TWI240308B - Method of fabricating integrated circuit - Google Patents

Description

1240308 12480twf.doc/m 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種積體電路的製造方法，且特別 是有關於一種縮小間距(pitch)之積體電路的製造方法。 【先前技術】 積體電路可用以製造出各種的電子元件，例如是記 憶體晶片。降低積體電路的尺寸可以增加個別組件的積集 度並提升積體電路的功能。通常，電路的密度是以積體^ 路上最小的間距(pitch)(兩鄰接相同種類結構中同一點之 間=最小距離，例如是兩鄰接閘極導體）來衡量的。圖案 的寬度(feature width)通常稱之為F，兩圖案間的間隔(邛沘 則通常稱之為S。 ^積體電路的積集度，通常受到微影設備的限制。微 影設備所能製造出的最小圖案及間隔和微影設備的解析能 力有關。如果試著讓光阻所㈣出的随小於機ϋ所能處 理的最小尺寸，則光阻在輻射下曝光區域的圖案將不會和 光罩的圖案相同，而導致光阻圖案偏差。 微影設備所能形成的最小圖案寬度及最小間隔的和 I、t備所形成的最小間距。基於可實際操作的目的，最 钟供’、的見度會被考慮成近似於最小間隔的寬度，而微影 =所施生產的最小間距(piteh)則大約是最小圖案的寬度 p σ 。使用現今的微影技術，一條導線(圖案)和 一個間 网疋義出一最小的間距。 此技藝者企圖以微影製程來縮小積體電路元件 1240308 12480twf.doc/m 的間距，但是 具不容易控制 由習知的缺點得知，透過微向旦且^果多變。 之元件實有其必要性。 ρ衫裊程來產生最小間距 【發明内容】 依據本發明的一個觀點， 方法數個步驟。首先，在基底上龍電路的製造 化第-材料層，此_化第 層上形成圖案 個側壁。將第一材料層圖案化的典』亡表面及多 式，但並不是—定要採射卜^ ^的方法是採微影的方 係藉由消耗_化第―㈣/1°接者’進行一轉換製程， 程時應：Γ材料層在進行該轉換製 案化第二材料芦二後’，對/ f二材料層作為軍幕層，圖 或是移除部二二ί:Γ層進行二平坦化製程， 表面。拖^材科層暴露出該圖案化第一材料層的上 露出在复下ΐ ’移除曝露出來的圖案化第-材料層，而暴 罩幕/、=部份第二材料層，然後，以第四材料層作為 化第二材料層。藉由此一製程，可使第二材 枓層第—材料層的原始圖案更為窄小。 是非：石:實如例中，第-材料層的材質例如是多晶矽或 是内:擴散:方法例如是熱製程、化學反應或 金屬製程。私’/、中，熱製程例如是熱氧化法或是矽化 上述的製程步驟可在進行上述製程之前或是之後重 1240308 12480twf.doc/m ίί:窄:==圖案較起始由微影製啊 前，則俜用以护成;fi-重覆製程被是發生在上述範例之 、糸用以形成原有乾例中的圖案 案化的，料層具有多個上表面及多的著且】 二：:轉換製程，係藉由消耗圖案化的第五材料層側壁 ;層i每 五㈣® — H制的寬度大於相對應的第 初步轉換製程時所消耗的寬度。然後， =材料層作為罩幕層，圖案化第—材料層。接下來， iff上形·七材㈣。繼之，絲部分的第讀料層， ==第五材料層的上表面。再來，移除曝露出來 材料層’以穿過第七材料層暴露出部份第 材::後’以第七材料層作為罩幕層，圖案化第- 咖重複進行本發明之製程，可以使得間距的尺寸更為 乍小化，而且能有效避免前述習知微影製程的缺點。. ^讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明 二、 ，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 說明如下。 