TWI238292B - Lithographic projection apparatus having a temperature controlled heat shield - Google Patents

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TWI238292B
TWI238292B TW090101785A TW90101785A TWI238292B TW I238292 B TWI238292 B TW I238292B TW 090101785 A TW090101785 A TW 090101785A TW 90101785 A TW90101785 A TW 90101785A TW I238292 B TWI238292 B TW I238292B
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temperature
lithographic projection
projection device
substrate
base
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TW090101785A
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Erik Roelof Loopstra
Yim Bun Patrick Kwan
Marcel Johannus Elisa Muitjens
Sonja Theodora De Vrieze-Voorn
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
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Description

1238292 A7 五、發明說明（1 ) 本發明係關於一微影投影裝置，其可將一光罩中之光罩 圖型成像於一基體上，該裝置包括： 、、月系統’其構造及没置之方式可提供一投影輕射光 束； 光罩台’其具有一光罩固定器，該光罩固定器之構造 可固定一光罩； 基隨台’其具有一基體固定器，該基體固定器之構造 可固定一基體；及 一投影系統，其構造及設置之方式可將該光罩之一部份 成像於該基體之一目標部份上。 舉例而言，微影投影裝置可用於製造積體電路（IC)。在該 種情況下，光罩（原型光罩）可包含一圖型，其對應於積體電 路<某一層。吾人可使該圖型成像於一基體（矽晶圓）之一目 榼邯份（其包括一或多個晶粒）上，該基體事先已塗有一層光 敏材料（抗光蝕材料）。單一晶圓通常包含一整個由相鄰目標 邯份所構成之網路，各目標部份將逐一接受穿過光罩之照 射。在其中一種微影投影裝置中，各目標部份接受照射之 方式係將整個光罩圖型一次全部曝光於目標部份上，該種 裝置—般稱爲晶圓步進機。在另一種裝置（一般稱爲步進及 掃插裝置）中，各目標部份接受照射之方式爲：使光罩圖型 特定之參考方向（「掃描」方向)漸次接受投影光束之掃 柄，並使基體台接受同步掃描，其方向可與該參考方向平 行^反平行。一般而言，由於投影系統具有-放大因數Μ (1¾ <1)’因此’基體台接受掃描之速度將爲光罩台接受 本紙張尺度適^^國國家標準（CNS)A4^見;ίΓ^Τ_297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·ϋ an ·ϋ 1 1— ·1 含 n 1_1 ϋ -ϋ ·ϋ I 1_Β— I 屬 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1238292 Α7 Β7 五 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（2 ) 掃描之速度之Μ倍。有關上述微影裝置之資料詳見國際專 利申請案W0 97/33205號。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該種裝置向來包含一單一光罩台及一單一基體台，直到 最近才有所改變。目前已出現至少設有兩個可獨立移動之 基體台之機器。舉例而言，可參見國際專利申請案WO 98/28665號及WO 98/40791號中所説明之多平台裝置。該種 多平台裝置之基本操作原理爲：當一第一基體台正處於投 影系統下方、以便使該基體台上之一第一基體接受曝光時 ，一第二基體台則可移至一裝載位置，釋放已曝光之基體 ，拾取一新基體，針對該新基體進行若干初始之對準量測 ，並預備在該第一基體一完成曝光後、便將該新基體傳送 至投影系統下方之曝光位置。此一循環可反覆進行。吾人 可利用此一方式大幅提高機器之產出，進而改善機器之擁 有成本。該裝置亦可具有兩個以上之光罩台，且包括可在 眞空狀態下操作、並與眞空相容之構件。 微影裝置可使用多種投影輻射，例如'紫外線（UV)、極遠 紫外線（EUV)、X射線、離子束、或電子束。投影系統可根 據其所使用之輻射種類及該裝置本身之設計需求而成爲折 射式、反射式、或反射折射式之系統（舉例而言），且可包括 玻化構件、掠射角入射鏡、具選擇性之多層塗層、磁場及/ 或靜電場透鏡· ··等。爲求簡潔，該等構件在本文中可 稱爲「透鏡」，其可指單一透鏡，亦可爲一集合名詞。 就半導體業而言，在製造積體電路時，始終希望構件密 度愈來愈高，因此，特徵尺寸亦愈來愈小。爲使尺寸較小 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1238292 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明（3 ) 之特徵得以成像，投影裝置中多個部份之溫度均不可超出 一預定値之狹小範圍。若偏離該預定値，構件將因而膨脹 或收縮，使基體及光罩（舉例而言）之準確定位產生誤差，但 若欲將光罩中之圖型特徵投影至基體上，準確定位係必要 之條件。若溫度偏離該預定値，亦將使感測器（例如用於基 體之定位及/或整平）之讀數產生誤差。