TWI258187B - Gas introduction system for controlling temperature of object to be processed - Google Patents

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TWI258187B
TWI258187B TW090112906A TW90112906A TWI258187B TW I258187 B TWI258187 B TW I258187B TW 090112906 A TW090112906 A TW 090112906A TW 90112906 A TW90112906 A TW 90112906A TW I258187 B TWI258187 B TW I258187B
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Shinji Hamamoto
Hiroshi Koizumi
Kenichi Nakagawa
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Description

1258187 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、技術領域> 本發明係關於一種被處理體之溫度調整用氣體導入系 :’係導人氣體用以對在半導體基板等之被處理體實施電 漿處理等之真空處理裝置作溫度調整，特別是，關於利用 氣體導入機構及其導入方法、及該機構之滲漏檢出方法。 <背景技術> 習知，例如在半導體元件之製造過程中，對於被處理 體之半導體晶®，大多使用電漿腐料理、灰化處理、^ 射處理等之在真空環境下進行處理之真空處理。 例如，在電漿腐蝕處理中，在真空室内設置之稱半導 體晶圓（以下稱晶圓）之晶圓支撐平台，藉設置於該晶圓夫 撐平台上之靜電吸盤，靜電吸著保持晶圓。 而且，在支撐平台的上方，將電漿腐蝕導入真空室内 設置淋浴頭，隨著將電漿腐蝕導入室内，在支撐平台及沐 /谷頭之至少一方印加尚周波，在此等之間形成高周波電 界，藉該高周波電界形成處理氣體之電漿，對於晶圓實施 電漿腐钱處理。 在進行如此處理之際，藉電漿晶圓溫度上升後，產生 疋件之破壞與處理之不均一等之問題。從而，為了防止此 些問題’藉使冷煤通流至支撐平台，一面吸著冷卻晶圓一 面進行處理。 然而’一般如靜電吸盤之晶圓，在被載置之載置台之 載置面與晶圓裡面之間，存在起因於此等表面粗造之微視 的空間。在該狀態為了進行電漿處理減少真空室内的壓力
1258187 A7 ----------B7___ 五、發明說明（2 ) 的場合，為了上述微視的空間也形成真空狀態，如上所示 冷卻支撐平台，即使將其冷熱介由靜電吸盤傳達至晶圓， 在微視的空間傳熱媒體幾乎不存在，無法有效的冷卻晶圓。 在此依白知，在載置台與被保持於其載置面之晶圓裡 面之間，導入氦（He)氣體等之熱傳導性比較良好之氣體， 進行有效率的冷卻晶圓。在此種場合，一面封入一定量之 軋體 面在僅控制He氣體的供給流量的場合，處理中 右t生被‘入之He氣體之滲漏的話，由於熱傳導效率降低 也就無W方止晶圓的溫度上升，例如，在特開平心Mm 號公報中，在載置台與被保持於其載置面之晶圓之間，在 供給He氣體之氣體管線設置質量流控制器，以一定之流量 供給He氣體，同時藉流量控制閥控制導入於保持構件與被 保持於其載置面之晶圓之間2He氣體之量，使測定氣體管 線之壓力之其壓力形成一定之技術被提案出來。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但是，在如此做法控制的場合，為了以一定流量供給 He氣體，則具有要使氣體壓力達到設定值需要花費相當長 的時間之問題。另外，在如此以一定流量供給1^氣體的場 合，氣體壓在達到設定值後，所供&He氣體中實際上被利 用者，僅為補充由晶圓滲漏之氣體之量，剩餘的大部分氣 體係在沒有被利用情況下被排出，形成氣體的浪費。更進 一步，為了使用質量流控制器，He氣體之導入系統本身變 成大型化’因而具有設置空間也需要較大之問題點。 更進一步，如此作法在導入He氣體之際，由He氣體之 晶圓裡面檢出求得其滲漏，但在前述之He氣體之導入系 A7
