TWI247554B - Using a multichannel linear laser light beam in making OLED devices by thermal transfer - Google Patents

Description

1247554 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術領域 本發明係關於將有機材料沉積在用於製造有機發光二 極體（OLED)裝置之基材上。 在具有彩色像素（如紅色、綠色、及藍色像素（通稱之為 RGB像素）陣列之彩色或全彩有機電致發光（EL)顯示器中 ,需要產生色彩之有機EL介質之精確成像，以產生R(}B 像素。基本之有機EL裝置通常具有陽極、陰極、夾在陽 極及陰極間之有機EL介質。該有機EL介質可包含一層或 多層有機薄膜，其中之一層主要可反應產生光或電致發光 。該特殊之層一般稱之為有機EL介質之發光層。有機U 介質中存在之其他有機層主要可提供電轉移功能，如孔洞 傳迗層或電子傳运層。形成全彩有機EL顯示板中形成 使有機EL介質或全部 RGB像素中，需要設計一種方去 有機EL介質之發光層精確成像。 一缺點為遮蔽之孔會隨著時 插入孔造成在EL顯示器上不期 δ期望增加基材尺寸時，操作投 像素並不容易β投影遮蔽法之另 通常，電致發光像素係在 成，如US-A-5,742，129中所示 缺點。使用投影遮蔽不容易 者，基材及投影遮蔽間之對 當之位置形成相當必要。 影遮蔽以形成適當位置之 雨板上，藉由投影遮蔽技術形 。雖然此方法有效，但有許多 達到像素尺寸之高解析度。再 準亦有問題，且對於像素在適 間而變得可插入。遮蔽上之可 望之非功能化像素之結果 1247554 (2) 明缜爾 投影遮蔽法之另一問題為當製造el裝置時，其一面之 尺寸超過數英吋會變得尤其明顯。其相當不容易製造具有 精確形成EL裝置所需精確度之較大投影遮蔽。 使高解析度有機EL顯示器成像之法已經揭示於Fleming 及其他認之共同讓渡US_A-5,851，709中。該方法包括下列順 序之步驟：丨）提供具有第一及第二表面之供體基材；2) 在基材之第一表面上形成光穿透、絕熱層；3)在絕熱層上 y成光吸收層，4)提供具有由第二表面開口延伸至絕熱層 <陣列之基材；5)在光吸收層上提供可轉移、呈色之有機 供體層；6)依基材裝開口及裝置上相對應之彩色像素間之 疋向關係精確的對準供體基材與顯示器基材；及7)使用輕 射源’在開口上之光吸收層處產生足夠之熱，造成供體基 材上足有積層轉移至顯示器基材。Fleming及其他人方法之 問題為需要在供體基材上之一列開口成像。此會產生許多 與投影遮蔽法相同之問題，包含供體基材及顯示器基材間 需精確的機械對準。另一問題為供體圖案固定，且無法快 速改變。 使用未成像之供體片及精確之光源（如雷射）可消除成 像供體所見之部分困難度。該方法係揭示於Littman之共同 讓渡之US-A-5,688,55 1及Wolk與其他人之一系列專利 (US-A-6,1 14,088 ； US-A-6，140,009 ; U S-A-6,214,520 ；及 US-A-6,221，553)中。較後面之專利教示一種方法，該方法 可藉由將供體與雷射光之選擇部分加熱，改變供體片之 EL裝置發光層對基材之黏著力轉移。雖然此為有用之技 1247554 (3) 發明被骑赛有1 術，但將其用於EL裝置之大規模製造上困難度極高。為 了在合理時間（數分鐘）内製造包含數千（甚至數百萬）三色 像素之EL裝置，因此需要在二次元極快速移動之雷射束 。此會增加對準之問題，亦會因為快速移動機械之震動， 造成對不準之可能性增加。另一缺點為快速移動雷射束需 要使在欲轉移各點上之停留時間極短，另需要極高功率之 雷射。 曾測定合併短停留時間及高功率會造成供體材料不均 勻之濺射及相互作用之問題，且無法均勾的藉由蒸發或昇 華製程轉移材料。該方法另外會因雷射之旋轉對稱高斯分 布之不均勾加熱供體材料，使供體材料不均勾轉移；亦即 雷射中心之強度較大，且因此會造成比雷射束邊緣更多材 料之轉移。 因此，本發明之目的係提供一種藉由快速方式之供體轉 移在EL裝置上形成層狀物，同時消除因在供體基材上短 雷射駐留時間造成之問題。 該目的係藉由將有機層沉積在製造OLED裝置之基材上 之方法達成，包括之步驟為： (a) 提供一種具有與OLED基材轉化關係之可轉移有機 材料之供體元件； (b) 形成實質上均勻之直線雷射光束； (c) 提供回應直線雷射光束且適於形成多通道直線雷 射光束之立體光調節器； (d)獨立調節選擇之通道，形成一或多種雷射光束段， 1247554 , … (4) 發明桃明、續貢: 其中各段均包含一或多道雷射光束通道，且另外其中之雷 射光束段在第一方向具有實質上正方形之強度輪廓，且在 與第一方向垂直之第二方向上具有實質高斯（Gaussian)強 度輪廓，且係引導到供體元件上；及 (e)因調節之光段產生熱，使有機材料熱轉移至基材之 選擇表面上之供體元件。 本方法之優點為可快速製造高品質電致發光版。整體供 體轉移時間會減低，同時不會降低駐留時間，且因此維持 蒸發或昇華區中之材料移轉，且可大幅降低或消除供體材 料轉移之濺射。該方法之另一優點為雷射光束段在一方向 實質均勻（例如非高斯）之強度輪廓可維持沉積層在像素 寬度上之較大均句度。另一優點可消除投影遮蔽之需求以 及其應用上之所有問題。本方法之另一優點為可在大EL 面板上維持EL點之精確度，其對現有方法而言為困難甚 至不可能。另一優點為該方法可快速且輕易的放大至任何 尺寸之EL面板及/或不同像素尺寸，而不需等待製造不同 尺寸之投影遮蔽。另一優點為該方法可用於列印極小發射 之像素（5至10微米），其以投影遮蔽技術不容易甚至不可能 達成。 因為裝置特性尺寸如層厚度通常為次微米，因此圖示為 放大圖以利觀看，其尺寸並不精確。 “顯示器”或“顯示面板”係指電子式顯示電視影像或文 字之銀幕。“像素”依其技藝上已知之應用係指可與其他區 獨立激發發光之顯示板區。“OLED裝置”一詞一顯示器裝 1247554 ,_ (5) 聲取黎辨績頁