該種感測器有可能對 輻射感測光束所行經之某一體積之氣體之折射率變化（隨溫 度而變化）十分敏感。舉例而言，使用單色相干輻射感測光 束之干涉式位移量測裝置即爲一種對折射率變化十分敏感 之感測器。 本發明之一目的係爲提供一微影投影裝置，其中一對溫 度偏差十分敏感之部份（例如基體或光罩固定器、或輻射光 束所行經之某一體積之氣體）係與「可使該溫度敏感部份偏 離預定溫度」之另一部份隔離。 本發明提供一種微影投影裝置，其可將一光罩中之光罩 圖型成像於一基體上，該裝置包括： 一照明系統，其構造及設置之方式可提供一投影輻射光 束； 一光罩台，其具有一光罩固定器，該光罩固定器之構造 可固定一光罩； 一基體台，其具有一基體固定器，該基體固定器之構造 可固定一基體； 一投影系統，其構造及設置之方式可將該光罩中一接受 照射之部份成像於該基體之一目標部份上； -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1238292 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) 一熱屏蔽，其設置方式可使該裝置之一第一部份與一第 二部份因該熱屏蔽而隔離，該第一部份之溫度須爲一預定 値，該第二部份則具有一特徵，其可影響該第一部份之溫 度；及 熱屏蔽溫度控制裝置，其構造及設置之方式可控制該熱 屏蔽之溫度，使其到達該預定値。 在本發明之具體實例中，該·熱屏蔽之設置方式可使其不 與該第二部份形成熱接觸。該熱屏蔽可與該第二部份相隔 一段距離，或至少局部包圍該第二部份。該熱屏蔽溫度控 制裝置可包括一導管，其設置方式係與該熱屏蔽形成熱接 觸，其構造則可供一流體流動。此外，該熱屏蔽溫度控制 裝置之構造及設置方式亦可控制該流體之溫度，使其到達 該預定値；並使該流體在該導管内流動。 該第二部份之特徵可爲Γ溫度偏離該預定値」、抑或 「可提供輻射，若入射於該第一部份，則可使該第一部份 之溫度偏離該預定値」。此外，該第二部份可包括一能量 散逸元件，該元件可爲該裝置所包含之一馬達之一部份。 舉例而言，該馬達之構造及設置方式可使該光罩台與該基 體台其中之一相對於該裝置之一框架而位移，或使該光罩 固定器與該基體固定器其中之一分別相對於該光罩台或該 基體台而位移。 一微影投影裝置包括一基座框架及一測量框架，該測量 框架係安裝於該基座框架上，且大致與振動隔離，該測量 框架可爲該第一部份。該第一部份亦可爲一投影裝置中某 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 ·ϋ ·11 ϋ 1 Jummm ϋ 一-aJi n ϋ ϋ ·ϋ ϋ tMf ι 1238292 A7 B7 五、發明說明（5 ) 一體積之氣體，該投影裝置包括干涉式位移量測裝置，其 所具有之單色相干輻射光束可穿過該投影裝置中之氣體。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明在另一方面則提供一種利用一微影投影裝置製造 一裝置之方法，該微影投影裝置包括： 一照明系統，其構造及設置之方式可提供一投影輻射光 束； 一光罩台，其具有一光罩固定器，該光罩固定器之構造 可固定一光罩； 一基體台，其具有一基體固定器，該基體固定器之構造 可固定一基體；及 一投影系統，其構造及設置之方式可將該光罩中一接受 照射之部份成像於該基體之一目標部份上； 該方法包括下列步驟： 將一光罩供應至該光罩台，該光罩載有一光罩圖型； 將一基體供應至該基體台，該基體至少有部份係由一層 對輻射敏感之材料所覆蓋； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 設置一熱屏蔽，使該微影投影裝置之一第一部份與一第 二部份因該熱屏蔽而隔離，該第一部份之溫度須爲一預定 値，該第二部份則具有一特徵，其可影響該第一部份之溫 度； 控制該熱屏蔽之溫度，使其到達該預定値；及 利用該投影輻射光束及該投影系統，至少將該光罩圖型 之部份影像投影至該基體之一目標部份上。 在一利用微影投影之製造方法中，吾人係將一光罩中之 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1238292 A7 五、發明說明（6 ) 圖型成像於一基體上，該基體至少 敏感之材料（抗蚀材料）所覆蓋德層對能量 =體施行多道程序，例如打底、抗钱材料之塗佈： ι式烘烤。曝光後則可爲該基體施行其他 及 後之烘烤（ΡΕΒ)、顯影、硬式 ，歹，如曝光 目丨 式、烤及已成像特徵之量洌/ 私測。上述一系列程序係吾人在— 里幻/ 农置（例如積體電路）之莫 一層上形成圖型之基本步驟。 、、 木 制铲" ^ 〈後，孩圖型層將接受多種 仏，例如蚀刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、 =磨...等’所有製程之目的均爲完成-獨立層：若 而·又置设數層，.則每一層均需重覆整套程序（或其變體）。最 後’基體（晶圓）上將形成—由裝置所構成之陣列。吾人可利 用叩粒切割或鋸割 < 万式，使該等裝置彼此分離，之後便 可將各裝置安裝於一載具上，並與插腳連接...。舉例 而言，有關該等製程之進-步説明可參見彼得凡·桑特 (PetervanZant)所著「微晶片之製造：半導體處理之實用指 南」一書（第三版，麥果希爾出版公司（MeGraw Hiu
