TWI234779B - Information recording medium and method for producing the same - Google Patents

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1234779 玖、發明說明 【發明所屬受技術領域】 發明領域 本發明係棚光學_電紐地__、消去資訊、 改寫資皿再生鋪之吻記麵類及其製造方法。 5 【先前技術：| 相關申請案之相互參照： 本發明依據日本國發明專利申請案第謙—Mm號 (2002年3月1日申請，發明名稱：資訊記錄媒體與其製造 方法）、日本國發明專利申請案第2〇〇2 一 45661號（2〇〇2年2 10月22日申請，發明名稱：資訊記錄媒體與其製造方法）、曰 本國發明專利申g靑案第2001 — 384306號（2001年12月18 日申請，發明名稱：資訊記錄媒體與其製造方法），而主張 巴黎條約所規定之優先權，依此引用而將上述申請案所記載 之內容來構成本發明之說明書的一部分。 15 發明人開發了可使用資料檔案及影像檔案之大容量之 改寫型相變化資訊記錄媒體的4.7GB/DVD—RAM。此等開發 已被商品化。 此4.7GB/DVD-RAM例如揭示於日本國發明專利公報 2001 — 322357號。第9圖表示此公報所揭示之DVD—RAM之 20 構成。第10圖所示之資訊記錄媒體31係於基板1之一側表 面具有以第1介電體層102、第1界面層103、記錄層4、 第2界面層105、第2介電體層1〇6、光吸收補正層7及反 射層8的順序來形成的7層構造。於此資訊記錄媒體，其第 1介電體層存在於比第2介電體層更接近將入射之雷射光的 6

? 4 T 1234779 義、發明說明 位置。第1界面層與第2界面層亦具有相同的關係。如此構 成於本說明書中，資訊記錄媒體於包含二個以上具有相同機 能層的情形下，從將入射之雷射光來看而在接近之側順序地 稱爲「第1」、「第2」、「第3」· · ·。 5 第1介電體層102與第2介電體層106具有可調節光學 距離而提高記錄層4之光吸收效率，並弄大結晶相之反射率 與非晶質相之反射率之差而弄大信號振幅的機能。習知作爲 介電體層之材料而使用之ZnS- 20mol%Si〇2爲非晶質材 料，熱傳導率低而透明且具有高折射率。又，ZnS- 20mol ίο %Si〇2形成膜時之成膜速度大且機械特性及耐濕性亦良 好。如此一來，ZnS- 20mol%Si〇2係用以形成介電體層之適 當優良的材料。 若是第1介電體層102及第2介電體層106之熱傳導率 低時，雷射光射入於記錄層4之際可將熱從記錄層4朝向反 15 射層8而於厚度方向快速地擴散，而使熱不易朝向介電體層 102或106之面內方向擴散。即，記錄層4藉著介電體層而 能在短時間內冷卻（即可急冷）而能容易形成非晶質標記（記 錄標記）。在不易形成記錄標記的情形下’有必要以高峰値 功率來記錄，容易形成記錄標記的情形下’能以低峰値功率 20來記錄。由於在介電體層之熱傳導率低的情形下，能以低峰 値功率來記錄，因此資訊記錄媒體化記錄感度變高。相對於 此，由於在介電體層之熱傳導率高的情形下’要以高峰値功 率來記錄，因此資訊記錄媒體化記錄感度變低。資訊記錄媒 體中的介電體層愈不能精度優良地測定熱傳導率則愈要以 1234779 玖、發明說明 薄的形態存在。爰此，發明人等採用資訊記錄媒體之記錄感 度以作爲得知介電體層之熱傳導率之大小之相對性的判斷 基準。 記錄層4係使用包含Ge- Sn- Sb- Te之高速結晶化的 5 材料來形成。具有以該材料作爲記錄層4之資訊記錄媒體不 僅具有優良的初期記錄性能，且具有優良的記錄保持性及改 寫保持性。相變化資訊記錄媒體之記錄層係利用在結晶相與 非晶質相之間產生可逆性相變態的情形而進行資訊的記 錄、消除及改寫。若是以高功率的雷射光（峰値功率）照射記 10 錄層4而急冷時，照射部呈非晶質相而形成記錄標記。若是 以低功率的雷射光（偏壓功率）照射而將記錄層昇溫並慢慢 地冷卻時，照射部呈結晶相而會消除已記錄之資訊。以在峰 値功率與偏壓功率之間調變功率之雷射光照射於記錄層乃 能一邊消除已記錄之資訊而一邊改寫新的資訊。反覆改寫性 15 能表示在實際上跳動値不構成問題的範圍能反覆改寫的最 大次數。此次數愈多則可稱爲反覆改寫性能愈優良。特別是 資料檔案用之資訊記錄媒體係期望具有優良的反覆改寫性 能。 第1界面層103及第2界面層105具有防止在第1介電 20 體層102與記錄層4之間、以及第2介電體層106與記錄層 4之間所產生之物質移動的機能。在此說明所謂物質移動乃 指雷射光照射於記錄層進行反覆改寫之際，第1及第2介電 體層ZnS — 20mol%Si〇2之S向記錄層擴散的現象。一旦多 量的S擴散至記錄層的話，會引起降低記錄層的反射率而劣 8 7 1234779 玖、發明說明 .. . .... ... ： ： .-化反覆改寫性能。此現象乃爲已知（參照N.Yamada et al. Japaness Journal of Applied Physics Vol.37( 1998)pp.2104-2110)。又，日本國特許公報平—10 一 275360號及國際公開第W097/34298手冊乃揭示著使用 5 含有Ge之氮化物而形成用以防止此現象的界面層。 光吸收補正層107可調整記錄層爲結晶狀態時之光吸 收率Ac與非晶質狀態時之光吸收率Aa之比Ac/Aa，而具 有使改寫時之標記形狀不歪斜的作用。反射層8在光學上具 有使記錄層4增大吸收光量的機能，在熱的方面乃具有使記 10 錄層4所產生之熱迅速地擴散並急冷而使記錄層4易非晶質 化的機能。反射層8亦具有由使用環境可保護多層膜的機 能。 如上所述，第10圖所述之資訊記錄媒體係藉著分別積 層如上所述那般機能之7層的構造而於4.7GB那般大容量 15中’可確保優良的反覆改寫性能與高可靠度以致於到商品化 者。 又，適用於資訊記錄媒體之介電體層的材料在以前已有 提出了各種材料。例如日本國特許公開公報平5 - 109115 號已揭示了於光資訊記錄媒體，其耐熱保護層藉著具有 2〇 1600K以上之融點高的高融點元素與低鹼性玻璃之混合物 而形成的技術。於該公報中例示著高融點元素例如有Nb、 Mo ' Ta ' Ti、Cr、Zr及Si。又，該公報中揭示著低鹼性玻 璃係以Si〇2、BaO、Bios或AhCb爲主成分者。 曰本國特許公開公報平5- 159373號已揭示了於資訊 1234779 玖、發明說明 記錄媒體，其耐熱保護層藉著比Si融點高的氮化物、氧化 物、硫化物之中至少一種以上的化合物，與低鹼性玻璃之混 合物而形成。於該公報中例示著高融點化合物例如有Nb、 Zr、Mo、Ta、Ti、Cr、Si、Zn、A1 之碳化物、氧化物、硫 5 化物。又，該公報中揭示著低鹼性玻璃係以Si〇2、BaO、B2〇3、 Al2〇3爲主成分者。 日本國特許公開公報平8- 77604號已揭示了於再生專 用之資訊記錄媒體，其介電體層係由Ce、La、Si、In、A1、 Ge、Pb、Sn、Bi、Te、Ta、Sc、Y、Ti、Zr、V、Nb、Cr 及 W 10 所構成之群所選擇之至少一元素的氧化物<〇1、211、0&、111、 Sb、Ge、Sn、Pb、Bi所構成之群所選擇之至少一元素的硫 化物、或是硒化物等所構成者。 日本國特許公開公報2001 — 67722號已揭示了於光資 訊記錄媒體，其第1界面控制層及第2界面控制層係由A1、 15 Si、Ti、Co、Ni、Ga、Ge、Sb、Te、In、Au、Ag、Zr、Bi、 Pt、Pd、Cd、P、Ca、Sr、Cr、Y、Se、La、Li 秧構成之元 素群之中.，從包含一種以上之氮化物、氧化物、碳化物及硫 化物所選擇者。 發明所欲解決的課題： 20 如上所述，使用ZnS—20mol%Si〇2而形成第1及第2 介電體層的情形下，爲了防止S的擴散而必然且必要於介電 體層與記錄層之間具有界面層。但是，一旦考慮媒體的價格 時，則最好是構成媒體之層數一層即可。層數少則能實現材 料費的削減、製造裝置的小型化、以及縮短製造時間所構成 10 1234779 玖、發明說明 生產量的增加，此等因素乃有悠關媒體價格的降低。 I：發明內容3 發明槪要： 發明人等在減少層數的方法上，檢討了在第1界面層及 5 第2界面層之中至少削減一個界面層的可能性。此情形下， 發明人等考慮到爲了不發生反覆記錄所造成S從介電體靥 擴散至記錄層，乃有必要以ZnS- 20nu)l%Si〇2以外的材料 來形成介電體層。而且介電體層之材料最好是具有與硫族化 合物材料之記錄層的密著性良好、可獲得與上述7層構造相 1〇 同或該等以上的高記錄感度、透明、以及記錄時不會熔解的 高融點者。 本發明係以提供一種資訊記錄媒體，係以設置了即便是 與記錄層直接接觸而形成的情形下，且即使是不設置界面 層，物質亦不會由介電體層移動至記錄層，且與記錄層之密 15 著性良好的介電體層，且具有優良之改寫性能的資訊記錄媒 體爲主要的課題而完成者。 又，揭示適用於介電體層之材料的上述文獻均未提及物 質從介電體層移動至記錄層的問題。因此，特別要注意此公 報並未提示本發明所欲解決的課題及解決該課題的手段，即 2〇 該公報未提示具體的組成。 解決課題的手段： 本發明人等如將於後述之實施例所說明一般，使用各種 化合物而形成介電體層，並評價介電體層對記錄層的密著 性，以及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。其結果可得知不介 1234779 玖、發明說明 在著界面層而直接將介電體層設置在記錄層之上下的情 形，例如以習知ZnS- 2〇m〇l%Si〇2形成易擴散至記錄層之 介電體層的情形，雖然對記錄層之密著性良好，惟媒體之反 覆改寫性能差。又，例如Zr〇2之熱傳導率低且融點高，故 5若是將此化合物作爲介電體層使用的話，能提高資訊記錄媒 體之記錄感度且能確保優良的改寫性能。但是使用Zr〇2來 形成介電體層的情形下，會得到對記錄層之密著性差的結 果。並對於使用其他各種氧化物、氮化物、硫化物及硒化物 而將介電體層直接形成在記錄層的資訊記錄媒體，評價介電 10 體層對記錄層之密著性及反覆改寫性能。但是在使用一種的 氧化物、氮化物、硫化物或硒化物而形成介電體層的情形 下，無法兩全良好的密著性與良好的改寫性能。 因此，本發明人等檢討了組了不含S之二種以上的化合 物而形成介電體層。其結果則看出Zr〇2與Cn〇3之組合乃以 15 作爲與記錄層接觸之介電體層的構成材料爲適合，且看出 Zr與Cr之含有量在特定範圍時，不必要形成界面層的情形 而達致本發明。 即，本發明提供了一種資訊記錄媒體’該資訊記錄媒體 係包含基板及記錄層，藉著對前述記錄層照射光線或施加電 20性的能量而於結晶相與非晶質相之間產生相變態的資訊記 錄媒體，且係更包含具有Zr、Cr及0之材料所構成之Zr-Cr一0系材料層的資訊記錄媒體，於該Zr — Cr — 0系材料層 中，Zr之含有量在30原子％以下’ Cr之含有量爲7原子％ 以上37原子％以下。 12 1234779 玖、發明說明 本發明之資訊記錄媒體係藉著照射光線或藉著施加電 性的能量而記錄再生資訊的媒體。一般而言，照射光線係以 照射雷射光（即，雷射光束）而進行，施加電性的能量係以對 記錄層施加電壓進行。以更具體說明構成本發明之資訊記錄 5 媒體之Zr — Cr 一0系材料層。又，於以下的說明中，要注意 僅稱「Zr — Cr -0系材料層」時乃指Zr及Cr之含有量係包 含前述之比例者。 更具體而言’本發明之資訊記錄媒體係包含將式子（1):

