TWI244717B - Method of characterizing a process step and device manufacturing method - Google Patents

Description

1244717 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於—種特徵化製程步驟的方法及—種使用微 影設備的裝置製造方法。 # 【先前技術】 微影設備係-種將-所要的圖案施加於基板之_目標部 分上的機器。微影設備可用於(例如)積體電路⑽之製造 中。在此情況下，可使用一圖案化構件（諸如光罩）來產生對 應於ic之-個別層的—電路圖案，且可將此圖案成像於一 具有一層輻射敏感材料（抗蝕劑）之基板（如矽晶圓）上之一 二私部分(如其由一部A、一個或多個晶粒組成)之上。通 ^ 單個基板將含有被連續曝光之相鄰目標部分之一網 路。已知之微影設備包括所謂的步進機(其中藉由一次性使 ㈣圖案曝光於目標部分上來照射每-目標部分）及所謂 的田态(其中藉由以投影光束在一給定方向("掃描”方向) 上來掃描圖案同時在平行或反平行於此方向上掃描該基 板，從而來照射每一目標部分）。 藉由U衫製矛呈來製造一典型$ i需要在若干步·驟中之每 :步驟實行複數個循環。此等步驟包括··以—感光材料來 塗覆基板；將-影像投影於該感光材料之上；顯影該感光 材料亚處理基板’其可包括將該基板覆蓋於一層新的材料 中U衫製程遇到的其中一個問題係連續層並非被精確地 成像於彼此的頂部之上，因此存在所謂的重疊誤差。為避 免當重疊誤差(其將會對組件之效能有害)已經存在時仍進 93182.doc 1244717 行至隨後步驟，可在每一循環後量測重疊誤差。若該重疊 誤差太大，則可移除最近的一個層並在進行下一循環之前 重複該循環。 為使重疊誤差最小化，可提供具有複數個參考標記的基 板使得可於曝光步驟之前在投影設備中之基板臺上來量 測基板的確切位置。以此方式可使曝光步驟之精確度達到 取大，因為基板、先前所施加之圖案層及光罩在微影設備 中的相對位置係已知的。 多循環微影製程之另一問題係基板發生變形，此可隨著 特殊層及/或特殊圖案的施加而發生。變形包括（例如形 發生三維變形、參考標記（形狀或深度）之變形或沈積於晶圓 上之層的特性或厚度發生變化。衆所熟知，化學機械研磨 法（CMP)會導致基板的變形。隨著使用具有3〇〇瓜㈤或更大 直徑之基板晶圓，吾人預期晶圓變形將成為甚至更重要的 一個因素。為使變形最小化，應在整個基板區域上儘可能 保持該等製程的均衡。基板晶圓的變形可在晶圓成像過程 中導致誤差，繼而導致需要重複一特殊步驟。同樣，在發 展一用於由微影技術製造之一特殊組件的製程期間，使^ 製程最優化以使基板之變形量最小化，或至少是保持在界 限之内。減少重疊誤差或減少由基板變形所引起的誤差， 或至少早期偵測到此等誤差將導致良率的改良。 EP 0 794 465 A2揭示了一種微影方法，#中對準校正值 獲自對一組量晶圓之選擇所作的重疊量測，其用於使同一 組或隨後一組中之其它晶圓曝光。 93182.doc 1244717 US 2002/012482 A1揭示了一種用於在一棚（fab)中製造並 使用茶考晶圓以確定晶圓平臺之紀錄效能的方法。 US 5,252,414揭示了一種用於評定抗蝕劑塗層的方法，其 中將第二抗蝕劑層施加於第一圖案化抗蝕劑層的頂部。第 一與第二抗蝕劑層之間的圖案之重疊精確度能對該抗蝕劑 塗層作出定量評定。 US 5,863,680揭示了一種裝置製造方法，其中使用了與較 早處理層之間的重疊誤差與曝光條件相關之資訊來校正後 繼層之對準。 