置之技藝已知之意包括有機發光二極體，如像素。彩色 〇LED裝置一般發出二種或多種色彩之光。“薄膜” 一詞係 用於敘述可在不同區中發出不同色彩之光之顯示板。尤其 ，其係用於敘述可顯示不同色彩影像之顯示板。此等區並 不需相鄰。“全彩”一詞係用於敘述可發出可見光譜之紅、 綠、及藍色區，且一任何色彩之結合顯示影像之多色顯示 板。紅、綠及藍色區構成三種主要顏色，大部分其他顏色 均可藉由使此等三原色適當的混合產生。“色彩”一詞係指 可見光譜中光發射之強度分布，不同色彩呈現目視可辨識 之顏色差異。像素或次像素一般係指顯示板中最小可辨識 之單元。針對單色顯示器，像素或次像素間並沒有分別。 “次像素” 一詞有時用於多色顯示板，且係指可獨立循址發 出特定顏色之任一部份像素。例如，藍色次像素為可發出 藍光之部分像素。全彩顯示器中，像素通常包括三原色次 像素，亦即藍、綠及紅光。該說明書中，“像素”及“次像 素”可交互使用。“間距”係指顯示板中二像素或次像素 分離之距離。因此，次像素間距意指二次像素間分離之距 離。 回到圖1，顯示適用於本發明之雷射列印頭10之放大圖 。該雷射列印頭已經敘述於Ramanujan及Kurtz之共同讓渡 US-A-6，169,565中，其内容在此提出供參考。雷射列印頭 1 0包含雷射光源，其為雷射二極體列11，發光之光學設備 20，立體光調節器40(其在該具體例中為全内反射調節器或 TIR調節器列），其包含許多調節器像素41，及列印透鏡80 -10- 1247554 ⑹ [^剩_ 。其使雷射列印頭10適用於本發明之特徵為丨）發光之光學 設備20將雷射光13轉化成實質均勻之直線雷射束；及2)立 體光調節器40使均勾之直線光束形成多通道直線雷射光 束，其為包含二或多通道之可用於形成光段之雷射，其性 質會更詳細說明。立體光調節器之實例敘述於等共同 讓渡US-A-6,211，997中，其内容在此提出供參考。其包含 許多可獨立循址之像素，使各像素在獨立之相格柵中可^ iL控制多通道直線雷射光束中之各通道，且因此在欲進行 之目標區中照射圖案。 运射列印頭10顯示之結構為雷射源為雷射二極體陣列 11’其包含許多雷射二極體多模發光體12。發光之光學設 備2 0視情況與雷射二極體陣列11結合，形成實質均句之雷 射光束。如Ramanujan及Kurtz所述，此為較佳之結構，因為 多雷射發光體（以發光之光學設備20繪圖以覆蓋均勾雷射 光束之全部表面）提供多餘之.光源’且因此降低系統因任 一獨立雷射二極體多模發光體12故障之敏感性。然而，針 對本發明之目的，雷射列印頭10之另一種結構可包含單一 雷射發光體（未顯示）作為雷射光源。 雷射列印頭10亦可包含例如光纖棱鏡21、雷射棱鏡列24 、結合場棱鏡25、交叉陣列棱鏡27、場棱鏡28、電極43、 列印棱鏡元件81、82、83及立體過濾器90 ’其可包含在 Fourier平面85處之裂縫91。雷射陣列係在影像面100處呈像 ，其可具有供體105。所有此等元件均由Ramanujan及Kurtz 敘述。 -π -

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圖2a顯示均勻直線雷射光束30之剖面圖，如雷射列印頭 10所產生者，但未以立體光調節器40調節器化。均勻之直 線雷射光束30實質上為均勻，意指均勻直線雷射光束30相 對於第一方向32距離之強度（以光強度分布33表示）之改變 不超過+/-50%，且更好為+/10%。均勻直線雷射光束30相對 於與第一方向32垂直之第二方向34距離之強度實質上一 高斯方式變化，其光強度係依與光強度分布38表示之統計 垂直分布極類似之方式分布。圖2a亦顯示直線雷射光束30 之多通道性質，意指均勻直線雷射光束30包含二或多開放 通道3 5，其可以調節器像素4 1獨立調節器化，且因此亦已 知為多通道直線雷射光束。

圖2b顯示均勾直線雷射光束30之剖面圖。其已經以雷射 列印頭10之立體光調節器40調節器化，或切割成一或多段 之光。此係分別以間隔39a及39b分隔之均句直線光束段 30a、3 Ob及3 0c圖示。各直線光束段包含光之一或多通道 ，其中各雷射光束通道係由立體光調節器40中之單獨調節 器像素41衍生。使光通過之通道係以開放之通道3 5顯示。 光段間之間隔39a及39b包含一或多密封通道37。密封通道 37已經調節器化以避免雷射光通過之調節器像素41，但開 放通道3 5已經調節器化，使雷射光通過。 該調節器化之結果為直線雷射光束30在第一方向32上 具有實質正方形強度之分布，如光強度分布36所示。實質 正方形意指分布之上方實質為均勾，且側邊為正方形，但 熟習本技藝者應了解側邊可向下及向外傾斜，形成四不規 -12- 1247554 (8) I 月說明續直 則四邊形結構。直線雷射光束30在第二方向34維持高斯分 布，如光強度分布38所示。 圖3顯示本發明中所用適當供體元件5〇之結構具體例。 供體支撐元件58以可吸收光譜預定部份中之輻射，產生熱 之吸收輻射之材料60均勻塗佈，接著塗佈有機材料56。有 機材料56為可轉移之有機材料，亦即，以輻射吸收材料60 加熱時，可由供體元件50轉移到基材。供體支撐元件58則 包含未轉移表面52，且有機材料56包含轉移表面54。 供體支撐元件5 8可由許多符合至少下列要求之材料之 任一種製成：供體支撐材需足夠可撓，且具有適當之伸張 強度，以承受本發明實務中支撐材支預圖覆步驟及滾筒至 滾筒或堆疊片之轉移。供體支撐材在光熱引發之轉移步驟 過程中需可維持結構整體性，同時在其一面上加壓。且在 任一欲加熱步驟過程中移除揮發性成分如水蒸氣。另外， 供體支撐材之一表面必須可接收相對薄之有機供體材料 之塗層，且在經塗佈支撐材之預計儲存時間内維持該塗層 不劣化。符合此等要求之支撐材料包含例如金屬鉑、特定 之塑膠薄膜、及纖維補強之塑膠薄膜。雖然適當支撐材料 之選擇可使用已知之工程方法，但應了解當用於本發明實 務時，尚需考量經選擇支撐材料優點之特定目的。例如， 支撐材在以可轉移有機材料預塗佈之前，可能需要多步驟 清洗及表面製備製程。若支撐材為可傳輸輻射之材料，則 車义好在支撐材或其表面上加入可吸收輻射之材料，在使用 適當閃光燈或適用雷射之雷射光快速照射時，更有效的加 -13- (9) 1247554 熱供體材料，且提供可轉移有機供體材料由支撐材至基材 相對應提昇之轉移。 吸收輻射之材料60可吸收光譜預定部分之輻射，且產生 熱。吸收輻射之材料60可為染料如共同受讓之US_A. 5,578,4 16中所述之染料，顏科如碳、或金屬如鎳、鈦等。 一般之OLED裝置可含下列層’其一般順序為：陽極、 孔洞射出層、孔洞傳送層、發光層、< 子傳送層、陰極。 此等之任一種或全部均可包含有機材料56’因此形成有機 層。有機材料56可為孔洞射出材料、孔洞傳送材料、電子 傳送材料、發光材料、基質材料、或任何此等材料之結合 。此等材料敘述如下。 孔洞射出（HT)#料 雖然通常並非必要，但在有機發光顯示器中加上孔洞射 出層通常有用。孔洞射出材料可用於改良後續有機層之成 膜性，且協助孔洞射出成為孔洞傳送層。孔洞射出層中所 用適當材料包含（但不限）多氫化合物（如共同讓渡之 US-A-4,720,432中所述），及電漿沉積之氟碳聚合物（如共同 讓渡之US-A-6,208,075中所述）。有機EL裝置中所用另一孔 洞射出材料係敘述於EP 〇 891 121 A1及EP 1，029,909 A1中所 述0 孔洞傳祛（ΗΤΠ材料 用作有機材料5 6之傳送材料通常已知包含於化合物中 ，如芳系三級胺，其中後杳已知為含有至少一個僅與碳原 子結合之三價氮原子之化合物，其至少之一為芳系環。其 -14- 1247554 _ι