1258187 五、發明說明（3 ) 統’則很難檢出像如此之He氣體之滲漏。 <發明的開示〉 本發明係以提供一種氣體導入系統為目的，在载置台 之載置面與被處理體的裡面之間，該載置台係在真空中對 被處理體實施處理並被搭載於真空處理裝置吸著被處理 體，在短期間達到浪費較小之一定的氣體壓之機構，導入 氣體進行被處理體之溫度調整’及藉其機構進行滲漏檢出。 本發明為了達成前述之目的，提供一種被處理體之溫 度^正用氣體導入系統，係用以在載置台與被保持於該載 置台之載置面和該載置台之前述被處理體裡面之間導入氣 體來調整溫度，而該載置台係在真空下保持被處理體，包 δ有·一氣體供給管線，係用以供給氣體至前述載置台與 被保持於載置台之被處理體之間；一壓力計，係用以測定 前述氣體供給管線之壓力；一流量調節閥，係用以調節被 設置於前述壓力計之上游側之氣體供給管線之氣體流量； 及’ 一控制裝置’係用以控制前述流量調節閥，使依前述 壓力計所測定之壓力形成設定壓力。搭載本發明之溫度調 正用氣體‘入糸統之處理裝置，係具有排氣系排出室内之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 氣體’且為一種在真空下對被處理體實施處理之真空處理 裝置。 另外’本發明提供一種氣體滲漏檢出方法，係使用導 入之被處理體之溫度調整用氣體導入系統，使在載置台與 其載置台之載置面和該被處理體裡面之間，用以調整溫度 之氣體經過氣體供給管線’而該載置台係用以保持被設置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公董)" --- 1258187 Α7 __Β7五、發明說明（4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
於該真空處理裝置之室内之被處理體，並在真空下被搭載 於對被處理體施以處理之真空處理裝置，藉被設置於該氣 體供給管線途中之壓力計及流量調節閥形成設定壓力；又 關閉前述流量調節閥，將由前述氣體供給管線之前述流量 調節閥到前述載置台之載置面之間作成閉塞狀態，在該狀 態下，藉前述I壓力計依檢出之氣體供給管線之壓力，檢出 前述載置台與被處理體之間之氣體滲漏。 在本發明之其他觀點’係提供一種氣體滲漏檢出方 法，係使用導入之被處理體之溫度調整用氣體導入系統， 使在載置台與其載置台之載置面和該被處理體裡面之間， 用以調整溫度之氣體經過氣體供給管線，而該載置台係用 以保持被設置於該真空處理裝置之室内之被處理體，並在 真空下被搭載於對被處理體施以處理之真空處理裝置，藉 被設置於該氣體供給管線途中之壓力計及流量調節閥形^ 設定壓力；又關閉前述流量調節閥，將由前述氣體供給管 線之前述流量調㈣到前述載置台之載置面之間作成閉塞 狀態’在該狀態下，藉前述壓力計依檢出之氣體供給管線 之壓力’檢出前述載置台與被處理體之間之氣體渗漏。 在如以上構成之本發明之溫度調整用氣體導入系統 中，藉控制裝置全開流量調節閥，使氣體供給管線之壓力 ，到設^壓力為止，迅速的進行氣體的供給。在到達其設 :壓力S，藉控制裝置控制流量調節閥控制氣體的供： 量’使其供給僅約略需要份之氣體量’使浪費排出之氣體 的量顯著的減少。在該構造，由於不使用需要控制闕且大
請 先 閱 讀 背-δ 之 注 意 事 項麵 t· 聚裝 頁I 訂·
