TWI257625B - High-density disk forming method - Google Patents

Description

1257625 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係提供一種高密度碟片成型方法，尤指一種利用 奈米轉印的方式搭配高平整度基材來開發碟片複製技術， 以製作出具有低碟片翹曲和高結構複製率的高密度碟片， 以符合未來高密度碟片（30Gb/in2)之應用。 【先前技術】 隨著數位資訊和網際網路的蓬勃發展，使得所需儲存的 資料量急劇地增加，相信在可預見的未來，容量高達 25GB〜100GB的光碟片也即將問世。此外，為了能讀取 25GB〜100GB光碟片上的奈米級記錄點(小於1〇〇_，勢必 採用能突破遠場繞射極限的近場光學讀取頭，然而使用近 場光學讀取頭的先決條件，在於維持其與光碟片間的近場 距離(距離遠小於所使用的光波長)，故其對成形後碟片翹曲 的誤差量(即碟片平整公差)的要求，已達到傳統使用射出成 型來製作光碟片的極限，故急需發展新一代具有高平整度 的光碟片成型技術。 在美國專利US6,518，189中，係揭露一種熱壓成型製作 光碟片的方法，其係使用14〇°c〜170°C的高溫及Mpa以上 的高壓來進行資料圖案的轉移，以克服傳統使用射出成型 來製作光碟片的極限。 但綜觀以上所述，習用之光碟片成型技術，至少存在以 下缺點： 5 1257625 -、需要高溫、高壓使製程的複雜度上昇，進而增加製作 所需成本，降低市場競爭力。 二、 基板容易於製作時變形，進而影響光碟片的平整度， 使成品的良率下降。 lx 三、 高溫、高壓所需之設備較一般設備昂責，且 一般設備大，因此維修頻率高，進而增加成本。、乂 【發明内容】 爰是，有鑑於習知技術之缺失，本發明之主要目的在於 提供一種而密度碟片成型方法，可於常溫、常壓下搭配紫 外光曝光完成圖案轉印，可有效降低製程複雜度，增加產 品可靠度。 本發明之次要目的在於提供一種高密度碟片成型方 法’可製作dj具有低碟>^曲和高結構複鮮的高密度光 碟片。 本發明之另一目的在於提供一種高密度碟片成型方 法，只需使用常溫、常壓的設備，即可製作高密度的光碟 片，故設備較不易損耗，以有效降低設備維修成本。 本發明之又一目的在於提供一種高密度碟片成型方 法，可有效避免資料讀取時，超過近場讀取距離範圍。 為達上述目的，本發明提供一種高密度碟片成型方法， 其實施步驟係包括有：提供具有一凸版結構之碟片母模及 一基板’其中母模或基板對於紫外光而言必須是透明的， 其中該凸版結構係具有一資料圖案；塗佈一脫模層於該凸 1257625 版結構上，再塗佈一紫外光硬化層於該基板上；將該凸版 結構與該紫外級化層對準靠合進行該資料圖案轉印，並 同時施予紫外光曝光；脫模絲單層碟#結構；在該單層 碟片結構上，重複塗佈紫外光硬化層（含）以後的步驟， 則可形成多層碟片結構。 【實施方式】 為使貴審查委員能對本發明之特徵、目的及功能有 更進一步的認知與瞭解，茲配合圖式詳細說明如後。 請參閱圖一 A至圖一 D所示，其係為本發明較佳實施 例之實施步驟示意圖： 如圖一 A所示，首先製作碟片母模1 (mold)，其係可為 石夕基板、玻璃基板、金屬基板、陶瓷基板、高分子基板 或其組合。此高密度之碟片母模1可以使用準分子雷射 刻版(LBR)，或電子束直寫刻版(EBR)，或其它各種不同 的刻版方式來製作其上的凸版結構10 ( molding features )，其中該凸版結構1〇的特徵尺寸可由 10nm〜500nm，且該凸版結構1〇之間距可從 10nm〜500nm，該凸版結構之深寬比可從〇·ΐ〜1〇，且其係 具有欲儲存之資料内容，經過編碼技術，轉換為數位式 凹凸起伏之資料圖案（代表0與1)。 (b)如圖一 B所示，塗佈一脫模層2 (release layer)於凸版 結構10上，此脫模層2須與紫外光硬化層3 (UV_curing resist layer)有著弱表面能，以確保後續脫模製程能順利 1257625 ，模，其成分通常是：含鐵氟龍成分之高分子材料或含 氣化石夕成分之南分子材料。其中，該紫外光硬化層3係 對330〜400nm、i-line波段之紫外光會產生高分子鍵交鍵 硬化作用，其係可使用旋塗法（spin c〇ating)或點滴法 (dispensing)等方式，塗佈於準備好的一具高度平整性 之基板4上，該基板4係可為矽晶圓、玻璃材料或一已 作過平坦化處理之基板；且在基板4全域平整性上，其 TTV (total thickness variation)需達到近場光學讀取頭之 讀取標準。 (c) 如圖一 C所示，在室溫下，將碟片母模丨下壓至基板4, 亦即將該凸版結構10與該紫外光硬化層3對準靠合進行 負料圖案轉印，並同時施加一紫外光5曝光，此時紫外 光硬化層3受紫外光5影響產生高分子鍵交鏈硬化作· 用，並且隨著碟片母模i上的凸版結構1〇硬化成型。在 壓印時，不需對碟片母模1施加大壓力，使其下壓至與 基板4接觸，其壓力為5Ν至45N間，並可由碟片母模 1與基板4之間的壓力，來判斷凸版結構1〇與紫外光阻 層3間疋否有完全接觸。 (d) 如圖一 D所示，移開碟片母模1，並完成資料圖案從碟 片母模1轉印至基板4上，因碟片基板由聚碳酸脂 (polycarbonate)射出成型改用高平整度基板上結構轉印 的技術，其係為一對一的結構轉印，而不會有因基板翹 曲’導致超過近場讀取距離範圍的問題。當然，可以重 複以上的製程步驟，以形成複數層資料圖案結構，以獲 1257625 得更高容量的光碟片。 在以紫外光曝光硬化，主要是看施加之紫外光的強度， 其較佳之值為75mW/cm2以上。在此轉印的過程中，碟片 母模和基板壓印時之平行度為一重要之製程參數，我們可 以壓印元成後之殘餘阻劑厚度（residual layer thickness )來 判斷之，實驗中顯示一較佳之值約為UOnm，而實際之值 則需參考基板之面積大小、阻劑點滴量…等因素。如殘餘 阻劑厚度在基板上分佈不均勻（即各點之量測值有很大之 起伏）且呈現一明顯上升或下降趨勢，則明顯可推斷母模 和基板在壓印時沒有保持平行；如殘餘阻劑厚度在基板上 分佈呈現一不均勻且亂數分佈之趨勢，則可推斷為母模或 基板本身表面之平整度不夠。 综上所述，本發明乃一種高密度碟片成型方法，可於常， 溫、常壓下搭配紫外光曝光完成圖案轉印，製作出具有低 碟片翹曲和高結構複製率的高密度光碟片，並有效避免資 料讀取時，超過近場讀取距離範圍，進而效降低製程複雜 度，增加產品可靠度；惟以上所述者，僅為本發明之較佳 實施例，當不能以之限制本發明的範圍，熟悉此領域技藝 者於領悟本發明之精神後，皆可想到變化實施之，即大凡 依本發明申請專利範圍所做之均等變化及修飾，仍將不失 本發明之要義所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故都 應視為本發明的進一步實施狀況。 综上所述，本發明於習知技術領域上無相關之技術揭 露，已具新穎性；本發明之技術内容可確實解決該領域之 1257625 問題’且方法輕屬雜據習知技藝㈣於絲者，其功 效性業已轉述’實具進步性，誠已符合補財所規定 之發明專利要件’謹請貴審查委員舒審視，並賜准專 【圖式簡單說明】 圖一A至圖一 D 圖。 圖號說明： 1- 碟片母模 2- 脫模層 4-基板 係本發明較佳實施狀實施步驟示意 10_凸版結構 3_紫外光硬化層 5_紫外光

