TWI280455B - A method of and structure for phase shifting with extreme ultraviolet light - Google Patents

Description

1280455 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體積體電路（1C)製造’尤其係關於 用於極短紫外光（EUV)光蝕術的相移光罩及形成用於EUV 光触術之相移光罩之方法。 【先前技術】 1965年，Gordon Moore首先觀察到積體電路（1C)晶圓 之每單位面積上的元件數約每1 8個月就倍增。3 0年以來 ，藉由發展許多新設計和新方法，半導體工業的元件密度 提高速率如同Moore所言。於摻雜、澱積和蝕刻方面之顯 著改善，增進了準確性，得以控制1C晶片的集中度、深 度和厚度。 以前，晶片的尺寸減縮（scaling)藉縮小基板中之元件 尺寸及元件之間内聯尺寸而達成。藉此，光蝕術持續進步 有助於持續降低可於元件成功地形成特定圖案之臨界尺寸 (CD)。 根據Rayleigh標準，影像形成系統可解析的最小CD 直接與光源的射線或光的波長成正比，並與標的光學元件 的縫隙數（N A)成反比。N A是折射指數値（n)與收敛角度（0 ) 正弦値之乘積。 光阻物曝光所用波長與可資利用的照射源有關且長期 由436奈米降至365奈米（此二者皆是紫外或UV光）且之 後至 24 8奈米及之後至193奈米（此二者皆是深紫外或 (2) 1280455 D U V光）。標的元件的N A穩定地提高至約0 · 8 5。 但是，隨著元件尺寸持續下降’光學元件的基本限制 所扮演的角色越來越重要。特別地’當CD變得小於曝光 或光化波長時，繞射會降低影像形成系統製得的影像品質 。因此，在次光化法中，使用解析增進技巧（RET)的波前 處理可能需要，以達到夠寬的處理寬度。 相移光罩（PSM)是一種RET類型。不同於僅衰減光寬 度的慣用二元光罩，PSM也衰減光相位，利用干擾緩和繞 射的不利影響並增進光學元件的解析度。 未來，曝光波長會降至更低波長，包括極短紫外或 EUV光。但EUV光學元件的NA較目前使用的DUV光學 元件來得低，因此必須使用RET。 因此，對於用於EUV光触術的相移光罩和形成此用 於EUV光蝕術的相移光罩之方法有需求存在。 【發明內容】 本發明之詳細描述 下列描述中，提出許多細節（如：特定材料、尺寸和 方法），以完全瞭解本發明。但嫻於此技術者將會瞭解可 以不依這些特定細節而實行。其他情況中，特別細節中未 描述之習知半導體設備和方法也不會阻礙本發明。 本發明描述用以形成極短紫外光（EUV)光蝕術之相移 光罩（PSM)和EUV PSM之方法。用於EUV光之最大照射 波長可選自約10-1 5奈米，如，自約1 1 .3奈米或約]3.4 -5- (3) 1280455 奈米。之後會描述製造本發明之EUV PSM之方法的多種 實施例。

如圖1A所示之本發明之實施例中，作爲本發明之 EUV PSM之起始材料的基板110〇應製自熱膨脹係數 (CTE)低（如·約5ppb/K或以下）的強軔材料。當EUV PSM 因曝於EUV光而加熱時，此低CTE會降低影像置換失誤 〇 基板1100可製自玻璃或陶瓷材料。因爲基板no〇上 的任何缺陷會因爲非常薄的上覆多層而散佈，所以基板 1 1 0 0必須缺陷度低。缺陷尺寸3 5奈米以上的缺陷密度必 須是約〇· 003個缺陷/平方公分或以下。 基板η ο 〇的正面和背面均須光滑、平坦且局部斜度 小。光滑度應約0·15奈米平方根（RSM)或以下。