TWI293237B - Method for manufacturing a substrate embedded with an electronic component and device from the same - Google Patents

Description

1293237 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於疊壓式電路基板（laminate(i circuit substrate)之製造技術，特別係有關於一種嵌埋有電子元件 之基板製造方法。 【先前技術】 習知之各式電子元件如被動元件係表面接合（SMT)於 一基板或一印刷電路板之上，但其佔用基板之接合面，且 其電性傳遞路徑甚長，如藉由錫膏、導腳、銲線等元件達 到電性導通。為避免發生上述缺點，一種習知作法係將被 動元件嵌入式製作於一基板中，其係使基板形成有槽穴、 電容膜及電阻膜，再將電容或電阻材料填入其槽穴，以在 基板内部形成被動元件，由於在基板内部所形成之被動元 件非標準化規格且無法先行測試，因此僅能在基板製造完 成後才能進行測試，並且基板厚度之誤差亦會影響嵌入式 被動元件之品質。相關的習知技術已揭露於本國專利證號 第231020號「内嵌被動元件之半導體封裝基板及其製作 方法」。 ,美國專利公告2005/0i22698號所揭示之技術為，將已 製備之被動元件與晶片嵌埋於一模組板（m〇dule 幻之 孔穴内，並以增層（build-up)方式形成一介電填充物質 (chelectric filiing material)，以覆蓋被動元件與晶片。被 動70件/晶片與該模組板之線路層之電性連接方式則利用 微孔結構（micro vias)，然微孔結構之深度變化及製程誤差 1293237 甚大，當以一介電物質覆蓋該些被動元件之電極端與該晶 片之銲墊之後，要製作能位在正確位置與各式深度之微孔 有其困難度。尤其是，該些被動元件之電極端與該晶片之 銲塾係位在不同之高度而非共平面，因此所需形成之微孔 深度皆不相同，偌形成之微孔深度太淺則無法顯露出該些 被動元件之電極端與該晶片之銲墊，或是微孔深度太深而 會損傷該些被動元件與該晶片。 【發明内容】 本發明之主要目的係在於提供一種後埋有電子元件 之基板製造方法及其構造，其係將具有容置穴之至少兩核 心板相互疊壓結合，並使一電子元件設置於該些核心板之 容置穴内。在疊壓步驟後，係能預先估算在其中一核心板 之一外層金屬層與該電子元件之對應電極端之間距，之後 可藉由鑽孔方式形成適當深度之複數個盲孔，以準確地顯 露該電子元件之複數個電極端，其係可避免因鑽孔深度過 深而導致損傷該電子元件或因鑽孔深度過淺而導致電性 連接失敗。此外’所製造之基板係具有容易組配製作、良 好互連可靠性、封裝密度之增進、以及電性功能之改善（例 如内部電性互連之效能增進以及串音效應之降低）。 本發明之次一目的係在於提供一種嵌埋有電子元件 之基板製造方法及其構造，其中每一核心板之容 不超過該電子元件之厚声-八々 厚度—刀之—，以利在兩相鄰核心板 之間形成一適當厚度之介雷椒供 ^ 槪 X之介電樹知，以有效電性隔絕兩相鄰 核心板之内層金屬層，且不會導致盲孔過深。 6 1293237 本發月之再目的係在於提供一種嵌埋有電子元件 之基板製造方法及其構造，其中該些盲孔係用以顯露該電 +元件之電極端，且其深度係概略相等，因此有利於以雷 射鑽孔方式形成該些盲孔。 本發月之另目的係在於提供一種嵌埋有電子元件 之基板製造方法及其構造，其中被疊壓在複數個核心板内 部之該電子元件係為表面接合型被動元件（smd以" • Passive comP〇nent)，特別是選用 0402、0603、0805、1〇〇5、 1206之規格品被動元件，故不需要在基板内部自行製作被 動元件導致品質不一致的問題。 本發明之另一目的係在於提供一種嵌埋有電子元件 之基板製造方法及其構造，其中用以相互疊壓結合之該些 核心板係為覆銅箔板（copper Clad laminated，ccl)，以利 容易取得並降低製造成本。 