【發明内容】 本發明之一目的係提供一種可改良良率的裝置製造方 法。 根據本發明之一態樣，提供了 一種於一基板（其上具有複 數個參考標記）上執行之特徵化製程步驟的方法。該方法包 括： —在一提供於該基板上之感光層上來曝光一代表一裝置之 功能部件層的圖案以壓印產生—潛在圖案⑽加叫； -將該潛在圖案顯影於該感光層中以展現該圖案； -處理該基板； 里測4基板上之該等參考標記的相對位置；及 •將該量測步驟所得的結果同與該等參考標記之標稱位置. 相關之參考資訊相比較以特徵化該製程步驟。 丨藉由此方法’可監視製造期間發生的基板變形而不會減 ;生產量’因為對參考標記之相對位置進行量測的步驟比 93182.doc 1244717 曝光步驟花的時間更少，且在一些情況下無論如何都需執 行該量測步驟以評估基板相對於曝光步驟中所使用之$定 的疋位。該方法允許在用於目案化的微影設備_來監視於 其它工具上所實施之製程步驟的效應。 若比較的結果大於一預定最大值，則可向一操作員發出 警報。此可為使用者改良良率，因為變形超過—特定量之 基板將在實施進-步曝光、顯影及處理步驟之前被抛:。 此外，在發展一使用微影技術來製造裝置之多步驟製程期 間，可於早期階段識別出彼等會導致產生不可接收板 變形的步驟。若該設備發生漂移使得正在製造的為亞^準 基板，則藉由本發明便亦可能向設備之使用者發出警報。 資訊可包括任何種類的資料，例如原始位置資料、可指 不出基板標記之原始感應器資料、資料的計算，諸如關於 由參數描述之座標方格的放大、平移、旋度或個別量測之 差異’每-資料皆大體上與基板及/或相關之特殊層以及統 計度量有關。 右儲存於資料庫中之資訊為先前量測步驟的結果，則可 視與平均置測結果之偏差而定來接受或拋棄基板，或可突 出處理條件中之變化或突出設備或處理條件之問題。在2 2 2下，該資訊較佳為在同一批基板的基板上所進行的先 則置測步驟之結果，使得吾人可知彼等基板皆已經歷了同 樣的處理。當然可作其它比較。例如，資料庫中之用於比 較的資訊可為來自不同批晶圓中的同一層中的值。一批或 一組係指經受了相同步驟的一組晶圓。 93182.doc 1244717 車乂佳地，该方法包括將該量測及/或比較步驟之結果自動 儲存於該資料庫中，祐彡日 使侍可保存結果的歷史紀錄。對研究 一特殊製程的工程師而t，可蔣士田你体 σ J將此用作d乡k/f工具以使良率 最優化。 亦可能視先前猶環之比較步驟的結果而定來控制曝光步 驟。因：，可控制曝光步驟以將已量測之基板的變形考慮 在内’猎此u確㈣曝辭心可解絲 的方式㈣㈣絲。 " 根據本發明之另一能；(¾，祖说^ 心樣^供了一種裝置製造方法，該 方法包括： -提供一基板； 使用知明系統來提供輻射之一投影光束

將該圖案化輻射光束投影至基板之一 潛在圖案； 使用圖案化構件以在投影光束之橫截面中賦予盆一圖 ’該圖案包括對準標記及—裝置層之功能部件； 目標部分上以形成 -顯影該潛在圖案以展現該圖案； -處理該基板； -量測該基板上之該等參考標記的相對位置；及 -將該量❹驟所得的結果同與該等參考標記之標稱位置 有關的參考資訊比較以特徵化該製程步驟； 隹…、本文特疋麥考了在製造冗中使用微影設備，但是鹿 瞭解本文所描述之微影設備可具有其它應用，諸如，可： 其用於製造積體光學系統、磁域記憶體之導引及債測圖 93182.doc -10- 1244717 案、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者 將瞭解，於此等替代應用之内容中，應將本文術語，，晶圓，， 或”晶粒”的任何用途認為分別與更一般之術語π基板，，或，，目 標部分”具有同等意義。