TWI285922B - Dual-tank etch method for oxide thickness control - Google Patents

Description

1285922 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於_種用來蝕刻半導體晶圓基材上之氮 化夕層及氧化矽層之濕蝕刻製程，特別是有關於一種雙槽式 蝕刻法，其係於分開之槽體内蝕刻氮化矽層及氧化矽層，以 便於將塾氧化層精確㈣至狹窄之目標厚度範圍内。 【先前技術】 ^各種固態元件之製造需要使用平面基板或半導體晶 □ 乂於其上製造積體電路。在積體電路製程結束時，晶圓 ^ =功能性之積體電路的最終數量或良率（Yield)對半導體 f造業者而言是極為重要的，而且半導體製造的主要目標就 疋支日加日日圓上電路之良率。在封裝後，即測試晶圓上之電 =，不具功能性之晶粒係利用點墨製程（Inking卜⑽以。加以 ，而曰曰圓上具功此性之晶粒就分別出來並出售。積體電 路製造者藉由開發量產以增加晶圓晶粒的良率。在直徑6 寸至12寸之單一晶圓上可形成超過1 〇〇〇個晶粒。 此在半導體晶圓上製造積體電路會用到各種處理步驟。這 :步驟包括在矽晶圓基材上依序沉積導體層及絕緣層；利用 帖準黃光或微影技術，以預設金屬内連線圖案之形式，形成 例如氧化鈦或氧化矽之光阻或其他光罩；對晶圓基材進行乾 蝕刻製程，以自一或多個導體層之光罩未覆蓋的區域去除材 π藉以於基材上钱刻出具有光罩圖案形式之一或多個導體 層；-般利用反應性電漿及氯氣，自基材去除或剝離光罩 1285922 層’藉此暴露出導體内連、 加水及氮氣以冷卻並乾燥晶i基材基材施 化多理步驟係於晶圓上累積形成並圖案 山 9 、緣層以形成電路。其他技術，例如雙重金 屬鑲嵌製程，也用於形成溪辦入* 、 隔之導線或各層之間的電性接：曰：二：立電路中垂直分 M3 Ί的電性接觸。完成的半導體產品包括微 !子：件，：此些微電子元件包括電晶體、電容器及電阻 益、、係於早一晶圓之每個晶粒上形成積體電路。 在半導體產業中’互補式金氧半導體（c〇mpieme吻

MetaHlde Semic〇nduct〇r ; CM〇s)技術已廣泛用於製造積 體電路7L件。CMOS技術一般涉及使用多個半導體材料 層’其中底層為介電層而上層為經摻雜之石夕材料層，且經推 雜之矽材料層作為低電阻接觸閘極。閘極亦稱為堆疊閘 (Gate Stack) ’ 一般位於介電層上。 在半導體製造業中，經常利帛氧化石夕（Si〇2)之絕緣性質 而作為閘氧北物或閘介電質。隨著基材上元件電路的尺寸愈 來愈小，場效電晶體之閘介電質的厚度必須成比例縮減至約 3奈米（Nanometer ; nm)至3.5nm。因此，元件效能及可信度 會受到下列因素而有不利的影響，例如閘介電質中的界面缺 P曰（Interfacial Defects)、缺陷前驅物及摻質擴散，同時閘氧 化層之厚度於中間及周邊區域會有非預期的變化。 在半導體技術中通常製造兩種類型的CMOS元件結 構’包括金氧半導體電容器（Metal 〇xide semiconduetof Capacitor ; MOSCAP)結構及金氧半導體場效電晶體（Metal 1285922

Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ; MOSFET)結 構。這兩種結構包括於基材上沉積具有高介電常數（k)之介 電層，例如墊氧化層。含矽閘極或堆疊閘則沉積於介電層上 並連接一對溝渠氧化層（以MOSCAP結構為例），或者連接 • 源極及汲極區（以MOSFET結構為例）。 _ 第1圖係以複晶矽閘20為例，此複晶矽閘20係形成於 半導體晶圓基材1 0上的元件3 0之源極1 6與沒極1 8之間。 淺溝渠隔離（Shallow Trench Isolation ; STI)結構32包括填 滿溝渠氧化物14之淺溝渠12，且此淺溝渠隔離結構32將 晶圓基材1 〇之元件彼此分開。一般由鎳或鈷所組成之複晶 矽金屬矽化物（Polysilicon Silicide)或複晶矽金屬 (Polycide)22，係沉澱於複晶矽閘2〇上，而絕緣層28則沉 積於複晶矽金屬22上。源極金屬矽化物24係沉積於源極 16上，而汲極金屬矽化物26則沉積於汲極1 8上。 如第2圖所示，之製造淺溝渠隔離結構32之製造係先 /儿積墊氧化層4 2於石夕基材4 0上，接著沉積氮化石夕層4 4於 墊氧化層42上。一或多個溝渠38係蝕刻穿過氮化矽層44 及墊氧化層42並達基材40中。然後，襯氧化層46係沉積 於一或多個溝渠38之側壁52及底部54。在襯氧化層緻密 化步驟後，每個溝渠38係以溝渠氧化物48填滿，隨後進行 化學機械平坦化（Chemical Mechanic^ PUnwiMtion ; CMP) 溝渠氧化物48上方之氧化I 5〇。在化學機械平坦化步驟 時，氮化矽層44作為研磨終止材料以防止過度研磨淺溝汽 隔離結構3 6。 , 1285922 在後續氮化㈣刻步驟中，接著自下方之墊氧化層42 姓刻或剝離氮切層44。-般係藉由將晶圓基材4g浸泡於 =工作台式（Wet Beneh)槽體中達成，其中濕工作台式槽體 3有熱磷酸（η3Ρ〇4)。在後續塾氧化層㈣步驟中，塾氧化 層42係蝕刻至預設目標厚度。 氮化石夕钱刻步驟及墊氧化層餘刻步驟一般於含有熱填 酸^同—濕工作台式槽體内進行。在氮化耗刻#驟時會產 ^乳切，氧切為反應副產物4會累積於濕卫作台式槽 -内目此’當-批連續晶圓進行處理時，槽體内累積之氧 化石夕的量會隨著此批次之處理數目（RunNumber)而增加。槽 體内之氧切的程度最後會達到飽和點（i2〇ppm)。 〃與白知在同-濕工作台式钱刻槽内絲刻氮化石夕層及塾 ::層之方法相關的問題之就是墊氧化層之钱刻速率與 =體内氧切沉澱物的量或濃度並不直接成正比例。由於槽 :内氧化石夕的量係隨著製程處理數目的增加而增加，在較高 =理數目範圍之晶圓墊氧化層不能㈣至預設目標厚度。因 二二須正常限制處理序列之處理數目，以達到精確控制墊 乳化層之厚度。 然而，由於在處理序列中晶圓之墊氧化層之厚度變化可 二40埃（一般係介於約7〇埃至約ιι〇埃），因此在處理序 】中^處理數目設下限制會有極限。再者，槽體内快速 之乳化石夕沉殿物容易附著於晶圓表面。這會使晶圓上已製进 ^件表面引起缺陷。因此，例如在半導體 、，》構^亟吊如i、一種自墊氧化層蝕刻氫化 1285922 刻墊氧化層至預設目標厚度 上減少由氧化物蝕刻介質中 沉澱物。 之新穎方法，以同時排除或實 之氧化矽沉澱物形成之氧化 質 石夕 【發明内容】 口此，本發明的目的之一就是一 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 設目標厚度之新穎方法。 種料乳化層至預 本發明的另-目的則是提供—種自墊氧化層上 化矽層並蝕刻墊氧化層至預設目標厚度之新穎方法。 "本發明的又一目的則是提供-種在分開的處理槽内自

