TWI259552B - Self-aligned process for flash memory - Google Patents

Description

1259552 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種半導體製程’特別是關於一種用於 快閃記憶體的自對準製程。 【先前技術】 複雜的積體電路上，元件尺寸的縮小使得設計更加困 難，因此，使用例如自對準製程或其他技術，以達到所需 •求的設計。 第一圖係典型的快閃記憶體的閘極結構10的剖視 圖，在一基底12上為一穿隧氧化層14，一浮動閘極多晶石夕 層16在穿隧氧化層14上，一ΟΝΟ層18在多晶矽層16上，— 控制閘極多晶矽層20在0Ν0層18上，一控制閘極石夕化鶴層 22在多晶石夕層20上，一硬遮罩層24在石夕化鶴層22上，源極 30及汲極32在基底12内。在製作閘極結構1〇的過程中，須 馨 在基底12上採用沉積及餘刻的製程完成閘極疊層，並使用 自對準製程以形成源極30和汲極32，在形成側壁邊襯26及 28後，使用自對準製程形成源極及汲極接觸。例如Chen等 人在美國專利第5,907,781號及6,444,530號中所提出的 「process for fabricating an integrated circuit with a self-aligned contact」便是此種自對準製程。 由於在省知快閃記憶體的閘極結構中’包含石夕化鶴 層，在後續的熱製程例如加熱退火處理中，矽化鎢的晶體 結構由四角立方晶體變為六角立方晶體，使得矽化鎢受到 1259552 熱應力的影響而膨脹造成臨界尺寸（Critical Dimension ; CD)的增加以及細短與接觸窗的距離，後者更進一步導致 低朋潰電壓。再者，由於石夕化鎢晶塊(grain)的再成長，彼 此相互擠壓使得閘極結構的侧壁變得粗糙及凹凸不平，增 加了局部電場（local electrical filed)效應，容易造成尖端放 電導致閘極結構的損壞’使得快閃記憶體的使用壽命短 暫。因此，一種使閘極結構的侧壁平滑的自對準製程，乃 為所冀。 【發明内容】 本發明的目的之―，在於提出一種自對準製程，以達 到平滑化的閘極側壁。 本發明的目的之一，在於提出一種自對準製程，以增 加閘極結構的耐壓。

，據本，明種用於快閃記憶體的自對準製程包括 依序沉積'一第一多曰坊陆 a 夕曰日矽層、〇NO層、第二多晶矽層、一矽 化鎢層及一硬遮罩屉/ . , ^ 早層在—牙隧氧化層上，經蝕刻後形成一 二側辟彳.用對矽化鎢蝕刻選擇比高的溶液清洗該矽化 以該閑極結構為遮罩形成-源極和汲極;氧 以及後續的 ’在该閉极結構旁形成側壁邊襯 自我對準接觸窗製程。 【實施方式】 係根據本發明的自對準製程實施 第二圖到第三圖 1259552 例。第二圖係在形成閘極疊層及源/汲極後的剖視圖，在基 底12上為穿隧氧化層14，多晶矽層16在穿隧氧化層14上， ΟΝΟ層18在多晶矽層16上，多晶矽層2〇在(^〇層18上矽 化鎢層22在多晶矽層2〇上，硬遮罩層24在矽化鎢層22上， 在形成閘極疊層後，以閘極結構1〇為遮罩形成源極3〇及没 極32在基底12上，然後以钱刻選擇比高的溶液清洗石夕化鶴 層22的側壁，較佳者，係使洗石夕化鶴層22,俾姓 φ刻矽化鎢層22的側壁，控制矽化鎢層22的臨界尺寸。S(M 係五份去離子水加一份3〇%的雙氧水與一份㈣的氨水 組成的鹼性過氧化物混合液。在使用餘刻選擇比高的溶液 進打清洗時，矽化鎢層22比其他各層的蝕刻速率快，因此 矽化鎢層22的側壁被蝕刻形成凹洞。 在完成上述清洗後，在含有氧自由基的環境中進行快 速熱處理（RTP)，使閘極、源極與汲極結構活化並在浮動 閘極之多晶矽16外緣形成氧化層而防止漏電。此加熱處理 #使用在氧自由基氣氛下之快速加熱處理（Rapid Thermal Processing ; RTP)，在此氣氛下的熱氧化因為是表面反應 為主要機制而能使石夕化鶴22表面維持平整且較不容易使 矽化鎢層22膨脹。使用在氧自由基氣氛下之快速加熱處理 曰寸’在大約5托爾至50托爾的低壓下將氫氣及氧氣通入反 應室中。 經過上述退火處理後，矽化鎢層22的晶體結構由四角 立方晶體變成六角立方晶體，此時再進行氮化矽或二氧化 石夕層的沈積與蝕刻而形成側壁邊襯26及28，如第三圖所 1259552 示，由於先前使用I虫刻選擇比高的溶液清洗石夕化鶴層22， 使得間隙3 4及3 6形成在矽化鎢層2 2與侧壁邊襯2 6及2 8之 間，因而增加石夕化鎢層22與侧壁邊襯26及28之間的距離， 當矽化鎢層22受到熱應力的影響而膨脹時，不再產生推擠 而破壞閘極結構10，因此，矽化鎢22的表面保持平滑，且 與接觸窗之間的距離不致縮短，因而不產生局部電場上升 及崩潰電壓降低的不良後果。 第四圖係傳統的閘極結構變形的示意圖，以供對照本 ^ 發明的說明，在傳統的自對準製程中，閘極結構中矽化鎢 層受到熱應力影響而膨脹，由於矽化鎢層沒有多餘空間接 受受到熱應力影響而膨脹的體積，導致矽化鎢層内部的晶 塊相互擠壓，使得矽化鎢層的臨界尺寸增加及降低閘極與 接觸窗之間的崩潰電壓。而本發明的自對準製程，係在矽 化鎢層22與侧壁襯墊26及28之間形成緩衝的區域，即間隙 34及36，矽化鎢層22受到熱應力影響而膨脹時，間隙34及 φ 36可以緩衝矽化鎢層22的膨脹而不影響矽化鎢層22内部 的結構。 第五圖係傳統的閘極結構的微觀照片，可以看到矽化 鎢層因熱應力膨脹後受到的擠壓，而侧壁的表面非常粗 糙。第六圖係本發明的閘極結構的微觀照片，矽化鎢層未 因熱應力膨脹而受到擠壓，侧壁的表面非常平滑。對照第 五圖及第六圖，本發明的自對準製程已明顯改善習知技術 的閘極結構容易損壞的缺點。 以上對於本發明之較佳實施例所作的敘述係為闡明 1259552 之目的，而無意限定本發明精確地為所揭露的形式，基於 以上的教導或從本發明的實施例學習而作修改或變化是 可能的，實施例係為解說本發明的原理以及讓熟習該項技 術者以各種實施例利用本發明在實際應用上而選擇及敘 述，本發明的技術思想企圖由以下的申請專利範圍及其均 等來決定。 【圖式簡單說明】 對於熟習本技藝之人士而言，從以下所作的詳細敘述 配合伴隨的圖式，本發明將能夠更清楚地被暸解，其上述 及其他目的及優點將會變得更明顯，其中： 第一圖係典型的快閃記憶體的閘極結構的剖視圖； 第二圖係在形成閘極疊層及源/汲極後的剖視圖； 第三圖係形成側壁邊襯後的剖視圖； 第四圖係傳統的閘極結構變形的示意圖； 第五圖係傳統的閘極結構的微觀照片；以及 第六圖係本發明的閘極結構的微觀照片。 【主要元件符號說明】 10 閘極結構 12 基底 14 穿隧氧化層 16 多晶矽層 18 ΟΝΟ層 1259552