平坦度必 須約3 0奈米峰一谷差（ρ - ν )或以下。局部斜度須約1 . 〇毫 弧（mrad)或以下。 事實上，所有材料（即使玻璃）強烈吸收EUV光，因此 ’光學元件（包括EUV PSM)必須折射而非穿透，且於真空 中操作，以製造足夠的高輸出密度。但是，幾乎任何材料 形成的單面鏡都因爲反射性過低而不適用於EUV光，使 得 EUV PSM使用多層（ML)鏡（其以散光Bragg反射器 (DBR)爲基礎並由薄膜形成）。 材料或光學介質的折射指數是光於真空中的速率相對 於光於該材料中之速率的比質。折射指數（n)是一個複雜的 數値’其可以η = (1-δ) + ί(β)表示。實數部分（ι·δ)描述光的 (4) 1280455 相散佈或轉移’而虛數部分（β)描述吸收或光頻衰減。 如圖1A中所示之本發明之實施例，形成mL鏡〗200 覆於基板1100上。ML鏡1200製自折射指數不同的兩種 材料的交替層。此相當於高折射指數材料1 2 i 〇和低折射 指數材料1 220對或二層1215。 此高折射指數材料1 2 1 0彎曲或散射照射波長的光。 本發明的一個實施例中，高折射指數材料1 2丨〇可包括元 素週期表中之一或多種原子數（Z)高的元素。本發明的另 一實施例中，高折射指數材料1 2 1 0可以是金屬，如：鉬 (Z = 42)或合金。ML鏡1 2 00中的高折射指數材料121〇必 須儘量薄。 低折射指數材料1 22 0穿透照射波長的光。本發明的 實施例中，此低折射指數材料1 2 2 0可包括元素週期表中 之一或多種Z低的元素。本發明的另一實施例中，低折射 指數材料1 2 2 0可以是矽（Z = 1 4 )。本發明的另一實施例中 ’低折射指數材料1 220可以是鈹（Z = 4)。此低折射指數材 料1 2 2 0應於放射波長處具最低吸收。M l鏡1 2 0 0中的低 折射指數材料1 220作爲濾材或間隔層。 ML鏡1 200中的高折射指數材料1210可爲晶狀、多 晶狀或非晶狀。M L鏡1 2 0 0中的低折射指數材料1 2 2 0亦 可爲ΒΗ狀、多晶狀或非晶狀。局折射指數材料1 2 1 0和低 折射指數材料1 220折射材料之間的界面須於製造EUV PSM期間內維持化學和物理穩定。ml鏡1 200中的高折射 指數材料1 2 1 0和低折射指數材料1 2 2 0之間的界面亦須於 (5) 1280455 EUV PSM暴於EUV光的期間內維持化學和物理穩定。因 爲各層光滑時，不同材料之間的過渡不連貫且各層橫跨 EUV PSM之間的厚度變化是〇.〇1奈米或以下時，ML鏡 1 200的光學性質會更佳，所以必須儘量降低ML鏡1200 中之高折射指數材料1 2 1 0和低折射指數材料1 220之間的 界面處的任何居間擴散。 ML鏡1 200中的各層厚度視光源波長（或λ)而定。當 路徑長度等同於光波長的一半時，反射光會共振。第一個 約略估計中，因爲光線二度通過反射光罩，所以ML鏡 1200中的各層厚度約波長的1/4。ML鏡1200中的各層厚 度亦視入射光的入射角度而定。入射角度應爲與EUV PSM正面垂直偏離約3.5-6.5度。 ML鏡1 200中的交替層厚度可被改變或經最適衰減， 使得於各干擾處的 EUV光的建設干擾最大及儘量減少 EUV光吸收。光波的建設性干擾是指光波彼此同相交互作 用。建設性干擾發生於光波長的（m)倍處，其中的m = 0、1 、2、3 ...。建設性干擾是指光波彼此異相。破壞性干擾發 生於光波長倍處，此處的m = 0、1、2、3···。 【實施方式】 本發明的一個實施例中，ML鏡1 200可達最大照射波 長處之最大反射率的約6〇-80°/。。