TWI236157B

TWI236157B - A method of manufacturing a light emitting device

Info

Publication number: TWI236157B
Application number: TW090110642A
Authority: TW
Inventors: Hirokazu Yamagata; Masahiro Takahashi
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2000-05-12
Filing date: 2001-05-03
Publication date: 2005-07-11
Also published as: CN1333645A; KR20010104215A; CN100452477C; EP1154498A2; CN1197436C; EP1154498A3; US20010051207A1; CN1642373A

Description

1236157 A7 _________B7_ 五、發明説明（1 ) 發明背景發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種發光裝置，其具有一種元件（以下被稱爲EL元件），其係由，被夾在陽極及陰極之間，展現 EL (電致發光）的發光物質而製成之薄膜（以下被稱爲發光層）所構成。注意，有機EL顯示器及有機發光二極體（〇LED :有機發光二極體），被包括在，本發明之發光裝置中。此外，可以被使用在本發明中的發光物質，包括，藉由，單線激發或三線激發，或是兩者，而發光（磷光及/ 或螢光）之所有發光物質。此外還有，本發明中的摻雜物，其被摻雜在，由有機物質所製成之薄膜中以擔任主人，指示有機物質（有機化合物），變成客人。典型地，與有機物質有關連之摻雜物，被摻雜在發光層中，以控制其發光顏色。經由，單線激發或三線激發，或是兩者，而發光（磷光及/或螢光）之有機物質，可以被使用作爲，被摻雜在發光層中之摻雜物經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製相關技術說明自，Eastman Kodak Corp宣告一種發光裝置，其使用，由有機物質所製成之發光層，在低驅動電壓情況下，放射光線，以來，使用有機物質之發光裝置，已經引起很大程度的注意。Kodak Corp所發表的宣告中，特性描述是針對本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -4- 1236157 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，將元件的結構，製造成疊片型式，藉此，發光裝置的驅動電壓，可以被降低。關於疊片型式之元件結構的硏發，正在被不同的公司實施中。圖2中之圖示說明，是本發明者們所實施之實驗的透視圖，因此，在本發明的應用被完成的當時，並不是知名的技術。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在圖2中，參考數字201，代表玻璃基質，202，代表陽極，其由，ITO (銦錫氧化物）所製成，203，代表電洞注射層（20nm厚），其由，PEDOT (多一硫二烯伍圜）所製成，204，代表電洞傳輸層（20nm厚），其由，STAD (螺旋三苯氨衍生物）所製成，205，代表電洞傳輸層（ 10nm厚），其由，α-NPD ( 4,4’bis〔 N-( 1-naphthyl) -N-苯基-氨基〕聯苯）所製成，206，代表發光層（l〇nm厚 )，其由，SDPVBi (螺旋-distyrylbiphenyl )所製成（以下被稱爲藍色冷光層），207，代表發光層（l〇nm厚），其由，Alq3 ( tris-8-quinolilite-錦複合物），其係與 DCM 一起被摻雜以作爲摻雜物，所製成（此發光層將在以下被稱爲紅色冷光層），208，代表發光層（40nm厚），其由，Alq3所製成（以下被稱爲綠色冷光層），及209，代表陰極，其由，Yb (鏡）薄膜所製成。在此處，本發明者們執行A1Q3及摻雜物的薄膜沉澱，其係經由，將它們一起氣化（一種氣化方法，其中，來自於不词氣化源的物質，同時被汽化，進而使物質結合），以形成紅色冷光層207。接著，共同氣化暫時被停止，只本紙張尺度適用中目國家標準（CNS ) A4規格（2!GX297公楚） ~~ -5- 1236157 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7 五、發明説明（3 ) 有A1 q 3被氣化，以形成綠色冷光層2 0 8。通常，圖2中所示，在具有疊片結構之EL元件中，藍，紅及綠色是被混合在一起，以產生白色冷光。