TWI266115B - Active matrix substrate, liquid crystal display panel of transflective type, and liquid crystal display device of transflective type - Google Patents

Description

1266115 敌、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於反射透過型液晶顯示裝置之液晶面板構造 ，特別係關於可提高像素數值孔徑，實現優異之光利用效 率之明亮顯示之反射透過型液晶顯示裝置。 【先前技術】 近年來，液晶顯示裝置對文書處理器、膝上型個人電腦 、袖珍型電視機等之應用有急速之進展。在液晶顯示裝置 中’反射型液晶顯示裝置由於不使用背景光源，可利用外 光犯行顯7F，與透過型液晶顯示裝置相比，耗電力非常低 ，因此，反射型液晶顯示裝置近年來廣被利用於攜帶型遊 戲機及PDA機器等。 另外，近年來，已開發出可利用〗個液晶顯示畫面施行反 射顯示與透光顯示之反射透過型液晶顯示裝置。此種反射 透過型液晶顯示裝置在周圍明亮時，可藉使用外光之反射 *、、、員示，以低電力貫現良好之顯示。而在周圍變暗時，可藉 二占冗a系光源之透光頭示，獲得良好之顯示。因此，反射 透過型液晶顯示裝置尤其適合於使用作為行動電話用之顯 示器，頗受注目。 以往之反射透過型液晶顯示裝置一般屬於日本國公開公 報之特開平1 1-101992號公報（公開日1999年4月13日）（相對 應之US公報：US6195140)所揭示之方式。特開平h_i〇i992 號公報所揭示之液晶顯示裝置如圖22所示，係在互相直交 配置之多數閘匯流排線101及多數源匯流排線102之各交點 86425 1266115 ’經由開關元件（未予圖示）將像素電極配置成矩陣狀而成之 構成。 又’上逑像素電極係由電性連接之透明電極與反射電極 所構成。此等電極係呈現在閘匯流排線1(H、源匯流排線1〇2 及開關元件上形成透明絕緣層（未予圖示），在該透明絕緣層 上形成透明電極’再於其上形成反射電極，在該反射電極 之一邵分形成透光用之孔之構成。在上述液晶顯示裝置中 ，利用反射電極之形成區域（即反射區域··圖中以斜線部表 不）103 ’施行反射顯示，以設於反射電極之孔作為透光區 域（圖中以投影部表示）1〇4施行透光顯示。 但，在上述以往之反射透過型液晶顯示裝置中，利用反 射區域103及透光區域1〇4形成丨個像素區域，在各像素區域 之整個周圍，設有將相鄰之像素彼此絕緣用之像素間區域 。又，由於此像素間區域係利用形成透明電極及反射電極 之際之蝕刻工序所形成，故其寬度至少需要5 程度。 此種像素間區域對畫面顯示並無助益，故在顯示畫面中 像素間區域所佔之比率增大時，數值孔徑會降低。尤其， 在咼精細之液晶顯示面板中，縮小畫面尺寸時，像素間區 域所佔 < 比率會隨著變大。因此，在使用於行動電話用之 顯示器等之液晶顯示面板中，在整個顯示畫面中，2〇%程 度（比率會被像素間區域所佔去，液晶顯示面板之數值孔 徑之極限為80%程度。 【發明内容】 本發明係為解決上述問題而研發者，其目的在於利用減 86425 1266115 7在頒不畫面中之像素間區$之形成區域，以&供更進一 步提兩像素數值孔徑之高光利用效率之反射透過型液晶顯 不裝置。 為達成上述目的，本發明之主動矩陣基板係包含反射電 極與透明電極之像素電極之反射透過型液晶顯示裝置之主 =矩陣基板’且互相無電性連接之相鄰之反射電極與透明 電極係以下列方式被配置者：被反射電極施加電壓之反射 區域之邊界與被透明電極施加電壓之透㈣域之邊界之至 j "卩刀由忒主動矩陣基板之顯示面法線方向觀察時，呈 現相接或接近狀態。 依據上述之構成，在以互相無電性連接狀態相鄭之反射 電極與透明電極之間，利用使反射區域之邊界與透光區域 疋邊界 < 至少一邵分相接（或接近）方式加以配置時，即可在 此等邊界相接（或接近）之處，消除（或減少）像素間區域。 因此，在使用上述主動矩陣基板之液晶顯示面板中，可 降低對顯示無助益之區域之像素間區域在整個顯示畫面中 所佔之比率，因此，可獲得具有高數值孔徑之液晶顯示面 板。 又，本發明之反射透過型液晶顯示面板係在上述主動矩 陣基板與對向基板之間夾入液晶層所構成。 又，本發明之反射透過型液晶顯示裝置係包含上述液晶 顯示面板。 在上述構成之反射透過型液晶顯示面板及反射透過型液 晶顯示裝置中，與上述主動矩陣基板同樣地，可降低對顯 86425 -8 - 1266115 二 里之區域之像素間區域在整個顯示畫面中所佔之比 率，實現高數值孔徑。 黍月之其他目的、特徵及優點可由以下之記載充分加 、：、解且本务明之利益可由參照附圖之下列說明獲得更 明確之瞭解。 【實施方式】 [實施形態1] 依據圖式說明本發明之實施形態時，如以下所述。 首先，*照圖1及圖2，說明使用於本實施形態i之反射透· 過型液晶顯示裝置之主動矩陣基板之概略構成。 