TWI278914B - Exposure method of manufacturing separator - Google Patents

Description

1278914 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 η本發明係與使用光阻以製作隔離壁之方法有關，尤 是-種使用正型光阻經曝光後製作形成隔離壁之曝光方 【先前技術】 -請參閱第-圖所示，係有機發光顯示裝置之基板i與 隔離壁2示意圖，該基板i為表面具有導電膜之基材所構 成，該隔離壁2形成於該基板i上，以及，再以金屬材料(如： 10鋁)經蒸鍍方式製作形成金屬陰極時，該隔離壁2可分隔出 金屬陰極，且由於隔離壁2剖面係呈上寬下窄且兩侧各具 斜度的倒梯形狀，因此，可避免含有金屬材料的蒸氣附著 於隔離壁2的兩側斜面上，據以防止鄰接之金屬陰極彼此 接觸而造成短路。 15 目前慣用用以製作隔離壁的方法，係先於基板1表面 塗佈一負型之化學增益放大型光阻，接著，依序經軟烤(soft baklng)、曝光(exposure)、曝後烤(Post Exposure Bake， PEB)、顯影(development)及硬烤(hard baking)等處理後，俾 於基板1上形成所需之隔離壁2 ;請配合第二圖所示，在上 2〇述製程之曝光步驟中，UV光3係以垂直光罩4表面的方式 進行照射’且UV光3穿過光罩4之可透光區域後照射於 該由負型之化學增益放大型光阻所形成的光阻膜5,使得受 照射區域的光阻5a產生鏈結(cross linking)，且該光阻5a 之抗顯影能力自表面朝基板1方向呈遞減，當光阻膜5經 4 1278914 壁2 過後續的顯影處理後，未受騎區域的光阻5b即被 而受照射區域的絲5a目具有抗顯雜力且未被完全溶 得以被㈣下來，該被保留下來的光阻5a之剖面即呈倒梯 形狀，亦即構成如第-圖之做為分隔金屬陰極使用的隔離 誠然上述製程可製得倒梯形狀的隔離壁，但是，以負 型之化學增益放大型光阻材料做為_壁制，因材料成 本昂貴’將導致整體發光元件成本相對提高；2，在顯影 過程中，經過曝光的負型之化學增益放大型光阻會吸收^ 份的顯影液，造成光阻内之分子體積增加，即產生「膨潤」 (swelling)效應，導致顯影後的光阻圖案形貌發生扭曲了直」 接影響隔離壁的成形斜度，更衍生良率降低之問題。 有鑒於此’本案發明人乃經詳思細索，並經反覆試驗 及研究，終而有本發明之產生。 【發明内容】 ^本發明之主要目的在於提供一種用於製作隔離壁之曝 光方法，具有降低光阻成本支出及提升製作隔離壁良率的 功效。 緣以達成上述之目的，本發明所提供之一種用於製作 隔離壁之曝光方法，包含下列步驟：首先，塗佈一正型光 阻於一基板表面，並於正型光阻上方設置一光罩；接著， 令一第一射線以與該光罩表面夾一 0丨角度之方式照射該 光罩並對該正型光阻進行第一次曝光；之後，令一第二射 5 1278914 射角度之方式照射該光罩，該第二 =先之後，再經顯影、硬烤處理後，即可獲得倒 馈形之隔離壁。 5 【實施方式】 詳二:於；列:中本發明之較佳實施例，並配合下列囷示 第三圖係本發明於基板上方設置光罩之示意圖。 10立帛四圖係本發明一較佳實施例於進行第一:欠曝光之示 忍、圖。 第五圖係本發明完成第一次曝光之示意圖。 干音^六圖係本發明上述較佳實施例於進行第二次曝光之 第七圖係本發明完成第二次曝光之示意圖。 第八圖係本發明經顯影處理後之示意圖。 第九圖係依本發明製得之隔離壁的應用示意圖。 一立第十圖係本發明另一較佳實施例於進行第一次曝光之 不意圖。 ” 2〇 第十一圖係本發明上述另一較佳實施例於進行裳一 ^ 曝光之示意圖。 订第一-人 立第十一圖係本發明上述另一較佳實施例於顯影後之示 意圖。 /、 本發明用於製作隔離壁(separator)之曝光方法，包含下 1278914 列步驟： 請參閱第三圖所示，祕-液態狀的正型光阻㈣加 photoresist)均勻地塗佈於一基板1〇表面’前述塗佈方法如 眾所週知之旋轉塗佈或滾輪塗佈等方法，完成塗佈後的正 5型光阻係以薄膜型態於基板10表面形成一光阻膜2〇,接 著，對表面具有光阻膜20的基板1〇施以軟烤以增加光阻 膜20對基板1〇的附著力； 前述基板10係選自如玻璃基板、塑膠基板、陶瓷基板 或具導電性金屬膜之基材之一者，又該具導電膜之基材可 K)列舉如IT0基板、IZ0基板等；該正型光阻材料係選自易 於購得且材料成本低廉的一般正型光阻，例如： P4210(商品名，Clariant製）、^ 15〇〇(商品名，⑽如付製）、 ZWD6216(商品名，Zeon 製)或 DL-1000 (PSPI)(商品名，