⑽ |發明鍊袒續頁S 一形式中，芳系三級胺可為芳基胺，如單芳基胺、二芳基 胺、三芳基胺、或多元芳基胺。單體三芳基胺之實例係由 Klupfel及其他人之3,1 80,730說明。以一或多個乙烯基取代 及/或包含至少一個含活性氫之基之其他適用之三芳基胺 係由Brantley及其他人之共同受讓US-A-3,567,450 &US-A-3,658,520揭示 ° 較佳類型之芳系三級胺為包含至少二芳系三級胺基團 者，如共同受讓之US-A-4,720,432及US-A-5,061，569中所述 。該化合物包含以結構式（A)表示者。 A Ql\ 其中Ql及Q2係獨立選自芳系三級胺基團，且G為連結基 如伸芳基、伸環烷基或碳與碳鍵之伸烷基。依其一具體例 ，Q,或Q 2之至少之一含有多環稠合之環狀結構，例如莕。 當G為芳基時，其一般為伸苯基、聯苯基或伸莕基團。 滿足結構式（A)且含二三芳基胺基團之有用三芳基胺之 種類係以結構式（B)表示： 个2 d Rl — C一R3

B I r4 其中Ri及R2各獨立代表氫原子、芳基、烷基或1^及R2 一起形成環烷基；且 R3及R4各獨立代表芳基，其係依序以二芳基取代之胺基 取代，如結構式（C)所示： 1247554 _ (11) _顯_ 其中R5及116係獨立選自芳基。依其一具體例，115或r6 之至少之一含有多環稠合之環狀結構，例如茶。 另一類型之芳系三級胺為四芳基二胺。較佳之四芳基二 胺包含二個二芳基胺基，如式（C)所示，經由伸芳基鍵聯 。使用之四芳基二胺包含式（D)所示之化合物。

D

其中各Are係獨立選自伸芳基，如伸苯基或伸蒽基團， η為1至4之整數，且

Ar、R7、118及R9係獨立選自芳基。 依一般具體例，Ar、R7、R8、及R9之至少之一為多環稠 合之環狀結構，例如莕。 上述結構式（A)、（B)、（C)、（D)之各種烷基、伸烷基、 芳基及伸芳基基團均可經取代。一般之取代基包含烷基、 烷氧基、芳基、芳氧基、及自素如氟、氣及溴。各種烷基 及伸烷基基團一般含約1至6個碳原子。環烷基基團可含3 至約10個碳原子，但一般含五、六或七個環碳原子一例如 環戊基、環己基及環庚基環結構。芳基及伸芳基基團通常 為苯基及伸苯基基團。 孔洞傳輸層可由單一芳系三級胺化合物或其混合物形 成。尤其，可使用與如式（D)所示之四芳基二胺結合之三 芳基胺，如滿足結構式（B)所示之三芳基胺。當使用三芳 -16- 1247554 (12) iiiiii 基胺與四芳基二胺合併時，後者係以插在三芳基胺及電子 射出與傳輸層間之層配置。所用芳系三級胺說明如下： 1，1-雙（4_二-對-甲苯基胺基苯基）環己烷 1,1-雙（4-二-對-甲苯基胺基）-4-苯基環己烷 4,4’-雙（二苯基胺基）四苯基 雙（4-二甲基胺基-2-甲基苯基）-苯基甲烷 N，N，N-三（對-甲苯基）胺 4-(二-對-甲苯基胺基）-4^[4-(二-對-甲苯基胺基）苯乙烯 基]芪 ^^•-四-對-甲苯基-4,4’-二胺基聯苯 N，N，N’，N’-四苯基-4,4^二胺基聯苯 N-苯基芊唑 聚（N-乙晞基芊唑），及 Ν，Ν·-二-1-莕基-N，N、二苯基-4,4’-二胺基聯苯 4,4’-雙[N-(l-莕基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4”-雙[N-(l-莕基）-N-苯基胺基]-對-聯三苯 4,4·-雙[N-(2-莕基）-N-苯基胺基]聯苯 雙[N-(3-苊）-N-苯基胺基]聯苯 1，5-雙[N-(l-莕基）-N-苯基胺基]莕 4,4f-雙[N-(9-蒽基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4”·雙[N-(l-蒽基）-N-苯基胺基]-對-聯三苯 4,4·-雙[N-(2-菲基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(8·氟E基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[Ν-(2-芘基）-Ν-苯基胺基]聯苯 •17- 1247554 _ (13) 發明碑明績f; 4,4’-雙[N-(2-莕並莕基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4'-雙[N-(2-茈基）-N-苯基胺基]聯苯 4,4’-雙[N-(l-六苯並苯基）-N-苯基胺基]聯苯 2.6- 雙（二-對-甲苯基胺基）莕 2.6- 雙[二-(1-莕基）胺基]莕 2.6- 雙[N-(l-莕基）-N-(2-萘基）胺基]莕 Ν，Ν，Ν’，Ν·-四（2_莕基）-4,4’-二胺基-對-聯三苯 4,4^雙{Ν-苯基-N-[4-(l-莕基）-苯基]胺基}聯苯 4,4f-雙[Ν-苯基-Ν-(2-3£基）胺基]聯苯 2.6- 雙[Ν，Ν-二（2-莕基）胺基]芴 1,5-雙[N-(l-莕基）-Ν_苯基胺基]莕 另一類所用之孔洞傳送材料包含如共同受讓之ΕΡ 1 009 041中所述之多環芳系化合物。另外，可使用聚合孔洞傳 送材料，如聚（Ν-乙缔基芊唑）(PVK)、聚噻吩、聚吡咯、 聚苯胺，及共聚物如聚（3,4-伸乙基二氧基噻吩）/聚（4-苯乙 晞磺酸酯）（亦稱之為PEDOT/PSS)。 發光材料 用作有機材料56之發光材料為習知。如共同受讓之 US-A-4,769,292 及 US-A-5,935,72 1 中更充分之敘述，有機 EL 元件之發光層（LEL)包括發光或螢光材料，其中電致發光 係由在該區域中再結合之電子-孔洞對產生。發光層可包 括單一材料，但更通常包含摻雜加入之化合物或發光主要 係由摻雜物產生，且可為任一種顏色之化合物之基材。發 光層中之基材可為以下定義之電子傳送材料，孔洞傳送材 -18 - 1247554 (14) 發明裨明續寅; 料，或支撐孔洞-電子再結合之另一種材料。摻雜物通常 係選自高螢光染料，但亦可使用磷光化合物，例如過渡金 屬錯合物，如 WO 98/55561，W0 00/18851，W0 00/57676及 W0 00/70655中所述。摻雜物一般塗佈0 01至10wt〇/〇於基材上。 選擇染料作為摻雜物之重要關聯為比較以分子之最高 充塞分子軌道與最低未充塞分子軌道間之能量差異定義 <頻帶間隙電位°針對能量有效的由基材移轉至摻雜物分 子’所而t條件為接雜物之頻帶間隙比基材小。 已知所用I基材及發光分子包含（但不限）以下共同受 讓之專利中揭示I . ^ · US-A-4,769,292 ; US-A-5，141，671 ; US-A-5，150,006 US-A-5,405,709 US-A-5,645,948 US-A-5,928,802 US-A-5，151，629 ； U S-A-5,294,870 ； US-A-5,484,922 ； U S-A-5,593,788 ； US-A-5,683,823 ； U S-A-5,755,999 ；