王動矩陣基板1係在玻璃等透明基板2上，利用閘匯流排_ 、泉（閘配、、泉）3、源匯流排線（源配線）4及作為開關元件之· (Thin Transistor ;薄膜電晶體）元件5所形成。此等構 成與以往無特別差異，故在此省略詳細之說明。 在王動矩陣基板1中，像素電極係由透明電極6與反射電 極7所構成。透明電極6係介著透明絕緣層8形成於透明基板 2上，且連接於TFT元件5之汲極。透明絕緣層8係作為閘匯 流排線3與源匯流排線4之間之層間絕緣膜而形成於主動矩 陣基板1之顯示畫面區域全面。 在閑匯流排線3、源匯流排線4、TFT元件5及透明電極6 上形成絕緣層9。又，反射電極7係介著絕緣層9而形成於透 月笔極6之上層。另外’透明電極6與反射電極7係經由設於 、、、巴緣層9之接觸孔1 〇而被電性連接。 又’在絕緣層9中，於未形成反射電極7之區域形成有開 86425 1266115 口部11 ’開口邵11係構成利用露出透明電極6而施行透明顯 示用之透光區域。但，在絕緣層9中，開口部丨丨未必一定需 要’如利用透明絕緣層形成絕緣層9，即使不設置開口部11 ，也可形成透光區域。即，利用未形成反射電極7，且位於 透明電極6之上部之區域形成透光區域。 另一方面，反射電極7係被配置成覆蓋閘匯流排線3、源 匯流排線4、及TFT元件5之狀態。換言之，透明電極6係被 配置於以閘匯流排線3及源匯流排線4所劃分之劃分區域内 ;相對地，反射電極7係被配置成超出此劃分區域外，且被 配置成跨過閘匯流排線3及源匯流排線4而重疊於相鄰於垂 直掃描方向及水平掃描方向之劃分區域内之透明電極6之 狀悲。更換$之，反射電極7雖形成於透明電極6之上層，

素間區域之佔有面積。

姜之邵分不產生像素間區域 晶顯示面板中，可大幅提高 ，故在使用主動矩陣基板丨之液 其數值孔徑。 <反射透過型液晶顯示 圖3係使用主動矩陣基板1所製成4 86425 -10- 1266115 面板之剖面圖。 上述液晶顯示面板係在主動矩陣基板丨，與對向基板2 i之 間爽入液晶層31所形成。但圖3之主動矩陣基板丨，與圖2所 王動矩陣基板1相比，呈現將相位差板12及偏振光板Η 配置於與液晶層3 1之對向面之相反側之構成。又，對向基 板21係呈現對著玻璃基板22，在與液晶層31之對向面侧配_ 置濾色态23及對向電極24，在其相反侧配置相位差板25及 偏振光板2 6之構成。 在上述構成之液晶顯示面板中，由源匯流排線4所供應之# 電壓（即資料訊號）係經TFT元件5被施加至透明電極6，再經 接觸孔10被施加至配置在絕緣層9上之反射電極7。因此，· 在形成於王動矩陣基板丨，之透明電極6或反射電極7與形成- 於對向基板21之對向電極24之間會產生電位差，利用此電 k差驅動液晶層3 1。 又，上述液晶顯示面板係構成在主動矩陣基板丨，上，於 絕緣層9設有開口部u。在此構成中，在透光區域與反射區 或使液曰曰層31之單元厚度相異，可使透光區域之單元厚 度大1反射區域之單元厚度約相當於上述絕緣層9之厚度 二此時，可抑制電壓施加時之液晶層31之延遲變化，故相^ :口適另外，將透光區域之單元厚度設定為反射區域之 :兀厚度之2倍時，可使反射區域之光之光路長（往返合計

Ci^2人）等义込光區域之光之光路長（單程通過1次）。因此 可使液曰曰層3 1〈電壓施加所引起之光學變化一致，故最 為合適。 86425 -11- 1266115 在此’在圖1所示之構成之液晶顧示面板中，假設像素之 間距為縱270 μηι、橫90 μηι，反射電極間寬與透明電極間寬 均為7 μιη而計算數值孔徑時，反射區域之數值孔徑為89 8% ，透光區域之數值孔徑為8.9%，合計為98.7%。即，可以實 現光之利用效率非常高之反射透過型液晶顯示面板。 如此，在上逑構成之液晶顯示面板中，可利用顯示畫面 <幾乎大部分作為透光區域或反射區域而有助於顯示。但 ，在相鄰〈反射電極7之電極間及相鄭之透明電極6之電極 間，如圖4(a)所示，會產生無助於顯示之若干像素間區域。 又’在上逑像素間區域，雖有閘匯流排線3或源匯流排線4 存在，但在閘匯流排線3或源匯流排線4與透明電極6之間， 會產生若干空白區域14。 即’在透明電極6與反射電極7構成之像素電極間加以觀 察時，在排除像素間區域之上述主動矩陣基板，透明兩 極6及反射電極7之各電財也會有格子框狀之像素間區: 存在。而在透明電極6之像素間區域與反射電極7之像素間 區域交叉之處’會產生不能被透明電極6及反射電極7之： 何電極施加電壓之空白區域14。 在此空白區域14中，由於不能施加電壓至液晶層3 1， 若此區域之基板具有透光性時，在常白方式中， 域14會經常呈現白色顯示，因而成為對比度降低之原因 因此，在常白方式之液晶顯示面板中，如圖 必要將對應於上述空白區域14之遮光層_置在有二: 明電極6及反射電極7之層上。遮光層啦利用與閑匯流 86425 -12- 1266115 線3或源匯流排線4相同之工序形 - ^ 可在不增力口 ηΓ -p 形成，故較為合適（圖4(b)係表示以相 、 相同於閘匯流排線3之工 序形成遮光層15之情形）。又，在 F < 巾“、、万式下，上述空白區 域14因經常顯示黑色，故遮光層15無特別需要。 