17 ' '' 【實施方式】 姓本發明並未將積體電路製造流程中所有製作過程及 、、、口構作一完整描述，僅說明將可以讓人了解本發明的一些 1240308 12480twf.doc/m 實施步驟。本發明可應用於各種與積體電路製造的習知的 技術、後續發展的技術中。 請芩照下列各圖，圖1-8繪示本發明第一較佳實施例 之一種縮小積體電路間距(pitch)之方法的製造流程剖面 圖。 如圖1所繪示，提供一第一材料層1〇5在第二材料 層103之上，而第二材料層1〇3在基底101之上。其中， 所謂的一材料層在另一材料層”之上”，指的是物理性的位 在另一層之上方。製造的流程可能會有所調整，因此， 這個說法並不排除其他可能在其間插入一層或更多的材料 層。另外，在此所提及的基底可包括一層或是更多的次材 料層以及植入雜質的區域。舉例來說，基底101可包括已 植入源極/汲極區的矽，且其上具有浮置閘極結構且浮置 閘極結構上已覆蓋著一閘介電層。在這個範例中，最後形 成一窄小間距(pitch)的導線，係作為浮置閘極記憶體陣列 的問極導體。 於第一材料層105之上形成具有一寬度1〇9的圖案 化光阻層107。第一材料層105的材質例如包括秒材料了 較佳使用的例如是多晶矽層或非晶矽。多晶矽層形成的方 法包括使用化學氣相沉積法（chemical vapor deposition CVD) ’所使用的氣體源例如是石夕烧(siiane)。第二材料層 103可能是一介電層，較佳使用的例如是氮化矽層。此氮 化矽層形成的方法包括使用化學氣相沉積法（chemieal vapor deposition，CVD)，所使用的氣體源例如是二氣石夕烧 1240308 12480twf.doc/m (dichl〇r〇silane)與氨氣(amm〇nia)。 然後，如圖2所繪示，利用電漿進行一㈣製程， 以移除未被圖案化光阻層1()7覆蓋的第—材料層1〇5。在 圖案化第-材料層105的過程中，是以圖案^阻層1〇7 作為制罩幕層。祕難程結錢，移除酸 107。 、々圖3係緣示於第一材料層1〇5的上表面及側壁上形 成第三材料層111。其形成的方法例如進行-熱製程，較 佳使用的例如是熱氧化法，用以形成第三材料層iu。此 熱製程並不會跟其下的氮切層或是第二材料層1⑽進行 反應。此外，在進行熱製程的期間，圖案化第一材料層1〇5 的尺寸在垂直或是水平方向齡縮小，較佳第-材料層例 如是多晶砍層。在-實施例中，在第一材料層1〇5的上表 面及侧壁上會形成-層氧切層。此結果將使得最終形成 的結構的總寬度123大於原來的圖案化第一材料層1〇5的 寬度，但第一材料層106其結構在橫向上的寬度113則比 原本的圖案化第-材料層1〇5窄小，垂直的高度也會較 小，但依本發明的觀點其重要性較低。在圖3_6中窄二化 的第一材料層標§己為106。在一範例中，熱氧化法是將晶 片暴露在一充滿氧氣的高溫環境中，例如攝氏8〇〇度。圖 3中，虛線係繪示進行熱製程前的尺寸。 請參照圖4，以第三材料層ηι作為蝕刻罩幕來圖案 化第二材料層103，以使部分的基底1〇1裸露出來。在一 較佳實施例中，可進行一非等向性蝕刻製程，此製程對氤 1240308 12480twf.doc/m 化矽蝕刻率高而對氧化矽蝕刻率低。其蝕刻劑例如是氟化 曱烷及氧(CH3F/〇2)的混合物或是二氟曱烧(CH2f2)。 接下來，請參照圖5，於圖4中所繪示的第一材料層 106、第二材料層1〇3及第三材料層lu上(未明確繪示於 圖5)形成一第四材料層115。