Us'A-5,935,720 ； US-A-5,935,721，及 US-A-6,020,078 0 8-嫂基4 #及類似衍生物（式E)之金屬錯合物構成一類 可支持電致發光 < 有用基材化合物，且特別適用於波長大 於500 nm之發光，例如綠光、黃光、橘光及紅光，

E

其中 M代表金屬； -19-

奋明k喃績頁:; 、 … 、）、、 V、 s'S S

1247554 3之整數；且 也刎中獨立代表使具有至少二稠合芳系環之核 Z在各 之原子β 时 +·.支楚了解金屬可為單價、二價或三價。金屬可為 由前述π尤 人威，如鋰、鈉、或钟；鹼土金屬如鎂或鈣；或土 例如鹼金屬 金屬如硼 二價或三 4硼或鋁。一般已知 < 用作整合金屬之任一種單價、 價金屬均可使用 ζ使冬有至少二稠合芳系環之雜環核完全，其至少之一 為α坐或，井環0若需要可使額外之環（包含脂系及芳系環二 種）與二所需之環稠合。為避免增加分子體而未改善其功 能，因此環原子之數目通常維持在18個或更少。 所用之螯合類8·羥基4琳化合物之說明如下： C0-1 :參8-羥基喹啉銀[別名’參（8-0奎琳酸根）銘（111)] C〇-2 :雙8 ·經基峻11林鑊[別名’雙（8 -奎〃林私根）鎂（11)] C0-3 :雙[苯并{ 0 _8^奎"林酸根]鋅（11) CO-4 :雙（2-甲基-8-峻啉酸根）鋁（III)-對-氧代·雙U·甲 基-8-喹啉酸根）鋁（ΠΙ) C0-5 :參8-羥基喳啉銦[別名，參（8-喹啉酸根）銦] C〇-6 :參（5-甲基8-羥基喳啉）鋁[別名，參甲基-8-喳 啉酸根）鋁（III)] C〇_ 7 : 8 -經基峻淋鐘[別名，（8 -峻淋酸根）鋰] 9，10-二-(2-莕基）（式F)之衍生物構成一類可支撑電致發 光之有用基材，尤其適用於波長大於400 nm之發光，例如 藍光、綠光、黃光、橘光或紅光。 -20- 1247554 (16) 縈明权碑績寶:

其中Ri、R2、R3、R4、R5及R6代表各環中之一或多個取 代基，其中各取代基係獨立選自下列之基： 第1種基··氫或1至24個碳原子之烷基； 第2種基：5至20個碳原子之芳基或經取代芳基； 第3種基：需要完成蒽基或茈基之稠合芳系環之4至24 個碳原子； 第4種基：需要完成呋喃基、嘧吩基、吡啶基、4啉 基或其他雜環系統之5至24個碳原子之雜芳基或經 取代雜芳基； 第5種基：1至24個碳原子之烷氧基胺基、烷基胺基或 芳基胺基；及 第6種基：氟、氣、溴或氰基。 啕哚衍生物（式G)構成另一類可支撐電致發光之有用基 材，尤其適用於波長大於400 nm之發光，例如藍光、綠光 、黃光、橘光或紅光。

-21 - 1247554 _ (I?) I發明説明螋y 其中 η為3至8之整數； Ζ為0、NR或S ;且

R’為氫、1至24個碳原子之烷基，例如丙基、第三丁 基、庚基等；5至20個碳原子之芳基或雜原子取代 之芳基，例如苯基及莕基、呋喃基、嘧吩基、吡啶 基、喹啉基及其他雜環系統；或_素如氯、氟；或 需要完成稠合芳系環之原子； L為包含烷基、芳基、經取代烷基或經取代芳基之键 連單元，其共轭或非共輛與4丨嗓連接在一起。 所用啕哚之實例為2,2’，2”-(1，3,5-伸苯基）參[卜苯基-111-苯并咪唑]。