又，在本實施形態1之上述說明中，雖記載有關確保最大 限（反射電極7面積之例，但反射區域與透光區域之比率並 未特別限定。即，透明電極6與反射電極7之形狀及面積可 任意設足，以下之圖5至圖13係表示其變形例。 圖5至圖13之構成均為將反射電極？配置成覆蓋閉匯流排 線3及源匯流排線4雙方之構成。又，在圖5至圖Η中，為了 使透明電極6之形狀及TFT元件5與透明電極6之連接位置等 答易瞭解起見，省略一部分之電極及配線等之圖示。 有關反射電極7之形狀，可考慮使用如圖5所示之略近l 字形、圖6及目7所示之略近τ字形、圖8至圖u所示之略近 +字形、圖12及圖13所示之略近矩形等各種形狀，並不特 別予以限定。 又，在以往之反射透過型液晶顯示面板中，係將閘匯流 排線及源匯流排線設置於像素間區域，粗化此等匯流排線 時，液晶顯示面板之數值孔徑會降低’故通常採用儘量細 化此等匯流排線之設計。 相對地’在本實施形態1之液晶顯示面板中，係利用反射 電極7復盍閘匯流排線3及源匯流排線4，且其匯流排線形成 區域^半被利用作為反射區域，因此，即使粗化閘匯流排 線3及源匯流排線4，也難以發生數值孔徑之降低現象。故 86425 -13- 1266115 圖圖13所不，可利用特別形成較粗之閘匯流排線3， 降低其線電阻，藉以減少線 影響。 良 另外，在形成較粗之閘匿流排線3之構成中，將存在於該 閘[⑻排、、桌3兩側《透明電極6之端部配置成重疊於該㈣ ⑽排泉〕（即夾著閘匯流排線3而相鄰之透明電極6之像素間 區域存在—匯流排線3上）時，可防止產生於閘匯流排線3 兩侧之空白區域14之產生。 又，在圖5至圖13所示之液晶顯示面板中，雖設有遮光層 15仁可在希望遮光〈處(即對應於空白區域14)，將遮光層 15任思、设成島狀。 又在本貫施形態1之反射透過型液晶顯示裝置中，欲取 得較大之透光區域之比例時，如圖12及圖13所示，最好將 聽H設成矩形形狀，且配置成對透明電極6之像素間 品乂複""向垂直掃描方向及水平掃描方向延伸之像素間 區域所交叉之處之狀態。此係為了擴大對可被反射電極7覆 盍《透明電極6之像素間區域之比率之故。 [實施形態2] 依據圖式說明务發明之另一實施形態時，如以下所述。 在上述貫施形態1中，係呈現反射電極7在垂直掃描方向 及水平掃描方向雙方覆蓋透明電極6之像素間區域之構成 。但’在本發明之反射透過型液晶顯示裝置中，也可構成 反射電極7在垂直掃描方向及水平掃描方向之至少一方覆 蓋透明電極6之像素間區域。在本實施形態2中，係呈現反 86425 -14- 1266115 2電極7對透明電極6之像素間區域，僅覆 向延伸之像棚區域之構成。 十W万 ::參照圖U說明本實施形態2之反射透過型液晶顯示裝 :用〈王動矩陣基板之概略構成。圖14之構成係呈現 反子私極7被配置成僅覆蓋閉匯流排線3及丁打元件$而不覆 盖源匿流排線4之構成。又，在圖14中，為了使透明電杨6 ^讀及讲元件5與透明電極6之連接位置等容易瞭解起 見，省略一邯分之電極及配線等之圖示。 在使用圖14之構成之主動料基板之液晶顯示面板中， 由=反射電極7不覆蓋源匯流排線4，故在數值孔徑方面， 比貫施形態1之液晶顯示面板不利，但卻可降低源匯流排線 4與像素電極（尤指反射電極7)間之寄生電容。因此，尤其在 對角10 cm程度以上之大小之TFT液晶顯示面板中，可有效 降低源匯流排線4與像素電極之寄生電容辆合所產生之串 訊（陰影）。 又，、在圖14所示之主動矩陣基板中，利用反射電極？覆蓋 閘匯机排、線3 ’可、消滅在透明電極6之像素間區域中，向水 平知“万向延伸《像素間區$，並有助於數值孔徑之提高 。此時，各反射電極7係被配置成可覆蓋比驅動本身之像素 <閘匯流排線3多出1條以上之閘匯流排線3之狀態。即，反 射電極7係被配置成可覆蓋異於驅動本身之像素之閉匯流 排線3之閘匯流排線3之狀態。 此係由於將反射電極7配置成覆蓋驅動本身之像素之閘 匯流排線3時，反射電極7與閘匯流排線3間之寄生電容會變 86425 -15- 1266115 大，寫入後之閘訊號下降時，像素電位之變動會增大，而 會發生顯示不良之故。又，在反射電極7覆蓋閘匯流排線3 之構成中’最好使反射電極7覆蓋異於驅動本身之像素之閑 匯流排線3之閘匯流排線3之情形在實施形態丨之構成中也 同0 當然，在可忽視上述問題之情形，反射電極7覆蓋驅動本 身之像素之閘匯流排線3之構成也包含於本案發明之中，不 待贅言。

在此，在圖14所示之構成之液晶顯示面板中，假設像 =間距為縱27〇μιη、橫90μηι，反射電極間寬與透明電極 寬均為7 μπι而計算數值孔徑時，反射區域之數值孔徑 89.7%，透光區域之數值孔徑為2 4%，合計為92,2%。即 可以實現紋利用效率非常高之反射透過型液晶顯示面板 又在本身她形怨2心上述說明中，雖記載有關確保最」 限〈反射電極7面積之μ，但反射區域與透純域之比率」