然而，如圖8中所示，在本發明者們所實施的上述方法中，EL元件所放射的顏色，其波峰約在600nm附近，因此，無法獲得純白色的冷光。發明之槪述考慮到上述問題，本發明已經被完成，因此，有一個目的，即在，由有機物質所製成之薄膜，形成的當時，其中，包含摻雜物之層在該薄膜中被形成，增加，包含摻雜物之層，及不包含摻雜物之層，的連續性。典型地，本發明的目的係提供一種方法，使獲得，具有內含摻雜物之發光層的EL元件之優質冷光的方法，因此，提供，製造發光裝置，其包含此類具有優質冷光之EL元件，的方法。本發明者們針對，EL元件的製造方法，其被顯示在上述實驗結果的光中，實施不同的調查。結果，本發明者們推斷出，在，包含摻雜物的發光層，及不包含摻雜物的發光層，之間的界面，明顯地影響EL元件的發光顏色。換言之，本發明者們認爲，當，在發光層轉變成不同的發光層之界面中的一致性（連續性），不足時，白色冷光因此無法被獲得。考慮到上述事實，在圖2中所示之元件結構中，本發本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐）一 ------.II 1·衣------1T------· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 - A7 1236157 B7 五、發明説明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 明者們執行，Alq3及有機物質’其爲摻雜物’的薄膜沉澱，藉由，將它們一起氣化’以形成紅色冷光層2〇7。接著，在Alq3之氣化，被持續的當時’摻雜物之氣化被停止，藉此，只有Alq3被氣化，從而形成綠色冷光層208。依據本發明所製造之EL元件之結構，被顯示在圖3中。在圖3中，參考數字301，代表玻璃基質，302，代表陽極，其由，ITO (銦錫氧化物）所製成，303，代表電洞注射層（20nm厚），其由，PEDOT (多一硫二烯伍圜）所製成，304，代表電洞傳輸層（20nm厚），其由，STAD ( 螺旋三苯氨衍生物）所製成，305，代表電洞傳輸層（經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10nm厚），其由，a -NPD ( 4,4’bis〔 N- ( Ι-naphthyl )-N-苯基-氨基〕聯苯）所製成，306，代表發光層（l〇nm厚 )，其由，SDPVBi (螺旋-distyrylbiphenyl)所製成（以下被稱爲藍色冷光層），307，代表發光層（l〇nm厚），其由，Alq3 ( tris-8-quinolilite-i呂複合物），其係與 DCM 一起被摻雜以作爲摻雜物，所製成（此發光層將在以下被稱爲紅色冷光層），308，代表發光層（40nm厚），其由，Alq3所製成（以下被稱爲綠色冷光層），及309，代表陰極，其由，Yb (鏡）薄膜所製成。圖3中所示之本發明的EL元件之結構的特性點是，紅色冷光層307及綠色冷光層308之界面，不是明顯的，但是，它們在，具有相當高的一致性（連續性）之區域中，互相接觸。由於此類元件結構，自EL元件獲得優質的白色冷光，係被實驗過。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公董) ~ " 1236157 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 圖1中所示之圖表，係經由本發明而獲得之白色冷光的發光性特性，其中，平面圖被製成，其以，橫向軸，表示波長，及垂直軸，表示其發光性（光譜輻射）。如圖1 中所示，在波長爲400至700nm的範圍中，可獲得寬的發光性特性，因此，明顯的，優質的白色冷光被獲得。上述現象之光中，在EL元件形成的期間，其中，其結構係具有，包含摻雜物之發光層，本發明者們推斷，在不停止，擔任主人之發光物質之氣化的情況下，連續不斷的形成發光層，是令人滿意的。明確地，至於，控制EL元件之發光顏色，其係經由，摻雜摻雜物在，形成發光層之發光物質中，本發明者們考慮，即使在，停止或開始摻雜物之氣化，的當時，持續發光物質之氣化，是令人滿意的。因此，本發明之製造發光裝置的方法，於形成EL元件的特徵爲，經由氣化，發光物質及摻雜物，以形成發光層，接著，持續發光物質之氣化，摻雜物之氣化被停止，以形成，由發光物質所製成之發光層。在本發明之製造發光裝置的方法中，其製造方法，於形成EL元件之進一步的特徵是，形成第一發光層，其係由，經由氣化之發光物質所製成，接著，持續發光物質之氣化，摻雜物被氣化，以形成，由發光物質及摻雜物，所製成之第二發光層。經由運用，上述之製造EL元件的方法，要製造，被動矩陣式發光裝置或主動矩陣式發光裝置，其中，優質的冷光可以被獲得，是可能的。