TWI277364B - Method for manufacturing electro-optic device, electro-optic device and electronic apparatus - Google Patents

Description

127736^ 物）等之金屬氧化物製成的透明且可賦予導電性的陰極保 曰蒦層形成在陰極之上，就能降低陰極的電阻。該些材料必 須以不影響有機發光層的方式在低溫下，形成低電阻且氣 體障蔽性優的緻密層，還須利用高密度電漿成膜法予以成 膜。 〔專利文獻1〕日本特開200 1 — 28404 1號公報 【發明內容】 〔發明欲解決的課題〕 但藉由高密度電漿成膜法等之電漿成膜法形成陰極保 護層或氣體障蔽層的話，因所產生的電漿中之離子及電子 的電能具有導電性，故會傳達到陰極，使形成發光層的有 機E L材料受到不良影響’就會有所謂使發光層劣化的問 題。 本發明爲有鑑於上述之情形的發明，目的在於提供一 可防止於製造製程中引起的發光層之劣化的光電裝置、其 製造方法及電子機器。 〔用以解決課題的手段〕 有關本發明的光電裝置之製造方法、光電裝置、及電 子機器，爲解決上述課題，採用以下手段。 第1發明，係於基體（200 )上具有第i電極 (23)、第2電極（50)、與被挾持於第1電極與第2電 極之間的光電層（1 1 0 )之光電裝置（1 )之製造方法，其 -5 -

127736¾ 具有：藉由真空蒸鍍法形成覆蓋第2電極的發光材料保護 層（65 )之工程，及藉由電漿成膜法形成覆蓋發光材料保 護層的電極保護層（5 5 )之工程的方式所形成。若根據此 發明，連製造製程中，均能藉由電極保護層，降低第2電 極的電阻，同時藉由發光材料保護層防止因高密度電發的 光電層的劣化，得到鮮明發光的光電裝置。 並於基體（200)上具有第1電極（23)、第2電極 (50) '與被挾持於第1電極與第2電極之間的光電層 (110)之光電裝置（1)之製造方法，其具有：藉由真空 蒸鍍法形成覆蓋光電層的發光材料保護層（65 )之工程， 形成覆蓋發光材料保護層的第2電極之工程，及電漿成膜 法形成覆蓋第2電極的電極保護層（5 5 )之工程的方式所 形成。若根據此發明，連製造製程中，均能藉由電極保護 層防止第2電極的氧化，同時藉由發光材料保護層防止光 電層的劣化，得到以鮮明的亮度顯示的光電裝置。 並進而具有形成覆蓋第2電極（5 0 )、電極保護層 (55)與發光材料保護層（65)之氣體障蔽層（3〇)之工 程’於製造製程後，可經長時間防止對陰極和光電層之氧 等的浸入。藉由使用發光材料保護層（65 )，於氣體障蔽 層（3 〇 )之形成時，防止光電層的劣化。 而第2電極（5 0 )是藉由真空蒸鍍法形成的，幾乎沒 有對光電層的損傷，而藉由同一成膜裝置形成第2電極與 發光材料保護層，防止製造工程的複雜化，同時抑制製造 成本。 127736^4) 第2發明，係於基體（200 )上 (23)、弟2電極（50)、與被挾持於第 極之間的光電層（1 1 0 )之光電裝置（]) 第2電極的電極保護層（55)，及防止電 之光電層的劣化之絕緣性的發光材料保護 所形成。若根據此發明，因連製造製程中 電極的氧化與光電層的劣化，故可得到鮮 置。 例如於第 2電極（5 0 )上配置發 (65 )，同時於發光材料保護層上配置電 的方式形成。 而於光電層（110)與第2電極（50 材料保護層（6 5 )，同時於第2電極上 (5 5 )的方式形成。 而電極保護層（5 5 )，係由導電性且 屬氧化物所製成，可得到所謂頂部發射構 置。 而發光材料保護層（6 5 )，係由金屬 Μ較低溫昇華，光電層未受不良影響地形 止匕膜5於製造製程時由電漿來保護光電層 物可採用氟化鋰、氟化鋅、氟化鐵、氟化 胃^是藉由離子結合形成的金屬氟化物 3 eV以上，具有良好的絕緣性。因而，例 法形成電極保護層（5 5 )時，使用藉由離 具有第1電極 1電極與第2電 ，其具備：保護 極保護層形成時 層（6 5 )的方式 ，均可防止第2 明發光的光電裝 •光材料保護層 極保護層（55 ) )之間配置發光 配置電極保護層 具有透明性的金 造的EL顯示裝 氟化物所構成， 成薄膜。而藉由 。例如金屬氟化 釩、氟化鈷等。 ，係頻帶間隙爲 如使用電漿成長 子結合形成發光 -7- (5) I277364 材料保護層（6 5 )的金屬氟化物所形成，防止電漿中之因 電子或離子的光電層（1 1 0 )的劣化。鹼性金屬、鹼性土 類金屬的氟化物與陶瓷等之絕緣材料相比，可藉由低溫產 生蒸發或昇華的緣故，不會令光電層劣化且能形成發光材 料保護層（6 5 )。特別是鹼性金屬、鹼性土類金屬的氟化 物’由於光之透過性高，最適合頂部發射構造。