Publishing Co.)，1997年，ISBN 0-07-067250-4)。 以上之説明雖有明確之參照對象，亦即將本發明之裝置 應用於積體電路之製造，但在此需明確指出，此一裝置亦 具有許多其他用途，例如可用於製造集成光學系統、磁域 記憶體5引導及偵測圖型、液晶顯示器面板、薄膜磁頭· ••等。凡熟知此項技藝之人士即可明瞭：本文中「原型 光罩」、「晶圓」、或Γ晶粒」等詞在該等替選用途中可 分別改爲「光罩」、「基體」、及「目標部份」等較具一 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '------l·— 訂·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1238292 A7 B7 五、發明說明（7 ) 般性之用詞。 以下將透過示範用之具體實例及後附之示意圖，説明本 發明及其附帶之優點。圖式中相同之參考標號代表完全相 同或類似之構件。圖式中： 圖1所示係根據本發明一具體實例之微影投影裝置； 圖2爲一基體平台之平面圖，該基體平台包括基體台及其 驅動馬達； 圖3爲一剖面圖，剖面位置通過基體台及其用以驅動X方 向位移之馬達； 圖4爲圖3之局部細部圖，顯示基體固定器相對於基體台 之驅動構造； 圖5爲圖3之一替選部份之細部圖，顯示基體固定器相對 於基體台之驅動構造； 圖6則爲測量框架之局部剖面圖。 具體實例1 圖1爲本發明微影投影裝置之示意圖。該裝置包括： 一照明系統LA、Ex、IN、C0，其可提供一投影輻射光束 PB (例如波長爲365奈米、248奈米、193奈米、或157奈米 之紫外線、或波長約爲10奈米之極遠紫外線輻射）。 一光罩台MT，其具有一光罩固定器，該光罩固定器可用 於固定一光罩MA (例如原型光罩）； 一基體台WT，其具有一基體固定器，該基體固定器可用 於固定一基體W (例如一塗有抗光蝕材料之矽晶圓）；及 一投影系統P L (例如一透鏡或反射折射系統、或一鏡群組) -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·
' · 丁』 • n ·ϋ ϋ ϋ ·ϋ ·1- ϋ - > · n n ϋ n emt amMK 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1238292 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) ，其可將光罩MA中一接受照射之部份成像於基體W之一目 標部份C (其包括一或多個晶粒）上。 在圖示之具體實例中，圖示之裝置包括折射式構件。但 該裝置亦可改用一或多個反射式構件。圖示之具體實例亦 包括一基座框架BF及一測量框架MF，前者係安裝於空氣安 裝件（未圖示）上，使其大致與環境隔離，後者則係安裝於該 基座框架上，且大致與振動隔離，以便進一步與環境隔離 。投影系統PL及感測器（例如干涉式位移量測裝置IF)係安裝 於測量框架MF上。 該照明系統包括一輻射源L A，其可產生一輻射光束。吾 人可令該光束穿過多個光學構件（例如光束成形光學件Ex、 一集成器IN、及一聚光器CO)，以便使最後產生之光束PB 在截面上具有吾人所需之均勻度及強度分布。 而後，光束PB便將與光罩MA相交，該光罩係固定於一光 罩台MT上之一光罩固定器中。光束PB在穿過光罩MA後， 將通過投影系統PL，其可將光束PB聚焦於基體W之一目標 部份C上。吾人可借助干涉式位移量測裝置IF，精確移動基 體台WT，例如將不同之目標部份C移至光束PB之路徑中。 如圖2所示之長行程馬達可使基體台WT相對於基座框架 BF之基座板BP而移動，如圖4/斤示之短行程馬達則可使基 體固定器WH相對於基體台WT而移動，以便準確定位。同 樣，光罩固定器MH可藉由短行程馬達’、相對於光罩台MT 而移動，而光罩台MT則可藉由一長行程馬達、相對於基座 框架BF而移動。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -t^i 1 I i^i ϋ Βϋ 一 -OJ* ·ϋ II -I ϋ ·ϋ 1_1 s 1238292 五、發明說明（9 ) 圖不足裝置具有兩種不同之使用模式： 1在步進模式中，光罩台MT係固定不動，整個光罩影像 可一次全部投影至一目標部份C上（亦即單次「閃光」）。而 後，基體台WT則將沿乂及/或7方向位移，使另一目標部份c 接受光束PB (固定不動）之照射；及 2掃描模式之程序基本上與步進模式相同，不同處在於 口人並非以單次「閃光」之方式使一特定之目標部份C曝光 。光罩台MT將以速度”沿一特定方向（所謂「掃描方向」 ，例如X方向）移動，使投影光束PB掃描整個光罩影像。在 此同時，基體台WT則將以速度v = 、沿相同或相反之 方向同步移動，其中Μ爲投影系統PL之放大率（基本上，M 二1/4或1/5)。吾人可利用此一方式，使一較大之目標部份。 曝光而無損於解析度。 圖2爲微影投影裝置其晶圓平台之平面示意圖。該晶圓平 台包括基體台WT及基座板BP，基座板BP具有一平坦且水 平之上表面。基體台WT在該上表面上移動時，基本上不產 生摩擦，此因基體台WT係以一氣體腳（例如一空氣腳）作爲 支撑件。吾人可利用一種已知之H形驅動設計，使晶圓台 WT到達基座板BP上之车位，該設計係由兩長行程丫向線性 馬達100、及一長行程X向線性馬達200所組成。γ向線性馬 達1〇〇包括一 Y向樑110, 一 γ向滑件12〇可在該樑上移動。χ 向馬達200其X向樑210之每一端均係安裝於一相對應之丫向 滑件120上，該Υ向滑件可在其γ向線性馬達1〇〇之驅動下， 沿Υ向搮110之縱向移動。以虛線表示之樑11 〇、2 1 〇及滑件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------ί 訂·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 1238292 A7 B7 五、發明說明（1Q) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 120、220係位於另一構件400與3 00 (容後述）之下方。基體 台WT係安裝於X向滑件220上，該X向滑件可在X向馬達200 之驅動下，沿X向樑210之縱向移動。因此，若驅動X向滑 件220，使其沿X向樑210移動，即可調整基體台WT在X方 向之位置；若驅動Y向滑件120，使其各沿其Y向樑110移動 ，即可調整基體台WT在Y方向之位置。若Y向滑件120可接 受獨立控制，基體台WT便可繞一平行於Z方向之軸而轉動 。Y向線性馬達係安裝於一配重質量10上，該配重質量之形 式爲一環繞基座板BP之矩形框架。 圖3係一通過基體台WT及X向馬達200之剖面圖。圖中可 見位於X向樑210上方之X向滑件220、及安裝於X向滑件220 上之基體台WT。