五、 發明說明（ I258187 型機構之質量流控制器，所以氣體導入系統被簡易化及小 型化。 另外，在該構成之溫度調整用氣體導入系統中，具有 一氣體供給官線，用以供給氣體至前述載置台與被保持於 载置台之被處理體之間；一壓力計，用以測定前述氣體供 給管線之壓力；一流量調節閥，用以調節被設置於前述壓 力計之上游側之氣體供給管線之氣體流量，在構成控制流 量調節閥使藉壓力計測定之壓力形成設定壓力的場合，關 閉流量調節閥，若將由氣體供給管線之前述流量調節閥到 載置台之载置面之間作成閉塞狀態的話，由於若發生滲漏 的話藉壓力計檢出之氣體供給管線之壓力降低，所以藉檢 出壓力計之壓力可以有效的檢出載置台與被處理體之間之 氣體滲漏。 〈圖面的簡單說明> 第1圖為表示關於本發明之一實施型態，搭載被處理體 之溫度調整用氣體導入系統之磁控管電漿腐蝕裝置之截面 圖； 第2圖為用以說明形成於室内之電界及磁界之圖； 第3圖為表示關於本實施型態之被處理體之溫度調整 用氣體導入系統之一構成例之圖； 第4圖為表示使用於第3圖所示之被處理體之溫度調整 用氣體導入系統之壓力控制閥之構成例之圖； 第5圖為表示習知之被處理體之溫度調整用氣體導入 系統之構成例之圖； (請先閱讀t-面之注意事項再填寫本頁) I · 裝--------訂---------· 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製
A7 1258187 五、發明說明（6 第6圖為用以說明由晶圓裡面之滲漏的檢出方法之圖； 第7圖為表示依滲漏之狀態之氣體線内之壓力變化之 一例之圖； 第8圖為表示在本發明之被處理體之溫度調整用氣體 導入系統中之滲漏管線之變形例之圖。 <實施發明的最佳型態> 以下，參照圖面依據本發明針對實施型態加以詳細說 明。 第1圖為概略的表示關於本發明之實施型態，搭載被處 理體之溫度調整用氣體導入系統之磁控管電漿腐蝕裝置2 截面構造之圖。 該腐餘裝置係被構成氣密的，並由小徑之上部la與大 徑之下部lb形成具段差之圓筒狀，壁部具有例如鋁製之室 1 ° 在該室1内，設置水平支撐被處理體之晶圓臂之支撐平 台2。支撐平台2,係例如由鋁所構成，隔著絕緣板3被支撐 於導體之支撐台4。另外，在支持平台2之上方的外周，I 置導電性材料，例如以單結晶矽形成之聚焦環5。 上述支樓平台2與支撐台4,係藉包含球形螺栓7之球形 螺检機構形成可以自由升降，支撑台4之下方的驅動部分\ 係被以不鏽鋼（S U S)製之波紋管8所覆蓋。室1係被接地。 外，在波紋管8的外側設置波紋管蓋9。尚且，在上述聚$ 環5的外側設置阻流板1 〇，透過該阻流板1 〇、支斤二4 紋管8，與室1作電氣的導通。 本紙張尺度適用中國國家標準（cns)A4規格（21〇 x 297公釐）
請 先 閱 讀 背-面 之 注 意 事 項— 再_ 寫裝 本 頁 I 訂‘ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 波 9 1258187 A7 ------____Β7五、發明說明（7 ) 在室1之下部lb之側壁形成排氣通道11，在該排氣通道 Π接續排氣系12。而且，藉使排氣系12之真空幫浦作動， 形成可以使室1内減壓至一定之真空度。另一方面，在室i 之下部lb之側壁上側，設置開關晶圓w之搬出入口之閘閥 13 〇 閱 讀 背- 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 在支樓平台2，隔著對照匣14接續RF電源15。形成使 由RF電源15,例如13·56ΜΗζ之高周波電力供給至支撐平台 2。另一方面，對向於支撐平台2,在其上方設置相互平行 之後述之淋浴頭20，該淋浴頭20係被接地。從而，此等乃 做為一對之電極之機能。 在支撐平台2的載置面上，設置靜電吸盤6，用以靜電 吸著保持晶圓W，以支撐平台2與靜電吸盤6構成晶圓之載 置台。該靜電吸盤6，係由在絕緣體6b之間隔著電極6a所構 成，在電極6a接續直流電源16。而且，在電極仏藉由電源 16印加電壓，藉庫侖力量吸著半導體晶圓w。 在該支撐平台2之内部，設置冷煤室17，在該冷煤室 17，冷煤介由冷煤導入管17a被導入，由冷煤排出管17匕排 出進行循環，其冷熱介由支撐平台2被傳到晶圓w，晶圓w 之處理面被控制在所望之溫度。 另外，室1即使藉排氣系12排氣保持成真空狀態，用以 冷卻之氣體，例如He氣體藉氣體導入機構（被處理體之溫度 調整用氣體導入系統）18,介由其氣體供給管線19,被導入 靜電吸盤6之載置面與晶圓W之裡面之間，使其可以藉循環 至冷煤室17之冷煤有效的冷卻晶圓％。藉導入該He氣體等 之 注 意 事 項