並進而具有覆蓋第2電極（50)、電極保護層（55) 與發光材料保護層（65)之氣體障蔽層（30)，於製造製 f壬後，此經長日寸間防止封陰極和光電層之水份等的浸入。 藉由使用發光材料保護層（6 5 )，就能防止於氣體障蔽層 (3 0 )之形成時的光電層劣化。 第3發明係以具備藉由第1發明之光電裝置（1)或 第2發明之製造方法得到電子機器（ι〇〇〇，n〇〇，n〇〇, 1 3 00 )的光電裝置（丨）的方式所形成。若根據此發明， 因可防止製造製程中之第2電極和光電層的劣化等，故可 得到能長時間顯示鮮明之畫像的電子機器。 【實施方式】 〔用以實施發明的最佳形態〕 以下針對本發明之光電裝置之製造方法、光電裝置、 及笔于機器的貫施形態參照圖式做說明。光電裝置是針對 連光電物質之其中一例的電場發光型物質中也使用有機電 激發光（E L )材料的£l顯示裝置做說明。 第1圖是表示EL顯示裝置1之配線構造的圖。eL顯 1277364 (6) 示裝置1是作爲開關元件而使用薄膜電晶體（Thin Film Transistor、以下略記爲TFT )之主動矩陣型的EL顯示裝 置。

EL顯示裝置（光電裝置）丨，如第2圖所示，具有分 別配線著複數掃描線1 0 1、對各掃描線1 〇 i延伸至直角交 叉之方向的複數訊號線1 02、以及並列延伸至各訊號線 1 〇 2的複數電源線1 〇 3的構成，同時於掃描線1 〇 1與訊號 線1 02的各交點附近設有畫素區域X。 於訊號線102連接著具備移位暫存器、位準偏移器、 視頻線及類比開關的資料線驅動電路1 〇〇。並於掃描線 1 〇 1連接著具備移位暫存器及位準偏移器的掃描線驅動電 路80 〇 更於畫素區域X的各個設有：掃描訊號經由掃描線 1 〇 1而供給到閘極電極的開關用TFT 1 1 2、經由此開關用 TFT1 12來保持由訊號線102供給的畫素訊號的保持電容 1 1 3、藉由該保持電容1 1 3所保持的畫素訊號被供給到閘 極電極的驅動用TFT 123、經由此驅動用TFT 123而電性連 接於電源線1 〇3時由該電源線1 03流入驅動電流的畫素電 極（第1電極）23、以及被挾入此畫素電極23與陰極 (第2電極）50之間的光電層110。藉由畫素電極23與 陰極50及光電層110，構成發光元件（有機EL元件）。 若根據此EL顯示裝置1，掃描線1 0 1被驅動而開關 用TFT1 12成爲ON狀態的話，此時的訊號線102的電位 被保持於保持電容1〗3，因應於保持電容1 1 3的狀態，而 1277364 決定驅動用 TFT 123的ON · OFF狀態。並且經由驅動用 TFT 123的通道，由電源線103對畫素電極23流入電流， 更經由光電層1 1 〇對陰極5 0流入電流。含於光電層1 1 0 的有機發光層60 (參照第3圖）是因應於流經此的電流量 而發光。 其次，針對EL顯示裝置1的具體構成參照第1圖〜 第5圖做說明。