Toray製)之一者。 15 接著，於該光阻膜20上方設置一光罩30，該光罩3〇 具有一可透光區32與一不可透光區34。 请再參閱第四、五圖所示，完成光罩3〇設置之後，先 使一第一射線L1以與該光罩3〇表面夾一 角度之方式 照射該光罩30,於本實施例中，該第一射線u為紫外線， 忒糸外線自光罩30上方且自垂直光罩3〇表面之延伸方向X 的一側照射該光罩30，該01角度為小於九十度之銳角， 。亥i外線經過可透光區32後照射於該光阻膜2〇,使得被照 射的光阻20a解離成可溶於顯影液的結構，而未被照射的 光阻20b結構仍維持不溶於顯影液的鏈結狀，於此定義此 1278914 程序為第一次曝光。 續請參閱第六、七圖所示，在完成第一次曝光之後， j使一第二射線L2以與該光罩30表面夾-Θ2角度之方 射，罩3G ’於本實施例中，該第二射線L2亦為紫 、、，4紫外線自光罩3G上方且自垂直光罩％表面之延 2方向X的另—舰射該光罩3G，射2角度為小於九十 n兒角且口玄们角度與該Θ 1角度相同，該紫外線經過 光區32後照射於该光阻膜2〇，並對在第一次曝光當中 未被照射的光阻2Gb產生局部照射，此局部被照射的光阻 e同樣因遇光而被解離成可溶於顯影液的結構，於此定義 此程序為第二次曝光。 15 …以上即為本發明驗製作隔_之曝光方法，當完成 次曝光與第二次曝光作業後，續以顯影液清洗 :、2G ’藉由顯影液對經過紫外線照射的光阻20a及 產生溶解，得以保留未被照射的光阻挪，該被保 光阻20b圖案之剖面即呈上寬下窄且兩側各具斜 L 4Π梯=如第八圖所示），亦即構成本發明欲製作的隔 =二:說明的是，本發明於第一次曝光與第二次曝 5作業時，i外線與光罩30表面所夾之W角度與θ2角 二Si:際需求而被選擇以不同的角度製作，非僅侷限 於相同角度而已。 其杯!f/閲第九騎7"，伽過本㈣之曝光方法而於 成有倒梯形狀隔離壁40之應用例，該隔離 為有機發先讀構成之一，其可做為分隔出有機膜5〇 8 20 1278914 與金屬陰極60使用。 光方t=?;n用以達成製作倒梯形狀隔離壁的曝 :==1與第二射線U的曝光源分別設置於該延 Π的兩側，再由第一射線L1與第二射線L2各自對 進行照射，據以達成本發明之曝光效果。 之银值得一提較，本翻用以製作倒梯形隔離壁 之曝先方法，亦可將產生紫外線的曝光源以單—個定點設 置，配合基板可被轉動的方式製作，如後所述：# 15 …請參閱第十圖所示，該基板7〇表面塗佈有正型光阻以 形成一光阻臈72，該光罩74位於光阻膜72上方，該曝光 源76被設置在光罩74上方且位於垂直光罩％表面之延伸 方向Y的一側，該曝光源76所產生的紫外線u以與光罩 74表面夾一預定角度的方式照射該光罩％，並對該光 阻膜72進行第一次曝光，前述θ3角度為小於九十度之銳 角；在完成第一次曝光之後，控制該基板7〇於一平面旋轉 一百八十度，如第十一圖所示，接著繼續利用該曝光源76 所產生的紫外線L3再次照射該光罩74並對該光阻膜72進 行第二次曝光，爾後經過顯影製程，即可獲得於基板7〇上 形成倒梯形的隔離壁78(第十二圖參照）。 綜上所述，本發明使用一般的正型光阻材料做為製作 隔離壁使用’不僅可降低成本支出，更因正型光阻遇顯影 液時’其分子體積膨脹量小，故可大幅降低隔離壁的變形 以提升製作良率。 9 20 1278914 以上所述者，僅為本發明之較佳可行實施例而已，故 舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所為之等效方法變 化，理應包含在本發明之專利範圍内。 1278914 【圖式簡單說明】 第一圖係一般基板上形成有隔離壁之示意圖。 第二圖係習知用以製作隔離壁之曝光示意圖。 第三圖係本發明於基板上方設置光罩之示意圖。 意圖 第四圖係本發明一較佳實施例於進行第一次曝光之示 第五圖係本發明完成第一次曝光之示意圖。 係本發明上述較佳實施例於進行第二次曝光之 第六圖 示意圖 10 帛七®縣伽完成第二次曝光之示意圖。 次曝光之 示意圖 第八圖係本發明經顯影處理後之示意圖。 第九圖係依本發明製得之隔離壁的應用示 第十圖係本發明另一較佳實施例於進行第。 15 曝先係本發明上述另-較佳實施例於進行第二次 第十二圖係本發明上述另-較佳實施例於顯影後之示 意圖 11 1278914 【本發明主要元件符號說明】 10 基板 20 光阻膜 20a、20c經曝光之光阻 5 20b未經曝光之光阻 30 光罩 不可透光區 32 可透光區 34 • 40隔離壁 50 有機膜 ίο 60 金屬陰極 第二射線 L1 第一射線 L2 01、02 曝光角度 X 垂直光罩表面之延伸方向 70 基板 15 72 光阻膜 • 74光罩 紫外線 7 6 曝光源 L3 78 隔離壁 0 3曝光角度 20 Y 垂直光罩表面之延伸方向 12

