TWI284253B - Lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Lithographic apparatus and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI284253B
TWI284253B TW093117224A TW93117224A TWI284253B TW I284253 B TWI284253 B TW I284253B TW 093117224 A TW093117224 A TW 093117224A TW 93117224 A TW93117224 A TW 93117224A TW I284253 B TWI284253 B TW I284253B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
correction signal
exposure system
measuring
correction
Prior art date
Application number
TW093117224A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200510958A (en
Inventor
Evert Hendrik Jan Draaijer
Martinus Agnes Willem Cuijpers
Menno Fien
Marcus Joseph Elisabe Breukers
Martijn Houkes
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200510958A publication Critical patent/TW200510958A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI284253B publication Critical patent/TWI284253B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

1284253 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 量測系統之微影 本發明係關於一種包含一曝光系統及一 投影設備,該曝光系統包含: -一用以提供一輻射投影射束之輻射系統; --用以支持圖案化構件之支持結構,該圖案化構件用於 根據所需圖案而圖案化該投影射束,· -一用以固定一第一基板之基板台; _ 一用以將該圖案化射束投影至該第一基板之一目標部分 上的投影系統,該投影系統包含用以控制至該第一基板之 目標位置上的投影之投影控制構件;及 -第一控制構件,其用以移動該曝光系統之一活動零件以 使該圖案化射束相對於該第一基板是可移動的, 該量測系統包含: 光干畺測裝置,其用以將一量測射束投影至一第二基 板之一目標部分上並用以量測該第二基板之目標部分的^ 面特性; -一用以固定該第二基板之第二基板台;及 -第二控制構件,其用以移動該量測系統之一活動零件以 使該量測射束相對於該第二基板是可移動的。 進一步,本發明係關於一種裝置製造方法,其包含以下 步驟: k供一至少部分覆蓋有一層輻射敏感材料之第一基板; -提供一使用一輻射系統之輻射投影射束; 93803.doc 1284253 •使用圖案化構件以在該投影射束截面内賦予其一圖案; 且 -將該圖案化輻射射束投影至該層輻射敏感材料之一目標 部分上; 相對於該第一基板移動該圖案化射束; -提供一第二基板; -將一量測射束投影至該第二基板之一目標部分上並量測 该第二基板之目標部分的表面特性; -相對於該第二基板移動該量測射束。 【先前技術】 此處採用之術語”圖案化構件”應廣泛地認為指的是可用 以賦予一入射之輻射射束一對應於基板之一目標部分中待 建立之圖案的圖案化截面的構件;本文中亦可使用術語”光 閥"。通常,該圖案對應於在目標部分中待建立之裝置内的 一特定功能層,諸如一積體電路或其它裝置(見下文)。該等 圖案化構件之實例包括: -一光罩。光罩之概念在微影技術中已為吾人熟知且其包 括如二進位交互相移及衰減式相移之光罩類型以及各種混 合光罩類型。根據光罩上之圖案,在輻射射束中置放此光 罩使得照射在光罩上的輻射根據光罩上之圖案選擇性透射 (在透射光罩之情況下)或反射(在反射光罩之情況下)。在光 罩之情況下,支持結構通常為一光罩台,其保證光罩可固 定於入射輻射射束中一所需位置處,且若需要該光罩可相 對於射束移勢; 93803.doc 1284253 可私式化鏡面陣列。此裝置之一實例為具有一黏彈 性控制層及一反射表面之矩陣可定址表面。支持此設備之 基本原則為(例如)反射表面之定址區域將入射光反射為繞 射光’而非定址區域將入射光反射為非繞射光。使用一適 田的慮光器’可將該非繞射光自反射射束濾去,僅留下繞 射光;以此方式’該射束根據矩陣可定址表面之定址圖案 而成為圖案化的。可程式化鏡面陣列之一替代實施例採用 微小鏡面之矩陣排列,藉由施加一適當的區域化電場或藉 由採用壓電致動構件可使每一鏡面單獨對於一軸傾斜。再 一次,該等鏡面為矩陣可定址的以使定址鏡面將一入射輻 射射束以不同方向反射至非定址鏡面;以此方式,根據矩 陣可定址鏡面之定址圖案而使反射射束圖案化了。