ZrQCrR〇10G-Q-R(原子％) · · · (1) 10 (式子中，Q及R分別在0SQ$30、7$RS37的範圍內， 且20SQ+RS60)所表示之材料所實質構成之Zr -Cr — 〇系 材料層作爲構成要素者。在此說明所謂「原子％」係式子（1) 表示以組合ZrCf及0原子之數作爲基準（100%)而表現之 組成式子。於以下的式子表示「原子％」亦使用相同的要旨。 15 於式子（1)，不論究Zr、Cr及0之各原子係以何種化合 物存在。以此式子特定材料於瞭解形成薄膜層的組成之際， 要求得化合物之組成乃有其困難，現實上僅要求得組成元素 (即’各原子的比例）即可許多狀態。如前述一般，可得知式 子（1)所表示之材料Zr幾乎均與〇以Zr〇2的狀態存在，Cr 20 幾乎均與0以Cn〇3的狀態存在。 由上述式子（1)表示之材料實質形成之Zr —Ci: — 0系材 料層於資訊記錄媒體，最好是在鄰接記錄層之二個介電體層 之中’以作爲任合其中一側的介電體層存在，而以作爲雙方 的介電體層存在的狀態更佳。上述範圍之包含Zr、Cr及〇 13 «4 1234779 玖、發明說明 之介電體層的融點高且透明。又，此層之ΖΚ)2確保優良反 覆改寫性能’ Cn〇3確保與硫族化合物材料之記錄層的密著 性。爱此，此資訊記錄媒體即使無界面層，在記錄層與介電 體層之間亦不會發生剝離，而且表示優良的操作改寫性能及 5 記錄感度。式子（1)所表示之材料層在資訊記錄媒體中亦可 作爲位於記錄層與介電體層之間的界面層。 本發明之資訊記錄媒體之Zr - Ci·- 0系材料層亦可以 式子（11): (Zr〇2)M(Cr2〇3)i〇〇-M(mol%) · · · (11) 10 (式子中，Μ爲20$MS 80範圍） 表示之材料實質構成之層。式子（11)係於Zr-Cr-0系材料 層爲Zr〇2與Cn〇3之混合物所構成的情形下，表示二個化合 物的最佳比例。在此說明，所謂「mol%」乃指式子（11)以 各化合物之總數爲基準（100%)所表示之組成式。於以下的 15 式子中，「mol%」之表示亦表示相同的要旨。 式子（11)所表示之材料實質構成之層，於鄰接記錄層之 二個介電體層之中亦以作爲任合其中一側的介電體層存在 爲佳，而以作爲雙方的介電體層存在的狀態更佳。以式子（11) 所表示之材料實質構成之層作爲介電體層所形成之效果乃 2〇 相關如式子（1)表示之材料所說明者。 本發明之資訊記錄媒體之Zr - Cr-Ο系材料層亦可更 包含Si，而以式子（2)·· Z r uC r v S i τ〇 1-u -v -τ (原子 ％ ) · · · (2) (式子中，U、V及T分別在0SUS30、7$v$37及ο 14 1234779 玖、發明說明 14的範圍內，且20‘U + V + T€60)所表示之材料所實 質構成者。 於式子（2)，不論究Zr、Si、Zn、S及0之各原子係以 何種化合物存在，以此式子特定材料之理由乃與式子（1)相 5 同。如前述一般，式子（2)所表示之材料中，Si幾乎均與〇 以Si〇的狀態存在。又，G€HS2G於式子（2)所表示之材料 中，（S之原子數）/(Zn之原子數）爲1以上2以下。 於式子（2)中，亦不論Zr、Cr、Si及0之各原子以何種 化合物存在，以如此式子特定材料的理由乃與式子（1)相同 10 理由。可得知式子（2)所表示之材料中，Si幾乎與〇以Si〇2 存在。 式子（2)所表示之材料實質構成之層，於鄰接記錄層之 二個介電體層之中亦以作爲任合其中一側的介電體層存在 爲佳，而以作爲雙方的介電體層存在的狀態更佳。於以包含 15 Si之Zr- Cr- Ο系材料層作爲介電體層之資訊記錄媒體 中，可確保記錄層與介電體層之良好的密著性，又加上能確 保優良的反覆改寫性能而能實現更高的記錄感度。此乃可得 知因包含Si而降低層之熱傳導率。式子（2)所表示之材料層 在資訊記錄媒體中亦可作爲位於記錄層與介電體層之間的 20 界面層。 上述包含Si之Zr - Cr 一 Q系材料層亦可以式子（21): (Zr〇2)x(Cr2〇3)Y(Si〇2)i〇〇-x-Y(m〇l%) · · · (21) (式子中，X及Y分別在20 70及20 SYS 60的範 圍內，且爲60$X+YS90) 1234779 玖、發明說明 表示之材料實質構成之層。式子（21)之包含Si之Zr - Cr 一 0系材料層係Zr〇2、Cr203及Si〇2之混合物所構成的情形下， 表示三個成分的最佳比例。式子（21)所表示之材料實質構成 之層，於鄰接記錄層之介電體層之中亦以作爲任合其中一側 5 的介電體層存在爲佳，而以作爲雙方的介電體層存在的狀態 更佳。以式子（21)所表示之材料實質構成之層於資訊記錄媒 體亦可作爲位於記錄層與介電體層之間的界面層。 以式子(21)表示之材料實質構成之層作爲介電體層的 情形下，Si02具有提高資訊記錄媒體之記錄感度的機能。 10 此情形下，於式子(21)中藉著設成60SX+Y$90而確保與 記錄層的良好密著性。Si〇2之比例因在此範圍改變X+Y而 調整，藉此能適切地選擇Si02的比例而調整記錄感度。而 且，於式子(21)藉著設成20SX$70及20SY$60而能使 Zr〇2及CnCb以適當的比例存在於層中。因此，式子（21)表 15 示之材料所實質構成之介電體層爲透明，且與記錄層之密著 性優良之同時，確保資訊記錄媒體具有良好的記錄感度及反 覆改寫性能。 式子（21)所表示之材料可將Zr02與Si02以包含略相等 的比例。此情形下此材料能以下列式子(22)表示。 20 (ZrSi〇4)z(Cr2〇3)i〇〇-z(mol% ) · · · (22) (式子中，Z係在25SZ$67的範圍內）。 來表示。將Zr02與Si02以包含略相等比例時，可形成構造 穩定的ZrSi〇4。式子（22)所表示之材料實質構成之層，於鄰 接記錄層之介電體層之中亦以作爲任合其中一側的介電體 1234779 玖、發明說明 層存在爲佳，而以作爲雙方的介電體層存在的狀態更佳。於 式子（22)以設定爲25SZ$67範圍的狀態而使ZrSi〇4及 Cr203以適當的比例存在於層中。因此，式子（22)所表示之 材料實質構成之介電體層爲透明且與記錄層具有良好地密 5著，同時資訊記錄媒體可確保具有良好的記錄感度及反覆改 寫性能。或是式子（22)所表示之材料實質構成之層於資訊記 錄媒體中亦可作爲位於記錄層與介電體層之間的界面層。 本發明更提供一種包含基板及記錄層，前述記錄層藉著 照射光或施加電性的能量而在銘晶相與非晶質相之間產生 10 相變態的資訊記錄媒體，並以式子（3): (Zr〇2)c(Cr203)E(D)F(Si〇2)i〇〇-c-E-F(mol%) · · · (3) (式子中，D爲ZnS、ZnSe或ZnO，C、E及F分別在20 $CS60、20SES60 及 10SF$40 的範圍內，且爲 60SC + E+F^90) 15 表示之Zr - Cr 一 Zn-0系材料所實質構成之層。以下說 明中’有將式子（3)表示之材料所實質構成之層僅稱爲「Zr 一 Cr* —Zn —0系材料層」的情形。 式子（3)表示之材料所實質構成之層，最好在與記錄層 鄰接之二個介電體層之中以作爲其中任何一側的介電體層 20 存在爲佳，作爲兩側之介電體層而存在的情形更佳。式子（3) 表示之材料與式子（21)表示之材料同樣包含Zr〇2、Cr2〇3及 S i 〇2。因此，依據此材料可形成透明性及對記錄層有優良密 著性的介電體層，又，包含此介電體層之資訊記錄媒體具有 良好記錄感度及反覆改寫性能。式子（3)表示之材料的成分 17 1234779 玖、發明說明 D係包含有ZnS、ZnSe或ZnO，因此，以此材料形成之介電 體層可形成更提昇與硫族化合物材料所構成之記錄層的密 著性的介電體層。而且’對於薄膜狀態易形成非晶質狀態之 ZrCb - Cr2〇3—SiCh系材料添加易形成結晶狀態的ZnS或 5 ZnSe而能更提昇記錄感度。或是式子（3)表示之材料所實質 構成之層，於資訊記錄媒體中亦可作爲位於記錄層與介電體 層之間的界面層。 於式子（3)，藉設成20SCS60及20SES60而能使 Zr〇2及Cn〇3以適當的比例存在於層中。於式子（3)表示藉設 10成10$FS40而能無損資訊記錄媒體之反覆改寫性能並可 達成成分D所達致的效果（例如提昇密著性等）。又，於式子 (3)藉著將C+E+F於60以上90以下的範圍加以變更而適 切調整Si〇2的比例以調整記錄感度。 式子（3)所表示之材料可將Zr02與Si02以包含略相等 15 的比例。此情形下此材料能以下列式子(31)表示： (ZrSi〇4)A(Cr2〇3)B(D)i〇〇-A_B(mol%) · · · (31) (式子中，D爲ZnS、ZnSe或ZnO，A及B分別在25$ A $54及25$：6$63的範圍內，且爲50$入+：6$88)。 如前述藉著將义1*02與Si02以包含略相等的比例而能形 2〇 成穩定構造的ZrSi04。式子（31)表示之材料所實質構成之 層，亦最好是在與記錄層鄰接之介電體層之中以作爲其中任 何一側的介電體層存在爲佳，而作爲兩側之介電體層而存在 的情形更佳。於式子（31)藉著將A及B分別設成25$ 54 及25SBS63而能使Zr〇2及Cn〇3以適當的比例存在於層 1234779 玖、發明說明 中。因此，式子（31)表示之材料所實質構成之層爲透明且與 記錄層之密著性優良，而且資訊記錄媒體確保具有良好的記 錄感度及反覆改寫性能。式子（31)表示之材料包含於介電體 層的情形下，Si〇2及成分D可提昇資訊記錄媒體之記錄感度 5且成分D可提昇介電體層對記錄層的密著性。或是式子（31) 表示之材料所實質構成之層，於資訊記錄媒體中亦可作爲位 於記錄層與介電體層之間的界面層。 上述本發明之資訊記錄媒體於其記錄層最好是相變態 爲可逆性產生者。即，本發明之資訊記錄媒體可提供最佳改 10 寫型資訊記錄媒體。 相變態爲可逆性產生的記錄層之具體上可從Ge- Sb-Te ' Ge — Sn — Sb — Te、Ge — Bi — Te、Ge — Sn —Bi—Te、Ge 一 Sb —Bi — Te、Ge — Sn — Sb — Bi — Te、Ag — In — Sb — Te 及

Sb- Te中選出。以包含其中一種材料爲佳。此等材料均爲 15 高結晶化材料。因此，以此等材料來形成記錄層的話，可獲 得能以高密度且高轉送速度來記錄，又，能獲得可靠度(具 體而言爲記錄保存性或改寫保存性)之點亦優良的資訊記錄 媒體。 本發明之資訊記錄媒體亦可爲具有二個以上的記錄 20 層。此等資訊記錄媒體係例如於基板之一側表面側藉由介電 體層及中間層而積層二個記錄層的單面二層構造者。單面二 層構造之資訊記錄媒體係從單側照射光線而將資訊記錄於 二個記錄層者。依據此構造乃能增大記錄容量。或是，本發 明之資訊記錄媒體亦可爲在基板之兩側面形成記錄層者。 19 1234779 鼠、發明說明 本發明之資訊記錄媒體之記錄層的膜厚最好是在15nm ^ 以下。一旦超過15nm則加諸於記錄層之熱會向面內擴散而 變得不易向厚度方向擴散。 ” 本發明之資訊記錄媒體亦可具有在基板之一側表面以 - 5 第1介電體層、記錄層、第2介電體層及反射層之順序形成 ， 的構成者。具有此構成之資訊記錄媒體係以照射光線而進行 ， 記錄的媒體。於本說明書中，所謂「第1介電體層」乃指相 對於入射之光位於較接近位置的介電體層，所謂「第2介電 · 體層」乃指相對於入射之光位於較遠離位置的介電體層。 10 β卩，照射之光線從第1介電體層經由記錄層而到達第2介電 · 體層。此構成之資訊記錄媒體係使用於例如以波長66〇nm 附近之雷射光進行記錄再生的情形。 本發明之資訊記錄媒體具有此構成時，第1介電體層及 第2介電體層之中至少一個介電體層係上述Zr—Cr—Ο系 15 材料層（具體而言係以上述式子（1)、（11)、（2)、（21)及(22) 所表示之材料之其中任何一種所實質地形成的層）。又，上 · 述Zr—Cr- Zn- 0系材料層（具體而言係以上述式子(3)或 (31)所表示之材料之實質地形成的層）。最好兩側之介電體 - 層爲上述Zr — Cr一 Ο系材料層或上述Zr—Cr — Ζη—Ο系材 _ 2〇料層。此情形下，兩側之介電體層可爲相同組成之層或是不 同組成之層。 本發明之資訊記錄媒體亦可具有在基板之一側表面以 反射層、第2介電體層、記錄層及第2介電體層之順序形成 的構成者。此構成係在有必要將入射光線之基板厚度弄薄的 20 1234779 玖、發明說明 情形下採用。具體而言，以波長405nm附近之短更新信號 波長的雷射光進行記錄再生時，例如將對物透鏡之開口數 NA設大爲0.85而將焦點位置設得淺時可使用此構成之資訊 記錄媒體。而要使用此如波長及開口數ΝΑ的話，有必要將 5要射入光線之基板厚度設於例如60〜120μιη範圍。於如此 薄的基板表面難以形成層。因此，此構成之資訊記錄媒體將 不被入射光線之基板作爲支持體而特定在其一側表面依序 形成反射層來形成支持體。 本發明之資訊記錄媒體具有此構成時，第1介電體層及 10 第2介電體層之中至少一個介電體層係上述Zr- Ci:—Ο系 材料層或上述Zr—Cr- Zn — 0系材料層。最好兩側之介電 體層爲上述Zr — Cr—Ο系材料層或上述Zr — Cr—Zn— Ο系 材料層。此情形下，兩側之介電體層可爲相同組成之層或是 不同組成之層。 15 本發明之製造資訊記錄媒體的方法係提供包含以濺鍍 法而形成上述Zr- Cr- Ο系材料層之步驟的製造方法。藉 此濺鍍法能形成具有與濺鍍標靶之組成略相同組成的Zr-Cr- 0系材料層。因此，依據此製造方法可藉著適切地選擇 濺鍍標靶而能容易地形成所希望的Zr- Cr-Ο系材料層。 20 具體而言，濺鍍標靶能使用下列式子（10):

ZrjCtkOioo-j-κ(πιο 1 % ) · · · (10) (式子中，J及κ分別在3SJS24及ll$kS36的範圍 內，且爲 34$j + k$40) 表示之材料實質構成者。式子（10)相當於後述之式子 21 1234779 玖、發明說明 (110)所表示之材料之元表組成所示的式子。因此，依據此 濺鍍標靶能形成上述式子（10)所表示之材料實質形成的層。 濺鍍所形成之層的元表組成因濺鍍裝置、濺鍍條件及濺 鍍標靶的尺寸等而與濺鍍標靶之元素組成不同的情形。此等 5 差異於使用上述式子（10)表示之材料所構成之濺鍍標靶時 產生，所形成之層的元素組成至少爲上述式子（1)所表示者。 本發明之資訊記錄媒體之製造方法中，濺鍍標靶亦可以 式子（110): (Zr〇2)m(Cr2〇3)i〇〇-m(mol%) · · · (110) 10 (式子中，m在2080的範圍內） 表示之材料實質構成的濺鍍標靶。此乃相當於將濺鍍標靶之 組成以Ζι·〇2與Cn〇3之比例表示的式子。如此特定濺鍍標靶 的理由，乃一般包含Zr、Cr及Ο之材料所構成之濺鍍標靶 以此二種成分組成表示而販賣。又，發明人以微量分析器分 15析市售的濺鍍標靶，確認所獲得之元表組成與由其表示之組 成所算出之組成元素略相等（即，組成表示（公稱組成）適 當）。因此’依據此濺鍍標靶可形成式子（11)所表示之材料實 質構成之層。 本發明之資訊記錄媒體之製造方法中，用以形成包含 20 Si之Zr — Cr — 0系材料層在作爲濺鍍標靶上，亦可使用式 子（20):