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ "~ ------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 - A7 B7 1236157 五、發明説明（6 ) 注意，本發明之應用不被限制在，將，包含摻雜物的發光層，及不包含摻雜物的發光層，製成疊片的實例。換言之，當形成，由有機物質所製成之薄膜時，在，包含摻雜物的層，於薄膜中被形成，的所有實例中，本發明可以被實施。結果，包含摻雜物的層，及不包含摻雜物的層，之連續性被增加。藉此，發光性特性，電荷注射或電荷傳輸之特性，的改善，可以被期待。圖示簡要說明本發明之上述及其他目的，及特色，將藉由，以下之說明及相關之附圖，而更爲明顯：圖1是顯示，EL元件之發光性特性，的圖表（本發明被運用之實例）；圖2是顯示，EL元件之結構，的示意圖（本發明被運用之實例）；圖3是顯示，EL元件之結構，的示意圖（本發明被運用之實例）；圖4A至4E是顯示，發光裝置之製造程序，的示意圖圖5A至5E是顯示，發光裝置之製造程序，的示意圖圖6A至6C是顯示，發光裝置之製造程序，的示意圖圖7是顯示，發光裝置之顯示影像之替代照片，的示本紙張尺度顧巾關家縣（CNS ) A4規格（21GX297公釐) " -9 - I 衣------1T------·· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236157 A7 B7 五、發明説明（7 ) 意圖；及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖8是顯示，EL元件之發光性特性，的圖表（本發明未被運用之實例）。圖9A至9F是顯示，電子裝置，之示意圖。主 201 玻璃基質 202 陽極 203 電洞注射層 2 04 電洞傳輸層 205 電洞傳輸層 206 發光層 207 發光層 208 發光層 209 陰極 301 玻璃基質 302 陽極 303 電洞注射層 304 電洞傳輸層 305 電洞傳輸層 306 發光層 307 發光層 308 發光層 309 陰極經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 10- 1236157 A7 五、發明説明（8 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 501 基座薄膜 500 ，玻璃基質 502 結晶之矽薄膜 503 半導體薄膜 504 半導體薄膜 505 半導體薄膜 506 半導體薄膜 507 保護薄膜 508a 抗蝕掩蔽 508b 抗蝕掩蔽 509 半導體 is 域 510 閘極絕緣薄膜 511 閘極電極 512 閘極電極 513 閘極電極 514 閘極電極 515 閘極電極 516 雜質區域 517 雜質域 518 雜質區域 519 雜質域 520 雜質區域 521 雜質區域 522 雜質區域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -11 - 1236157 A7 五、發明説明（9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523 雜質域 524 閘極絕緣薄膜 525 閘極絕緣薄膜 526 閘極絕緣薄膜 527 閘極絕緣薄膜 528 閘極絕緣薄膜 529 抗蝕掩蔽 530 雜質域 531 雜質域 532 雜質區域 533 雜質區域 534a 抗蝕掩蔽 5 34b 抗蝕掩蔽 5 34c 抗蝕掩蔽 5 34d 抗蝕掩蔽 535 雜質域 536 雜質區域 537 雜質區域 538 雜質 1¾ 域 539 雜質區域 540 區域 541 區域 542 . 域 543 區域 I-----^-I费------1T------· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236157 A7 B7 五、發明説明（10 ) 544 保護薄膜 545 第一層際絕緣薄膜 546 源極接線 547 源極接線 54 8 源極接線 549 源極接線 550 汲極接線 551 汲極接線 552 汲極接線 553 第二層際絕緣薄膜 554 映像電極 555 電致發光層 559 陰極 200 1 外框 2002 底座 2003 顯像部分 2101 主體 2102 顯像部分 2103 聲音輸入部分 2104 操作開關 2105 電池 2106 影像接收部分 220 1 主體 2202 顯像部分 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） -13- 1236157 A7 B7 、發明説明（11 ) 2203 目鏡部分 2204 操作開關 23〇1 主體 23〇2 §己錄機構 2303 操作開關 2304 顯像部分（a ) 2305 顯像部分（b ) 240 1 主體 2402 顯像部分 2403 影像接收部分 2404 操作開關 2405 記憶槽 250 1 主體 2502 外框 2503 顯像部分 2504 鍵盤 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製較佳實施例之詳細描述本發明之實施例模式，將在以下所示之實施例中，被詳細解釋。