可使用 適田的電子構件執行所需之矩陣定址。在上述兩種情形 中圖木化構件可包含一或多個可程式化鏡面陣列。此處 引用之關於鏡面陣列的更多資訊可(例如)自美國專利US 5,296,891及仍 5,523,193及PCT專利中請案wo 98/38597及 W〇 98/33_進行收集,該等專利以引用的方式倂人本文。 在一可程式化鏡面陣列之情況下,該支持結構可具體化為 框架或台(例如),JL可妒嬙命* & 為 八根據扁要為固定的或活動的;及 一可程式化LCD陣列。該構造之—實例在美國專利us 5,22M72中給出,該專利以引用的方式倂人本文。如上, π結構可具體化為框架或台(例如)’其可根據 而要為固疋的或活動的。 為間早起見,本文1躲邮八 餘°卩刀可在特定位置特別地指向涉 93803.doc 1284253 及光罩或光罩台之實例;然而,應在如本文上述之圖案化 構件的廣泛情形巾瞭解該等情形巾所討論之-般原則。 微影投影設備可用於(例如)製造積體電路(ICs)。在此情 況下,圖案化構件可產生對應於1(:之一單獨層的電路圖案 且此圖案可成像於已塗佈有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)之 2板(矽晶圓)上的一目標部分(如包含一或多個晶粒)上。通 常,單個晶圓將含有藉由投影系統一次一個連續照射之相 姊目祆部分的整個網路。在當前設備中,採用藉由光罩臺 上之光罩的圖案化,能在兩種不同類型機器之間作出區 別。在一種類型之微影投影設備中,藉由一次性將整個光 罩圖案曝光於目標部分上而照射每一目標部分;該設備通 蓽稱之為晶圓步進機或步進重複設備。在一替代設備(通常 %之為步進掃描設備)中,藉由以一給定參考方向C,掃描,, 方向)在投影射束下逐漸掃描光罩圖案同時同步地平行於 或反平行於此方向掃描基板台而照射每一目標部分;因 為,通常該投影系統具有一放大係數Μ(通常 <丨),所以掃描 基板台之速度V將為係數]V[乘以掃描光罩台之速度。關於此 處描述之微影裝置的資訊可自(例如)US 6,046,792進行收 集’該案以引用的方式倂入本文。 在使用微影投影設備之製造過程中,一圖案(如,在一光 罩中)成像於至少部分覆蓋有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)之 基板上。在此成像步驟之前,基板可經歷各種程序,諸如 上底漆、抗餘劑塗佈及軟烘焙。在曝光之後,基板可經過 其它程序,缚如後曝光烘焙(PEB)、顯影、硬烘焙(hard bake) 93803.doc 1284253 及成像特徵之量測/檢查。此批程序用作圖案化一裝置之一 早獨層(例如,iC)的基礎。隨後該圖案化層可經歷各種處 理,諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械 研磨專所有過程皆意欲完成一單獨層。若需要若干層, 則必須對每一新層重複整個程序或其之變化。最後,在基 板(晶圓)上將呈現一批裝置。接著藉由諸如切塊或鋸之技術 使此等没備相互分離,由此該等單獨的裝置可安裝於載體 上、連接至引腳等。關於該等處理之進一步的資訊可(例如) 自 Peter van Zant 之”Micr〇chip Fabricati〇n: a practical
Guide to Semiconductor· Processing”,第三版,McGraw Hm 出版公司1997年出版、lSBN0-07_067250_4的書中獲得,該 書以引用的方式倂入本文。 為簡單起見,在後文中可將投影系統稱為”透鏡";然而, 此術語應廣泛解釋為涵蓋各種類型之投影系統,例如,包 括折射光學系統、反射光學系統及反射折射混合系統。輻 射系統亦可包括根據引導、成形或控制輻射投影射束之任 何設計類型而運作的組件,且該等組件亦可在下文中共同 地或單獨地稱為”透鏡’’。此外,微影設備可為具有二或多 個基板台(及/或二或多個光罩台)之類型。在此等”多平臺,, 咸置中’可並行使用額外台或者在一或多個臺上執行預備 步驟同時一或多個其它台用於曝光。雙平臺微影設備描述 於(例如)US 5,969,441及W0 98/40791中,該等案皆以引用 的方式倂入本文。 一與上述已知微影投影設備及裝置製造方法相關之問題 93803.doc •10- 1284253 在於夏測系統之活動零件的移動將影響曝光系統之活動零 件的位置且反之亦然。因為通常所需圖案之解析度非常高 且因此對微影設備之準確度要求非常嚴格,小干擾即可引 起微影設備之準確度惡化且/或引起該設備之生產良率的 惡化。 【發明内容】 本發明之一目標為改良微影設備及裝置製造方法之準確 度。 根據本發明在開始段落中指定之微影設備中達成了此目 標及其它目標,其特徵在於該設備進一步包含修正確定構 件,其用以確定修正訊號以至少部分修正曝光系統及量測 系統其中之一的活動零件之位置的誤差,該誤差由曝光系 統及量測系統其中之另一個的活動零件之移動引起;及饋 入構件’其用以將修正訊號饋入第一或第二控制構件中以 至少部分修正曝光系統及量測系統的該其中之一的位置。 該微影投影設備包含一量測系統及一曝光系統,每一系統 具有一用於相對於個別基板移動個別射束之活動零件。本 發明者已發現一活動零件之位置的誤差是由於另一個活動 零件之移動引起的,此係由於另一個活動零件之移動引起 的空氣位移導致的。根據本發明,藉由確定一修正訊號並 將修正訊號饋入至控制該一活動零件(意即,受干擾的活動 零件)之位置的控制構件中來修正或至少部分修正空氣位 移導致的誤差。 