未：：：定。gp，透明電極6與反射電極7之形狀及面積1 任思汉疋。例如如圖15所示，可利用任意設計反射電極7: =狀及面積，而將反射區域與透光區域之比率設定於所： 望之值。 [實施形態3] 、豕圖式獍明本發明之另一實施形態時，如以下所述。 及=實施形態1中，係呈現反射電極7在垂直掃描方向 ^平知拓万向雙方覆蓋透明電極6之像素間區域之構成

。但，在本菸、 a K &月<反射透過型液晶顯示裝置中，也 86425 -16- 1266115 j射包極7在垂直#描方向及水平择描方向之至少—方覆 -处月私極6〈像素間區域。在本實施形態3中，係呈現反 射電極7對透明電極6之像素間區域，僅覆蓋向垂直择描方 向延伸之像素間區域之構成。 兹參照圖16說明本實施形態3之反射透過型液晶顯示裝 置所使用之主動矩卩車基板之㈣構成。圖16之構成係呈現 反射電極7被酉己置成僅覆蓋源匯流排線彳及爪元件$而不覆 直閘匯*排線3〈構成。又，在圖16中，為了使透明電極6 之形狀及TFT元件5與透明電極6之連接位置等容易瞭解起 見，省略一部分之電極及配線等之圖示。 在使用圖16之構成之主動矩陣基板之液晶顯示面板中， 由於反射電極7不覆蓋閘匯流排線3,故在數值孔徑方面， 比貫施形態1之液晶顯示面板不利。但為了降低閃燦，可有 效採用對閘匯流排線3,將TFT元件5配置成交錯狀之構造。 對閑匯流排線3,將TFT元件5配置成交錯狀時，假設採用 士射電極7覆蓋閘匯流排線3之構成時，會產生反射電極了覆 蓋驅動本身之像素之閘匯流排線3之處。即，如圖Μ所示， 對閘匯流排線3,將TFT元件5配置成交錯狀時，假設採用將 反射電極7配置成直線而覆蓋閘匯流排線3之構成時，在TFT 元件5對閘匯流排線3配置於下方向之行與配置於上方向之 行中之一方，驅動本身之像素之閘匯流排線3會被反射電極 7覆蓋。因此，在配置成覆蓋驅動本身之像素之閘匯流排線 3之反射電極7中，反射電極7與閘匯流排線3間之寄生電容 會變大。因此，寫入後之閘訊號下降時，像素電位之變^ 86425 -17- 1266115 會増大，而會發生顯示不良。 费：而，纟圖16所示之主動矩陣基板中，利用反射電極7 设盖龍流排線4，可消滅在透明電極6之像素間區域中向 垂直掃描方向延伸之像素間區域，有助於數值孔徑之提高 :且因被配置成不覆蓋閘匯流排線3，而可施行良好之： 又，在對P甲1匯流排線3,將TFT元件5配置成交錯狀之構造 中’利用使排列在同-行之反射電極7在垂直掃描方向錯開 -置寺也可私反射電極7配置成不覆蓋驅動本身之像素之 閘匯流排線3而覆蓋其他閘匯流排線3之狀態。但在此構成 中，同一行之反射電極7會被配置成交錯狀，在顯示直線之 際’有可能發生線條模糊等不利現象。 在此，在圖16所示之構成之液晶顯示面板中，假設像素 〈間距為縱27G μπι、橫9G _，反射電極間寬與透明電極間 寬均為7 μιη而計算數值孔徑時，反射區域之數值孔徑為 89.8%，透光區域之數值孔徑為73%，合計為97 。即， 可以實現光之湘效率非常高之反射透過m顯示面板。 又，在本實施形態3之上述說明中，雖記載有關確保最大 限之反射電極7面積之例，但反射區域與透光區域之比率並 未特別限足。即，透明電極6與反射電極7之形狀及面積可 任意設定。例如如圖17及圖18所示，可利用任意設計反射 電極7之形狀及面積，而將反射區域與透光區域之比率設定 於所希望之值。又，在反射電極7覆蓋源匯流排線4之構成 中，也可採用使該反射電極7覆蓋連接於本身之像素之源匯 86425 -18 - 1266115 /, 〇>排線4或其他源匯流排線4中之任何源匯流排線之構成。 [實施形態4] 依據圖式說明本發明之另一實施形態時，如以下所述。 在上述實施形態1至實施形態3中，係在像素電極之周圍 心至少一部分，構成使反射區域之邊界與透光區域之邊界 相接之狀怨，利用排除在此等邊界相接之部分之像素間區 域以％求數值孔徑之提高。但，本案發明並非卩艮定於此 ，即使有像素間區域存在，只要可使其寬度小於以往，也 可謀求數值孔徑之提高。有關該種構成，將在本實施形態4 中加以說明。 茲茶照圖19及圖20說明在本實施形態4之反射透過型液 曰日頭π裝置所使用之主動矩陣基板之概略構成。 主動矩陣基板51係在玻璃等透明基板2上，形成閑匯流排 線3、源匯流排線4及作為開關元件之τρτ元件5。至此為止 心構成與貫施形態丨之構成同樣地，與以往無特別差異，故 在此省略詳細之說明。 在TFT元件5之汲極連接著連接電極52，再於其上形成透 明絕緣層53。在透明絕緣層53，於對應料接電極52之位 置形成接觸孔54，經由該接觸孔54連接著連接電極52與像 素電極。 在本實施形態4之主動矩阵基板51中，像素電極也係由透 明電極6與反射電極7所構成。但在主動矩陣基板⑽，透 明電極6與反射電極7中間不夹著絕緣層，而將透明電極6與 反射電極7共同在透明絕緣層53切成於大致同—層。 86425 -19- 1266115 又’在王動料基板51中，由於將透明電極6與反射電極 7在透明絕緣層5 3卜形+、/v i , ,_ ^成不大致同一層，故為了獲得相鄰像 m有必要在透明電極6與反射電極7間設置像辛 間區域。 十但’在上述構成之主動矩陣基板51中，透明電極6與反射 电極7間4像素間區域可利用透明電極6與反射電極7之圖 案化時之位置對準而設定其寬度。