Claims (1)

1257625 拾、申請專利範圍： h —種高密度碟片成型方法，其步驟係包括有： (a) 提供具有一凸版結構之碟片母模及一基板，其中該母 模和該基板可被紫外光穿透，且該凸版結構係包含一 資料圖案； (b) 塗佈一脫模層於該凸版結構上； (c) 塗佈一紫外光硬化層於該基板上；以及 (d) 將該凸版結構與該紫外光硬化層對準靠合進行該資料 圖案轉印，並同時施加一紫外光固化； (e) 脫模完成該資料圖案轉印。 2·如申請專利範圍第1項所述之一種高密度碟片成型方 法，其中於步驟⑻後更包括有： (f) 重複步驟(c)至步驟(e)，以形成複數層資料圖案結構。 3·如申請專利範圍第1項所述之一種高密度碟片成型方 法’其中該凸版結構的特徵尺寸為10nm〜500nm。 4·如申請專利範圍第1項所述之-種高密度碟成型方 法’其中該凸版結構間距為l〇nm〜500nm。 5·如申請專利範圍第丨項所述之—種高密度碟片成型方 法’其中該凸版結構之深寬比為0·^^。 6·如申靖專利範圍第1項所述之一種高密度碟片成型方 法，其中該碟片母模的材料係可為矽、玻璃、金屬、陶 竟與局分子中之一者。 7·如申請專利範圍第1項所述之-種高密度碟片成型方 法，其中該母模之凸版結構圖案，係可由準分子雷射刻 1257625 版(LBR)、電子束直寫刻版(EBR)或離子束刻版(IBR)製 成。 8·如申請專利範圍第1項所述之一種高密度碟片成型方 法，其中步驟(b)脫模層係可為含鐵氟龍之高分子材料或 含氮化矽之高分子材料。 9·如申請專利範圍第1項所述之一種高密度碟片成型方 法，其中該基板的材料，係可為矽、玻璃與高分子中之 一者。 10·如申請專利範圍第丨項所述之一種高密度碟片成型方 法’其中步驟⑹中塗佈係可用旋塗法(Spin C〇ating)或點 滴法(dispensing)。 11·如申請專利範圍第1項所述之一種高密度碟片成型方 法’其中步驟(d)中靠合所施加之壓力為5N至45N間，* 溫度係為室溫。 12·如申請專利範圍第1項所述之一種高密度碟片成型方 法’其中步驟(d)中該紫外光強度為75mW/cm2以上。