第一及第二控制構件可包含專用硬體,如一類比電子控 93803.doc -11 - 1284253 制糸統,然而亦可能一或兩個該 I# , # ^ 寻徑制構件程式化為軟 體其糟由諸如專用於此功能之微處+ 杆山士 傲處理态的處理構件來執 仃或精由亦在該設備中執行一或 處理構件來執行。 h個其它功能之該設備的 、曝,系統之活動零件可(例如)為投影系統或其零件、用 以固疋第一基板之基板台 u八匕週當的零件,以使當 移動活動零件時,投影於篦_ 又〜於¥基板之-部分上的圖案化射 束移動至第一基板之另一部分。 Θ 類似地’ $測系統中之活 動零件可包含第二基板台或光學量測裝置(之一部分)或任 2其它Μ ’以使當移動活動零件時,量測射束投影於上 方之弟二基板的目標部分相對於基板而發生位移。 光學量測裝置有利地用於量測第二基板之表面特性(如 t面度),量測射束投影至第二基板端在第二基板之目標部 分上運作。 有可能確定一修正訊號以至少部分修正曝光系統之活動 零件的位置’該誤差由光學量測系統之活動零件的移動引 2,然而,亦有可能藉由修正訊號來修正或至少部分修正 量測系統之活動零件之位置的誤差,該誤差由曝光系統之 活動零件的移動引起。當然,亦可能同時、連續或交互施 加兩個修正。 應瞭解曝光系統及/或量測系統之活動零件可包含個別 的單個活動零件,’然而有可能-或兩個該等活動零件中每 一個包含兩個或兩個以上活動子零件,每—子零件以相同 或不同(如相反)方向移動。 93803.doc -12· 1284253 同時,應瞭解該誤差不僅可由設備運作之中的空氣或其 它大氣或氣體之位移引起,而且替代地或額外地可由傳送 干擾之任何其它原因(如機械振動等)引起。 饋入構件可(例如)包含一訊號以命令轉換器將修正訊號 轉換成修正命令(force),然而饋入構件亦可包含諸如類比 或數位加法器(addition)、減法器(subtraction)等之任何其它 適當的構件以在設備中將該修正訊號與任何其它適當的訊 號組合起來。 有利地,修正確定構件被調適成自一或兩個該等活動零 件之狀態(如機械狀態、位置、移動等或其任何組合)來確定 修正訊號。 有利地,修正確定構件被調適成自曝光系統及量測系統 其中之另一個之活動零件的資訊(較佳為加速度)以及量測 系統之活動零件與曝光系統之活動零件之間的距離來計算 修正訊號。本發明者已發現當該等零件之間的距離增加時 對由量㈣系統及曝光系、统其中之另一個的活_件之移動 引起的量測系統及曝光系、统的該丨中之一的$動零件的影 響減少’而且干擾,i因此誤差是與活動零件之加速度有 關的。藉由此有利實施例可確定干擾之良好估計且因此可 確定修正訊號之適當的值。 有利地,該資訊包含加速度,該加速度藉由包含於第一 或第二構件(包含於曝光系統及量測系統中之另—個中)中 之加速度偵測器而提供且其中距離自曝光系統與量測系統 之活動零件的個別位置而計算出’個別位置藉由包含於曝 93803.doc -13- 1284253 :系統及量測系統中之個別位置谓測器而提供。因此,該 設備中僅需少量或不需額外硬體’此係因為來自已出現於 系、充令之彳貞測②的加速度資訊及位置資訊可用於計算修正 訊號。 有利地,X軸及y軸定義於曝光系統及量測系統之活動零 件為可移動的平面中,修正確定構件被調適成自資訊之X #成刀來確定一 χ修正訊號以修正沿X轴的曝光系統及 f測系統其中之-的活動零件之位置的誤差,且調適成自 、貝^之y轴組成部分來確^ — y修正訊號以修正沿y轴的曝 光系統及量測系統其中之一的活動零件之位置的誤差。活 動零件中之另—個在—特定方向的移動將導致在相同方向 上之空氣位移引起的誤差,該誤差因此可加以修正。 C*Accr 7 有利地,控制構件被調適成使用下列公式計算修正訊號:
F 其中1^,7為分別在X及y方向之修正訊號,c為一常數, 為分別在方向之加速度,且〜為曝光系統與量測系統} 之活動零件之間的距離。常數c#x方向及乂方向之修正可為 相同的,但是亦可能對常數C應用不同的值。 有利地,修正確定構件被調適成自資訊之y軸組成部分來 確定一X至y修正訊號以修正沿叉軸的曝光系統及 其中之一的活動零件之位置的誤差,且調適成自資訊之X 軸組成部分來確定一ysx修正訊號以修正沿y軸的曝光系 統及量測系統其中之一的活動零件之位置的誤差。以此方 93803.doc •14- 1284253 式’可達成更準確之修正,且同樣地一個活動零件在1或乂 方向的移動亦將導致另一個活動零件在另一(因此為y或X) 方向的修正。 有利地,控制構件被調適成使用下列公式計算X至y或y 至X修正訊號: F 一 气y X toy, y to χ--— ^ y 其中Fx t。y,y t。X分別為x至y及y至X修正訊號,C為一常數, 八“”為分別在乂及丫方向之加速度,Dx為χ方向之曝光系統 與量測系統之活動零件之間的距離,且Dy為y方向之曝光系 統與量測系統之活動零件之間的距離。同樣在此情形中, 常數C對χ至y及7至\修正可具有不同值,然而其亦可對此等 兩個修正具有相同值,且常數C之值可與用於計算Fx,y修正 訊號的常數C之值相同或不同。 該設備可包含一用以延遲該或每一修正訊號之延遲器 (delay) ’以使能考慮到由於應用於控制構件中之數位處理 而引起的延遲。 有利地’饋入構件被調適成在一封閉迴路反饋控制迴路 中之一調整器的輸出處對一控制訊號(如一命令訊號)增加 该或每一修正訊號。