墊乳:匕層上剝離氮化矽層並蝕刻墊氧化層至預設目標厚度 之新賴方法。 X 本發明的再-目的則是提供一種能達成塾氧化層厚度 至約5埃之目標厚度以内的新穎方法。 本發明的又另一目的則是提供一種避免或實質上減少 處理槽内累積氧化矽沉澱物之新穎方法，其中此處理槽内係 進行蝕刻墊氧化層至一預設目標厚度。 "’、 本發明的又再一目的則是提供一種新穎之雙槽式蝕刻 法，其係適用於必須自墊氧化層上剝離氮化矽層並蝕刻墊氧 化層至預設目標厚度之任何製程，且此製程包括但不限於製 造淺溝渠隔離結構。 本發明的更另一目的則是提供一種之新穎方法新穎之 雙槽式敍刻法，其係排除或實質上減少由蝕刻劑介質中之氧 化矽沉澱物引起晶圓缺陷之形成。 1285922 根據上述及其他目的及優點，本發明大體上係針對一種 新穎之雙槽式㈣法，其係適用於自基材上之塾氧化層上剝 離氮切層，並㈣墊氧化層至預設目標厚度。此方法包括 提供第4理槽’其中第_處理槽含有剝離氮化矽的化學 …將上述基材置於第_處理槽内’以自塾氧化層上剝離氮 化矽層’提供第二處理槽，其中第二處理槽含有蝕刻氧化物 的化于。口，以及將上述基材置於第二處理槽内，以蝕刻墊氧 化層至上述預設目標厚度。藉由在分開的處理槽内進行塾氧 化物餘刻步驟及氮化石夕剝離步驟，可避免於第二處理 積氧化矽沉澱物。 ’、 • i"由開始决疋氧化層之蝕刻速率，例如利用測試用晶 、e ( lot Wafer)或多個晶圓，然後按此調整同一批次之每一 間Γ曰曰圓之蝕刻時間’可決定氧化物蝕刻步驟所需之製程時 另種方式，經由建立氧化物餘刻速率與晶圓之批次麥 、目關曲線，亦可決定製程時間。 〜 【實施方式】 介届本發明可有效地將氮化⑦層由墊氧化層之上剝離，墊氧 化：層的下方，並梅 的淺、、冓、二：刀開丰導體晶圓基材上相鄰之積體電路元件 結；：：離結構之製程。儘管此處可參照上述淺溝渠隔離 中，杏^可以理解的是，本發明同時可應用於半導體製程 墊氧化層位於氮切層的下方，且必須將氮化石夕層由 θ之上剝離並蝕刻此墊氧化層至預設目標厚度之任 1285922 之厚度，或多個測試用晶圓之每一者，以分 層钱刻特定量的氧化物所需之一姓刻時間或二墊氧化 =及，將從塾氧化層㈣氧化物之厚度除以二時 =二層之敍刻速率。然後’從堅氧化層去 物二 大尽度除以計算所得之_速率，即決^處 勿之最 產晶圓批次中，# n士叫从Λ J 在一生 人千處理蚪間係用於此些連續晶圓之每__ 續將=化層從-餘刻前厚度触刻至一目標厚度者上後 少量氧化石夕沉殿物會隨著時間緩慢累積 之液態蝕刻劑中。迻此^ 、、弟一處理槽 刻速率。每個：圓：： 殿物微粒容易抑制氧化物餘 =母個9日0 “化層經㈣之厚度的分析_ 曰餘刻速率係隨著批次中每個連續處理數目而、 麼為了使上述晶圓之塾氧化層之了 ’那 …晶圓批次中每個剩餘晶圓上更為:近::此 時間。 4 f軋化層之處理 另-種方式，可藉由先建立氧化物敍刻速 之處理數目相關的相關曲線，決 。，、日日®批二人 所需之處理時間。將去卜& 、 x 日日圓的墊氧化層 τ]將去除虱化物之最大厚度 :氧化層厚度與目標厚度之間的差距 ：數 應…速率’即計算出每個處理數目之處理時間之:對 母個汁异出之處理時間係用以蝕 ^ 數目相對應之氧化層。 夕個連，曰日0之處理 請參閱第3圖，J：将翻- 淺溝竿隔離-構5/ 方法即將準備進行製造 也溝』離，、、。構58。此淺溝渠隔 之基材60上提供-或多個之溝渠…其中基材=: 12 1285922 背面氮化矽層6卜基材60上依序提供墊氧化層64，例如二 乳化石夕（si〇2)，以及氮化石夕層66。概氧化層68係沿著每個 溝^ 62之側邊及底部之表φ 63。溝^氧化物74填滿每個 溝木62。溝渠形成步驟可利用習知微影及蝕刻技術進行。 =者，根據此技術領域中任何具有通常知識者之知識，溝渠 冰度、角度及轉角方位可依特定應用而加以調整。 可利用低壓化學氣相沉積（Low七essure ehemical