即，其寬度不會受钱刻 斤制Q此，在主動矩陣基板5 1中，形成於透明電極6與 反射電極7間之像素間區域可形成比以往充分狹有之寬度 ，因此，可減少像素間區域而提高數值孔徑。 然夺照圖21(a)〜圖21(J)說明上述構成之主動矩降基板^ 之製作步驟如下： 圖21(a)係表示在透明基板2上形成閘匯流排線3、源匯流 排線4、TFT元件5及連接電極52以前之狀態。在其上如圖 ()所示―敷感光性丙缔酸樹脂而形成透明絕緣層$ 3， 再如圖21(c)所示，利用光罩61將其曝光。其後，經顯影、 加熱工序，而如圖21(d)所示，在透明絕緣層53形成接觸孔 54 〇 在此’也可在透明絕緣層53之排除接觸孔54之部分之表 面形成凹凸（參照圖19)。此種凹凸可利用特定形狀之光罩， 由接觸孔部分以低照度施行曝光，經顯影、加熱工序而形 成。或者，也可利用層壓處理貼附初期狀態表面即具有凹 凸形狀之乾光阻膜予以形成，以取代形成透明絕緣層53之 感光性丙烯酸樹脂。此種凹凸尤其形成在反射區域時，可 86425 -20- 1266115 在形成;^遺凹凸之反射電極7上，獲得亂射之反射光，故較 為合適。 其次，如圖21(e)所示，對透明絕緣層53形成有接觸孔54 之主動矩陣基板51，形成透明電極材料層。再如圖21(f)及 圖21(g)所示，利用使用光阻膜62及光罩63之圖案化工序 (沉積、曝光（photo)、蝕刻（顯影）），形成特定形狀之透明電 極6圖案。 其次，如圖21(h)所示，形成反射電極材料層。再如圖以⑴ 及圖21⑴所示，利用使用光阻膜64及光罩65之圖案化工序 (沉積、曝光（photo)、蝕刻（顯影）），形成特定形狀之反射電 極7圖案。 在此，將透明電極6、反射電極7圖案化之光罩63、65? 利用位制準精度約丨_加以調整。因此，如圖21_^ ’在夾著像素間區域66而相鄭之透明電極6與反射電極^ ’該像素間區域66之寬度即使包含透明電極6與反射電極 之過量㈣所產生之側移部分，也可調整在3 _以下。 因此，與利用触刻形成像素間區域（為確實分離相鄰之係 素’通常需以上之寬度)之以往之液晶顯示面板相比 在上述王動矩阵基板51中，可形成更有之像素間區域。因 ::可減少像素間區域面積，實現非常高之數值孔徑之液 晶頭示面板。 具有以下之優 在本實施形態4之構成之液晶顯示面板中 點。 在實施形態！至實施形態3之構成t，透明電極6與反⑼ 86425 -21- 1266115 極7係隔著絕緣層9而呈現2層結構。另外，為了配合透光區 域與反射區域之延遲值，採用將透明電極6配置於絕緣層9 之下層’且在對應於透光區域之處，在絕緣層9設置開口部 Π之構造（參照圖2)。 在此種構造中，實際上，開口部丨丨之侧壁部並不平行於 顯不面之法線方向。因此，在開口部丨丨之侧壁部會以某種 程度之面積產生陡峭之傾斜。在此傾斜面配置作為反射電 極7心A1(鋁）時，由上入射之光會被陡峭之傾斜面以大的角 度反射，而被關入單元内部。因此，在上述傾斜部，即在 反射區域與透光區域之邊界部會產生無助於顯示之區域。 在本實施形態4之構成中，在對向基板（CF基板）21侧設置 大起部’以實現反射區域/透光區域之多間隙構造，使反射 區域與透光區域之邊界不會產生上述傾斜部。因此，無必 要將反射電極7配置於陡峭之傾斜部。從而，在本實施形態 4之構成中，與實施形態丨至實施形態3之構成相比，雖不能 凡全消除像素間區域，但也不會發生因傾斜部之產生而引 起顯示面積之減少之問題。當然，所謂上述傾斜部中之無 助於顯示之㈣，與以往之像素間區域相比，雖屬充分小 :面和，但因設計條#，有時可實現比實施形態U實施形 怨3之構成更高之數值孔徑。 又’在如圖19所示之主動矩陣基板51中，反射電極7雖經 由接觸孔54而連接至連接電極52，但，如圖2()所示，連接 土連接電極52者也可以為透明雨打& ，、 Θ达力甩極6。但，將透明電極ό連 接至連接電極52時，係將诱明雷打Α ^ μ t 了1尔打处力甩極6配置於連接電極52之上 86425 -22- 1266115 。因此’為了避免數值孔徑之降低，有必要以透明導電膜 形成該連接電極52。 又’在上逑主動矩陣基板51，只要將反射電極7形成可覆 盖閘匯/瓦排線3及源匯流排線4之至少一方即可。此時之效 果與上述實施形態2及實施形態3所說明之情形相同。 又’在本實施形態4之主動矩陣基板5 1中，反射電極7覆 盘閘匯流排線3時，與實施形態1及實施形態2同樣地，最好 構成將該反射電極7配置成覆蓋與驅動本身之像素之閘匯 流排線3相異之閘匯流排線3。 另外’使用主動矩陣基板5 1之反射透過型液晶顯示裝置 以常白方式被驅動時，可在均不屬於反射區域與透光區域 〈任何區域之空白區域中，利用設置遮光層以防止對比度 之降低。此點與實施形態1之說明相同。 又’利用將液晶層夾入於本實施形態4之主動矩陣基板5 i 與對向電極之間，構成液晶顯示面板。此時，主動矩陣基 板51之透明電極6與反射電極7係形成於大致同一層。