TWI278394B - Method and apparatus of forming alignment film - Google Patents

Description

1278394 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種形成一對準膜之方法與裝置，且較特別 的是一種形成一對準膜之非接觸方法與裝置。 【先前技術】 大體上，一液晶顯示器裝置相較於其他顯示器裝置而呈 車乂輕且車父小’液晶顯示器裝置係經由許多製造過程製成。 一用於製成液晶顯示器裝置之第一製程包括形成薄膜電 晶體（TFT)單元於一第一主基板上及形成濾色片單元於一 第二主基板上，用於製成液晶顯示器裝置之第一製程係揭 露於第6,391，137號美國專利申請案内（案名”Meth〇d f〇r

Manufacturing Display Device，，）。 一用於製成液晶顯示器裝置之第二製程包括一摩擦製 程，薄膜電晶體單元與濾色片單元之間之液晶層係經由摩 擦製程而在薄膜電晶體單元與濾色片單元上對準，第二製 程之實例係揭露於第5,879,497號美國專利申請案内（案名 -AUgnment Device and Rubbing Cloth for Alignment with respect to Liquid Crystal Display Device-use Substrate,and Method for Manufacturing a Liquid Crystal Display DeV1Ce”），— &疊層織物（或摩擦布）覆蓋之筒形親具有疊層 之輕於對準膜上，使-對準槽形成於對準膜上，對準槽產 生液晶層液晶分子之預先傾斜角度。 -用於製成液晶顯示器裝置之第三製程實例係、揭露於第 6,397，137號美國專利申請案内，第三製程包括一組裝製

O:\88\88838.DOC 1278394 程，用於組合第一主基板 二主基板係組合以致於第=基：’第—主基板及第 於弟―主基板之薄膜電晶體單元面向 基板之Μ片單元。文後，第4基板及第二主基 板私為、组合基板’，，且薄膜電晶體單元與渡色片單元 為一 ’，液晶顯示器裝置單元，，。 -用於製成液晶顯示器裝置之第四製程實例係揭露於 =7，m號美國專利中請案内，第四製程包括-劃線與斷 “程’用於劃線與自組合基板分離於液晶顯示器裝置單 曰曰 凡’-自組合基板分離之液晶顯示器裝置單元稱為液 顯示器面板ff。 / -用於製成液晶顯示器裝置之第五製程實例包括一測試 製程’-測試驅動信號施加至液晶顯示器面板，供測試= 晶顯示器面板。 一用於製成液晶顯示器裝置之第六製程實例包括一液晶 注入製程，用於注入液晶至第一主基板及第二主基板之間 之一單元間隙，及用於調制單元間隙尺寸之單元間隙調制 製程。 一用於製成液晶顯示器裝置之第七製程實例包括一極化 板連接製程及模組製程，一（或多）極化板經由極化板連接製 私而連接於液晶顯示器面板上，一用於驅動液晶顯示器面 板之驅動模組則經由模組製程而安裝於液晶顯示器面板 上。隨後，具有驅動模組之液晶顯示器裝置稱為一，，液晶顯 示器面板總成’’。 大體上，習知製造過程之順序皆已提及，而在各製程期

O:\88\88838.DOC 1278394 間發生之故障已減少許多。 惟’習知製造過程仍有一些重大問題。 例如，各製程之製程速度相異，詳言之，第一至第三製 耘之製程速度即不同於第四至第七製程者。大體上，第一 至第三製程之製程速度較快於第四至第七製程者，亦即， 製造薄膜電晶體單元、濾色片單元及組合基板等製程之製 ，速度較快於劃線製程、分離製程、測試製程、液晶注入 製程、極化板連接製程及模組製程等之製程速度。 因此已通過第二製程之組合基板需等待一段預定時 間’以進行第四製程’組合基板等待之時間越長則液晶顯 不器裝置之生產率越低。 乂夕口又備建立在第四至第七製矛呈内以便解決上述問題 易言之’設備之延伸會增加液晶顯示器裝置之生產率，惟 較多設備會大為增加製造成本。 再者，習知製造過程有多項問題。 广項問題發生在摩擦製程，用於對準液晶分子之心 有以下問題’由一疊層織物覆蓋之筒形輥具有疊層; ^於對準膜上，使—對準槽形成於對準膜上，對準槽產/ 液晶層液晶分子之預先傾斜角度。 s - 二在習知摩擦製程中產生許多顆粒副產物 ::製程期間引起故障。為了消除顆粒，故需一清潔製程 ^月 >糸製程包括一化學、、主：繁制 、 予/月办I私，其中化學清潔劑 且顆粒因而去除，一剎田钭u 合鮮顆^ 、 ’、 利用、、、屯水以去除化學清潔劑之製鞀 以及一去除純水之乾择製 钇係裊轾。據此，製造液晶顯示器裝】

O:\88\88838.DOC 1278394 之時間即因為清潔製程而增加。 、再者依據^知摩擦製程，摩擦布係由新的摩擦布更換 或摩“布做週期性清潔，因&，習知摩擦製程無法連續性 實施且製造液晶顯示器裝置之效率降低。 /匕卜、在^知摩擦製程中，具有疊層之疊層織物（摩擦布） 係在對準膜上形成對準槽。因此，當對準槽已形成時，對 準槽之缺陷甚少被偵測到。夜晶顯示器裝置完全製成後， …、準槽之缺卩曰才在穩定性測試中偵測，具有對準槽缺陷之 液晶顯示器裝置會降低影像顯示之品質。 一第二項問題發生在組合基板製造後。當組合基板製造 時，液晶顯示器裝置單元分離於組合基板，且各液晶顯示 器面板利用各液晶顯示器裝置單元製成。輸入端子及（或） 輸出端子曝露於空氣，且輸入/輸出端子氧化，因此一薄氧 化膜形成於輸入/輸出端子之表面上，薄氧化膜有損輸入/ 輸出端子之電力性特徵，因此，液晶顯示器裝置之顯示品 質降低。 一第四項問題發生在模組製程，液晶注入液晶顯示器面 板且一極化板連接於液晶顯示器面板上，極化板係——連 接於自組a基板分離之液晶顯不面板上，因此，需要極 多時間將極化板連接於組合基板。 為了克服上述問題，極化板可連接於組合基板上，隨後， 將連接於組合基板上之極化板切除，以製成具有一極化板 之液晶顯示器裝置單元。惟，吾人難以在切除組合基板之 前债測到液晶顯示器裝置單元之缺陷。當一極化板連接於 O:\88\88838 DOC -9- 1278394 缺之液晶顯示器單元時，極化板即無用。 【發明内容】 據此，本發明提供一種利用一非接觸方法以形成對準膜 之方法與裝置。 依该方法所示，一原子束投射於一包括一碳-碳雙鍵在内 之薄膜上，藉由將碳_碳雙鍵轉變成一碳_碳單鍵及一原子團 狀心以开》成一極化機能團。隨後，一極化維持物結合於 極化機能團，以利維持極化機能團之極性。 幵乂成對準膜之裝置包括一原子束投射組件及一極化維 持組件，原子束投射組件將一原子束投射於一包括一碳-碳 雙鍵在内之薄膜上，藉由將碳_碳雙鍵轉變成一碳·碳單鍵及 一原子團狀態，以形成一極化機能團，極化維持組件將一 極化維持物結合於極化機能團，以利維持極化機能團之極 性。 依本發明所示，對準膜係利用一非接觸方法以形成於薄 膜電晶體單元上及濾色片單元上，因此，形成對準膜之時 間減少且液晶分子之對準改善。 【實施方式】 文後’本發明之較佳實施例將參考附圖詳細說明於後。 圖1係一流程圖，揭示第一實施例製造一液晶顯示器裝置 之方法。 請參閱圖1，至少一薄膜電晶體單元形成於一第一主基板 上，及至少一；慮色片單元形成於一第二主基板上（步驟 S100)。形成於第一主基板上之薄膜電晶體單元及形成於第 O:\88\88838 DOC -10- 1278394 基，上之濾色片單元係透過相異製程形成。 於f主圖’揭示第—實施例之—第—主基板及形成 、 基板上之薄膜電晶體單元。 明參閱圖2，至少一薄膜電晶體單 板1〇上。 电日日瓶早凡&2〇形成於第一主基 例如，第一主基板1〇之尺寸 1400 mm， 性之玻璃基 ^ 1 ουυ mm 第-主基板Η)可包括—透明且具有良好阻 板0 薄膜電晶體單元區20係 電晶體單元區20形成於第 元30形成於各薄膜電晶體 由一點狀線圍起，例如，6個薄膜 一主基板1〇上，一薄膜電晶體單 早疋區2 0内。 圖^系-示意圖，揭示形成於圖2之薄膜電晶體單元區内 之一溥膜電晶體單元之-像素電極及—薄膜電晶體，及圖4 係一截面圖，揭示圖3之一像素電極及一薄膜電晶體。 請參閱圖3、4，一薄膜電晶體單元3〇包括至少一薄膜電 晶體40、一閘極線50、一資料線6〇及一像素電極。 例如，當一液晶顯示器裝置之解析度為1〇24 χ 768時， 形成於圖2之一薄膜電晶體單元區2〇内之薄膜電晶體4〇數 即為1024 χ 768 χ 3，薄膜電晶體4〇係在圖2之薄膜電晶 體單元區20上配列成一矩陣形狀。 清參閱圖4，薄膜電晶體4〇包括一閘極42、一閘極絕緣層 43、一源極44、一汲極46及一通道層48。 復參閱圖3，閘極線50透過形成閘極42之同一製程而形 成’ 4膜電晶體40之閘極42透過閘極線5〇而彼此電連接。 O:\88\88838.DOC -11 - 1278394 一 2線6G透過形成薄膜電晶體40之源極44與祕46之同 製矛而瓜成薄膜電晶體4〇之源極44則透過資料線而 彼此電連接。 像素電極7G包括-具有高透射率及高導電率之材料，例 如，像素電極70包括銦錫氧化物（ITC))或銦鋅氧化物（剛， 像素电極7G形成於各薄膜電晶體4Q内，且 電晶體40之汲極46。 專膜 圖5係-示意圖，揭示第一實施例之一第二主基板及形成 於第二主基板上之濾色片單元區。