ZrGCrHSiL〇i〇〇i、H—L(原子％ ) · · · (20) (式子中 ’ G、η 及 l 分別在 4€GS21、11SH$30、2 $L$12的範圍內’且34$〇+[1+1^40)所表示之材料所實 22 1234779 玖、發明說明 質構成者。使用此濺鍍標靶則可形成由式子(21)或式子(2) 、 可所表示之材料實質構成之層。 本發明之資訊記錄媒體之製造方法中，在作爲濺鍍標靶 - 上，亦可使用式子（210): . 5 (Zr02)x(Cr2〇3)y(Si02)i〇〇-x-y (mol%) · · * (2l〇) ·， (式子中，x及y分別在20$ 70及20$ 60的範 ，, 圍內，且60Sx+y$90)所表示之材料所實質構成者。）如 此特定濺鑛標耙的理由，乃一般包含Zr、Cr及〇之材料所 · 構成之濺鎪標靶以Zr02、Cr203及Si02組成表示並販賣。 1〇又，發明人對於式子(210)之組成表示的濺鍍標靶，亦確認 組成表示適當(即，公稱組成）。因此，依據此濺鍍標靶可形 成式子(21)所表示之材料實質構成之層。 上述式子(210)所表示之濺鍍標靶亦可包含心〇2與Si〇2 係略相等比例者。此情形下，濺鍍標靶係由式子(220): 15 (ZrSi〇4)z(Cr2〇3)loo-z(mo 1 % ) · · · (220) (式子中，z係在2567的範圍內）所表示之材料實 · 質構成者。依據此濺鍍標靶可形成式子(22)所表示之材料實 質構成之層。 · 本發明之資訊記錄媒體之製造方法，係提供包含以濺鑛 ~ 20 來形成Zr — Cr — Zn — 〇系材料層之步驟的製造方法。依據濺 鑛法可形成與濺鍍標靶實質相同之組成的Zr__Cr — Zn — 〇 系材料層。具體而言，該濺鍍標靶可使用下述式子（30): (Zr02)c(Cr2〇3)e(D)f(Si02)i〇〇-c-e-f (mol% ) · · · (30) (式子中’ D爲ZnS、ZnSe或ZnO，c、e及f分別在20 7^)4 23 1234779 玖、發明說明 $ c$60 及 20$ eg 60、10$ 40 的範圍內，且 60$ c+e + f$90)所表示之材料所實質構成者。如此特定濺鍍標靶的 理由，乃包含Zr、Cr、Si及Ο之材料更加上含有成分D之 標靶以Zr02、Cr203及Si02及成分D組成表示並販賣。又， 5 依據此濺鍍標靶，可形成式子(3)所表示之材料所實質構成 之層。 上述式子(30)所表示之濺鍍標靶亦可包含Zr02與Si02 係略相等比例者。此情形下，濺鏟標靶係由式子(220) ·· (ZrSi〇4)a(Cr2〇3)b(D)i〇〇-a-b (mol%) · · · (310) 10 (式子中，D爲ZnS、ZnSe或ZnO，a及b分別在25Sa $54及25SbS 63的範圍內，且50$ a+b$ 88)所表示之材 料所實質構成者。依據此濺鍍標靶，可形成式子(31)所表示 之材料所實質構成之層。 I：實施方式3 15 較佳實施例之詳細說明 以下參照圖面來說明本發明之實施樣態。以下的實施樣 態係例示的實施樣態，本發明不限定於以下的實施樣態。 (實施樣態1) 本發明之實施樣態1係用以說明使用雷射光進行資訊 20之記錄及再生之光資訊記錄媒體的一例。第1圖表示該光資 訊記錄媒體的一部分斷面。 第1圖所示之資訊記錄媒體25具有於基板1之一側表 面以第1介電體層2、記錄層4、第2介電體層6、光吸收 補正層7、以及反射層8的順序來形成，而且以接著層9接 1234779 玖、發明說明 著仿真基板ίο的構成。此構成之資訊記錄媒體可作爲以波 長660nm附近之紅色帶域的雷射光束進行記錄再生的 4.7GB/DVD—RAM使用。從基板1側對此構成之資訊記錄媒 體射入雷射光12，藉此可進行資訊之記錄及再生。資訊記 5 錄媒體25不具有第1界面層103及第2界面層105之點乃 第10圖所示之資訊記錄媒體31不同。 實施樣態1之第1介電體層2及第2介電體層6均爲 Zr—Cr— 0系材料層或Zr—Cr—Ζη—Ο系材料層。 一般而言，介電體層之材料乃被要求1)透明、2)融點高 10 而於記錄時不會熔融、以及3)與硫族化合物材料之記錄層 的密著性良好。透明的情形係使從基板1側入射之雷射光 12通過而到達記錄層4所必要的特性。此特性特別要求入 射側的第1介電體層。高融點的情形係照射峰値功率階之雷 射光時，用以確保介電體層材料不會混入記錄層之必要的特 15 性。一旦介電體層材料混入記錄層的話，則會明顯降低反覆 改寫性能。與硫族化合物材料之記錄層的密著性良好之情形 係用以確保資訊記錄媒體之可靠性所必要的特性。而且，介 電體層材料所構成之資訊記錄媒體有必要選擇具有與習知 之資訊記錄媒體(β卩，ZnS- 20mol%SiO2所構成之介電體層 2〇與記錄餍之間介在著界面層的媒體）同等或此等以上的記錄 感度。 一 Ο系材料層最好是從Zr02與Cr203之混合物 實質構成之層。Zr02爲透明且具有高融點(約2700。〇，且 係在氧化物之中爲熱傳導率低的材料。Cr2〇3與硫族化合物 25 1234779 魏、發明說明 材料之記錄層的密著性良好。爰此，將包含此二種成分之混 合物之層作爲第1及第2介電體層2及6而將此等層如圖式 所示地接於記錄層4而形成，藉此能實現具有優良的反覆改 寫性能，且於記錄層與介電體層之間具有良好的密著性的資 5 訊記錄媒體25。Zr02與Cr203之混合物以上述式子（11)，即 以（21*〇2)!^(〇2〇3)1。。-^(111〇1%)表示。於此混合物中，（^2〇3 之含有量（β卩100 —M)爲20 mol%以上者爲佳。CnO=過多的 話會使之記錄感度變低，因此CnCb之含有量在80 mol%以 下爲佳。更好是在30mol%以上50mol%以下。 10 第1及第2介電體層2及6亦可爲包含Si之Zr—Cr — 0系材料層。包含Si之Zr—Cr- Ο系材料層最好是由Zr*02、 Cr203及Si02之混合物所實質構成者。此混合物以上述式子 (21)，即以（Zr〇2)x(Cr203)Y(Si02)HK)-x-Y 表示。於此式子中， X及Y分別在2070及20$ YS 60的範圍內，且爲60 15 $χ+γ$90。 第7圖表示式子（21)所表示之材料的組成範圍。於第7 圖中，座標爲（Zr〇2、Cn〇3、Si〇2)。於此圖中，式子（21)表 示之材料係以 a(70、20、10)、b(40、20、10)、c(20、40、 40)、d(20、60、20)、e(30、60、10)包圍的範圍（包含線上） 20 內的材料。 包含Si〇2i zr- Cr- Ο系材料層可提高資訊記錄媒體 的記錄感度。又，藉著調整Si02的比例而能調整記錄感度。 要以Si02提高記錄感度的話，混合物中的si〇2的含有量最 好至少在10 mol%以上。相對於此，一旦SiCh之含有量多 1234779 玖、發明說明 的話，則與記錄層4之密著性變差，因此Si〇2之含有量最 好是在40 mol%以下。Zr〇2及CnCb所達到的機能如同之前 說明，藉著適當比例的混合而使資訊記錄媒體的性能達到適 切。ZrCh—Cr203—Si02混合物的情形下，CnCh之含有量最 5 好是在20 mol%以上60 mol%以下。ZrCh之含有量最好是 在20 mol%以上70 mol%以下。第1介電體層2與第2介 電體層6可分別由Si〇2含有量不同之混合物所構成之層。 例如將第 1 介電體層 2 設爲（Zr〇2)5()(Cr203)3()(Si02)2() (mol % )，而將第 2 介電體層 6 設爲（Zr〇2)4G(Cr203)2()(Si02)4。（mol 10 % ) 0 於ZrCh- Cr2〇3一 Si〇2混合物中1 Zr〇2與Si〇2之含有量 爲略相等的情形下，最好是包含ZrSi04者。ZrS〇4係化學量 論組成穩定的複合化合物。形成ZrSi04的混合物以上述式 子(22)，即，以（ZrSi〇4)z(Cr2〇3)i〇〇-z(mol % )表不。此式子中， 15 Z係在25SZ$67的範圍內。21：02與Si02之爲略相等的情 形下，可產生ZrSi04而能獲得更強結合的Zr02—Si02系。 爲了設成與記錄層之密著性更良好且確保資訊記錄媒體之 反覆改寫性能與高記錄感度，Z最好爲33 50的範圍內。

ZrSiCU係透明、高融點（約2550°C)且係氧化物中熱傳 20 導率低的材料。因此，將此ZrSiCU與記錄層之密著性良好 的Zn—S之組合所構成之餍，作爲第1介電體層2及/或第 2介電體層6而配置成與記錄層4連接的狀態，藉此，能實 現具有優良的反覆改寫性能，且於記錄層與介電體層之間具 有良好的密著性的資訊記錄媒體25。爲了確保具有優良的 27 1234779 玖、發明說明 反覆改寫性能，ZrSiOf (Zn—S)中的Zrsi〇4含有量最好是 在33 mol%以上。爲了確保具有優良的密著Zn-S含有量 最好是在33 mol %以上。因此，於上述式子（22)中，A最好 是在33 S AS 67的範圍內。 5 Zr—Ci:—Ζη—Ο 系材料層係從 Zr02、Cr203 及 Si02 之 混合物更包含ZnS、ZnSe或ZnO之混合物所實質構成之層。 此混合物以上述式子（3)表示，即I以 (Zr〇2)c(Cr2〇3)E(DMSi〇2)i〇()-c-E-F(mol%)表示。此式子 中，C、E 及 F 分別在 20SC$60、20$ES60 及 10SFS40 10 的範圍內，且爲60SC + E+FS90。混合物藉著包含成分D 而使此混合物所構成之層與記錄層4更好地密著。又，ZnS 及ZiiSe是使是薄膜，其結晶性亦強，一旦混加於非晶質之 Zr〇2—Cn〇3—Si〇2混合物的話，會更降低混合物的熱傳導 率。因此，若是以包含ZnS及ZnSe之混合物形成第1及第 15 2介電體層2及6的話，可獲得更高資訊記錄媒體的記錄感 度。如此藉著混合四種材料而能實現具有適於記錄消除條件 (媒體之線速度及雷射光之波長)之記錄感度，又，密著性及 反覆改寫性能亦優異的資訊記錄媒體。 上述式子（3)表示之混合物可爲Zr02與Si02之含有比 20 例爲略相等者。如此的混合物以上述式子（31)，即，以

(ZrSi〇4)A(Cr2〇3)B(D)_-a-b (mol% )表示。於此式子中，A 及B分別在25SA$54、及25$B$63的範圍內，爲50$A + BS88。藉著Zr02與Si02之含有比例爲略相等而形成 ZrSi04以獲得結合更強之Zr02—Si02系。如此一來，能實 1234779 玖、發明說明 現具有適於記錄消除條件之記錄感度，又，密著性及反覆改 寫性能亦優異的資訊記錄媒體。 第1介電體層2及第2介電體層6藉著改變各個的光路 長度（即，介電體層之折射率η與介電體層之膜厚d之積nd) 5而具有能調整結晶相之記錄層4的光吸收率Ac(%)與非晶 質相之記錄層4的光吸收率Aa(%)、記錄層4爲結晶相時 之資訊記錄媒體25之光反射率Rc(% )與記錄層4爲非晶質 相時之資訊記錄媒體25的光反射率Ra(%)、記錄層4爲結 晶相部分與非晶質相部分之資訊記錄媒體25之光的相位差 10 Δ0的機能。若是要弄大記錄標記之再生信號振幅而提昇信 號品質，則最好是反特率差（I Rc-Ra | )或反射率比（Rc/ Ra)大。又，若是要記錄層4吸收雷射光，最好是Ac及Aa 均大。且決定第1介電體層2及第2介電體層6之光路長度 而以同時滿足此等條件。滿足此等條件之光路長度能依據例 15 如矩陣法（例如參照久保田廣著「波動光學」岩波新書，1971 年，第3章）計算而正確地決定。 上述說明之Zr—Cr — Ο系材料、及Zr—Cr—Zn— 〇系 材料因應其組成而有不同的折射率。槪言之’此等材料具有 1.8〜2.5範圍內的折射率。將介電體層之折射率設爲n ’膜 20 厚設爲d(nm)，雷射光12之波長設爲；I (nm)時，光路長度 能以nd = 表不。在此§兌明a爲正數。要弄大資訊㊆錄媒 體25之記錄標記之再生信號振幅而提昇信號品質的話’例 如最好是15%$RC且RaS2%。又，爲了消除或弄小改寫 所造成之標記歪斜’則最好是丨·1% $Ac/Aa。且依據矩陣 29 1234779 玖、發明說明 法來計算而正確地求得第1介電體層2及第2介電體層6 之光路長度（a λ )以同時滿足此等最佳條件。從所獲得之光 路長度（a λ )以及λ及η求得介電體層之厚度d。其結果則 可得知第1介電體層2之厚度較好是l〇〇nm〜200nm，更好 5 是130nm〜170nm。又，可得知第2介電體層6之厚度較好 是20nm〜70nm，更好是30nm〜60nm。 基板1 一般爲透明的圓盤狀。於形成介電體層及記錄層 之側的表面亦可形成用以導引雷射光的導引溝。將導引溝形 成在基板上的情形下，觀看基板之斷面可看出形成有溝部及 10 脊部。溝部亦可稱爲位於二個鄰接之脊部之間。因此，形成 導引溝的表面形成具有以側壁連接之頂面與底面。於本說明 書中乃將底面稱爲「溝面」，將頂面稱爲「脊面」。爰此，於 第1圖〜第6圖中，面23相當於溝面，面24相當於脊面。 於雷射光12之方向，溝面總是位於接近雷射光121之側， 15 脊面總是位於遠離雷射光之側。記錄標記於記錄層中係記錄 在相當於溝面之記錄層表面（溝記錄）、或是記錄在相當於脊 面之記錄層表面（脊記錄）、或是記錄在相當於溝及脊雙方之 面之記錄層表面（脊溝記錄）。第1圖所示之樣態之基板1 的溝面23與脊面24之段差最好是在40nm〜60nm。於將於 20 後述之構成第2圖、第3圖及第6圖所示之樣態之資訊記錄 媒體的基板1，其溝面23與脊面24之段差亦最好是在此範 圍。又，不形成層之側的表面最好爲平滑。基板1之材料可 舉例有聚碳酸酯、非晶質聚烯烴或PMMA等樹脂，或是玻璃。 一旦考慮成形性、價格及機械強度的話，最好是使用聚碳酸 30 1234779 玖、發明說明 酯。圖式所示之樣態之基板1的厚度爲〇·5〜〇·7ιηιη範圍。 記錄層4係可藉由照射光線或施加電性能量而在結晶 相與非晶質相之間產生相變態，而能形成記錄標記的層。相 變態爲可逆式的話，則能進行消除或改寫。可逆性相變態材 5 料爲高速結晶化材料，最好是使用Ge- Sb—Te或Ge-Sn —Sb—Te。具體而言，若是Ge—Sb—Te的話最好是GeTen —Sb2 — Te3擬二元系組成，此情形下，最好是4Sb2Te3 S GeTe S25Sb2Te3。GeTe<4Sb2Te3的話，記錄前後之反射光量變化 小而會降低讀出信號的品質。25Sb2Te3<GeTe的話，結晶相 10與非晶質相之間的體積變化大而會降低反覆改寫性能° Ge —Sn- Sb—Te 之結晶化速度比 Ge- Sb—Te 快 Ge—Sn—Sb — Te以Sn置換GeSn—Sb2Te3擬二元系組成之Ge者。於記 錄層4之Sn的含有量最好是在20原子％以下。超過子20 %以上的話，則結晶化速度過快而損害非晶質相的穩定性’ 15 並會降低記錄標記的可靠度。Sn之含有量可配合記錄條件 而調整。 又，記錄層4可由包含Bi之Ge—Bi —Te、Ge—Sn — Bi- Te、Ge — Sb — Bi — Te 或 Ge — Sn — Sb — Bi — Te 來形成。

Bi比Sb更易結晶化。因此，以Bi來置換Sb之至少一部分 20 亦能提昇記錄層之結晶化速度。

Ge—Bi—Te係GeTe與BiTe3之混合物。於此混合物 中，最好是 8Bi2Te3$GeTe‘25Bi2Te3。GeTe<8BhTe3，會降 低結晶化溫度而使記錄保存性變劣化。25Bi2Te3SGeTe的 話，結晶相與非晶質相之間的體積變化大而會降低反覆改寫 31 1234779 玖、發明說明 性能。

Ge〜Sn—Bi—Te相當於以Sn來置換Ge—Bi—Te之Ge 者。可調整Sn之置換濃度而配合記錄條件以控制結晶化速 度。Sn置換比較於Bi置換乃藉由記錄層之結晶化速度的微 5 調整而適切進行。於記錄層中，Sn的含有量最好是在1〇原 子％以下。超過10%以上的話，則結晶化速度過快而損害 非晶質相的穩定性，並會降低記錄標記的可靠度。

Ge〜Sn- Sb—Bi —Te 係以 Sn 來置換 Ge—Sb—Te 之 Ge的一部分，而且相當於以Bi來置換sb之一部分者。此 10 乃相當於GeTe、SnTe、Sb2Te3及Bi2Te3之混合物。於此混 合物可調整Sn置換濃度與Bi置換濃度並配合記錄條件而控 制結晶化速度。於Ge-Sn- Sb—Bi- Te，最好是4(Sb — Bi)2Te3$ (Ge —Sn)Te$25(Sb —Bi)2Te3。（Ge —Sn)Te<4(Sb - BihTe3的情形下，記錄前後之反射光量變化小而會降低 15 讀出ίΒ號品質。25(Sb — Bi )2Te3< 4(Ge — Sn)Te 的情形下， 結晶相與非晶質相之間的體積變化大而會降低反覆改寫性 能。又，於記錄層之Bi含有量最好是1〇原子％以下，Sn 之含有量最好是在20原子％以下。Bi及Sn之含有量分別 在此範圍內的話能獲得良好的記錄標記。 20 會發生可逆性相變態之材料於此之外可舉出有Ag- In —Sb- Te、Ag-In- Sb—Te—Ge之包含70原子％以上之 Ge — Sb — Te 〇 非可逆性相變態材料如日本國特許公報7- 25209公報 (特許第2006849號）所揭示，最好是使用Te〇x+ α ( α爲 1234779 玖、發明說明