實施例1 參考圖4A至6E，本發明之實施例1，將被解釋。在實施例1中，同時製造，映像部分，及，被提供在其周圍中本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） " ' 一 -14 - 1236157 A7 B7 五、發明説明（12 ) 之驅動器電路部分之薄膜電晶體，的方法，將被說明。然而’關於驅動器電路，爲了簡化其說明，互補式金屬氧化半導體電路，其爲基本單元，將在圖中被顯示。首先，如圖4A中所示，由氧化氮化矽薄膜所製造，厚度300nm之基座薄膜501，在玻璃基質500上被形成。在此處’氧化氮化矽薄膜，被形成兩個層，與玻璃基質500相接觸的層，其氮濃度被設定在10至25wt%，相當的高。其次，經由電漿CVD方法，厚度50nm之非晶態矽薄膜 (圖中沒有顯示），在基座薄膜501上，被形成。接著，依照，日本先行公開之專利申請案第Hei 7_ 1 30652號案中所公開之結晶化技術，非晶態矽薄膜被結晶，以形成結晶之矽薄膜502 (也被稱爲多結晶之矽薄膜，或多矽薄膜）。（參照圖4 A ) 接著，如圖4B中所示，結晶之矽薄膜502被製作，以形成半導體薄膜503至506,其被處理成，像島的形狀。（ t 參照圖4B ) 由氧化矽薄膜所製成，厚度130nm之保護薄膜507，接著在結晶之矽薄膜502上被形成。然後，硼，係通過保護薄膜507，被摻雜在半導體薄膜503至506之中。在實施例 1中，硼被摻雜，係經由使用電漿摻雜法，其中，大量的分離不被執行。由於此程序，濃度界於1 X 1〇15至5 X l〇17atom/cm3之間的硼，被包含在半導體薄膜503至506之中。在此處被摻雜的硼，係被使用來，調節薄膜電晶體的臨界電壓。（參照圖4C ) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇x297公釐） " -15- ------i·*----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236157 A7 B7 五、發明説明（13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 隨後，抗蝕掩蔽508a及508b，在保護薄膜507上被形成，然後，磷，通過保護薄膜507，被摻雜。在實施例1中，磷係經由使用電漿摻雜法而被摻雜。由於此程序’半導體區域（η型雜質區域）509被形成，其包含，濃度界於2 X 1016至5 X 101 9 atom/cm3之間的磷。（參照圖4D ) 如圖4E中所示，經由電漿CVD方法，閘極絕緣薄膜 5 10，接著被形成，以遮蓋，半導體薄膜503至506。 l〇〇nm厚之氧化氮化矽薄膜，被使用作爲閘極絕緣薄膜510 〇其次，由，50nm厚之氧化鉅（TaN )薄膜，及350nm 厚之鉅（Ta )薄膜，所組成之疊片薄膜，被形成，接著，被製作，以形成閘極電極5 1 1至5 1 5。在此處，閘極電極 5 1 2被形成，其係經由閘極絕緣薄膜5 1 0，與，η型雜質區域509之部分，重疊。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如圖5 Α中所示，以閘極電極5 11至5 1 5作爲遮蔽，濃度界於1X1016至5X 10l8atom/cm3之間的磷，以自調整的方式，被摻雜。因此形成，雜質區域516至523，其被摻雜，濃度爲，η型雜質區域509之濃度的1/2至1/10，的磷。接著，如圖5 Β中所示，使用閘極電極5 1 1至5 1 5作爲遮蔽，閘極絕緣薄膜507，以自調整的方式，被鈾刻。在實施例1中，經由使用CHF3氣體，乾飩刻被執行，以形成閘極絕緣薄膜524至528。

如圖5 C中所示，抗餓掩蔽5 2 9，接著被形成，然後，硼被摻雜，以至於其濃度係界於3 X 1 0 2 Q及3 X 本^氏張尺度適用中國國家標準（(：奶）八4規格（210><297公釐） " -16- 1236157 A7 _ B7 五、發明説明（14 ) I021atom/cm3之間，以形成雜質區域530至533，其含有高濃度的硼。注意，雖然，磷已經被摻雜在雜質區域530至 5 3 3之中，被摻雜在此處的硼，其濃度，至少爲磷濃度的30 倍或更高。因此，在之前所形成的η型雜質區域，完全地轉化成Ρ型傳導性，並作爲Ρ型雜質區域的功用。其次，如圖5D中所示，抗蝕掩蔽534a至534b被形成，然後，磷被摻雜，以至於其濃度係界於1 X 102°及1 X I021atom/cm3之間，以形成雜質區域5 35至539，其含有高濃度的磷。