DeP〇siti()n ; LpcVD)法以擴散方式，或利用化學氣相 儿積系統以溥膜方式，沉積溝渠氧化物74於溝渠Μ内。在 選擇性回火後步驟之後，進行化學機械平坦化步驟。正如此 标貝域中任何具有通常知識者皆知的，在化學機械平坦化 時溝*氧化物74係進行化學機械平坦化以去除多餘之 ,物並平坦化溝渠氧化4勿74。在化學機械平坦化過程中， 氮化矽層66作為研磨終止層以防止位於下 60上之元件特徵受到傷害。 於基材 、，，明參閱第4圖及第5A圖至第5C圖，其係繪 在溝渠氧化物74之化學機械平坦化後，本發明方法^ 二：驟之餘刻製程。如第5Α圖所示，在化學機械平二： 之後’淺溝渠隔離結構58包括基材6〇± 及墊氧化® ^ L64 S 64上之氮化矽層66。背面氮化矽層61 — 留在基材60背面。 叙 在本發明 墊氧化層64。 在本發明之第 之第一步驟中，將氮化矽層66剝離其下方之 同時，背面氮化矽層61自基材6〇背面剝離。 二步驟中，將墊氧化層64由蝕刻前厚度6八第 13 1285922 5C圖），而目標厚度65與 5埃為較佳。 5B圖）向下姓刻至目標厚 -刻前厚…差距以不超 化物的化學品80供庫源之………j離氮 二：化…剝離其下方之塾氧化層“，： Γ〇切層Η自晶圓基材60背面剝離。剝離氮化物的化學品 80以磷酸（Η3Ρ〇4)為較佳。磷酸在第-處理槽78之濃Γ 般為約86%。在氮化石夕剝離步驟時，剝 ς 口 8〇 一般係維持於約16(^之溫度。 效的化予口口 隹罘一羼理槽 ， /…/娜岍萬之慝理時間 係基於剝離氮化矽層66之厚产以及氣外坊 ^ θ 子度以及虱化矽之蝕刻速率。也 就疋剝離氮化秒層6 6夕& 層6之厗度（早位為埃）除以氮化矽之蝕刻 雜：(早位為埃’分鐘)。$個數值換算成秒即獲得氮化矽剝 /驟之處理時間（單位為秒）。處理時間以包括观之過链 /(Over-Etch)為較佳’藉此確保完全將氮化石夕層μ自位於 其下方之墊氧化層64之上剝離。 舉例而言’假設在彻中將氮切層66之氮化石夕自位 於其下方之墊氧㈣64之上剝離的蝕刻速率為60埃/分 f ’就相當於1埃/秒之㈣速率。假設剝離氮化碎層Μ之 厚度為1 6GG埃’則要去除氮化#層66所需之處理時間為 1600秒。處理時間若再包括·之過㈣，最後所得之處 理時間應為2400秒（即1600秒叫5=24〇〇秒）。 在完成氮化矽剝離步驟後，將基材6〇移離第一處理槽 78。剝離氮化物的化學品8〇在氮化矽剝離步驟時最終以二 14 1285922 ，化石夕（Si〇2)飽和。在第：步驟中，基材6G係置於濕工作 台式之第二處理槽82内，其中墊氧化層64由第5B圖所示 之蝕刻刖厚度67蝕刻至第5C圖所示之目標厚度。第二 處理槽82含有氧化物液態蝕刻劑84之供應源。氧化物液態 j刻劑84以鱗酸（Hew)為較佳。磷酸在第二處理槽82之 漢度-般為約86%。在氧化物㈣步驟中，氧化物液態姓 刻劑84 一般係維持於約160°C之溫度。 "氧化物蝕刻步驟之處理時間係基於從墊氧化層64蝕刻 之氧化物的最大厚度以及氧化物蝕刻速率。也就是從墊氧化 層64剝。離之氧化物的最大厚度(單位為埃)除以氧化物之蝕 刻速率（早位為埃/分鐘）。這個數值換算成秒即獲得以化物 蝕刻步驟之處理時間（單位為秒）。 κ舉例而言，假設在磷酸中從墊氧化層64蝕刻氧化物之 氧化^蝕刻速率為2埃/分鐘。墊氧化層M之蝕刻前厚度 67，設為例如100埃。