TWI275667B - Tilted electrochemical plating cell with constant wafer immersion angle - Google Patents

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1275667 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明) 交互參考資料： 本發明主張2002年7月24日申請之美國暫時專利申 請案號60/398,336案之利益，其並於此併入作為參考資 料0 一、 發明所屬之技術領域 本發明實施例係相關於一電化學電鍍槽，更特別的 是，相關於一具有一對稱軸，與垂直方向螺旋或傾斜之 電化學電鍍槽。 二、 先前技術 深次微米（sub-quarter micron)级金屬化方法為現今 及下一代積體電路製造方法之基礎技術。較特別的是， 在元件中如特大型積體電路元件中，即具有大於一百萬> 個邏輯閘之積體電路元件，其位於這些元件中心之多層 内連線（multilevel内連線）通常以滿足高深寬比（high aspect ratio)，如大於4:1方式形成，内連線具有導體特 徵，如銅或鋁。通常沉積技術，如化學蒸氣沉積法（CVD) 或物理蒸氣沉積法（PVD)可滿足這些内連線特徵。然而， 隨著内連線尺寸降低，深寬比增加，即高達15:1或更高， 以傳統金屬化技術製得之無孔洞内連線填充便愈顯困 難。因此，電鍍技術，如電化學電鍍法（ECP)，已能於積 體電路製程中產出深次微米之無孔洞填充具有高深寬比 内連線特徵。 6 1275667 在ECP製程中，基板表面上所形成之深次微米之高 深寬比特徵可有效填充—導電材料，如銅。ECP技術通常 為兩階段製程，其中一種子層係先形成於一基板表面， 之後該基板表φ再暴露於—電解質溶液巾，且於該種子 層與位於電解質溶液中之銅陽極之間施加一電偏壓。該 電解質溶液通常含有欲鑛至基板表面上之離子，因此施 加一電錢便可使電解質溶液中之離子㈣並鏟至被施 加偏壓之種子層上，因此滿足該特徵。 ^ ECP製程中一個重要關鍵便在於基板沉浸過程，通 常包括將基板固定於陰極接觸點上，並將基板與至少一 陰極接觸點浸入電解液中。在此過程中，希望基板可以 相當快速的方法浸入、然而，浸入基板時預防氣泡或空 氣於基板表面產生是相當重要的，因為氣泡或空氣會導 致電鍍不均勻問題。因此，傳統的電化學電鍍室通常在 電解液樞軸運動過程中，利用樞軸式接頭組沉浸該基也 與陰極接觸環。此樞軸運動通常可開始基板第一浸入步 ·“，並使 >儿〉叉過程可橫越基板表面繼續，直至整個表面 可浸入電解液中。 然而’樞軸式基板浸潤製程所使用的樞軸點，在浸 入過程中，基板與電解液之間的角度會隨基板浸入電解 液間不同而不同，直至基板完全浸入電解液中。這些不 同浸入角度會使氣泡預防變得更困難，而且由於浸入過 程中’基板與電解液角度不同所造成，會加速電錢不均 勻問題。 1275667 因此，需要一種電化學電鍍金屬於一基板上之裝置 與方法，其中職置與方法包含—浸人過程，在整個浸 入與電㈣程巾’可維持基板表面與陽極表面平行。 三、發明内容 。本發明實施例一般而言為提供沉浸一基板以進行電 、又操作之政置。该裝置通常包含一含有電鍍液之電鍍 槽。該電鍍槽包含至少一流體槽；一擴散板，位於該 至夕一流體槽之低處；一陽極，位於該擴散板之下 方，該陽極與該擴散板互相平行，且與水平面成一 傾斜角。該裝置更包含一接頭組，接近於電鍍槽， 该接頭組包含一基座元件；一促動器，位於該基座 之末端；以及一基板支撐組，與該促動器呈機械連 動’該基板支撐組係用以支撐該基板於至少一流體 槽中，以於與擴散板垂直方向上進行處理。 本發明更提供一種電化學電鍍金屬層於一基 板上之裝置，包含：一含有電鍍液之電鍍槽，該電 鍍槽與水平面成一傾斜角，以及一接頭組，接近該 電解槽’用以支撐一於電解槽中處理之基板，該接 頭組具有一對稱軸，與水平面成一傾斜角。 本發明更提供一種沉浸一基板於一電鍍液中 之方法。該方法包含固定一基板於一基板支撐組 上’該基板支撐組係用支撐該基板於一與水平面呈 一第一傾斜角度之傾斜平面上。該方法更包含縱向 延伸該基板支撐組進入於一含有電鍍液之電鍍槽 8 1275667 中，以沉浸該基板製得之表面，該電鑛槽之配置使 陽極、擴散板、及内槽於一與水平面呈—第二傾 角，其中該第二傾斜角實質上與該第—傾斜角垂 四、實施方式 本發明提供-電化學電鍍槽，具一垂直對稱軸，盥 該ECP槽水平面成相對於習知垂直方向傾斜或歪斜。該傾 斜軸，通常介於從垂直或9〇。算起3。至3〇。，，通常可使該 ECP槽具-相對應傾斜的接頭組與其下傾斜的電解液/ 槽。-每-接頭組與電解液槽之元件，即該接觸環、陽極、 分隔薄膜、擴散板等，都相對應地傾斜，使得位於該基 板支撐組件/接觸環上之基板表面可與該接頭組成機械土連 動’且維持實質上與位於電化學電鍍射陽極上表面平 行之方向。 圖1為本發明中傾斜ECp槽100與接頭組1〇1之範例。 接頭組101通常位於一槽或容器102之正上方，以容置該 電化學電鍍液。該接頭組101通常用以支撐該基板支撐組 103於一較低延伸部分。該接頭組1〇1可依需要提供基板 支撐、、且榷軸運動，旋轉運動與軸向運動。電解液容器或 才曰102般包含内溶液槽1〇4，位於該外槽1〇5周圍内緣。 該内溶液槽104，通常用以容置電鍍液，以維持電鍍過程 進行，通常會溢出於該内槽1〇4之上部進入外槽1〇5。因 此，5亥外槽1 〇5通常包含一排出口丨〇6，位於較低處，其 1275667 中該排出口 106係用以移除過多之電鑛液，由外槽川4接 收。 圖1亦顯示接頭組101以及基板支撐組1 〇 3相對於電 解液容器102之位向。例如，該對稱軸1〇7通常會穿過電 解液容器102、基板支撐組103與接頭組1 〇 1垂直部分之中 心。如此，環繞於對稱軸107之元件通常與軸1〇7對稱。 此外，對稱軸107通常與垂直軸1〇8傾斜或螺旋，其中該 垂直軸108通常與水平置放的基板1〇9垂直。該傾斜角， 即介於該對稱軸107與垂直軸1〇8之間的角度，通常介於 3。至30。之間。然而，本發明範例中之傾斜角度為可介於 約5。至25。之間，約5。至1〇。之間，約5。至15。之間。然而， 本發明範例並不侷限於任何特定傾斜角度，本發明人以 介於3。至30。之間之任何角度作為標準。 圖2為本發明電解液容器或槽1〇2之具體範例。以圖ι 為參考簡短說明，該電解槽102通常包含一内槽1〇4，呈 輻射狀位於外槽105内。該内槽1〇4通常在操作時含有電 鍍液，該基板支撐組1〇3可於電鍍過程中定位基板在電鍍 液中。該内槽104通常包含一斜邊，為共同上端點2〇6之 終端，因此，内槽104中提供之電解液可流過共同上端點 206以創造一貫質上為平面之流體上表面，且維持内槽 104内電解液固定體積。流過共同上端點2〇6之電解液會 由外槽105接收並由排出口 1〇6排出。該内槽1〇4之中間部 分通常包含一開放體積或槽2〇7，為電鍍操作時電解液容 置處。该内槽較低部分，即低於該斜邊部分，通常包含 一短垂直延伸壁。槽104之此壁通常對應於基板要電鍍時 1275667 之位置，亦即該壁位於待電鍍基板之正下方。因此，為 I在電鑛過程中控制基板周圍之場線，該壁之直徑通常 稍小於待電鍍基板之直徑。例如，就一 2〇〇 基板而言， 該壁之直徑通常介於190mms2〇〇mm之間。體積2〇7之 較低部分通常與一擴散板208結合，其包含一圓盤狀多孔 陶瓷板，通常作為虛擬陽極。此外，擴散板2〇8可提供電 鑛直仅範圍某些程度之控制，如沉積均勻度，經由材料 的選擇，擴散板的定位，以及孔洞大小的控制。 位於擴散板208正下方的是第二開放體積2〇9，為電 鍍操作中，在通過擴散板208前之電解液引入處，與該基 板接觸以進行電鍍。用於電鍍之流體，即該電鍍液，通 常經由一或多個電解液入口 214供應予該開放區域2〇9， 其通常與電解液供應源（圖未顯示）呈液相連通。電鍍操作 中供應予開放區域209之流體通常包含一基礎電解液，含 有一種或多種電鍍添加物，以控制各種電鍍參數。該電， 鍍添加物，通常為有機添加物，可包括分層劑（leveler)、 抑制劑、加速劑、及/或其他一般用以控制電化學電艘製 程之添加物。 陽極組211通常位於開放空間2〇9下方，用以在電鍍 過程提供電鍍溶液中之金屬離子。陽極組211可以一薄膜 210與開放空間209區隔。陽極組211通常包含一圓盤狀金 屬陽極構件，可為銅或磷化銅，例如，銅ECP製程。該薄 膜210之配置通常可提供一開放空間介於薄膜21〇與陽極 211上表面之間。此介於薄膜21〇下表面與陽極211上表面 之間的空間通常與至少一第二液體入口 212呈液相連 11 1275667 通，以供應溶液於陽極211正上方及薄膜210下方之空 間。此外，薄膜210下表面與陽極211上表面之間的區域 亦與至少一流體排出口 213呈液相連通，以移除陽極211 正上方區域的液體。如此，流體供應入口 212與排出口 213 之配合下，可使流入陽極211正上方區域之流體可由排出 口 213移出，而不會通過薄膜210進入開放區域2〇9。此配 置可使陽極組211與電鍍槽中陰極區域分隔，且更特別 的’可避免由陽極表面產生之污染物，如有機添加物之 分解物、銅球等’由陽極表面釋放出，並於基板製得表 面沉積，而造成缺陷。 此外，供應至開放區域209之流體通常為電化學電鍍 形式溶液。然而，供應至開放區域2〇9之溶液通常不包含 使用於電鍍操作之電錢液添加物。此外，該薄膜21 〇通常 為離子交換形式薄膜，因此流至薄膜21〇之流體便會被擋 下。薄膜210通常只允許離子通過，如銅離子ECp製程+ 的氫離子和銅離子。因此，薄膜210之擺放位置通常會區 隔陽極211與待鍍基板，通常作為陰極，因為該基板通常 會與電源供應器之陰極端呈電性連通，陽極則與電源供 應时之陽極端壬電性連通。因在匕，接近待鑛基板附近之 工間通g具有陰極室之特性，而接近陽極附近之體積， 即=膜210下表面與陽極211上表面之間的區域，通常具 有陽極室之特性。陽極211與待鑛基板之間的隔離通常可 防止電I谷液中的添加物’由於接觸到陽極而分解，移 待錢基板上而造成缺陷。在陽極與基板之間的薄膜 便可捕捉或預防這些分解的溶液添加物由陽極211移至 12 1275667 基板表面。此外，流體入口 212與流體排出口 213之組合， 皆可與陽極專有地呈液相連通，即陽極211表面正上方與 薄膜210下表面正下方之間的體積，，更幫助預防這些分 解的溶液添加物由陽極211移至待鍍基板表面。更特別 的’由於供應至陽極間隔之流體會循環出該陽極間隔， 而不會流入陰極間隔，已分解的溶液添加物會在經由薄 膜210流入陰極間隔，造成電鍍表面缺陷之前，匯聚流出 電鍍槽。 電鍍槽102中之相關各元件皆具一傾斜角，對應於接 頭組300之傾斜角。例如，電鍍槽102可由傳統水平位置 傾斜成電鍍槽102之一壁較高於電鍍槽1〇2另一壁。如圖i 所示，電鍍槽102接近接頭組1〇1之基座部分之一側稩稍 舉起，使得此角度即傾斜角，形成於實質上水平基座1〇9 與現在傾斜電鍍槽102之間，角度介於3。至30。之間。電鑛 槽102之傾斜角對應於接頭組1〇1對稱軸107之傾斜角。一 旦傾斜，流至内槽104之流體便會流過内槽1〇4之上部分 最低點。如此，供應至内槽104中之電解液便會由内槽i 〇4 左側流過内槽104之上部分，如圖1所示之範例，因為電 鍍槽102之左側低於右侧，即最接近接頭組基座之一側。 因此，為了在傾斜角度下維持内槽中電解液適當之深 度，内槽104之一側通常比另一侧高。在此設計下，内槽 104較高之一側便在傾斜槽102之較低位置上，使内槽1〇4 中可維持適當體積之電解液。此外，若外槽105亦傾斜， 流體排出口 106通常位於傾斜壁102較低側，使得由内槽 13 1275667 104溢出流至外槽i〇5之流體可收集至排出口 ι〇6而向下 流出。 除了内槽104與外槽105皆具有傾斜角之外，電鐘槽 102中其他元件亦具有相對應之傾斜角。例如，如圖2所 示，該陽極組211、薄膜210與擴散板208亦具有相對應之 傾斜角。因此，由於電鍍槽102中元件之傾斜角皆對應於 接頭組300之傾斜角，連接至接頭組3〇〇之基板1〇9將產生 一電鑛表面，此電鍍表面會與擴散板2〇8、薄膜21〇與陽 極組211平行。然而，亦須注意到，由於電鑛槽1 傾斜， 内槽104所含流體會有一上表面不與擴散板2〇8、薄膜21〇 或陽極組211平行。此外，内槽1〇4所含流體上表面會維 持與電鑛槽102水平表面1〇9平行。 此外，電鍍槽102通常為低體積電鍍槽。更特別的 是，内槽104中所含的電鍍液體積，即用於電鍍操作中内 槽104中所含的電鍍液體積，通常小於丨至2公升，若内槽 直徑300 mm，實質上小於一般電鍍槽，通常為6公升。因 此’若内槽直徑為3〇〇 mm，内槽1〇4内1公升電解液深度 便為2.5 cm。較特別的，内槽104内電解液深度便為i mm 至20 mm，或介於5 mm至15mm。溶液深度通常由擴散板 208頂端量至流體層。然而，由於電鍍槽1〇2傾斜，深度 便由傾斜電鍍槽102頂部量測，因此，該深度便可代表内 槽104中溶液的最小深度。此種配置下，當接頭組ι〇ι在 電鍍過程中將基板定位於内槽104之電解溶液中時，待鍍 基板之表面會介於距擴散板2〇8上表面1 至1〇 mm 處。然而，基板製得表面之一側會浸入電解液相對於基 14 1275667 板製得表面另一側（基板直徑圓周處）之較深處，。此結果 可維持基板平行於陽極211與擴散板208表面，當電鍍槽 102傾斜時，使得流體表面不與陽極2U、擴散板2〇8、薄 膜210或與待鍍基板平行。低體積電鍍槽102提供數種優 點，亦即，降低電鍍時所需溶液體積。 圖3為本發明基板支撐組件103之橫截面圖。基板支 撐組件103包含一接頭組3〇〇與接觸環3〇1，在電鍍過程中 與基板製得表面呈電性接觸。接頭組3〇〇通常會在較低處 末端提供縱向促動推板3〇2。推板302與促動器3〇5機械連 動，並對推板302給予縱向與旋轉運動，即該促動 器305可使推板302旋轉運動以及沿著接頭組3〇〇縱 軸上下運動。推板3〇2之縱向運動通常可使推板3〇2 於處理位置與基板載入處之間移動。該處理位置通 常對應於推板302上升或自接觸環下表面移出之位 置，使基板可定位於接觸環上。該處理位置通常搿 應於推板302相對於接近接觸環3〇1之較低處，以固 定基板於接觸環301上進行處理。推板3〇2之下表面 、蔡G έ至少封條元件3，接近推板3〇2周圍。 接頭組300更包含接觸環3〇1，位於推板302外周 ，，且通常位於推板302下表面下方。接觸環儿1包 各複數個放射狀接觸引繞3 0 受碉5丨踝304，通常與電源供應器 陰極端呈電性接觸（圖未顯示）。 本4明另-貫施例，接頭組300可與待錢基板未製造 又面呈電ϋ接觸。在此實施例中，推板3 以環狀基板支撐組件取代（圖未顯示），㈣接独之 15 1275667 較低部分。基板支獲組件’通常附於促動㈣5上，通常 包含複數個放射狀接觸引線，位於基板支撐組件下 表面，即基板支撐組件的表面遠離接頭組3〇〇之該 表面。5亥基板支撐組件下表面可包含複數個真空通 道，形成於下表面之中央或内部區域。在此範例 中，該複數個真空通道可真空吸附一基板至該基板 支撐組件之下表面。基板真空吸附至該基板支撐組 件下表面之過程會產生放射狀接觸引線以電力固 定於該基板背面。供應至基板背面之電源會經由一 導電層與基板製得表面相連接，該導電層係沿著斜 邊沉積至基板背面。 在刼作過程中，本發明之傾斜ECP電鍍槽可使 基板浸入電化學電鍍液中，而維持基板表面與電鍍 槽中所含電解液表面成固定角度。此外，本發明Ecp 電鍍槽可在基板浸入與電鍍操作中，使基板表面與 陽極上表面維持平行。維持這些基板表面與電解液 及陽極上表面之相對位相，可使浸入過程不產生氣 泡’並減少由傳統樞軸進入/浸入電化學電鑛系 統’無法在浸入過程中維持基板表面與陽極表面維 持平行所產生的電鍍均勻度問題。 電化學電艘金屬至基板上之方法起始於定位 該待鍍基板於本發明之Ecp電鍍槽中。該定位方法 通常包括將基板定位於一機械手臂上（圖未顯示）， 並將待艘基板置放於陰極接觸環3〇1下表面。接觸 環3 0 1包含一漸細較低部分，如圖3所示，在替換過 16 1275667 程中可使基板109位於環狀接觸環3〇ι之中心位 =此外，接觸環3G1之較低部分，通常為水平， 弓=數:Λ此，伸的電性接觸引線304。該接觸 通吊為核狀圖樣，位於接觸環3〇1下表面， 且因此當欲電鍍基板置於接觸環3〇ι 304會接觸基板製得表面之外緣部分。然而Hi ”接觸引線3〇4上時，通常不會有足：二 向下力罝維持接觸引線3〇4與基板製得表面之間足 夠的電性接觸，以進行電化學電鍍。因此，一旦美 板定位於接觸環301，推板3〇2會被促動器3〇5降一低土 ^入處理位置。冑推板302降低進入處理位置的過 耘包括將基板未製造之一側與接觸環1接觸，且 機械式偏向於基板製得表面靠著接觸環3〇ι與接觸 引線304之一側。此機械式偏向過程包括擴大位於 推板30 1下表面之葉片組，擴大葉片通常以推出或， 驅動基板靠著接觸環3〇1的接觸引線3〇〇此外，該 基板機械偏向於接觸環3〇1與引線3〇4之過程亦包 括固定位於推板302下表面之一或多種封條303於 基板未製造之背面。一旦基板偏向於接觸引線 3〇4’以及封條3〇3固定於基板背面，將基板浸入電 解t内所§之電解液之步驟便開始。該浸入步驟通 苇包含將基板浸入含有電解液之内槽1〇4，同時施 加電偏壓於基板上。所施加之偏壓通常會在浸入過 程中產生基板上最低量之電鍍，使得任何由於基板 上種子層暴露於酸性電解液中所產生的蝕刻效應 17 1275667 可被預防，因為這些效應造成種子層的不連續已知 會造成電鍍均勾度之問題。因此，—旦可提供偏壓 至基板上之電源啟動，促動器3〇5便可被啟動以使 推板302與接觸環組301淹沒或浸入内槽 電解液中。 該浸入過程通常包含將接觸環3〇1與推板组 3〇2向下延伸遠離接頭組3〇〇，使接觸環'3〇ι與推板 302不但可定位基板，而且可浸入電解液中。此外， =接觸環3(H與推板組3()2不但可於延伸與浸入過 耘中，而且可在後續電鍍過程中旋轉。由於電鍍槽 與接頭組3〇〇傾斜的結果，該位於接觸環川丨上 之f板會漸漸浸入電解液中，自接頭組3〇〇沿著接 觸％縱軸延伸’介於基板表面與内槽_中所含電 解液表面之間的角度係維持一定。如此，在浸入過 :中可能會在基板表面附近產生之氣泡或空氣便. 二由基板相對於電解液表面之浸入角度漸漸地，恆 疋地向上移動，離開基板表面附近。 外由於陽極211亦具—傾斜角度，對應於接頭組 〇與容器1〇2之傾斜角’在浸入過程中，該陽極211上表 面會與基板表面維持平行’後續電鍍過程亦同。在已浸 :板”陽極上表面之間的平行位向，與傳統柩轴型浸 ，錢槽相k ’可大幅增進電鍍均勾度之特性，因為傳 去品軸i /s:人電錢槽之陽極在浸人過程中，並不會與基 j維持平行或特定角度。此平行位向十分重要，因為目 基板上的電鑛特性直接與陽極至待鍵表自之距離 18 1275667 成正比。因此’在浸入與電锻過程中維持電鍍表面與陽 極之平行已知可改善電化學電鍍過程中之均勻度。 雖然本發明說明已大致描述接頭組3〇〇與電解液容 器102皆傾斜或對應於相同角度，本發明範例_接頭組 300與電解液谷器1 〇2仍可傾斜於不同或相同角度。例如 通過接頭組300中央部份，自接近推板3〇2較低處向上至 接頭組300的垂直軸，即通過接頭組3〇〇中央的軸，自較 低處接近推板302向上經過接頭組3〇〇的本體中央處，可 傾斜自實際垂直方向，即一通常與水平面垂直之垂直軸 (如基板109)，其角度約介於約3。至35。之間，以垂直軸為 準。更特別的，該傾斜角介於約5。至3〇。之間，介於約5。 至20。之間，或介於約5。至15。之間。此外，如上所述，該 電解液容器102之傾斜角介於約3。至35。之間，其中該電解 液容器之傾斜角通常對應於與水平面之傾斜角、，此時電 解液容器102之-側略高。例如，該電解液容器⑽之傾 斜角可自實質上為平面之陽極211上表面量至基板之 水平表面。該電解液容器1〇2之傾斜角範圍與接頭組3〇〇 相同。 上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明 所主張之權利範圍自應以中請專利範圍所述為準，而非 僅限於上述實施例。 五、圖示簡要說明 圖1為本發明電解槽之部分透視圖。 圖2為本發明電解液槽之橫截面圖。 19 1275667 圖3為接頭組與與電鍍過程中製得之基板表面之電性接 觸情形。 六、圖示代號 101接頭組 102電鍍槽 103基板支撐組 104内溶液槽 105外槽 106排出口 107對稱軸 108垂直軸 109基板 206共同上端點 207槽 208擴散板 209第二開放體積 210薄膜 211陽極組 212第二液體出口 213排出口 214電解液入口 300接頭組 301接觸環 302推板 1275667 303 封條元件 304接觸引線 305促動器

Claims (1)

12756¾ P2120118號，95年7月修正頁 拾、申請專利範圍

1. 一種電化學電鍍金屬層於一基板上之裝 置，包含： 一含有電鍍液之電鍍槽，該電鍍槽具一陽極， 該陽極具一與水平面傾斜一角度之上表面；以及 一接頭組，接近該電鍍槽，用以支撐一在電鍍 槽中沈浸和處理時傾斜該角度之基板，其中該接頭 組於沈浸時支撐該基板實質上平行該陽極時，用來 調整該基板相對於該陽極上表面之位置。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該 電鍍槽與該接頭組皆以一傾斜角傾斜，該傾斜角介 於3 °至3 5 °之間。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該 傾斜角介於5°至30°之間。 4.如申請專利範圍第2項所述之裝置，其中該 傾斜角介於15°至30°之間。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該 接頭組係用以將該基板以一固定沉浸角度浸入含 有電鍍液之電鍍槽中。 6.如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該 電鍍槽包含： 一内槽，用以維持電鍍溶液之體積； 一外槽，環繞於該内槽周圍，該外槽係用以接 收由該内槽溢出之電鍍液； 一擴散板，位於該内槽； 22 1275667 一陽極組，位於該擴散板下方， 其中a内槽、外槽、擴散板與陽極組係與水平 面成一傾斜角度。 7.如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該 接頭組包含： 一位於一促動器上之推板；以及 一位於一促動器上之陰極接觸環， 其中該推板與該陰極接觸環共享一共同軸 心，與垂直方向成一傾斜角。 8· —種電化學電鍍裝置，包含： 一含有電鍍液之電鍍槽，該電鍍槽包含： 至少一流體槽； 擴政板，位於該至少^一流體槽之較低處； 以及 一陽極，位於該擴散板之下方，該陽極與該 擴散板互相平行，且與水平面成一傾斜角度；以及 一接頭組，接近於電鍍槽，該接頭組包含： 一基座元件； 一促動器，位於該基座元件之末端；以及 一基板支撐組，與該促動器呈機械連動，該 基板支撐組係用以支撐與沈浸該至少一流體槽中 之基板，以於與擴散板平行方向上進行處理。 9 ·如申請專利範圍第8項所述之電化學電鍍裝 置’其中該電鍍槽之對稱軸係與水平面成一傾斜 角，約為3。至3 5。。 23 1275667 一陽極組，位於兮姓t 1〜邊擴散板下方， 其中該内槽、外；I» i μ 卜槽、擴散板與陽極組係與水平 面成一傾斜角度。 7_如申請專利範圍第i項所述之 接頭組包含： 《 i 〒違 一位於一促動器上之推板；以及 一位於一促動器上之陰極接觸環， 其中該推板與該陰極接觸環共享一共同軸 心，與垂直方向成一傾斜角。 8· —種電化學電鍍裝置，包含： 一含有電鍍液之電鍍槽，該電鍍槽包含： 至少一流體槽； 一擴散板，位於該至少一流體槽之較低處； 以及 陽極，位於该擴散板之下方，該陽極與該 擴散板互相平行，且與水平面成一傾斜角度丨以及 一接頭組，接近於電鍍槽，該接頭組包含·· 一基座元件； 一促動器，位於該基座元件之末端；以及 一基板支撐組，與該促動器呈機械連動，該 基板支撐組係用以支撐與沈浸該至少一流體槽中 之基板，以於與擴散板平行方向上進行處理。 9·如申請專利範圍第8項所述之電化學電鍍裝 置’其中該電鍍槽之對稱軸係與水平面成一傾斜 角，約為3 °至3 5。。 23 1275667 1 Ο ·如申請專利範圍第8項所述之電化學電鍍 裝置，其中該電鍍槽係與水平面成一角度約15。至 30° 〇 1 1 ·如申請專利範圍第8項所述之電化學電鍍 裝置，其中該接頭組係與水平面成一角度，該傾斜 角約3 °至3 5 °。 1 2 ·如申請專利範圍第1丨項所述之電化學電鍍 裝置，其中該接頭組係以一相對於該至少一流體槽 中所含電鍍液上表面之固定沉浸角浸入。 1 3 ·如申請專利範圍第9項所述之電化學電鍍 裝置，其中該基板支撐組包含： 一接觸環，與電源供應器之陰極端電性接觸， 該接觸環係用以支撐該基板，並與該基板以及電鍍 過程中所製造之基板表面成電性接觸； 一推板’以使該基板與該接觸環偏向，進行電 鍍操作；以及 一促動器，與該接觸環以及該推板成機械連 動，該促動器用以縱線與旋轉傳動該接觸環與該推 板0 1 4 ·如申請專利範圍第8項所述之電化學電鍍 裝置’其中該基板支撐組係包含一^具下基板支撐表 面之圓盤狀基板支撐元件，該下基板支撐表面包含 至少一真空通道形成於其上，以及複數個電性接觸 引線，呈放射狀地位於該下表面周圍。 24 1275667 1 5 · —種沉浸一基板於一電鍍液中之方法，包 含： 固定一基板於一基板支撐組上，該基板支撐組 係用支撐該基板於一與水平呈一角度之平面上；以 及 延伸實質上平行於一陽極之該基板支撐組於 一含有電鍍液之電鍍槽中，以沉浸該基板製得之表 面，該電鍍槽之配置使陽極呈一角度。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之方法，更包 含在基板支樓組縱向延伸時，維持該製得之基板表 面實質上平行於該陽極。 1 7 ·如申清專利範圍第1 5項所述之方法’其中 該傾斜角約為5。至3 5。。 1 8 ·如申請專利範圍第丨5項所述之方法，其中 該基板支撐組延伸至電鍵液中之少驟更包含將該 基板以一相對於該電鑛液上表面之固定沉浸角度 浸入0 25