因為控制之輸出連接至用於移位活動 令件之疋位裝置的控制輸入,所以在控制迴路中與干擾亦 起作用之處最相似的一處增加該修正訊號,因此引起對該 誤差之良好補償。 根據本發明之方法的特徵在於下列步驟:確定一修正訊 93803.doc -15- 1284253 5虎以至乂、一为修正圖案化射束及量測射束其中之一相對於 個別的第一及第二基板其中之一的位置的誤差,該誤差由 用以相對於第一及第二基板其中之另一個而移動圖案化 射束及量測射束其中之另一個的一裝置之移動引起;且藉 由修正訊號來修正圖案化射束及量測射束的該其中之一相 對於個別的第一或第二基板之位置。 熟悉此項技術者將明瞭根據本發明之上述關於設備之有 利實施例亦可應用於根據本發明之方法中。 /艮據本發明之補償不僅可用於補償由於量測系統及曝光 系統其中之另一個的活動零件之移動引起的誤差,而且可 用於補償由該設備之任何其它活動零件引起的干擾。 雖然本文中特別提及在製造ICs中使用根據本發明之設 備’但應清楚瞭解該設備具有多個其它可能的應用。例如, 其可用於製造積體光學系統、對磁嘴記憶體之指導及镇測 圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟悉此項技術者應理 解在該等替代制之情财,本文中術語"主光罩"、"晶圓" 或’,晶粒"之任何使用應視為可分別被更通常之術語"光 罩"、"基板’’及’’目標部分"替換。 在本I明中,術,吾輻射”及”射束"用於涵蓋所用類型之電 磁輻射,包括紫外(uv)輻射(例如,波長為365、248、193、 =或mnm)及極端紫外(EUV)輕射(例如,波長在5_2〇· 粑圍内)與粒子射束’如離子射束或電子射束。 現在將參看所附不意圖僅以示例方式描述本發明之實施 例,圖式中對應的參考符號指示對應的零件,且其中: 93803.doc -16- 1284253 【實施方式】 如圖1中描繪之微影投影設備包含一曝光系統2及一量測 系統3。曝光系統2包含一輻射系統4,如一用於產生一放射 微粒(radion)投影射束5之光源;及一稜鏡(或其它偏轉構 件)4a ; —用於圖案化構件6a(如一主光罩)之支持結構;一 用以固定第一基板8之基板台7;及一用於將圖案化射束投 影至第二基板13之一目標部分上的投影系統9。光學量測裝 置可(例如)包含一輻射系統11a、一投影系統llb及進一步之 元件(未展示)以由於量測射束12在第二基板13之目標部分 上的投影藉由反射、幾何變換、吸收、繞射或任何其它物 理現象來量測第二基板13之目標部分的表面特性。量測系 統2進一步包含一用以固定第二基板13之第二基板台丨斗及 第二控制構件15,該控制構件用以移動量測系統2之至少一 個零件以使量測射束在基板13上是可移動的。曝光系統2 曝光第一基板之目標部分且因此將圖案化構件以提供之圖 案投影至第一基板8上。在此實施例中,基板台7在第一控 制構件10之控制下移動以使圖案化射束相對於第一基板8 移動,從而提供掃描第一基板且曝光第一基板之每一所需 部分的可能性。與曝光系統2之活動零件(此實例中活動零 件為基板8)的移動同時進行的是量測系統3量測表面特 性,如第二基板13之平面度。因為將量測第二基板之一相 關部分的表面特性,所以如上所述藉由相對於彼此移動第 二基板13及修正射束12來完成量測射束12相對於第二基板 13之掃描移動。 93803.doc -17- 1284253 藉由微影投影設備1可同時執行曝光第一基板8及量測第 一基板1例如该等基板為半導體晶圓)。每一活動零件,此 實例中為基板台7及基板台14是藉由控制個別基板台7、工4 之位置的個別控制構件1 〇、1 5加以控制的。每一控制構件 10、15與個別位置偵測構件7a、14a(諸如位置感測器、加 速度感測器等)形成封閉迴路控制電路。下文中將更詳細解 釋第一及第二控制構件之結構。該系統進一步包含用以確 定一修正訊號之修正確定構件16。將修正序號自饋入構件 1 7饋入至第一控制構件丨〇中。向修正確定構件丨6提供關於 第一及第二基板台之位置的位置資訊,位置資訊由第一及 第二基板台7及14之個別位置感測器7&及14a提供。計算確 疋構件自感應器7a及14a提供之資訊計算修正訊號。修正訊 號為干擾提供修正且因此為由量測系統3之活動零件(此實 例中為活動基板台14)引起的曝光系統之位置誤差提供修 正。由於活動零件之移動,在圍繞該等個別活動零件之空 氣中產生了壓力波,該等壓力波易於在其它系統(此實例中 為曝光系統2)中引起干擾。儘管該空氣位移引起之誤差可 能乍一看絕對項很小且為奈米或微米之數量級,但因為通 常投影設備1之準確度要求很高,所以該誤差可能在其影響 之系統中導致一顯著誤差。此實施例中之修正確定構件16 自篁測系統(意即,第二台14)之活動零件的加速度及個別活 動零件(意即,此實例中之第一與第二基板台7與14)之間的 距離計异修正訊號。因此,此實例中,感測器14&包含一用 以量測基板台14之加速度的加速感測器及用以偵測第二基 93803.doc -18· 1284253 板台14之位置的位置感測器。此實例中之感測器〜至少包 含用以偵測第一基板台7之位置的位置感測器。因此,兩個 基板台7與14之位置以及第二基板台14之加速度提供給修 正確定構件。自第一及第二基板台7及14之位置修正確定構 件1 6计异出此等基板台之間的距離,該距離用於計算修正 訊號。在此實例中,使用下列公式計算修正訊號:
FzzC^A〇c D2 其中F為修正訊號,c為常數,Acc為加速度且d為曝光系統 與量測系統之活動零件之間的距離。在此實例中,曝光系 、、先之/舌動令件的位置得以修正,從而Au為另一活動零件之 加速度,即為量測系統之活動零件。 圖2a及圖2b鬲度示意性地展示了量測系統之活動零件 100及曝光系統之活動零件101的俯視圖。圖2a及圖2b亦展 示了包含X軸及y軸之座標系統β χ軸及y軸定義於活動零件 10=101為可移動的平面中。當活動零件⑽按箭頭丄嶋指 不私動%,空氣位移將引起對第二活動零件101以虛線箭頭 购指示之方向作用的干擾。根據本發明,藉由修正確定 構件16計算—至少部分抵消干擾1GU之影響的修正訊號。 在所述之實施财,對此計算使用下列公式:
F X,y D\y 其中Fx,y為分別在x及y方向之修正訊號,c為一常數,Acc” 為分別在X及y方向之加速度,且Dxy為曝光系統與量測系統 93803.doc -19- 1284253 之活動零件之間的距離。 在圖2b中,活動零件100之位移(其由1〇〇a示意性地指示) 引起影響活動零件101之周圍空氣中的壓力波且引起箭頭 101a及101b所指示之干擾。箭頭101a所指示之干擾為y軸方 向的干擾,而箭頭101b所指示之干擾為又軸方向的干擾。因 此,y軸方向之位移100a引起了活動零件1〇1在\轴方向及7 轴方向的干擾。在此實例中,此係由於活動零件1⑼及丨〇 1 在X軸方向之偏移引起的,然而亦可能是由於任何其它原因 引起的,如周圍之幾何情形等。修正確定構件被調適成計 异包含用以至少部分補償y方向之干擾丨〇丨a的組成部分及 用以至少部分補償X軸方向之干擾1〇 lb的組成部分之修正 訊號。在此實施例中,使用下列公式計算修正訊號之個別 組成部分: F — C*A*〜
X to y, y to X ^ y 其中FX t。y,y t。χ分別為&至y及丫至χ之修正訊號,C為一常數, Accx,y為分別在x&y方向之加速度,Dx為X方向之曝光系統 與量測系統之活動零件之間的距離,且!^為y方向之曝光系 統及量測系統之活動零件之間的距離。因此Fx t。y表示由於 另一活動零件在X方向之移動引起的在y方向的修正且反之 亦然。在圖2b中指示了距離Dx及Dy。因此,當如圖2a中所 示X方向之距離Dx為零時,X至y及y至X之補償計算將引起具 有值為零的修正,同時距離Dx越大(與圖2a比較之圖2b),X 至y及/或y至X補償訊號將越大。 93803.doc -20- 1284253 圖3展示包含如圖1中所描繪之第一控制構件丨〇的封閉迴 路控制迴路的更加詳細之示意性表示圖。第一控制構件包 含一具有兩個輸入的調整器2〇〇。調整器2〇〇之第一輸入連 接至一提供設定點之設定點訊號s,意即一表示活動零件之 一所需位置的訊號。調整器200之另一輸入連接至一感測器 201,諸如偵測活動零件202之位置或加速度的位置感測器 或加速度感測器。該活動零件(其中僅展示一高度示意性描 繪部分)藉由如致動器之定位構件2〇3來定位。藉由調整器 200之一輸出訊號來驅動定位構件2〇3。調整器2〇〇可為(例 如)一類比電子調整器,然而亦可能調整器2〇〇藉由在微處 理器或微電腦上執行之適當的軟體指令來建構。該調整器 200可包含整合、成比例調整、微分或任何適當的運作。穿 過定位構件203及感測器201之虛線表示”電子,,或"控制,,部 分與"實體”部分之間的分隔。由於投影設備之另一活動零 件的位移引起之干擾、由此位移引起之空氣壓力波動或壓 力波的增大將導致活動零件202之干擾。為(至少部分)補償 活動零件202之干擾,將補償訊號204加至調整器200之輸出 汛唬’從而將修正訊號饋入控制迴路中。若控制構件包含 一包含專用硬體或程式化為軟體的數位調整器,則用以將 f乡正號饋入至控制構件之饋入構件(例如)包含以硬體或 权體建構之加法器或減法器,然而亦可能饋入構件包含用 以將修正訊號饋入個別控制構件中之任何其它適當的構件 (士 θ加电壓或電流之類比加法器)、或是包含將修正訊號饋 入控制構件中之任何適當的構件或任何其它方式。在第一 93803.doc • 21 - 1284253 及/或苐二控制構件包含數位控制構件的情況下,根據此實 施例之饋入構件包含用於延遲修正訊號之延遲器。在此實 例中之延遲匹配數位控制構件之延遲,以消除大部分(例如) 由修正訊號之過早補償引起的不利影響;因此饋入構件在 封閉迴路控制中之調整器的輸出處將修正訊號加至控制訊 號。 圖4展示了根據本發明之裝置製造方法。在步驟3〇〇中, 提供第一基板。第一基板至少部分覆蓋有一層輻射敏感材 料。接著,在步驟301中使用一輻射系統提供投影射束。在 步驟302中,使用圖案化構件以在投影射束之截面内賦予其 一圖案。在步驟303中,將圖案化射束投影於第一基板上之 該層輻射敏感材料層的一目標部分上。在步驟3〇4中相對於 第一基板移動圖案化射束。在步驟305中提供第二基板而在 步驟306中將一量測射束投影於第二基板之一目標部分上 且量測第二基板之目標部分的表面特性。接著,在步驟 中,在第二基板之表面的一相關部分上移動量測射束。藉 由相對於個別基板移動個別射束,個別射束能相對於個別 基板之一相關部分而移動,如掃描。因此,圖案化射束掃 描第一基板之一相關部分同時量測射束掃描第二基板之一 相關部分。在步驟308中,確定一修正訊號以至少部分修正 第一基板上圖案化射束之位置的誤差,該誤差由用以相對 於第二基板移動量測射束之一裝置的移動引起。