倘若從墊氧化層64蝕刻氧化物之最 大厚度為5埃’而目標厚度65不超過％埃，那麼從墊氧化 層64去除氧化物所需之處理時間勢必不超過2.5分鐘（即5 、、 $)這個數值經轉換後為1 5 〇秒（2 · 5 X 6 0秒=1 5 〇秒）。 正如第4圖所示，在氧化物蝕刻步驟之後，於晶圓生產 批次之多個連續晶圓中，可測量每片晶圓上的墊氧化層64 最〜尽度（第5C圖）並與墊氧化層64之目標厚度65(第5C 圖）比較。倘若上述比較顯示墊氧化層64之蝕刻速率隨著隨 著批次中每個連續處理數目而減少（此乃因第二處理槽Μ 内累積氧化矽沉澱物），那麼為了使上述晶圓之墊氧化層64 15 1285922 之目標厚度65更為接近，可按此 餘晶圓上之蝕刻墊氧化； 日日0批次中每個剩 J 1乳化層64之處理時間。 如上述所強調，一私制Ω . L , r 試用曰mm , ]用-批収用晶圓，其中此批測 :曰固具有與多個測試用晶圓相對應之編號，可建立氧化 述半”日日51批次之每一處理數目相關的相關 未繪示）。將從生產曰圓μ々勒" 和旧相關曲線（圖 仗生產日日圓上之墊氧化層去除氧化 度除以與處理數目相對應之蝕刻速率，即可-曾屮—子 數目之處理時間。之後，每個计曾:」了5十异出母個處理 便母個汁异出之處理時間係田，、；Μ亡丨 與多個連續晶圓之處理數目相對應之氧化層。’、 Χ， =圖係顯示根據本發明方法之典型製程步驟序列。在 厂巾，將晶圓置於第一處理槽内’其中第一處理 剝離氮切的化學品’例如磷酸。在步驟2中，氮切j 剝離自其下方之晶圓的墊氧化層。同時，背面氮化自 晶圓基材背面剝離。在步驟3中’將晶圓移離第一處^ 在：驟4中，將晶圓置於第二處理槽内，其中第二處理槽曰含 有氧化物液態蝕刻劑，例如磷酸。在步驟5中，墊氧化層〜 蝕刻前厚度蝕刻至一預設目標厚度。在步驟6中，將晶== 離第二處理槽。在步驟7中，測量墊氧化層之蝕刻後：度工 與目標厚度比較。在步驟8中’根據蝕刻後厚度與目度 之差距，調整生產晶圓批次中每個連續晶圓之處理時間:二 必要可補償增加之氧化物姓刻速率。 雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非 以限定本發明，惟此技術領域中任何具有通常知識者，在用 脫離本發明之精神和範圍内，當可對本發明作各種 不 <更動與 16 1285922 潤飾，因此本發 定者為準。 明之保護範圍 當視後附之申^ τ %專利範圍所界 L圆环簡單說明】 第1圖為基材上已製造半、曾一 疋件(圖未繪示)之間係以淺溝：:：件之剖面圖，其中相鄰 第2圖為習知淺C離結構分開，· 久/再木隔離結槿 弟3圖為實施本發明方法準備進二=圖，· 離結構之剖面圖； τ ^造部分淺溝渠隔 第4圖為實施本發明方法之第 的示意圖； 免理槽及第二處理槽 第/A圖至第5C圖為第3圖之淺溝渠隔離結構之剖面 圖其係繪不根據本發明方法依序自墊氧化層剝離氮化矽層 並蝕刻墊氧化層至預設目標厚度；以及 第6圖為根據本發明方法簡述連續製程步驟之流程圖。 【主要元件符號說明】 1 :將晶圓置於第一處理槽内之步驟 2 :剝離氮化矽層之步驟 3 ·將晶圓移離第一處理槽之步驟 4 :將晶圓置於第二處理槽内之步驟 5 :蝕刻墊氧化層之步驟 6 :將晶圓移離第二處理槽之步驟 7 :測量墊氧化層之蝕刻後厚度之步驟 1285922 8 :調整墊氧化層蝕刻步驟之處理時間之步驟