在一較佳實施例中，第四材 料層115之材質包括氧化矽層，其係以矽烷/氧/氬 (silane/CVargon)為反應氣體源，利用化學氣相沉積法 (chemical vapor deposition，CVD)形成。在另一較佳實施 例中，係在沉積第四材料層115之前就先移除第三材料層 111。在又一較佳實施例中，如果第四材料層的材質在第 三材料層中具有良好溝填特性，而且又能與第三材料層的 材質一起進行平坦化（見下一步驟），則在沉積第四材料層 之前可不必先移除第三材料層。 9 圖6係繪示平坦化第四材料層115直到暴露出第一 材料層106。在一較佳實施例中，係使用化學機械研磨法 (chemical mechanical planarization，CMP)移除第四材料層 115直到暴露出第一材料層1〇6上表面為止。另一替代方 法是對晶片進行一乾式蝕刻製程，以移除第四材料芦 115。 θ 請參照圖7，蝕刻第一材料層ι〇6直到暴露出其下方 部分的第二材料層103。第一材料層1〇6，較佳的^多晶 矽層，係以電漿進行一蝕刻製程，所使用的氣體例如是^ /溴化氫/氧(CVHBr/〇2)，其對第一材料層1〇6的蝕刻率較 高於第二材料層1〇3及第四材料層115。進行蝕刻製程後， 1240308 12480twf.doc/m 第二材料層103則會形成寬度113的開口。（圖7未桿圮 width 113) 請參照圖8，以第四材料層115作為罩幕，進行_習 知的蝕刻製程，以圖案化第二材料層1〇3。接著，移除第 四材料層115。第二材料層103在圖案化後的寬度為第二 寬度117,此第二寬度in較小於原本的圖案化光 的寬度，第22行_出未註記109)心層105 圖21、22緣示圖2-4之製程步驟的另一種變化。請 參照圖21，加上一附加罩幕層31〇，附加罩幕層31〇的圖 案和第一材料層105相同。附加罩幕層31〇所使用的材質， 不會因為圖3進行熱製程以將第一材料層的側壁轉換成第 三材料層而有所影響。請參照圖22，進行一熱製程後， 在第一材料層的侧壁上形成第三材料層m，第三材料層 111不會形成在第一材料層的上表面。在姓刻第一材料層 之前，進行一些步驟以移除附加罩幕層310。 較佳的是，附加罩幕層310的材質和第二材料層103 大致相似，如此一來，則能在蝕刻第二材料層103的同時 移除附加罩幕層310。舉例來說，附加罩幕層31〇與第二 材料層103的材質例如氮化矽。在以第三材料層ln為罩 幕層钱刻第二材料層1G3時，同時刻並移除附 310 〇 圖9-19緣示本發明另一較佳實施例。 一請參照圖9，在基底201上形成一第一材料層2〇5及 第-材料層203。接著，在第—材料層2〇5的表面上形成 1240308 12480twf.doc/m JH9 ί圖案化光阻層207。其中，第-材料層205的 貝列π匕括石夕材料，較佳使用的是多晶石夕層。此多晶石夕 5成的方法包括的化學氣相沉積法，所使用的氣體源例 σ疋石夕烧。=二材料層203可能是一介電層，較佳的是氮 ^石夕層。此氮化石夕層形成的方法包括使用化學氣相沉積 法，所使用的氣體源例如是二氯矽烷與氨氣。 、然後，如圖10所繪示，利用電漿進行一蝕刻製程， 以移除未被圖案化光阻層207覆蓋的第一材料層205。在 圖案化第一材料層205的過程中，是以圖案化光阻層2〇7 作為餘刻罩幕層。钱刻製程結束後，移除圖案化光 207。 圖11-13係繪示於第一材料層205的上表面及側壁上 形成第二材料層213。其形成的方法例如進行一熱製程， 較佳的例如是矽化金屬製程，用以形成第三材料層213。 