EL顯示裝置1，乃如第1圖所示，屬於具備：具有電 氣絕緣性的基板20、連接於開關用TFT (圖未表示）的畫 素電極被矩陣狀配置於基板20上而成的畫素電極域（圖 未表示）、配置於畫素電極域之周圍，同時連接於各畫素 電極的電源線（圖未表示）、以及至少位於畫素電極域上 之平面觀看略矩形的畫素部3 (第1圖中虛線框內）所構 成的主動矩陣型。 再者，於本發明中，包含：基板2 0與如後述地形成 在此之上的開關用TFT、各種電路、及層間絕緣膜等，且 稱爲基體。（第3圖、第4圖中，以符號200表示。） 畫素部3畫分爲：中央部分之實顯示區域4(第1圖 中之中心線框內）與配置於實顯示區域4之周圍的虛區域 5 (虛線及中心線之間的區域）。 於貫顯不區域4分別具有畫素電極的顯示區域R、 G、B爲分別被隔離並矩陣狀配置於A — B方向及C 一 D方 向。 並於實顯示區域4之第2圖中兩側，配置掃描線驅動 -10- (8) 1277364 電路8 Ο、8 0。此些掃描線驅動電路8 Ο、8 0是被配置於虛 區域5的下側。

更於實顯示區域4之第1圖中上側，配置檢查電路 9〇。此檢查電路0是用於檢查EL顯示裝置1之作動狀況 的電路，例如具備將檢查結果輸出到外部的檢查資訊輸出 手段（圖未表示），進行製造途中和出資時之顯示裝置的 品質、缺陷之檢查的方式所構成。再者，此檢查電路90 也被配置於虛區域5的下側。 掃描線驅動電路80及檢查電路90是以由指定的電源 部經由驅動電壓導通部3 1 0 (參照第3圖）及驅動電壓導 通部340 (參照第4圖）施加其驅動電壓的方式所構成。 而對該些掃描線驅動電路8 0及檢查電路90的驅動控制訊 號及驅動電壓是由進行此EL顯示裝置1之作動控制的指 定主驅動器等經由驅動控制訊號導通部3 20 (參照第3 圖）及驅動電壓導通部3 5 0 (參照第4圖）而送訊及施 加。再者，此時的驅動控制訊號是指來自於掃描線驅動電 路8 0及檢查電路9 0輸出訊號時的控制有所關連的主驅動 器等的指令訊號。 而EL顯示裝置1，乃如第3圖、第4圖所示，於基 體200上形成多數具備畫素電極23、有機發光層60及陰 極50的發光元件（有機EL元件）。 更於陰極5 0上形成：防止發光材料劣化的發光材料 保護層65，與防止陰極5 0氧化的陰極保護層5 5。並更覆 蓋該些而形成氣體障蔽層3 0等。 -11 - 1277364 (9) 光電層11Q之主要的層乃爲有機發光層60(電激發光 層），但在挾持的兩個電極之間具備··電洞注入層、電洞 輸送層、電子注入層、電子輸送層、電洞阻止層（電洞阻 絕層）、電子阻止層（電子區塊.層）亦可。