請參閱圖5，第二主基板8〇之尺寸例如約為16〇〇 X 1400 mm，第二主基板8〇可包括一透明且具有良好阻熱性 之玻璃基板。 一渡色片單元區90係由圖5中之一點狀線圍起，至少一淚 色片單元區90形成於第二主基板80上。例如，6個濾色片單 凡區90形成於第二主基板80上，一濾色片單元1〇〇形成於各 濾色片單元區90内。 圖6係一截面圖，揭示圖5之一部分濾色片單元。 請參閱圖6，圖5之一濾色片單元1〇〇包括一濾色片11〇及 一共用電極120。 濾色片110包括一紅色濾色片112、一綠色濾、色片1} 4及一 藍色濾色片116。紅色濾色片112過濾白光，因此僅有波長 相當於紅色可見光之光線可通過紅色濾色片112。綠色遽色 片114過濾白光，因此僅有波長相當於綠色可見光之光線可 通過綠色濾、色片114。藍色滤色片116過濾白光，因此僅有 O:\88\88838.DOC -12- 1278394 波長相當於藍色可見光之光線可通過藍色濾&片116。紅色 濾色片112、綠色濾色片114及藍色濾色片各面對於圖3 之像素電極7 0。 共用電極120包括一具有高透射率及高導電率之材料，例 士 /、用電極120包括銦錫氧化物（ITO)或銦辞氡化物 (IZO)，共用電極12〇形成於圖5之濾色片11〇上及全部濾色 片早/C區9 0内。 復參閱圖卜薄膜電晶體單元30形成於第一主基板ι〇上且 濾色片單元100形成於第二主基板8〇上後，液晶分子即由一 非接觸型對準方法對準（步驟S200)，液晶之分子方位係由 非接觸型對準方法設定。 非接觸型對準方法解決了 t液晶分子由使用聚醯亞胺膜 做為一對準膜之習知摩擦製程對準時所發生之問題。 包括至少一薄膜電晶體單元30在内之第一主基板10及包 括至少一濾色片單元100在内之第二主基板8〇係經蝕刻而 設置平行於重力方向，且由自動導引車（AGV)或手動導引 車（MGV)轉移至一實施下一製程之處。 第一主基板10及第二主基板80具有一大表面積，所以許 多問題會因為第一主基板10及第二主基板80之大表面積而 毛生因此苐主基板及弟二主基板80係豎;直及轉移， 以利解決問題。例如，當第一主基板10及第二主基板80鋪 平而實質上垂直於重力方向且轉移時，第一主基板10及第 二主基板80會因為重力而下垂，使得形成於薄臈電晶體單 元30上或濾色片單元1〇〇上之圖案受損及電短路。當第一主 O:\88\88838.DOC -13- 1278394 基板10及第一主基板8 0豎直及轉移時，此問題即得到解 決。當第一主基板10及第一主基板80豎直及轉移時，第一 主基板10及第二主基板80之下垂現象可減至最少。 再者，當第一主基板10及第二主基板8〇豎直及轉移時， 自β洛、至天花板流向清潔室地板之空氣極少接觸於第一主 基板10及第二主基板80。因此，當第一主基板1〇及第二主 基板80豎直及轉移時，第一主基板1〇及第二主基板8〇之污 染即減至最少。 此外，在用於製造一液晶顯示器裝置之大部分設備中， 一基板係豎直及載於設備内，且基板在設備内經歷任意製 程之前先鋪平而垂直於重力方向，因此，當以豎直狀態轉 移時，令基板豎直以載於設備内所用之時間即不需要。 文後將揭露一用於使液晶分子對準之非接觸型對準方法 及裝置。 <液晶分子之非接觸型對準第一實施例> 為了使液晶分子在圖2之薄膜電晶體單元30上或圖5之濾 色片單元100上對準，需要一對準膜及施加至對準膜之原子 束。 、圖7係一截面圖，揭示第一實施例之一形成於第一主基板 或第二主基板上之對準膜。 明多閱圖7，一對準膜13〇包括一形成於薄膜電晶體單元 上及濾色片單70上之金剛石性碳薄膜（DLC膜），對準膜13〇 可包括金剛石性碳薄膜以外之Si〇2、％队及Τι〇2。、 文後’金剛石性碳薄膜即以參考編號130表示。

O:\88\88838.DOC -14- 1278394 對準膜，因為金剛石性碳 -碳單鍵時，碳原子之極 金剛石性碳薄膜130使用做為一 薄膜1 3 0具有碳_碳雙鍵。 當碳原子之碳-碳雙鍵分裂成碳 性變成原子團。 ，液晶分子位於包括碳原子團在内之金剛石性碳薄臈 130上時’液晶分子即因包括碳原子團在内之金剛石性碳薄 膜130而自行對準，因為液晶分子具有晶體與液體二種特 徵，且具有依據外部電場而對準之液晶分子動子。 在本實施例中，一原子束感應金剛石性碳薄膜130表面上 之碳原子團，一預先傾斜角度影響液晶顯示器裝置之視 角。當在-液晶顯示器面板第一區内之液晶分子之預先傾 :角度不同於在液晶顯示器面板第二區内之液晶分子者 時’黑點即顯示於液晶顯示器面板上’因而提供劣質之影 像顯示。 在原子束感應金剛石性碳薄膜13〇上之碳原子團命Η t ’當原子束與金剛石性碳薄膜13G表面之間之—角度改雙 纷’液晶分子之預先傾斜角度亦改變，因此，原子束之招 射角度（或掃描角度）係相關於顯示品質。 圖8係一流程圖，揭示本發明第一實施例利用一非接觸型 對準方法以在一對準臈上使液晶對準之方法。 請參閱圖8,為了利用一非接觸型對準方法以在一金剛石 性碳薄臈上使液晶分子對準，故產生—第_ S205) 〇 圖9係一流程圖’揭示產生圖8所示第_離子束之方法。

O:\88\88838.DOC -15- 1278394 請參閱圖9’為了產生一第一離子束，一源氣體係供給(步 驟S206)且源氣體解離成離子（步驟S2〇7)。隨後，離子進行 加速（步驟S208)。 例如，一氬（Ar)氣使用做為源氣體，氬氣可由電漿產生 電場或在一高於大約25〇〇κ溫度時解離成氬離子。 在本實施例中，氬氣係一高於大約2500Κ溫度時解離。 當源氣體解離且轉變成離子時，源氣體之離子加速趨近 於目標物（步驟S208)。當一相反極性於離子者之電壓施加 至目標物時，源氣體之離子即加速。 例如，氬離子具有正極性（+)，負㈠電壓即施加至金剛石 性碳薄膜，以利加速氬離子。 氬離子依據哥倫布（coul〇mb)定律而吸向具有負㈠電壓 之金剛石性碳薄膜，施加至金剛石性碳薄膜之電壓絕對值 變大，則加速氬離子越快。 田第離子束通過一離子束產生裝置之一孔時，相關於 金剛石性碳薄膜表面而形成之離子束投射角度係經控制， 第二離子束之截面形狀取決於離子束產生裝置之孔形狀。 惟，當第一離子束直接施加至金剛石性碳薄膜時，其難 以控制相關於金剛石性碳薄膜之第一離子束投射角度。 因此’第一離子束轉變成第二離子束（步驟S21〇)，如圖8 所示。 第一離子束利用一電子方法或一物理方法轉變成第二離 子束’第二離子束具有一長方形截面之帶狀。 為了產生具有上述形狀之第二離子束，第一離子束即通

O:\88\88838.DOC -16- 1278394 過一殼體，其入口寬廣且其出口具有一長方形狀。 曰曰 二 相關於金剛石性碳薄膜表面之第二離子束角度決定液 分子之預先傾斜角度，相關於金剛石性 離子束角度係在大約。。至9。。範圍内。例如，當 向列性液晶時，相關於金剛石性碳薄膜表面之第二離子束 角度係在大約0。至45。範圍内，當液晶係在垂直對準模式中 呈垂直對準時，相關於金剛石性碳薄膜表面之第二離子束 角度係在大約45°至90。範圍内’較佳為在大謂。至％。範圍 内。 復參閱圖8，前往金剛石性碳薄膜13〇之第二離子束轉變 成原子束（步驟S215)，原子束之方向及速度實質上相同於 第二離子束者。 電子供給至第二離子束，使得第二離子束之離子轉變成 電中性之源氣體。第二離子束之離子極不穩定，因此，離 子會接受呈電中性且穩定之欲轉變成原子束之電子。 截面呈長方形之原子束投射於金剛石性碳薄膜上，因為 原子束維持相同於第二離子束者之形狀。因此，原子束掃 描於金剛石性碳薄膜上，以利投射於全部金剛石性 膜 130 上（步驟 S220)。 、 為了將原子束掃描於金剛石性碳薄膜13〇上，原子束可移 動而金剛石性碳薄膜之位置不變，或者金剛石性碳薄膜可 移動而原子束之束源位置不變。 在本發明之舉例實施例中，原子束移動而金剛石性碳薄 膜之位置不變。

O:\88\88838.DOC -17· 1278394 圖ι〇係-示意圖，揭示第一實施例之一非接觸型對準裝 置，及圖11係一示意圖，揭示圖10之一第一離子束產生模 組、一第二離子束產生模組及一原子束產生模組。 請參閱圖H)，-用於對準液晶分子之非接觸型對準裝置 包括一第—離子束產生模組15〇、—帛二離子束產生模組 160、一原子束產生模組170及一轉移模組18〇。 請參閱圖11，第一離子束產生模組15〇包括一第一離子束 殼體152、一源氣體供給單元154、一源氣體解離單元156 及一離子加速單元158。 第一離子束殼體152提供一空間以產生一第一離子束，該 空間隔離於外界，第-離子束殼體152包括—離子產生區及 一離子加速區。 第離子束喊體152之離子產生區連接於源氣體供給單 元154,源氣體供給單元154經由一管路155而供給氬（Ar)氣 至第一離子束殼體152。氬具有重的原子重量，因此，當氬 加速時氬容易斷裂碳_碳雙鍵。 /原氣體解離單元156係、將源氣體供給單it 154所供給之氬 氣解離，源氣體解離單元156可有多項元件。 例如，源氣體解離單元156可包括一陰極、一陽極及一用 於％加電力至陰極與陽極之電力供給器。 、電力供給器施加一預定電壓至陰極與陽極，使氬氣解離 成氮離子與電子。 原氣體解離單元156可包括一放射出電子之鎢（W)絲 156a、一用於加熱鎢絲156a之電力供給器156b。

O:\88\88838.DOC -18 - 1278394 當鎢絲156a以一高於大約25〇〇κ溫度加熱時，鎢絲i56a 即放射出電子’自鶴絲156a放射出之電子撞擊氨原子，使 風原子轉變成氬離子。離子加速單元158安裝於第一離子束 殼體152之離子加速區内，離子加速單元158令氬離子加速 至具有足夠速度，供氬離子斷裂金剛石性碳薄膜之碳-碳雙 鍵。 離子加速單元158包括—具有網狀結構之離子加速電極 158a及一用於施加相反極性於該離子者之電壓至離子加速 電極158a之第一電力供給器158b。 例如，當具有正極性之離子係由源氣體解離單元產生 於第-離子束殼體15 2内時，第一電力供給器J 5 8 b即施加負 電屋至離子加速電極158a。隨後，哥倫布力將具有正極性 之離子加速趨近於離子加速電極158&。 離子之速度係依據施加至離子加速電極丨5仏之電壓強度 而調整。 J電壓過高時’離子有足夠能量使原子束貫穿金剛石性 石厌薄膜之表面及植人金剛石性碳薄膜内。當電壓過低時， 離子無足夠能量，因此原子束無法斷裂金剛石性碳薄^ 碳-碳雙鍵。因此’電壓具有一適當位準，使原子束不植入 金剛石性碳薄膜内且不斷裂金剛石性碳薄膜之碳·碳雙鍵。 /如上所述，由第一離子束產生模組15〇產生之第一離子束 係由離子加速電極l58a加速，且前往第二離子束產生模組 160。 第一離子束殼體162 第二離子束產生模組16〇包括一