形成第三材料層213的方法，請參考圖11，於圖1〇 所繪示的結構上形成一金屬層211，形成的方法例如是在 真空的條件下進行一濺鑛(sputtering)製程。上述提及的金 屬層 211 例如包括鉑(piatinum)、鎳(Niekei)、銘(c〇bait)、 鈦(Titanium)、组(Tantalum)或是钥(Molybdenum)。 圖12係纟會示在第一材料層205的上表面及側壁上進 行一燒結(sintering)製程，以形成一第三材料層213。其中， 較佳使用的燒結製程是例如是快速熱回火製程（rapid thermal process，RTP)，溫度的範圍在攝氏400到800度 之間。在進行熱製程以形成第三材料層213的過程中，下 12 1240308 12480twf.d〇c/m 方的氮化石夕層或是第二材料層203並不會進行反應。此 外在進行燒結製程的期間，圖案化第一材料層205的尺 、寸在垂直或是水平都會縮小，其中較佳的第一材料層的材 料f如是多晶矽。在一實施例中，第三材料層213係形成 在乍小化的第一材料層206的上表面及側壁上(在圖12-17 中乍小化的第一材料層標記為206)。較佳的第三材料層 213的材質例如是矽化鉑（PtSi2)、矽化鎳(NiSi)、矽化鈷 (C〇2Sl)、石夕化亞銘(Cc)Si)、石夕化鈦(TiSi2)、石夕化组(TaSi2) 及矽化鉬(MoSi2)。在進行燒結製程之後，進行一濕式蝕 刻製程，以移除殘留的金屬層211。如圖13中所繪示， 其係為進行濕式蝕刻後的結構。此結果將使得最终形成的 結構的總寬度223大於原來的圖案化第一材料層2〇5的寬 度’並使得第一材料層206的結構的寬度215小於原本的 圖案化第一材料層205的寬度。 口月參照圖14 ,以第三材料層213作為蝕刻罩幕，來 圖案化第二材料層2G3，以使部分的基底2〇1裸露出來。 在:較佳實施例中，可進行-非等向⑽刻製程，此製程 對亂化独刻率高而對魏鈦㈣率低。其㈣劑如是四 氟化碳及氫氣(CF4/H2)的混合氣體。 然後，请參照圖15，移除圖14所示之結構中的第三 ^料，犯。#刻第三材料層213的方法例如是乾式_ 法，其對第三材料層213 _刻率較高於第—材料層2〇6 及第一材料層203。 接下來，請參照圖16， 於圖15中所綠示基底2〇1 上 1240308 12480twf.doc/m 方之第一材料層206及第二材料層203上形成一第四材料 層217。在一較佳實施例中，第四材料層217之材質包括 氧化石夕層，其係以石夕烧/氧/氬(silane/CVargon)為反應氣體 源，利用化學氣相沉積法形成。 圖17係繪示平坦化第四材料層217直到暴露出第— 材料層206。在一較佳實施例中，係使用化學機械研磨法 移除第四材料層217直到暴露出第一材料層206上表面。 另一替代方法是對晶片進行一乾式蝕刻製程，以移除第四 材料層217。 請參照圖18，蝕刻第一材料層206直到暴露出其下 方部分的第二材料層2〇3。第一材料層2〇6，較佳的是多 晶矽層，係以電漿進行其蝕刻製程，所使用的氣體例如是 氣/溴化氫/氧(Cl/HBr/〇2)，其對第一材料層206的蝕刻率 較南於第二材料層203及第四材料層217。進行蝕刻製鞋 後，在第二材料層203中形成寬度215的開口。（圖/ 標記 width 215) 请參照圖19，以第四材料層217作為罩幕，進一 習知的姓刻製程，以圖案化第二材料層2〇3。接著，移除 第ϊ =層217。