tr
10 I258187
之&卻氣體，冷煤之冷熱被有效的傳達至晶圓w，可以提 高晶圓W之冷卻效率。 上述淋浴頭20，係被設置於室丨之天壁部分，使其對向 於支撐平台2。該淋浴頭20,係在其下面設置多數之氣體吐 出孔22 ’且在其上部具有氣體導入部2〇a。而且，在其内部 形成空間21。在氣體導入部2〇a接續氣體供給配管23&，在 該氣體供給配管23a之另一端接續處理氣體供給系23,用以 供給由腐蝕用之反應氣體及稀釋氣體所形成之處理氣體。 做為反應氣體者，係可以使用Ar氣體、He氣體等，通常在 該領域所使用之氣體做為_素系之氣體、稀釋氣體。如此 之處理氣體，由處理氣體供給系23介由氣體供給配管23a、 氣體導入部20a通到淋浴頭20之空間21，並由氣體吐出孔22 吐出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一方面，在室1之上部la之周圍，呈同心狀的配置二 極環磁石24,使其在支撐平台2與淋浴頭20間之空間形成水 平的磁界。從而，在支撐平台2與淋浴頭2〇間之空間，如在 第2圖做為一例所示，藉rf電源丨5形成垂直方向之電界 EL ’且藉二極環磁石24形成水平磁界B。藉如此形成之直 交電磁界生成磁控管放電，藉此可以形成高能源狀態之處 理氣體之電漿，藉該電漿腐蝕晶圓W上之一定之膜。 其次’針對本實施型態之被處理體之溫度調整用氣體 導入系統詳細的加以明。 第3圖為表示在本系統中之氣體導入機構18之一構成 例之圖。該氣體導入機構18之主要構成要素有氣體供給管 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） 11
1258187 五、發明說明（9 線19、壓力控制閥（PCV)34、與滲漏管線37。該氣體供給 管線19，係用以供給來自He供給源31之He氣體，至做為載 置台機能之靜電吸盤6與被吸著保持於該靜電吸盤6之晶圓 W之間；該壓力控制閥（PCV)34,係用以控制流量使被設置 於氣體供給管線19之氣體壓形成一定；該滲漏管線37，係 用以使來自氣體供給管線19之氣體滲漏。尚且，在氣體供 給管線19之壓力控制閥（PCV)34之上游側，由上游側之順 序分別設置閥32、過濾器33，在壓力控制閥（pcV)34之下 流側設置閥3 5。 壓力控制閥（PCV)34，係如第4圖所示，由測定通流氣 體供給管線19之氣體的壓力之壓力計，例如電容壓力計 (CM)41、流量調節閥，例如壓力閥42、流量計43、與控制 流量調節閥之壓力閥42之控制器36等一體化所構成。而 且，依據以電容壓力計（CM)41測定之He氣體的壓力，控制 器36，藉例如PID控制控制壓力閥42並控制He氣體流量， 使氣體壓形成一定。 在靜電吸盤6之載置面，如第3圖所示，形成多數之氣 體吐出孔45。通過氣體供給管線19，以一定之壓力通流之 He氣體，係被導入介由此等氣體吐出孔45之靜電吸盤6之 載置面，與被吸著載置於其上面之晶圓w間之微小空間。 此時之氣體壓，係在靜電吸盤6之載置面與被吸著載置於其 上面之晶圓W之間形成均一之厚度的空間之值。 另外，滲漏官線37，係被由氣體供給管線19之途中分 歧設置，在該滲漏管線37設置2段流量可變閥38。該滲漏管
請 先 閱 讀 背_ 面 之 注 意 事 項 再_ 填響 寫裝 本衣 頁I 1Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 12 1258187