本發明的另一實施例中 ，M L鏡1 2 0 〇可達最大照射波長處之最大反射率的約7 0 % (6) 1280455 使ML鏡1 20 0最適化以達最大反射率會導致壓縮應 力，如：約-3 5 0MPa，此會使得 ML鏡 1 200扭曲約 0.10 奈米。藉鍛鍊此多層或藉由在基板1100和ML鏡1200之 間添加緩衝層（未示）可降低應力引發的變形。 本發明的一個實施例中，ML鏡1 200可以具有約20- 80對高折射指數材料1210和低折射指數材料1220交替層 〇 本發明的另一實施例中，ML鏡1 200可具有約40對 鉬和矽交替層（Mo/Si雙層）。高折射指數材料1210可包括 其厚度如約2.8奈米的鉬（Z = 42)。低折射指數材料1 220可 包括其厚度如約4.1奈米的矽（Z= 14)。峰波長可於約13.4 奈米，峰寬度可爲約0.5 0奈米。 本發明的另一實施例中，ML鏡1 200可以具有約70 對鉬和鈹交替層（Mo/Be雙層）。高折射指數材料1210可包 括鈹（Z = 4)。峰波常可於約11.3奈米，峰寬度可爲約0.28 奈米。Mo/Be雙層形成的ML鏡1 200可具有較高峰反射率 於峰波長處，但對於表面糙度更敏感。 使用直流電（DC)磁電管噴濺或離子束澱積（IBD)，ML 鏡1 200可形成於基板1 100之上。基板1 100全面的厚度 均勻度應爲0.8%或以上。DC磁電管噴濺法更爲一致，因 此獲致較佳厚度均勻度，但基板1 1 〇〇上的任何缺陷會經 由交替層散佈至M L鏡1 2 0 0的頂面。 本發明的一個實施例中’如果缺陷吸收EUV光，基 板1 1〇〇會影響EUV光反射離開ML鏡1 200的強度。本發 (7) 1280455 明的另一實施例中，如果缺陷改變路徑長度，基板1100 中的缺陷會影響反射離開ML鏡的EUV光的相位。本發明 的另一實施例中，缺陷影響反射離開ML鏡的EUV光的強 度和相位。 IBD法較不適用，但因爲可將澱積條件衰減至使得基 板1100上的任何缺陷上光滑，所以可於使得ML鏡1200 的上表面中的干擾較少和缺陷較少。 本發明的一個實施例中，可藉由使用電子束（e-束）蒸 發器而於基板1 1〇〇上形成ML鏡1 200。 本發明的一個實施例中，可於M L鏡1 2 0 0上形成封 堵層（未示），以防止ML鏡1 200受到環境的影響或改變（ 如：被氧化）。封堵層（未示）使得EU V光的相移最小及 EUV光的衰減幅度最小。封堵層（未示）可製自適當材料， 如：碳（C)、碳化矽（SiC)、釕（Ru)和氮化矽（Si3N4)。 較薄的封堵層（未示）會降低EUV PSM使用期間內的 模糊情況。較薄的封堵層（未示）亦有助於減低暴於EUV光 期間內的之EUV PSM中的熱誘發應力。視選用的材料而 定，封堵層（未示）可藉無線電波（RF)磁電管噴濺或DC磁 電管噴濺而澱積。一些情況中，此封堵層（未示）可藉IB D 或原子層澱積法（ALD)澱積。 如圖1 B中所示之本發明之實施例，相移層1 3 0 0形成 於ML鏡1 200上。此相移層1 3 0 0應強韌且易形成圖案。 本發明的一個實施例中，相移層1 3 00須導致EUV光 強烈相移和EUV光強度的弱衰減或低吸收。本發明的其 -10- (8) 1280455 他實施例中，相移層1 3 0 0製自相當高δ材料和低吸收値（ 或β)。本發明的另一實施例中，相移層1300製自適當材 料’如：具相當高δ和低吸收値（或β)的鉬（Ζ = 4 2 )。本發 明的另一實施例中，相移層1 3 00製自適當材料，如：具 相當高δ(δ = 0·077)和低吸收値（β = 0.0062)的鉬（Ζ = 42)。 