因此 ’最好在對向基板側之對向電極中，以透光區域與反射區 域没置階差而抑制在反射區域之光之光路長與透光區域之 光之光路長之差。因此，可使電壓施加時之液晶層之延遲 變化在反射區域與透光區域相接近，實現良好之顯示。 又，在上述貫施形態1至實施形態4所說明之各液晶顯示 面板，可安裝驅動電路及光源41(參照圖3)等而構成反射透 過型液晶顯示裝置。 如以上所述，上述實施形態丨至實施形態4之主動矩陣基 86425 -23 - 1266115 板反射€極7與透明電極6構成之像素電極，將互相 ::連了 电極7施加電壓之反射區域之 、 1人被也明電極ό施加電壓 心透光區域之邊界之至少一邱八、 崢刀由该王動矩陣基板之顯示 面法線方向觀察時，呈現相接（實施形態1至實施形態3)或接 近（實施形態4)狀態。 是故，在以互相無電性連接狀態相鄰之反射電極7與透明 電極6之間，利用使反射區域之邊界與透光區域之邊界之至 少一部分相接或接近，即可在此等邊界相接（或接近）之處， 消除（或減少）像素間區域。 因此，在使用上述主動矩陣基板之液晶顯示面板中，可 降低對顯不無助益之區域之像素間區域在整個顯示畫面中 所佔之比率。#，可獲得具有高數值孔徑之液晶顯示面板。 又，上述實施形態1至實施形態3之主動矩陣基板係包含 互相直叉之多數閘匯流排線3及多數源匯流排線4、設於該 閘匯流排線3與該源匯流排線4之各交點之TFT元件5、及由 透明電極6與反射電極7所構成且連接sTFT元件5之像素電 極。而’上述反射電極7與上述透明電極6係以使透明電極6 位於來自光源之光入射侧，使反射電極7位於與液晶層相對 向侧之方式，在中間介著絕緣層9所形成。又，上述反射電 極7係在上述絕緣層9上跨過閘匯流排線3及源匯流排線4之 至少一方而被配置。即，上述反射電極7係在由該主動矩陣 基板之顯示面法線方向觀察時，形成使其一部分重疊於不 電性連接於該反射電極7之相鄰之透明電極6之端部。 S6425 -24- 1266115 、（構成〈王動矩陣基板中，利用將反射電極7之端部 、》成使#〈―部分重疊於不電性連接於該反射電極7 之相鄰之透明電；f亟6夕嫂却 -- ^ 一嘀峥，猎以將其配置成由該主動矩陣 基板之顯示面法線方命碧爽 产 求万向嘁祭時，可使反射區域之邊界與透 光區域之邊界相接之狀態。 、 反射區域之邊界與透光區域之邊界相接之部分 ，可完全排除其間之像素間區域。即，在使用該主動矩陣 基板〜夜0曰曰顯示面板中，可實現高數值孔徑。又，此時， 邊界相接之反射電極7與透明電極6係利用中間隔著絕緣層 9而確保電性絕緣。 又’、本實施形態4之主動矩陣基板係包含互相直交之多數 閘匯机排線3及多數源匯流排線4、設於該閉匯流排線3與該 源匯流排線4之各交點之TFT元件5、及由透明電極 電極7所構成且連祕TFT元件5之像素電極。而，上述反射 電極7與上述透明電極6係共同對上述閉匯流排線3、上述源 匯流排線4及上述TFT元件5，以中間介著透明絕緣層η而形 成’存在於互相無電性連接之相鄰之反射電極7與透明電極 6《間〈像素間區域之至少—部分係形成3 _以下之寬度。 在上逑王動矩陣基板中，上述反射電極7與上述透明電極 6均在上述透明絕緣層53上形成^大致同—層。因此，屬: 不同像素之電極彼此有必要在中間設置像素間區域加 緣。 、 在此，形成於同一種類之電極彼此（即反射電極7彼此或 透明電極6彼此）之間之像素間電極由於蝕刻精度之需要， 86425 -25- 1266115 其寬度至少需要5 μπι程度。相對地，在形成於不同種類之 電極（即反射電極7與透明電極6)之間之像素間電極中，其寬 度可利用圖案形成時之位置對準精度加以控制。因此，、= 形成於同-種類之電極彼此之間之以往之像素間區域相: ’可利用充分小之寬度（3 μηι以下）形成。 因此，利用將存在於反射電極7與透明電極6之間之像素 間區域《至少—部分形成於3 μπι以下之寬度時，可減少盔 :於顯示之像素間區域。即，在使用該主動矩陣基板之 晶顯示面板中，可實現高數值孔徑。 如以上所述，本發明之主動矩陣基板係具有反射電極與 迹明迅極構成之像素電極而使用於反射透過型液晶顯示裝 置心王動矩陣基板，將互相無電性連接之相鄰之反射電極 與透明電極，g己置成被反射電極施加電壓之反射區域之邊 界與被透明電極施加電壓之透光區域之邊界之至少一部分 由該主動矩陣基板之顯示面法線方向觀察時，呈現相接或 接近狀態。 依據上述之構成，在以互相無電性連接狀態相鄰之反射 電極與透明電極之間，利用使反射區域之邊界與透光區域 之邊界之至少一邵分相接（或接近）方式加以配置時，即可在 此等邊界相接（或接近）之處，消除（或減少）像素間區域。 因此，在使用上述主動矩陣基板之液晶顯示面板中，可 IV低對顯7F無助益之區域之像素間區域在整個顯示畫面中 所佔之比率，因此，可獲得具有高數值孔徑之液晶顯示面 板0 86425 -26- 1266115 又’在上述主動矩陣基板中，上述反射電極與上述透明 電極係以使透明電極位於來自光源之光入射侧，使反射带 極位於與液晶層相對向側之方式，在中間介著絕緣層戶= 成，在由孩主動矩陣基板之顯示面法線方向觀察時，可形 成使上述反射電極之端部之—部分重㈣不電性連接於該 反射電極之相鄰之透明電極之端部之狀態。 / 依據上述之構成，由於形成使反射電極之端部之—部分 重疊於不電性連接於該反射電極之相鄰之透明電極之= ，在由該主動矩陣基板之顯示面法線方向觀察時，被配i 成反射區域之邊界與透光區域之邊界相接之狀態。 因此’在反射區域之邊界與透光區域之邊界相接之部分 ，可完全排除其間之像素間區域。即，在使用該主動矩= 基板之液晶顯示面板中，可實現高數值孔徑。又，此時， 邊界相接之反射電極與透明電極㈣”間隔著絕緣層9 而確保電性絕緣。 曰 又，在上述王動矩陣基板中，上述絕緣層最好在對應於 上述透光區域之處設置開口部。 在反射電極與透明電極之間配置絕緣層之構成中，為了 使用未形成反射電極之區域作為透光區域，可考慮使上述 絕緣層變成透明，或在透光區域中，於上述絕緣層設置開 依據上述構成’將對應於上述透光區域之處設置絕緣層 開口。因Λ，在使用上述主動矩陣基板之液晶顯示面板中 ’可使液晶層之單元厚度在透光區域與反射區域相異，使 86425 -27- 1266115 透光區域之單元厚度大於反射區域之單元厚度約相當於上 述絕緣層之厚度。此時，可使電壓施加時之液晶層之延遲 變化在反射區域與透光區域相接近，實現良好之顯示。 +又，在上述主動矩陣基板中，上述反射電極與上述透明 電極係共同對將訊號電壓施加至此等電極用之配線及開關 凡件，以中間介著透明絕緣層而形成，存在於互相無電性 連接之相鄰之反射電極與透明電極之間之像素間區域之至 少一邵分可形成3 μηι以下之寬度。

依據上述構成，上述反射電極與上述透明電極均在上述 ^明絕緣層上形成於大致同―層。_，屬於不同像素之 電極彼此有必要在中間設置像素間區域加以絕緣。

在此’形成於同-種類之電極彼此（即反射電極彼此或透 明電極彼此）之間之像素間電極由於蝕刻精度之需要，其寬 度至少需要5 _程度。相對地，在形成於不同種類之^ (即反射電極與透明電極）之間之像素間區域中，其寬度可利 用圖案形成時之位置對準精度加以㈣。因此，與形成於 同-種類之電極彼此之間之以往之像素間利 用充分小之寬度(3 _以下)形成。 了利 Q此利用將存在於反射電極與透明電極之間之像素 區域〈至少-部分形成於3，以下之寬度時，可減少盔 於顯示之像素間區域。即，在使用該主動料基板之液 顯不面板中，可實現高數值孔徑。 又’上迷反射電極最好被配置成由該主動矩陣基板之顧 示面法線方向觀察時，不覆蓋源配線之狀態。 …、 86425 -28 - 1266115 及源配線力矩陣基板〈像素間區域中，配置有閘配線 戏之本發明—般在使反射區域之邊界與透光區 域（邊界相接近而無 ^ ^ ^ , '、曰匾或之構成中，閘配線或源配 、、泉（土 V、一部份會被反射電極所 依據上述構成，辦：μ、+、 ^ ,.g , 、 U反射電極配置成不覆蓋源配線之 :’，可降低源配線與反射電極間之寄生電容。因此， W低源配線與反射電極之電容衫所產生之串訊（陰影）。 、迟王動矩陣基板中，上述反射電極可被配置成 孩王動矩卩車基板之顯示面法線方向觀察時，至少覆蓋該 閘配線《7部分，各反射電極可被配置成覆蓋異於驅動本 身4像素之閘配線之閘配線之狀態。 、、在h反射包極至少覆蓋閘配線之一部分之構成中，將 ^射私極配置成復盍驅動本身之像素之閘配線時，反射 :極與閘配線間之寄生電容會變大，㈣入後之閘訊號下 牛寺像素私位之變動會增大，而會發生顯示不良之問題。 / =此知用上逑之構成時，可利用將各反射電極配置成 覆盍兴於驅動本身之像素之閘配線之閘配線之狀態，來規 避上述之問題。 又在上述主動矩陣基板中，該主動矩陣基板被使用於 带白方式之反射透過型液晶顯示裝置時，最好在均不屬於 反射區域與透光區域之任何區域之空白區域中，設置遮光 層。 在上逑構成之主動矩陣基板中，在透明電極間及反射電 極間刀別有像素間區域存在。因此，在透明電極間之像素 86425 -29- 1266115 間區域與反射電極間之像素間區域交叉之處，會產生不能 被透明電極及反射電極之任何電極施加電壓之若干空白區& 域。 在系白方式中，此空白區域會經常呈現白色顯示，因而 成為對比度降低之原因。但，採用上述構成時，可利用在 邊空白區域設置遮光層，防止此種對比度之降低。 又，本發明之反射透過型液晶顯示面板係在上述主動矩 陣基板與對向基板之間央入液晶層所構成。 又，本發明之反射透過型液晶顯示裝置係包含上述液晶 顯示面板。 在上述構成之反射透過型液晶顯示面板及反射透過型液 曰曰〜、示衣置中，與上述主動矩陣基板同樣地，可降低對顯 示…、助嚴之區域之像素間區域在整個顯示畫面中所佔之比 率。因此，可實現高數值孔徑。 在貫施方式之項中所述之具體的實施形態或實施例畢 兄係在於敘述本發明之技術内容，本發明並不僅限定於該 等具體例而作狹義之解釋，在不脫離本發明之精神與後述 申叫專利範圍項中所載之範圍内，可作種種變更而予以實 施。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之一實施形態，表示實施形態1之主動 矩陣基板之概略構成之平面圖。 