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本紙張尺度巾® _標準（CNS)A4規格（210 線37，係在腐蝕處理中介由氣體供給管線19，以一定壓力 供給He至晶圓W的裡面之際，具有藉電容壓力計41的誤差 在氣壓太高之際進行壓力微調整之機能，及在處理終了後 將晶圓W裡面之He氣體抽成真空之機能，但處理中做為滲 漏官線使用的場合，則小流量即可，由於抽成真空之際需 要大/;IL i ’所以使用具有對應小流量之氣體導入管線39與 對應大流量之氣體導入管線4〇之2段流量可變閥3 8，藉替換 此等使必要流量之氣體流動。若關閉此等2個之氣體閥的 話’則滲漏管線37形成關閉狀態。 其次’在如此構成之磁控管電漿腐蝕裝置中，針對其 處理動作加以說明。 首先，將閘閥13置於開的狀態，藉未圖示之搬送機構 將晶圓W搬入室1内，被載置於支撐平台2後，對比搬送機 構關閉閘閥13。與此同時，支撐平台2上升至圖示之位置， 藉排氣系12之真空幫浦經由排氣通道排出室1内之氣體。 而且’室1内形成一定之真空度後，來自處理氣體供給 系23之一定的處理氣體，以一定之流量被導入室1内，在該 狀態’周波數例如為13.56MHz、電力例如為1〇〇〇〜5000W 之高周波電力，由RF電源15被供給至支撐平台2，在上部 電極之淋浴頭2 〇與下部電極之支撐平台2之間形成電界。此 時’一定之電壓由直流電源丨6印加至靜電吸盤6之電極6a， 晶圓W，係藉例如庫侖力被吸著保持。另一方面，藉二極 磁石24 ’在淋浴頭2〇與支撐平台2之間形成水平磁界。 從而’在晶圓W存在之處理空間形成直交電磁界，依 297公釐） 閱 讀 背' 面 之 意 事 項 再_ 填· 禽穿： 頁i
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據藉此所產生之電子偏移生成磁控管放電。而且，藉該磁 控管放電，可以形成高能源狀態之處理氣體之電漿，依據 该電漿形成於晶圓W上之一定的膜被腐|虫。 由於藉如此形成之電漿可以防止晶圓W的溫度的上 升，所以在腐蝕處理中導入冷煤至支撐平台2的冷煤室17， 同日寸藉氣體導入機構18 ’使其冷熱有效的傳達至晶圓w， 將He氣體導入靜電吸盤6之載置面與晶圓的裡面之間做為 冷卻媒體。 此時，在本實施型態，在氣體導入機構18之氣體供給 管線19不設置質量流控制器，而設置壓力控制閥 (PCV)41，而該壓力控制閥（PCV)41，係由測定通流氣體供 給管線19之氣體的壓力之壓力計，例如電容壓力計 (CM)41、流量調節閥，例如壓力閥42、流量計43、與控制 器36等一體化所構成。依據以電容壓力計（(：]^)41所測定之 He氣體的壓力，控制器36，藉例如pm控制控制壓力閥42， 以控制He氣體流量使氣體壓形成一定。為此，與使用質量 流控制器之習知的機構互異，藉控制器36全開流量調節閥 之壓力閥42，可以迅速的供給氣體到達所設定之壓力。而 且，在到達設定壓力後，由於藉控制器36控制壓力閥42， 以控制He氣體之供給量，所以可以供給約略必要份之取 氣體，可以顯著的減少浪費排出之氣體的量。另外，質量 流控制器為大型’而且在使用質量流控制器的場合，控制 ，有其必要’但在本實施型態，不使用如此之質量流控制 器’由於控制閥也變成不要’所以該導人機構18也就變成 本紙張尺度顧巾國國家標準（CNS)A4規格（2K) X 297公
請 先 閱 讀 背- 之 注 意 事 項赢 再_ 填· 寫裝 本衣 頁I 訂' 14 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1258187 A7 ______ B7 五、發明說明（l2) 可以比習知之氣體導入系統還小型化。更進一步，配管系 也變成比習知更為簡單。 也就是’如第5圖所示，習知之氣體導入機構30，係在 氣體供給管線19a設置有控制閥51與質量流控制器 (MFC)52，以一定流量流過He氣體，藉設置於排出管線％ 之壓力控制閥（PCV)58，介由排出管線56控制排出之He氣 體量，使設置於氣體供給管線19a之電容量壓力計53之壓力 值形成一定值。 該構造的場合，習知係供給2xi(r2L/min之氣體，He 氣體由晶圓w的滲漏量作成lxl(r3L/mil^^，形成捨棄 1.9xl(T2L/min之He氣體。另外，所謂該排出管線56，係有 必要個別的設置過程終了之抽成真空管線6〇。