要被注意的是，在雜質區域530至5 33之中，雖然，磷係同樣地被摻雜在，參考數字540至543所代表的區域中，在其中，與，ρ型雜質區域中的濃度，相比，磷的濃度是相當的低，因此，將不會從ρ型傳導性轉化成η型傳導性。接著，在移除抗蝕掩蔽534a至534b之後，200nm厚之氧化氮化矽薄膜，被形成，作爲保護薄膜544，之後，已被摻雜的磷及硼之活化作用被實施。在實施例1中，活化作用被實施，其係經由，在氮氣環境中，以攝氏550度的溫度，在電爐中，執行熱處理四個小時。在此處理期間，因爲，鎳，其被使用在結晶化程序中，將依箭頭所指示的方向移動，減少，在區域中，稍後通道將在其處被形成，鎳的濃度，是可能的。另外，在此熱處理之後，在含氮環境下，熱處理，係以攝氏350度的溫度被執行一個小時，以執行氫化程序。（參照圖5E ) 如圖6A中所示，第一層際絕緣薄膜545，接著被形成本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I-----'---^^衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本覓) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 1236157 A7 B7 五、發明説明（15 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 。其中的結構，在保護薄膜544上，被製成疊片之500nm厚的氧化矽薄膜，被使用在實施例1中。接著，接觸電洞，在第一層際絕緣薄膜545中被形成，以形成，源極接線546 至549，及汲極接線550至552。要被注意的是，在實施例 1中，被形成作爲，疊片薄膜，的電極，其具有四層結構，其由，60nm厚之鈦薄膜，40 nm厚之氮化鈦薄膜，300 nm 厚之內含矽量2wt%的鋁薄膜，及1〇〇 nm厚之鈦薄膜，所組成’所有，皆經由連續濺射而被形成。接著，如圖6B中所示，由有機樹脂所製成之第二層際絕緣薄膜5 5 3被形成，在實施例1中，厚度爲1.5 // m之丙烯酸樹脂薄膜，被形成作爲，第二層際絕緣薄膜55 3。在第二層際絕緣薄膜5 5 3中，被形成之接觸電洞，延伸，汲極接線5 52，從而形成，映像電極554，其由氧化物導電薄膜所製成。由，氧化銦及氧化錫化合物，所製成之厚度爲 1 1 Onm之氧化物導電薄膜，其在實施例1中，被形成作爲，映像電極5 5 4。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製之後，臭氧處理，在映像電極5 5 4的表面上，被實施。在實施例1中，此處理的實施，係於，映像電極被曝露在氧氣氣體，的狀態下，以紫外線（UV射線）照射在其表面上。接者’經由貫施本發明，電致發光層5 5 5被形成。在實施例1中，電致發光層5 5 5被形成，其係採取疊片結構，其中，由PEDOT (多一硫二烯伍圜）所製成之電洞注射層 (20nm厚），由STAD (螺旋三苯氨衍生物）所製成之電本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) -18- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1236157 A7 __B7 五、發明説明（16 ) 洞傳輸層（20nm 厚），由 SDPVBi (螺旋-distyrylbiphenyl )所製成之發光層（10nm厚），由a -NPD ( 4,4’bis〔 N-(1-naphthyl) -N-苯基-氨基〕聯苯）所製成之電洞傳輸層 (lOnm 厚），由 Alq3 ( tris-8-quinolilite-i呂複合物），其與DCM —起被摻雜，以作爲摻雜物，所製成之發光層（ lOnm厚），及由，Alq3所製成之發光層（lOnm厚），被連續的形成。注意，在上述之結構中，PAni，可以被，PEDOT，替代。並且，摻雜物，不被限定於DCM，低是，任何物質，如果是，顯示紅色冷光之有機物質，可以被使用。注意，在本發明中，由Alq3 ( tris-8-quinolilite-$呂複合物），其與摻雜物一起被摻雜，所製成之發光層，在其形成之後，在，不停止Alq3之氣化，但，只停止摻雜物之氣化，由Alqs所製成之發光層，被形成。本發明有，模糊，界於，由摻雜物及Alu所製成之發光層（第一發光層），及，由Alq3所製成之發光層（第二發光層），之間的邊界，的作用。因此形成，例如，在圖3 中所示之，元件結構。換言之，第一發光層及第二發光層之連續性被增加。本發明者們認爲，圖1中所示之實際測量數據，及圖8中所示之實際測量數據，之間的差異，係由於，發光層之連續性的不同。接著，經由氣化，由金屬薄膜所製成之陰極5 5 9被形成，其厚度爲400nm。