O:\88\88838.DOC -19- 1278394 第二離子束產生體164、一第—籬；击 ^ 子束加速裝置166及-第 二電力供給器168。 第二殼體162包括非導電性材料 士 + 不J寬絕緣於第一離子 束设體152。第二離子束產生體164安 文衣於弟二離子吏 ^内1二離子束產生體164包括—供第—離子束進入之 第一離子束入口 164a及一供第二離子击 雕于釆離開之第二離子束 出口 164b 。 第-離子束人n164a大，㈣_離子束容易進入第二離 子束產生模組⑽’第-離子束“164a可有多種形狀。第 一離子束加速裝置166安裝於第—離子束人nl64a，第一離 子束加速裝置166包括導電性材料。第二電力供給琴168使 第-離子束加速裝置166有—相反於第—離子束極性之電 力電壓’設置於第-離子束Anl64a之第_離子束加速裝 置166將第一離子束再次加速。 第二離子束出口 164b具有一長方形狀，第二離子束出口 164b之寬度窄，而第二離子束出口_之長度長。第一離 子束進入第一離子束入口 1643及到達第二離子束出口 164b，當第一離子束通過第二離子束出口 “仆時，第一離 子束之截面呈長方形，第二離子束則自第二離子束出口 1 64b離開。 一原子束產生模組170安裝於一原子束產生區内，詳言 之原子束產生模組170安裝鄰近於第二離子束殼體162。 原子束產生模組170包括一電子產生單元172及一電子加速 單元174,電子產生單元172產生電子，電子加速單元174

O:\88\88838.DOC -20- 1278394 則移動電子。 電子產生單元172包括一鎢絲172a及一第三電力供給器 H2b，第二電力供給器17几以電力電壓提供於鎢絲Η。， 使鎢絲172a加熱及具有高於約25罐溫度，且電子係自鶴絲 172a放射出。 電子加速單元174面對電子產生單元172,電子加速單元 U4以哥倫布力吸引由電子產生單元172產生之電子。 電子加速單元174包括一第四電力供給器17乜及一電極 174b第四電力供給器1 74a施加相反於該電子極性之正（+) 電壓至電極174b。 自電子產生單元172產生之電子移向電子加速單元174， 電子路徑相交於一第二離子束路徑，第二離子束之離子 結合於電子產生單元172所產生之電子。因此，氬離子轉變 成氬（Ar)原子，以致於產生一氬原子束。第二離子束之氬 離子具有實質上相同於氬原子束之氬原子者之速度，且第 一離子束以相同於氬原子束者之方向移動。文後，以相同 於第二離子束者之速度及方向移動之源氣體即稱為一原子 束。 由原子束產生模組170產生之原子束具有一長方形截 面，且投射於一部分金剛石性碳薄膜上。為了使原子束投 射於全部金剛石性碳薄膜上，原子束移動同時金剛石性碳 薄膜固定，或者金剛石性碳薄膜轉移同時原子束固定。 轉移模組180係相關於一包括第一離子束產生模組15〇、 第一離子束產生模組160及原子束產生模組在内之組合

O:\88\88838.DOC -21 - 1278394 體而移動。 在上述非接觸型對準裝置140中， 用 v P利用非接觸型對準方 杰卢…。 束係相關於金剛石性碳薄膜而形 成一在大約0°至90。範圍内之角度。 當液晶為扭曲向列性液晶時，原 丁果开/成一在大約〇 0至 45°範圍内之角度。 垂直對準時，原子束形成 ’較佳為在大約80。至90。 當液晶係在垂直對準模式中呈 一在大約45。至90。範圍内之角度 範圍内。 非接觸型對準褒置140可具有至少二第二離子束出口 祕，以利提供至少二原子束。非接觸型對準裝置⑽可產 生複數原子束，其各行進趨近於金剛石性碳薄膜且入射於 金剛石性碳薄膜上，以利相關於金剛石性碳薄膜而形成不 同角度。因此，原子束與金剛石性碳薄膜之間之角度可以 改變。 如圖12所示，一用於形成金剛石性碳薄膜之裝置係在一 主基板上形成金剛石性碳薄膜，及主基板轉移至用於形成 金Hj石丨生;5反薄膜之裝置，且液晶分子係由非接觸型對準裝 置140對準。亦即，金剛石性碳薄膜與液晶分子可由一現場 製矛°處理。圖12係一示意圖，揭示一非接觸型對準裝置及 一用於形成金剛石性碳薄膜之裝置。 用於形成金剛石性碳薄膜之裝置丨9〇包括一容室丨9 1、一 用於支持一第一主基板1〇或一第二主基板8〇之基板支持單 兀192、一反應氣體供給模組193、一真空幫浦194及一電漿

0 \88\88838.DOC -22- 1278394 產生器。 基板支持單元192設置於容室191内，具有圖2所示薄膜電 晶體單元30之第一主基板1〇即轉移且置於基板支持單元 192上’具有圖5所示濾色片單元1〇〇之第二主基板8〇亦轉移 且置於基板支持單元192上。 反應氣體供給模組193可將氦（He)、氫（h2)、甲烷（ch4) 或乙炔（C2H2)提供於容室191。 真空幫浦194以大約60托之高真空提供於容室191，因 此反應氣體以外之雜質或氣體不會在形成金剛石性碳薄 膜之製程中沉殺。 私水產生器以反應氣體形成金剛石性碳薄膜，電漿產生 器G括陰極195、一陽極196及一電力供給器197，高電壓 施加於陰極195與陽極196之間，使氦或氬氣離子化。 用於形成金剛石性碳薄膜之裝置190可以直接組合於對 準裝置140。 之下，一負載閂鎖室200可安裝於裝置19〇與對準暴 置140之間’第一主基板10或第二主基板80在負載閂鎖! 200内暫時豎直。 當用於形成金剛石性碳薄膜之裝置190、負載問鎖室2〇 及對準裳置140係安裝以致於金剛石性碳薄膜及液晶分巧 :由一現場製程處理時，將液晶分子對準所需之時間即$ 再者第主基板1〇與第二主基板8〇之污染可以減少 〈液晶分子之非接觸型對準第二實施例〉

圖13係—流程圖，揭示第二實施例利用-非接觸方法C

O:\88\88838.DOC -23- 1278394 將液晶對準之方法。 在先則之程序中，具有碳-碳雙鍵之金剛石性碳薄臈形成 於具有圖2所示薄臈電晶體單元30之第一主基板1〇上或具 :圖5所示遽色片單元1〇〇之第二主基板8〇上，金剛石性碳 薄膜係利用化學氣體沉積（CVD)形成。 明參閱圖1 3，原子束撞擊金剛石性碳薄膜，因而產生 用於將液晶分子對準之極化機能團（步驟S225)。 圖14係一流耘圖，揭示第二實施例在金剛石性碳薄膜中 產生一極化機能團之方法。 請參閱圖14，-第—離子束係產生且加速趨近於金剛石 性碳薄膜（步驟S226)。 隨後，第-離子束轉變成一第二離子束，其截面呈長方 形（步驟S227)，第二離子束之速度相似於第一離子束之速 度，第二離子束相關於金剛石性碳薄膜而形成一在大約〇。 至90°範圍内之角度。 當第二離子束行進趨近於金剛石性碳薄膜時，第二離子 束撞擊到相交於第二離子束之電子，因此第二離子束轉變 成原子束（步驟S228)。第二離子束之速度與方向實質上維 持不變，因為離子之質量遠大於電子者，因此，原子束之 速度與方向實質上相等於第二離子束之速度與方向。 原子束到達金剛石性碳薄膜之一表面且撞擊於金剛石性 碳薄膜，原子束掃描金剛石性碳薄膜之表面（步騾“Μ)。 撞擊於金剛石性碳薄膜之原子束改變金剛石性碳薄膜之 表面，詳言之，原子束斷裂碳·碳雙鍵而產生具有一碳-碳單

O:\88\88838 DOC -24- 1278394 鍵結構及原子團狀態之子鏈H形成於金剛石性碳薄 膜内之原子團形成用於將液晶分子對準之極化機能團。 極化機能團係極為不穩定，因此，極化機能團易於產生 碳-碳雙鍵結構。 當穩定之碳-碳單鍵結構回復到不穩定之碳_碳雙鍵結構 時，產生於金剛石性碳薄膜内之極化機能團即消失。 當用於將液晶分子對準之極化機能團未顯現時，液晶分 子不會維持預先傾斜角纟，因而破壞液晶顯示器裝置之顯 示品質。 因此，為了維持液晶顯示器裝置之顯示品質，將液晶分 子對準之極化機能團應該永久保持於金剛石性碳薄膜上。 因此，產生極化機能團後，極化維持物結合於極化機能 團，以致於極化機能團永久存在於金剛石性碳薄膜上（步驟 S230) 〇 备石反-¼雙鍵斷裂時，碳_碳單鍵及子鏈即產生。為了使 極化機能團永久存在，子鏈係結合於其他機能團。 圖15係一流程圖，揭示將一羥基（_〇H)導入極化機能團内 之製程。 為了使極化機能團永久存在，極化機能團之一子鏈係結 合於羥基（-0H)，因此一C-0H鍵形成於金剛石性碳薄膜内。 首先，去離子水（DI水）加熱成氣體（步驟S231)，氣體則施 加至金剛石性碳薄膜之表面上（步驟S232)。 加熱去離子水以形成氣體並不重要，但是蒸發後之去離 子水會激勵去離子水與子鏈之結合。

O:\88\88838.DOC -25- 1278394 S羥基（-0H)結合於金剛石性碳薄膜之子鏈時，子鏈不再 與碳結合。因此，金剛石性碳薄膜上之碳原子具有碳·碳單 鍵’因而維持電不穩定性之極化機能團。 依上述實施例所示，結合於羥基（-〇Η)之極化機能團可防 止金剛石性碳薄膜呈電中性。 <液晶分子之非接觸型對準第三實施例> 圖16係一流程圖，揭示本發明第三實施例將一氫離子導 入極化機能團之製程。 去_子水供給至金剛石性碳薄膜之表面，以利氫離子（Η+) 結合於子鏈（步驟S233)。

Ik後’紫外線投射於金剛石性碳薄膜之表面上，使氫離 子（H+)結合於子鏈（步驟S234)。 當超紫外線投射於除離子水上時，二氫離子及一氧離子 即依以下化學式產生。 <化學式1 > H2〇—2H++CT2 由紫外線解離之氫離子（H+)結合於子鏈，以形成一C_H 鍵。 當氫離子（H+)結合於内有極化機能團之金剛石性碳薄膜 内形成之子鍵日$ ’子鍵不再與碳結合。因此，金剛石性碳 薄膜上之碳原子具有碳-碳單鍵，因此呈電不穩定性之電不 穩定性極化機能團即維持在金剛石性碳薄膜内。 利用紫外線與去離子水以鏈合氫離子（H+)與子鏈可在低 溫下實施。 對比之下，當氫氣通過一具有較高於2500K溫度之區域 O:\88\88838.DOC -26- 1278394 時，質子（H+)與電子（e·)即自氫氣解離，質子（H+)可結合於 子鏈，以形成C-H鍵。 <液晶分子之非接觸型對準第四實施例> 圖17係一流程圖，揭示本發明第四實施例將一氮離子導 入極化機能團之製程。 氮離子（N )結合於利用原子束而形成於金剛石性碳薄膜 内之子鏈，使極化機能團維持在金剛石性碳薄膜上。 提供氮氣（NO(步驟S235)，且氮氣解離以形成氮離子 (N、）（步驟S236)，一較高於氮離子化電壓之電壓係施加至氮 氣（NO，因此形成氮離子（Ν·)。 氮離子（Ν )結合於金剛石性碳薄膜内所形成之極化機能 團，以形成一 C-N鍵（步驟S237)。 當氮離子（Ν·)結合於子鏈時，子鏈可再結合一碳原子且碳 原子保持一碳_碳單鍵。因此，呈電不穩定性之極化機能團 得以維持。 在上述第一至第二實施例中，羥基、氫離子或氮離子結 合於極化機能團，以維持極化機能團。 文後揭示液晶分子之非接觸型對準第二實施例之一用於 液晶非接觸型對準之裝置。 <液晶分子之非接觸型對準第五實施例> 圖1 8係一示意圖，揭示本發明第五實施例之一非接觸型 對準裝置。 請參閱圖18 , —用於非接觸型對準液晶分子之非接觸型 對準裝置210包括一原子束投射組件22〇及極化維持組件