如此，習知 之氣體導入機構30,由於設置有質量流控制器（1^^(：)52導 入一定量之He氣體，所以氣體的浪費較多。另外，由於大 型且控制閥5 1設置必要之質量流控制器（MFC)52，對於機 構變成大型且複雜，在上述之本實施型態之氣體導入機構 18，可以解除如此之問題。尚且，第5圖中之參照符號54、 57、61為設置於各管線之閥。 另外，藉使用上述氣體導入機構18，可以檢出由晶圓 W的裡面之滲漏。在如第6圖所示之構成例中，在氣體供給 管線19充填He氣體，關閉壓力閥42、2段可變閥“後，氣 體管線中在如圖中粗黑線所示領域，氣體變成被封入狀 態。此時，藉晶11W與靜電吸盤6之間之滲漏狀態，電容量 壓力計（CM)41所示之壓力，係形成如第7圖所示之一例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（2g 297公---------- (請先閱讀t面之注意事項再填寫本頁)
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1258187 -W.、 發明說明（Μ) :變=簡:用2段可變閥方面，㈣以1條管線就可以完 二使:7電容量壓力計與壓力 要士 土刀技制閥，但不限定於此即使個別設 ^可。做為Μ力計也不限定於上述電容錢力計，可以 用各種之Μ力計，做為流量調節閥也不限定於廢力闕， 例如即使有螺線管亦可。 更進’y在上述實施型態，表示了針對使用He氣體 :文為Λ體的场合’但不限定於此可以使用Ar氣體與N2氣體 等之其他氣體。但是由於He之熱傳導性較高所以較好。 更進一步，在上述實施型態，將本發明適用於磁控管 電漿腐姓裝置’表示了針對供給氣體用以冷卻晶圓之的場 合，但不限定於此，树明在熱傳達媒體極少之真空處理 I置中，被處理體與載置台之間之熱傳達可以適用於必要 之所有的場合，例如也有可能藉處理加熱載置台，將其熱 傳達至被處理體的場合，即使在該場合亦可適用本發明。 可以舉出化學蒸著處理（CVD)做為其例。 6 圓 示 更進一步，另外，在上述實施型態，設置靜電吸盤^ 於支撐平台2做為載置台，表示了針對藉吸盤6保持被處理 體的場合，但並不限定於此，即使使用機械的挾持機構作 保持亦可。更進一步，另外，表示了針對使用半導體晶 做為被處理體的場合，但並不限定於此，即使為液晶顯 裝置（LCD)基板等之其他之被處理體亦可。 如以上之說明，若依據本實施型態由於設置有··一壓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 1258187 五、發明說明（15) 之 力汁用以測疋珂述氣體供給管線之壓力；一流量調節閥， 用以被設置於前述壓力計之上游側之氣體供給管線^ J 、星，及，控制裝置，用以控制前述流量調節閥， 述壓力計所敎之Μ力形成設定壓力。所以與使用 質I流之習知機構互異，藉控制裝置全開流量調節閥，可 =迅速的供給氣體到達到設定壓力為止。而且，達到設定 壓力之後，由於藉控制裝置控制流量調節閥控制氣體之供 給里，所以可以僅供給約略必要份之氣體，可以顯著的減 少浪費排出之氣體的量。 另外’由於不使用如習知之需要控制閥且大的機構之 質量流控制器，所以形成氣體導入系統全體可以小型化， 同時為了減少零件點數可以謀求成本的降低。 更進一步，藉本實施型態之氣體導入系統，關閉流量 調節閥，若將由氣體供給管線之前述流量調節閥到載置台 之載置面之間作成閉塞狀態的話，由於若發生滲漏的話藉 壓力計檢出之氣體供給管線之壓力降低，所以藉檢出壓力 計之壓力可以有效的檢出載置台與被處理體之間之氣體渗 漏。 消 在如以上所說明知本實施型態之溫度調整用氣體導入 系統中，由於設置有一壓力計，用以測定前述氣體供給管 線之壓力；一流量調節閥，用以調節被設置於前述壓力計 之上游側之氣體供給管線之氣體流量；及，一控制裝置， 用以控制前述流量調節閥，使依前述壓力計所測定之壓力 形成設定壓力。