第二材料層203於圖案化後的寬度為第 見又19值得〉主意的是，此第二寬度⑽較小於第一 ^斗層205進行顯影製程時之圖案化光阻層2们的寬度 製程f侍ΐ,二是，在上述的實施例中所提及的窄小化 " 疋圖1及圖9的起始結構是適當的材料，並且 14 1240308 12480twf.doc/m 基底101、201是在其基材上具有適合的材料層，則在有 需要的情況之下可重複進行此一製程。此一重複進行之製 程，可以是在上述提及的第一範例的製程進行之前或之 後，進行一第二範例的製程步驟。 在上述實施例中，於第一材料層的側壁上形成第三 材料層，係將部分第一材料層透過一些製程方法轉換成第 三材料層。這些製程可以是上述實施例中的熱製程，也可 以疋其匕實施例中所使用的化學反應或是内部擴散 (mterdiffusion reaction)反應。但是上述所有將部分第一材 料層轉換成第三材料層的製程，必須不會對結構上其他材 料有明顯的影響。 々此外，進行此製程以形成第三材料層時，可以減少 第一材料層寬度，並且也同時將第一材料層上表面及側壁 上部份材料的體積轉換成第三材料層的體積。當第三材料 層在轉換製程中所形成之材料的寬度大於H料層所消 耗掉材料的寬度時，此—步驟結束時結構的總寬度將大於 製程開始時第-材料層的寬度。此外，第—材料層的寬度 在進^材料轉換時被消耗掉，且同時產生第三材料層的寬 度，這兩者的寬度和一致性取決於後續的製程中次微影 (sub_lithographic)製程的圖案。 為了能繪示出這個概念，圖20將圖3及圖13設定 ^四個寬度。請參照圖20, A指的是原本第—材料層的 二度’ B指的是部份第—材料層在進行轉㈣程後剩下之 材料層的寬度，C指的是在一側壁上第三材料層的總 15 1240308 12480twf.doc/m 寬度’ D指的是第一材料層在一側壁上進行一轉換製程所 消耗掉的寬度。 ' < & 在一實施例中，如果在形成第一材料層圖案時，其 導線與間隔(space)的寬度相同，此一製程所形成的新的圖 案其導線與間隔的寬度相同，但是，，大體上，，導線的間二 (Pitch)只剩下原來的一半。此處之所以會強調大體上，是 因為需考慮到此一製程的最大容忍度。當C=2D=B時疋 也就是進行一材料轉換製程以形成第三材料層時，在側壁 上第三材料層生長的速度是第一材料層消耗速度的兩倍Γ · 且在進行轉換製程結束後第三材料層一側的寬度和第I材 料層的寬度相同時，經過一材料轉換製程可以實現以上所 述者。然而，在另一實施例中，可以藉由材料轉換製程上 的調整，更進一步的控制第一材料層消耗的寬度（第三材 料層生長的寬度），所以C可能會大於或是小於兩倍的D， ^可能會大於或小於B，而且A可能會大於或是小於兩 的B。此乍小化製程的各種變形，可依照對於結構各種 不同的需求產生各種不同次微影特徵的圖案。 $ 、，然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 ^限ί本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 :=範圍内，當可作些許之更動與潤飾。例如，雖然本發 月疋用於半導體製程的架構中，但是亦可應用於積體電路 中’用以在製造時能有更小的間距(pitch)。舉另一個例子， 般進行圖案化時的微影製程，所使用的光阻層1〇7、 207(參照圖1及圖9)，較佳的是以微影製程形成最小的特 16 1240308 12480twf.doc/m 徵尺寸，在另一實施例中也可以以特徵尺寸大於最小化光 阻的光阻層作為罩幕層。當然，如此一來微影製程中所產 生的圖案尺寸變大，將使得由此製程所得到的利益減少。 本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 準。 ’ 【圖式簡單說明】 圖1〜8繪示為本發明第一較佳實施例中縮小間距之 積體電路製造流程剖面圖。 圖9〜19繪示為本發明第二較佳實施例中縮小間距之 積體電路製造流程剖面圖。 圖20繪示為相對應於圖3及圖π的示意圖。 圖21〜22本發明實施例的另一種變化中縮小間距之 積體電路製造流程剖面圖。 【主要元件符號說明】 101、201 :基底 103、203 :第二材料層 105、106、205、206 :第一材料層 107、207 :圖案化光阻層 109、113、117、123、209、215、219、223、A、ft C、D:寬度 111、213 :第三材料層 115、217 :第四材料層 211 :金屬層 31〇 :附加罩幕層 17

Claims (1)

1240308 12480twf.doc/ni 十、申請專利範圍·· L一種積體電路的製造方法，包括·· 在一基底上的一第二材料層上形成圖案化的一第一 壁且_化的該第，材料層具有多數個上表面及多 製程’係藉由消耗圖案化的該第-材料 上形成-第三材料層，鸡=弟—材料層的該些側壁 -寬度大於相對應_二:=的該第三材料層的 消耗的一寬度； ㈣曰在進行該轉換製程時所 以該第三材料層作為罩幕層， 在該基底上形成—第四㈣層；^一材㈣ 層的分该第四材料層’暴露出該圖案化第-材料 將，，來的該第—材料層去除，以穿過該第四材 料層，暴露出部分該第二材料層；以及 Γ二第=二作為罩幕層’圖案化該第二材料層。 •明彳範圍第1項所述之積體電路的製造方 法’/、中形成圖案化的該第—材料層的方法，包括· t未圖案化的該第—材料層上形成—圖案化光陣 層，以及 第一:=案化光阻層為罩幕層，刻該未圖案化的該 3.如申請專·㈣丨摘述之麵電路的製造方 1240308 12480twf.doc/m 法’其中該第-材料層之材質係選自多晶碎與 成之族群。 汗、、且 4.如申凊專利乾圍第i項所述之積體電 法，其中該第四材料層之材質包括氧化層。 表 =·如申請專利範圍第】項所述之積體電路的製造方 '，/、中该轉換製程包括熱氧化製程。 法 其中：i 二_ 的 _ 法 r中電路的- 法 專利範圍第i項所述之積 ^该轉換製程包括—雜金屬製裎，包括· 在该第一材料層上沉積一金屬層； 燒結該金屬層；以及 移除該金屬層。 法 9·如申請專利範圍第8頂所、十、— 其中該金屬層之材質係選自二積f電路的製造方 錮所組成的族群。 ^ a鎳、銘、鈦、叙以房 法，其中‘:以:更之積體電路的製造方 前，移除該第三材料層。更包括絲成該第四材料層么 丨1·如申睛專利範圍第1 料2中去除部分該第四材料層，C路的製造方 科層的上表面，包括對該第四材料^出該圖案化第-钟 曰遵行一平坦化製程， 1240308 12480twf.doc/m 直到曝露出該第一材料層的上表面。 、丨2·如申明專利範圍第Π項所述之積體電路的製造方 法，其中該平坦化製程包括乾蝕刻製程。 13·如申請專利範圍帛u項所述之積體電路的製造方 法，其中該平坦化製程包括化學機械研磨法。 、Μ·如申請專利範圍第1項所述之積體電路的製造方 法其中圖案化的該第一材料層有一第一最小寬度，圖案 化的该第二材料層有一第二最小寬度，且該第一最小寬度 大於該第二最小寬度。 、又 、丨5·如申請專利範圍第1項所述之積體電路的製造方 法其中圖案化的該第一材料層包括多數條第一圖案導 線，其每一條第一圖案導線之間具有一第一間距(pitch)， 且在該第二材料層圖案化後，該第二材料層具有多數條第 二圖案導線，其每一條第二圖案導線之間具有一第二間 距’且a亥苐二間距小於該第一間距。 16·如申請專利範圍第丨項所述之積體電路的製造方 法，更包括在圖案化該第二材料層後，移除該第四材料層。 