O:\88\88838.DOC -27- 1278394 240 〇 再者非接觸型對準裝置2 1 0可包括一薄膜形成組件 用於在第主基板10或第二主基板80上形成一金剛石 性碳薄膜。 凊參閱圖18，薄膜形成組件23〇包括一容室231、一基板 寺單元2 3 2 反應氣體供給模組2 3 3、一真空幫浦2 3 4 及具有陰極235、一陽極23 6及一電力供給器23 7之電漿 產生器。 7 抑基板支持單元232設置於容室231内，形成有薄膜電晶體 早7^之第一主基板10及形成有濾色片單元之第二主基板80 皆由基板支持單元232支持。 反應氣體供給模組233可將氦（He)、氬（Ar)、氫（η2)、甲 烧（CH4)或乙炔（c2H2)提供於容室231。 真空幫浦234係在容室231内產生大約6〇托之高真空，因 此反應氣體以外之其他氣體不會在形成金剛石性碳薄膜之 製程中沉澱。 金剛石性碳薄膜係利用電漿產生器而以反應氣體形成。 電漿產生器包括陰極235、陽極236及電力供給器237，— 充足電壓施加於陰極235與陽極236之間，使氦（He)或氬（A。 離子化。 薄膜形成組件230可直接組合於原子束投射組件22〇。 惟，一負載閂鎖室289可介置於薄膜形成組件23〇與原子 束投射組件220之間，第一主基板1〇或第二主基板8〇在負载 閂鎖室289内暫時豎直，如圖18所示。 0\88\88838.DOC -28- 1278394 當薄膜形成組件230、負載閂鎖室289、原子束投射組件 220及極化維持組件240係組合成列時，一對準液晶分子之 製程可減少時間，且第一主基板10與第二主基板8〇之污染 可以減少。 形成有金剛石性碳薄膜之第一主基板1〇或第二主基板8〇 轉移至原子束投射組件220。 由原子束投射組件220所產生之原子束撞擊到形成於第 一主基板10或第二主基板8〇上之金剛石性碳薄膜，且一碳_ 碳雙鍵斷裂，因此一碳-碳單鍵結構及子鏈形成於金剛石性 碳薄膜内。因此，用於將液晶分子對準之極化機能團即形 成。 極化維持組件240維持極化機能團，以致於極化機能團留 存於金剛石性碳薄膜内。 文後揭露多種極化維持組件240。 請參閱圖18，極化維持組件24〇包括一容室241、一水供 給模组242及一噴霧模組243。 一用於維持極化機能團之製程係在容室241内實施。 供給模組242將去離子水供給至容室241，供給模組μ〕 可進-步包括-加熱單元244’用於加熱欲轉變成氣體之去 離子水。 噴務杈組243將去離子水或氣體均勻地喷在第一主基板 10或第二主基板80上，喷霧模組243包括一喷霧喷嘴⑽。 〈液晶分子之非接觸型對準第六實施例〉 圖1 9係一不思、圖’揭*本發明第六實施例之一非接觸型

O:\88\88838.DOC -29- 1278394 對準裝置。 請參閱圖19，極化維持組件250包括—水供給組件26〇及 一紫外線投射組件270。 水供給組件260包括一容室26卜一水供給模組262及一噴 霧模組263。 ' 水喷在容室261内之金剛石性碳薄膜上，水供給模組 將水供給至容室261，喷霧模組263則將水或氣體均勻地喷 在第一主基板10或第二主基板80上，喷霧模組263包括一噴 霧喷嘴263a。 紫外線投射組件270包括一容室271及一紫外線投射模組 272 ’备、外線投射模組272將紫外線投射至金剛石性碳薄膜 上’务外線束將水解離成氫離子（H+)及氧離子（〇2_)，氫離 子（H+)結合於金剛石性碳薄膜内形成之子鏈。 子鏈結合於氫離子（H+)，因此子鏈不再與碳結合。因此， 極化機能團得以維持。 水解離成氫離子（H+)及氧離子（〇2·)可在室溫下實施。 一薄膜形成組件230及一原子束投射組件220係相同於圖 1 8所示者，因此，相同元件之說明即省略。 <液晶分子之非接觸型對準第七實施例> 圖20係一示意圖，揭示本發明第七實施例之一非接觸型 對準裝置。 請參閱圖20，一極化維持組件280包括一容室281、一氫 供給模組283及一氫解離模組285。 一真空幫浦284係在容室281内產生大約60托之低壓，因

O:\88\88838.DOC -30- 1278394 此反應氣體以外之其他氣體不會在形成金剛石性碳薄膜之 製程中沉澱。 特別是，用於維持極化機能團之材料為不穩定性材料， 例如氫，故容室28 1之壓力維持於低壓。 氫供給模組283以預定之氫氣量供給至容室28 1。 氫解離模組285將氫氣轉變成氫離子。 氫解離模組285包括一加熱器287及一電力供給器286,加 熱器287加熱氫氣，使氩氣之溫度高於大約2500K，電力供 給器286則供電至加熱器287。 加熱器287包括鎢（W)，且加熱器287具有一網狀。 當氫氣加熱以致於氫氣之溫度高於大約2500K時，氫氣即 解離成氫離子及電子。 氫離子結合於金剛石性碳薄膜内形成之子鏈，因此形成 C-H 鍵。 當氫離子結合於子鏈時，子鏈不再與碳結合。因此，極 化機能團得以維持。 一薄膜形成組件23 0及一原子束投射組件220係相同於圖 1 8所示者，因此，相同元件之說明即省略。 <液晶分子之非接觸型對準第八實施例> 圖21係一示意圖，揭示本發明第八實施例之一非接觸型 對準裝置。 請參閱圖21，一極化維持組件290包括一容室291、一氮 供給模組293及一氮解離模組295。 一真空幫浦294係在容室291内維持一低壓，因此反應氣 O:\88\88838.DOC -31 - 1278394 體以外之其他氣體不會在形成金剛石性碳薄膜之製程中沉 澱。 氮供給模組2 9 3以預定之氮氣量供給至容室2 9 1。 氮解離模組295將氮氣轉變成氮離子。 氮解離模組295包括一加熱器297及一電力供給器296，加 熱3 297加熱氮氣，使氣氣之溫度南於大約電力供 給器296則供電至加熱器297。 加熱器297包括鎢（W)，且加熱器297具有一網狀。 當氮氣加熱以致於氮氣之溫度高於大約25〇〇〖時，氮氣即 解離成氮離子及電子。 氮離子結合於金剛石性碳薄膜内形成之子鏈，因此形成 C-N 鍵。 當氮離子結合於子鏈時，子鏈不再與碳結合。因此，極 化機能團得以維持。 一薄膜形成組件230及一原子束投射組件22〇係相同於圖 18所示者，因此，相同元件之說明即省略。 在上述 < 液晶分子之非接觸型對準第一實施例〉至〈液 晶分子之非接觸型對準第八實施例 > 中，原子束在金剛石 性碳薄膜内形成極化機能團，以對準液晶分子。 原子束之方向及原子束之截面形狀很重要，因為方向及 截面形狀影響到液晶分子之預先傾斜角度。 <液晶分子之非接觸型對準第九實施例> 圖22係一流程圖，揭示本發明第九實施例產生一原子束 之方法。

O:\88\88838.DOC -32- 1278394 請參閱圖22，首先形成離子（步驟S235)，一源氣體解離 成離子’氬（Ar)氣可使用做為源氣體，氬氣為具有低化學 活性且不包括在任意化合物内之其中一種惰性氣體，且氬 氣較重，因此氬氣可對碳_碳雙鍵施加大的撞擊力而斷裂碳 -碳雙鍵。 、久 為了自源氣體取得離子，吾人使用二種方法。 首先，當電壓施加至源氣體時，源氣體解離成離子、電 子及中子。第二，當加熱源氣體使得源氣體之溫度高於大 約2500K時，源氣體即解離且形成離子。 &離子形成時，離子經過加速以形成一第一離子束（步驟 S240)，一第一電極具有相反於離子者之極性，且第一電極 吸引離子，使離子加速。 離子束轉文成一第二離子束，其截面呈長方形或圓形（步 驟 S245)。 第二離子束之截面形狀影響到液晶分子之對準品質。 第二離子束之截面可具有長方形狀，長方形第二離子束 之寬度決定對準液晶分子之間距，寬度越小則間距越小。 第一離子束經過聚焦以形成第二離子束，第一離子束係 -離子流/非—光子流。針對_光子流1可由透鏡聚 焦，但是第一離子束無法由透鏡聚焦，因為第一離子束之 订進會受到透鏡阻斷。一殼體用於聚焦第一離子束，殼體 之入口面積大’但是殼體之出口面積小且呈長方形。因此， 當離子束通過殼體時’第-離子束即聚焦…具有相反極 性於第-離子束者之第二電極係形成鄰近於出〇，使第一 O:\88\88838.DOC -33- 1278394 離子束力口速。 電子結合於第二離子 子相交於第二離子束 束，因而形成 ，以致電子結 第二離子束形成後， 原子束（步驟S250)，電 合於第二離子束。 原子束可用於多種領w ,; — 域，例如，呈電中性之原子束注入 一潯膜内以改變薄膜之特 、 或者原子束用於維持液晶分 子之預先傾斜角度。 <液晶分子之非接觸型對準第十實施例> 圖23係一示意圖，揭示本發明第十實施例之一 生裝置。 凊參閱圖23，一原子束產生裝置3〇〇包括-離子產生組件 31〇、-第-離子束產生組件32〇、—第二離子束產生組件 33 0及一原子束產生組件34〇。 離子產生組件310包括一容室313、一源氣體供給單元314 及一源氣體解離單元3 16。 谷室313提供一空間以形成離子，容室313具有開孔）I〕， 使離子行進通過開孔3 12。 開孔312可呈圓形或一具有寬度與長度之長方形，且長度 較大於寬度。 源氣體供給單元3 14及源氣體解離單元3 16皆形成於容室 313 内。 源氣體供給早元3 14以氫（Ar)氣供給至容室313，氬氣為 具有低化學活性且不包括在任意化合物内之其中一種惰十生 氣體’且氬氣較重，因此氬氣適可撞擊於二碳原子之間所 O:\88\88838.DOC -34- 1278394 形成之碳·碳雙鍵而斷裂碳-碳雙鍵。 源氣體解離單元3 16解離氬氣。 源氣體解離單元316可包括一陰極、一陽極及一電力供給 器 3 18 〇 源氣體解離單元316可包括一用於氣體之鎮絲 317、及一用於供給電力電壓至鎢絲317之電力供給器。源 氣體解離單元316加熱源氣體，使氬氣之溫度高於大約 2500K。當加熱源氣體而使源氣體之溫度高於大約25〇〇κ 時，源氣體即解離成離子。 第一離子束產生組件320將離子加速，第一離子束產生組 件320包括一第一電極322及一供電於第一電極322之第一 電力供給器324。 第一電極322呈網狀，第一電極322吸引離子，使離子加 速且通過第一電極322。 弟電力供給器3 2 4施加相反極性於該離子者之電壓至 第一電極322。 電壓之絕對值決定加速之強度。當絕對值變大時，加速 之強度亦變大，電壓之絕對值越大則加速之強度越大。 第二離子束產生組件330調制第一離子束之形狀，詳言 之，第二離子束產生組件330減小第一離子束之截面積，同 時不減小第一離子束之量。因此，第二離子束產生組件33〇 將第一離子束聚焦。 第二離子束產生組件330包括一第二離子束殼體332、一 第二電極334及一第二電力供給器336。