Pd、Ge等）。記錄層爲非可逆性相變態材料之資訊記錄媒 體，係記錄僅能進行一次之所謂的一次寫入型。於此資訊記 錄媒體中亦存在有因記錄時之熱而使介電體層中的原子擴 散至記錄層中而降低信號品質的問題。因此’本發明不僅是 5 可改寫之資訊記錄媒體，且適用於一次寫入型之資訊記錄媒 體。 記錄層4如前述一般，其厚度較好是在15mn以下，在 12nm以下者更佳。 光吸收補正層7如前述一般，具有調整記錄層4爲結晶 10 狀態時之光吸收率Ac與非晶質狀態時之光吸收率Aa之比 Ac/Aa而達到改寫時不會使標記形狀歪斜的作用。光吸收 補正層7最好是以折射率高且適度地吸收光的材料來形 成。例如使用折射率η爲3以上6以下，衰減係數k爲1 以上4以下的材料而形成光吸收補正層7。具體而言，最好 15 是使用Ge —Ci*、及Ge —Mo等非晶質之Ge合金、Si —Cr、 Si — Mo、及Si —W等非晶質之Si合金、Te化合物、以及Ti、 Zr、Nb、Ta、Cr、Mo、W、SnTe、以及 PbTe 等結晶性金屬、 半金屬及半導體材料所選擇之材料。光吸收補正層7之膜厚 較好的是20nm〜80nm，更好的是30nm〜50nm。 2〇 反射層8具有在光學上增大記錄層4可吸收的光量，在 熱性上使記錄層4產生之熱快速地擴散而急冷記錄層4，且 易非晶質化的機能。而且，反射層8可將包含記錄層4及介 電體層2及6之多層膜從使用環境上予以保護。反射層8 之材料例如可舉出Al、Au、Ag及Cu等熱傳導率高的單體金 33 1234779 玖、發明說明 屬材料。反射層8若是要以提高其耐濕性爲目的、以及/或 _ 要調整熱傳導率或光學特性（例如，光反射率、光吸收率或 光透過率）爲目的，則亦可在從上述金屬材料所選擇之一種 - 或多種元素再添加其他一種或多種元素的材料來形成。具體 . 而口’ 可使用 A1 — Cr、A1 — Ti、Ag — Pd、Ag —Pd —Cu、Ag :

Pd〜Ti或Au- Cr等合金材料。此等材料均係具有優良的 ^ 耐腐蝕性且急冷機能的材料。藉著將反射層8以二層以上來 形成亦可達到相同的目的。反射層8之厚度較好是5〇〜 鲁 180nm ’ 更好是 6〇nm〜lOOnm。 1〇 圖式之資訊記錄媒體25之接著層9係用以將仿真基板 ⑺接著於反射層8而設置。接著層9亦可使用耐熱性及接 著性高的材料，例如可使用紫外線硬化性樹脂等接著劑來形 成。具體而言，可使用以丙烯酸樹脂爲主成分之材料或以環 氧樹脂爲主成分之材料來形成接著層9。又，亦可因應必要 15而於形成接著層9之前，將由紫外線硬化性樹脂所構成之厚 度5〜20//m的保護層設於反射層8的表面。接著層之厚度 · 較好是15〜40//m，更好的是20〜35/zm。 仿真基板10可提高資訊記錄媒體25之機械性強度，且 、 能保護第1介電體層2至反射層8的積體層。仿真基板1〇 20之較好材料與基板1之較好材料相同。於貼有仿真基板1〇 之資訊記錄媒體25,爲了不使其不發生機械性的翹曲及歪 斜等情形，最好是仿真基板10與基板1實質上以相同材料 來形成而具有相同的厚度。 實施樣態1之資訊記錄媒體係具有一個記錄層之單面 34 1234779 玖、發明說明 構造碟片。本發明之資訊記錄媒體亦可具有二個記錄層。例 如將實施樣態1之積層至反射層8的構造，使反射層8相對 向而介著接著層來貼合，藉此可獲得兩面構造之資訊記錄媒 體。此情形下，二個積層體的貼合係以遲效性樹脂來形成接 5 著層而利用壓力與熱的作用來進行。反射層8之上要設置保 護層的情形係將形成至保護層之積層體，藉著使保護層相對 向並貼合而獲得兩面構造的資訊記錄媒體。 接著，說明製造實施樣態1之資訊記錄媒體25的方法。 資訊記錄媒體25藉以順序進行將已形成導引溝（溝面23與 10 脊面24)之基板1配置於成膜裝置而於已形成基板1之導引 溝的表面將第1介電體層予以成膜的步驟（步驟a)、將記錄 層4予以成膜之步驟（步驟b)、將第2介電體層6予以成膜 之步驟（步驟c)、將光吸收補正層7予以成膜的步驟（步驟 d)、以及將反射層予以成膜的步驟（步驟e)，而且進行於反 15 射層8的表面形成接著層9的步驟、以及貼合仿真基板10 之步驟而製造。在包含以下說明之本說明書中，有關於各層 稱爲「表面」時除非是特別的限定，否則係指形成各層時所 露出之表面（垂直於厚度方向的表面）者。 最初於形成有基板1之導引溝面進行形成第1介電體層 20 2之成膜步驟。步驟a乃以濺鍍法來進行。濺鍍法係使用高 頻電源而在Ar氣體環境中或Ar氣體與氧氣之混合環境中進 行。 在步驟a使用之濺鍍標靶以上述式子（110)表示，即， (Zr〇2)m(Cr2〇3)HH)-m(mol% )表示，式子中，m係可使用在20 35 1234779 玖、發明說明 S 80範圍內之材料實質構成的濺鍍標祀。依據此濺鍍標 粑則可形成上述式子（11)表示之材料所實質構成之層。 或是，濺鍍標靶係以上述式子（210)表示’即’ (Zr〇2)x(Cr2〇3)y(Si〇2)i〇〇-x-y(mol%)表示’式子中 ’ X 及 y 5 分別可使用在20$ 70及20$ 60範圍內且60S x+y $90之材料實質構成的濺鍍標靶。依據此濺鍍標靶則可形 成上述式子(21)表示之材料所實質構成之層。 或是，濺鍍標靶係以上述式子（220)表示’即’ (ZrSl〇4)z(Cr2〇3) 100_ z(mol%)表示，式子中，z係可使用在 10 25Sz$ 67範圍內之材料實質構成的濺銨標靶。依據此濺鏟 標靶則可形成上述式子(22)表示之材料所實質構成之層。 或是，濺鍍標靶係以上述式子（30)表示，即， (ZrChWCnCbWDMSiCbhGo-c-e-fimol%)表示，式子中，D 爲ZnS、ZnSe或ZnO，c、e及f分別可使用在20€c€60、 15 及 20$e$60、10$ f$40 的範圍內，且 60$c+e+fS90 之材料實質構成的濺鍍標靶。依據此濺鍍標靶則可形成上述 式子(3)表示之材料所實質構成之層。 或是，濺鍍標靶係以上述式子（310)表示，即， (ZrSi〇4)a(Cr2〇3)b(D)HH)-a-b(mol% )表示，式子中，D 爲 ZnS、 20 ZnSe或ZnO，a及b分別可使用在25SaS54、及25SbS 63的範圍內，且50Sa + b$88之材料實質構成的濺鍍標 靶。依據此濺鍍標靶則可形成上述式子(31)表示之材料所實 質構成之層。 其次進行步驟b而於第1介電體層2表面形成記錄層 36 1234779 玖、發明說明 4。步驟b亦以濺鍍來進行。濺鍍係使用直流電源而於Ar 氣體環境中，或是在Ar氣體與％氣體之混合氣體中進行。 濺鍍標靶係使用 Ge〜Sb—Te、Ge—Sn—Sb—Te、Ge—Bi -Te、Ge-Sn- Bi〜Te、Ge—sb_Bi—Te、以一〜一汕― 5 Bi—Te'Ag—In—81)^及Sb—Te中包含其中任何一種材 料。成膜後之記錄層4爲非晶質狀態。 其次進行步驟c，於記錄層4表面形成第2介電體層6。 步驟c與步驟a同樣地進行。第2介電體層6亦可使用與第 1介電體層2不同材料所構成之濺鍍標靶來形成。 10 其次進行步驟d，於第2介電體層6表面形成光吸收補 正層7。於步驟d使用直流電源或高頻電源而進行濺鍍。濺 鍍標靶係使用Ge - Cr、及Ge- Mo等非晶質之Ge合金、Si 一 Cr及Si-Mo等非晶質Si合金、Te化合物、&&Ti、Zr、 Nb、Ta、Cr、Mo、W、SnTe、以及PbTe等結晶性金屬、半金 15屬及半導體材料所選擇之材料所構成者。濺鍍一般在Ar氣 體環境中進行。 其次進行步驟e而於光吸收補正層7表面形成反射層 8。步驟e以濺鑛來進行。濺鍍係使用直流電源而於Ar氣體 環境中進行。濺鍍標靶可使用Al-Cr、A1 —Ti、Ag — Pd、 20 Ag — Pd - Cu、Ag - Pd- Ti或Au- Cr等合金材料所構成之灘 鑛標靶。 如上述步驟，步驟a〜e均係濺鍍步驟。因此’步驟a 〜e亦可於一個濺鍍裝置內順序變更標靶而連續地進行。或 是步驟a〜e分別使用獨立之濺鍍裝置來進行。 1234779 玖、發明說明 形成反射層8之後，從濺鍍裝置取出第1介電體層2 至反射層8順序積層的基板1。之後於反射層8表面以例如 旋轉塗敷法來塗布紫外線硬化性樹脂。將仿真基板10密著 於經塗布之紫外線硬化性樹脂而從仿真基板10側照射紫外 5 線並使樹脂硬化而結束貼合步驟。 貼合步驟結束之後，因應必要而進行初期化步驟。初期 化步驟係以例如半導體雷射來照射非晶實狀態的記錄層4 而昇溫至結晶化溫度以上以使結晶化的步驟。初期化步驟亦 可在貼合步驟前進行。如此一來，藉由順序地進行步驟a〜 1〇 e、形成接著層之步驟、以及貼合仿真基板的步驟而能製造 實施樣態1之資訊記錄媒體25。 (實施樣態2) 本發明之實施樣態2係說明使用雷射光來進行資訊之 記錄及再生的光資訊記錄媒體的其他例。第2圖表示該光資 15 訊記錄媒體的一部分斷面。 第2圖所示之資訊記錄媒體26係於基板1之一側表面 具有以第1介電體層2、記錄層4、第2界面層1〇5、第2 介電體層106、光吸收補正層7及反射層8的順序來形成， 並且以接著層9接著仿真基板1〇的構造。第2圖所示之資 20 訊記錄媒體不具有第1界面層103之點乃與第9圖所示之習 知資訊記錄媒體31不同。又，資訊記錄媒體26藉由第2 界面層105而在記錄層4上積層第2介電體層1〇6之點與第 1圖所示之實施樣態1之資訊記錄媒體不同。於資訊記錄媒 體26之第1介電體層2與實施樣態1同樣爲Zr - Ci: 一 0系 38 1234779 玖、發明說明 材料層或Zr - Cr - Zn-0系材料層。除此之外於第2圖中與 第1圖所使用之標號相同的標號乃表示相同要素而以參照 第1圖說明之材料及方法來形成。爰此，有關第1圖已說明 之要素則省略其詳細的說明。 5 此樣態之資訊記錄媒體26相當於使用習知之資訊記錄 媒體所用之ZnS- 20mol%而形成第2介電體層106的構 成。因此第2界面層105係爲了防止反覆記錄所造成第2 介電體層106與記錄層4之間產生的物質移動而設置。第2 界面層 105 以 Si —N、Al — N、Zr —N、Ti —N、Ge —N、Cr — 10 N或Ta- N等氮化物或包含此等化合物之氮化氧化物、或是 Sic等碳化物來形成。或是第2界面層105亦可爲Zr — Cr 一 0系材料層或Zr - Cr 一 Zn — 0系材料層。界面層之厚度以 1〜lOnm爲佳，2〜7nm更好。界面層之厚度大的話，形成在 基板表面之第1介電體層至反射層8的積層體的光反射率及 15 光吸收率會變化而影響記錄消除性能。 接著說明實施樣態2之資訊記錄媒體26的製造方法。 資訊記錄媒體26藉以順序進行將已形成基板1之導引溝的 表面將第1介電體層2予以成膜的步驟（步驟a)、將記錄層 4予以成膜之步驟（步驟b)、將第2界面層105予以成膜的 20 步驟（步驟f)、將第2介電體層106予以成膜之步驟（步驟 g)、將光吸收補正層7予以成膜的步驟（步驟d)、以及將反 射層予以成膜的步驟（步驟e)，而且進行於反射層8的表面 形成接著層9的步驟、以及貼合仿真基板10之步驟而製造。 步驟a、b、d及e如同實施樣態1之說明’因此省略其說明。 39 1234779 玖、發明說明 以下僅說明在製造實施樣態1之資訊記錄媒體時所未進行 的步驟。 步驟f係於形成記錄層4之後進行，而係在記錄層4 表面形成第2界面層105的步驟。步驟f可爲使用高頻電力 5 且使用包含Ge之濺鎪標靶而在Ar氣體與N2氣體之混合氣 體環境中進行之反應性濺鍍步驟。依據此反應性濺鍍可於記 錄層4表面形成包含有Ge- N之界面層。 其次進行步驟g而於第2界面層105表面形成第2介電 體層106。於步驟g使用高頻電源並使用ZnS- 20mol%Si〇2 10 所構成之濺鍍標靶而在Ar氣體環境中，或是Af與N2氣體 之混合氣體環境中進行之濺鍍。藉此可形成ZnS — 20mol% SiCb所構成之層。之後克成貼合仿真基板10的步驟之後如 實施樣態1說明一般，因應必要而進行初期化步驟以獲得資 訊記錄媒體26。 15 (實施樣態3) 本發明之實施樣態3係說明使用雷射光來進行資訊之 記錄及再生的光資訊記錄媒體的其他例。第3圖表示該光資 訊記錄媒體的一部分斷面。 第3圖所不之資訊§5錄媒體2 7係於基板1之一^側表面 20 具有以第1介電體層1〇2、第1界面層1〇3、記錄層4、第2 介電體層6、光吸收補正層7及反射層8的順序來形成，並 且以接著層9接著仿真基板10的構造。第3圖所示之資訊 記錄媒體27不具有第2界面層1〇5之點乃與第1〇圖所示之 習知資訊記錄媒體31不同。又，資訊記錄媒體27於基板1 40 1234779 玖、發明說明 與記錄層4之間以第1介電體層1〇2與第1界面層1〇3的順 序積層之點乃與第1圖所示之資訊記錄媒體27不同。於資 訊記錄媒體27之第2介電體層6與實施樣態1同樣爲Zr-Cr —0系材料層或Zr — Cr —Zn-0系材料層。除此之外於第 5 3圖中與第1圖所使用之標號相同的標號乃表示相同要素而 以參照第1圖說明之材料及方法來形成。爰此，有關第1 圖已說明之要素則省略其詳細的說明。 此樣態之資訊記錄媒體27相當於使用習知之資訊記錄 媒體所用之ZnS- 20mol%而形成第1介電體層102的構 10 成。因此第1界面層103係爲了防止反覆記錄所造成第1 介電體層102與記錄層4之間產生的物質移動而設置。第1 介電體層102之較佳材料及厚度乃與參照第2圖說明之實施 樣態2之資訊記錄媒體26之第2界面層105相同。因此， 省略有關此等內容之詳細說明。 15 接著說明實施樣態3之資訊記錄媒體27的製造方法。 資訊記錄媒體27藉以順序進行將已形成基板1之導引溝之 面將第1介電體層102予以成膜的步驟（步驟h)、形成第1 界面層103的步驟（步驟i)、將記錄層4予以成膜之步驟（步 驟b)、將第2介電體層6予以成膜之步驟（步驟c)、將光吸 20 收補正層7予以成膜的步驟（步驟d)、以及將反射層予以成 膜的步驟（步驟e)，而且進行於反射層8的表面形成接著層 9的步驟、以及貼合仿真基板1〇之步驟而製造。步驟b、c、 d及e如同實施樣態1之說明’因此省略其說明。以下僅說 明在製造實施樣態1之資訊記錄媒體時所未進行的步驟° 1234779 玖、發明說明 步驟h係於基板1的表面形成第1介電體層102的步 驟°具:體的方法乃與實施樣態2之製造方法說明的步驟g 相同。步驟i係於第1介電體層1〇2表面形成第1界面層 103的步驟。具體的方法乃與實施樣態2之製造方法說明的 步驟f相同。其後於結束貼合仿真基板1〇之步驟後如實施 樣態、1之月可因應必要而進行初期化步驟而獲得資訊記 錄媒體27。 (實施樣態4) 本發明之實施樣態4係說明使用雷射光來進行資訊之 10記錄及再生的光資訊記錄媒體的其他例。第4圖表示該光資 訊§己錄媒體的一部分斷面。 第4圖所示之資訊記錄媒體28係於基板101之一側表 面具有以第2介電體層6、記錄層4、以及第1介電體層2 的順序來形成，並且以接著層9接著仿真基板110的構造。 15 此資訊記錄媒體28於不具有第1界面層1〇3及第2界面層 105之點乃與第10圖所示之習知資訊記錄媒體31不同。 又，此資訊記錄媒體不具有光吸收補正層7之點乃與第1 圖所示之資訊記錄媒體25不同。 從仿真基板11〇側對此構成之資訊記錄媒體28射入雷 20射光12，藉此進行資訊之記錄及再生。爲了提高資訊記錄 媒體之記錄密度，乃有必要使用短波長之雷射光且縮集納入 雷射光束於記錄層形成小的記錄標記。爲了縮集納入雷射光 束乃有必要更加弄大對物透鏡之開口數ΝΑ。但是，一旦AN 變大則焦點位置會變淺。因此有必要弄薄雷射光所要射入的 1234779 玖、發明說明 ° 4 _所示之資訊記錄媒體28，可射入雷射光之 11〇不必要有作爲形成記錄層之際的支持體 駄’故能將其厚度設得小。因此，依據此構成能獲得可有 胃'胃^錄之大容量資訊記錄媒體28。具體而言，依據 5此構成會匕獲得可將波長約405nm之藍紫色域之雷射光使用 ^錄再生0朗25GB随訊記錄媒體。 錄媒體之第 1及第2介電體層2及6亦與實 施縣1同樣爲Zr-Zn-S-0系材料層或Zr-Cr-Zn-0 系材料層。Zr〜Zn—s —0系材料層及Zr - Cr 一 Zn - 0系材 1〇料層無關於反射層之形成藤及記錄容量而適用作爲介電 體層0 Zr — 7