當然,亦 可能步驟308包含確定一修正訊號以至少部分修正在第二 基板上之量測射束的位置之誤差的步驟,該誤差由用以相 93803.doc -22- 1284253 ;第I板移動圖案化射束之—裝置的移動引起。在步 驟309中,益山片^ 曰 > 訊號來修正圖案化射束相對於第一基板 之位置。應清楚亦可能步驟中藉由修正訊號來修正量測 射j相對於第二基板之位置。此外,熟悉此項技術者應清 楚或夕個步驟或部分步驟或所有步驟可同時、以任何適 當順序連續執行。 根據本發明提供一用於補償由於微影系統之活動 零:的移動引起之空氣位移導致之誤差的補償,該誤差由 於微如叹備之另一活動零件的移動引起之空氣位移或空氣 中之麼力波所導致。基於導致干擾之活動零件的加速度及 該等個別活動零件之間的距離(更佳為平方距離之倒數)來 計算該補償。 雖然上文描述了本發明之特定實施例,但應理解本發明 之實施方法可不同於所描述之實施方法。該描述並非意欲 限制本發明。 【圖式簡單說明】 圖1不意性地描繪根據本發明之一實施例的微影投影設 備; 圖2示意性地描繪曝光系統及量測系統之活動零件的俯 視圖; 圖3示意性地描繪用於控制根據本發明之設備的一個活 動零件之位置的封閉迴路控制迴路;及 圖4展示根據本發明之方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 93803.doc -23- 1284253 1 微影投影設備 2 曝光系統 3 量測系統 4 輻射系統 4a 稜鏡(或其它偏轉構件) 5 放射微粒投影射束 6a 圖案化構件 7 第一基板台 7a 位置偵測構件/位置感測器 8 第一基板 9 投影系統 10 第一控制構件 11 光學量測裝置 11a 輻射系統 lib 投影系統 12 量測射束 13 第二基板 14 第二基板台 14a 位置偵測構件/位置感測器 15 第二控制構件 16 修正確定構件 17 饋入構件 100 活動零件 100a 箭頭/位移 93803.doc -24- 1284253 101 活動零件 101a 箭頭/干擾 l〇lb 箭頭/干擾 200 調整器 201 感測器 202 活動零件 203 定位構件 204 補償訊號 93803.doc -25-

Claims (1)

1284253 十、申請專利範園: 1. 一種包含—曝光系統及一 曝光系統包含: 量測系統之微影投影設備 ,該 --用以提供1射投影射束之_系統; 、支持圖案化構件之支持結構,該圖案化構件用 於根據-所需圖案而圖案化該投影射束; -用以固定—第一基板之基板台; :一用:該圖案化射束投影至該第-基板之-目標部 、y系、、先,该投影糸統包含用以控制至該第一美 板之該目標位置上的該投影之投影控制構件,·及 -第-控制構件,其用以移動該曝光系統之一活動零件 以使該圖案化射束相對於該第一基板是可移動的, 該量測系統包含: _ 一光學量測裝置,其用以將一量測射束投影至一第二 基板之一目標部分上並用以量測該第二基板之該目標部 分的一表面特性; -一用以固定該第二基板之第二基板台;及 -第一控制構件,其用以移動該量測系統之一活動零件 以使該量測射束相對於該第二基板是可移動的, 其特徵在於: 該設備進一步包含: -修正確定構件,其用以確定一修正訊號以至少部分修 正该曝光系統及該量測系統其中之一的活動零件之一位 置的一誤差’該誤差由該曝光系統及該量測系統其中之 93803.doc 1284253 另一個的活動零件之一移動引起,及 饋入構件,其用以將該修正訊號饋入該第一或第二控 制構件中以至少部分修正該曝光系統及該量測系統的該 其中之一的該位置。 2·如咕求項1之設傷,纟中該修正確定構件被調適成自一或 兩個该等活動零件之狀態確定該修正訊號。 3·如#求項1或2之設備,其中該修正綠定構件被調適成自 該曝光系統及該量測系統其中之該另一個之活動零件的 貧訊,較佳為一加速度,及該量測系統之活動零件與該 曝=系統之活動零件之間的一距離來計算該修正訊號。 如咕求項3之设備,其中該資訊包含該加速度,該加速度 藉=包合於该第一或第二控制構件中之加速度偵測器 而提供且其巾該距離自該曝光系統及該量㈣統之該等 活動零件的個別位置而計算出,該等個別位置藉由包含 於該曝光系統及該量測系統中之個別位置偵測器而提 供。 5.如請=項3之設備,其中_χ軸及一 y轴定義於該曝光系統 及該量測系統之該等活動零件為可移動的一平面中,該 ,正確定構件被調適成自該資訊之__組成部分來確 定一 X修正訊號以修正沿該χ軸的該曝光系統及該量測系 統的該其^之—的活動零件之該位置的-誤差,且被調 適成自4貧訊之- y軸組成部分來確定一 y修正訊號以修 正沿該y軸的該#光系統及該量測系、统的該其中之一的 活動冬件 < 該位置的一誤差。 93803.doc 1284253 6·如請求項5之設備,其中該控制構件被調適成使用下列公 式計算該修正訊號: 〜一 ~^~~ ^ xy 其中Fx,y為分別在X及y方向之該修正訊號,C為一常數, 分別在X及y方向之該加速度,且Dxy為該曝光系統 及該量測系統之該等活動零件之間的該距離。 7·如請求項5之設備,其中該修正確定構件被調適成自該資 訊之一 y轴組成部分來確定一 X至y修正訊號以修正沿該X 軸的$亥曝光系統及該量測系統的該其中之一的活動零件 之該位置的一誤差,且調適成自該資訊之一χ軸組成部分 來確定一 7至χ修正訊號以修正沿該y軸的該曝光系統及 忒畺測系統的該其中之一的活動零件之該位置的一誤 差。 