O:\88\88838 DOC -35- 1278394 第二離子束殼體332係呈一具有三個正面之中空棱鏡 形，第二離子束殼體332呈中空狀。一第一離子束入口 33^ 形成於面向第一離子束產生組件32〇之第二離子束殼體 之一正面上，一第二離子束出口 333b形成於面向第一離子 束入口 333a之第二離子束殼體332之一緣部上，第一離子束 即由第二離子束出口 333b聚焦及離開通過第二離子束出口 333b，以形成一第二離子束。 第二電極334安裝於第二離子束殼體332之第一離子束入 口 333a内，第二電極334呈網狀且包括導電性材料。 第一電力供給器336以一相反極性於第一離子束者之電 塵提供於第二電極334,使第一離子束再次加速。 原子束產生組件340包括一電子產生單元342及一電子加 速單元346。 電子產生單元342包括一鎢絲343及以電力電壓提供於鎢 絲343之電力供給器344，鎢絲343係由電力供給器加 熱。當鎢絲343之溫度在大約25〇〇κ以上時，電子即自鎢絲 343放射出。 ' 電子加速單疋346包括一電子加速電極347及以電力電壓 提供於電子加速單元346之電力供給器348，電子加速單元 346面向鶴絲343且吸引由鶴絲343所產生之電子，因而形成 電子束。 ，電子產生單το 342及電子加速單元346係設置以致於一將 電子產生單το 342連接於電子加速單元州之虛擬線相交於 第一離子束之仃進方向，因此，由電子產生單元Μ]產生且

O:\88\88838.DOC •36- 1278394 由電子加速單元346加速之電子束相交於第二離子束，電子 束之電子結合於第二離子束，使第二離子束轉變成具有實 質上相同速度與方向於第二離子束者之原子束。 第一離子束產生組件及第=離子束產生組件33〇之順序 可以改變’僅有第二離子束產生組件別設置於離子產生組 件310舆原子束產生組件34q之間。第二離子束產生組件別 可有夕種形狀，第一離子束入口 333a可以呈圓形，且第二 離子束出口 333b可以呈長方形。 <液晶分子之非接觸型對準第十一實施例> 圖24係一流程圖，揭示本發明第十一實施例在一對準膜 上使液晶分子對準之非接觸型對準方法，圖26係一截面 圖揭不一形成於一主基板上之透明薄膜，及圖27係一截 面圖，揭示一形成於圖26所示透明薄膜上之碳聚合物。 請蒼閱圖24、26、27，一透明薄膜365形成於第一主基板 1〇之薄膜電晶體單元30上，以利對準第一主基板1〇上之液 晶分子。透明薄膜365亦形成於第二主基板8〇之濾色片單元 1〇〇上，以利對準第二主基板8〇上之液晶分子（步驟s255)。 首先’第一主基板10或第二主基板8〇裝載入密閉之真空 空間内’以利形成透明薄膜。可使用非晶系矽薄膜當做透 明薄膜。 為了在密閉之真空空間内之第一主基板1〇或第二主基板 80上形成透明薄膜，矽烷（SiH4)及氫氣係提供於空間内。隨 後’石夕燒及氫氣相互反應以形成非晶矽，非晶矽沉積於第 一主基板10之薄膜電晶體單元30上或第二主基板80之濾色

O:\88\88838.DOC -37- 1278394 片單元100上，以形成透明之非晶矽薄膜。 虽透明薄膜形成於第-主基板10或第二主基板80上時， 用於對準液晶分子之對準槽即形成於第—主基板10或第二 主基板80上（步驟S26〇)。 對準槽係透過將聚合物沉積於第一主基板10或第二主基 板80上之製程而形成。 山為了將聚合物沉積於第-主基板1G或第二主基板80上， 碳f化合物⑽4)、三m (哪3)及氧（〇2)係供給至低壓 之么閉二間。隨後，碳氟化合物（CF4)、三氟曱烷（CHF3)及 氧（〇2)透過化學氣體沉積（CVD)而形成碳聚合物。 命碳聚合物沉積於第一主基板10或第二主基板80上，如同 谷積於地上奴聚合物沉積成彼此間隔之凸塊狀，換言之， 碳聚合物並未沉積於第-主基板10或第二主基板80之全部 表面上。妷聚合物之凸塊係透過一相似於將構成半球形顆 粒（HSG)之種籽均勻撒落之製程而形成。 較佳為，凸塊有足夠間距使液晶分子可以設置於凸塊之 間，且凸塊之咼度在大約10埃至100埃範圍内。碳聚合物係 直接自第一主基板10或第二主基板80向上生長。 <液晶分子之非接觸型對準第十二實施例> 圖25係不意圖，揭示本發明第十二實施例之一非接觸 型對準裝置，圖26係一截面圖，揭示一形成於一主基板上 之透明薄膜’圖27係一截面圖，揭示一形成於圖26所示透 明薄膜上之碳聚合物。 清參閱圖25-27, —非接觸型對準裝置369包括一薄膜形 O:\88\88838.DOC -38- 1278394 成組件3 6 0及一槽形成組件3 5 〇。 薄膜形成組件360包括-薄膜形成室361、—反應氣體供 給模組362 ' —具有一陰極364與一陽極366之電漿產生器、 及一真空幫浦368。 反應氣體供給模組362以石夕烧（SiH4)及氮氣㈣提供於薄 膜形成室361。 電衆產生器包括一陰極364與一陽極366，高電壓施加於 陰極364與陽極366之間，使㈣（SiH4)及氫氣㈤相互反 應。 請參閱圖26, 一透明薄膜365,例如非晶石夕薄膜，係將石夕 烷（SiHU)及氫氣（HO形成於第一主基板1〇或第二主基板8〇 上。 復參閱圖25，具有透明薄膜之第一主基板1〇或第二主基 板80轉移至一負載閂鎖室363，第一主基板ι〇或第二主基板 8〇在負載閃鎖室363内豎直，以用於下一製程。 槽形成組件350包括一槽形成室351、一反應氣體供給模 組353、一具有一陰極355與一陽極357之反應氣體聚合化單 元。 槽形成室351内之壓力維持於高真空，具有透明薄膜之第 一主基板10或具有透明薄膜之第二主基板8〇轉移至槽形成 室 351。 透明薄膜包括非晶矽薄膜。 反應氣體供給模組353以反應氣體供給至槽形成室351， 反應氣體則在透明薄膜上形成碳聚合物。

O:\88\88838.DOC -39- 1278394 請參閱圖27，碳聚合物35 8形成於一透明薄膜365上，碳 聚合物358彼此間隔而如同凸塊，碳聚合物358之一縱向實 貝上垂直於透明薄膜365之表面。較佳為碳聚合物358之高 度在大約10埃至1 〇〇埃範圍内。反應氣體包括碳氟化合物 (CF4)、二氟甲烷（chF3)及氧（OJ ,用於聚合碳氟化合物（cd 及三氟甲烷（CHF3)。 復參閱圖25，反應氣體聚合化單元355、357容許反應氣 體相互反應，以產生圖27所示之碳聚合物358。反應氣體聚 合化單元包括陰極355、陽極357及電力供給器（圖中未示）， 陰極355與1%極357將氧轉變成電漿。 電力供給器（圖中未示）將足夠電壓提供於陰極355與陽 極357，以將氧轉變成電漿狀態。 槽形成組件350形成碳聚合物，碳聚合物之凸塊係透過一 相似於將樽成半球形顆粒（HSG)之種籽均勻撒落之製程而 形成。 復參閱圖1，凸塊形碳聚合物即視為一對準膜，對準膜係 依上述方法形成（步驟S200)。 當對準膜係由第一主基板10之薄膜電晶體單元3〇或第二 主基板80之濾色片單元1〇〇構成時，第一主基板1〇與第二主 基板80即組合成一組合基板（步驟S3〇〇)。 第一主基板10與第二主基板80豎直以平行於重力方向， 且裝載於一自動導引車（AGV)或手動導引車（MGV)内，及轉 移至組合基板製造裝置。 為了形成組合基板，一圍牆形成於薄膜電晶體單元川與

O:\88\88838.DOC -40- 1278394 濾色片單元100其中一者牛 T者上（步驟S305)。形成於第一主基板 10上之薄膜電晶體單元3〇 板 ,^ Α Μ 孜里寺於形成於第二主基板80 上之/慮色片早元100之數量。 圍牆包括一可固化之材料及一 狀㈣n當―紫外線束 才又射於可固化之材料上時， 」u化之材枓即固化，黏性材 料將第-主基板10結合於第二主基板80。圍牆係呈窄小寬 度之帶形’且圍牆圍繞於薄膜電晶體單元30之一緣部或遽 色片單元100之一緣部，以形成一封閉迴路。 ^ 液晶落在-由圍牆界定之内區域中，以利填滿由圍牆界 定之内區域（步驟S310)。 填入内區域之液晶量係、根據—由圍牆圍繞之面積及單元 間隙而計算隙為當薄膜電晶體單元3G㈣色片單元 100組合時，膜電晶體單元30與濾色片單元1〇〇之間之距離。 當液晶落在内區域中時’液晶係落在内區域中之複數區 域上。 I1 过後第主基板與弟二主基板80在真空中組合，圍 牆介置於第一主基板10與第二主基板8〇之間。隨後，第一 主基板10之薄膜電晶體單元3〇與第二主基板8〇之濾色片單 元1 〇〇即稱之為一液晶顯示器單元。 包括液晶顯示器單元在内之第一主基板丨0與第二主基板 80係處於大氣壓力下達到i小時，使得落在複數區域上之液 晶係均勻散布。 惟’即使當包括液晶顯示器單元在内之第一主基板丨〇與 第一主基板8 0係處於大氣壓力下達到^小時，某些液晶顯示 O:\88\88838.DOC -41 - 1278394 :早：：液晶並未散布。當液晶並未均勻散布於全部液晶 、員丁器單元時影像即無法在液晶顯示 液晶區域内顯示，即無液晶存在之處。 之未真庄 因此，包括液晶顯示器單元在内之第-主基板10與第二 主基板80係處於大氣壓力下達到1小時後，需實施一偵測過 程以偵測未填注液晶之區域。 偵測過程僅為了減少產品故障而 偵測過程並非必要性 實施。 圖28係一流程圖，揭示一 區域之方法。 用於偵測未填注液晶之未填注 請參閱圖28， 填注液晶之區域 過第一主基板1 〇 線通過液晶時， 之第二光線。 一第一光線係產生（步驟S 3丨5 )以利偵測未 ，第—光線到達第一主基板10之底面及通 ，即通過第一主基板上之液晶。當第一光 第一光線轉變成一不同特徵於第一光線者 開 第二光線通過第二主基板80且 第二主基板80之上面離 自第二主基板80離開之第二光線係經偵測（步驟⑽）。 偵測到之第二光線產生一類比信號’類比信號轉變成景 像貧料，即-數位信號，影像資料則比較於參考資料（步羯 S325) 〇 當影像資料不同於影像資料時，未填注液晶之區域存在 於液晶顯示器單元内’因此’包括液晶顯示器單元在内之 第-主基板〗0與第二主基板8〇係在大氣壓力下另外豎直2