需要之螢光摻雜物包含蒽、並四苯、氧雜蒽、茈、紅瑩 烯、香豆素、若單明、喹吖啶酮、二氰基伸甲基吡喃化合 物、硫代叶匕喃化合物、聚甲川化合物、pyrilium及thiapyrilium 化合物及碳苯乙烯基化合物。 所用摻雜物之實例包含（但不限）如下： -22- 1247554 (18) #明說明續瓦:

-23- 1247554 (19) 發视競明續賀:

I

X R1 R2 L9 0 H Η L10 〇 H 甲基 Lll 〇 甲基 Η L12 〇 甲基 甲基 L13 〇 Η 第三丁基 L14 〇 第三丁基 11 L15 〇 第三丁基 第三丁基 L16 s Η Η L17 s Η 甲基 L18 s 甲基 Η L19 s 甲基 甲基 L20 s Η 第三丁基 L21 s 第三丁基 Η L22 s 第三丁基 第三丁基

2 R R1

X R1 R2 L23 0 Η Η L24 〇 Η 甲基 L25 〇 甲基 Η L26 〇 甲基 甲基 L27 0 Η 第三丁基 L28 〇 第三丁基 Η L29 0 第三丁基第三丁基 L30 S Η Η L31 S Η 甲基 L32 S 甲基 Η L33 S 甲基 甲基 L34 S Η 第三丁基 L35 S 第三丁基 Η L36 S 第三丁主 第三丁基 •24- 1247554 (20) I發明政

-25- 1247554 發明說明績j?: „ 、- '、 '

烯基衍生物、二烷氧基-聚伸苯基伸乙烯基、聚-對-伸苯基 衍生物、及聚芴衍生物，如Wolk及其他人於共同受讓之 US-A-6，194，119B1中所教示者，且在此供參考。 電子傳送（ΕΊΠ材料 本發明有機EL裝置中所用之較佳電子傳送材料為包含 8-羥基喹啉本身螯合物（亦稱之為8-喹啉醇或8-羥基喹啉） 之金屬螯合之類8-羥基4啉化合物。該化合物可協助射出 及傳送電子，且呈現高的性能水準，且可輕易的以薄膜形 式製造。較佳類8-羥基喹啉化合物之實例為滿足前述結構 式（E)者。 -26- I247554 (22) 明裨巧绩 其他電子傳送材料包含共同讓渡之US_A-4,356,429中揭 不之各種丁二缔衍生物，及共同讓渡之US-A-4,539,507中 所述之各種雜環光學亮光劑。滿足結構式（G)之巧哚亦為 有用之電子傳送材料。 其他電子傳送材料可為聚合物物質，例如聚伸苯基伸乙 缔基衍生物、聚-對-伸苯基衍生物、聚芴衍生物、聚喧吩 水乙块：及其他導電聚合物有機材料如導電分子及聚合物 手册（第 1-4冊 ’ H.S· Nalwa，ed·，John Wiley and Sons，Chichester (1997))中所列者。 部分例中，可使用單層提供支撐發光及電子傳送之功能 且因此包含發光材料及電子傳送材料。 而了解本發明可用於一後續步驟轉移任一種上述材料 ，且可用於一次轉移及形成多層。本發明中並不需沉積 〇LED裝置之所有有機層。當形成發光層所需之部分或所 有材料均以本發明轉移時對本發明最有利。應了解亦可以 價用 < 方法沉積其他層，例如未形成圖案之蒸氣沉積。亦 可使用濕潤之塗佈技術如旋轉塗佈或壓延塗佈，但較好在 以本發明轉移材料之前使用此等方法。 圖4a顯示結合本發明調節器化多通道直線雷射光束昭 射固定之基材/供體源鍵之雷射列印頭1〇之剖面圖。微配 置位置之設備並未清楚的顯示。供體元件观依與基材料 ^轉移關係配置，亦即，供體元件5〇係與基材64(未顯示） Z配置，或維持與基材64可控制之分離。供體元件50係 由加壓設備66固定位置。加壓設備66可為透明之支撑材 -27- (23)1247554 或可為以氣 關係固定。 基材64可 有機固體、 可為硬質或 晶圓，或形 屬、陶瓷、. 氮化物或其 料、或多層 備OLED裝置 材64可為透 經過基材之 玻璃或塑料 撐材之透光 。該情況中 材料、陶瓷 雷射列印 #直線雷射 彳列直線畫 址之雷射& 光成雷射光 66加於供ft 移表面。所ί 器化，同時¥