依據本發明，一種嵌埋有電子元件之基板製造方法主 • 要包含以下步驟：提供一電子元件，其係具有複數個電極 端，提供一第一核心板以及一第二核心板，其中該第一核 - 心板係具有一第一外層金屬層以及一第一容置穴，該第二 - 核心板係具有一第二外層金屬層以及一第二容置穴；以疊 壓（lamination)方式結合該第一核心板與該第二核心板，其 中該電子元件係設置於該第一容置穴與該第二容置穴 内；以鑽孔方式在該第一核心板形成複數個盲孔，以顯露 該些電極端；最後，經由該些盲孔電性連接該些電極端與 該第一外層金屬層。 1293237 【實施方式】 在本發明之-具體實施例中，冑卜種 件之基板製造方法，其說明如下。 首先，如第iA圖所示，提供一第一核心板ι〇，其中 該第一核心板1〇係具有一第一外層金屬層u，該第外 層金屬層u係形成於該第一核心板1〇之一核心絕緣層η 之-表面。該核心絕㈣12係可為玻璃纖維含浸樹脂或 是聚醯亞胺等絕緣材質。在本實施例中，該第一核心板1〇 係為-覆銅箱板（C〇pper clad laminated，CCL) 造印刷電路板所能大量取得之物。σσ， 、’^ π 0口具有谷易取得並能降 低製造成本之優點。該第一核心板10係可為雙面覆銅猪 板’其另具有—第—内層金屬層13,該第-内層金屬層 13係形成於該核心絕緣層12之另一表面。其中該第一外 層金屬層u與該第一内層金屬層13係可為銅箱。 之後，請參閱第1Β圖，可圖案化該第一外層金屬層 卜其係可藉由-曝光顯影工程(或稱黃光製程)與一蝕刻 ::、，使得該第一外層金屬I Π具有線路結構，以供訊 :遞。上述圖案化步驟可於提供上述第一核心板1〇之 ^驟中—併進打’或是在後續的叠壓（lamination)步驟之後 '此外1^第-内層金屬層13亦可被圖案化而具有 垃路結構或通孔結構。當該第-内層金制^係作為一 :層或一電源層_，則具有通孔結構即可。之後，請參 閱第ic®’進行一挖槽(routing)步驟，以使該第一核心 扳10具有一第 置八14，該第一容置穴14之開口係朝 8 1293237 向。亥第一内層金屬層13。在本實施例中，該第一容置穴 14係為非貫通的凹陷槽，其係可利用一機械鑽孔或雷射灼 燒方式形成。請參閱第1D圖，在該第一容置穴14内可形 成有一黏著劑15，用以黏著一電子元件30(如第2B圖所 不）°此外，另提供有一第二核心板2〇，除了線路的細部 型態不同之外，其大致相同於該第一核心板10 ^如第2A 斤丁 該第一核心板20係具有一第二外層金屬層21以 | 及一第二容置穴24。該第二外層金屬層21係形成於該第 一核心板20之一核心絕緣層22之其中一表面。在本實施 例中’該第一核心板20亦可為一雙面覆銅箔板，一第二 内層金屬層23係形成於該核心絕緣層22之另一表面。該 第二容置穴24之開口係朝向該第二内層金屬層23。 再如第2A及2B圖所示，一電子元件3〇係具有複數 個電極端3 1，該電子元件30係為預先製備之被動元件或 是半導體晶片。在本實施例中，該電子元件3〇係為表面 _ 接合型被動元件（SMD type passive component)，可選自於 020卜 0402、0603、0805、1〇〇5、1206 之規袼品被動元件。 故該電子元件3 0係具有大量取得、低成本且標準化規袼 之優點，而不需要在基板製程中於基板内部自行製作。之 後，以疊壓（lamination)方式結合該第一核心板1〇與該第 二核心板20，並且將該電子元件30設置於該第一容置穴 14與該第二容置穴24内。較佳地，例如表面接合型被動 元件之該電子元件30係橫向設置於該第一容置穴I#與談 第二容置穴24之間，以降低疊壓後基板之厚度。由於^ 9 1293237 本實施例中，該第一核心板ίο與該第二核心板2〇均為雙 面覆鋼箔板，故應在該第一核心板1 〇與該第二核心板20 之間係形成有一適當厚度之介電樹脂40，以避免該第一核 心板10之該第一内層金屬層13與該第二核心板20之該 第二内層金屬層23發生電性短路。