月求項7之没備,其中該控制構件被調適成使用下列公 式計算該X至y或y至χ修正訊號: Fxt〇 — Μ* 〜 x t0 y. y t〇 χ--—-- D\ 八中FX t。y y t。&分別為該χ至y及該y至χ修正訊號,c為一常 數’ ACCX,y為分別在方向之該加速度,Dx為χ方向之 該曝光系統及該量測系統之該等活動零件之間的該距 且Dy為y方向之該曝光系統及該量測系統之該等活動 零件之間的該距離。 9β如請求項1或2之設備,其中該饋入構件包含一用以延遲 93803.doc 1284253 該或每一修正訊號之延遲器。 ίο.如請求们或2之設備,其t該饋入構件被調適成在一封 閉迴路反饋控制迴路中之—調整器的_輸出處將該或每 一修正訊號加至一控制訊號。 11· 一種裝置製造方法,其包含以下步驟·· -提供一至少部分覆蓋有一層輻射敏感性材料之第一美 板; · 土 _提供一使用一輻射系統之輻射投影射束; _使用圖案化構件以在該投影射束截面内賦予其一 案;且 -將該圖案化輻射射束投影至該層輻射敏感材料之一目 標部分上, -相對於該第一基板移動該圖案化射束; -提供一第二基板; 將昼測射束投影至該第二基板之一目標部分上並量 測該第二基板之該目標部分的一表面特性; -相對於該第二基板移動該量測射束; 其特徵在於下列步驟: 確定一修正訊號以至少部分修正該圖案化射束及該量 測射束其中之一相對於該個別的該第一及該第二基板其 中之的一位置的一誤差,該誤差由一用以相對於該第 一及该第二基板其中之另一個而移動該圖案化射束及該 量測射束其中之另一個的一裝置之一移動引起;且 -精由該修正訊號來修正該圖案化射束及該量測射束的 該其中之一相對於該個別的第一或第二基板之該位置。 93803.doc
TW093117224A 2003-07-01 2004-06-15 Lithographic apparatus and device manufacturing method TWI284253B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP03077048 2003-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200510958A TW200510958A (en) 2005-03-16
TWI284253B true TWI284253B (en) 2007-07-21

Family

ID=34042899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093117224A TWI284253B (en) 2003-07-01 2004-06-15 Lithographic apparatus and device manufacturing method

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7148950B2 (zh)
JP (1) JP4084780B2 (zh)
KR (1) KR100609108B1 (zh)
CN (1) CN100487581C (zh)
SG (1) SG138458A1 (zh)
TW (1) TWI284253B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4488822B2 (ja) * 2004-07-27 2010-06-23 株式会社東芝 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品
US7227614B2 (en) * 2004-11-12 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Measurement method, device manufacturing method and lithographic apparatus
US7492441B2 (en) 2005-12-22 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method incorporating a pressure shield
CN100593469C (zh) * 2007-02-12 2010-03-10 深圳市大族激光科技股份有限公司 模块化曝光系统
US7969550B2 (en) * 2007-04-19 2011-06-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2008168A (en) * 2011-02-25 2012-08-28 Asml Netherlands Bv Method of calculating model parameters of a substrate, a lithographic apparatus and an apparatus for controlling lithographic processing by a lithographic apparatus.
CN107290932B (zh) * 2016-03-30 2020-04-10 上海微电子装备(集团)股份有限公司 运动台测量系统、方法以及运动台