把加壓之室，使供體元件50與基材64以緊密之 為可提供接收來自供體之發光材料之表面之

·’’、機固fa、或有機及無機固體之結合。基材64 軟質， PT ’且可加工成分離之獨立片，如片狀物或 成連續浪筒。一般之基材包含玻璃、塑料、金 半導k、金屬氧化物、半導體氧化物、半導體 -土材64可為材料之均質混合物、複合材 材料。基材64可為〇led基材，亦即常用於製 j基材’例如活性基質低溫聚矽TFT基材。基 ^或不透明’依發光之方向而定。由EL發光 觀；，較好為透光性。該情況下一般使用透明 。EL發光矽經過上電及觀看之應用，底部支 争徵並不重要，且因此可為透光、吸光或反光 用之基材包含（但不限）破璃、塑料、半導體 、及電路板材料。 >、10、’’二過列印棱鏡80發射多通道雷射光13,亦 光束〈多杈通道。為清楚說明起見，因此以一 出多通道雷射《13，$調其作為許多可獨立循 通道之〖生負。應了解此等通道可相鄰，且可發 之連續頻帶。多通道雷射光⑶系經由加壓設備 疋件5〇上，其為透明且撞擊供體元件50之未轉 由使多通道雷射光13之通道調節 匕田射列印頭10及固定之基材/供體元件Μ之間 •28- 1247554 (24) 提供移動獲得。 圖4b顯示藉由照射與本發明之調節器化多通道直線雷 射光束結合之固定基材/供體元件將有機材料沉積於基材 之方法之更詳細剖面圖。該具體例中，基材64包含一列薄 膜電晶體（TFT)68。基材64之接收基材76並不均句，因為各 有薄膜電晶體68，其係藉由因為各像素或次像素之多層結 構產生之突起表面部分78與基材64分隔。此敘述於刊叫之 共同讓渡之US-A-5,937,272中，其内容在此提出供參考。 存在之突起表面部分78維持間隙74與壓力（未顯示）（其係 施加以抗未轉移之表面52)之分隔。 供體元件50已經以輻射吸收材料6〇及塗佈在供體支撐 兀件58上之有機材料56製備。輻射吸收材料可為如共同讓 渡之US-A-5,57M16中指定之染料、顏料如唆、或金屬如 鎳、鈥等。多通道雷射光13包含分隔之調節器化段，各包 括來自雷射列印頭10之-或多通道光，如圖2b中所示。多 通道雷射光13照射未轉移表面52,且在撞擊轉射吸收材料 6 0時’在供體疋件5 〇:為 干U T產生熱。此加熱緊鄰多通道雷射光 13之有機材料56。昭私为祉姊-, …、射在供體7C件5〇上之大部分光轉化成 熱仁此僅發生在供體元件5〇選擇照射之部分。有機材料 56之部分或所有加熱部分均經熱轉移(例如可异華、蒸發 或切除且沉積在基材64上，且依圖案轉移在基讨“之 接收表面76上變成沉積之有機材料69。 ’’’、自本技藝者會清楚該方法可相對於欲製備之各不同 色次像素，如紅、綠及藍色’藉由以不同供體元件5〇,重 -29- 1247554 (25) 「發 複該方法製備彩色〇LED裝置。例如，緊靠基材64放置第 —種供體元件50，接著在一種顏色如藍色之次像素位置處 以雷射光13之部分照射。以與基材64連續之關係放置第二 種及第三種供體元件50，且再另一種顏色例如綠色及紅色 之次像素位置處重複以雷射光13之部分照射之方法。結果 為獲得不同部分相當於不同顏色像素或次像素之基材64。 再參考圖5，該圖顯示本發明上述雷射列印頭1〇之裝置 及微配置裝置之第一具體例。該裝置可藉由移動雷射列印 頭10，但使基材/供體元件結合體維持固定，在雷射列印 頭10及供體元件之間提供相對的移動。雷射列印頭1〇係裝 置在微配置裝置112上。該實例中，滑動架108代表微配置 裝置U2之可移動部分。冑配置裝置112可移動且將雷射列 印頭10配置在解析度為微米之X-方向114上。χ•方向114在χ 方向114及y方向120定義之平面中，係與均勻直線雷射束 30之定向垂直或實質的垂直（亦即與真實之垂直在可接受 之公差之中）。例如，部分狀況中’公差可為4 χ 1〇-4弧度 ，但依所用特殊排列而定。微配置裝置112係購自製造商 ，如Anorad公司及Dover儀器。 微配置裝置U2係裝置在微配置裝置U6及微配置裝置 118之上。後二者與微配置裝置112類&，但與微配置裝置 正交之方式排列，因此可與微配置裝置112及雷射列印 頭10於y-方向120上一起移動，且提供x_y軸之小角度對準。 圖6顯示控制圖5所示裝置之系统—具體例之邏輯之方 塊圖。包含微配置裝置U2、微配置裝置ιι6及微配置裝置 -30- (26) 1247554 發辆被:械蛾:寅屬 t* .. λ --^ >、《、— ]]0 _^r ^ * u -r ？ 且係由#制系統124控制雷射列印頭i〇之位置及移動， 次护制PC工作站i22(包含欲列印之具有圏案7〇之檔案)依 為：明印頭W對供體…及—，此處 射供體二:之Til表單，。窝人在本文中定義為照 土 未轉移表面52 ,使之加熱部分供體元件50 且坆成有機材料56由供體元件5〇之轉移表面“轉移到基 材64上。此由下列敘述會變得更清楚。 當其移動時，雷射列印頭1〇對供體元件5〇及基材Μ之選 擇部刀寫入。欲寫入之部分係由基材64之結構決定，例如 * 土材64包含列薄膜電晶體（TFT)68，則需要在TFT陽 極之部分處寫入，但在其他部分則避免寫入。基材Μ之數 據影像（如圖8中之圖案70所示）係儲存在pc工作站122上。 當移動控制系統124使雷射列印頭1〇移動時，該數據影像 經數據路徑128到達系統板126。系統板126控制雷射列印頭 10之立體光調節器，且使用影像數據調節立體光調節器4〇 ，使雷射列印頭10僅寫入供體元件5〇及基材64之期望位置 。該方法調節均勻之直線雷射光束13，使之形成一系列光 部分，該光部分包括一或多種光通道，如圖2b所示。基材 64需在X、y、z次元空間中與雷射列印頭作動控制系統預 對準或位於其中。隨後，使雷射列印頭與基材64精確的對 準。針對本目的顯示一對具有測量能力之電荷偶合裝置 (CCD)照相機121。電源供應器ία對系統板供應電源，且 可與系統板整合或分離。雷射電流供給丨27供應電源於雷 射列印頭10之雷射中。雷射冷卻器ι29使雷射列印頭1〇之 -31 - 1247554 (27) I磋明説确磧辦 雷射源冷卻。安全連鎖125代表習知對雷射裝置使用者之 保護。 參考圖7a，顯示照射圖案之供體元件5〇之雷射列印頭1〇 之上視圖。在雷射列印頭1〇及供體元件5〇間提供相對移動 。立體光調節器40使單獨之雷射束通道獨立開或關。此使 之在供體元件50之未移轉表面上產生雷射圖案mo之第一 種預定之直線路徑142或長條。直線路徑142包含一系列對 於發光之供體50為較佳之預定第一位置，使之造成有機材 料在此等位置之沉積。產生雷射圖案14〇，因此在丁{： 丁陽極 之位置處寫入，但可避免在其他位置處寫入。 圖7b顯示依圖案照射供體元件5〇之雷射列印頭之上 視圖。圖7b與圖7a相同，但雷射列印頭1〇產生穿過供體元 件50之許多連續預定之直線路徑，且因此如今之雷射圖案 140包含許多該路徑，包含第一直線路徑142、第二直線路 徑144、及後績之直線路徑。各直線路徑均包括一系列預 定之位置，亦即第二位置、第三位置等，其對於照射供體 50為較佳，因此造成有機材料在此等位置之沉積。 圖8顯示已經以本發明所述之方式處理之經處理基材π 之平面圖。有機材料56之預定部分已經依移轉圖案移轉 至基材64上。轉移圖案7〇已經依與經處理基材”之最終用 途一致之方式形成（例如，轉移圖案7〇為已經轉移至基材 64上存在之薄膜電晶體陽極之位置之〇led發光材料） 圖9顯示本發明之 驟150)，接著集中在 步驟。雷射列印頭10集中在y方向（步 X方向（步驟152)(以接收器之位置附近 -32- (28) 1247554 - 之:C:相機資料為準)’使得雷射列印頭10由基材64之'^ 之弟位置處開始掃描^校準可為動態，或可改良影 據或了改艮基材位置’或可使用此等技術之結合 列印頭_、在X方向上移動（步驟154)，且橫越基材64之^ 度。/檢越之過程中，直線雷射光束之通道係使用先前製 備之似像數據，如需要般調整（步驟156)，且儲存在電腦棒 案中’產生轉移之供體材料之像素。該方法產生雷射圖: 140之一種預定之直線路徑或長條。t預窝入基材64上、 區域終端（例如0LED裝置之像素或次像素之終端）到達= 向貝J I7表機义動作t終止（步驟164)。若印表機在y方向 係在从寫入基材64之區域終端（步驟166)，則會終止製浐 步叫若印表機^方向尚未在基材之終端(步鄉二( ’則會改變直線雷射光束13與固定之基材/供體元件^間之 相對：置’亦即雷射列印頭1〇會在y方向以其一長條之寬 度漸W進（步驟168)，且重複步驟154至164。 圖顯示本發明裝置使用之剖面圖，其係針對在固定之 基材/供體元件結纟中將#體元件其基材固定在—起且 在有機材料自供體移轉之過程中維持靜置，在〇led裝置中 形成層狀物。裝置18〇可在大氣壓或在真空室（未顯示）提供 之低壓環境下作用。其包含第—種配件182及第二種配件 184 ’其係以使供體元件5〇及基材64間有間隙，或供體元 件50及基材元件64接觸之關係支撐供體元件5〇及基材討。 基礎板186中存在之襯蟄188及190包住供體元件5〇及基材 64，且形成室194，其係經加壓，在供體元件％及基材料 -33- 1247554 間維持所需ϋρ β ^ 接觸秸度。透明部分192使雷射列印頭1〇之 。，道雷射光13通過且照射供體元件5〇之未轉移表面196 人爾射列印頭10及裝置18〇(其固定固定之基材/供體元件結 ^ )之相對移動協助有機材料依預定之直線路徑，由供 、—牛50轉移到基材64。雷射列印頭1〇藉由微配置裝置us 《移動’及微配置裝置116及118之後續移動使多通道雷射 光3( d元件係使用影像數據依需要調整）照射雷射光圖案 中之供體元件50，且因此進行OLED沉積，亦即在—般條 件（例如在真芝下或大氣壓）下，依所需之轉移圖案，自 供體元件50轉移有機材料56至基材64。 圖11 a為顯不本發明多雷射列印頭及微配置設備之裝置 另一具體例之剖面圖。該裝置至少具有雷射列印頭1〇及第 一種類似之.雷射列印頭2〇〇。雷射列印頭1〇及2〇〇係置於微 配置汉備112上。微配置設備1 12可依X -方向π 4，以微米之 解析度移動且配置雷射列印頭1〇及2〇〇。微配置設備112係 置於微配置設備116及微配置設備118上。後二者與微配置 設備Π2相似，但係以與微配置設備n2正交之方式排列， 因此可與微配置設備112及雷射列印頭1〇及200於y方向120 上移動。此會同時產生雷射照射之多重預定之直線路徑或 長條。 圖1 lb為顯示本發明多雷射列印頭及微配置設備之裝置 另一具體例之剖面圖。該裝置至少具有裝置在微配置設備 112上之雷射列印頭1〇及裝置在微配置設備202上之類似雷 射列印頭200。該實例中，滑動架1〇8及204分別代表微配置 -34-