O:\88\88838.DOC -42- 1278394 小時（步驟S335)。 為了散布液晶，一外力可施加至液晶顯示器單元。 晏未偵測到未填注液晶之區域時，紫外線束投射在將第 一主基板10結合於第二主基板8〇之圍牆上，以利固化圍牆。 隨後，一用於偵測未填注液晶區域之裝置將詳述之。 圖29係一不意圖，揭示一用於偵測未填注區域之偵測裝 置實例。 、& 請參閱圖29，一用於偵測未填注液晶區域之裝置包括一 基座體37卜一背光單元373、一未填注區域偵測器及一 控制單元378。 背光單元373、未填注區域偵測器375及控制單元378皆安 裝於基座體371内。 背光單兀373包括用於產生第一光線374a之燈具374及用 於供電至燈具之電力供給器374b，一轉移單元374c形成於 背光單兀373上方，轉移單元374c可裝載/卸載相互組合之 第一主基板ίο與第二主基板80至/自基座體371。轉移單元 374c包括沿著一線而配置之輥374d及一用於驅動輥之 輥驅動單元（圖申未示），輥374d接觸於第一主基板1〇。 未填注區域偵測器375面向背光單元373。 未填注區域偵測器375偵測第二光線375a及第三光線 375b。當第一光線374a通過液晶時，第一光線叨扣轉變成 第一光線375a。當第一光線374a通過未填注區域時，第一 光線374a轉變成第三光線375b。 第二光線375a相較於第三光線375b而具有不同亮度與不 O:\88\88838.DOC -43 - 1278394 同顏色’因此，第二光線375a與第三光線375b可谓測於亮 度與顏色。 電荷I禺口#置攝衫機（CCD攝影機）可以使用做為未填 注，㈣測11 375’電荷輕合裝置攝影機接收第二光線375a ”第—光線375b ’產生-類比影像，及將類比影像轉變成 數位影像，影像資料儲存於控制單元爪之資料儲存模組 377内。隨後’自檢查中之一組合基板偵測到之影像資料即 稱之為-侧資料，隨後，自無未填注區域之組合基板谓 測到之影像資料則稱之為參考資料。 比較單元376將偵測資料比較於參考資料。 參考資料不包括取自第三光線375b之資料。當一組合基 板八有未填/主區域時’自組合基板偵測到之偵測資料包括 取自第Ϊ光線伽之資料及取自第三光線375b之資料。 t·車乂單το 376將儲存於資料儲存模組377内之搞測資料比 !於參考資料。當谓測資料實質上等於參考資料時，比較 早疋376即判斷組合基板並無未填注區域。當俄測資料不同 於參考資料時，比較單元376判斷組合基板具有未填注區 域0 “貞測程序完成時，組合基板豎直而平行於重力方向』 由-自動導引車（AGV)或手動導引車（MM)轉移至一非指 觸負查裝置，以檢查液晶顯示^單元。 设參閱圖1 ’當供給液晶時(步驟S500)，液晶顯示器單元 P檢查為’在液晶顯示器單元分離於第一主基板1〇與第二 主基板80之前液晶_ +毋— …具不恭早疋否正常（步驟S400)。

O:\88\88838.DOC -44 - 1278394 八大體上’液晶顯示器單元係檢查為，在液晶顯示器單元 於第主基板10與第二主基板8〇之後液晶顯示器單元 有無缺陷。 、^在本發明巾該順序可収變。依本發明實施例所示， 、a ”、、員不态單兀係檢查為，在液晶顯示器單元分離於第— 土板10與第一主基板8〇之前液晶顯示器單元有無缺陷。 在液曰曰顯不器單疋分離之前難以檢查液晶顯示器單元， 為用於接收一驅動液晶顯示器單元之信號的輸入端子像 认置於第一主基板1〇與第二主基板之間。 文後將闡釋一種藉由施加一測試信號至設置於第一主基 板與第—主基板之間之輸人端子，以檢查液晶顯示器單元 之方法。 圖30Α係一流程圖，揭示一檢查液晶顯示器單元之非接觸 型檢查方法。 石月參閱圖30Α，為了驅動液晶顯示器單元，光電式動力施 加至液晶顯示器單元（步驟S41〇)。 圖30B係一流程圖，揭示一驅動圖3〇A所示液晶顯示器單 元之方法。 請參閱圖3、6及30B，第一光線施加至一閘極線，因此一 第一光電式動力施加於薄膜電晶體單元3〇之閘極線5〇(步 驟S412)。第二光線施加於一資料線，因此一第二光電式動 力施加於薄膜電晶體單元3〇之資料線6〇(步驟S414)。一第 二光線亦可施加，因此一第三光電式動力施加於濾色片單 元1〇〇之共用電極（圖中未示）（步驟S416)。 O:\88\88838.DOC -45 - 1278394 光電式動力可以同時施加於至少二祕線5G，第_ 大到1動力可从施加於其中一閘極線50。第-光電式動力 大到足以導通薄膜雷曰舰 ㈣、— 0，惟，第一光電式動力並未大 一以相傷薄膜電晶體40之通道層48。 弟：光電式動力可以同時施加於至少二資料線6〇，另 千、第-光電式動力可以施加於其中一資料線。第二光 笔式動力施加於薄膜電晶體4Q之源極44，第二光電式動力 可以不同地施加於各資料線6〇，以利顯示一測試影像。 带第三光電式動力可以施加於圖6之共用電極12〇,第三光 电式動j之強度不同於第一光電式動力與第二光電式動力 者：第三光電式動力可以連接於一接地電位，而當第三光 電=力連接於接地電位時，第三光線即可不施加。 备弟-光電式動力施加於閘極線時，薄膜電晶體4〇係導 通。隨後，施加於資料線6〇之第二光電式動力轉移至像素 電極70’使設置於像素電極7()與共用電極m之間之液晶分 子之對準改變。當設置於第一主基板1〇與第二主基板⑽之 間之液晶分子之對準改變時’通過液晶顯示器裝置之光線 即轉變成測試影像。 藉由測試影像，液晶顯示器單元即檢查為，液晶顯示器 單元是否正常（步驟S420)。 圖30C係-流程圖，揭示一檢查圖3〇A所示液晶顯示器單 元之方法。 請參閱圖30A、30C，電荷輕合裝置（CCD)攝影機制測 試影像及將測試影像轉變成影像資料（步驟S422)，液晶顯 O:\88\88838.DOC -46- 1278394 示器單元藉由比較影像資料與參考資料（步驟_)而判斷 液晶顯示器單元是否正常（步驟s430)。 ，當液晶顯示器單元非正常時，將該液晶顯示器單元標記 為異常單it來指明該液晶顯示器單元非正常。 如上所述，液晶顯示器單元利用非接觸型對準方法以檢 查液晶顯示器單元是否正常，以利將極化板僅連接於一正 常之液晶顯示器單元。 圖31係一示意圖，揭示-非接觸型檢查裝置實例。 請參閱圖3、3卜-檢查裝置38〇包括一基座體39〇、一光 ，式動力施加組件400、一顯示光線施加組件41〇、_ 為420及一控制單元430。 、 設有液晶顯示器單元之第—主基板1G與第二主基板如皆 裝載（或卸載）於基座體39〇。 光電式— 動力施加組件400包括一第—光電式動力施加組 402、一弟二光電式動力施加組件404及一第三光電式 力施加組件4〇6。 '二：ί電ί動力施加組件402施加一第-光電式動力於 一-、I日日版單兀30之閘極線50，以導通薄膜電晶體。第 50光^'式動力可以同時施加於至少二閘極線50或-閘極線 光笔式動力施加組件404施加 薄膜電晶體單-… 尤電式動力 収早7G30之賢料線6〇，以利施加第二 於源極44。第—古+ # 尤私式動 乐一九龟式動力經由汲極46而轉移至像辛

O:\88\88838.DOC -47 - 1278394 請麥閱 一 •丨，加一第 二光電式動力於/慮色片單元之共用電極120，因此，電場即 形成於共用電極120與圖3所示之像素電極之間，以生=變 液晶分子之對準。 惟，當無顯示光線411時，液晶顯示器單元之操作即無法 得知。 顯示光線施加組件410施加顯示光線4丨丨以行進趨向第一 主基板10。 偵測器420偵測一測試影像412。當顯示光線411通過第一 主基板10,即通過一設置於第一主基板10與第二主基板 上之液晶時，顯示光線411轉變成測試影像412。偵測器42〇 將一類比信號轉變成一數位信號，例如，一電荷耦合裝置 (CCD)攝影機可以使用做為偵測器420。 控制單元430藉由比較數位信號與參考信號而檢查液晶 顯示器單元之操作。 當液晶顯不器單元係經檢查液晶顯示器單元是否正常 時，組合基板豎直且轉移至下一程序，以將一極化板連接 於正常之液晶顯示器單元。 圖32係-示意圖’揭示於將__極化板連接於液晶顯 示器單元之連接裝置實例。 口月參閱圖32，一連接裝置44〇包括一基座體45〇、一第一 極化板連接杈組460、—第二極化板連接模組47〇、一第— 切核組480、-第二切割模組柳、—第—防護片剝除模 組500及-第二防護片剝除模組51〇。

O:\88\88838.DOC -48- 1278394 基座體450提供一空間，供第一極化板連接模組460、第 二極化板連接模組470、第一切割模組480、第二切割模組 490、第一防護片剝除模組5〇〇及第二防護片剝除模組510 安裝於其内。 例如’基座體450可呈箱形，基座體450之縱向係視為X 向，而基座體450之橫向視為y向。

一組合基板載具520形成於基座體450上，一經過檢查是 否為正常之組合基板係裝載於組合基板載具520上。 一第一極化板載具530及一第二極化板載具540設置於基 座體45 0上，第一極化板載具530及第二極化板載具540皆間 隔於組合基板載具520，第一極化板載具530及第二極化板 載具540相互平行且皆設置於y向。 第一極化板實質上袓同尺寸於組合基板，連接於薄膜電 晶體單元上之第一極化板裝載於第一極化板載具530上。 圖3 3係一截面圖，揭示一第一主極化板。

請參閱圖33，一第一主極化板534包括一第一基座膜 531、一第一極化板532及一第一防護片533。 第一主極化板534可較小於組合基板，例如，液晶顯示器 單元配置成一 3x2矩陣形狀，第一主極化板534之尺寸足以 形成三枚第一極化板532或二枚第一極化板532。 復參閱圖32 ’第二極化板實質上相同尺寸於組合基板， 連接於濾色片單元上之第二極化板裝載於第二極化板載具 540 上。 第二主極化板544可較小於組合基板，例如，液晶顯示器 O:\88\88838.DOC -49- 1278394 單元配置成一 3x2矩陣形狀，第二主極化板544之尺寸足以 形成三牧第一極化板5 3 2或二枚第一極化板5 3 2。 圖3 4係一截面圖，揭示一第二主極化板。 請參閱圖34，一第二主極化板544包括一第二基座膜 541、一第二極化板542及一第二防護片543。 復參閱圖32，一第一切割模組480及一第二切割模組490 皆形成於基座體450上。 第一切割模組480鄰近於第一極化板載具53〇，第二切割 模組490鄰近於第二極化板載具54〇。 第一切割模組480係依據薄膜電晶體單元之尺寸而切割 第一主極化板，第一切割模組480切割第一主極化板534， 使第一主極化板534之數量及尺寸皆相等於薄膜電晶體單 元之數i及尺寸。第一切割模組480可切割一矩陣形薄膜電 晶體單元之一行或一列内所包括之第一主極化板534。 第一切割模組490係依據濾色片單元之尺寸而切割第二 主極化板，第二切割模組49〇切割第二主極化板5料，使第 二主極化板544之數量及尺寸皆相等於薄膜電晶體單元之 數量及尺寸。第二切割模組可切割一矩陣形薄膜電晶體 單元之一行或一列内所包括之第二主極化板54心圖35係一 示意圖，揭示圖32所示第一切割模組實例。 請參閱圖35, -第-切割模組_包括—χ軸刀刃模組481 及一 y軸刀刃模組486。 X軸刀刃模組481包括-第—x軸刀刀482及一第—χ轴刀 刃驅動單元483’第-χ軸刀刀482之長度等於薄膜電晶體單