在圖示之具體實例中，X向線性馬達之定 子係安裝於X向樑210上，且X向滑件220包括電線，其可攜 載電流，使X向滑件220沿X向樑2 10移動。在一替選具體實 例中，該定子係設置於X向滑件220上，電線則設於X向樑 2 10上。電線及線性馬達之功能本身即爲已知，此處不再贅 述。圖3中亦可見氣體腳20，其可將基體台WT支撑於基座 板BP上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當電流通過時，X向滑件220將出現電能散逸之現象，X向 滑件之溫度亦將升高。爲將溫度控制爲一預定値，吾人可 利用一導管250内之冷卻水流冷卻X向滑件，該導管係結合 於X向滑件220中。在圖示之具體實例中，導管250係沿X向 樑210之方向穿過X向滑件220之中心。圖中可見導管250之 兩個截面，此因導管250在X向滑件220内係設置成一迴路。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1238292 A7 B7 i、發明說明（11) 導管250可與X向滑件220形成良好之熱接觸，以便將X向滑 件之熱能有效傳送至冷卻水。但此一作法無法精確控制溫 度，因爲冷卻水在導管250内流動時，其溫度亦將上升，致 使相當比例之能量在X向滑件220中散逸。因此，X向滑件 220其不同部位所可能出現之溫度變化至少是以十分之一克 耳文計（> 0.1 K)。吾人可選定冷卻水之溫度，使部份之X向 滑件高於預定溫度（加熱能量之淨散逸），部份之X向滑件則 低於預定溫度（冷卻能量之淨散逸）。 圖3亦顯示干涉式位移量測裝置（或干涉儀）IF之一感測光 束30，該光束係反射自基體固定器WH之一反射側邊40。干 涉儀光束30係用於量測基體W之Y方向位移。吾人可利用多 道反射自該側邊上不同位置之干涉儀光束量測基體之轉動 及/或傾斜度。吾人亦可利用基體固定器上、沿Y方向延伸 之一側邊所反射之多道干涉儀光束、及反射側邊4〇 —後傾 部份所反射之多道干涉儀光束，分別量測X方向及Z方向之 位移、及另一傾斜度。爲方便起見，圖中僅顯示一道干涉 儀光束3 0。 干涉儀IF可量測圖中之量測光束30相對於一參考光束（未 圖示）之光程長度變化。在理想狀況下，唯有基體固定器 WH之位移才會造成光程長度之變化。然而，干涉儀光束所 穿過之介質（例如一氣體）其折射率之變化亦可使光程長度產 生變化。折射率之變化可來自該氣體中之紊流及溫度變化 。爲減少氣體中之紊流及溫度變化，吾人需控制該裝置中 多個邵份之溫度’使其到達一明確之預定溫度。吾人亦可 -14- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ n I— mumK ·ϋ tmmmm ^ · n n ϋ —β I n 1 -囔丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1238292 A7 B7 五、發明說明（12) 利用空氣淋浴（未圖示）控制干涉儀光束所穿過之氣體之溫度 及紊流。吾人亦可因其他理由而使用溫度控制及空氣淋浴。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) X向滑件220之溫度變化可使量測光束30所穿過之氣體產 生溫度變化及紊流，並對基體固定器WH及基體W之定位準 確度造成限制。爲進一步控制溫度變化及紊流，X向滑件 220上方設有一熱屏蔽300，且兩者間隔一小段距離，因而 不致形成熱接觸。吾人可精確控制該熱屏蔽之溫度，使其 到達該裝置之預定溫度。溫度控制可達預定溫度附近千分 之一克耳文之範圍内。爲此，熱屏蔽3 00具有一可供冷卻流 體（例如水）流動之導管350。吾人可利用一溫度控制器（未圖 示）控制該冷卻流體之溫度，使其到達預定之溫度，且不超 出千分之一克耳文之變化範圍。在圖示之具體實例中，導 管350係設置於熱屏蔽300之上、下板之間，並與該二板形 成極佳之熱接觸，以利熱屏蔽300與冷卻流體間之雙向熱傳 導效率。此4，熱屏蔽300係由導熱度極高之材料（例如鋁 或鋁合金）製成，以便將熱能以極有效率之方式傳導至其導 管 350。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 熱屏蔽300之熱負載將十分有限，因爲吾人已將X向滑件 220之溫度控制在預定溫度之一有限範圍内，且X向滑件與 熱屏蔽300間之距離亦將提供一極大之熱阻。有限之熱負載 加上極有效率之溫度調節將使溫度不致超出預定溫度之一 狹窄溫度範圍（以千分之一克耳文計）。因此，熱屏蔽300可 視爲某種熱接地，等同於一電接地勢能。 熱屏蔽300並非僅設於X向滑件220上方，而係設置於X向 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1238292 A7 B7 五、發明說明（13) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 樑210之上方，並沿該樑之全長而延伸，使X向滑件220可移 至熱屏蔽300下方。當X向滑件220之溫度升高後，X向樑 210將因而受熱，導致其溫度上升，因此，當X向滑件220移 至另一位置後，在沒有熱屏蔽之情況下亦將產生前述之干 擾。在圖示之具體實例中，熱屏蔽3 00亦可防止因X向樑2 10 偏離預定溫度所造成之干擾。 如圖2所示，Y向樑110上方亦設有熱屏蔽400。Y向線性馬 達100及其相對應熱屏蔽400之構造一如X向線性馬達之相關 説明。圖2底部以’虛線表示之冷卻導管450係由一供給接頭 451延伸至一排放接頭452，且蜿蜒於熱屏蔽400之上、下板 之間。圖中亦可見熱屏蔽300其冷卻導管350所使用之供給 接頭351及排放接頭352。 熱屏蔽300與400僅設置於線性馬達100及200其樑110、 210、與滑件120、220之上方，因爲該裝置中對溫度變化極 爲敏感之部份均位於熱屏蔽300與400之上方。若有需要， 熱屏蔽300與400亦可包圍樑110與210之更多側邊。 