TWI275438B - Ultrasonic head - Google Patents

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TWI275438B
TWI275438B TW094105383A TW94105383A TWI275438B TW I275438 B TWI275438 B TW I275438B TW 094105383 A TW094105383 A TW 094105383A TW 94105383 A TW94105383 A TW 94105383A TW I275438 B TWI275438 B TW I275438B
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TW
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resonant unit
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conductive elastomer
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TW094105383A
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TW200616745A (en
Inventor
Yukio Ozaki
Toshinori Kasuga
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

1275438 九、發明說明: 【發明所屬之技彳衧領域】 發明領域 本發明係有關可利用超音波振動來將第一與第二標的 5 物接合之超音波接合機中的超音波頭。 L mT 發明背景 目月il,一種可施加超音波振動於一LSI晶片而將其固接 於一基板的超音波接合機已被使用。在該超音波接合機 10中,設在該LSI晶片底面上的凸體與設在該基板頂面上的接 塾會被形成接觸,嗣一超音波頭會被用來將超音波振動施 於該LSI晶片。因此,該凸體與接墊會互相緊抵磨擦,而使 它們的接合表面固態接合。 一树月曰或類似物的下填料典型會被填設在該LSI晶片 15與基板之間的接合部份附近。當一熱固性材料被用來作為 该下填料時,該LSI晶片與基板之間的接合部份附近將會在 ‘ δ又下填料時被加熱。因此,在該加熱過程中,為了避免 該LSI晶片和基板之間由於該下填料、LSI晶片、及基板等 之熱膨脹率的差異而造成接合斷裂,故當該LSI晶片與基板 20接合時,其接合部份必須以一近似於固化該下填料的溫度 來加熱。 在此過程中,當該LSI晶片與基板接合時,被用來加熱 該接合部份的習知技術曾有一種依據專利文獻丨的技術。在 該專利文獻1的技術中,如第7圖所示,有一共振裝置4〇7具 5 1275438 有一作用平面4l〇,並會被一支架4〇8所撐持。在該支架4〇8 内部設有一加熱器416可加熱一相對板415,並利用其輻射 熱來加熱該共振裝置407的作用表面410。如此,該接合標 的,例如該LSI晶片與基板之間的接合部份即會被加熱。 5 在此技術中,該共振裝置407和作用平面410係被利用 輻射熱來加熱。故,該技術具有一優點,即該加熱器416的 安裝位置沒有限制。但是,輻射熱的熱傳導效率會較差。 相反地,在另一習知技術之例中,係有一超音波頭300 如第8(a)圖的頂視圖所示,其沿χ_χ線的截面圖即第8(b)圖 10 所示。在此習知技術中,有一主軸302會連結一超音波振動 器311來進行超音波振動,並有桿狀加熱器304插入設在凸 部303a、303b附近的孔310内,而固設於該主轴302中。 該加熱器304最初係被製成能與主軸302接觸以便傳 熱。但在該習知技術中,為了減少熱應力的產生,故該加 15 熱器304的外徑必須被製成比該孔31〇的内徑更小些。因 此,有一間隙會形成於該加熱器304與主軸302之間,故會 降低傳熱效率。 又,如上所述之被製成能與該主軸302接觸的加熱器 3〇4,只能被裝設在該超音波頭3〇〇的主軸302上形成一駐波 20 之結點的位置。此係因為該加熱器304會規制該超音波振 動。故,不僅是該等凸部303a,303b,而且其接合標的物 的接合部份亦皆不能被恆以充分的熱效率來加熱。 〔專利文獻 1〕JP 2003-282644A C發明内容3 6 1275438 發明概要 如上所述,在利用輻射熱的習知技術中,雖具有超音 波振動不會被該加熱器規制的優點,但亦有熱效率較差的 缺點,因為該輻射熱會被用來加熱該LSI晶片與基板之間的 5 接合部份。 又,將該加熱器設成會與共振器接觸的構造亦有一個 問題,即該加熱器的裝設位置僅限於對應駐波之結點的位 置,且有間隙會被形成以減少熱應力的生成,此將會導致 熱效率的減降。 10 本發明係被提供來解決該等習知的問題。因此,本發 明之一目的即在提供一種超音波接合技術來改善熱效率, 且不會規制該超音波振動。 一依據本發明的共振裝置係可使用於一能藉超音波振 動來接合一第一與第二標的物的超音波接合機中,其包 15 含:一共振單元至少會接觸該第一標的物並進行超音波振 動;一導熱彈性體設在該共振單元之一表面上;及一加熱 體係置設在該導熱彈性體之一表面上,而可產生熱並透過 該導熱彈性體和共振單元將熱傳至第一與第二標的物之間 的接合部份附近。 20 利用此構造,由於有一導熱彈性體存在於該共振單元 和加熱體之間,故該共振單元的超音波振動不會被該加熱 體所規制,而能避免熱效率被減低。 又,在本發明的共振裝置中,該導熱彈性體係被填設 於該共振單元之一預定表面上而形成一板狀體,且該加熱 1275438 體亦呈板狀而被置設在該導熱彈性體中與共振單元接觸之 一面的相反表面上。 又,在本發明的共振裝置中,該導熱彈性體係被裝填 在一設在共振單元中之孔的内圓周表面上而形成一圓筒, 5 且該加熱體係呈桿狀而被設在該導熱彈性體的圓筒内。 又,在本發明的共振裝置中,該加熱體或其内裝有該 加熱體的輻射物件會被成型來覆蓋該共振單元。 又,依本發明的共振裝置係可用於藉超音波振動來接 合一第一與弟二標的物的超音波接合機中,其包括:一共 10 振單元至少可接觸該第一標的物並振動之;及一加熱體係 與該共振單元一體成型地設在該導熱彈性體的表面上,而 能產生熱並透過該導熱彈性體和共振單元將熱傳至該第一 和第二標的物之間的接合部份附近。 於此結構中,由於該共振單元和加熱體係一體成型, 15故可防止熱效率的減降,且不會使該共振單元的超音波振 動被該加熱體所規制。 又’本發明的超音波頭具有可將該超音波振動器連結 於任何共振裝置的構造。且,本發明的超音波接合機可包 含該超音波頭及一壓著機構其能將在一相對於至少一標的 20物之平面上的凸部壓抵於該至少一待接合之標的物上,並 將該超音波振動傳至該標的物。 本發明雖亦具有該加熱體能將熱加諸於第一和第二標 的物之間的接合部份附近,但該加熱體不會規制該超音波 單兀的超音波振動,故可避免在該加熱體將熱傳導至共振 I275438 單元時減低熱效率。 圖式簡單說明 第1圖示出一超音波接合機的構造; 第2(a)圖為該超音波頭之第一結構的立體圖; 5 第2(b)圖為該超音波頭之第一結構的側視圖; 第2(c)圖為該超音波頭之第一結構的截面圖; 第3圖係示出一半導體晶粒與基板之間的接合部份; 第4(a)圖為該超音波頭之第二結構的側視圖; 第4(b)圖為該超音波頭之第二結構的截面圖; 1〇 第5(幻圖為該超音波頭之第三結構的側視圖; 第5(b)圖為該超音波頭之第三結構的截面圖; 第6(a)圖為該超音波頭之第四結構的側視圖; 第6(b)圖為該超音波頭之第四結構的截面圖; 第7圖示出一超音波頭具有一習知輻射熱式的加熱機 15構; 第8(a)圖示出一超音波頭的頂視圖,其具有一加熱機構 係藉接觸習知的加熱器來加熱; 第8(b)圖示出該具有一藉接觸習知加熱器來加熱之加 熱機構的超音波頭之截面圖。 較佳實施例之詳細說明 使用本發明實施例之超音波頭的超音波接合機將配合 σ圖式說明如卞。第1圖示出該超音波接合機的構造。 在第1圖中,該超音波接合機具有一壓著機構110,一 5對準機構120,一平台121,一照像單元移動機構130,及一 9 1275438 照像單元131。有一超音波頭1〇固設在該壓著機構11〇的末 端。該壓著機構110(相當於本發明的壓著機構)能沿垂直方 向(即Z軸方向)來升降該超音波頭10。一吸持機構(未示出)
會設在該超音波頭10内,而可吸附一作為第一標的物的LSI 5晶片。該壓著機構110會將被吸附在超音波頭10上的LSI晶 片壓抵在-基板上。該基板即為第二標的物而被固持在該 平台121上。 該平台121係被固設於對準機構12〇的頂端,且該對準 機構120能在一水平面(X-Y平面)中移動該平台ΐ2ι。因此, 10該平台可被移動而不會相對於一Z軸呈任何斜傾變化。該照 像單兀131係固設於該照像單元移動機構13〇,而使該平台 121上方之一預定區域變成照像區域。該移動機構13〇會在 一水平面(χ-γ平面)中移動該照像單元131。 該超音波接合機更具有一壓著控制器21〇,一超音波振 15盪器220,一照像單元移動機構控制器240,一影像處理器 250,及一主控制器200。在該主控制器2〇〇的控制下,該超 音波振盪器220會對超音波頭1〇輸出一預定頻率的超音波 驅動信號。 一要接合一晶片的基板會被固設在該平台121上。該照 20像單兀移動機構控制器240會在超音波頭1〇與平台121分開 的狀態下,將該照像單元131移至超音波頭1〇和平台121之 間。嗣,該照像單元131會照像被吸附在超音 晶片及被固持在平台121上的基板,並輸出—對應的影像信 號。該影像處理H25〇會對來自照像單元131的影像信號進 I275438 仃一預定的影像處理,並產生一表示待接合的片與基 板之間沿z軸方向之重疊狀態的狀態信號。 一對準機構控制器230會在主控制器2〇〇的控制下,依 據該表示重疊狀態的狀態信號來進行該對準機構12〇的驅 5動控制(定位),俾使被吸附在超音波頭10上的LSI晶片與被 固定在平台121上的基板具有一預定的相對位置關係。當該 定位程序完成後,該照像單元移動機構控制器24〇會將該照 像單元131由超音波頭10與平台121之間退回至一預定的等 待位置。在定位完成後,該壓著控制器210會在主控制器2〇〇 10的控制下進行該壓著機構110的驅動控制,而使被吸附在超 曰波頭10上的LSI晶片與待接合的基板接觸,且該lsi晶片 會以一預定壓力壓抵於該基板上。 該超音波頭10的詳細構造將說明如下。首先,該超音 波頭10的第一結構會被說明。第2(a)〜2(c)圖示出該超音波 15頭10的第一結構。第2〇)圖為一立體圖,第2(b)圖為一側視 圖,而第2(c)圖為沿第2(b)圖之X-X線的截面圖。 在第2(a)〜2(c)圖所示的超音波頭l〇a,有一超音波振 動益11能產生超音波振動。又,一主轴12及凸部13a、13b 等會構成該超音波振動的共振裝置15(相當於本發明的共 20 振單元)。該主軸12係連結於超音波振動器11,並會沿該超 音波振動器11所產生之超音波振動的前進方向延伸。該等 凸部13a、13b係由該主轴12的縱向中心朝一垂直於該主軸 12之縱向的方向突出。其中,該凸部13a會包含一吸持機構 可吸附並固持該LSI晶片(例如設有一開孔可抽吸空氣而產 11 1275438 生一負壓)。該超音波頭l〇a會在該LSI晶片被吸持在凸部13a 的狀態下來壓抵於一基板上。嗣,由該超音波振動器^所 產生的超音波振動(縱向波)會在該共振裝置15内共振,而在 共振狀態下之主軸12的超音波振動將會由該凸部13a傳至 5 待接合的LSI晶片。 第3圖係示出該LSI晶片與基板之間的接合部份。在第3 圖中,有許多電極端子21被設在一LSI晶片20的底面上。 且,各電極端子21上皆設有一凸體22。另一方面,有多數 的接墊31設在一基板30的頂面上,並相對於各凸體22。在 1〇該超音波接合機中,其定位係藉影像處理器250和對準機構 控制器230驅使超音波頭l〇a壓抵於該LSI晶片20之設有電 極端子21的相反表面上而來完成。於此狀態下,當該超音 波頭10a沿一平行於LSI晶片20之接合部份的方向(如第3圖 的箭號所示)以一超音波頻率(例如40KHz)來振動時,該超 15 音波振動會使各凸體22和接墊31互相觸抵磨擦,而令它們 的接觸表面變成光滑並接合在一起(固相連結)。因此,該 LSI晶片20之各凸體22會接合於基板30的接塾31上,且可確 保該LSI晶片20與基板30之間的電連接。嗣,在該等凸體22 與接墊31連結之後,一下填料35會被充填於該LSI晶片20與 20 基板30之間。 再清蒼閱弟2(a)〜2(c)圖’其說明如下。呈板片狀的導 熱彈性體17a會被設在該主軸12兩側而位於該等凸部i3a、 13b附近。該等導熱彈性體17a係由具有高導熱性之片狀、 膏狀的石夕凝膠,或呈片狀、膏狀、黏劑、塑形劑、密封劑 12 1275438 或類似物的^夕嗣橡膠等所構成。 有二加熱器16a係呈板片狀。當該下填料35被加熱來固 化時,為避免該LSI晶片20和基板30之間由於下填料35、LSI 晶片20和基板30之各熱膨脹率不同而造成接合斷裂,故該 5 加熱器16a會在接合該LSI晶片20與基板30之前先以一近似 於可固化該下填料35的溫度來加熱該接合部份。該二加熱 器16a係被設在導熱彈性體17a與主軸12接觸之一面的相反 面上。 即,該導熱彈性體17a係被夾設在主軸12與加熱器16a 10 之間。故,縱然該加熱器16a被一不同物件固定而不能移 動。但該主軸12和凸部13a的超音波振動亦會由於該導熱彈 性體17a的彈力而不會被規制。且,該彈性體17a的導熱性 能使熱從加熱器16a經由該彈性體17a。主軸12和凸部13a來 有效率地傳至該LSI晶片20與基板30之間的接合部份。 15 該超音波頭10之一第二結構將說明如下。第4(a)〜4(b) 圖係示出該超音波頭10的第二結構。第4(a)圖為一側視圖, 而第4(b)圖為沿第4(a)圖之χ-χ線的截面圖。 在第4(a)〜4(b)圖所示的超音波頭l〇b中,該超音波振 動器11、主軸12、及凸部i3a、13b等係類似於第2圖中之超 20音波頭10a所示者。故其說明不再冗述。 有二孔14會被設在該主軸12中。呈圓筒狀的導熱彈性 體17b會被填入於各孔14的内圓周表面上而呈圓筒狀地佈 設(相當於本發明的圓筒體)。該圓筒狀的導熱彈性體nb係 例如由矽凝膠或矽酮橡膠所製成。類似於第2圖之超音波頭 13 1275438 l〇a中的加熱器16a,在接合該LSI晶片20與基板30之前,該 等加熱器16b會先以一近似於固化下填料35的溫度來加熱 該接合部份,該等加熱器16b係呈圓筒狀,而被裝設在各導 熱彈性體17b的圓筒内部。 5 即是’該等導熱彈性體17b會被夾設於主轴12和加熱器 16b之間。故,雖然該加熱器16b係被固定。但該主軸12和 凸部13a的超音波振動並不會被規制,且該加熱器16b的熱 能經由該彈性體17b。主軸12和凸部13a來有效率地傳至該 LSI晶片20與基板30之間的接合部份。 10 該超音波頭10之一第三結構將說明如下。第5(a)〜5(b) 圖係不出邊超音波頭10的第三結構。弟5(a)圖為^一側視圖, 而第5(b)圖為沿第5(a)圖之X-X線的截面圖。 在第5圖所示的超音波頭l〇c中,其超音波振動器η、 主軸12、及凸部13a、13b等皆類似於第2圖中之超音波頭1〇a 15 所示者。故,它們的說明不再冗述。 導熱彈性體17c會被填設在該主軸12的兩側。該彈性體 17c係由矽凝膠或矽酮橡膠所製成。一輻射物件18係呈u 形,並有一加熱器(未示出)附設於其中。該輻射物件18係被 設成能覆蓋主軸12,且其内壁表面會接觸該導熱彈性體17c 20 與主轴12之接觸面的相反表面。 即是’該導熱彈性體17c係被設在該主軸12與輕射物件 18之間,而該輻射物件内設有加熱器。故,雖然該輻射物 件18係被固定,但該主轴12和凸部13a的超音波振動並不會 被規制;且由該輻射物件18内部的加熱器所發出的熱將能 14 1275438 透過該彈性體17C、主軸12、及凸部i3a而有效率地傳至該 LSI晶片20和基板30之間的接合部份。請注意一形狀類似該 輻射物件18且被同樣地置設之加熱器亦可用來取代該輻射 物件18。 5 該超音波頭之一第四結構KM將說明如下。第6(a)〜6(b) 圖係示出該第四結構的超音波頭10d。第6(a)圖為一側視 圖’而第6(b)圖為沿第6(a)圖之Χ-χ線的截面圖。 在第6(a)〜6(b)圖所示的超音波頭i〇d中,其超音波振 動器11、主軸12、及凸部13a、13b等皆類似於第2圖中之超 10 音波頭l〇a所示者。故,其說明不再冗述。 一加熱器19中設有加熱紋路I6d而被置設在該主軸12 的兩側面上。該加熱器19係與主軸12 —體成型,並與主軸 12共同構成可進行超音波振動的共振裝置。 故,在該主軸12與凸部13a中的超音波振動不會被該加 15熱為19所規制,且由該加熱器19内之加熱紋路所發出的 熱將此透過该主轴12和凸部13a而有效率地傳至該LSI晶片 2〇與基板30之間的接合部份。 在上述各實施例中,該超音波接合機接合該半導體晶 片和基板的狀況已被說明。但本發明亦可應用於接合二其 20 它標的物的情況。 (產業上之可利用性) 如上所述,依據本發明的超音波頭乃具有能改善熱效 應且不會規制超音波振動的功效,故可用來作為超音波頭。 Γ圖式簡單說明3 15 1275438 第1圖示出一超音波接合機的構造; 第2(a)圖為該超音波頭之第一結構的立體圖; 第2(b)圖為該超音波頭之第一結構的側視圖; 第2(c)圖為該超音波頭之第一結構的截面圖; 5 第3圖係示出一半導體晶粒與基板之間的接合部份; 第4(a)圖為該超音波頭之第二結構的側視圖; 第4(b)圖為該超音波頭之第二結構的截面圖; 第5(a)圖為該超音波頭之第三結構的側視圖; 第5(b)圖為該超音波頭之第三結構的截面圖; 1〇 第6(a)圖為該超音波頭之第四結構的側視圖; 第6(b)圖為該超音波頭之第四結構的截面圖; 第7圖示出一超音波頭具有一習知轄射熱式的加熱機 構; 第8(a)圖示出一超音波頭的頂視圖,其具有一加熱機構 15 係藉接觸習知的加熱器來加熱; 第8(b)圖示出該具有一藉接觸習知加熱器來加熱之加 熱機構的超音波頭之截面圖。 【主要元件符號說明】 10,10a,lCb,l(fc,l〇d,300· ·超音波頭 11,220,311…超音波振動器 12,302···主軸 13a、b,303a、b···凸部 14···孔 15,407…共振裝置 16a ’ 16b,19,304,416…加熱器 16d···加熱紋路 17a,17b,17c…導熱彈性體 18…輕射物件 20."LSI 晶片 21…電極端子 16 1275438
22…凸體 30…基板 31…接墊 35…下填料 110···壓著機構 120···對準機構 121…平台 130···照像單元移動機構 131···照像單元 200···主控器 210···壓著控制器 230…對準機構控制器 240…照像單元件移動麵空制器 250…影像處理器 408···支架 410…作用平面 415…相對板
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Claims (1)

1275438 第94105383號專利申請案申請專利範圍修正本9t:ll.& 9 一·^w:1|||1| 丨^:·....此灿镰 十、申請專利範圍: 1. 一種可利用超音波振動來接合一第一與一第二標的物 之超音波接合機中的共振裝置,包含: 5 —共振單元會至少接觸該第一標的物並進行超音 波振動; 一導熱彈性體設在該共振單元之一表面上;及 一加熱體設在該導熱彈性體之一表面上,而能產生 熱並使該熱經由導熱彈性體和共振單元傳到該第一與 10 第二標的物之間的接合部份附近。 2. 如申請專利範圍第1項之共振裝置,其中該導熱彈性體 係被填設在該共振單元之一預定表面上,並形成一板片 狀體;且 該加熱體亦呈板片狀而被設在該導熱彈性體中與 15 共振單元接觸之一面的相反面上。 3. 如申請專利範圍第1項之共振裝置,其中該導熱彈性體 係被充填在一設於該共振單元中之一孔的内圓周表面 上並形成一圓筒;且 該加熱體係呈桿狀而被置設在該導熱彈性體的圓 20 筒内。 4. 如申請專利範圍第1項之共振裝置,其中該加熱體或一 内部設有該加熱體的輻射物件會被成型為可覆蓋該共 振單元。 一種可利用超音波振動來接合一第一與一第二標的物 1 5. 1275438 之超音波接合機中的共振裝置,包含: 一共振單元會至少接觸該第一標的物並振動;及 一加熱體係與該共振單元一體成型地製設在該共 振單元表面上,並會產生熱而透過該導熱彈性體和共振 5 單元將該熱傳至第一與第二標的物之間的接合部份附 近。 6. 如申請專利範圍第1項之共振裝置,其中該導熱彈性體 係為秒凝膠或秒目同橡膠。 7. —種可利用超音波振動來接合一第一與一第二標的物 10 之超音波接合機中的超音波頭,包含: 一超音波振動器; 一共振單元會接觸該第一標的物並進行超音波振 動,而連結於該超音波振動器; 一導熱彈性體設在該共振單元之一表面上;及 15 一加熱體被設在該導熱彈性體之一表面上,而能產 生熱並使該熱經由該導熱彈性體和共振單元傳至第一 與第二標的物之間的接合部份附近。 8. 如申請專利範圍第7項之超音波頭,其中該導熱彈性體 係呈板片狀而被設在該共振單元之一預定表面上;且 20 該加熱體亦呈板片狀而被設在該導熱彈性體中與 共振單元接觸之一面的相反面上。 9. 如申請專利範圍第7項之超音波頭,其中該導熱彈性體 係被置設在一設於該共振單元中之一孔的内圓周表面 上並呈圓筒狀;且 2 1275438 該加熱體係呈桿狀而被置設在該導熱彈性體的圓 筒内。 10. 如申請專利範圍第7項之超音波頭,其中該加熱體或一 内部設有該加熱體的輻射物件會被成型為可覆蓋該共 5 振單元。 11. 一種可利用超音波振動來接合一第一與一第二標的物 之超音波接合機中的超音波頭,包含: 一超音波振動器; 一共振單元會接觸該第一標的物並振動,且連接於 10 該超音波振動器;及 一加熱體係與該共振單元一體成型地製設在該共 振單元表面上,並會產生熱而透過該導熱彈性體和共振 單元將該熱傳至第一與第二標的物之間的接合部份附 近。 15 12.如申請專利範圍第7項之超音波頭,其中該導熱彈性體 係為矽凝膠或矽酮橡膠。 13. —種可利用超音波振動來接合一第一與一第二標的物 的超音波接合機,包含: 一超音波振動裔, 20 一共振單元會與該第一及第二標的物之一者接觸 並進行超音波振動,且連結於該超音波振動器; 一導熱彈性體設在該共振單元之一表面上; 一加熱體設在該導熱彈性體之一表面上,而能產生 熱並使該熱經由導熱彈性體和共振單元傳到該第一與 1275438 第二標的物之間的接合部份附近;及 一壓著機構能使該共振單元將相對於該第一與第 二標的物的至少一者之一表面上的凸部壓著於該第一 與第二標的物之至少一者上。 5 14.如申請專利範圍第13項之超音波接合機,其中該導熱彈 性體係呈板片狀而被置設在該共振單元之一預定表面 上;且 該加熱體亦呈板片狀而被設在該導熱彈性體中與 共振單元接觸之一面的相反面上。 10 15.如申請專利範圍第13項之超音波接合機,其中該導熱彈 性體係被置設在一設於該共振單元中之一孔的内圓周 表面上並呈圓筒狀;且 該加熱體係呈桿狀而被置設在該導熱彈性體的圓 筒内。 15 16.如申請專利範圍第13項之超音波接合機,其中該加熱體 或一内部設有該加熱體的輻射物件會被成型為可覆蓋 該共振單元。 17. —種可利用超音波振動來接合一第一與一第二標的物 的超音波接合機,包含: 20 一超音波振動裔, 一共振單元會至少接觸該第一標的物並振動,而連 接於该超音波振動恭, 一加熱體係與該共振單元一體成型地製設在該導 熱彈性體之一表面上,並會產生熱而透過該導熱彈性體 4 1275438 和共振單元將熱傳至第一與第二標的物之間的接合部 份附近,及 一壓著機構能使該共振單元將相對於該第一與第 二標的物的至少一者之一表面上的凸部壓著於該第一 5 與第二標的物之至少一者上。 18.如申請專利範圍第13項之超音波接合機,其中該導熱彈性 體係為矽凝膠或矽酮橡膠。
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