1247554 (30)

設備1 12及202之可移動部分。微配置設備1 12可使雷射叫# 頭1 0以微米之解析度，在X -方向Π 4上移動且配置。微配夏 設備202可使雷射列印頭200以微米之解析度，在X-方向1 l4 上移動且配置。微配置設備1 12及微配置設備202係置於_ 配置設備116及微配置設備118上。後二者與微配置設備ll7 及2〇2相似，但係以與微配置設備112及202正交之方式排歹 ，因此可與微配置設備112及雷射列印頭1 〇及2〇〇於y方^ 120上移動。此會同時產生雷射照射之多重預定之直線路 徑或長條。 本發明之其他特性包含如下： 該法中之雷射光束係由單一雷射或許多多模發射器提 供0 孩万法尚包含之步驟為使由許多多模發射器提供之雷 射光光合併，以提供實質均勻之直線雷射光束。 本發明中< JL體光碉節器為全部内反射調節器。 該方法尚包含使供體元件相料 盆 與 束 直

证义稍對於基材固定，且依實質 多通道直線雷射光走垂古士、 _ 垂直 < 万向，在多通道直線雷 與固定之基材/供^ ’、把疋件間相對移動，沿著 線路徑沉積有機材料。 ”疋艾弟- 雷射光束移動 該方法中之固定基 時為靜止。 材/供體元件在多通道 該方法中，當基材卜二 今七 4多預定之第一位置已經接受 足有機材料後，多通 一 、直、，泉雷射光束及固定之基材/ 兀件間之相對位置改傲s # 〈卷材/ <至第二位置，使得預定之第二 -35- 1247554 (31) I發明裨噚績^ 路徑中沉積之有機材料與第一預定直線路徑分離，使有機 材料沉基於先前並未沉積之基材上之預定第二位置中。 該方法中之OLED沉積係在低壓或大氣壓下進行。 該裝置中之雷射光束係由單一雷射或許多多膜發射器 提供。 該裝置中提供均勻雷射光束之設備包含產生雷射光束 之光源及光合併由許多多模發射器提供之雷射光束以提 供實質均勻之雷射光束之設備。 該裝置中之立體光調節器為全内反射調節器。 該裝置尚包含使供體元件相對於基材固定，且依實質上 與多通道雷射光束垂直之方向，在多通道直線雷射光束與 固定之基材/供體元件間提供相對移動，沿著預定之第一 直線路徑沉積有機材料。 該裝置中之固定基材/供體元件在多通道雷射光束移動 時為靜止。 該裝置尚包含可在基材上許多預定之第一位置已經接 受沉積之有機材料後操作，將多通道直線雷射光束及固定 之基材/供體元件間之相對位置改變至第二位置，使得預 定之第二直線路徑中沉積之有機材料與第一預定直線路 徑分離，使有機材料沉基於先前未沉積之基材上之預定第 二位置中之設備。 該裝置中之OLED沉積係在減壓或在大氣壓下進行。 圖1為適用於本發明之雷射列印頭（先前技藝）之放大圖。 圖2a為均句之直線雷射光束之剖面圖及其二次元強度 -36- 1247554 _ (32) I發明說，积 分布。 圖2b為經立體調節或切片之均勻直線雷射光束之剖面 圖及其二次元強度分布。 圖3為適用於本發明之供體元件之剖面圖。 圖4a為使與依據本發明之經調節多通道直線雷射光束 結合之固定基材/供體元件照射之列印機之剖面圖； 圖4b為使與依據本發明之經調節多通道直線雷射光束 結合之固定基材/供體元件照射之更詳細剖面圖； 圖5為顯示本發明雷射列印頭及微配置裝置之設備之第 一具體例上視圖； 圖6為裝置控制邏輯系統之方塊圖； 圖7a為以圖案照射供體元件之雷射列印頭之上視圖； 圖7b為以圖案照射供體元件之雷射列印頭之上視圖； 圖8為依據本發明之方法製備之成像基材之平面圖； 圖9為顯示本發明步驟之方塊圖； 圖10為顯示在有機物質自供體移轉，於OLED裝置中形 成層之過程中，依固定基材/供體元件結合使供體元件及 基材併在一起之本發明設備用途之剖面圖。 圖11 a為顯示依據本發明之多雷射列印頭及微配置裝置 之設備另一具體例之剖面圖。 圖1 lb為顯示依據本發明之多雷射列印頭及微配置裝置 之設備另一具體例之剖面圖。 圖式代表符號說明 1〇 雷射列印頭 -37- 1247554 (33) 發喊說明績沁 11 雷射二極體列 12 雷射二極體多模發光體 13 雷射光 20 發光之光學設備 21 光纖棱鏡 24 雷射棱鏡列 25 結合場棱鏡 27 交叉陣列棱鏡 28 場稜鏡 30 直線雷射光束 30a，30b，30c 直線雷射光束段 32 第一方向 33 光強度分布 34 第二方向 35 開放通道 36 光強度分布 37 密封通道 38 光強度分布 39a,39b 間隔 40 立體光調節器 41 調節器像素 1247554 (34) 43 電極 50 供體元件 52 未轉移表面 54 轉移表面 56 有機材料 58 供體支撐元件 60 輻射吸收材料 64 基材 66 加壓設備 68 薄膜電晶體 69 有機材料 74 間隙 76 接收表面 78 突起表面部分 80 列印透鏡 81,82,83 列印棱鏡元件 85 Fourier平面 90 立體過濾器 91 裂縫 100 影像面 105 供體 發明説啤绩龙