本文所涉及之基板可在曝光之前或 之後於（例如）一磁執（一種工具，其通常將一層抗蝕劑施加 於基板上並顯影該已曝光之抗蝕劑）或一度量衡或檢測工 具中進行處理。當應用日寺，可將本文之揭示内容應用於此 寻及其它基板處理王具。此外，可對該基板進行多次處理 (例如）以創建一個多層1(：，使得本文中所使用之術語，，基板，， 亦可指一已包含多個已處理層之基板。 本文中使用之術語，，輕射”及”光束，，涵蓋所有類型之電磁 輕射’包括紫外線（UV)輻射（例如波長為⑹、⑽、193、 1 57或126 nm)及極紫外線（EUV)輻射（例如波長範圍為5_2〇 nm)，以及粒子束（諸如離子束或電子束）。 應將本文中所使用之術語”圖案化構件，，廣泛解釋為係指 種構件，其可用於在投影光束之橫截面中賦予其一圖案 2在基板之-目標部分中創建_圖帛。請注意，賦予該 投影光束之圖案可能並不準確對應於基板之目標部分中所 要的圖案。通常’賦予投影光束之圖案將對應於—裝置中 之正被_於該目標部分中的—特殊功能層，諸如一積體 電路。 圖木化構件可為透射型或反射型。圖案化構件的實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。在微影 技術中光罩已為吾人所熟知，且光罩包括諸如二進位型、 93182.doc 1244717 父互相移型及衰減相移型 m 尘的先罩類型，以及各種混合式光 H程式化鏡面陣列之—實例使用了小鏡面之一矩 ^己置’可單獨傾斜每個小鏡面以便以不同方向來反射入 I ί ;以此方式來對反射光束進㈣案化。在㈣化構 件之母-實例中，支#結構可為（例如）_框架〇作臺，可 根據需要將其固定或移動，月立 L 、 胃n可確保圖案化構件處於（例 =㈣於投影系統之理想位置。可將本文k術語，|主光 :或"：罩”之任何用途認為與更一般之術語"圖案化構件” 具有同等意義。 應將本文中所使用之術語”投影系統”廣泛地解譯為包括 各種類型的投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統 及反射折射混合光學系統，如適合於（例如）正使用之曝光幸昌 射或適合於諸如浸液之使用或真空裝置之使用的其它因 素。可將本文令之術語”透鏡”的任何用途認為盥更一般之 術語"投影系統•，具有同等意義。 照明系統亦可包括各種類型的光學組件，包括用於導 引、成形或控制輕射投影光束的折射光學組件、反射光與 組件及反射折射混合光學組件’且在下文中亦可將此等= 件共同地或個別地稱為”透鏡”。 微影設備可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上之基板台（及 /或兩個或兩個以上之光罩台）的類型。在此等”多=臺”口機哭 中，可平行地使用額外台，或可於-個或多個臺上至進㈣ 備步驟，而將一個或多個其它台用於曝光。 微影設備亦可為以下一種類型：在具有相對高折射率之 93182.doc -12- 1244717 流體（如水）中來浸入基板以便填充基板與投影系統之最後 一個兀件之間的間隙。亦可將浸液應用於（例如）光罩與投影 系統之第一個元件之間的微影設備中之其它間隙。將浸潰 技術用於增加投影系統的數值孔徑在此項技術中已為吾人 所熟知。 【實施方式】 圖1以圖解之方式描繪了根據本發明之一特殊實施例的 微影設備。