較薄的相移層1 3 00會降低EUV PSM使用期間內的模 糊情況。較薄的相移層亦有助於降低暴於E U V光期間內 之EUV PSM的熱誘發應力。視選用材料而定，相移層 1300可藉RF磁電管噴濺或DC磁電管噴濺而澱積。一些 情況中，此相移層1 3 00可藉IBD或ALD澱積。 如圖1B所示之本發明之實施例，基板1 1〇〇、ML鏡 1200和相移層1300形成EUVPSM毛坯。 EUV光罩毛坯2100(如圖1B之本發明之實施例所示 者）可經進一步處理而形成經EUV衰減的PSM2200，此如 圖2C之本發明之實施例所示者。 如圖2 A所示之本發明之實施例所示者，封堵層1 4 0 0 可形成於相移層1 3 0 0上，以防止相移層1 3 0 0 (如：鉬）受 到環境的影響或改變（如：被氧化）。封堵層1 400必須使得 EUV光的相移最小及EUV光的衰減幅度最小。封堵層 1 400可製自適當材料，如：碳（C)、碳化矽（SiC)、矽（Si) 、釕（Ru)和氮化矽（Si3N4)。 較薄的封堵層1400會降低EUV衰減的PSM2200使用 期間內的模糊情況。較薄的封堵層1 4 0 0亦有助於減低暴 於EUV光期間內的之EUV衰減的PSM中的熱誘發應力。 -11- (9) 1280455 視選用的材料而定，封堵層（未示）可藉RF磁電管噴濺或 DC磁電管噴濺而澱積。一些情況中，此封堵層（未示）可 藉IBD或ALD澱積。 本發明的一個實施例中，如果相移層1 3 00未受環境 的影響或改變（如：氧化），可以不須要封堵層1 400。 如圖2B中所示之本發明之實施例所示者，EUV PSM 毛坯2 1 0 0可經射線敏感層（如：光阻物1 5 0 0，其經塗覆， 選擇性地曝於射線1 6 5 0並經顯影而形成圖案1 5 5 0)覆蓋。 光阻物1 5 0 0厚度選自約5 0-1 5 0奈米。可以使用化學增幅 電阻（CAR)。視所用光阻物1 500類型而定，曝光可以電子 束或雷射實施。 可於光阻物1 5 00中的顯影圖案1 5 5 0中的特徵上進行 臨界尺寸（CD)的顯影後測定。CD測量可以上-下掃描式 電子顯微鏡（SEM)或光學測量工具進行。 光阻物1 500中之經顯影的圖案1 5 5 0可轉變成位於下 方的封堵層1400和相移層1300，此如圖2C之本發明之 實施例中所示者。封堵層1 400和相移層1 3 00中的經蝕刻 圖案1 3 5 0的線緣糙度（LER)應儘量小。 反應性離子蝕刻（RIE)法可用以蝕刻封堵層1 400和相 移層1300之未被光阻物1500覆蓋的部分。封堵層1400 和相移層1 3 00的RIE可以含鹵素的氣體（如：氯Cl2)、三 氯化硼（BC13)或三氟化氮（NF3))進行。可使用氬作爲載體 。一些情況中。亦可含括氧。 蝕刻速率和蝕刻選擇性可視功率、壓力和基板溫度而 -12- (10) 1280455 定。本發明的實施例中可使用硬質光罩法。這樣的方法中 ，於光阻物1 5 0 0中之經顯影的圖案1 5 5 0先轉移變成硬質 光罩層（未示，其事先形成於光阻物1500下方）。硬質光罩 層（未示）製自蝕刻速率不及光阻物1 5 00的材料。之後，硬 質光罩層（未示）中之經蝕刻的圖案可轉移至封堵層1 4 0 0和 相移層1 3 0 〇。 本發明的另一實施例中，光阻物1 5 0 0中之經顯影的 圖案1 5 5 0可以噴濺法或離子硏磨法轉移至封堵層1 4 0 0和 相移層1 3 0 0。 本發明的一個實施例中，可於相移層1 3 0 0和M L鏡 1 2 0 0之間形成緩衝層（未示）’以作爲蝕刻的蝕刻制止物。 