所以與使用質量流之習知機構互異，藉控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） A7 濟 部 智 慧 財 員 工 消 費 1258187 五、發明說明（16) 制裝置全開流量調節閥，可以迅速的供給氣體到達到嗖定 壓力為止。而且，達到設定壓力之後，由於藉控制裝置控 制流量調節閥控制氣體之供給量，所以可以僅供給約略必 要份之氣體’可以顯著的減少浪費排出之氣體的量。另外， 由於不使用如習知之需要控制闊且大的機構之質量流控制 器，所以形成氣體導入系統全體可以小型化，同時為了減 少零件點數可以謀求成本的降低。 另外，溫度調整用氣體導入系統，具有一氣體供給管 線，用以供給氣體至前述載置台與被保持於載置台之被處 理體之間；一壓力計，用以測定前述氣體供給管線之壓力； 一流量調節閥，用以調節被設置於前述壓力計之上游側之 氣體彳/、給f線之氣體流量，在構成控制流量調節閥使藉壓 力计測定之壓力形成設定壓力的場合，關閉流量調節閥， 若將由氣體供給管線之前述流量調節閥到載置台之載置面 之間作成閉塞狀態的話，由於若發生滲漏的話藉壓力計檢 出之氣體供給管線之壓力降低，所以藉檢出壓力計之壓力 可以有效的檢出載置台與被處理體之間之氣體滲漏。 <產業上利用的可能性> 本發明係在真空下保持被處理體之載置台之載置面與 其被處理體之裡面之間，在供給氣體之際可以使氣體壓力 不/良費且在短期間達到一定值，且為一種可以小型化之被 處理體之溫度調整用氣體導入系統。 该溫度調整用氣體導入系統，係適用於在真空下對被 處理體實施處理之真空處理裝置，在保持其裝置内之被處 本紙張尺度—_ 家標準（CNSM4規格m〇 x 297公爱
I 1258187 A7 ------^^ B7 五、發明說明（17) 理體之載置台之载置面與被處理體之裡面之間，通過氣體 供給管線’將被溫度管理之氣體流到處理體之溫度調整 用’依據壓力計所測定之氣體供給管線之測定壓力，流量 调即闊被控制裝置所控制，對氣體供給管線之氣體流量增 加其流量到達形成設定壓力為止，在達到設定壓力之後進 打調整流量之必要量，在短時間可以使氣體壓力達到一定 值’且藉氣體之浪費較少之簡易的構造謀求小型化。 (#*先閱讀f-面之注意事項再填寫本頁) - ·裝--------訂---------· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1258187 A7 B7 五、發明說明（18) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 元件標5虎對照 1…室 30···氣體導入機構 ： 2···支撐平台 3l〜He供給緣 j 3…絕緣板 j 32、35、72、74…閥 : 4…支撐台 \ 33···過濾器 \ 5…聚焦環 34…壓力控制閥（pcv) ； 6···靜電吸盤 36···控制器 ： 7···球形螺栓 37·.·滲漏管線 ‘ 8…波紋管 38···2段流量可變閥 9···波紋管蓋 39···小流量氣體導入管線 10···阻流板 40…大流量氣體導入管線 U···排氣通道 4卜··電容壓力計（CM) 12…排氣系 42…壓力閥 13···閘閥 4 3…流量計 15"，RF電源 45…氣體吐出孔 16…直流電源 51…控制閥 17…冷煤室 52···質量流控制器（MFC) W…氣體導入機構 56···排出管線 19…氣體供給管線 58…壓力控制閥 20…沐浴頭 60···真空管線 21···空間 71···第1管線 23···供給系 73···第2管線 24···二極環磁石 f 意事頃再滇寫本頁) 裝------ 訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 21

Claims (1)