Zn、S〜〇系材料層及zr — Cr-Zn — O系材料層 料如同實施樣態1之說明，故省略此等構成的詳 細說明。 如前述〜般，此資訊記錄媒體28適用於以短波長之雷 15射光進行記錄再生。因此，第1及第2介電體層2及6的厚 度可從例如；I =405mn時之較佳光路長度來求得。爲了弄大 資訊記錄媒體28之記錄標記的再生信號振幅而提昇信號品 質，例如依據矩陣法計算而嚴密地決定第1介電體層2及第 2介電體層6之光路長度nd以滿足20% $Rc且Ra$ 5%。 20其結果則可得知將具有如前述之折射率之Zr — Cr-0系材 料或Zr —Cr —Zn-〇系材料層所構成之層設爲第1及第2 介電體層2及6的情形下’第1介電體層2之厚度較好是 3〇nm〜i〇〇nm，更好是5〇nm〜80nm。又，可得知第2介電體 層6之厚度較好是3nm〜50nm，更好是10nm〜30nm。 43 7 0 4 1234779 玖、發明說明 基板101與實施樣態1之基板1同樣爲透明的圓盤狀 板。亦可於形成基板101之反射層側的表面形成用以引導雷 射光之導引溝。已形成有導引溝的情形下乃與實施樣態1 同樣將面23稱爲溝面23，將面24稱爲脊面。於基板101 5 之溝面23與脊面24之段差較好是在l〇nm〜30nm，更好是 在I5nm〜25nm。又，不形成層之側的表面最好是平滑狀態。 基板101之材料可舉例爲與實施樣態1之基板1之材料相同 者。基板101之厚度最好是1.0〜1.2nm範圍。基板101之 較佳厚度乃比實施樣態1之基板1大。此乃如後述由於仿真 10 基板110之厚度薄’故有必要以基板101來確保資訊記錄媒 體之強度。 仿真基板110與基板101同樣爲透明的圓盤狀板。如前 述一般，依據第4圖所示之構成的話，藉著將仿真基板110 之厚度設小而能以短波長之雷射光進行記錄。因此，仿真基 15 板110之厚度最好是在40# m〜110//m。貼合接著層9與仿 真基板110之厚度爲50//m〜120//m更佳。 由於仿真基板之厚度薄，故以聚碳酸酯、非晶質聚烯 烴，或是PMMA等樹脂來形成爲佳，特別是以聚碳酸酯來形 成爲佳。又，爲了使仿真基板110位於雷射光12之入射側， 20因此最好在光學上於短波長域之複折射小的仿真基板爲佳。 接著層9最好是以透明的紫外線硬化性樹脂來形成。接 著層9之厚度最好是5〜15/zm。接著層9兼具仿真基板110 之機能而能形成50//m〜120/zm厚度的話亦能省略仿真基 1234779 玖、發明說明 此外，賦予與實施樣態1相同標號之要素，因如同已說 明之實施樣態1的內容而省略其說明。 於此樣態之資訊記錄媒體的變形例中，例如僅將第1 介電體層設爲Zr - Cr 一0系材料層或Zr — Cr — Zn —0系材料 5 層，而以ZnS—20rnol%Si〇2形成第2介電體層以於第2介 電體層與記錄層之間形成獲得第2界面層。又，此形態之資 訊記錄媒體之其他變形例係僅將第2介電體層設爲Zr-Cr 一0系材料或Zr —Cr — Zn —0系材料層，而以ZnS—20mol %Si〇2形成第1介電體層以於第1介電體層與記錄層之間形 10 成獲得第1界面層。 接著說明1實施樣態4之資訊記錄媒體28的製造方 法。資訊記錄媒體28藉以順序進行將已形成導引溝（溝面 23與脊面24)之基板101之配置於成膜裝置，且於已形成基 板101之導引溝的表面形成反射層8的步驟（步驟e)、形成 15 第2介電體層6的步驟（步驟c)、將記錄層4予以成膜之步 驟（步驟b)、以及將第1介電體層2予以成膜之步驟（步驟 a)，而且進行於第1介電體層2的表面形成接著層9的步 驟、以及貼合仿真基板110之步驟而製造。 最初進行步驟e，於形成基板101之導引溝表面形成反 20射層8。進行步驟e之具體的方法乃如同實施樣態1所說明 者。其次依序進行步驟c、步驟b、及步驟a。進行步驟c、 步驟b、及步驟a之具體方法如同實施樣態1之說明。於此 樣態之資訊記錄媒體之製造方法中，各步驟之進行順序與 實施樣態1之資訊記錄媒體的製造方法不同。 45 y π η 1234779 玖、發明說明 於形成第1介電體層2之後，從濺鍍裝置取出從反射層 8至第1介電體層2順序積層的基板1。之後於第1介電體 層2上以例如旋轉塗敷法來塗布紫外線硬化性樹脂。將仿真 基板10密著於經塗布之紫外線硬化性樹脂而從仿真基板10 5 側照射紫外線並使樹脂硬化而結束貼合步驟。可將接著層9 形成60//m〜120/zm厚度而對此照射紫外線而省略貼合仿 真基板110的步驟。 結束貼合步驟之後可因應必要而進行初期化步驟。初期 化步驟的方法乃關連如實施樣態1之說明。 10 (實施樣態5) 本發明之實施樣態5係說明使用雷射光來進行資訊之 記錄及再生的光資訊記錄媒體的另外其他例。第5圖表示該 光資訊記錄媒體的一部分斷面。 第5圖所示之資訊記錄媒體29係於基板101之一側表 15 面具有以第2資訊層22、中間層16、以及第1資訊層21 的丨丨丨貝序來形成，而且藉由接著層9而積層仿真基板110的構 成。更詳細而言，係第2資訊層22係於基板101之一側表 面以第2反射層20、第5介電體層19、第2記錄層18、以 及第4介電體層17的順序形成。中間層16形成在第4介電 2〇 體層17的表面。第1資訊層21係於此中間層16表面以第 3介電體層15、第1反射層14、第2介電體層6、第1記錄 層13、以及第1介電體層2的順序形成。此樣態中的雷射 光亦從仿真基板110側射入。又，於此樣態之資訊記錄媒體 能於二個記錄層分別記錄資訊。因此依據此構成能獲得具有 1234779 玖、發明說明 上述實施樣態4之二倍容量的資訊記錄媒體。具體而言，依 據此構成能獲得可將波長約405ηηι之藍紫色域之雷射光使 用於記錄再生之容量爲50GB的資訊記錄媒體。 第資訊層21之記錄再生係以通過仿真基板11〇之雷射 5光12而進行。第2資訊層22之記錄再生以通過第1資訊層 21及中間層16之雷射光12來進行。 第5圖所示之樣態的資訊記錄媒體29中，第5介電體 層19、第4介電體層17、第2介電體層6、以及第1介電 體層2最好均爲Zr —Cr — 0系材料層或zr — Cr —Zn —〇系材 10料層。使用此材料層的話，則不要第1記錄層13與第1介 電體層2之間的界面層，不要第1記錄層13與第2介電體 層6之間的界面層，不要第2記錄層18與第4介電體層17 之間的界面層，不要第2記錄層18與第5介電體層2之間 的界面層。Zr — Cr —〇系材料層或Zr — Cr —Zn —0系材料層 15之具體的材料如第1實施樣態說明者，因此省略此等材料的 詳細說明。 第5介電體層19與第2介電體層6具有作爲反射餍與 記錄層之間的絕熱層機能。因此，第5及第2介電體層19 及 6 最好是由式子（Zr〇2)x(Cr203)Y(Si〇2)H)〇-x-Y (即，式子 20 (21))表不之材料，或是式子（Zr〇2)c(Si02)E(D)F(Si〇2)i〇〇、r E_F (即，式子（3))表示之材料所實質構成之層。又，第$ 及第2介電體層19及6之膜厚較好是在3nm〜50nm，更好 是在10nm〜30nm 〇 47 1234779 玖、發明說明 第4介電體層17及第1介電體層2係分別於第2資訊 層22及第1資訊層21中，爲雷射光12到達記錄層18及 13之前所射入之層。因此，第4介電體層17及第丨介電體 層2最好是透明且由低熱傳導率的材料所構成。如此的材料 5係上述式子（21)及式子（3)表示的材料。第4介電體餍17 及第1介電體層2之膜厚較好是在3〇nm〜 1〇〇nm，更好是在 50nm〜80nm 0 如此一來，第5圖所示之單面二層構造的資訊記錄媒體 亦藉著將位於記錄層兩側之介電體層設爲Zr__Cr — 〇系材 10料層或Zr-Cr-Zn-0系材料層而能形成不藉由界面層即 可將介電體層直接連接記錄層。因此，依據本發明即便是單 面二層構造之資訊記錄媒體亦減少構成整體的層數。又，藉 著將介電體層設成上述特定的材料層而能調整折射率或媒 體的記錄感度，並可因應資訊記錄媒體種類而最適當化。 15 第3介電體層15位於中間層16與第1反射層14之間。 第3介電體層15要具有提高第1資訊層21之光透過率機能 的話，最好是具有透明且高折射率。又，第3介電體層15 與反射層同樣要具有快速擴散第1記錄層13之熱的機能的 話，最好是由熱傳導率較高的材料構成。滿足此等條件的材 20 料爲 Ti〇2及 Cr2〇3。又，亦可使用（zr〇2)M(Cr2〇3)H)〇-M(即，上 述式子（11))表示之材料。以式子（11)表示之材料形成第3 介電體層的情形下，最好是以改變組成而調整熱傳導率。一 旦使用 Ti〇2、Cr2〇3或（Zr〇2)M(Cr2〇3)1()〇-M 的話，則可獲得 2.4 〜2.8之大的折射率。第3介電體層15之膜厚最好爲l〇mn 1234779 玖、發明說明 〜30ηπι 〇 基板101乃與實施樣態4之基板101相同的基板。因 此’因此實施樣態省略對基板1〇1的詳細說明。 第2反射層20乃與實施樣態1之反射層8同樣的反射 5層°又’第2記錄層18乃與實施樣態1之記錄層4相同的 記錄層。因此省略第2反射層20及第2記錄層18之詳細的 說明。 中間層16係用以使第1資訊層21之雷射光焦點位置與 第2資訊層22之焦點位置特意地不同而設置。於中間層16 10可因應必要而在第1資訊層21側形成導引溝。中間層16 能以紫外線硬化性樹脂來形成。中間層16用以使雷射光12 有效率地到達第2資訊層22，最好是對於記錄再生之波長 λ的光爲透明。中間層16之厚度有必要係依據對物透鏡之 開口數ΝΑ與雷射光波長λ所決定之焦點深度ΛΖ以上。ΛΖ 15 能近似ΔΖ=又 /{2(ΝΑ)2}。A = 405nm、ΝΑ=0·85 時= 〇· 28//m。而且此値之± 〇·3//m範圍內包含於焦點深度的範 圍，因此中間層16有必要爲〇 · 8 /z m以上的厚度。又，中間 層16之厚度最好是第1資訊層21之第1記錄層13及第2 資訊層22之第2記錄層18之間的距離在於對物透鏡可聚光 2〇 的範圍內，而設在配合仿真基板110之厚度對於使用之對物 透鏡可容許的基板厚度公差內。因此，中間層之厚度最好是 10 // m〜40 // m 〇 中間層16可因應必要而將樹脂層積層多層來構成。具 體而言，可設成用以保護第4介電體層17之層與具有導引 49 1234779 玖、發明說明 溝之層的二層構造。 第1反射層14具有快速擴散第1記錄層13之熱的機 能。又，記錄再生第2資訊層之際要使用透過第1資訊層 21之雷射光12,因此第1資訊層21有必要整體具有闻的光 5透過率，最好是具有45%以上的光透過率。因此’第1反 射層14比較於第2反射層20更限定其材料及厚度。爲了減 少第1反射層14之光吸收，最好是弄薄第1反射層14之厚 度且具有小衰減係數及大的熱傳導率。具體而言，第1反射 層14最好是以含有Ag之合金且形成爲膜厚5nm以上15nm 10 以下。 第1記錄層13用以確保第1資訊層21之高的光透過 率，最好是比第2記錄層18限定其材料及厚度。第1記錄 層13最好是形成其結晶相之透過率與其非晶質相之透過率 的平均爲45%以上。因此，第1記錄層13之膜厚最好是設 15 於7nm以下。構成第1記錄層13之材料乃選擇即使是如此 薄的膜厚亦可藉熔融急冷而形成良好的記錄標記，而確保以 能再生高品質信號的狀態，以及藉昇溫漸冷而能消除記錄標 記的狀態。具體而言，最好是以可逆性相變態材料之GeTe —Sb2Te3 系材料的 Ge—Sb —Te、或以 Sn 置換 GeTe — Sb2Te3 20 系材料之一部分的Ge—Sn—Sb —Te來形成第1記錄層。或 以GeTe-BhTe3系材料的Ge — Bi —Te、或以Sn置換Ge —Bi 一 Te之Ge之一部分的Ge—Sn—Bi - Te來形成第1記錄層 13 ° 接著層9與實施樣態4相同地最好是以透明的紫外線硬 50 1234779 玖、發明說明 化性樹脂來形成。接著層9之厚度最好是5〜15//m。 仿真基板110與實施樣態4之仿真基板11〇相同。因此 在此省略有關仿真基板的詳細說明。又，於此實施樣態中’ 接著層9亦兼具仿真基板110的機能，若是能形成〜 5 120//m之厚度的話，則亦能省略仿真基板11〇。 以上說明了具備二個具有記錄層之資訊層構成的資訊 記錄媒體。具有多數記錄層之資訊記錄媒體並不限於此構 成，亦可構成包含三個以上資訊層。又，圖式之樣態的變形 例係例如在二個資訊層之中，將一個設成具有可產生可逆性 10相變態之記錄層的資訊層，而將另一個設成具有可產生非可 逆性相變態之記錄層的資訊層者。 又，於具有三個資訊層之資訊記錄媒體，將三個資訊層 之中的一個設爲再生專用的資訊層，將一個設成具有可產生 可逆性相變態之記錄層的資訊層，而將另一個設成具有可產 15生非可逆性相變態之記錄層的資訊層者。如此一來’具有二 個以上資訊層之資訊記錄媒體具有各種的樣態。於任何一種 樣態均可藉著將介電體層設爲Zr - Cr - 0系材料層或Zr -Cr - Zn- 0系材料層而能不必在記錄層與介電體層之間設 置界面層。 20 接著說明製造實施樣態5之資訊記錄媒體29的方法。 資訊記錄媒體29以進行於基板101形成反射層20的步驟 (步驟j )、形成第5介電體層19的步驟（步驟k)、形成第2 記錄層19的步驟（步驟1)、以及形成第4介電體層Π之步 驟（步驟m)的順序後，進行於第4介電體層17表面形成中 1234779 玖、發明說明 - 間層16的步驟，之後順序進行於中間層16表面形成第3 . 介電體層15的步驟（步驟η)、形成第1反射層14的步驟（步 驟〇)、形成第2介電體層6的步驟（步驟ρ)、形成第1記錄 、 層13的步驟（步驟d)、以及形成第1介電體層2的步驟（步 „ 5 驟r)，而且藉著進行於第1介電體層2表面形成接著層的1 , 步驟、以及貼合仿真基板110的步驟而製造。 β 步驟j〜m相當於形成第2資訊層22的步驟。步驟j於 形成基板101之導引溝的面形成第2反射層20的步驟。步 鲁 驟j乃與實施樣態1之步驟e同樣地進行。其次進行步驟k 10 而於第2反射層20表面形成第5介電體層19。步驟k乃與 實施樣態1之步驟c同樣地進行。其次進行步驟1而於第5 介電體層19表面形成第2記錄層18。步驟1乃與實施樣態 1之步驟b同樣地進行。最後進行步驟m而於第2記錄層18 表面形成第4介電體層17。步驟m乃與實施樣態1之步驟a 15 同樣地進行。 將以步驟j〜m形成第2資訊層22之基板101從濺鍍裝 ® 置取出而形成中間層16。中間層16以下列序順來形成。首 先，於第4介電體層17表面以例如旋轉塗敷來塗布紫外線 · 硬化性樹脂。其次將形成導引溝之聚碳酸酯基板的導引溝側 „ 2〇 密著於紫外線硬化性樹脂。以其狀態照射紫外線而使樹脂硬 化後’剝離已形成導引溝之聚碳酸酯。藉此可將導引溝謄寫 至紫外線硬化性樹脂而形成圖式所示之具有導引溝的中間 層16。於其他方法，中間層16能以紫外線硬化性樹脂來形 成保護第4介電體層17之層，而於其上形成具有導引溝之 52 1234779 玖、發明說明 層來形成。此情形下所獲得之中間層爲二層構造。 將形成至中間層16之基板101再次配置於濺鍍裝置， 並於中間層16表面形成第1資訊層。形成第1資訊層21 之步驟相當於步驟η〜r。 5 步驟η係於中間層16之具有導引溝的面形成第3介電 體層15的步驟。於步驟η使用高頻電力且使用包含Ti〇2或 Cn〇3所構成之濺鍍標靶而在Ar氣體環境中或是在Ar氣體 與〇2氣體之混合環境中進行濺鑛，或是於步驟f可使用Zr〇2 及Cn〇3之混合物所構成之濺鍍標靶而在Ar氣體環境中進行 10 之濺鍍。或是於步驟η可使用Ti或Cr所構成之濺鍍標靶而 在Ar氣體與02氣體之混合氣體環境中進行反應性濺鍍。 其次進行步驟〇，於第3介電體層15表面形成第1反 射層。於步驟〇使用直流電源並使用包含Ag合金之灑鑛標 靶而Ar氣體環境中進行濺鍍。 15 其次進行步驟p而於第1反射層14表面形成第2介電 體層。步驟乃與步驟k同樣地進行。 其次進行步驟Q而於第2反射層6表面形成第記錄層 13。於步驟q使用直流電源並使用包含從Ge- Sb- Te、Ge —Sn—Sb 一 Te、Ge - B i — Te、Ge — Sn — B i — Te、Ge — Sb B i 20 一Te及Ge — Sn — Sb — Bi — Te之中選擇其中任何一種材料的 濺鍍標靶而在Αι*氣體或Ar氣體與N2氣體之混合氣體環境 中進行反應性濺鍍。 其次進行步驟r而於第1記錄層13表面形成第1介電 體層2。步驟r與步驟m同樣地進行。如此依序進行步驟η 1234779 玖、發明說明 〜r而形成第1資訊層21。 從濺鍍裝置取出形成至第丨資訊層的基板1〇1。之後於 第1介電體層2表面以例如旋轉塗敷法來塗布紫外線硬化性 樹脂。將仿真基板10密著於經塗布之紫外線硬化性樹脂而 5從仿真基板U0側照射紫外線並使樹脂硬化而結束貼合步 驟。實施樣態5之資訊記錄媒體之製造方法亦與實施樣態4 之資訊記錄媒體之製造方法同樣，而能省略貼合仿真基板 110的步驟。 貼合步驟結束之後，因應必要而進行第2資訊層22及 10第1資訊層21的初期化步驟。初期化步驟係於形成中間層 之前或之後對第2資訊層22進行，亦可於仿真基板11〇之 貼合步驟之前或之後對第1資訊層進行。進行初期化步驟的 方法如同實施樣態1之說明。 本發明之實施樣態6係說明使用雷射光來進行資訊之 15 記錄及再生的光資訊記錄媒體的其他例。第6圖表示該光資 訊記錄媒體的一部分斷面。 第6圖所示之資訊記錄媒體30係於基板1之一側表面 具有以第1介電體層102、第1界面層3、記錄層4、第2 界面層5、第2介電體層106、光吸收補正層7及反射層8 20的順序來形成，並且以接著層9接著仿真基板10的構造。 第6圖所示之資訊記錄媒體30係將第1及第2界面層3及 5作爲Zr —Cr —0系材料層或Zr —Cr —Zn —0系材料層。此 外，於第6圖與第1圖所使用之標號相同的標號乃表示相同 要素而以參照第1圖說明之材料及方法來形成者。因此’對 1234779 玖、發明說明 於參照第1圖已說明之要素則省略其詳細說明。 此樣態之資訊記錄媒體相當於以習知之資訊記錄媒體 使用之ZnS—20mol%Si〇2來形成第1及第2介電體層102 及106的構成。於此構成中，Zr - Cr 一 0系材料層或Zr - Cr 5 —Zn-0系材料層能使用作爲第1及第2界面層3及5。第 1及第2界面層3及5之最佳材料乃與實施樣態1之第1及 第2介電體層2及6相同。因此，省略對此等層之詳細說明。 第1及第2界面層3及5之厚度以不影響記錄消除性能而較 好是1〜lOnm，約2〜7nm者爲更佳。Zr —Cr — 0系材料層或 10 Zr —Cr - Zn- 0系材料層之界面層比較於習知之含有Ge之 氮化物所構成之界面層乃具有較低的材料成本、衰減係數小 (透明性高）、以及融點高而熱性穩定的優點。 接著說明製造實施樣態6之資訊記錄媒體30的方法。 資訊記錄媒體30以進行於基板1之形成導引溝面形成第1 15介電體層102的步驟（步驟h)、形成第1界面層3的步驟（步 驟s)、形成記錄層4的步驟（步驟b)、形成第2界面層5 之步驟（步驟t)、形成第2介電體層106的步驟（步驟g)、 形成光吸收補正層7的步驟（步驟d)及形成反射層8的步驟 (步驟e)的順序，且於反射層8表面形成接著層9的步驟， 20以及進行貼合仿真基板10的步驟而製造。步驟b、d及e 如同實施樣態1之說明，步驟g如同實施樣態2之說明，步 驟h如同實施樣態3之說明，因此省略其說明。 步驟s係於第1介電體層1〇2表面形成第1界面層3 的步驟。步驟s與實施樣態1之步驟a同樣地進行。步驟t 55 1234779 玖、發明說明 係於第記錄層4表面形成第2界面層5的步驟。步驟t與實 施樣態1之步驟c同樣地進行。 以上參照第1〜第6圖說明本發明之資訊記錄媒體之實 施樣態以雷射光記錄再生的資訊記錄媒體。本發明之資訊記 5 錄媒體不限於此等樣態。本發明之光資訊記錄媒體係將Zr 一 Cr 一 0系材料層或Ζι* - Cr — Zn- 0系材料層作爲構成層之 一個，較好的是將設置成連接記錄層而能獲得任意的樣態。 又，本發明之光資訊記錄媒體適合以各種波長進行記錄。因 此，本發明之資訊記錄媒體可爲以波長630〜680nm之雷射 10 光進行記錄再生之DVD—RAM或DVD—R、以及以波長400〜 450nm之雷射光進行記錄再生之大容量光碟。 (實施樣態7) 本發明之實施樣態7係說明施加電性能量來進行資訊 之記錄及再生的資訊記錄媒體的例子。第8圖表示該資訊記 15 錄媒體的一部分斷面。 第8圖表示於基板201表面以下部電極202、記錄部203 及上部電極204的順序形成的記憶體207。記憶體207之記 錄部203具有包含圓柱狀之記錄層205及包覆記錄層205 之介電體層206的構成。與之前參照第1〜第6圖說明之光 2〇資訊記錄媒體不同，於此樣態之記憶體207，記錄層205及 介電體層205及介電體層206形成於同一面上，此乃非積層 的關係。但是記錄層205及介電體層206於記憶體中均構成 包含基板201、下部及上部電極202及204之積層體的一部 分’故可分別稱爲「層」。爰此，本發明之資訊記錄媒體亦 56 1234779 玖、發明說明 包含記錄層與介電體層在同一面上的樣態。 基板201具體而言使用Si基板等半導體基板或聚碳酸 酯基板、Si〇2基板及Ah〇3基板等絕緣性基板作爲基板201 使用。下部電極202及上部電極204以適當的導電材料來形 5成。下部電極202及上部電極204例如以Au、Ag、Pt、A1、 Ti、W及Cr以及濺鍍此等金屬之混合物金屬而形成。 構成記錄部203之記錄層205亦可藉著施加電性能量而 由相變化之材料所構成之稱爲相變化部。記錄層205係以施 力口《f生#胃所產生之焦爾熱而在結晶相與非晶質相之間相 10變化的材料所形成。記錄層205之材料可使用Ge—Sb- Te、 Ge-Sn- Sb〜Te、Ge-Bi-Te、Ge- Sn-Bi- Te、Ge- Sb —：^一丁6及（^一311_151)一；6丨一1^系材料，更具體而言，可 使用 GeTe—Sb2Te3 系或 GeTe—Bi2Te3 系材料。 構成記錄部203之介電體層206具有藉著在上部電極 15 2〇4及下部下電極202之間施加電壓而防止流至記錄層205 之電流漏至周邊部的情形而能將記錄層205予以電性及熱 性地絕緣。因此，介電體層206亦可稱爲絕熱部。介電體層 206爲Zr Zn〜s —〇系材料層，具體而言，係由上述式子 U)、（11)、（2)、（21)、（22)、（3)或（31)表示之材料所實 20質形成之層。Zf —.Q系材料層及——Zn_Q系材料 層最好爲咼融點、加熱時材料層中的原子層亦不易擴散、以 及熱傳導率低的狀態。 對於此δΒ憶體207將於後述之實施例中進一步說明其 作動方法。 ‘，》；ϋ· 7 "Γ> 57 1234779 玖、發明說明 【實施例】 (試驗1) 首先，依據試驗來確認本發明之資訊記錄媒體之製造方 法所使用之Zr - Cr - 0系濺鍍標靶之公開組成（換言之，市 5售時所公開表示濺鍍標靶的組成），其分析組成、以及使用 此標靶而獲得之Zr - Cr - 0系材料層之分析組成的關係。 本試驗係進行Zr —Cr — Ο系材料之一的Zr〇2 —CnCb系 材料所構成之濺鍍標靶的組成分析，瞭解其公開組成與分析 組成的不同。更詳細乃以式子（110): 10 (Zr〇2)m(Cr2〇3)loo-m(mo 1 % ) · · · (110) 標記公開組成，而將Π1之値不同0n= 20及80)之2種類的濺 鍍標靶作成粉末狀，以X線微量分析法來進行組成分析。其 結果，濺鍍標靶之分析組成非爲化合物基準（本試驗爲氧化 物基準）之式子（100)，而係元素基準（10): 15 ZnCricOi。。-]-κ (原子％ ) · · · (10) 所獲得。以表1表示所獲得之標靶的分析組成。又，濺鍍標 靶之公開組成（mol% )係以表示氧化物之比的氧化物基準來 標記，惟就此公開組成乃以邏輯計算求得元素基準之換算組 成（mol%)。將計算之換算組成（原子％)附記於表1。 20 【表1】 58 7 ΗΉ 1234779 玖、發明說明 濺鍍標靶 介電體層 公開組成 分析組成 分析組成 (ΖΓ〇2 )m( Cf2〇3 ) 100 ~ ZnCricOlOO-J-K (原子 ZrQCrR〇l〇〇 - Q - R m(mol% ) %) (原子％) (二換算組成（原子 %)) (Zr〇2)20(Cr2〇3)80 ΖΓ4〇Γ35〇61 Zl*4.5Cr34.5〇61 (=ΖΓ4.30Γ34.8060.9 ) (Zr〇2)80(Cr2〇3)20 Zr23Cr 12〇65 Zr23.4Cr 11 .8〇64.8 (=Zr23.5Cril.8〇64.7) 如表1所示，依據（Zr〇2)m(Cr2〇3)H)〇-m(mol%)之式子 (110)分析公開組成所標記之濺鍍標靶粉末之結果，可獲得 就m=20之標靶爲Zr4Cr35CM原子％)、就m=80之標靶爲 5 Zr23Cri2〇65(原子％ )的分析組成。此等分析組成約相等於公 開組成（mol % )之換算組成（原子％ )。因此’可得知以 (ΖΓ〇2 )m( C Γ2〇3 ) 100- m(mol%)之式子（110)標記的情形下，m滿 足20$m$80之標靶組成，以Zr;CrK〇H)〇-i-K (原子％)之式 子（10)標記之情形下，J及K滿足3S；iS24、11SKS36、 10 34$ J + K$40。 而且，使用具有上述二種公開組成（m〇l%)之濺鑛標靶 而以濺鍍法形成Zr — Cr -0系材料層作爲介電體層，並以X 線微量分析法對此介電體層進行組成分析。其結果，濺鍍標 靶之分析組成非爲氧化物基準之式子（11): 59 1234779 玖、發明說明 (Zr〇2)m(Cr2〇3)loo-m(mo 1 % ) · · · (11) 而係以元素基準之式子（1):