該設備包括： -一照明系統（照明器）IL，其用以提供輻射之一投影光束 PB(如UV或EUV幸昌射）； -第一支撐結構（如光罩台）MT，其用以支撐圖案化構件（例 如光罩）MA，且其連接至第一定位構件pM以相對於物件 來精確地定位該圖案化構件； -一基板台（如晶圓臺）WT，其用以固持基板w(如塗覆有抗 蝕劑之晶圓），且其連接至第二定位構件pw以相對於物件 PL來精確地定位該基板；及 -一投影系統（如反射性投影透鏡）PL，其用以將藉由圖案 化構件MA而賦予投影光束PB之一圖案成像於基板w之目 標部分C(如包括一個或多個晶粒）上。 如此處所描繪，該設備為一反射類型（例如使用如上文所 提及之類型的一反射光罩或一可程式化鏡面陣列）。或者， 該設備可為一透射類型（例如使用一透射型光罩）。 照明器IL接收來自輻射源s〇之一輻射光束。例如，當該 輻射源為一放電電漿源時，該輻射源與微影設備可為獨立 93182.doc -13- 1244717 實體。在此等情況下，不應將該輻射源視為係形成微影設 備之一部分，且该輻射光束通常借助於一包含（例如）人嘀之 聚光鏡及/或光譜純度濾光器的輻射集光器自輻射源8〇穿 過到達照明器IL。在其它情況下，例如，當輻射源為一汞 燈時，該輻射源可為設備之一整體部分。可將輻射源$〇及 照明器IL可稱為一輻射系統。 照明裔IL可包括用於調整光束的角強度分佈的調整構 件。通常，可調整照明器之瞳孔平面中的強度分佈之2少 外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱作卜外部及心内部）。 照明器提供經調節之一輻射光束（稱作投影光束1>；6)，該光 束在其橫截面中具有所要的均衡性及強度分佈。 投影光束ΡΒ入射於光罩ΜΑ上，該光罩撾八固定於光罩台 ΜΤ上。經光罩ΜΑ反射後，投影光束ρβ穿過透鏡1>乙，該透 鏡PL將光束聚焦於基板w之目標部分c上。借助於第二定位 構件PW及位置感應器IF2(如干涉量測裝置），可精確地移動 基板台WT，（例如）以便在光束PB之路徑中來定位不同的目 標部分C。類似地，例如在自光罩庫進行機械檢索之後或在 掃描期間，可使用第一定位構件PM及定位感應器IF丨相對 於光束PB之路徑來精確地定位光罩μα。通常，載物台MT 及WT之移動可借助於一長衝程模組（粗定位）及一短衝程模 組（精定位）而得以實現，該等模組形成了定位構件pM及pw 的一部分。然而’在步進器（與掃描器相對）的情形中，可僅 將光罩台MT連接至短衝程致動器或可將其固定。可使用光 罩對準標記Ml、M2及基板對準標記pi、p2來對準光罩μα 93182.doc < 14- 1244717 及基板W。 已描1 會之設備可用於以下的較佳模式中·· L在步進模式中，使以⑽及基板台靖持基本上 !t:同時將賦予投影光束之整個圖案-次性(意即··單 上至—目標部分C上。隨後在x及方向 t移動基板台WT使得可曝光不同之目標部分C。在步進 :式中，曝光場之最大尺寸限制了成像於單-靜態曝光 中之目標部分C的尺寸。 尤 2士在掃描模式中，同步掃接光罩台町及基板台射，同 ㈣-賦予投影光束之圖案投影至目標部分c(意即單— 動恶曝光）上。藉由投影系飢之放大（縮小）特徵及影像 反轉特徵來禮定基板台资相對於光罩台Μ的速率及方 向。在掃描模式巾，曝光場之最大尺寸㈣了單-動能 曝光中之目標部分的寬度（非掃描方向中），而掃描運動 的長度則確定了目標部分的高度（掃描方向中 3.在另-模式中，使光罩台町保持基本上靜止以固持 可程式化圖案化構件，且在將一賦予投影光束之圖案投 影於目標部分c上時來移動或掃描基板台WT。在此模式 中’通常於掃描期間在每一次移動基板台WT之後或在連 _脈衝之間使用一脈衝輕射源並根據需要來更新可 程式化圖案化構件。