電連接該處理晶片11的匯流排介面112，以經由該匯流排介面112的資料線113，來接收該測試資料。另外，該外部記憶體12用以儲存開機組態、映像檔等實體層設定資料，以供該處理晶片11讀取及寫入。該外部記憶體12可以例如非 揮發隨機存取記憶體(Non-volatile random access memory，NVRAM)、非揮發性靜態隨機存取記憶體(Non-volatile static random access memory，NVSRAM)、或快閃記憶體(Flash memory)來實施。

該警示單元13電連接該處理晶片11，能受該處理晶片11觸發而發出一警示，以通知使用者該外部記憶體12發生記憶功能異常，如資料線113故障等。該警示單元13例如為發光二極體。

參閱圖2，本發明記憶體資料檢測方法的一第一實施例，由該處理晶片11執行，以下詳細說明該第一實施例的各個步驟。

在步驟S1，該處理晶片11載入預存於該系統記憶體111的測試資料。

在步驟S2，該處理晶片11清除其所記錄的該重傳計數值。進一步說，該重傳計數值是自一下限次數值累積至一上限次數值，該下限次數值(例如0)小於該上限次數值(例如3)，且在此步驟中，該處理晶片11清除該重傳計數值成該下限次數值。

在步驟A中，該處理晶片11將該測試資料寫入該外部記憶體12。詳言之，該處理晶片11經由該匯流排介面112的資料線113，將該測試資料的各個位元(bit)資料記錄於該外部記憶體12中。

在步驟B中，該處理晶片11讀取該外部記憶體12的測試資料，且檢測該測試資料是否正確。若檢測結果為正確，即進到步驟H；若檢測結果為不正確，進到步驟C。於此步驟中，該處理晶片11比較於步驟S1所載入的該測試資料，是否相同於該外部記憶體12的測試資料，來判斷該測試資料是否正確。更詳細地說，該處理晶片11比較記錄於該系統記憶體111的測試資料的所有位元，與該匯流排介面112的資料線113上記錄的所有位元是否相同，如果其中有任何一個位元不同，則判斷該外部記憶體12記錄的測試資料不正確。

在步驟C中，若步驟B的檢測結果為不正確，則該處理晶片11增加該重傳計數值。在本實施例中，該處理晶片11將該重傳計數值增加1。

在步驟D中，該處理晶片11判斷該重傳計數值是否大於該上限次數值，例如判斷是否大於3次；若判斷結果為是，進到步驟F，若判斷結果為否，進到步驟E。

在步驟E中，該處理晶片11清除該外部記憶體12的測試資料，並返回步驟A，也就是說，該處理晶片重複將該測試資料寫入該外部記憶體12，並再次判斷該測試資料是否正確。

在步驟F中，當該處理晶片11判斷該重傳計數值大於該上限次數值，即觸發該警示單元13發出該警示，並接著進到步驟 H。該警示單元13例如顯示警示燈號，以通知使用者該外部記憶體12發生異常。

在步驟G中，該處理晶片11判斷該重傳次數值是否大於該下限次數值，例如判斷是否大於0次；若判斷結果為是，則進到步驟H，若判斷結果為否，直接進到步驟I。

在步驟H中，當該處理晶片11在步驟F判斷該重傳計數值大於該上限次數值，以及在步驟G中判斷該重傳計數值大於該下限次數值時，該處理晶片11記錄一錯誤訊息於一工作日誌(log)中，並接著進到步驟I。換言之，只要該處理晶片11增加該重傳計數值，或是該重傳計數值大於該上限次數值，該處理晶片11即記錄該錯誤訊息告知使用者。其中，該錯誤訊息即記錄資料線有錯誤的訊息，供使用者得知該外部記憶體12異常或有損毀的情形。

在步驟I中，該處理晶片11清除該外部記憶體12的測試資料，以供下次測試時能再次寫入。

在步驟J中，該處理晶片11等候一預定時間，並返回步驟S2。亦即，該處理晶片11間隔該預定時間，例如10分鐘之後，清除該重傳計數值，並重複執行所述資料檢測方法，以定期檢測該外部記憶體12的資料是否能正常寫入。

因此，本發明記憶體資料檢測方法，藉由每間隔該預定時間，寫入該測試資料至該外部記憶體12，以定期執行該外部記 憶體12的傳輸檢測，來確保該外部記憶體12能正常運作。並且，於該測試資料檢測為不正確，亦即該測試資料寫入失敗時，即重傳該測試資料，並且累積該重傳計數值。

此外，在本實施例中，該處理晶片11還根據該重傳計數值執行相對應的動作，以於執行傳輸檢測過程中有錯誤發生時，達到不同程度的提示作用：一、當該處理晶片11判斷該重傳計數值小於該下限次數值，即0次時，表示此時未有錯誤發生，該處理晶片11清除該外部記憶體12的測試資料，等候再次寫入測試；二、當該處理晶片11判斷該重傳計數值大於該下限次數值時，該處理晶片11會記錄該錯誤訊息於該工作日誌，因為實際而言，該等資料線113可能因為受到電氣訊號干擾、或是該處理晶片11發生資料寫入異常等程式異常的因素，導致該處理晶片11在寫入和驗證該外部記憶體12的測試資料時，發生重傳1次驗證失敗，但重傳2次驗證成功的情形，故只要增加該重傳計數值，該處理晶片11便記錄該錯誤訊息，以提醒使用者該等資料線113傳輸檢測時曾經有錯誤發生；三、當該處理晶片11判斷該重傳次數值大於該上限次數值，即3次時，表示該等資料線113發生異常或毀損的機率很高，因此該處理晶片11除了記錄該錯誤訊息外，更觸發該警示單元13發出該警示通知使用者，如此一來，便能根據不同的重傳次數值，分類不同層級的錯誤，並給予使用者不同程度的提示。