構成基體200的基板20，係所謂的頂部發射型之EL 顯示裝置時，由屬於此基板2 0之對向側的氣體障蔽層3 0 側取出發光光的構成，透明基板及不透明基板均可使用。 不透明基板例如舉例有：於氧化鋁等之陶瓷、不銹鋼等之 金屬片施以表面氧化等之絕緣處理，而更舉例有：熱硬化 性樹脂和熱可塑性樹脂其薄膜（塑膠薄膜）等。 而於所謂的底部發光型之EL顯示裝置時，是由基板 2 0側取出發光光的構成，基板2 0採用透明或半透明的。 例如舉例有：玻璃、石英、樹脂（塑膠板、塑膠薄膜） 等，特別適用玻璃基板。再者，本實施形態是種由氣體障 蔽層3 0側取出發光光的頂部發射型。 並於基板2 0上形成包括供驅動畫素電極2 3的驅動用 TFT 123等的電路部1 1，於其上設有多數發光元件（有機 EL元件）。發光元件，乃如第5圖所示，藉由依序形 成：作爲陽極之功能的畫素電極23、用以注入/輸送來自 此畫素電極23的電洞輸送層70、具備光電物質之一的有 機EL物質的有機發光層60、以及陰極50所構成。 於此種構成的基礎下，發光元件，係藉由於該有機發 光層60，結合由電洞輸送層70注入的電洞與來自陰極50 的電子產生發光。 -12- 1277364 (10) 畫素電極23在本實施形態是屬於頂部發射型’不必 爲透明，因而藉由適當的導電材料所形成。 電洞輸送層7〇的形成材料，例如使用聚噻吩衍生 物、聚吡咯衍生物等，或是該些摻雜體等。具體是使用 3,4 一亞乙基二氧硫代酚/聚苯乙烯磺酸（pEE)〇T/pSS) 的分散液等。 供形成有機發光層60的材料可使用能發出螢光或磷 9光之公知的發光材料。具體上適用（聚）芴衍生物 (PF)、（聚）對亞苯乙燒撑衍生物（ppv)、聚亞苯撐 衍生物（P P )、聚對亞苯乙烯衍生物（p p p )、聚乙烯基 昨π坐（PVK )、聚B羞吩衍生物、丙二醇甲醚丙酸酯 (PMPS )等之聚矽烷系等。

並且也可於該些高分子材料摻雜紫蘇烯系色素、香豆 素系色素、鹼性蕊香紅系色素等之高分子系材料和紅熒 嫌、紫蘇;It、9, 10—二苯基蒽、四苯基丁二烯、耐綸紅、 香豆素6、哇吖酮等之低分子材料使用。 再者’取代上述之高分子材料，也可使用以往公知的 低分子材料。 而配合需要，亦可於此種有機發光層6 0之上形成由 以鈣和鎂、鋰、鈉、緦、鋇、鉋爲主成份的金屬或金屬化 合物所製成的電子注入層。 而於本實施形態，電洞輸送層7 0與有機發光層6 0， 係如第3圖〜第5圖所示，藉由以格子狀形成在基體2〇0 上的親液性控制層2 5與有機間隔壁層（間隔壁構造體） -13- (11) 1277364 22 1所圍繞而配置，藉此圍繞的電洞輸送層70及有機發t 層60是種構成單一發光元件（有機EL元件）的元件層。 再者，對有機間隔壁層221之開口部221a的各壁面 的基體200表面的角度0則爲1 1〇度以上至170度以下 (參照第5圖）。形成此種角度是在藉由濕式製程形成電 洞輸送層70及有機發光層60時，易於配置在開口部221a 內。

陰極5 0，係如第3圖〜第5圖所示，具備比實顯示區 域4及虛區域5之總面積更寬的面積，以覆蓋各個的方式 所形成，在有機發光層60與有機間隔壁層221的上面更 以覆蓋形成有機間隔壁層2 2 1之外側部的壁面的狀態形成 在基體200上。再者’此陰極5〇，如第4圖所示，在有機 間隔壁層22 1的外側連接於形成在基體2〇〇之外周部的陰 極用配線202。於此陰極用配線2〇2連接可撓性基板 2〇3 ’藉此陰極50，係經由陰極用配線2〇2而連接於可撓 性基板2 0 3上之圖未表示的驅動I c (驅動電路）。 供形成陰極5 〇的材料，因本實施形態屬於頂部發射 型’須具有光透過性，因而適合鈣（Ca )、鎂（Mg )、 銀（Ag )、錦（A1 )等之薄膜金屬層（或合金層）。 於陰極50之上層部，設置發光材料保護層65。發光 材料保護層6 5 ’係以絕緣性爲條件，於製造製程時，欲防 止有機發光層6 0經由電漿中之離子及電子的高電能之傳 達被劣化所設的層。 形成發光材料保護層65的材料，係適合金屬氟化 -14- (12) 1277364 物。具體上舉例有：氟化鋰、氟化鎂、氟化鈉。 像這樣’以藉由金屬氟化物形成有機發光層60的發 光材料保護層6 5覆蓋’藉此對有機發光層6 〇抑制高密度 的電發能量的傳達，就能良好的防止有機發光材料的劣 化。再者’發光材料保護層65，係形成約1〜30nm左右 的厚度。