可不難將此操作模式應用於使用可 程式化圖案化構件（諸如上文所提及之類型的可程式化 鏡面陣列）之無光罩微影技術。 也可使用上文所描述之使用模式或完全不同之使用模 93182.doc -15- 1244717 式的組合及/或變體。 圖2以平面形式說明了具有已被施加於上表面上之複數 個芩考標記20的基板W。在一雙平臺微影投影設備中，參 考標記20之數目可為每個基板w上具有約乃個參考標記。 當使用此設備來精確量測基板w上之每一參考標記2〇的相 對位置時，量測步驟便具有大量的時間。 圖3說明了該方法之步驟。該方法之第一個步驟為量測步 驟S1 ’其中量測了基板w上之每一參考標記2〇的相對位 置：可於微影投影設備中來執行此步驟，丨中在任何情況 下量測參考標記2㈣位置以實現基板w與基板台WT之間 的對準及水準量測0eveling measurement)，或可於一獨立 機器中執行該步驟。量測步驟S1中所使用之機器可盘量測 基板W上兩個連續層之間的對準之重疊驗證中所使用的機 裔相同。下文中將描述此重疊驗證步驟。 、在量測步驟S1期間’ 一量測系統在_控制器的控制下量 測基板W上之該等複數個參考標記2G的相對位置。使用一 處理器以將量測步驟S1的結果盥資枓庙士 h - 木/、貝枓庫中的資訊/值進行 比較。 可視已3：測之結果與資料庫中所儲在 干T /77 伟的貧訊之間的比較 結果而定，來使該方法具有若干變體 丁文®。例如，若比較展現 了基板變形已超過預定界限時，一 。 ^作貝報警器（operator alerter)便會被啓動。或者，控制哭 制杰可使用比較結果來控制 基板W之隨後的曝光。在任一愔、;由 〇 1月/凡甲’ S測步驟的結果及 比較步驟的結果可自動地被保存於資 子π貝枓庫中以幫助建立關 93182.doc -16- 1244717 於在基板處理期間其變形係如何發生變化的歷史紀錄且上 述兩個V驟的結果被添加至資訊。可用此紀錄同時作為彼 #殊基板之歷史紀錄以及用於比較不同基板如何隨時間發 生變形。 x 繼量測步驟以後，將晶圓曝光於微影投影設備中且隨後 進㈣影步驟（圖3中之步驟叫。通常於曝光及顯影步驟S2 的最後並未伋盍簽考標記20(或若透過重疊層可見則可保 持其覆蓋狀態），使得可使用彼等參考標記20來執行進一步 量測，包括能評定重疊精確度的重疊驗證33。下一步驟S4 係-圖案轉移步驟，其可涉及··將一個層沈積於基板之未 被感光材料所覆蓋的區域（意即於顯影期間已被移除）上，或 藉由（例如）離子輻射來摻雜該等區域，或蝕刻該等區域。當 然，在對微影投影設備進行下一個曝光步驟之前，使用參 考標記20來量測基板貿相對於支撐結構的位置及方向，該 支撐結構用於支撐一圖案化構件，該構件本身可用於將輻 射系統所產生之一投影光束圖案化為一所要的圖案。當 然，可藉由投影系統將投影光束投影至基板w之一目標部 分上。 在一實施例中，使用一前向饋送迴路卯來控制曝光及顯 影步驟S2之曝光步驟，以將步驟S1中之所量測到的變形及 比較結果考慮在内。

Ik曝光及顯景> 步驟S2後執行對準量測步驟S3，其中量測 了在連續循環期間被沈積於基板w上的兩個連續層之間的 對準。若最近一層與其前一層之間的對準非吾人所滿意， 93182.doc -17- 1244717 則此衣私可確保將最近的層移除並 ^免在將隨後的其它層施加於基板w時作=要= 亦然即使當偵測到層之間存在的未對準將致使此基板作廢 ?展示了-替代的或額外的量測步驟…其中失 考標記20相對於彼此的 、> — 攸此的位置，且將該等結果與資料庫中之 I訊作比較。