ZrQCrR〇i〇()-Q-R (原子％) · · · (1) 所獲得。以表1表示介電體層（Zr — Cr一0系材料層）的分析 5 組成。 於本實驗例，介電體層係使用具有表1所示之公開組成 之濺鑛標靶（直徑l〇〇mm、厚度6mm)安裝於一般的成膜裝置 (濺鍍裝置），將壓力設爲〇.13Pa，至於導入成膜裝置之氣 體則使用Ar氣體（100%)，使用高頻電源並以500W功率進 10 行濺鍍而於Si基板上形成500ηηι厚度。 使用以（ZrC^n^CnCbhoo-^mol% )之式子（110)標記之 濺鑛標靶並藉濺鍍法形成之介電體層的分析組成，濺鍍標靶 之換算組成及分析組成均極接近。 爰此，介電體層之分析組成之式子（1)之Q及R與濺鍍 15 標靶之分析組成之式子（10)之J及K同樣地，最好是滿足3 SQS24、11SR$36、34SQ+RS40。因此，介電體層之組 成乃藉成膜裝置之構造或成膜條件、濺鍍標靶之大小、環境 氣體之組成等，而即使濺鍍相同濺鍍標靶亦可獲得不同的結 果。考慮如此可能性之結果，上述式子（1)之Q及R以滿足 20 0$QS30、7$R$37、20SQ+R$60，最好是滿足 24、11^R$36、34^Q+R$40。 又，藉分析介電體層而檢測出之Zr及Cr，一般而言， 可得知分別以Ζι:〇2及CnCb的形態而在介電體層穩定地存 在。爰此，本試驗藉分析濺鑛標靶而檢測之之Ζι·及Cf之含 1234779 玖、發明說明 有量與分析介電體層而檢測之Zr及Cr之含有量約相同的情 开^下’可得知擺鎪標耙之公開組成（mol%)與使用該彳賤鍍標 革巴而以濺鍍法形成之介電體層之組成相同。其結 果，使用以（ZrOd^CnCbV 00- 之式子（110)標記分開 5組成之濺鍍標靶並藉濺鍍法形成之介電體層（Zr - Ci: - 0系 材料層）與以（ZrOjVCr^h。。-M(m〇1%)之式子⑴）標記，在 此說明可得知Μ與式子（110)之m實質相同。 (試驗2) 本試驗係進行Zr —Cr - 〇系材料之一的Zr〇2- Cr2〇3 — 10 Si〇2系材料所構成之濺鍍標靶的組成分析，與試驗1同樣 地’瞭解其公開組成與分析組成的不同。更詳細乃以式子 (210)： (Zr〇2)x(Cr2〇3)y(Si〇2)i〇〇-x-y(mol%) · · · (210) 標記公開組成，而將X及y之値的不同（x= 20且y = 60、X 15 且y=20、以及x=30且y=30)之3種類的灘鑛標耙 作成粉末狀，與試驗1同樣進行分析。其結果，濺鍍標靶之 分析組成非爲氧化物基準之式子（210)，而係元素基準（20):