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tv1 申請專利範圍 第90112906號專利申請案申請專利範圍修正本92年12月31曰 1· 一種被處理體之溫度調整用氣體導入系統，係用以在真 I 空下將用於調整溫度之氣體導入於一用於保持被處理 體的載置台以及該載置台之載置面和被保持於該載置 台上之前述被處理體背面之間； 該溫度調整用氣體導入系統包含有： 一氣體供給管線，係用以供給氣體至前述载置台與 被保持於载置台上之被處理體之間； 一壓力計，係用以測定前述氣體供給管線之壓力； 一流量調節閥，係設置於前述壓力計之上游側，用 以調節氣體供給管線之氣體流量； 控制裝置’係用以控制前述流量調節閥，使依前 述壓力計所測定之壓力形成設定壓力；及，· /參漏管線，係用以使氣體由前述氣體供給管線滲 漏。 2·如申請專利範圍第丨項之被處理體之溫度調整用氣體導 入系統，其中前述壓力計與前述流量調節閥係一體化而 構成壓力控制閥。 3 •如申請專利範圍第1項之被處理體之溫度調整用氣體導 入系統，其中前述滲漏管線係構造成可將流量切換成至 少2階段。 4.如申請專利範圍第1項之被處理體之溫度調整用氣體導 入系統，其中前述滲漏線具有至少2條流量不同之管線 〇 ^( &iT) A4規格（ -:~22~：-—— 川，.nj J^l s修¾^ Λ BCD 申請專利範圍 5. 一種氣體導入方法，係用於調整被處理體之溫度的氣體 導入糸統中’該溫度調整用氣體導入系統係經由氣體供 給管線而將用於調整溫度之氣體導入載置台以及該载 置台之載置面和被處理體背面之間，而前述載置台係搭 載於一用以在真空下對被處理體施以處理之真空處理 裝置中，且設於該真空處理裝置之室内，俾用以保持被 處理體； 該氣體導入方法係，測定氣體供給管線的壓力，並 &制别述軋體供給管線之氣體流量，俾使前述氣體供給 官線之壓力形成設定壓力，而該氣體供給管線係用以將 氣體供給於前述載置台與被保持於載置台上之前述被 處理體之間者。 6·種氣體滲漏檢出方法，係使用被處理體之溫度調整用 氣體導入系統者，該氣體導人系統係經由氣體供給管線 而將用於調整溫度之氣體導入於載置台以及該載置台、 之载置面和被處理體背面之間，並藉由設於前述氣體供 口 &線上之壓力計及流量調節閥而使前述氣體供給管 線Hx定壓力’又’前述載置台係搭載於—用以在真 空下對被處理體施以處理之真空處理裝置中，且設於該 /、工處理凌置之室内，俾用以保持被處理體； 1 U亥氣體V入方法係、，關閉前$流量調節目，俾使由 '述氣體t、給官線上之前述流量調節閥至前述載置台 、置面之間呈現閉塞狀態，並在該狀態下，依前述壓 出之氣體供給管線之壓力而檢測出前述載置台 (CNS ) A4規格（2ΐ〇χ：2[ 2Τ 申請專利範圍 與被處理體之間之氣體滲漏。 7· —種被處理體之溫度調整用氣體導入系統，係用以將溫 度調整用氣體導入於載置台以及該載置台之載置面和 被處理體背面之間，而前述載置台係搭載於一用以在真 空下對被處理體施以處理之真空處理裝置中，且設於該 真空處理裝置之室内，俾用以保持被處理體； 該溫度調整用氣體導入系統包含有： 一氣體供給管線，係用以供給氣體至前述載置台與 被保持於載置台之被處理體之間； 一壓力計，係用以測定前述氣體供給管線之壓力； 一流量調節閥，係設於前述壓力計之上游側，用以 調節氣體供給管線之氣體流量； 一控制裝置，係用以控制前述流量調節閥·，俾使依 前述壓力計所測定之壓力形成設定壓力；及， 一滲漏官線，係用以使氣體由前述氣體供給管線滲 漏。 8·如申請專利範圍第7項之溫度調整用氣體導入系統，其 中剛述壓力計與前述流量調節閥&係一體化而構成壓力 控制閥。 9·如申請專利範圍第7項之溫度調整用氣體導入系統，其 中如述滲漏管線具有至少2條流量不同之管線。 1〇·如申請專利範圍第7項之溫度調整用氣體導人系統，其 中則述滲漏管線係構造成可以將流量切換成至少2階段
】(:以297公釐） Λ BCD 1258187 '入l 六、申請專利範圍 11.如申請專利範圍第7項之溫度調整用氣體導入系統，該 溫度調整用氣體導入系統係搭載於一對被處理體進行 處理時需加以冷卻之真空處理裝置中。 本紙张尺度適用中g國家標準（CNS )八4規格（210X297公H = ~~25 :
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