17·如申請專利範圍第1項所述之積體電路的製造方 法’其中形成圖案化的該第一材料層的方法，包括： 在未圖案化的該第一材料層上形成圖案化的一第五 材料層，且圖案化的該第五材料層具有多數個上表面及多 數個側壁； 進行一初步轉換製程，係藉由消耗圖案化的該第五 材料層側壁上的材料，以於圖案化的該第五材料層的該些 20 1240308 12480twf.doc/m 側壁上形成一第六材料層，且每一個側壁上的該第六材料 層的寬度大於相對應的該第五材料層在進行該初步轉換製 程時所消耗的寬度； 以該第六材料層作為罩幕層，圖案化該第一材料層； 在該基底上形成一第七材料層； 移除部分該第七材料層，使該圖案化第五材料層的 上表面暴露出來； ★ 移除曝露出來的圖案化的該第五材料層，以穿過該 第七材料層暴露出部分該第一材料層； 以及以該第七材料層作為罩幕層，圖案化該第一材料層； 圚茶化該第刊TT/百Ί又 ^^「本綠乐七材料層。 18·如申請專利範圍第i項所述之積體電路^製造方 去，其中形成圖案化的該第一材料層的方法，包括 在該第一材料層上形成一附加罩幕層，^ 曰的圖案和該第一材料層相同；以及 、 在移除暴露出的該第一材料層之前， 該附加罩幕層。 ！包括先移除 電路的製造方 化該第二材料 、I9·如申請專利範圍第18項所述之積體 去，其中移除該附加罩幕層之步驟係與圖案 層之步驟一起進行。 〃 21·如申請專利範圍第19項所述之積體電路 20.如申請專利範圍第…項所述之 法’其中該附加罩幕層之材質和該第二材料製造方 的製造方 21 1240308 12480twf.doc/m 法，其中該附加罩幕層之材質和該第二材料層所形成之材 質包括氮化矽。 22·—種積體電路的製造方法，包括： 在一基底上的一第二材料層上形成一第一材料層， 該第一材料層圖案化後形成一具有一第一間距(pitch)的第 一圖案導線，且該第一圖案導線具有多數個上表面及多數 個側壁； 進行一熱轉換製程，係藉由消耗圖案化的該第一材 7層側壁上的材料，以於圖案化的該第一材料層的該些側 壁上形成一第三材料層，且每一個側壁上的該第三材料層 的—寬度大於相對應的該第一材料層在進行該埶轉換製程 時所消耗的一寬度； 、 以该第三材料層作為罩幕層7 在該基底上形成一第四材料層 除部分該第四材料層，以暴露出該㈣化第一材 料層的上表面； f除曝路出來的圖案化的該第„材料層，以穿過該 苐四材料層暴露出部分該第二材料層；以及 =第四材料層作為罩幕層，圖案化該第二材料廣， 有多數μ在圖案化該第二材料層後，該第二材料廣具 =數^二圖案導線，其每―條第二圖案導線之間具有 弟一間距，該第二間距小於該第一間距。 法，專利範圍第22項所述之積體電路的製造方 /、中形成圖案化的該第一材料層的方法，包括： 22 1240308 12480twf.doc/m 了/W上形成一附加罩篡 層的圖案和該第—材料層c附加軍幕 該第二材料層相同；以及 "附加罩幕層之材質和 在進行蝕刻該第二材料声 附加罩幕層之步驟。 ⑽時同時進行移除該 24.如申請專利範圍第22項所述 法，其中該熱轉換製程包括熱氧化製程電路的製造方 25·如申請專利範圍第22項所述之積 法，其巾該f二材料層之材㈣ μ魏的k方 的材質包括氧切。材貝切’該第三材料層 26·^申請專利範圍第”項所述之積 法，其中該熱轉換製程，包括： 方 在該第一材料層上沉積一金屬層； 燒結該金屬層；以及 移除該金屬層。 27·如申請專利範圍第26項所述之積體電路的製造方 法’其中忒金屬層之材質係選自鉑、鎳、鈷、鈦、钽(丁⑽以以的 以及鉬(Molybdenum)所組的族群。 23