參閱圖3，本發明記憶體資料檢測方法的一第二實施例，與該第一實施例的差異在於：該步驟D能於步驟A及步驟B之間實施。也就是說，相較於該第一實施例，該處理晶片11在將該測試資料寫入該外部記憶體12之後，先判斷該重傳計數值是否大於該上限次數值，若判斷為是，即進到步驟F觸發該警示單元13發出該警示；若判斷為否，進到步驟C，將該重傳計數值增加1，並進到步驟E，清除該外部記憶體12的測試資料，且返回步驟A，即重傳該測試資料至該外部記憶體12，再次判斷該測試資料是否正確。如此，可增加本發明於實施上的彈性。

綜上所述，本發明記憶體資料檢測方法，藉由該處理晶片11定期檢測該外部記憶體12是否能正常執行資料寫入，並於發生異常時，除了重傳該測試資料至該外部記憶體12之外，該處理晶片11還根據該重傳計數值，執行相對應的動作，確保該外部記憶體12的正常運作，如此，該處理晶片11也能正確地讀取該外部記憶體12所儲存的開機組態、映像檔等實體層設定資料，來執行開機初始化，以確保例如伺服器電腦經由該處理晶片11能夠正確、穩定地存取硬碟，故確實能達成本發明之目的。

惟以上所述者，僅為本發明之實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，凡是依本發明申請專利範圍及專利說明 書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。

S1‧‧‧載入測試資料的步驟

S2‧‧‧清除重傳計數值的步驟

A‧‧‧寫入測試資料的步驟

B‧‧‧驗證測試資料步驟

C‧‧‧增加重傳計數值的步驟

D‧‧‧判斷重傳計數值的步驟

E‧‧‧清除測試資料的步驟

F‧‧‧警示步驟

G‧‧‧記錄錯誤訊息的步驟

H‧‧‧判斷重傳計數值的步驟

I‧‧‧清除測試資料的步驟

J‧‧‧等候預定時間的步驟

Claims (4)

1. 一種記憶體資料檢測方法，由一處理晶片執行，該處理晶片記錄一重傳計數值並電連接一外部記憶體及一警示單元，且該記憶體資料檢測方法包含：(S1)該處理晶片載入該測試資料；(S2)該處理晶片清除該重傳計數值；(A)該處理晶片將一測試資料寫入該外部記憶體；(B)該處理晶片讀取該外部記憶體的測試資料，來檢測寫入該外部記憶體的該測試資料是否正確；(C)若步驟(B)的檢測結果為不正確，則該處理晶片增加該重傳計數值；(D)該處理晶片判斷該重傳計數值是否大於一上限次數值；(E)若步驟(D)的判斷結果為否，則該處理晶片清除該外部記憶體的測試資料，並返回步驟(A)；(F)若步驟(D)的判斷結果為是，則該處理晶片觸發該警示單元以發出一警示，並進到步驟(H)；(G)若步驟(B)的檢測結果為正確，則該處理晶片判斷該重傳計數值是否大於一下限次數值，且該下限次數值小於該上限次數值；(H)若步驟(G)的判斷結果為是，則該處理晶片記錄一錯誤訊息；(I)若步驟(G)判斷的結果為否，則該處理晶片清除該外部記憶體的測試資料；及 (J)該處理晶片等候一預定時間，並返回步驟(S2)。
2. 如請求項1所述的記憶體資料檢測方法，在步驟(B)中，該處理晶片比較於步驟(S1)所載入的該測試資料，是否相同於該外部記憶體的測試資料，來判斷該測試資料是否正確。
3. 如請求項1所述的記憶體資料檢測方法，其中，該重傳計數值是自該下限次數值累積至該上限次數值，且在該步驟(S2)中，該處理晶片清除該重傳計數值成該下限次數值。
4. 一種記憶體資料檢測方法，由一處理晶片執行，該處理晶片電連接一外部記憶體，且該處理晶片記錄一重傳計數值，該記憶體資料檢測方法包含：(S2)該處理晶片清除該重傳計數值；(A)該處理晶片將一測試資料寫入該外部記憶體；(D)該處理晶片判斷該重傳計數值是否大於一上限次數值；(B)若步驟(D)判斷為否，則該處理晶片讀取該外部記憶體的測試資料，來檢測寫入該外部記憶體的該測試資料是否正確；(C)若步驟(B)的檢測結果為不正確，則該處理晶片增加該重傳計數值；及(E)該處理晶片清除該外部記憶體的測試資料，並返回步驟(A)。