O:\88\88838.DOC -50- 1278394 疋之又向長度，第一X轴刀刃驅動單元483推拉第軸刀刃 482，以利完全切割第一防護片533與第一極化板532及切判 —部分第一基座膜531。 ★圖36Α係一示意圖，揭示由圖35所示第一χ軸刀刃切割之 第（或弟二）主極化板。 月參閱圖36Α’-第—主極化板534係由圖35所示之第一 X 軸刀刀模組48 1切割。 圖36Β、36C係不意圖，揭示由圖35所示第一义軸刀刃做 局部切割之第一（或第二）主極化板。 。月參閱圖36Β、36C，第-χ軸刀刃切割一第一極化板之 大尺寸之左部分，第一χ軸刀刃切割第一極化板之右部分， 使第-極化板之-水平緣部完全自第—主極化板切除。 當第一Χ軸刀刃驅動單元推斥大尺寸之第一χ軸刀刃以切 割大尺寸之第一極化板時，第一主極化板可能受損，因此， 第一極化板係切割二次。 當第一極化板係切割多次時，極化板較不受損，但是增 加切割時間。 當第一極化板較大時，第一χ軸刀刃之第一長度對於第一 方向中第一極化板之水平緣部長度之比值係在大約至工 範圍内。 復參閱圖35，y軸刀刃模組486包括一第一y軸刀刃484及 一第一y軸刀刃驅動單元485，第一y軸刀刃484之長度等於 薄膜電晶體單元之y向長度，第一7軸刀刃驅動單元485推拉 第一 y軸刀刃484，以利完全切割第一防護片533與第一極化 O:\88\88838 DOC -51 - 1278394 板5 3 2及切割一部分第一基座膜5 3 1。 圖37A係一示意圖，揭示由圖35所示第一 X軸刀刃切割後 利用一第一 y軸刀刃切割之第一（或第二）主極化板。 請參閱圖33、37A，一第一主極化板534係由圖35所示之y 軸刀刃模組486切割，使第一主極化板534之第一極化板532 切成實質上相同尺寸於薄膜電晶體單元。 圖37B、37C係示意圖，揭示由圖35所示第一 X軸刀刃做 局部切割後利用一第一 y軸刀刃切割之第一（或第二）主極化 板。 w參閱圖37B、37C，第一 y軸刀刃切割一第一極化板之 大尺寸之上部分，第一 y軸刀刃切割第一極化板之下部分， 使第一極化板之一垂直緣部完全自第一主極化板切除。 當第一 y軸刀刃驅動單元推斥大尺寸之第一 y軸刀刃以切 割大尺寸之第一極化板時，第一主極化板可能受損，因此， 第一極化板係切割二次。 田第一極化板係切割多次時，極化板較不受損，但是增 加切割時間。 當第一極化板較大時，第一 y軸刀刃之第一長度對於第一 方向中第一極化板之垂直緣部長度之比值係在大約〇.5至1 範圍内。 復參閱圖32 ,第二切割模組49〇具有相同於第一切割模組 480者之元件，因此省略第二切割模組490之闡釋。 第一防護片剝除模組500及第二防護片剝除模組51〇形成 於基座體450上，第一防護片剝除模組5〇〇鄰近於第一切割

O:\88\88838.DOC -52- 1278394 模組480，第二防護片剝除模組51〇鄰近於第二切割模組 490。 圊38係一示意圖，揭示圖32所示之一第一防護片剝除模 組。 請參閱圖38，一第一防護片剝除模組5〇〇係在圖33所示之 第一防護片533與第一極化板532由圖32所示之第一切割模 組480切割後，將連接於第一極化板532&上之一第一防護片 5 3 3a剝除。 第一防護片剝除模組5〇〇包括一拾取器5〇丨及一拾取器驅 動模組503。 拾取器驅動模組503推斥拾取器501，使拾取器5〇1接觸於 第一防護片533a〇 、 拾取器501利用真空壓力吸取第一防護片533a，隨後，拾 取器驅動模組503推斥拾取器5〇1。當拾取器5〇1吸取第一防 濩片533a之力較強於將第一防護片533a結合於第一極化板 532a之黏著力時，第一防護片533a即脫離第一極化板μ。。 當第一防護片533a脫離第一極化板532&時，第一極化板 即連接於液晶顯示器單元之薄膜電晶體單元。 復參閱圖32，第一防護片剝除模組5丨〇具有相同於第一防 護片剝除模組者之元件，因此省略第二防護片剝除模組 510之闡釋。 第一翻轉杈組560及一第二翻轉模組57〇形成於基座體 450上，第一翻轉杈組56〇鄰近於第一防護片剝除模組， 第二翻轉模組570鄰近於第二防護片剝除模組51〇。

O:\88\88838.DOC -53- 1278394 第一翻轉模組560及第二翻轉模組570分別翻轉第一主極 化板及第二主極化板，以致於第一主極化板之一曝露第一 極化板面向薄膜電晶體單元，且第二主極化板之一曝露第 二極化板面向濾色片單元。 第一極化板連接模組460及第二極化板連接模組470形成 於基座體450上，第一極化板連接模組460鄰近於第一翻轉 模組560，第二極化板連接模組470鄰近於第二翻轉模組 570。 第一極化板連接模組460將第一主極化板連接於組合基 板上，第二極化板連接模組470則將第二主極化板連接於組 合基板上。 圖3 9係一示意圖，揭示圖32所示之一極化板連接模組。 請參閱圖39，一第一極化板連接模組460包括一第一組合 基板支持單元461及第一極化板連接單元466。 第一組合基板支持單元461支持一組合基板85,第一組合 基板支持單元461包括一第一組合基板支持板462及一第一 組合基板吸取組件4 6 3。 第一組合基板支持板462包括複數第一貫穿孔462a。 第一組合基板吸取組件463包括一第一真空管路463a及 一第一真空產生構件463b，第一真空管路463a之一第一端 連接於第一組合基板支持板462之第一貫穿孔462a，且第一 真空管路463a之一第二端連接於第一真空產生構件463b。 第一真空產生構件463b形成一實質真空狀態，使組合基板 85固定於第一組合基板支持板462。 O:\88\88838.DOC -54- 1278394 第一極化板連接單元466包括一第一推板468及一第一推 板驅動模組467。 第一推板驅動模組467推斥第一推板468，使一第一主極 化板534之一第一極化板532a接觸於第一主基板1〇之薄膜 電晶體單元（圖中未示）。因此，由圖32所示第一切割模組48〇 切割之第一極化板532a即連接於第一主基板1〇之薄膜電晶 體單元（圖中未示）。 復參閱圖32,第二極化板連接模組47〇等於第一極化板連 接模組460，因此省略第二極化板連接模組47〇之闡釋。 一第二翻轉模組580介置於第一極化板連接模組46〇與第 二極化板連接模組470之間。 第二翻轉模組580將連接有第一極化板之組合基板翻 轉，以利第二極化板可連接於濾色片單元上。 當第一極化板連接於薄膜電晶體單元上且第二極化板連 接於濾色片單元上時，一轉移臂將組合基板轉移至一組合 基板卸載模組590 ’且設有二組合基板卸載模組59〇。 復參閱圖1，當第一極化'板連接於組合基板之薄膜電晶體 單元上且第二極化板連接於組合基板之濾色片單元上時， 液晶顯示器單元係利用雷射束之非接觸法或金剛石刀刀之 接觸法，以分離於組合基板（步驟S500)。 分離於組合基板之液晶顯示器單元可稱之為一液晶顯示 器面板。 一撓性帶載具封裝（TCP)及一印刷電路板（PCB)係連接於 液晶顯示器面板’以利製成一液晶顯示器面板總成（步驟 O:\88\88838.DOC -55- 1278394 S600) 〇 液晶顯示器面板總成結合於一背来她土、 圩尤、，、心成，以利製成一液 晶顯示器裝置。 儘管本發明之舉例實施例及其優點已說明於前，可以暸 解的是在不脫離文後中請專利範圍所界定之本發日月精神及 範_下’仍可達成多種修改、替代及變化。 【圖式簡單說明】 本發明之上述及其他特性及優點可藉由詳細說明其實施 例且相關於附圖而得知，其中： 圖1係-流程圖，揭示第一實施例製造一液晶顯示器裝置 之方法； 圖2係一示意圖，揭示第一實施例之一第一主基板及形成 於第一主基板上之薄膜電晶體單元； 圖:係一示意圖，揭示形成於圖2之薄膜電晶體單元區内 之一薄膜電晶體單元之一像素電極及一薄膜電晶體； 圖4係一截面圖，揭示圖3之一像素電極及一薄膜電晶體； 圖5係一示意圖’揭示第一實施例之一第二主基板及形成 於第二主基板上之濾色片單元區； 圖6係一截面圖，揭示圖5之一部分濾色片單元； 、圖7係-截面圖’揭示第一實施例之一形成於第一主基板 或第二主基板上之對準膜； .圖8係一流程圖，揭示本發明第一實施例利用一非接觸型 對準方法以在一對準膜上使液晶對準之方法； 圖9係一流程圖，揭示產生圖δ所示第一離子束之方法；

O:\88\88838 DOC -56· 1278394 圖1 〇係一示意圖，揭示第一實施例之一非接觸型對準裝 置； ’ 圖11係一示意圖，揭示圖10之一第一離子束產生模組、 一第二離子束產生模組及一原子束產生模組； 圖12係一示意圖，揭示一非接觸型對準裝置及一用於形 成金剛石性碳薄膜之裝置； 圖13係一流程圖，揭示第二實施例利用一非接觸方法以 將液晶對準之方法； 圖14係一流程圖，揭示第二實施例在金剛石性碳薄膜中 產生一極化機能團之方法； 圖15係一流程圖’揭示將一經基（-ΟΗ)導入極化機能團内 之製程； 圖16係一流程圖，揭示本發明第三實施例將一氫離子導 入極化機能團之製程； 圖17係一流程圖，揭示本發明第四實施例將一氮離子導 入極化機能團之製程； 圖1 8係一示意圖’揭示本發明第五實施例之一非接觸型 對準裝置； 圖19係一示意圖，揭示本發明第六實施例之一非接觸型 對準裝置； 圖20係一示意圖，揭示本發明第七實施例之一非接觸型 對準裝置； 圖2 1係一示意圖，揭示本發明第八實施例之一非接觸型 對準裝置； O:\88\88838 DOC -57- 1278394 圖22係-流程圖，揭示本發明第九實施例產生_原子束 之方法； 圖23係-示意圖’揭示本發明第十實施例之—原子束產 生裝置； 圖24係一流程圖，揭示本發明第十一實施例在一對準膜 上使液晶分子對準之非接觸型對準方法； 圖25係-示意圖’揭示本發明第十二實施例之_非接觸 型對準裝置； 圖26係一截面圖，揭示一形成於一主基板上之透明薄膜; 圖27係截面圖，揭示一形成於圖％所示透明薄膜上之 碳聚合物； ~ 圖28係-流程圖’揭示_用則貞測未填注液晶之未填注 區域之方法； 圖29係-不思圖’揭示_用於偵測未填注區域之價測裝 置實例； & 圖30A係一流程圖，揭示一檢查液晶顯示器單元之非接觸 型檢查方法； 圖30B係一流私圖，揭示一驅動圖3〇a所示液晶顯示器單 元之方法； 圖30C係一流程圖，揭示一檢查圖3〇A所示液晶顯示器單 元之方法； 圖3 1係一不意圖，揭示一非接觸型檢查裝置實例； 圖32係示思圖，揭示一用於將一極化板連接於液晶顯 示器單元之連接裝置實例；