Claims (1)

1278914 十、申請專利範圍： 1 ·一種用於製作隔離壁之曝光方法，包含下列步驟： 塗佈一正型光阻於一基板表面； 於該正型光阻上方設置一光罩，該光罩具有一可透光 區與一不可透光區； 5 使一第一射線以與該光罩表面夾一01角度之方式照 射该光罩’該第一射線經過該可透光區並照射於該正型光 阻； 使一第二射線以與該光罩表面夾一02角度之方式照 射該光罩，該第二射線經過該可透光區並照射於該正型光 10 阻。 2·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， ，中忒第一射線係自該光罩表面之垂直方向的一侧照射該 光罩，该第二射線係自該光罩表面之垂直方向的另一側昭 射該光罩。 μ 15 3 ·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中該0 1角度與該02角度相同。 4·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中該正型光阻材料係自ΑΖΡ4210(商品名，Clariant製）、 AZ 1500(商品名，Clariant 製）、ZWD6216(商品名，&〇η 製) 2〇以及DL_1000 (pspi)(商品名，T〇ray製)所構成之族群中所 選出者。 5·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中该弟一射線係為紫外線。 6·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 13 1278914 其中該第二射線係為紫外線。 7·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中該基板係自破璃基板、塑膠基板、陶瓷基板以及具導 電膜之基板所構成之族群中所選出者。 5 8·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中該Θ1角度為小於九十度之銳角。 9·如請求項1所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中$亥0 2角度為小於九十度之銳角。 10· —種用於製作隔離壁之曝光方法，包含下列步驟： 1〇 提供一基板，該基板表面塗佈有一正型光阻； 提供一光罩，該光罩位於該正型光阻上方； 提供一曝光源，該曝光源之射線以與該光罩表面夾一 預定角度的方式照射該光罩並對該正型光阻進行第一次曝 光； ” 15 旋轉該基板預定角度； 該曝光源再次照射該光罩並對該正型光阻進行第二次 曝光。 11·如請求項10所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中該基板在完成第一次曝光後，被旋轉一百八十度，繼 2〇續進行第二次曝光。 又'、、 12 ·如請求項1〇所述之用於製作隔離壁之曝光方法， 其中該正型光阻材料係自AZPdO(商品名， AZ 1500(商品名，clarian^)、ZWD6216(商品名，&如製） 以及DL-1000 (PSPI)(商品名，T〇my製)所構成之族群中所