具體實例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之另一具體實例如圖4所示。圖4爲一通過基體台 WT及其基體固定器WH之局部剖面圖，該基體固定器上設 有一基體W。該基體固定器連同該基體可藉由短行程馬達 (在圖示之具體實例中係採用所謂勞倫茲力馬達之形式）、相 對於該基體台之一基座部份50而位移。圖中之勞倫茲力馬 達500包括：複數個電繞組510，其位置係平行於一垂直於 圖面之平面；兩組永久磁石520，其北-南方向如箭頭所示 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1238292 A7 B7 五、發明說明（14) 。磁石520係安裝於一軛525上，該軛則係安裝於基體固定 器WH上。一繞組有部份係通過屬於第一组之兩磁石之間； 一繞組有部份係通過屬於第二組之兩磁石之間。通過繞阻 (或稱線圈）510之電流可引發一平行於圖面之力，並使基體 固定器WH相對於基體台WT之基座部份50而位移。該基體 台共設有三個勞倫茲力馬達（未圖示）。 當有電流通過時，繞組510將產生電能散逸之現象，導致 勞倫茲力馬達500中線圈510之溫度&上升。若欲將溫度控制 在一預定値，吾人可冷卻一構件530，因爲在該構件中，繞 組係由結合於該構件内之導管（未圖示）中所流動之冷卻水所 包圍。然而，該勞倫茲力馬達中包含繞組之部份530仍有可 能產生不同部位之溫度變化，一如第一具體實例中X向滑件 之相關之説明。此一溫度變化將使基體固定器WH之溫度產 生變化（相對於一預定溫度），並使基體固定器WH與基體W 因而膨脹並/或收縮，導致基體（連同待照射之晶粒）無法精 確定位，進而產生覆蓋之誤差。 . 爲進一步降低基體固定器WH之熱負載，一熱屏蔽540係 大致圍繞於該載有電繞阻之部份530，且兩者間隔一段距離 。熱屏蔽540與第一具體實例中之設計相同，均由導熱度極 高之材料製成。但在本具體實例中，熱屏蔽540不應成爲一 磁屏蔽。熱屏蔽540亦可結合一可供冷卻流體流動之導管， 以便精確控制熱屏蔽540之溫度。該導管在圖4中並未顯示 ，但類似於第一具體實例中熱屏蔽300與400内之導管。 圖5爲圖4所示具體實例之一替選方案。在此具體實例中 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ H 1 ϋ n n an 一-口t 1 n ϋ ϋ I ·ϋ -# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1238292 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明（15) (除以下之説明外，其餘部份均與前一具體實例完全相同）， 一熱屏蔽541係位於勞倫茲力馬達500與基體固定器WH之間 。該熱屏蔽係大致圍繞於馬達500，並與勞徐茲力馬達500 及基體固定器WH兩者均間隔一段距離。軛525係勞倫茲力 馬達500之一部份，且係由連接件535連接至基體固定器。 具體實例3 如圖6所示，在第三具體實例中，干涉儀IF之一雷射單元 600係安裝於測量框架MF之頂面。之所以將單元600安裝於 測量框架上係基於穩定性之考量。單元600包含一雷射裝置 (未圖示），其可散逸能量，因此溫度較高。雖有一空氣流 95〇流經該單元之上方作爲冷卻之用，但該單元之溫度仍有 可能偏離測量框架MF之預定溫度。爲將測量框架與單元 600隔離，單元600與測量框架MF間設有一熱屏蔽700。熱 屏蔽700亦安裝於連接件610上，使連接件610大致維持在熱 屏蔽700之溫度，以免單元600之熱能經由連接件610傳導至 框架MF。溫度控制裝置（未圖示）可控制熱屏蔽700之溫度， 使其到達一預定溫度。連接件6 10包括一套筒6 11，其位於 單元600之板620與框架MF之間，熱屏蔽700即連接於該套 筒。連接件610尚包括一螺栓612，可用於將單元600之板 620固定於套筒611。螺栓612係旋入測量框架MF中，在螺 栓612與板620之間則設有一導熱度極低之墊圈613，以免熱 能直接經由螺栓612而傳導至框架MF。 來自雷射單元600之雷射光束601將被導至測量框架之下 方，而後射向一安裝於基體台WT上之量測鏡，再射向一安 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ I mM— n ·ϋ n^-Γΰ' n ϋ mM— —i n n n 1238292 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 _ 五、發明說明（16 ) 裝於測量框架上之參考鏡（未圖示）。一如第一具體實例之相 關説明，雷射光束所行經之介質無論是通往量測鏡或參考 鏡之部份，其溫度均應完全相同。由於一直接安裝於測量 框架上之能量散逸元件可使該框架之溫度以某一幅度偏離 一預定値，因此，測量框架MF之底面另設有一熱屏蔽800 。吾人可利用第一具體實例中所説明之溫度控制裝置（在圖 6中並未顯示）控制熱屏蔽800之溫度，使其到達一明確之預 定値。對干涉儀雷射光束所穿過之介質（例如一空氣流960) 而言，熱屏蔽800係呈現出一預定溫度，而空氣流960之溫 度亦將接受控制。由於空氣流960可沿測量框架行進一段距 離，因此，爇屏蔽800沿測量框架而延伸之範圍至少需對應 於沿框架MF而流動之空氣流960。 從圖6中亦可看出，熱屏蔽700沿測量框架MF而延伸之範 圍大於雷射單元600之板620之延伸範圍，此一設計係爲將 測量框架MF與其他有可能加熱框架MF之來源（未圖示）隔離 。該等來源之溫度有可能偏離預定値，並以熱輻射或空氣 對流之方式加熱框架MF，但該等來源亦有可能經由提供輻 射（例如來自投影輻射光束）之方式加熱框架MF，該輻射若 爲測量框架所吸收，框架MF便將受熱。當裝置中之構件將 投影輻射朝測量框架反射時，投影輻射便有可能入射於測 量框架上。因此，熱屏蔽700與800可將測量框架與有可能 加熱測量框架MF之來源隔離，一如其可隔離該裝置中、有 可能因測量框架MF不具有預定溫度而受到影響之部份。