在特定_的設财，可枝_ ，置測步㈣及量測步驟S5，以便免去用於曝光已子 I測之基板的微影投影設備(虛線中所示)之需要。或 於步驟S4之後但獨立於步驟S5來執行量測步驟S3。亦可對 曝光步驟S2進行前向饋送控制⑽3中之標記AFF)。如此，子 t步驟S1中可能_量測—些參考標記㈣在投影設備中 來對準基板w相對於光罩的位置。 里測、曝光、顯影、對準量測及圖案轉移步驟SI、S2、 S3、S4形成了一個循環，可根據基板w上所要的 «需，來執行該循環複數次。每—個量測步㈣、㈣ 、·’°果可猎由一自動儲存器而被自動地儲存於資料庫中。以 此方式，可在對基板w進行處理期間建立其變形的歷史紀 錄。此允許製程工程師在該等複數個曝光、顯影及處理步 職、㈣識別出哪-個步驟會導致基板w出現不 的變形量。 曰可不與資料庫作比較來執行在已曝光基板W之前的第一 量測步驟。在此情況下，將不會發生由曝光或處理所引起 的基板…之變形’因為還未發生曝光或處理。 93182.doc -18- 1244717 在-些情況下，在比較步驟中僅比較儲存於資料庫中之 ::同-批基板w的基板w的值係有利的。來自不同批的基 Γ:!同的方式對給定的曝光、顯影及處理步驟作出反 :吏侍僅有來自同一批基板的值方可形成有效的比較。 2動-操作員報警器可指示操作員微影投影設備之設定令 X生漂移抑或基板w已經受了太大的變形。 旦=庫令的值可為考慮中之在特殊基板w上執行的先前 里’貝J步驟S 1、S 5的值。若出齡展+ 7 μ 展不了循壤之間(或整體)的 a超過-預定值，則可啓動操作員報警器或藉由控制 裔來控制曝光步驟82以解決該變形。 控制器可控制曝光步驟S 2以解決位置偏移或非直角變形 (0自動地或藉由向操作M發出警報以執行手動校正），或甚至 是更高級別的變形（意即，非線性變形）。 圖4展示了係如何使用關於在許多組上求平均得到的一 特殊循環（循環η)的指紋資料及在一給定組（第瓜組）之基板 上求平均得到的基板資料來預測一給定組上之特殊循環的 結果。 一種用於識別差異基板之統計方法使用線性回歸分析， 其基於以下模型： △ = βο + hx + iS2y +殘值 其中，Δ係已量測之位置與（x，y,z)中所期望的位置之間的差 值。通常，該模型擬合併不完美，其將在每一量測中產生 一殘值。可將此殘值認為係由兩個組成部分組成：一個所 謂的非可校正部分及一個任意部分。該非可校正組成部分 93182.doc -19- 1244717 為一常數，根據定義，其不可由所應用之模型來描述。該 任意組成部分（亦可稱作量測雜訊）由與實時量測裝置相關 之雜讯及（例如）量測目標質量中之任意變化組成。 霄務上，將多線性回歸應用於許多實體中，其中一實體 可為一包含多個對準量測的基板，每批或每組中可具多個 基板。因此，將基板資料模型化將在每一量測位置中產生 一殘值。藉由在所有基板上為每一量測之殘值求平均值， :可獲得彼位置之非可校正誤差的一估計值。若發生製程 變化，一誤差（諸如基板臺上之微粒）或層與層間的交互作 用，則不可校正誤差之圖案將會改變且可容易地被_到。 、雖然上文已描述了本發明之特定實施例，但應瞭解，可 以不同於所描述之方式來實施本發明。該描述並不意欲限 制本發明。 【圖式簡單說明】 方 圖 圖 1描緣了根據本發明之-實施例的微影投影設備 2描繪了一具有一典型參考標記圖案的基板晶圓 其展”根據本發…實施例的 圖樣示了使用循環指紋資料及基板資料以作出預測； 在該等圖中，對應參考符號指示對應部件。 【主要元件符號說明】 20 參考標記 C 基板W之目標部分 IF1 定位感應器 93182.doc -20- 1244717 IF2 位置感應器 IL 照明系統 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化構件 MT 第一支撐結構 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PB 輻射投影光束 PL 投影系統 PM 第一定位構件 PW 第二定位構件 SO 輻射源 W 基板 WT 基板台 93182.doc