-39- 1247554 (35) 108 滑動架 112 微配置裝置 114 X-方向 116,118 微配置裝置 120 y方向 121 (CCD)照相機 122 PC工作站 123 電源供應器 124 移動控制系統 125 安全連鎖 126 系統板 127 雷射電流供給 128 數據路徑 129 雷射冷卻器 140 雷射圖案 142,144 直線路徑 180 裝置 182 第一種配件 184 第二種配件 186 基礎板 188,190 襯墊 發明說明績充

-40- 1247554 (36) 192 透明部分 194 室 196 未轉移表面 發明辦，續署

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Claims (1)

1247554 拾、申請專利範圍 1 . 一種將有機層沉積在基材上製造OLED裝置之方法，包 括之步驟為： (a) 提供一種具有與OLED基材轉化關係之可轉移有 機材料之供體元件； (b) 形成實質上均勻之直線雷射光束； (c) 提供回應直線雷射光束且適於形成多通道直線 雷射光束之立體光調節器； (d) 獨立調節選擇之通道，形成一或多種雷射光束段 ，其中各段均包含一或多道雷射光束通道，且另外其 中之雷射光束段在第一方向具有實質上正方形之強度 輪廓，且在與第一方向垂直之第二方向上具有實質高 斯（Gaussian)強度輪廓，且係引導到供體元件上；及 (e) 因回應調節段之光產生熱，使有機材料熱轉移至 基材之選擇表面上之供體元件。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中之雷射光束係以單 一雷射或許多個多模發射器提供。 3 .如申請專利範圍第2項之方法，其中之均勻雷射光束係 藉由光學合併由許多個多模發射器提供之雷射光形 成，以提供實質均勻之直線雷射光束。 4.如申請專利範圍第1項之方法，其中之立體光調節器為 全部内反射之調節器。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，尚包含使供體元件相對 於基材固定，且依實質上與多通道直線雷射光束垂 1247554 直之方向，在多： 元件間相對移動 材料。 6·如申請專利範圍 元件在多通道雷 7 ·如申請專利範圍 之第一位置已經 雷射光束及固定 至弟一位置，使 材料與第一預定 前並未沉積之基 8 ·如申請專利範圍 壓或大氣壓下進 9 · 一種將有機層沉 包括之步驟為·· U)提供許多j 序關係配置供體 (b) 形成實質一 (c) 提供回應： 雷射光束之立體 (d) 獨立1周節i ’其中各段均包 中之雷射光束段 輪廓，且在與第 斯（Gaussian)強度 申請;專裨龕園竣夷：； 通道直 --------」 雷射光束與固定之基材/供體 , ^)L 預疋之第一直線路徑沉積有機 第5項之、 ^ , 万法，其中之固定基材/供體 射光束i 不移動時為靜止。 第5項夕、 、万法，其中當基材上許多預定 接受冗絲*、^ 積有機材料後’多通道直線 、土材/供體元件間之相對位置改變 知預疋 < 第二直線路徑中沉積之有機 直線路徑分離，使有機材料沉積於先 材上之預定第二位置中。 第1項之方法，其中OLED沉積係在低 行。 積在基材上，製造OLED裝置之方法， ^有不同有機材料及依與OLED基材順 元件之供體元件； 匕均勻之直線雷射光束； i線雷射光束且適於形成多通道直線 光調節器； 避擇之通道，形成一或多種雷射光束段 含一或多道雷射光束通道，且另外其 .在第一方向具有實質上正方形之強度 一方向垂直之第二方向上具有實質高 輪廓，且係引導到供體元件上； 1247554 ι_ 議嚷酬 (e) 因回應調節段之光產生熱，使有機材料熱轉移至 基材之選擇表面上之供體元件及 (f) 針對不同之供體元件重複步驟（d)及（e)，在相當 於不同顏色像素之基材上形成有機層。 10. —種在製造OLED裝置中將有機層沉積在基材上用之雷 射列印頭，包括： (a) 提供具有依與OLED基材轉移之關係之可轉移有 機材料之供體元件； (b) 形成實質上均勻之直線雷射光束之設備； (c) 提供回應直線雷射光束且適於形成多通道直線 雷射光束之立體光調節器； (d) 獨立調節選擇之通道，形成一或多種雷射光束段 之設備，其中各段均包含一或多道雷射光束通道，且 另外其中之雷射光束段在第一方向具有實質上正方形 之強度輪廓，且在與第一方向垂直之第二方向上具有 實質高斯（Gaussian)強度輪廓，且係引導到供體元件上 ；及 (e) 因回應調節段之光產生熱，使有機材料熱轉移至 基材之選擇表面上之供體元件。