較佳地，該第一容置 八丨4之深度與該第二容置穴24之深度均不超過該電子元 件30之厚度二分之一，以利該適當厚度之介電樹脂4〇形 成’且不會導致後續形成盲孔過深。 之後’如第2B圖所示，可進行一鑽孔步驟，以形成 至）一貫通孔5 1，其係貫穿該第一核心板i 〇與該第二核 心板20。 接著，如第2C圖所示，在該第一核心板1〇形成複數 個盲孔60，以顯露該些電極端3丨。該些盲孔6〇係可藉由 雷射鑽孔方式形成。利用叠壓時該電子元件30容置於該 第一核心板10之該第一容置穴14與該第二核心板2〇之 該第二容置穴24，該第一核心板1〇之外表面至該第一容 置穴14底部之間的厚度可有效界定，故形成於該一核心 板10之該些盲孔6〇之深度係為概略相等，以確實顯露該 電子兀件30之該些電極端31而不會在鑽孔時損傷該電子 元件3 0。 之後如第2D圖所示，運用電鍍或濺鍍之技術形成 一金属層61於該些盲孔6〇内，以電性連接該些電極端31 與該第外層金屬層11。較佳地，在上述電性連接步驟 中’可同時形成另一金屬層52於該貫通孔51之孔内壁， 1293237 以構成一鍍通孔 50(Plated Through Hole，PTH)。 接著，如第2E圖所示，可形成一銲罩層7〇(solder mask) 於該已圖案化之第一外層金屬層11與該第一核心板10之 核心絕緣層12上，此外並可形成另一銲罩層70於該已圖 案化之第二外層金屬層21與該第二核心板20之核心絕緣 層22上。通常該些銲罩層7〇係設有開口以顯露該第一外 層金屬層11與該第二外層金屬層21。之後，可形成一鎳 金鍍層80於該第一外層金屬層u與該第二外層金屬層21 之顯露表面。 因此’依據本發明之嵌埋有電子元件之基板製造方 法’所提供之該第一核心板10、該第二核心板20及該電 子元件30、均可大量且規格化大量且低成本取得，利用多 核心板之疊壓時嵌埋該電子元件3〇，可預先估算在該第一 核心板10之該第一外層金屬層1]L與該電子元件3〇之對 應該些電極端31之間距，以利藉由鑽孔方式形成適當深 度之該些盲孔60，故能準確顯露該電子元件3〇之該些電 極3 1不會有鑽孔過深而損傷該電子元件3 0以及鑽孔 過久而發生電性連接失敗。此外，所製造之基板係具有容 易組配製作、良好互連可靠性、封裝密度之增進、以及電 f生功此之改善，例如内部電性互連之效能增進以及串音效 應之降低。 本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定 者為準’任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範 1293237 圍。 •【圖式簡單說明】 A圖·依據本發明之一具體實施例，所提供之一第一 - 核心板之截面示意圖β 第 1 δ JSI · j % lb. . •依據本發明之一具體實施例，該第一核心板於 其金屬層圖案化之後之截面示意圖。 第ic圖：依據本發明之一具體實施例，該第一核心板於 _ 形成第一容置穴之後之截面示意圖。 圖·依據本發明之一具體實施例，該第一核心板於 形成黏著劑於第一容置穴内之後之截面示意 圖。 第2A圖：依據本發明之一具體實施例，該第一核心板與 一第二核心板於疊壓過程之截面示意圖。 第2B圖·依據本發明之一具體實施例，在疊壓後所形成 之基板於形成貫通孔之後之截面示意圖。 Φ 第2C圖：依據本發明之一具體實施例，該基板於形成盲 孔後之截面示意圖。 - 第2D圖：依據本發明之一具體實施例，該基板於電鍍金 ， 屬形成於盲孔與貫通孔之後之截面示意圖。 第2E圖··依據本發明之一具體實施例，該基板於形成一 銲罩層與一鎳金鍍層後之截面示意圖。 【主要元件符號說明】 10第一核心板 11第一外層金屬層 12核心絕緣層 13第一内層金屬層 12 1293237 14 第 一容 置 穴 15 黏著劑 20 第 二核 心 板 21 第二外層 金屬 層 22 核 心絕 緣 層 23 第二内層 金屬 層 24 第 二容 置 穴 30 電 子元件 31 電極端 40 介電 樹脂 50 鍍 通孔 51 貫通孔 52 金屬 層 60 盲 孔 61 金屬層 70 銲 罩層 80 鎳金鍍層 13