干 涉儀光束所穿過之空氣流960雖未必由輻射直接加熱，但卻 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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有可能受熱於測量框架MF上已吸收該輻射之表面Q 測量框架MF係由具有預定溫度之熱屏蔽700與800所包園 ’因而獲得熱屏蔽700與800之溫度，吾人即以此一方式控 制測量框架之溫度。該等熱屏蔽可直接安裝於測量框架上 (如圖中之熱屏蔽700即經由連接件61〇而安裝於測量框架上） ’亦可安裝於基座框架BF上。 以上所述雖爲本發明之特定具體實例，但本發明之實施 方式亦可與本文所述之方式不同。本文之説明並無意對本 發明有所限制。 雖然本文之内容集中在「利用光罩使進入投影系統之輻 射光束具有圖型」之微影投影裝置及方法，但在此必須説 明，本文所提出之發明應視爲更廣義之微影投影裝置及方 法，其可利用一般性之「圖型形成裝置」使該輻射光束具 有圖型。此處「圖型形成裝置」一詞係泛指可使一入射輻 射光束具有一圖型剖面之裝置，該圖型剖面係對應於基體 目標部份所需形成之圖型；就此而言，亦有人使用「光閥」 岡。一般而1：，該圖型係對應於該目標部份中所形成之 一裝置（例如積體電路或其他裝置）之一特定功能層。該種圖 型形成裝置除設置於光罩台上之光罩外，尚包括下列示範 用具體實例： -一可程式鏡陣列。舉例而言，該種裝置可爲一矩陣可定 址表面，其具有一黏彈性控制層及一反射表面。該種裝 置4基本原理爲（舉例而言）：反射表面之已定址區域可將 入射光反射爲繞射光，而未定址之區域則將入射光反射 -20- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 0 -I ϋ ·1 n 1 ^_i 1=-OJ』· 1- ϋ ·ϋ ϋ I n I * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 297公釐）

Claims (1)

  1. I238g^01785號專利申請案 as j修 中文申請專利範圍替換本(94年2月） 漂 充'n wl I-η-----------------------：：i：：r— ' f I♦利範圍 1. 一種微影投影裝置，其可將一光罩中之光罩圖型（M)成 像於一基體（W)上，該裝置包括： 一照明系統（LA ; Ex ; IN，C0)，其構造及設置之方式 可提供一投影輻射光束（PB); 一光罩台（MT)，其具有一光罩固定器，該光罩固定器 之構造可固定一光罩（M); 一基體台（WT)，其具有一基體固定器，該基體固定器 之構造可固定一基體（W); 一投影系統（PL)，其構造及設置之方式可將該光罩中 需接受該投影光束(PB)照射之部份（MA)成像於該基體（W) 之一目標部份上； 一熱屏蔽（300，400，540，541)，其設置方式可使該 裝置之一第一部份與一第二部份因該熱屏蔽（300，400， 540，541)而隔離，該第一部份之溫度須為一預定值，該 第二部份則具有一特徵，其可影響該第一部份之溫度； 及 熱屏蔽溫度控制裝置（350，450)，其構造及設置之方 式可控制該熱屏蔽（300，400，540，541)之溫度，使其 到達該預定值。 2. 如申請專利範圍第1項之微影投影裝置，其中該熱屏蔽之 設置方式可使其不與該第二部份形成熱接觸。 3. 如申請專利範圍第2項之微影投影裝置，其中該熱屏蔽之 設置方式係與該第二部份相隔一段距離。 4. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之微影投影裝置， 68770-940225.doc - 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）. 1238292 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中該熱屏蔽至少局部包圍該第二部份。 5. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之微影投影裝置， 其中該熱屏蔽溫度控制裝置包括一導管，其設置方式係 與該熱屏蔽形成熱接觸，其構造則可供一流體流動，此 外，該熱屏蔽溫度控制裝置之構造及設置方式亦可控制 該流體之溫度，使其到達該預定值，並使該流體在該導 管内流動。 6. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之微影投影裝置， 其中該熱屏蔽包括一具有高導熱度之材料。 7. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之微影投影裝置， 其中該第二部份之特徵為：溫度偏離該預定值。 8. 如申請專利範圍第7項之微影投影裝置，其中該第二部份 包括另一溫度控制裝置，其構造及設置之方式可控制該 第二部份之溫度。 9. 如申請專利範圍第7項之微影投影裝置，其中該第二部份 包括一能量散逸元件。 10. 如申請專利範圍第9項之微影投影裝置，其中該裝置包括 一馬達，且該馬達之一部份即為該能量散逸元件。 11. 如申請專利範圍第10項之微影投影裝置，其中該馬達係 一馬達，其構造及設置方式可使該光罩台與該基體台其 中之一相對於該裝置之一框架而位移。 12. 如申請專利範圍第11項之微影投影裝置，其中該馬達係 一線性馬達，其具有一線性位移範圍，且該熱屏蔽可覆 蓋該線性馬達之該範圍。 68770-940225.doc - 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）. 1238292 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 13. 如申請專利範圍第10項之微影投影裝置，其中該馬達係 一馬達，其構造及設置方式可使該光罩固定器與該基體 固定器其中之一分別相對於該光罩台或該基體台而位移。 14. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之微影投影裝置， 其中該第二部份之特徵為：可提供輻射，若入射於該第 一部份，則可使該第一部份之溫度偏離該預定值。 15. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之微影投影裝置， 其中該裝置包括一基座框架及一測量框架，該測量框架 係安裝於該基座框架上，且大致與振動隔離；該測量框 架即為該第一部份。 16. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之微影投影裝置， 其中該投影裝置包括干涉式位移量測裝置，其所具有之 一單色相干輻射光束可穿過該微影投影裝置中某一體積 之氣體，且其中該體積之氣體即為該第一部份。 17. —種利用一微影投影裝置製造一裝置之方法，該微影投 影裝置包括： 一照明系統，其構造及設置之方式可提供一投影輻射 光束； 一光罩台，其具有一光罩固定器，該光罩固定器之構 造可固定一光罩； 一基體台，其具有一基體固定器，該基體固定器之構 造可固定一基體；及 一投影系統，其構造及設置之方式可將該光罩中一接 受照射之部份成像於該基體之一目標部份上； 68770-940225.doc - 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1238292 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 該方法包括下列步驟： 將一光罩供應至該光罩台，該光罩載有一光罩圖型； 將一基體供應至該基體台，該基體至少有部份係由一 層對輻射敏感之材料所覆蓋； 設置一熱屏蔽，使該微影投影裝置之一第一部份與一 第二部份因該熱屏蔽而隔離，該第一部份之溫度須為一 預定值，該第二部份則具有一特徵，其可影響該第一部 份之溫度； 控制該熱屏蔽之溫度，使其到達該預定值；及 利用該投影輻射光束及該投影系統，至少將該光罩圖 型之部份影像投影至該基體之一目標部份上。 -4 - 68770-940225.doc 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI410638B (zh) * 2008-03-14 2013-10-01 Tech Wing Co Ltd 支援測試電子裝置之系統,用於該系統之溫度控制單元以及用於控制處理室之內部溫度的方法
TWI491998B (zh) * 2008-06-10 2015-07-11 Asml Netherlands Bv 用於熱調節光學元件之方法及系統

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2017675A1 (en) * 2001-07-09 2009-01-21 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US6617555B1 (en) * 2001-08-06 2003-09-09 Ultratech Stepper, Inc. Imaging stabilization apparatus and method for high-performance optical systems
JP4745556B2 (ja) * 2001-08-20 2011-08-10 キヤノン株式会社 位置決め装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP3734756B2 (ja) 2002-01-28 2006-01-11 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
EP1387054B1 (en) * 2002-07-31 2012-07-25 Canon Kabushiki Kaisha Cooling apparatus for an optical element, exposure apparatus comprising said cooling apparatus, and device fabrication method
JP4532835B2 (ja) * 2003-02-13 2010-08-25 キヤノン株式会社 冷却装置、それを有する光学部材並びに露光装置
JP2005033179A (ja) * 2003-06-18 2005-02-03 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JPWO2005036618A1 (ja) * 2003-10-08 2007-11-22 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US6977713B2 (en) * 2003-12-08 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7492440B2 (en) * 2004-09-09 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080239257A1 (en) * 2004-09-10 2008-10-02 Shigeru Hagiwara Stage Apparatus and Exposure Apparatus
JP2006295146A (ja) * 2005-03-18 2006-10-26 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
WO2007114579A1 (en) 2006-04-03 2007-10-11 Lg Chem, Ltd. Lithium secondary battery improved safety and capacity
JP5020662B2 (ja) * 2006-05-26 2012-09-05 キヤノン株式会社 ステージ装置、露光装置、及びデバイス製造方法
US7420299B2 (en) * 2006-08-25 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