80 ··剝離氮化物的化學品 82 : 10 :基材 14 ··溝渠氧化物 1 8 :汲極 22 _複晶砍金屬 26 ··汲極金屬矽化物 30 :元件 36 :淺溝渠隔離結構 40 :基材 44 :氮化矽層 48 :溝渠氧化物 52 :側壁 58 :淺溝渠隔離結構 6 1 :背面氮化矽層 63 :表面 65 :目標厚度 67 :蝕刻前厚度 7 4 :溝渠氧化物 84 ··氧化物液態姓刻劑 12 :淺溝渠 1 6 :源極 20 :複晶矽閘 24 :源極金屬矽化物 28 :絕緣層 32 :淺溝渠隔離結構 38 :溝渠 42 :墊氧化層 46 :襯氧化層 50 :氧化層 54 :底部 60 :基材 62 :溝渠 64 :氧化層 6 6 :氮化石夕層 68 :襯氧化層 78 ··第一處理槽 第二處理槽 18

Claims (1)

1285922 十、申請專利範圍 1. 一種控制氧化層厚度之方法，至少包含： 提供-基材，其中該基材具有_氧化層以及位於該氧化 層上之一氮化層； 提供一第一确^酸，直中續裳 r/么 /- 八Τ Θ弟~磷酸係以氧化物飽和； 提供一第二填酸；

藉由將該基材浸於該第一磷酸中，以將該氮化層自該氧 化層之上剝離； 將該基材移離該第一磷酸；以及 ▲藉由將肖基材浸於該第二磷酸中i 一處s時間，以蝕刻 該氧化層至一目標厚度。 X 、申請專利範圍帛1心斤述之控制氧化層厚度之方 法，更至少包含·· 測量該氧化層之一餘刻後厚度； 比較該蝕刻後厚度以及該目標厚度；以及 當該姓刻後厚度大於肖目標厚度時，延長該處理時間。 3· —種控制氧化層厚度之方法，至少包含： 提供-基材批次之複數個基材，其中每一該#基材具有 一氧化層以及一氮化層； 提供一氮化物剝離化學品，其中該氮化物剝離化學品係 以氧化物飽和； 19 1285922 提供一氧化物蝕刻劑，其中該氧化物蝕刻劑係與該氮化 物剝離化學品分開； 藉由將該些基材浸於該氮化物剝離化學品中，以將該氮 化層自該氧化層之上剝離； 將該些基材移離該氮化物剝離化學品； 藉由將該些基材浸於該氧化物蝕刻劑中至一處理時 間，以蝕刻該氧化層至一目標厚度； 測量每一該些基材上該氧化層之一蝕刻後厚度； 比較該蝕刻後厚度以及該目標厚度；以及 ▲當該蝕刻後厚度大於該目標厚度時，延長該基材批次之 該些基材剩餘之連續各者之該處理時間。 4·如申請專利範圍第3項所述之控制氧化層厚度之方 去，其中該氮化物剝離化學品至少包含鱗酸。 5·如申請專利範圍第3項所述之控制氧化層厚度之方 法’其中該氧化物蝕刻劑至少包含磷酸。 、6·如申請專利範圍第5項所述之控制氧化層厚度之方 法’其中該氮化物剝離化學品至少包含磷酸。 、7·如申請專利範圍第3項所述之控制氧化層厚度之方 法，更至少包含： & 些連續各者之複數 提供一相關曲線，其中該些基材之該 20 1285922 個蝕刻速率係分別相關於該基材批次之該些基材之該些連 續各者之複數個批次號；以及 分別根據該些蝕刻速率，分別調整該些基材之該些連續 各者之該處理時間，以使該些基材之該些連續各者之該蝕刻 後厚度分別達成該目標厚度。 、8· Η請專利範圍帛7項所述之控制氧化層厚度之方 法’其中該氮化物剝離化學品至少包含磷酸。 9·如申請專利範圍第7項所述之控制氧化層厚度之方 去’其中該氧化物钱刻劑至少包含碟酸。 10·如申請專利範圍第9項所述之控制氧化層厚度之方 法’其中該氮化物剝離化學品至少包含磷酸。 11 · 一種避免氧化矽沉澱物引起處理槽内之基材表面 缺陷之方法，至少包含： 提供一基材，其中該基材具有一氧化層以及位於該氧化 層上之一氮化層； 於一第一處理槽内提供一氮化物剝離化學品，其中t亥氣 化物剝離化學品係以氧化物飽和； 於一第二處理槽内提供一氧化物蝕刻劑； 藉由將該基材浸於該氮化物剝離化學品中，以將該氮化 層自該氧化層之上剝離； 21 1285922 將該基材移離該第一處理槽；以及 藉由將該些基材浸於該氧化物蝕刻劑中至_處理時 間，以蝕刻該氧化層至一目標厚度。 12.如申請專利範圍第丨丨項所述之避免氧化石夕沉殿物 引起處理槽内之基材表面缺陷之方法’其中該氮化物剝離化

學品至少包含填酸。 13 ·如申請專利範圍第 引起處理槽内之基材表面缺 至少包含填酸。 11項所述之避免氧化石夕沉殿物 陷之方法’其中該氧化物蝕刻劑 14.如申請專利範圍第13項所述之避 引起處理槽内之基材表面缺陷之方 b石夕沉殿物 乃忒更至少包合· 測量該氧化層之一蝕刻後厚度； · 比較該蝕刻後厚度以及該目標厚度；以及 當該蝕刻後厚度大於該目標厚度時，延 焚該處理時間。 22