此緩衝層（未示）亦可保護ML鏡1 200 ’使其不會受環境的 影響或改變（如：氧化）。 此緩衝層（未示）可製自氧化矽（Si〇2)，如：低溫氧化 物（LTO)。低溫法（如：約15(TC或以下）可防止位於下方的 M L鏡1 2 0 0中的交替層的內部擴散。其他材料如：氧氮化 石夕（S i Ο Ν )或碳（C ))可用於緩衝層（未示）。此緩衝層（未示）厚 度由約20- 1 50奈米。此緩衝層（未示）可藉RF噴濺法澱積 〇 蝕刻之後移除光阻物1 5 00，之後可測量封堵層1400 和相移層1 3 0 0中之經蝕刻圖案1 3 5 0中之起伏的CD。此 CD測量可藉上-下掃描式電子顯微鏡或光學工具進行。 之後可於約1 5 0 - 5 0 0奈米的選定波長檢視缺陷。此缺 陷檢視係以經蝕刻圖案1 3 5 0的光訊號相對於未形成圖案 -13- (11) 1280455 區域1 3 6 0的光訊號爲基礎。本發明之實施例中，缺陷檢 視可藉EUV光進行。 如圖2C之本發明之實施例中所示者，基板1100、ML 鏡1 20 0、相移層1 3 00和封堵層1 400形成經EUV衰減的 PSM2200。此經EUV衰減的PSM2200是弱（強度不足以引 發強干擾）或邊緣增進型PSM。經EUV衰減的PSM2200具 幾何對稱性，因此可用於隨機配線且不易受到鄰近起伏中 的相分歧之影響。因此，此EUV衰減的PSM2200不僅有 效地增進週期性或群聚性起伏（如：群聚的線和空間）之解 析度，同時也有效地增進隔絕起伏（如·_隔絕的接點和隔 絕的取道）之解析度。 本發明的一個實施例中，相移層厚度1 3 70約43奈米 以產生180度（π)相移和60%透光率。本發明的另一實施例 中，相移層厚度1 3 70約129奈米以產生540度（3π)相移和 2 0 %透光率。本發明的一個實施例中，相移層厚度1 3 70約 215奈米以產生900度（5π)相移和8%透光率。 穿透經衰減區域的透光度應低於光阻物臨界，以改善 起伏的解析度。本發明的一個實施例中，穿透經衰減區域 的透光率是20%或以下。本發明的另一實施例中，穿透經 衰減區域的透光率是8%或以下。 EUV PSM毛坯21〇〇(如圖1Β之本發明之實施例中所 示者）亦可經進一步加工以形成EUV交替PSM23 00(此如圖 3 D之本發明之實施例中所示者）。 如圖3A之本發明之實施例中所示者，EUV PSM毛坯 -14- (12) 1280455 2 1 0 0可經射線敏感層（如：光阻物1 5 0 0，其經塗覆，選擇 性地曝以射線1 65 0，並經顯影而形成圖案1 5 5 0)。此光阻 層厚度選自約5 0- 1 5 0奈米。可以使用CAR。視所用光阻 物1500類型而定，曝光可藉e-束書寫器或雷射書寫器進 行。 可於光阻物1 5 0 0中的經顯影圖案1 5 5 0中之起伏上進 行CD的顯影後測量，此CD測量可藉上-下掃描式電子 顯微鏡或光學工具進行。 光阻物1 5 00中的經顯影圖案1 5 5 0可轉移至位於下方 的相移層1 3 00，此如附圖3 B之本發明之實施例中所示者 。應儘量減小相移層1 3 00中的經蝕刻圖案1 3 5 0的LER。 RIE法可用以蝕刻一部分相移層1 3 00(其未被光阻物 1500所覆蓋）。相移層1300的RIE可藉含鹵素氣體（如： 氯（Cl2)、三氯化硼（BC13)或三氟化氮（NF3))進行。可以使 用氬作爲載氣。一些情況中，亦可含括氧。 蝕刻速率和蝕刻選擇性可視功率、壓力和基板溫度而 定。本發明的一個實施例中，可以使用硬質光罩法。此方 法中，光阻層1 5 0 0中之經顯影的圖案1 5 5 0先轉移至硬質 光罩層（未示）（其於事前形成於光阻層1500下方）。