20 多晶石夕層 22 矽化鎢層 24 硬遮罩層 26 侧壁邊概 28 侧壁邊襯 30 源極 32 >及極 34 間隙 36 間隙

Claims (1)

1. I259552 十、申請專利範圍： 驟：ι.-種用於快閃記憶體的自對準製程，包括下列步 依f沉積-第-多晶石夕層、_層、第二多晶石夕層、 —矽化鎢層及一硬遮罩層在一穿隧氧化 成-閘極結構； " 以°亥閘極結構為遮罩形成一沒極和 源極； Φ I用對梦化鎮餘刻選擇比高的溶液清洗該石夕化嫣 側壁； # S 在包含氫氣及氧氣的環境下進行氧化退火處理；以及 在該閘極結構的旁邊形成側壁邊槻，使得一緩衝間隙 形成在該閘極結構的旁邊介於被蝕刻後的該矽化鎢 層與該側壁邊襯之間，以減少熱膨脹應力。 2二如申請專利範圍第〗項之製程，其中該使用蝕刻選 擇比回的溶液清洗矽化鎢層的步驟包括使用sc—〗溶液清 • 洗矽化鎢層。 3·如申請專利範圍第1項之製程，其中該退火處理的 步驟包括快速加熱處理。 4· 一種用於快閃記憶體的自對準製程，包括下列步 驟： 形成一含有金屬矽化物的閘極疊層在一穿隧氧化層 上； 以該閑極結構為遮罩形成一汲極和源極； I虫刻該金屬矽化物的側壁，· 1259552 在包含氫氣及氧氣的環境下進行氧化退火處理；以及 在該閘極結構的旁邊形成侧壁邊襯，使得一緩衝間隙 形成在被蝕刻後的該金屬矽化物的侧壁與該側壁邊 襯之間，以減少熱膨脹應力； 其中，該蝕刻該金屬矽化物的側壁的步驟包括使用對 該金屬矽化物蝕刻選擇比高的溶液蝕刻該金屬矽化 物的側壁。

   其中該退火處理的 其中該快速加熱處 其中該快速加熱處 5·如申請專利範圍第4項之製程 步驟包括快速加熱處理。 6·如申請專利範圍第5項之製程 理包括在氧自由基的氣氛下加熱。 7·如申請專利範圍第5項之製程 理的氣壓約為5托爾至50托爾。

   12 1259552 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（三）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：

   10 閘極結構 12 基底 14 穿隧氧化層 16 多晶矽層 18 ΟΝΟ層 20 多晶矽層 22 矽化鎢層 24 硬遮罩層 26 側壁邊概 30 源極 32 >及極 34 間隙 36 間隙 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：