ZrcCrnSiLO 100- G- Η- l(原子％) · · · (20) 所獲得。以表2表示所獲得之標靶的分析組成。又，與試驗 2〇 1同樣地將依據濺鍍標靶之公開組成所計算之換算組成（原 子％ )標記於表2。又，於表2表示之換算組成，全部元素 之比例的合計不一定爲100%，惟換算組成係因適宜地四捨 五入而計算所得之故。 【表2】 61 1234779 玖、發明說明 濺鍍標靶 介電體層 公開組成 (Zr〇2)x(Cr 2〇3 ) y ( S i 〇2 ) 100 -x-y(m〇l% ) (=換算組成（原子％)) 分析組成 ZTgCThS 1 lOioo - g - l - l (原子％) 分析組成 ZruCrvSiiOioo - u - v - τ (原子％) (Zr〇2)20(Cr2〇3)60( Si〇2)20 (—Zr4.8Cr28.0Si 4.8〇61 .9 ) Zr4.8Cr29S i 4.5〇61 .7 Zr5.lCr28.5Sl4.8〇61.6 (Zr〇2 ) 7〇( Cl2〇3 ) 20( S i 〇2 ) 10 (= Zr20.6Cril.8Si 2.9〇64.7 ) Zr20.6Cril.8Si2.5〇65.1 Zr2lCril.4Si2.8〇64.8 (Zr〇2 ) 30( Cr2〇3 ) 30( S i〇2 )40 (=Zr8.5Cri6.7Sl 11.l〇63.9) ZreCr nSi n〇64 Zr8.3Cri6.5Si 11.3〇63.9 如表 2 所示，依據（Zr〇2)x(Cr2〇3)y(Si〇2)i〇〇-x-y(mol%) 之式子（210)分析公開組成所標記之濺鍍標靶粉末之結果， 可獲得就且y=60之標祀爲Zr4.sCr29Si4.5〇6i.7(原子 5 % )、就 x = 70 且 y = 20 之標粑爲 Zr2〇.6Crn.8Si2.5〇65.i(原子 %)、就x=30且y=30之標靶爲Zr8CrnSin〇64(原子％)的 分析組成。此等分析組成約相等於公開組成（mol%)之換算 組成（原子％)。因此，可得知以（Zr〇2)x(Cr2〇3)y(Si〇2)u)〇-x-y(mol% )之式子（210)標記的情形下，X及y滿足60S x + y 10 $90、20$xS70及20SyS60之標靶組成，可得知以

ZrGCrHSiiOn)〇-G-H-L (原子％)之式子（20)標記之情形下，G、 Η及 L 滿足 4$GS21、11^Η^30、2-LS12、34$G+H+L €40。 62 1234779 玖、發明說明 而且，使用具有上述二種公開組成（m〇l%)之灘鍍標耙 而以濺鍍法形成Zr - Cr - 〇系材料層作爲介電體層，並與試 驗1同樣地對此介電體層進行組成分析。其結果，濺鑛標靶 之分析組成非爲氧化物基準之式子（21): 5 (Zr〇2)x(Cr2〇3)Y(Si〇2)i〇〇-x—Y(m〇i% )· · · (21) 而係以元素基準之式子（2):

ZruCrvSiT〇i〇〇-u-ν-τ (原子％ ) · . · (2) 所獲得。以表2表示介電體層（zr — cr-〇系材料層）的分析 組成。 10 於本實驗例，介電體層係將具有表2所示之公開組成之 濺鍍標靶以與試驗1同樣的條件進行濺鍍而在碳（c)基板上 形成500nm厚度。 使用以（Zr〇2)x(Cr2〇3)Y(Si〇2)i〇〇-x-Y(mol % )之式子（210) 標記之濺鍍標靶並藉濺鍍法形成之介電體層的分析組成，與 15試驗1的情形同樣地，濺鍍標靶之換算組成及分析組成均極 接近。 爰此，介電體層之分析組成之式子（2)之U、V及T與濺 鑛標耙之分析組成之式子（20)之G、Η及L同樣地，最好是 滿足 4SUS21、11$VS30、2STS12、34$U+V+T$40。 20 但是，考慮與試驗1之情形同樣可能性的結果，上述式子（2) 之 U、V 及 T 以滿足 0$US30、7$V$37、14、20$ U + V+T$60 爲宜，最好是滿足 4SU‘21、11$V$30、2 12、34SU+V+T$40。 又，藉分析介電體層而檢測出之Zr、Cr及Si，一般而 1234779 玖、發明說明 言，可得知分別以Zr〇2、Ci*2〇3及Si〇2的形態而在介電體層 穩定地存在。爰此，以進行與試驗1同樣的觀察，使用以 (Zr〇2)x(Cr2〇3)y(Si〇2)H)()—x-y(m〇l% )之式子（210)標記分開 組成之丨賤鑛標祀並藉灘鑛法形成之介電體層（Z r - C r - 0系 5 材料層）與以（Zr〇2)x(Cr2〇3)y(Si〇2)i〇〇-x-Y(mol% )之式子（21) 標記，在此說明可得知X及Y與式子（210)之x及y實質相 同。 依據試驗1及2之結果，由濺鍍標靶之公開組成所獲得 之換算組成極接近分析組成，又，本發明人等所採用之條件 10 限於形成Zf - Cr - 0系材料層，而亦接近介電體層之分析組 成，故將濺鍍標靶之換算組成（原子％ )視爲由使用該標靶之 濺鍍所形成之介電體層的組成（原子％ )並無實質上的差 異。又，本發明人等採用之條件限於形成Zr — Cr 一0系材料 層，而將濺鍍標靶之公開組成（mol%)視爲介電體層之組成 15 (mol%)在實質上亦無妨。 而且，試驗1及2係就Zr — Cr-0系材料層進行試驗， 惟可瞭解對於Zr - Cr 一 Zn- 0系材料層亦與此相同。 因此，於以下的實施例，以公開組成（mol%)表示濺鍍 標靶之組成，可得知除非特別說明，否則藉濺鍍標靶及使用 20 該濺鍍標靶之濺鍍法所形成之Zr - Cr - 0系材料層或Zr -Cr — Zn —0系材料層之組成（mol%)爲相同者。又，以下的 實施例僅以化合物基準標記Zr - Cf 一 0系材料層或Zr - Cf - Zn - 0系材料層之組成，惟若是本業者的話，可依據化合 物基準之組成（mol % )而容易地換算元素基準之組成（mol 64 1234779 玖、發明說明 . %)。 實施例1以作爲完成本發明之預備試驗而具有與於實 施樣態1參照第1圖說明之資訊記錄媒體25相同的構造， _ 將第1介電體層及第2介電體層爲具有互爲相同組成之材料 — 5所構成之資訊記錄媒體，如表3表示此等介電體層材料之各 ^ 種變化而製成。 以下說明資訊記錄媒體之製造方法，爲了容易瞭解各構 成要素之參照編號乃使用與第1圖之資訊記錄媒體25之構 春 成要素相同的編號（又，後述之實施例之資訊記錄媒體亦與 10此相同而使用與所對應之資訊記錄媒體之構成要素相同的 編號）。 首先，基板1係於單側表面以準備形成有深56nm、軌 跡間距（平行於基板之主面之面內的溝表面及脊表面的中心 間距）0.615//111之導引溝的基板，其直徑爲120龍、厚度爲 15 0.6mm之圓形聚碳酸酯基板。 於此基板1上，將（ZnSMSi〇2)2Q(mol% )之第1介電體 ® 層2形成150nm的厚度，將GeuSruSbnTeW原子％ )之記錄 層4形成9nm的厚度，將（ZnS)8〇(Si〇2)2〇(mol% )之第2介電 ’ 體層6形成50nm的厚度，將Ge8〇Cn。（原子％ )之光吸收補正 ·- 2〇 餍7形成40nm的厚度，將Ag-Pd- Cu的反射層8形成80nm 的厚度而藉著濺鑛法並依以下的順序來成膜。 形成第1介電體層2之步驟，係將具有 (冗1^)8。（8丨〇2)2。(111〇1%)之組成之濺鍍標靶（直徑1〇〇咖，厚 度6mm)安裝於成膜裝置而以功率400W，並導入Αι:氣體（97 65 J234779 玖、發明說明 %)與〇2氣體（3%)之混合氣體進行高頻濺鍍。濺鍍時之壓 力約設爲0· 13Pa。 形成記錄層4之步驟係將以Sn置換GeTe—Sb2Te3擬二 元系組成之Ge的一部分的Ge- Sn—Sb — Te系材料所構成 5之濺鍍標靶（直徑100mm，厚度6mm)安裝於成膜裝置而 以功率100W，並導入Ar氣體（97%)與N2氣體（3%)之混合 氣體進行直流濺鍍。濺鍍時之壓力約設爲O.UPa。 第2介電體層6之成膜步驟係第1介電體層2及第2 介電體層6具有實質性相同的組成，除了改變厚度之外，乃 10與上述第1介電體層2之成膜相同地進行。 形成光吸收補正層7的步驟，將具有Ge8〇Cn。（原子％) 之組成的材料所構成之濺鍍標靶（直徑lOOrrnn，厚度6mni)安 裝於成膜裝置，而以功率300W，並導入Ar氣體（100%)而 進行直流濺鍍。濺鎪時之壓力約設爲0.4Pa。 15 形成反射層8的步驟，將具有Ag-Pd-Cu之組成的材 料所構成之濺鍍標靶（直徑100mm，厚度6mm)安裝於成膜裝 竃，而以功率2 00W，並導入Αι·氣體（100%)而進行直流濺 鍍。濺鍍時之壓力約設爲0.4Pa。 如上所述，於基板1上順序地形成第1介電體層2、記 ° 錄層4、第2介電體層6、光吸收補正層7及反射層8而形 成積層體之後，於反射層8上塗布紫外線硬化性樹脂，並將 作爲仿真基板10之直徑120nm、厚度〇.6mm之圓形聚碳酸 酉旨基板密著於已塗布之紫外線硬化性樹脂上。從仿真基板 10側照射紫外線並使樹脂硬化。藉此，硬化的樹脂所構成 66 1234779 玖、發明說明 之接著層9形成30#m的厚度而藉由接著層9將仿真基板 10貼合於積層體。 貼合後，初期化步驟係使用波長81〇nm之半導體雷射而 將資訊記錄媒體25之記錄層4在半徑22〜60mm之範圍的環 5狀領域內約全面涵蓋地結晶化。藉此結束初期化步驟而完成 製造取樣編號1〜1之資訊記錄媒體25。 而且，第1介電體層2及第2介電體層6之材料除了以 表1所示之材料所構成之外，可製造具有與取樣編號丨一} 之資訊記錄媒體25同樣構成之取樣編號1 — 2〜1 — 16之資 10訊記錄媒體25。此等資訊記錄媒體25除了變更第丨介電體 層及第2介電體層之成膜步驟之點外，乃與上述取樣編號1 - 1之資訊記錄媒體25相同地製造。 爲了製造取樣編號1 一 2〜1 一 16之資訊記錄媒體25， 乃於第1介電體層及第2介電體層6之成膜步驟中，分別使 15 用將具有 Si〇2、ZnS、（ZnS)8〇(Si〇2)2〇(mol % )、ZnSe、 (ZnO)8〇(Si〇2)2〇(mol% )、ZnO、Cr2〇3、（Cr2〇3)5〇(Si〇2)5〇(mol % )、Zr〇2、ZrSi〇4、（Zr〇2)8〇(Si〇2)2〇(mol% )、Ge9〇Cru)(原子 %)、（Bi2〇3)80(si〇2)20(m〇i%)、Te〇2及(Te〇2)8〇(Si〇2)2〇(mol %)之材料所構成之濺鍍標靶（均爲直徑100mm、厚度6mm)。 2〇 又’功率可因應使用濺鍍標靶材料之融點而調節，具體 而言，取樣編號1一 2的濺鍍標靶設爲lkW、取樣編號1一 3 〜1一 7的濺鍍標靶與取樣編號1一 1同樣設爲4〇〇w、取樣編 號1一 8〜1〜π的濺鍍標靶設爲5〇〇w、取樣編號1一 π的 濺鍍標靶設爲300W、取樣編號1 一 14〜1 一 16的濺鍍標靶設 67 1234779 玖、發明說明 爲200W。濺鍍時之壓力在取樣編號1 一 13約設爲1.33Pa， 其他取樣則與取樣編號1一 1相同約設爲〇.13Pa。導入成膜 裝置之氣體’於取樣編號1 一2及取樣編號1 一 14〜1一 16 乃與取樣編號1一 1相同使用Αι*氣體（97%)與〇2氣體（3%) 5 之混合氣體，於取樣編號1 一 3〜1 一 12使用Ar氣體（100 %)，於取樣編號1一13使用八1^氣體（60%)與沁氣體（40%) 之混合氣體。 又，於第1及第2介電體層之成膜步驟中，取樣編號1 一 13之資訊記錄媒體的情形下，混合氣體中的N2與由濺鎪 10 標靶所濺鍍之Ge及Cr反應而形成Ge-Cr一N的介電體層。 於其他取樣所形成之介電體層乃具有與所使用之濺鍍標靶 實質上相同組成。 而且在比較上，乃製造如第10圖所示之於第1介電體 層102與記錄層4之間及第2介電體層106與記錄層4之間 15 分別具有第1界面層103及第2界面層105之習知資訊記錄 媒體31。第1界面層103及第2界面層105均由Ge — Cr — N 所構成而形成厚度5nm。 此習知構成之資訊記錄媒體31除了形成第1界面層 103及第2界面層105之點以外乃以與取樣編號1一 1之資 20訊記錄媒體同樣的製作條件來製造。第1界面層103之成膜 步驟係將具有G^oCno(原子％ )之組成所構成之濺鍍標靶 (直徑100nm，厚度6mm)安裝於成膜裝置而以功率300W，並 導入Ar氣體（60% )與N2氣體（40% )之混合氣體在約1 · 33Pa 的壓力下進行高頻濺鍍。其結果混合氣體中的N2與由濺鍍 68 1234779 玖、發明說明 標靶所濺鍍之Ge及Cr反應而形成Ge- Cr-N之第1界面層 103。第2界面層105之成膜步驟亦以與此相同的條件來進 行。 對於以上記述所獲得之取樣編號1 一 1〜1 一 16之資訊 5 記錄媒體25及比較例（習知構成）之資訊記錄媒體31，評價 介電體層之密著性及資訊記錄媒體反覆改寫性能。如將於後 述那般，密著性藉著有無剝離而評價，反覆改寫性能藉著反 覆改寫次數而評價。此等結果同表示於表3。又，取樣編號 1 一 1〜1 一 16之資訊記錄媒體25及比較例之資訊記錄媒體 10 31均非屬於本發明之範圍。 資訊記錄媒體25之介電體層之密著性的評價乃依據在 高溫高濕條件下有無剝離而進行。具體而言，將初期化步驟 後之資訊記錄媒體25放置於溫度90°C相對濕度80%之高溫 高濕槽中100小時後，檢查在記錄層與此連接之介電體層之 15 間是否發生剝離，詳細而言即使用光學顯微鏡而以目視檢查 記錄層4與第1介電體層2及第2介電體層6之至少一方之 間是否發生剝離。當然，無剝離者可評價爲高密著性，有剝 離情形者評價爲低密著性。 又，資訊記錄媒體25之反覆改寫性能的評價係以反覆 20 次數爲指標來進行，反覆次數依以下條件來決定。 爲了將資訊記錄於資訊記錄媒體25,使用具有可使資 訊記錄媒體25旋轉之心軸馬達及可產生雷射光12之半導體 雷射的光學讀寫頭、以及可使雷射光12聚光於資訊記錄媒 體25之記錄層4上的對物透鏡之一般性構成的資訊記錄系 69 1234779 玖、發明說明 統。對於資訊記錄媒體25之評價，可使用波長660ηπι之半 導體雷射與開口數〇·6之對物透鏡而進行相當於4.7GB容量 的記錄。使資訊記錄媒體25旋轉之線速度設爲8.2m/秒。 又，對於要求出後述之平均跳動値之際的跳動値測定乃使用 5 時間間距分析器。 首先，用以決定其決定反覆次數之際之測定條件’乃依 以下次序設定峰値功率（PP)及偏壓功率（pb)。使用上述系統 而一邊在高功率階之峰値功率（mW)與低功率階之偏壓功率 (mW)之間調變雷射射光功率而一邊對資訊記錄媒體25照 10 射，將標記長0.42//m(3T)〜1·96//ιώ(14Τ)之隨機信號記錄 於（以溝記錄）記錄層4之相同溝表面10次。然後測定前端 之間的跳動値及後端之間的跳動値，並以此等値之平均値求 得平均跳動値。對於將偏壓功率固定於一定値，且使峰値功 率作各種變化之各記錄條件測定平均跳動値，使峰値功率漸 15 漸地增加而將隨機信號之平均跳動値達到13%時之峰値之 1.3倍的功率暫時定爲Ppl。接著對於將峰値功率固定於 Ppl，而作各種變化偏壓功率之各記錄條件以測定平均跳動 値，設定於隨機信號之平均跳動値爲13%以下時之偏壓功 率的上限値及下限値的平均値Pb。對於偏壓値功率固定於 20 Pb，而作各種變化峰値功率之各記錄條件以測定平均跳動 値，漸漸地增加峰値功率而設定於隨機信號之平均跳動値 13%時之峰値功率的1.3倍功率爲Pp。以如此設定之PP及 Pb條件進行記錄的情形下，例如於反覆記錄時可獲得8〜9 %之平均跳動値。考量系統之雷射功率上限値的話，最奴是 70 1234779 玖、發明說明 滿足Pp$ 14mW、Pb$8mW的條件。 成爲反覆改寫性能之指標的反覆次數，在本實施例衣 據平均跳動値而決定。以上述那般設定之Pp及Pb 一邊調變 雷射光而一邊朝向資訊記錄媒體25照射，並將標記長〇·42 5 //m(3T)〜1.96/zm(14T)之隨機信號反覆一定次數連續記錄 於（以溝記錄）溝表面之相同溝表面之後，測定平均跳動値° 反覆次數爲 1、2、3、5、10、100、200 及 500 次、1000〜 10000次之範圍爲每1000次，以及20000〜100000次範圍 爲每10000次。以平均跳動値達到13%時作爲反覆改寫之 10 界限判斷，並依據此時之反覆次數而評價反覆改寫性能。當 然，反覆次數愈大則反覆改寫性能愈高。資訊記錄媒體作爲 電腦外部記憶體使用的情形下，反覆次數最好是10萬次以 上，若爲影像聲音用途的話，最好爲1萬次以上。 【表3】 15 71 20 1234779 玖、發明說明 取樣 編號 第1及第2介電體層之材料 (mol% ) 剝離 反覆次數 1-1 (ZnS)8〇(Si〇2)2〇 Μ j \ \\ 1000 1-2 Si〇2 有 100000以上 1-3 ZnS dnXL Itll: J\ \\ 1000 1-4 (ZnSe)8〇(Si〇2)2〇 M j\\\ 1000 1-5 ZnSe fnT m 1000 1 — 6 (ZnO)8〇(Si〇2)2〇 /frrf M 1000 1-7 ZnO M j\\\ 1000 1-8 Cr2〇3 /frrti m 10000 1-9 (C r 2〇3 ) 5〇( S i 〇2 ) 50 M j \ w 20000 1-10 Zr〇2 有 100000以上 1-11 ZrSi〇4 有 100000以上 1-12 (Zr〇2 ) 8〇( S i〇2 ) 20 有 100000以上 1-13 Ge —Cr —N 不可評價1 1—14 (Bi2〇3)80( Si〇2)20 有 不可評價1 1-15 Te〇2 有 不可評價1 1 1-16 (Te〇2 ) 8〇( S i 〇2 ) 20 有 不可評價1 1 比較 (ZnS)8〇( 3丨〇2)2。（習知構成） /fnT Μ 100000以上 1