此硬質 光罩層（未示）製自蝕刻速率比光阻層1 5 00來得低的材料。 硬質光罩層（未示）中的經蝕刻圖案之後轉移至相移層1300 〇 本發明的另一實施例中，利用噴濺法或離子硏磨法， 光阻層1 5 0 0中的經顯影圖案1 5 5 0可轉移至相移層1 3 00。 -15- (13) 1280455 本發明的一個實施例中，可以有緩衝層（未示）形成於 相移層1 3 00和ML鏡1 200之間，以作爲蝕刻制止器。此 緩衝層（未示）亦可保護ML鏡1 200使其不受環境影響或改 變（如··被氧化）。 此緩衝層（未示）可製自氧化矽（Si02)，如：低溫氧化 物（LTO)。低溫法（如：約150°C或以下）可防止位於下方的 ML鏡1 200中的交替層的內部擴散。其他材料如：氧氮化 矽（SiON)或碳（〇)可用於緩衝層（未示）。此緩衝層（未示）厚 度約20-150奈米。此緩衝層（未示）可藉RF噴濺法澱積。 蝕刻之後移除光阻物1 5 00，之後可測定相移層1 3 00 中之經蝕刻圖案1 3 50之起伏的蝕刻後CD。此CD測量可 藉上-下掃描式電子顯微鏡或光學工具進行。 之後可於約150-5 00奈米的選定波長檢視缺陷。此缺 陷檢視係以經蝕刻圖案1 3 5 0的光訊號相對於未形成圖案 區域1 3 60的光訊號爲基礎。本發明之實施例中，缺陷檢 視可藉EUV光進行。 強度均衡層1 700形成於相移層1 3 0 0上和經鈾刻圖案 1 3 5 0中。強度均衡層1 700必須具有比相移層1 3 00來得低 的δ和類似吸收度（或β)。本發明之實施例中，強度均衡 層1 700可爲氮化矽（Si3N4)，其具相當低δ(δ = 0.017)和低 吸收度（β)類似於相移層1 3 00的低吸收度。 相移器層1300厚度1380和強度均衡層17〇〇厚度 1 7 8 0不須相同，只要強度均衡即可。換言之，可以選擇厚 度1 3 8 0和厚度1 7 8 0，使得穿透相移層1 3 0 0的透光率和穿 -16- (14) 1280455 透強度均衡層1700的透光率相同即可。 本發明的一個實施例中，相移層13〇〇厚度138〇和強 度均衡層厚度USO相同。強度均衡層17〇〇經平圯 化直到上表面1720與相移層1 3 0 0上表面132〇持平，此 如附圖3 C之本發明之實施例中所示者。本發明之實施例 中，可使用化學機械拋光（CMP)法。 封堵層1400可形成於強度均衡層17〇〇的上表面172〇 上和相移層1300的上表面1320上，以防止相移層13〇〇( 如：鉬）受到環境影響或改變（如：被氧化）。封堵層〗4 〇 〇 須使得EUV光的轉移最小及EUV光強度的衰減最小。封 堵層1400可製自適當材料（如··碳（C)、碳化矽（sic)、砂 (S i)、釘（R u)和氮化砂（S i 3 N 4)。 較薄的封堵層1 400於使用EUV交替PSM期間內的模 糊區較小。較薄的封堵層1 4 0 0也有助於降低E U V交替 PSM2 3 00於暴於EUV期間內的熱誘發應力。視選用材料 而定，封堵層（未示）可藉RF磁電管噴濺或DC磁電管噴濺 而澱積。一些情況中，此封堵層（未示）可藉IBD或ALD 澱積。 本發明的一個實施例中，如果相移層1 3 0 0不受環境 影響或改變（如：被氧化）可以不須封堵層1 400。 如圖3D之本發明之實施例中所示者，基板1 100、ML 鏡1200、相移層1300、強度均衡層1700和封堵層1400 構成EUV交替PSM2300。此EUV交替PSM是強型PSM( 強度足以引發強干擾，因此，理論上，可使光學影像形成 -17- (15) 1280455 系統的解析度倍增，且印刷起伏比曝露或照射波長小得多 )。此源自PSM的干擾隨著光學影像形成系統的部分同步 變高而變強。 此EUV交替PSM23 00於增進週期性或群聚性起伏（如 :群聚的線和空間）之解析度方面特別有用，在起伏非常 小時更是如此。但EUV交替PSM23 00於增進接近邊界處 之解析度方面並非極有用，此因EUV交替PSM於鄰近起 伏易不一致之故。因此，本發明之實施例中，EUV交替 PSM23 00可設計成須使用其他調整光罩（設計成亮場光罩） 的暗場光罩，以移除無可避免而印上的起伏，以印出較無 爭議的起伏。雙重曝光法提高設計、配線和製造的複雜度 。但雙重曝光法使得EUV交替PSM23 00形成非常小的隔 絕起伏（如：隔絕的線用於電晶體柵口）。 本發明的一個實施例中，相移層1 3 0 〇厚度1 3 8 0約5 5 奈米以產生2 3 2 · 2度（1 · 2 9 7Γ )相移，透光率約5 3 %。本發 明的另一實施例中，強度均衡層1 7 0 0厚度1 7 8 0約5 5奈 米以產生52.2度（0·2 9 7Γ )相移，透光率約53%。藉此，相 移層1 3 00和強度均衡層1 7 〇 〇之間的相對相是1 8 0度（π ) 且強度均衡。 已提出許多實施例和許多細節，以徹底瞭解本發明。 嫻於此技術者知道，一個實施例中的許多特徵亦可用於其 他實施例。嫻於此技術者亦具有構成此處所述之特定材料 、方法 尺寸、彳辰度·.寺之各種對等替代方案之能力。也 已經知道，應將本發明之詳述視爲說明且不造成限制，本 -18- (16) 1280455 發明之範圍由所附申請專利範圍決定。 因此，吾等已描述用於EUV光蝕術之相移光罩和用 以形成此用於EUV光蝕術之相移光罩之方法。 【圖式簡單說明】 圖1A-B所示者是用以形成根據本發明之極短紫外光 (EUV)相移光罩（PSM)毛坯之方法的多種實施例之截面圖。 圖2 A - C所示者是用以形成根據本發明之極短紫外光 (EUV)衰減之相移光罩（PSM)之方法的多種實施例之截面圖 〇 圖2C所示者亦是根據本發明之極短紫外光（EUV)衰減 的P S Μ之多種實施例之截面圖。 圖3A-D所示者是用以形成根據本發明之極短紫外光 (EUV)交替相移光罩（PSM)之方法的多種實施例之截面圖 〇 圖3D所示者亦是根據本發明之極短紫外*(Ευν)交 替P S Μ的多種實施例之截面圖。 【主要元件符號說明】 1100 基板 1 200 ML 鏡 12 10 局折射指數材料 1215 二層 1 2 2 0 低折射指數材料 -19- (17) 1280455 1 3 00 相移層 2100 EUV光罩毛坯 1 400 封堵層 1 5 00 光阻物· 1 5 5 0 圖案 1 6 5 0 射線 1 3 5 0 經蝕刻圖案

1 3 6 0 未形成圖案區域 1 3 70 厚度 1 3 8 0 厚度

2200 經EUV衰減的PSM 1 700 強度均衡層 1 3 20 相移層的上表面 1 720 強度均衡層的上表面 1780 厚度

23 00 EUV 交替 PSM -20-

Claims (1)