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
US5296891A (en) 1990-05-02 1994-03-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
US5504407A (en) * 1992-02-21 1996-04-02 Canon Kabushiki Kaisha Stage driving system
JP3217522B2 (ja) * 1992-03-02 2001-10-09 キヤノン株式会社 精密位置決め装置
JP4075966B2 (ja) 1996-03-06 2008-04-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 差分干渉計システム及びこのシステムを具えたリソグラフステップアンドスキャン装置
DE69717975T2 (de) 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands B.V., Veldhoven In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
AU2048097A (en) 1997-01-29 1998-08-18 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
EP1186959B1 (en) * 2000-09-07 2009-06-17 ASML Netherlands B.V. Method for calibrating a lithographic projection apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US7148950B2 (en) 2006-12-12
JP4084780B2 (ja) 2008-04-30
US20050012912A1 (en) 2005-01-20
KR20050004049A (ko) 2005-01-12
CN100487581C (zh) 2009-05-13
KR100609108B1 (ko) 2006-08-08
CN1577104A (zh) 2005-02-09
JP2005045227A (ja) 2005-02-17
TW200510958A (en) 2005-03-16
SG138458A1 (en) 2008-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI388944B (zh) 微影裝置及元件之製造方法
TW490598B (en) Lithographic projection apparatus and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
TWI266148B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5008687B2 (ja) アラインメントシステム及び方法及びそれにより製造したデバイス
KR100714468B1 (ko) 리소그래피 장치, 제어 시스템 및 디바이스 제조방법
JP2013153168A (ja) 波面収差を低減する方法及びコンピュータプログラム
JP2006114927A (ja) 投影システム
TW201135377A (en) Lithographic apparatus, method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2003059827A (ja) デバイスを製造する方法、この方法によって製造したデバイス、およびこの方法で使用するマスク
US6737207B2 (en) Method for evaluating lithography system and method for adjusting substrate-processing apparatus
JP3950082B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法
JP4429267B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
TWI284253B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI235891B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer program
JP4567658B2 (ja) デバイス製造方法およびコンピュータプログラム製品
JP3940329B2 (ja) リソグラフィ投影装置、デバイス製造方法
JP3874735B2 (ja) デバイスの製造方法
JPH11325821A (ja) ステージ制御方法および露光装置
EP1494078A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method.

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees