TWI268041B - Input stage circuit of a three-level DC/DC converter - Google Patents

Input stage circuit of a three-level DC/DC converter Download PDF

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Description

^twf.doc/006 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種直流轉換器’且特別是關於一種 三電位直流轉換器之輸入端電路。 【先前技術】 具備零電壓切換（zer0 voltage switching，簡稱為 ZVS)的三電位直流轉換器（three-level DC/DC converter) 在高電壓和高功率的領域有很多應用，例如電訊系統 (telecommunication)、電池充電器（battery charger)、以及 不斷電系統(uninterruptible power supply)等等。其優點為 低損耗與高效率。 圖1繪示典型的三電位直流轉換器，可分為輸入端 (input stage)電路 101、變塵器 T、與輸出端(output stage) 電路102三部分。.其中輸入端電路101連接於變壓器T 的一次侧(primary side)，包括輸入電壓Vin、分壓電容器 C1與C2、續流二極體D1與D2、中間電容器C3、做為 開關裝置使用的四個金氧半場效電晶體（metal oxide semiconductor field effect transistor，簡稱為 MOSFET)Qa、
Qb、Qc、Qd、以及諧振電感器Lg。而輸出端電路102則 連接於變壓器T的二次側(secondary side)，包括整流二極 體D3與D4組成的輸出整流電路，以及濾波電容器c〇 與濾波電感器Lo組成的輸出濾波電路。 簡單的說，三電位直流轉換器的原理，主要是利用 Qa至Qd這四個開關裝置，來回切換通過變壓器τ的一 I268Q44Lf._6 次侧的電流方向，讓一次侧的直流電成為交流電，然後透 過輸出整流電路，讓二次側輸出的交流電恢復為直流電， 藉以轉換直流電壓。而Qa至Qd這四個金氧半場效電晶 體的開關時機，可用UCC3875或UCC3895之類的移相 全橋(full bridge)控制晶片（未繪示於圖中）所輸出的驅動 訊號來控制。 正常工作狀態下，中間電容器C3的電壓應該維持在 輸入電壓Vin的1/2。然而在開迴路控制（〇pen 1〇〇p control) ’或者閉迴路控制(cl〇sed i〇〇p c〇ntr〇1)加上輕負載 或空負載的情況下，中間電容器C3的電壓往往大於U2 Vin。例如輸入電壓vin為4〇〇伏特時，中間電容器C3 的電壓可能高達250伏特。 在開迴路控制下，造成中間電容器C3電壓偏高的原 因是控制晶片的驅動訊號出現移相超過1〇〇0/〇的狀況， 如圖2所示。其中Vgs為金氧半場效電晶體的閘源極電壓 (gate-t〇-source voltage) , Vab 為圖 i 當中 a、b 兩點之間的 電壓，ip為圖1當中通過譜振電感器Lg的電流，vds為金 氧半场效電晶體的汲源極電壓（(jrain_t〇_s〇urce voltage) 〇 從圖2可看出，超前臂Qd和QC的驅動訊號已經落後於 冰後臂Qa和Qb的驅動訊號，在這種情況下，其實相當 於Qa和Qb變成超前臂了。為進一步說明，下面是幾個 重要時間點發生的事件。 在t0至tl的時段’ Qa和Qd導通，a、b之間承受正 向電壓。 I268Q4Lf.d〇c/〇〇6 在tl至t2的時段，Qa先於Qd關斷，變壓器T的原 邊電流通過中間電容器C3進行換流，中間電容器C3充 電。 在t2至t3的時段，Qd關斷後，Qd和Qa的寄生電 容充電’ Qc的寄生電容放電，中間電容器C3還是充電。 在t4至t5的時段，Qd和Qa承受的電壓總和上升至 等於輸入電壓Vin，Qc和Qb的電壓為零，中間電容器C3 充電。 在t5至t6的時段，Qb開始導通，變壓器T的電流 向電源釋放能量。 在t6之後，Qc開始導通，變壓器τ承受反向電壓。 由以上說明可以看出，在整個電流切換的過程中， 中間電容器C3總是處於充電狀態，因此造成其電壓偏高， 而且無法通過續流二極體D1向電源釋放。 在輕負载和空負載的情況下，中間電容器C3的電壓 偏局疋因為充電和放電不平衡所造成。圖3A綠示中間電 谷恭C3的充電等效電路，而圖3B纟會示中間電容器C3的 放電等效電路。從圖3A與3B可看出兩個等效電路的參 數並不一致，往往是滯後臂的寄生電容小於超前臂，這樣 會造成充電電荷大於放電電荷，使中間電容器C3 偏高。 因為中間電容器C3的電壓偏高，從而使金氧半場效 電晶體承受的電壓失衡，嚴重時會導致電晶體崩潰，使電 路損壞無法I作。有-種解決方法是用電阻或突波抑制器 1268(?獻_〇6 (transient voltage suppressor，簡稱為 TVS)並聯於中間 電容器C3上，如此C3的電壓就可維持在1/2 Vin。然而 電阻會消耗能量，而且電阻大小不容易決定，如果太小或 太大，會影響電路正常工作，甚至使其無法工作。如果使 用突波抑制器，缺點是當中間電容器C3的電壓高於突波 抑制器的穩壓值時，突波抑制器會瞬間崩潰產生大電流， 景>響電路正常工作，而且放電的能量也會完全消耗在突波 抑制器。 因此，我們需要更好的方法，以解決中間電容器C3 的電壓偏高的問題，同時避免先前技術的缺點。 【發明内容】 本發明的目的是在提供一種三電位直流轉換器之輸 入端電路，以解決中間電容器電壓偏高的問題，同時具有 不影響電路正常工作與放電時不損耗能量的優點。 、☆為達成上述及其他目的，本發明提出一種三電位直 ^轉換器之輸人端電路，_於-變壓ϋ之-次側，包括： 正輸入鳊與一負輸入端，以連接一輸入電壓；—一 耦接於正輪入端與-次侧之第-末端之間，控： ^接於ίί變壓11之間之導通與—第：開關模組， 與變壓端Ϊ—次側之第一末端之間，控制輪入電壓 二末端之間;一第二分壓電= 。口 、、輸入端與一次側之第二末端之間；—中間 °。輕接於第一開關模組與第二開關模組之間；一對續$ I268Q44L f.doc/006 二極體，分別耦接於中間電容器之兩端 端之間’其中上述之—次側之第 二末 容器與第二分覆電容哭 接於第—分麼電 電。 末&之間’使中間電容器放 依照本發明的較佳實施例所述，上 =:=:r金氧半場效電晶‘^ 电褀、.且使中間放電，不但使中 維持在正常值’而且不損耗能量，也不影響電路 因此足以解決先讀術的中間電容器電壓偏高問題， 避免先前解決方案的諸多缺點。 ’ 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明 顯易懂’下文特舉-較佳實施例’並配合所附圖式 細說明如下。 【實施方式】 下面以一實施例，說明本發明提出的三電 換器(three-level DC/DC⑽则的之輸人端(inpm 電 路。 圖4為包含本實施例的三電位直流轉換器的主要架 構圖，其中變壓器T的左邊為一次側(primary side)，連接 本實施例的輸入端電路401，變壓器τ的右邊為二次侧 (secondary side)，連接與圖i相同的輸出端(〇mput s 電路102。 輸入端電路401包含許多元件，首先有正輸入端n 12680^^ f.doc/006 與負輸入端12，用來連接輸入電壓Vin。開關模組4〇2輕 接於正輸入端II與一次側之第一末端E1之間，開關模組 4〇3則耦接於負輸入端12與一次側之第一末端E1之間， 兩個開關模組都是控制輸入電壓Vin與變壓器τ之間的 導通與關斷。然後，分壓電容器C1耦接於正輸入端n與 一次側之第二末端E2之間，分壓電容器C2則輕接於負' 輸入端12與一次側之第二末端E2之間，它們的作用是均 分輸入電壓Vin。中間電容器C3耦接於開關模組4〇2與 開關模組403之間。續流二極體D1與D2分別輕接於/中 間電容器C3的兩端與一次側之第二末端E2之間。最後， 放電模組404耦接於中間電容器C3與一次側之第二末端 E2之間，使中間電容器C3放電。 本實施例較為詳細的電路圖請參照圖5，其中開關模 組402包含兩個串聯的開關裝置，也就是金氧半場效電晶 體（metal oxide semiconductor field effect transistor，簡稱 為MOSFET) Qa與Qd;開關模組403也同樣包含兩個串 聯的開關裝置，也就是金氧半場效電晶體Qb與qc。至 於放電模組404則包含金氧半場效電晶體Qaux。其餘元 件的連接關係皆與圖4相同。 本實施例就是利用小功率的金氧半場效電晶體 Qaux，使中間電容器C3放電，其驅動訊號大致與金氧半 %效電晶體Qc同步。只是Qaux的導通比Qe稍慢，以達 成零電壓切換（zero voltage switching，簡稱為ZVS)， 至於關斷則比Qc稍微提前，以達成零電流切換（zer〇 c/006 I268Q44JLd〇 current switching，簡稱為 ZCS)。Qaux 與 Qc 的驅動气 號比較請參照圖6，其中VgsQaux為Qaux的閘源極電墨 (gate_to_source voltage)，VgsQc 為 Qc 的閘源極電壓。如此 中間電容器C3的能量會通過Qaux無損失的釋放到分髮 電容器C2，而且控制方法簡單，性能可靠，不會影響電 路中其他部分的正常工作。 本實施例的工作原理說明如下。 導通時：Qc導通之後，其電壓為0伏特，而Qaux 承受的電壓為中間電容器C3的電壓減去分壓電容器C2 的電壓。此時Qaux會導通，使中間電容器C3放電，將 能量釋放到電源。中間電容器C3的電壓如果及時釋放到 輸入電壓Vin的1/2，開關週期内中間電容器C3不會累 積過多電壓，所以Qaux承受的電壓基本上為〇伏特，也 就是ZVS導通。 關斷時：在QC關斷前，功率電流從砂與qc流過， QaUX無電流’此時會稍微提前關斷Qaux以達成ZCS， 而在Qaux關斷前，中間電容器C3的能量已經釋放完畢。 时圖繪示包含本發明另一個實施例的三電位直流轉 換器這個實〜例是上—個實施例的等效電路，與圖5的 差別疋=電彳歧404所包含的Qaux移到了巾間電容器C3 八餘元件的連接關係相同。Qaux的同步金氧 二改為Qd ’其餘驅動方法與上-個實施例相 404 π1 ^ 同時採用兩個金氧半場效電晶體，也就是與 I268Q4L f.doc/006
Qaux2，分別對應於圖5與圖7當中的兩個Qaux，其餘 元件的連接關係與圖5和圖7相同。 除了前三個實施例所依據的輸入端電路之外，也可 以用原邊鉗位加以變化。以原邊钳位變化出的三個實施例 分別緣示於圖9至圖11。如圖所示，所謂原邊钳位，是 在前三個實施例的輸入端電路，加上鉗位電容器C4以及 钳位二極體Del與Dc2。除了原邊鉗位的三個元件之外， 圖5、圖7和圖8的實施例分別與圖9、圖1〇與圖11相 同。 除了上面六個實施例以外，還可以用另一種原邊鉗 位產生更多變化。圖12至圖14繪示採用另一種原邊鉗位 的三個實施例。這一種原邊鉗位和上一種原邊鉗位的差 別，是去掉了钳位電容器C4。除了鉗位二極體Del與Dc2 之外，圖5、圖7和圖8的實施例分別與圖12、圖π與 圖14相同。 依照以上的實施例所述，本發明提出的三電位直流 轉換器之輸入端電路係採用金氧半場效電晶體所組成之放 電模組使中間電容器放電，不但使中間電容器之電壓穩定 維持在輸入電壓的1/2，而且放電時不損耗能量，也不影 響電路正常運作，因此足以解決先前技術的中間電容器電 壓偏高問題’同時避免先前解決方案的諸多缺點。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 12 I268Q4Lf.d〇c/〇〇6 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 圖1為先前技術的三電位直流轉換器電路圖。 圖2為先前技術中，金氧半場效電晶體的驅動訊號 移相超過100%時的相關訊號時序圖。 圖3A為先前技術的三電位直流轉換器當中，中間電 容器的充電等效電路圖。 圖3B為先前技術的三電位直流轉換器當中，中間電 容器的放電等效電路圖。 圖4為包含本發明的一實施例的三電位直流轉換器 主要架構圖。 圖5為包含本發明的一實施例的三電位直流轉換器 電路圖。 圖6為本發明的一實施例當中，放電模組所包含的 金氧半場效電晶體的驅動訊號圖。 圖7至圖14為包含本發明的另外八個實施例的三電 位直流轉換器電路圖。 【主要元件符號說明】 :先前技術之三電位直流轉換器之輸入端電路 102 :三電位直流轉換器之輸出端電路 401 :本發明之三電位直流轉換器之輸入端電路 402、403 ··開關模組 404 :放電模組 a、b :電位量測點 13 1268賴 twf.doc/006
Cl、C2 :分壓電容器 C3 :中間電容器 C4 :鉗位電容器
Co :濾波電容器
Dl、D2 :續流二極體 D3、D4 :整流二極體
Del、Dc2 :甜位二極體 E1 :變壓器之一次侧之第一末端 E2 :變壓器之一次侧之第二末端 11 :正輸入端 12 ·負輸入端 ip :電流訊號 Lg :諧振電感器 Lo :濾、波電感器
Qa、Qaux、Qauxl、Qaux2、Qb、Qc、Qd ··金氧半 場效電晶體 T :變壓器 t :時間轴 to、tl、t2、t3、t4、t5、t6 :時間點
Vab、Vds、VgS、VgSQaux、VgSQc :電壓訊號 Vin :輸入電壓 14

Claims (1)

  1. twf.doc/006 十、申請專利範圍： 1·一種三電位直流轉換器之輸入端電路，耦接於一變 壓器之—次側，包括： 一正輸入端與一負輸入端，以連接一輸入電壓； ^ 一第一開關模組，耦接於該正輸入端與該一次側之 第一末端之間，控制該輸入電壓與該變壓器之間之導通與 關斷； 〃 一一—第二開關模組，耦接於該負輸入端與該一次侧之 t末端之間’控制該輸人賴與該變壓ϋ之間之導通盘 關斷； 7〜 夕楚分壓電容11 ’輕接於該正輸人端與該-次側 之弟二末端之間； 之裳f—分壓電容11 ’輸於該負輸人端與該一次側 之弟二末端之間； 關模23電容器’減於該第—開關模組與該第二開 二末端ίί模ϋ ί接於該中間電容器與該一次侧之第 叫之間，使該中間電容器放電。 輸入請2範圍第1項所述之三電位直流轉換器之 干别八細冤路，其中該篦— 含串聯之多數個開關裝置τ、、、續該第二開關模組各包 3.如申請專利範圍第2項所述之三電位直流轉換器之 15 I268Q4iLf.d〇c/〇〇6 ί入端電路，其中每-該開關裝置為-金氧半場效電曰 體。 人％日日 4.如申請專利範圍第2項所述之三電位直流轉換哭之 ，端電路_，其中該第—開關模組包含兩個該些開關》 置，且该第二開關模組亦包含兩個該些開關妒置。 又 輸入===之，直流_之 次側:==晶體，接於該中間電容器與該- 幹入^1料利麵第1項所述之三電位直流轉換器之 輸入鳊電路，其中該放電模組包括： 之兩SC氧ί場效，晶體’分別耦接於該中間電容器 之兩鈿與該一次側之第二末端之間。 輸入=1請專利第1項所述之三電位直流轉換器之 輪入端電路，更包括： 料f钳位—極體，分別輕接於該中間電容器之兩端 興該-次側之第―末端之間。 ^ 輸入請專利範圍第7項所述之三電位直流轉換器之 輸入端電路，其中該放電模組包括： 次側之晶體’減於該巾間電容器與該一 輪入m:範圍第7項所述之三電位直流轉換器之 鲕電路，其中該放電模組包括： 對金氧半場效電晶體，分別輕接於該中間電容器 16 twf.doc/006 之兩端與該一次侧之第二末端之間。 1〇=中請專利範圍第7項所述之三電位直流轉換器 之輸入端電路，其巾該對钳位二極體係透過—削 耦接於該一次側之第一末端。 M 11·如申明專利範圍第項所述之三電位直流轉換器 之輸入端電路，其中該放電模組包括： 一金氧半場效電晶體，搞接於該中間電容器與該一 次側之第二末端之間。 12·如申請專利範圍第1〇項所述之三電位直流轉換器 之輸入端電路，其中該放電模組包括： 一對金氧半場效電晶體，分別耦接於該中間電容器 之兩端與該一次侧之第二末端之間。 17
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