因此，如圖6C中所示之結構的主動矩陣式基質被完成。在實施例1中，紫外線輻射所照射之本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 1236157 A7 B7 五、發明説明（17 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 樹脂薄膜，被應用在，圖6C中所示之主動矩陣式基質，的表面上，然後，在結合那裡的玻璃基質之後，紫外線輻射所照射之樹脂，被處理，以密封EL元件。軟性印刷電路（FPC )，進一步地被附加在主動矩陣式基質，從而完成，發光裝置。依照實施例1所製造之，發光裝置的顯示影像，被顯示在圖7中。主動矩陣式發光裝置，其中，符合要求的白色冷光，被獲得，可因此被製造。實施例2 本發明之製造EL元件的方法，也可以被應用在，製造被動矩陣式發光裝置的方法中。本發明，只有在，有關形成EL元件的部分，與，知名的，製造被動矩陣式發光裝置之方法，不同。當形成發光層時，如果，發光層，係依照本發明，而被形成，本發明的作用，就可以被達到。實施例3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在實施例1中所說明之主動矩陣式發光裝置中，個別的元件，係由，平板型薄膜電晶體，所形成。可是，個別的元件，可以由，底部閘極薄膜電晶體（典型地，反向型薄膜電晶體），所形成。既然那樣，結晶之矽薄膜，或非晶態矽薄膜，可以被使用作爲，主動層。於是，本發明係以，EL元件的製造程序，爲特徵，因此，在薄膜電晶體的結構上，就沒有限制。尽紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公董） -20- 1236157 A7 B7 _ 五、發明説明（18 ) 實施例4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在實施例1中，知名的有機物質，其顯示紅色螢光，可以被使用作爲摻雜物，以被摻雜在紅色冷光層之中。另外，顯示紅色磷光之，有機物質，也可以被使用。注意，實施例4之結構，可以被實施，其係，經由結合，其，與實施例1至3之結構的任何一個。實施例5 在實施例1中，具有，減少電洞注射障壁之作用，的有機物質，可以被使用作爲，電洞注射層。在實施例5中，導電性的聚合物，被使用作爲，電洞注射層。更明確地，與碘一起被摻雜的多乙炔，可以被使用，此外，溴，可以取代碘，而被使用。注意，實施例5之結構，可以被實施，其係，經由結合，其，與實施例1至4之結構的任何一個。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例6 在本發明中，發光性物質的使用，作爲發光性層，其中，由三線激發所產生之磷光，可以被使用作爲，光射出物，允許，外部光射出物之量子效能’被明顯地增進。結果，EL元件可能已經減少電功率消耗，較長的使用期限及較輕的重量。經由使用，三線激發，以增進，外部光射出物之量子效能，的報告，在以下被說明（T· Tsutsui，C· 本紙張尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（2ιοχ297公釐1 -21 - 1236157 A7 _ B7 五、發明説明（19 )

Adachi，S. Saito,有系統的分子系統之光化學的程序，ed. K. Honda，（ Elsevier Sci. Pub·，Tokyo，1991 ) ρ·437 ) 0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述報告所說明之有機物質（香豆素色素）的分子方程式，被顯示在下方。 (化學方程式1)

(M. A. Baldo, D. F. 05 Brien, Y. You, A Shoustikov, S. Sibley, Μ. E. Thompsons, S. R. Forrest, Nature 395 ( 1 998 ) ，P. 15 1 ) 上述報告所說明之有機物質（鉑複合物）的分子方程式，被顯示在下方。 (化學方程式2)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (M. A. Baldo, S. Lamansky, P. E. Burrrows, Μ. E. Thompson, S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett., 75 ( 1 999 ) p. 4 本紙張尺度適用中國國家標準（cns ) a4規格（210X297公釐） -22- 1236157 A7 ____ B7 五、發明説明（20 ) )(T. Tsutsui, M. -J. Yang, M. Yahoro, K. Nakamura, T.