NL1032371C2 (nl) * 2006-08-28 2008-02-29 Assembleon Bv Verplaatsingsinrichting alsmede componentplaatsingsinrichting.
JP2008147316A (ja) 2006-12-07 2008-06-26 Canon Inc 位置決め装置、露光装置及びデバイス製造方法
US8760615B2 (en) 2007-05-24 2014-06-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having encoder type position sensor system
US8687166B2 (en) * 2007-05-24 2014-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an encoder position sensor system
DE102009045193A1 (de) 2009-09-30 2011-04-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einem optischen System, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US9864279B2 (en) * 2010-08-05 2018-01-09 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
WO2013070568A2 (en) 2011-11-10 2013-05-16 Nikon Corporation System and method for controlling a temperature of a reaction assembly
JP2015032609A (ja) * 2013-07-31 2015-02-16 キヤノン株式会社 駆動装置、荷電粒子線照射装置、及びデバイスの製造方法
JP6381877B2 (ja) * 2013-09-04 2018-08-29 株式会社ニコン リニアモータ、露光装置、デバイス製造方法、及びコイルユニット
EP3470925A1 (en) * 2017-10-11 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Positioning device, magnetic support system and lithographic apparatus
JP7402808B2 (ja) * 2018-03-06 2023-12-21 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 放射遮蔽デバイス及びそのような遮蔽デバイスを備えた装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01152639A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Canon Inc 吸着保持装置
EP0357423B1 (en) * 1988-09-02 1995-03-15 Canon Kabushiki Kaisha An exposure apparatus
DE68922061T2 (de) * 1988-10-03 1995-08-31 Canon Kk Vorrichtung zum Regeln der Temperatur.
US4989031A (en) * 1990-01-29 1991-01-29 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5220171A (en) * 1990-11-01 1993-06-15 Canon Kabushiki Kaisha Wafer holding device in an exposure apparatus
US5877843A (en) * 1995-09-12 1999-03-02 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3661291B2 (ja) * 1996-08-01 2005-06-15 株式会社ニコン 露光装置
JPH11307430A (ja) * 1998-04-23 1999-11-05 Canon Inc 露光装置およびデバイス製造方法ならびに駆動装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI410638B (zh) * 2008-03-14 2013-10-01 Tech Wing Co Ltd 支援測試電子裝置之系統,用於該系統之溫度控制單元以及用於控制處理室之內部溫度的方法
TWI491998B (zh) * 2008-06-10 2015-07-11 Asml Netherlands Bv 用於熱調節光學元件之方法及系統
US9176398B2 (en) 2008-06-10 2015-11-03 Asml Netherlands B.V. Method and system for thermally conditioning an optical element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001244196A (ja) 2001-09-07
KR20010082053A (ko) 2001-08-29
KR100563773B1 (ko) 2006-03-24
US20010013925A1 (en) 2001-08-16
US6509951B2 (en) 2003-01-21

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