於發光材料保護層6 5的上層部，設置陰極保護層 5 5。陰極保護層5 5，係於製造製程時，欲防止陰極$ 〇被 腐触所設的層’同時亦屬於輔助被薄膜化之陰極5 〇的導 電性的層。若爲將發光材料保護層6 5形成於陰極5 〇上的 構成’即無由陰極5 〇對有機發光層6 〇之電子注入的阻 礙’就可防止有機發光層60的劣化。 形成陰極保護層5 5的材料，因El顯示裝置1爲頂部 發射型’故須具有光透過性，因而使用透明導電材料。具 體上適合ITO ( Indium Tin Oxide :銦錫氧化物），但除 此以外’例如可使用氧化銦•氧化鋅系非晶質透明導電膜 (Indium Zinc Oxide : IZO /銦鋅氧化物（註冊商 標））、銘鋅氧化物（AZO )、氧化錫等。再者，本實施 形_使用I Τ Ο。該些材料，在低溫下需形成緻密之低電阻 膜的緣故’使用高密度電漿成膜法而成膜。 像追樣，藉由將陰極5 0以屬於金屬氧化膜的陰極保 δ蒦層5 5而覆蓋，就能良好的防止藉由對陰極5 〇的氧和水 份、有機材料等之接觸的腐蝕。再者，陰極保護層55係 形成1 Onm至3 OOnm左右的厚度。 -15- 1277364⑽ 更於陰極50、發光材料保護層65、陰極保護層55之 上，設置氣體障蔽層30。 氣體障蔽層3 0，係欲防止氧和水份浸入其內側，藉此 防止氧和水份浸入陰極50和有機發光層60，抑制因氧和 水份引起陰極5 0和有機發光層6 〇的劣化等。

而氣體障蔽層3 0例如由無機化合物製成，理想是藉 由高密度電漿成膜法形成矽化合物亦即矽氮化物和矽氮化 物、矽氧化物等。但連矽化合物以外，均由例如氧化鋁和 氧化鉬、氧化鈦進而其他的陶瓷等所形成亦可。將氣體障 蔽層3 0與陰極保護層5 5同樣地藉由電漿成膜法形成時， 使用發光材料保護層65，藉此就能防止氣體障蔽層30形 成時之光電層的劣化。 並於有機發光層60與陰極5 0之間，於發光材料保護 層6 5進而形成由記述的材料所形成的層。藉由像這樣所 形成，就能進一步防止氣體障蔽層3 0或陰極保護層5 5形 成時之光電層的劣化。 而氣體障蔽層3 0包含例如有機樹脂層與矽化合物的 兩層構造，ITO與矽氮化物等矽化合物，同時亦可藉由不 同的材料所積層的構造。像這樣形成由無機化合物製成的 基礎層，即可提昇密著性，還可緩和應力，提昇由矽化合 物製成的氣體障蔽層的緻密性。 此種氣體障蔽層3 0的厚度，係1 〇 η m以上、5 0 0 n m以 下爲佳。若未滿1 〇nm，會因膜的缺陷和膜厚不均等於部 分形成貫通孔，有損壞氣體障蔽性之虞，若超過5 0 0 n m， -16- (15) 1277364 鈦層等的塑膠薄膜等而形成。 再者，此例的EL顯示裝置，在頂部發射型的情形 下’表面保護層206、接著層205須共同形成透光性，但 底部發光型的情形下，不須要。

於上述之發光元件的下方，如第5圖所示，設有電路 部1 1。此電路部1 1是形成於基板20上而構成基體200。 亦即’於基板2 0的表面形成作爲基礎而以s i Ο 2爲主體的 基礎保護層2 8 1，於其上形成矽層2 4 1。在此矽層2 4 1的 表面，形成以Si02及/或SiN爲主體的閘極絕緣層2 82。 而矽層241之中，挾持閘極絕緣層2 82而與閘極電極 2 4 2重疊的區域爲通道區域 2 4 1 a。再者，此閘極電極 2 4 2 ’係Η未表不的掃描線1 〇 1的一部分。一^方面，於覆 蓋矽層241，且形成閘極電極242的閛極絕緣層2 82的表 面，形成以Si02爲主體的第1層間絕緣層2 8 3。 而矽層241之中，一邊於通道區域241a的源極側， 設有低濃度源極區域2 4 1 b及高濃度源極區域2 4 1 S，一邊 於通道區域24 1 a的汲極側，設有低濃度汲極區域24 1 c及 局濃度汲極區域241D，形成所謂的 LDD( Light Doped Drain )構造。該些之中，高濃度源極區域241 S，係中介 著橫跨閘極絕緣層2 82與第1層間絕緣層2 8 3而開孔的接 觸孔2 4 3 a，連接於源極電極2 4 3。此源極電極2 4 3係作爲 上述之電源線1 〇 3 (參照第2圖，就第5圖來看，於源極 電極2 4 3的位置延伸至紙面垂直方向）的一部份所構成。 一方面，高濃度汲極區域2 4 1 D係中介著橫跨閘極絕緣層 -18- (16) 1277364 2 82與第1層間絕緣層2 8 3而開孔的接觸孔244a，連接於 由源極電極243與同一層製成的汲極電極244。

形成源極電極2 4 3及汲極電極2 4 4的第1層間絕緣層 2 8 3之上層，係藉由以例如矽氮化物和矽氧化物、矽氮化 物等之具有氣體障蔽性的矽化合物爲主體的第2層間絕緣 層2 8 4所覆蓋。此第2層間絕緣層2 8 4連例如矽氮化物 (SiN )和矽氧化物（Si02 )等之矽化合物的獨立膜，也 能與丙烯酸樹脂等之配線平坦化層組合而使用。而由ITO 製成的畫素電極23，係形成於此第2層間絕緣層2 8 4之表 面上，同時中介著設於第2層間絕緣層284的接觸孔23a 而連接於汲極電極244。亦即，畫素電極23，係中介著汲 極電極244，而連接於矽層241的高濃度汲極區域241 D。 再者，包含於掃描線驅動電路8 0及檢查電路9 0的 TFT (驅動電路用TFT )，亦即例如該些驅動電路之中， 構成包含於移位暫存器的反相器的N通道型或p通道型的 TFT，係除了未與畫素電極23連接的點，均爲與驅動用 TFT1 23同樣的構造。 於形成畫素電極23的第2層間絕緣層2 84的表面， 係設有：畫素電極2 3、上述之親液性控制層2 5及有機間 隔壁層221。親液性控制層25，係以例如3丨02等之親液 性材料爲主體，有機間隔壁層2 2 1，係由丙烯酸樹脂和聚 醯亞胺等所製成。而於畫素電極2 3之上，係於設在親液 性控制層25的開口部25a、及圍繞於有機間隔壁層221的 開口部2 2 1 a的內部，依此順序積層電洞輸送層7 〇與有機 -19-

1277364 (18) 絕緣層2 8 4的接觸孔2 3 a而形成與汲極電極2 4 4導通 素電極23，同時也形成虛區域的虛圖案26。 再者，於第3圖、第4圖，係該等畫素電極23、 案2 6總稱爲畫素電極2 3。虛圖案2 6，係中介著第2 絕緣層2 84而成爲未連接至下層之金屬配線的構成 即，虛圖案26，係被島狀配置，具有略與形成在實顯 域之畫素電極23的形狀相同之形狀。當然也可爲與 在顯示區域之畫素電極23的形狀相異的構造。再者 時，虛圖案 26至少亦包括位於驅動電壓導通部 ( 3 40 )的上方。 其次，如第6圖（b)所示，在畫素電極23、虛 2 6上、及第2層間絕緣膜上形成屬於絕緣層的親液性 層25。再者，於畫素電極23以一部分爲開口的形態 成親液性控制層25，於開口部25a (亦參照第3圖） 自畫素電極2 3起的電洞移動。相反地，在未設開口部 的虛圖案26，絕緣層（親液性控制層）25成爲電洞 遮蔽層，而不會產生電洞移動。接著，於親液性控< 25，在位於不同的兩個畫素電極23之間所形成的凹 形成圖未表示的BM (黑色矩陣）。具體上是對親液 制層2 5的凹狀部，利用採用金屬鉻的濺鍍法而成膜。 且如第6圖（c )所示，以覆蓋親液性控制層2 5 定位置，詳細是覆蓋上述之BM的方式形成有機間隔 2 2 1。具體的有機間隔壁層之形成方法，是將例如丙: 樹脂、聚醯亞胺等之光阻劑溶解於溶媒中，藉由旋塗 的畫 虛圖 層間 。亦 示區 形成 ，此 3 10 圖案 控制 而形 可爲 25a 移動 制層 狀部 性控 之指 壁層 燒酸 法、 -21 - (19) 1277364 狹縫式塗佈法等之各種塗佈法塗佈而形成有機層。再者， 有機層的構成材料，亦可爲不溶解於後述之油墨的溶媒， 但易藉由蝕刻等圖案化的任何一種。

更使用微影技術、鈾刻技術將有機層圖案化，於有機 質層形成開口部221a，藉此於開口部221a形成具有壁面 的有機間隔壁層22 1。在此，就形成開口部22 1 a的壁面來 看，對於基體200表面的角度0則以1 10度以上至170度 以下的方式形成。 再者，此時，有機間隔壁層22 1係包括至少位於驅動 控制訊號導通部320之上方的層。 其次，形成呈現親液性的區域與呈現撥液性的區域。 於本實施形態中，藉由電漿處理形成各區域。具體上是以 預備加熱工程；和分別將有機間隔壁層22 1之上面及開口 部221a的壁面與畫素電極23的電極面23c、親液性控制 層2 5的上面形成親液性的親油墨化工程；和使有機間隔 壁層221的上面及開口部221a的壁面形成撥液性的撥油 墨化工程；和冷卻工程來構成電漿處理。 亦即，使基材（包括間隔壁等的基板20 )加熱到指定 溫度例如70〜8 0°C左右，其次進行親油墨化工程，在大氣 環境中進行以氧爲反應氣體的電漿處理（〇2電漿處理）。 其次，進行撥油墨化工程，在大氣環境中進行以四氟化甲 烷爲反應氣體的電漿處理（CF4電漿處理），然後，爲了 電漿處理將被加熱的基材冷卻到室溫，使指定處所獲得親 液性及撥液性。 -22- 1277364 (2〇) 再者，於此CF4電漿處理中，連畫素電極23的電極 面2 3 c及親液性控制層2 5也多少會受到影響，但屬於畫 素電極2 3之材料的IT 0及屬於親液性控制層2 5之構成材 料的Si 〇2、Ti〇2等’對氟而言缺乏親和性的緣故，在親 油墨化工程獲得的羥基不會被氟基置換，會保持親液性。

其次’藉由電洞輸送層形成工程進行電洞輸送層70 的形成。該電洞輸送層形成工程，係例如藉由噴墨法等之 液滴吐出法和狹縫式塗佈法等，將電洞輸送層材料塗佈於 電極面2 3 c上，然後進行乾燥處理及熱處理，於電極2 3 上形成電洞輸送層70。將電洞輸送層材料以例如噴墨法選 擇性塗佈時，首先於噴墨頭（圖示省略）塡充電洞輸送層 材料，使噴墨頭的吐出噴嘴面對於位於形成在親液性控制 層25之開口部25a內的電極面23c，邊使噴墨頭與基材 (基板2 0 )相對移動，邊自吐出噴嘴將控制在相當於1滴 之液量的液滴吐出於電極面2 3 c。其次，令吐出後的液滴 進行乾燥處理，使包含於電洞輸送層材料的分散媒和溶媒 蒸發，藉此形成電洞輸送層70。 在此’由吐出噴嘴吐出的液滴會擴大到完成親液性處 理的電極面2 3 c上，充滿親液性控制層2 5的開口部2 5 a 內。其一方面，在撥油墨處理的有機間隔壁層22 1的上 面，液滴不會彈跳附著。因而就算液滴偏離指定之吐出位 置而吐出在有機間隔壁層2 2 1的上面，該上面不會因液滴 而濕潤，彈跳的液滴會彈入到親液性控制層2 5的開口部 2 5 a 內。 -23-