圖2係表示上述主動矩陣基板之剖面構成之剖面圖。 圖3係表示使用上述主動矩陣基板之液晶顯示面板之構 86425 -30- 1266115 成之剖面圖。 圖4 (a)係表示在上述主動矩陣基板產生之空白區域之平 面圖。又’圖4(b)係表示對應於上述空白區域所設之遮光層 之平面圖。 圖5係表示實施形態1之主動矩陣基板之變形例之平面圖。 圖6係表示實施形態1之主動矩陣基板之另一變形例之平 面圖。 圖7係表示實施形態1之主動矩陣基板之又另一變形例之 平面圖。 圖8係表示實施形態1之主動矩陣基板之又另一變形例之 平面圖。 圖9係表示實施形態1之主動矩陣基板之又另一變形例之 平面圖。 圖1 〇係表示實施形態1之主動矩陣基板之又另一變形例 之平面圖。 圖11係表示實施形態1之主動矩陣基板之又另一變形例 之平面圖。 圖12係表示實施形態1之主動矩陣基板之又另一變形例 之平面圖。 圖1 3係表示實施形態1之主動矩陣基板之又另一變形例 之平面圖。 圖14係表示本發明之另實施形態，表示實施形怨2之主 動矩陣基板之概略構成之平面圖。 圖1 5係表示實施形態2之主動矩陣基板之變形例之平面 86425 -31 - 1266115 圖。 圖1 6係表示本發明之又另一實施形態，表示實施形態3 之主動矩睁基板之概略構成之平面圖。 固7係表示貫施形態3之主動矩陣基板之變形例之平面 圖。 圖18係表示實施形態3之主動矩陣基板之另一變形例之 平面圖。 、圖19係表示本發明之又另一實施形態，表示實施形態4 之主動矩陣基板之剖面構成之平面圖。 圖2〇係表示上述主動矩陣基板之概略構成之平面圖。 、圖21 (a)〜圖21⑴係表示上述主動矩陣基板之製作步 刮面圖。 ΛΛ 圖22係表示使用於反射透過型液晶顯示面板之以往、、 動矩陣基板之構成之平面圖。 <王 【圖式代表符號說明】 I 主動矩陣基板 3 閘匯流排線（閘配線） 4 源匯流排線（源配線） 5 TFT元件（開關元件） 6 透明電極 7 反射電極 9 絕緣層 10 接觸孔 II 開口部 86425 -32- 1266115 14 空白區域 15 遮光層 53 透明絕緣層 86425 - 33 -

Claims (1)

1266115 拾、申請專利範園： 1 一種主動矩陣基板，其係使用於包含反射電極與透明電 極之像素電極之反射透過型液晶顯示襞置者；且 互相供電性連接之相鄰之反射電極與透明電極係以 下列方式被配置者·被反射電極施加電壓之反射艮找之 邊界與終透明電極施加電壓之透光區域之邊界之至少 一部分由該主動矩陣基板之顯示面法線方向觀察時，呈 現相接或接近狀態。 2_如申請專利範圍第1項之主動矩陣基板，其中上述反射 電極與上述透明電極係以使透明電極位於來自光源之 光入射侧，使反射電極位於與液晶層相對向侧之方式， 在中間介著絕緣層所形成； 在由該主動矩卩車基板之顯示面法線方向觀察時’形成 使上述反射電極之端部之—部分重4於不電性連接於 該反射電極之相鄰之透明電極之端部之狀態者。 3. 如申請專利範圍第2項之主動矩陣基板，其中上述絕綠 層係在對應於上述透光區域之處設置開口部者。 4. :切專利範圍第丨項之主動矩陣基板，其中上述反勘 私枉14上逑透明電極係共同對將訊號電壓施加至此, ，之配線及開關元件，以中間介著透明絕緣層而形 成， 子在於互相無電性連接之相鄰之反射電極與透明 極之間之像素間區域之至少〜^ ^ 飞 土乂 一部分可形成以下 見度。 86425 1266115 如申請專利範圍第2或4項之主私& 土 * ^ — 王動矩陣基板，其中上述反 射電極係被配置成由該主動矩 6 平暴板4頭7F面法線方 向觀察時，不覆蓋源配線之狀態者。 如申請專利範圍第2或4項之主動拓膝並4甘& 工助矩陣基板，其中上述反 射電極係由該主動矩陣基板之 ― < 員不面法線万向觀察時 ，至少覆蓋閘配線之一部分者； 各反射電極係被配置成覆蓋異於驅動本身之像素之 閘配線之閘配線之狀態者。 μ 如申請專利範圍第2或4項之主動矩陣基板，其中該主動 矩陣基板係被使用於常白方式之反射透過型液晶顯示 裝置；且 在均不屬於反射區域與透光區域之任何區域之空白 區域中，設置遮光層者。 8. -種反射透過型液晶顯示面板，其係包含含反射電極與 透明電極之像素電極者；且 在王動矩陣基板與對向基板之間夾入液晶層所構成，· 在上述王動矩陣基板中，互相無電性連接之相鄰之反 射電極與透明電極係以下列方式被配置者：才皮反射電極 施加電壓之反射區域之邊界與被透明電極施加電壓之 透光區域之邊界之至少一部分由該主動矩陣基板之顯 示面法線方向觀察時，呈現相接或接近狀態。 9. 一種反射透過型液晶顯示裝置，其係包含含反射電極與 透明電極之像素電極者；且包含 反射透過型液晶顯示面板，其係在主動矩陣基板與對 1266115 向基板之間爽入液晶層所構成者， 在上述主動矩陣基板中，互相無電性連接之相鄰之反 射電極與透明電極係以下列方式被配置者：被反射電極 施加電壓之反射區域之邊界與被透明電極施加電壓之 透光區域之邊界之至少一邵分由該主動矩陣基板之顯 示面法線方向觀察時，呈現相接或接近狀態。 86425