Watanabe, T. Tsuji, Y. Fukuda, T. Wakimoto, S. Mayaguchi, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Jpn. Appl. Phys·，38 ( 12B ) ( 1999 ) L1 502·)。上述報告所說明之有機物質（銥複合物）的分子方程式，被顯示在下方。 (化學方程式3)

如以上所說明，如果，由三線激發所產生之磷光射出物，可以被使用，外部光射出物之量子效能，比，由單線激發所放射之螢光，的外部光射出物之量子效能’高3至4 倍，理論上，可以被實現。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製此實施例的結構，可以被完成，以，其，與實施例1 至5之結構的任何一個，之自由組合。實施例7 依照本發明所製造之發光裝置’係爲’自放射型式’ 因此，與液晶顯示裝置相較，在光位置中，顯示的影像’ 展現出，較優質的辨識能力。此外’此發光裝置’具有較寬的視景角度。因此’此發光裝置’可以被應用在，不同本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ -23- 1236157 A7 B7 五、發明説明（21 ) 的電子裝置中之顯像部分。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的電子裝置有：例如，攝影機；數位相機；護目鏡式顯示器（前端固定式顯示器）：汽車導航系統；聲音重現設備（汽車立體音響或立體音響等等）；筆記型個人電腦；遊戲設備；手提式資訊終端機（例如，移動式電腦’手提式電話，手提式遊戲機，或是電子書）：及，配備有記錄機構之影像播放裝置（明確地，具有顯像部分之裝置，其，在，例如，多功能數位光碟機（DVD )，之記錄機構中，播放影像，及顯示影像）。那些電子裝置之明確的樣本，被顯示在圖9A至9F中。圖9A顯示，電冷光顯示裝置，其包括，外框2001，底座2002，及顯像部分2003。本發明之發光裝置，可以被使用作爲，顯像部分2003。此類之發光顯示，係爲，自放射型式，以致於，不需要後照光。因此，顯像部分，可以被製造的比，液晶顯不之顯像部分，較薄。圖9B顯示，攝影機，其包括，主體2101，顯像部分 2102，聲音輸入部分2103，操作開關2104，電池2105，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製及影像接收部分2106。本發明之發光裝置，可以被使用作爲，顯像部分2102。圖9C說明，數位靜物相機，其包括，主體2201，顯像部分2202，目鏡部分2203，及操作開關2204。本發明之發光裝置，可以被應用在，顯像部分2202。圖9D爲，配備有記錄機構之影像播放裝置（明確地， DVD播放裝置），其包括，主體230 1，記錄機構（例如，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -24- 1236157 A7 ____ _ B7 五、發明説明（22 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) DVD等等）2302，操作開關2303，顯像部分（a ) 2304，及顯像部分（b) 2305。顯像部分（a) 2304，主要是被使用來，顯示影像資料。顯像部分（b ) 2305，主要是被使用來，顯示字元資料。本發明之發光裝置，可以被使用作爲，顯像部分（a ) 2304，及顯像部分（b ) 2305。注意，此配備有記錄機構之影像播放裝置，其包括，例如，遊戲機等，裝置。圖9E顯示，手提式（移動式）電腦，其包括，主體 2401，顯像部分2402，影像接收部分2403，及操作開關 2404，及記憶槽2405。本發明之發光裝置，可以被應用在，顯像裝置2402。同樣地，在此手提式電腦中，資料可以被記錄在記錄機構中，其中，快閃記憶體，及/或，常性記憶體，被結合，及/或，被重播。