1277364 ㈣ 障蔽性、紫外線遮斷性等的功能，藉此有機發光 陰極50，進而氣體障蔽層也藉由此表面保護層 護’因而可達成發光元件的長壽命化。 而因接著層2 0 5對機械性衝撃發揮緩衝功能 部施加機械性衝撃時，能緩和對氣體障蔽層3 0 之發光元件的機械性衝撃，防止因此機械性衝撃 件的功能劣化。 再者，亦可於接著層205含有微粒子207。 子2 0 7，藉此微粒子2 0 7成爲間隔件，而使接著 膜厚略均勻化。 如以上，形成EL顯示裝置1。 在此，表1爲表示根據發光材料保護層6 5 有機發光層60的亮度比率及發光效率之資料的穩 :層6 0和 206來保 ，故由外 和此內側 的發光元 含有微粒 層205的 的有無之 -27. 1277364 (25) 〔表1〕 施加4V電壓時的有機發光層之亮度及發光效率資料 亮度 比率 (%) 發光效 率比率 (%) 有發光材料保護層（本實施形態） (有機發光層/電子注入層/陰極/發光材料保 護層/陰極保護層） 100 100 無發光材料保護層 (有機發光層/電子注入層/陰極/陰極保護層） 75 60 未形成陰極保護層（參考） (有機發光層/電子注入層/陰極/陰極） 100 100

單位：亮度Cd/m2、發光效率Lm/W

具體上是表示陰極保護層55使用ECR電漿濺鍍裝 置’並根據以ITO (銦錫氧化物爲150nm厚）形成時的發 光材料保護層65 (氟化鋰爲20nm厚）之有無的紅色亮燈 時的壳度比率及發光效率的資料。 如表1所示，未形成發光材料保護層6 5時（依有機 發光層60/電子注入層/陰極5〇/陰極保護層55的順序 積層）’很淸楚地看見發光層60的亮度比率及發光效率 比率降低。亦即，得知陰極保護層5 5之形成時所發生的 電漿中之離子及電子的能量，會使形成有機發光層60的 有機EL材料受到不良影響。 -28-

Claims (1)

1277364 (1)

十、申請專利範圍 第94100652號專利申請案 中文申請專利範圍修正本

民國95年6月7日修正 1· 一種光電裝置之製造方法，係於基體上具有第1電 極、第2電極、與被挾持於第1電極與第2電極之間的光 電層之光電裝置之製造方法，其特徵爲：具有 在前述基體上形成前述第1電極之工程； 在前述第1電極上形成前述光電層之工程； 在前述光電層上形成前述第2電極之工程； 形成覆蓋前述第2電極的發光材料保護層之工程；及 形成覆蓋前述發光材料保護層的電極保護層之工程， 前述發光材料保護層是藉由真空蒸鍍法所形成。

2.—種光電裝置之製造方法，係於基體上具有第1電 極、第2電極、與被挾持於第1電極與第2電極之間的光 電層之光電裝置之製造方法，其特徵爲；具有 在前述基體上形成前述第1電極之工程； 在前述第1電極上形成前述光電層之工程； 形成覆蓋前述光電層的發光材料保護層之工程； 形成覆蓋前述發光材料保護層的前述第2電極之工 程；及 形成覆蓋前述第2電極的電極保護層之工程， 前述發光材料保護層是藉由真空蒸鍍法所形成。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置之製造方 (2) 1277364 法，其中 進而具有形成覆蓋前述第2電極、前述電極保護層與 前述發光材料保護層之氣體障蔽層（gas barrier layer)之工 程。 4·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置之製造方 法，其中 則述電極保護層是藉由電漿成膜法所形成。

5.如申請專利範圍第1或2項之光電裝置之製造方 其中 前述第2電極是藉由真空蒸鍍法所形成。 6·如申請專利範圍第1或2項之光電裝置之製造方 法，其中 前述電極保護層，係由導電性且具有透明性之金屬氧 化物所構成。 7.如申請專利範圍第1或2項之光電裝置之製造方 φ 法，其中 前述發光材料保護層，係由金屬氟化物所構成。 8 .如申請專利範圍第7項之光電裝置之製造方法，其 中 前述金屬氟化物係氟化鋰。