Claims (1)

1293237 、申請專利範: 、一種嵌埋有電子元件之基板製造方法，包含·· 提供一電子元件，其係具有複數個電極端； 提供一第一核心板以及一第二核心板，其中該第一核 心板係具有一第一外層金屬層以及一第一容置穴，該 第二核心板係具有一第二外層金屬層以及一第二容 置穴； 以疊壓（lamination)方式結合該第一核心板與該第二 核心板，其&該電子元件係設置於該第一容置穴與該 第二容置穴内； 以鑽孔方式^該第一核心板形成複數個盲孔，以顯露 該些電極端；以及 經由該些盲孔電性連接該些電極端與該第一外層金 屬層。 2、 如申請專利_圍第1項所述之嵌埋有電子元件之基板 製造方法，^中該第一容置穴之深度與該第二容置穴 之深度均不^過該電子元件之厚度二分之一。 3、 如申請專利_圍第1項所述之嵌埋有電子元件之基板 4 製造方法，_中該些盲孔之深度係概略相等。 如申請專利，k圍第1項所述之後埋有電子元件之基板 製造方法，其中該些盲孔係以雷射鑽孔方式形成。 如申請專利範圍第i項所述之喪埋有電子元件之基板 裝k方法’其中該第一核心板與該第二核心板係為覆 銅箔板（copper clad laminated，CCL)。 14 5 1293237 6、 如申請專利範圍第5項所述之嵌埋有電子元件之基板 製造方法，其中該第-核心板與該第二核心板件為雙 面覆銅箔板，且在該第一核心板與該第二核心板之間 形成有一介電樹脂。 7、 如申請專利範圍第1項所述之嵌埋有電子元件之基板 製造方法，其中該電子元件係為表面接合型被動元件 (SMD type passive component) 〇 8、 如申請專利範圍第7項所述之嵌埋有電子元件 製造方法，其中該表面接合型被動元件橫向設置於該 第一容置穴與該第二容置穴之間。 9、 如申請專利範圍第7項所述之嵌埋有電子元件之基板 製造方法’其中該電子元件係選自於〇2〇1、〇術、 〇603、_5、咖、m6之規格品被動元件。 1〇、如申請專利範圍第1項所述之嵌埋有電子元件之基板 製造方法’其中該電子元件係為半導體晶片。 11、 如申請專利範圍第！項所述之嵌埋有電子元件之基板 製造方法，其另包含有：形成有至少-鍍通孔（plated Th:，hHole，PTH)，以貫穿該第一核心板與該第二 核心板。 12、 如申請專利範圍第i項 製造方法…電子元件之基板 1方法，其另包含有：圖案化該第一外層金屬層。 13、 如申請專利範圍帛12項所述之嵌 板m、土 ^ κ篏埋有電子7G件之基 法，其另包含有：形成-銲軍層於該已圖案 化之第一外層金屬層上。 15 1293237 一介電樹脂。 20、 如申請專利範圍第15項所述之嵌埋有電子元件之基 板，其中該電子元件係為表面接合型被動元件（SMD type passive component) ° 21、 如申睛專利範圍第2〇項所述之嵌埋有電子元件之基 板’其中該表面接合型被動元件橫向設置於該第一容 置穴與該第二容置穴之間。 22、 如申請專利範圍第20項所述之嵌埋有電子元件之基 板’其中該電子元件係選自於〇2〇1、〇4〇2、〇6〇3、 0805、1005、12〇6之規袼品被動元件。 23、 如申請專利範圍第15項所述之嵌埋有電子元件之基 板，其中該電子元件係為半導體晶片。 24如申巧專利範圍第J 5項所述之嵌埋有電子元件之基 板，其另包含有至少一鍍通孔（piated Thr〇ugh H〇le， PTH)，其係貫穿該第一核心板與該第二核心板。 25如申凊專利範圍第15項所述之嵌埋有電子元件之基 板，其中該第一外層金屬層係為圖案化，且一銲罩層 係形成於該已圖案化之第一外層金。 %、如中請專利範圍第25項所述之嵌埋有電子元件之基 板其另包含有一鎳金鍍層，其係形成於該已圖案化 之第一外層金屬層之顯露表面。 17