圖9F爲，個人電腦，其包括，主體2501，外框2502 ，顯像部分2503，及鍵盤2504。本發明之發光裝置，可以被使用作爲，顯像部分2 5 0 3。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製再者，上述之電氣裝置通常顯示，經由，例如，網際網路及共用天線電視（有線電視），之電子通信電路，所傳送之資料，顯示移動影像的詳細地情況，是增進的。有機化合物物質的響應速度，是非常高，所以上述之電氣裝置，適用於，移動影像的顯示。另外，因爲發光裝置，在發光部分，可節省電力，其，更適合用來顯示資料，以便，儘可能地將發光部分製造的更小。因此，當使用，發光裝置，在顯像部分中，主要本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -25- 1236157 A7 B7 五、發明説明（23 ) 是爲了字元資料，例如，在手提式資訊終端機中，尤其是手fee式電S舌’或體苜響’最好是’當，非發光部分被 5又疋作爲背景’時’驅動發光裝置，以便於，藉由發光部分，形成字元資料。如以上所說明，本發明的應用範圍，係相當地廣，其 ’可以被使用在’不同領域中的電氣裝置。此外，此實施例之電氣裝置可以被獲得，其係，藉由使用，發光裝置，自由結合，第一實施例至第十三實施例之結構。經由實施本發明，具有，展現優質冷光的EL元件，之發光裝置’可以被製造。結果，要製造，具有，鮮明的顯像部分，之電子裝置，是可能的。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26-

Claims

1236157 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍第9 0 1 1 0 6 4 2號專利申請案中文申請專利範圍修正本（修正本） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國9 3年1 2月2〇日修正 1 一種製造發光裝置的方法，包含以下步驟：形成第一發光層，藉由氣化包含Alqs之有機物質及包含螢光物質或磷光物質之摻雜物；及形成第二發光層，藉由在持續有機物質之氣化以形成第一發光層時，停止摻雜物之氣化。 2 . —種製造發光裝置的方法，包含以下步驟：形成第~發光層，藉由氣化包含Alq3之有機物質；及形成第二發光層，藉由在持續有機物質之氣化以形成第一發光層時，氣化有機物質及包含螢光物質或磷光物質之摻雜物。 3 · —種製造發光裝置的方法，包含以下步驟：形成第一發光層，藉由氣化發光物質及包含螢光物質經濟部智慧財產局員工消費合作社印製或磷光物質之摻雜物；及形成第二發光層，藉由在持續發光物質之氣化以形成第一發光層時，停止摻雜物之氣化。 4. 一種製造發光裝置的方法，包含以下步驟：形成第一發光層，藉由氣化發光物質；及形成第二發光層，藉由在持續發光物質之氣化以形成第一發光層時，氣化包含螢光物質或磷光物質之摻雜物。本^:尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐）一 " 1236157 A8 B8 C8 D8 ___ 六、申請專利範圍 5 ·根據申請專利範圍第1項至第4項任何一項之製造發光裝置的方法，其中金屬薄膜在第二發光層上被形成〇 6 .根據申請專利範圍第3項至第4項任何一項之製造發光裝置的方法，其中發光物質係爲人43(11^5-8- q u i η ο 1 i 1 i t e -鋁複合物）。 7 ·根據申請專利範圍第1項至第4項任何一項之製造發光裝置的方法，其中上述之發光裝置係被包含在電子裝置’其被選自於由攝影機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統' 聲音重現設備、筆記型個人電腦、遊戲設備、手提式資訊終端機及影像播放裝置所組成之群集。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2-