O:\88\88838 DOC -58 - 1278394 圖33係一截面圖，揭示一第一主極化板； 圖34係一截面圖，揭示一第二主極化板； 圖35係一示意圖，揭示圖32所示第一切割模組實例； 圖36係一示意圖，揭示由圖35所示第一 X軸刀刃切割之第 一（或第二）主極化板； 圖37係一示意圖，揭示由圖35所示第一 y軸刀刃切割之第 一（或第二）主極化板； 圖38係一示意圖，揭示圖32所示之一第一防護片剝除模 組；及 圖39係一示意圖，揭示圖32所示之一極化板連接模組。 【圖式代表符號說明】 10 :第一主基板 20 ··薄膜電晶體單元區 30 :薄膜電晶體單元 40 :薄膜電晶體 42 :閘極 43 :閘極絕緣層 44 :源極 46 :汲極 48 :通道層 50 :閘極線 60 :資料線 70 :像素電極 80 ··第二主基板 O:\88\88838.DOC -59- 1278394 85 :組合基板 90 :濾色片單元區 100 :濾色片單元 110 :濾色片 112 :紅色濾色片 114 :綠色濾色片 11 6 :藍色濾色片 120 :共用電極 130 :對準膜 140 :非接觸型對準裝置 150 :第一離子束產生模組 152 :第一離子束殼體 154、314 :源氣體供給單元 155 :管路 156、316 :源氣體解離單元 156a、172a、317、343 :鎢絲 156b 、 197 、 237 、 286 、 296 、 318、344、348、374b :電力供給器 158 :離子加速單元 158a、347 :加速電極 158b、324 :第一電力供給器 160 :第二離子束產生模組 162、332 :第二殼體 164 :第二離子束產生體 O:\88\88838.DOC -60- 1278394 164a、333a :第一離子束入口 164b、333b :第二離子束出口 166:第一離子束加速裝置 170 ·•原子束產生模組 172、342 :電子產生單元 172b :第三電力供給器 174、346 :電子加速單元 174a ··第四電力供給器 174b :電極 180 :轉移模組 190 :用於形成金剛石性碳薄膜之裝置 191、 231、241、261、271、281、291、313 :容室 192、 232 ··基板支持單元 193、 233 :反應氣體供給模組 194、 234、284、294、368 :真空幫浦 195、 235、355、364 :陰極 196、 236、357、366 :陽極 200、289、363 :負載閂鎖室 210、369 :非接觸型對準裝置 220 :原子束投射組件 230、360 :薄膜形成組件 240、250、280、290 :極化維持組件 242、 262 :水供給模組 243、 263 :喷霧模組 O:\88\88838.DOC -61 - 1278394 243a、 263a :喷霧嘴 244 ： 加熱單元 260 ： 水供給組件 270 ： 紫外線投射組件 272 ： 紫外線投射模組 283 ： 氩供給模組 285 ： 氫解離模組 287 ： 加熱器 293 ： 氮供給模組 295 ： 氮解離模組 297 ： 加熱器 300 ： 原子束產生裝置 310 ： 離子產生組件 312 ： 開孔 320 ： 第一離子束產生組件 322 ： 第一電極 330 ： 第二離子束產生組件 334 ： 第二電極 336 ： 第二電力供給器 340 ： 原子束產生組件 350 ： 槽形成組件 351 ： 槽形成室 353 ^ 362 :反應氣體供給模 358 ： 碳聚合物 O:\88\88838.DOC -62- 1278394 361 :薄膜形成室 365 :透明薄膜 371 :基座體 373 :背光單元 374 :燈具 374a :第一光線 374c :轉移單元 374d ··輥 375 :未填注區域偵測器 375a :第二光線 375b ··第三光線 376 :比較單元 377 :資料儲存模組 378 :控制單元 380 :檢查裝置 390、450 :基座體 400 :光電式動力施加組件 402 ··第一光電式動力施加組件 404 :第二光電式動力施加組件 406 ··第三光電式動力施加組件 410 :顯示光線施加組件 411 :顯示光線 412 :測試影像 420 :偵測器 O:\88\88838.DOC -63- 1278394 430 :控制單元 440 :連接裝置 460 :第一極化板連接模組 4 61 :第一組合基板支持单元 4 6 2 :第一組合基板支持板 462a :第一貫穿孔 463:第一組合基板吸取組件 463a :第一真空管路 463b :第一真空產生構件 466 :第一極化板連接單元 467 :第一推板驅動模組 468 :第一推板 470 :第二極化板連接模組 480 :第一切割模組 48 1 : X軸刀刃模組 482 :第一 X軸刀刃 483 :第一 X軸刀刃驅動單元 484 :第一 y軸刀刃 485 :第一 y軸刀刃驅動單元 486 : y軸刀刃模組 490 :第二切割模組 500 :第一防護片剝除模組 501 :拾取器 503 :拾取器驅動模組 O:\88\88838.DOC -64- 1278394 5 10 :第二防護片剝除模組 520 :組合基板載具 530 :第一極化板載具 531 ··第一基座膜 532、 532a :第一極化板 533、 533a :第一防護片 5 34 :第一主極化板 540 :第二極化板載具 541 :第二基座膜 542 ·弟二極化板 543 :第二防護片 544 :第二主極化板 560 :第一翻轉模組 570 :第二翻轉模組 580 :第三翻轉模組 590 :組合基板卸載模組 O:\88\88838.DOC -65-

Claims (1)

1278394 拾、申請專利範圍： 1. 一種形成一對位膜之方法，包含·· 將一原子束投射於一句赵 和 包括奴_奴雙鍵在内之薄膜 上，藉由將碳-碳雙鍵轉變& 、 处得又成一石反4反早鍵及— 態，以形成一極化機能團；及 、 將-極化維持物結合於極化機能團，以利 能團之極性。 τ位化微 2. 如申請專利範圍第1項之方法 (-0H)，水提供於薄膜表面上， 能團。 其中極化維持物係一羥基 使羥基（-0H)結合於極化機 其中水係呈氣狀。 其中極化維持物係結合於 3 ·如申請專利範圍第2項之方法 4·如申請專利範圍第丨項之方法 極化機能團如下： 提供水於包括極化機 將一紫外線光投射於 極化機能團。 能團在内之薄膜表面上；及 薄膜表面上，以將氫離子結合於 5. 如申請專利範圍第1項之方法， 極化機能團如下： 其中極化維持物係結合於 團 以一低於一大氣麼力之麗力將氮氣解離；及 提供氮離子於㈣表面，以㈣離子結合於極化機 6. 如申請專利範圍第5項之方法/其中氮氣係 以上之溫度加熱，以解離成氮離子。 以大約2500K 7. 如申請專利範圍第5項之方法 其中氮氣經過電場以解離 O:\88\88838 DOC 1278394 成氮離子。 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 15. 如申請專利範圍第1項之方法， 子，氫氣在真空下解離成氫離子 機能團。 其中極化維持物係氫離 使氫離子結合於極化 如申請專利範圍第8項之方法，其中 以上之溫度加熱，以轉變成氫離子。 如申請專利範圍第8項之方法 至氩氣而解離。 氫氣係以大約2500K 其中氫氣係藉由施加電場 如申凊專利範圍第1項之方法， 下： 其中極化機能團形成如 形成一第一離子束，其相關於薄臈而形成一第一角度; 將第-離子束轉變成一第二離子束，第二離子束之截 面呈方形；及 將第二離子束轉變成原子束。 如申請專利範圍第U項之方法，其中第—離子束形成如 下： 提供一源氣體； 將源氣體解離成離子；及 將離子加速以形成第一離子束。 如申凊專利範圍第12項之方法，纟中源氣體係氬（Ar)氣。 如申請專利範圍第12項之方法，纟中氬(Ar)氣係以大約 2500Κ以上之溫度加熱，以解離成氬離子。 如申請專利範圍第12項之方法，其中氬（Ar)氣係藉由施加 電漿產生電場至氬（Ar)氣而解離。 O:\88\88838.DOC 1278394 其中第一離子束容許通 其中殼體之出口呈長万 1 6 ·如申請專利範圍第1 1項之方法， 過一殼體之出口，以利聚焦。 1 7 ·如申請專利範圍第丨6項之方法， 形0 =申：專利範圍第11項之方法，其中原子束係透過 離子束相交於一電子束而形成。 19·如申請專利範圍第18項之方法， 加熱-鶴絲以放射出電子;及電子束形成如下: 將電子在一實質垂直於第二 速。 向中加 2〇.如申請專利範圍第19項之方法，其中電子係因為—且有 正極性之電極而加速，該電極係相關於 置在一相對於鎢絲之位置。 于束而3又 2 1 · —種形成一對位膜之裝置，包含·· 一原子束投射組件，其將—原子束投射於_ 石山_ 碳雙鍵在内之薄膜上，葬由蔣卢 反 、 ，雙鍵轉變成-碳-碳單 '、子團狀態，以形成一極化機能團；及 -極化維I㈣，其將_極化料物結合於極 團’以利維持極化機能團之極性。 22.如申請專利範圍第_之裝置，其中極化維持 . 一容室； 3 * 薄膜:務:組’其設置於容室内，噴霧模組將水噴霧於 一水供給模組，其將水供給至噴霧模組。 O:\88\88838.DOC 1278394 23. 24. 25. 26. 27. 28. 29. 如申請專利範圍第22項之裝置，尚包含一加熱單元，其 加熱水以產生氣體。 如申請專利範圍第2 1項之裝置，其中極化維持組件包含： 一容室； 一水供給模組，其將水供給至容室内之薄膜；及 一紫外線投射組件，其將一紫外線投射於薄膜上。 如申請專利範圍第21項之裝置，其中極化維持組件包含： 一容室； 一極化維持材料供給組件，其設置於容室内，極化維 持材料供給組件將一極化維持材料供給至薄膜；及 一解離組件，其將極化維持材料解離成離子。 如申請專利範圍第25項之裝置，纟中極化維持材料供給 組件供給氮（N)氣或氫（H)氣至容室内。 =申請專利範圍第25項之裝置，其中解離組件係一加熱 單元，其加熱極化維持材料。 如申請專利範圍第27項之裝置，其中加熱單元包含一鎮 (W)絲。 如申請專利範圍第21項之裝置，其中原子束投射組件包 含： 、第一離子束產生單元，其產生一第一離子束行進趨 近於薄膜； 一-第二離子束產生單元，其將第一離子束轉變成一第 —離子束，第二離子束係相關於薄膜而 -原子束產生單元，其將第二離子束轉變第成二 0地88838.doc 1278394 束；及 一轉移單元，其改變薄膜與原子束產生單元之間之距 離0 O:\88\88838.DOC