Claims (1)

1. //曰mg)正替換頁I ^¾^337號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年 十、申請專利範圍： -種特徵化-製程步驟的方法 數個參考標記之基板上執行，該方法包括 /、有複 在提（、於。亥基板上之感光層上來曝光一代表一裝置 之一功能部件層的圓案㈣印產生1在圖宰； -在該感光層中顯影該潛在圖案以展現該圖案； -處理該基板； -量測該基板上之該等參考標記的相對位置；及 -將該量測步驟所得的結果同與該等參考標記的標稱位 置相關之參考資訊作比較以特徵化該製程步驟。 2·如請求们之方法’其中特徵化該製程步驟包括谓測及/ 或量測可能已發生於該製程步驟中之該基板的任何變 形。 ^明求項1或2之方法，其進一步包括在該處理步驟之前 來里測忒基板上之該等參考標記的相對位置以獲得該參 考資訊。 4_如w求項1或2之方法，其中在一批中之複數個基板上來 實施施加、曝光、顯影及處理步驟，且其進一步包括量 測σ玄等基板中之一第一個基板上的該等參考標記的相對 位置以獲得該參考資訊，該參考資訊隨後被用以偵測及/ 或量測該批中之其它基板的任何變形。 5·如請求項1或2之方法，其中在複數個基板上來實施施 加曝光、顯影及處理歩驟；在一基板上實施該等量測 及比較步驟’且基於該等量測及比較步驟，在調整一個 124^^- 月//日修(更)正替換頁 —r -1~ II ι^— «μμμμι- .·. ..--^.+»»ΐΜβ·υυ__·ι ·"**.-"一…ιΐhip mm\ - 基板之後於該基板上實施—處理步驟的至少一個參數。 6·如請求項1或2之方法，其進—步包括·· -在一提供於该基板上之第二感光層上來曝光一代表_ 裝置之一功能部件層的第二圖案以壓印產生一第二潛在 圖案； -在該感光層中顯影該第二潛在圖案以展現該第二圖 案； 處理該基板； _其中，視先前循環之比較步驟的結果來控制該曝光一 第二圖案。 7.如請求項丨或2之方法，其進一步包括自動地將該等量測 及/或比較步驟之結果儲存於一資料庫中。 8·如凊求項1或2之方法，其中處理該基板包括一將該圖案 轉移至該基板的製程。 9.如請求項1或2之方法，其中處理該基板包括修正—形成 於該基板上之處理層。 10·如請求項9之方法，其中該處理該基板包括一化學機械研 磨製程。 11 · 一種微影製造方法，其包括： -提供一基板； -使用一照明系統來提供輻射之一投影光束； -使用圖案化構件以在該投影光束之橫截面中賦予其一 圖案’該圖案包括對準標記及一裳置層之功能部件 -將該圖案化之輕射光束投影至該基板之一目標部分上 93182-940811.doc &修(更)正替換頁 〜 一 乂形成一潛在圖案； _顯影該潛在圖案以展現該圖案. -處理該基板； 、’ -量測該基板上之該等參考標記 •將該量测步驟的結果同 ：二 關的參考資訊作比較以44^=考^己之⑼位置相 乂特被化該製程步驟。 、種…有包括編碼構件的電腦程式之電腦可讀取媒體， 田；電腦系統上執行時，該編碼構件能有效地控制一 設備以f施請求们至11中任-項之方法的步驟。 93182-940811.doc