1280455 ， Π) 十、申請專利範圍 附件4A : 第93 140596號專利申請案 I Ml 一 *—*"*^***—"— _ _ 中文申請專利範圍替換本年月 《修（更)正本 民國95iirm修正J 1 · 一種使用極短紫外光進行相移之方法，包含 準備一種基板，該基板包含第一個區域和第二個區域 9 形成多層鏡覆於該基板上； 形成相移層覆於該多層鏡上； 形成封堵層覆於該相移層上； 移除該第二個區域中的該封堵層和該相移層； 該第一個區域和該第二個區域以EUV光照射；和 反射移開該第一個區域和該第二個區域的EUV光。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該相移層包含 鉬。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該封堵層包含 氮化矽。 4. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該封堵層包含 5. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該鉬厚度約43 奈米。 6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該第一個區域 的透光率是該第二個區域的透光率的約60%。 1280455 (2) 7 ·如申請專利範圍第5項之方法，其中該第一個區域 中的相與該第二個區域中的相之相差約1 8 0度。 8 · —種形成及使用供用於極短紫外光蝕刻術中之相移 光罩的方法，包含： 準備一種基板，該基板包含第一個區域和第二個區域 於 ； 覆 層 和 衡 層 均 移 度 相 強 該 該 的 的 •，域 層 層區 移 •，移個 相 •，上相一 該 上鏡該第；之 板層的該上域 基多中於鏡區 該該域覆層個 於於區層多 j 覆覆個衡該第 鏡層二均的該 層移第度域於 多相該強區覆 成成除成個除 形形移形二移 第 該 形成封堵層覆於該第一個區域的該相移層和覆於該第 二個區域的該強度均衡層上； 該第一個區域和該第二個區域以EUV光照射；和 反射移開該第一個區域和該第二個區域的EUV光。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中該相移層包含 鉬。 10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該強度均衡 層包含氮化5夕。 Π ·如申請專利範圍第1 0項之方法，其中該相移層厚 度與該強度均衡層大約相同。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之方法，其中該相移層厚 度約5 5奈米。 -2 - (3) 1280455 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該第一個區 域的透光率與該第二個區域的透光率大約相同。 1 4 · 一種使用極短紫外光進行相移之方法中所用之構 造，包含： 基板，該基板包含第一個區域和第二個區域； 多層鏡，覆於該第一個區域和該第二個區域； 相移層，覆於第一個區域中的該多層鏡上； 強度均衡層，覆於該第二個區域中的該多層鏡上；和 封堵層，覆於該第一個區域中的該相移層上和覆於該 第二個區域中的該強度均衡層上。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之構造，其中該相移層包 含鉬。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之構造，其中該強度均衡 層包含氮化矽。 17·如申請專利範圍第16項之構造，其中該相移層厚 度與該強度均衡層大約相同。 18.如申請專利範圍第17項之構造，其中該相移層厚 度約5 5奈米。 19·如申請專利範圍第18項之構造，其中該第一個區 域的透光率與該第二個區域的透光率大約相同。 20·如申請專利範圍第19項之構造，其中該第一個區 域中的相與該第二個區域中的相之相差約1 8 0度。