Pp 14mW以下即不能記錄 * 1不能改寫 如表3所示，可看出取樣編號1 一 1〜1 一 12之資訊記錄 1234779 玖、發明說明 媒體中，相對於無剝離（密著性高）的資訊記錄媒體（即’取 樣編號1 — 1及1一 3〜1 一 9)反覆次數完全不滿100000次 (反覆改寫性能低）者，乃可見有剝離（密著性低)的資訊記錄 媒體（即，取樣編號1一 2及1一 1〇〜1一 12)反覆次數爲 5 100000次以上（反覆改寫性能高）的傾向。 又，就取樣編號1 一 13及1一 Η之資訊記錄媒體，峰値 功率在14mW以下無法形成充分的記錄標記’因此爲低記錄 感度者。此理由可想而知此等取樣中的介電體層之材料的熱 傳導率比其他取樣高。 10 又，取樣編號1 一 15及1一 16之資訊記錄媒體不能改 寫，於記錄時介電體層材料會熔解而混入記錄層。此乃可得 知此等取樣中的介電體層之材料的融點比其他取樣低。 相對於此，習知構成之比較例之資訊記錄媒體（此係具 有界面層）則無剝離，且反覆次數亦在10000次以上而密著 15 性及反覆改寫性能均高。 依據以上之預備試驗結果，連接記錄層之介電體層的材 料係使用氧化物、氮化物、硒化物、硫化物、或此等化物之 其中任何與Si〇2組合之混合物之取樣編號1 一 1〜1 一 16之 資訊記錄媒體之中，不存在著同時滿足高密著性及高反覆改 20寫性能者。但是，本實施例明顯地將包含Ζι·〇2之材料使用 於介電體層之資訊記錄媒體（取樣編號1 - 10〜1 - 12)具有 優良的反覆改寫性能，將包含ZnS、ZnO、ZnSe、Cn〇3之材 料使用於介電體層之資訊記錄媒體（取樣編號1- 1及1-3 〜1〜9)具有與記錄層優良的密著性。特別是將Cr2〇3所構成 S4 4 73 1234779 玖、發明說明 之材料使用於介電體層材料的資訊記錄媒體（取樣編號i — 8)就反覆改寫性能乃可獲得loooo次的改寫次數。因此，藉 者將Zr〇2與Cr2〇3之混合物作爲介電體層材料，乃可期待同 時達到高密著性及高反覆改寫性能。 5 (實施例2) 貫施例2係以同時達到高密著性及高反覆改寫性能爲 目的，而製作將密著性優之材料與反覆改寫性能優之材料的 混合物使用於介電體層材料之資訊記錄媒體。具體而言，係 將組合實施例1之氧化物、硒化物、硫化物之中二個的混合 10物（參照表4)作爲介電體層材料。於本實施例亦與實施例1 同樣地將第1介電體層及第2介電體層互爲相同組成之材料 所構成之資訊記錄媒體25，如表4所示將此等介電體層材 料作各種的變化而作成。 本實施例之資訊記錄媒體除了第1及第2介電體層材料 15 以表4所示之材料所構成之外，乃與實施例1之資訊記錄媒 體25相同的構成，除了變更第1及第2介電體層之成膜步 驟之外，乃以同樣的步驟來製作。爲了製作取樣編號2- 1 〜2-8之資訊記錄媒體，乃於第1介電體層及第2介電體 層之成膜步驟中，使用具有表4所示之一定組成之材料所構 20 成之濺鍍標靶（直徑100mm、厚度6mm)。又，於第1介電體 層及第2介電體層之成膜步驟中，對於取樣編號2— 1及2 一 2之功率係設爲500W，對於取樣編號2- 3〜2 — 8之功率 係使用400W，使用任何的取樣亦將壓力設爲〇.13Pa ’至於 導入成膜裝置之氣體，於任何取樣均使用Ar氣體（100%) ° 74 1234779 玖、發明說明 以濺鍍法形成膜之介電體層可視爲具有與所使用之濺 鍍標靶實質上相同的組成。又’除非特別提及，否則後述之 實施例亦相同。 與實施例1同樣地對以上所述所獲得之取樣編號2- 1 5 〜2-8之資訊記錄媒體，乃與實施例1同樣地評價介電體 層之密著性及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。將此等結果表 示於表4。又，在取樣編號2— 1〜2— 8之資訊記錄媒體之 中，取樣編號2- 1及2-2之資訊記錄媒體屬於本發明之範 疇。 10 【表4】 取樣 第1及第2介電體層之材料 剝離 反覆次數 編號 (mol% ) 2- 1 (Zr〇2)80(Cr2〇3)20 4ττΤ m 100000以上 2-2 (Zr〇2)80(Cr2〇3)50 j\w 100000以上 2-3 (Zr〇2)8〇(ZnS)2〇 無 50000 2-4 (ZrCh) 5〇( ZnS) 5〇 >frrr. m 10000 2—5 (Zr〇2)8〇(ZnO)2〇 >frrr 挑 30000 2-6 (Zr〇2)5〇(ZnO)5〇 10000 2-7 (Zr〇2) 8〇( ZnSe) 2〇 M j \ \\ 50000 2-8 (Zr〇2)5〇(ZnSe )5〇 , J \ w 10000 如表4所示，取樣編號2-1〜1- 8之全部資訊記錄媒 體不發生剝離’因此可改善密著性。此等資訊記錄媒體之 中，將ZrCb- CnCh系材料使用於介電體層材料者（取樣編號 75 1234779 玖、發明說明 2- 1及2-2)之反覆次數大而反覆改寫性能極優。依據此結 果，使用混合Zr〇2與Cr2〇3之材料所構成之層（Zr — Cr — 〇系 材料層）的情形下，在記錄層與介電體層之間不設置界面層 之構成的資訊gB錄媒體可同時達到高密著性及高反覆改寫 5 性能。 而且，爲了使熱快速地從記錄層朝反射層向厚度方向擴 散，介電體層最好是低的熱傳導率。實施例2就反覆改寫性 能以使用Zr〇2-Cn〇3系材料之資訊記錄媒體（取樣編號2一 1及2-2)極爲優良。比較此等資訊記錄媒體之峰値功率（pp) 10的話，在取樣編號2- 1之資訊記錄媒體爲13mW，在取樣編 號2—2之資訊記錄媒體爲i3.5mW，CnCh之含有率（氧化物 基準）高的一方其Pp亦高。另一方面，將Zr〇2 —ZnS、Zr〇2 一 ZnO、Ζι:〇2- ZnSe系材料使用於介電體層的資訊記錄媒體 (取樣編號2- 3〜2— 8)之反覆改寫性能差，惟pp均維持在 15 llmW〜12mW的範圍內，因此就高記錄感度而論，可得知此 等系材料之熱傳導率比ZrCh-Cr2Ch系材料低。由此結果乃 可期待 Zr〇2—Cr2〇3 系材料與 Zr〇2 —ZnS、ZK)2 —ZnO、ZK)2 -ZnSe系材料其中任合之一的混合材料使用於介電體層， 藉此’不但可同時達到高密著性及高反覆改寫性能之外，且 20可期待高記錄感度化。又，爲抑制結晶性強之ZnS、ZnSe 的結晶成長，亦考慮將非晶質之Si〇2混合於此等材料的情 形0 (實施例3) 實施例3以實現高記錄感度之資訊記錄媒體爲目的，而 76 1234779 玖、發明說明 製作以 Zr〇2 —Cr2Cb 系材料與 Zr〇2 —ZnS、Zr〇2 —ZnO、Zr〇2 - ZnSe系材料其中任合之一的混合材料使用於介電體層， 又，以抑制結晶性強之ZnS、ZnSe之結晶成長爲目的而製作 更混合非晶質之Si〇2者使用於介電體層材料的資訊記錄媒 5 體。於本實施例亦與實施例1同樣地，將第1介電體層與第 2介電體層具有相互相同組成之材料所構成之資訊記錄媒 體如表5所示之此等介電體層那般地作各種的變化而製作。 本實施例之資訊記錄媒體亦與實施例2同樣，除了第1 及第2介電體層之材料由表5所示之材料構成之點以外，乃 10 與實施例1之資訊記錄媒體25同樣的構成，除了變更第1 及第2介電體層之成膜步驟之點以外，乃與此相同的條件來 構成。爲了製作取樣編號3- 1〜3-9之資訊記錄媒體’乃 於第1介電體層及第2介電體層之成膜步驟分別使用表5 所示之具有一定組成之材料所構成之濺鍍標靶（直徑 15 100mm、厚度6mm)。又，第1介電體層及第2介電體層之成 膜步驟中，對於取樣編號3- 1及3- 2及3-6之功率係設 爲500W，對於取樣編號3- 3〜3-5及3- 7〜3 — 9之功率 係使用400W，使用任何的取樣亦將壓力設爲〇.13Pa ’至於 導入成膜裝置之氣體，於任何取樣均使用Ar氣體（100%) ° 20 就以上製作所獲得之取樣編號3- 1〜3-9之資訊記錄 媒體，與實施例1同樣地進行而評價介電體層之密著性及資 訊記錄媒體之反覆改寫性能。將其結果與評價反覆改寫性能 之際求得之峰値功率（Pp)—同表示於表5。爲求比較上的方 便，對於以實施例1製作之第10圖所示之習知構成的資訊 77 1234779 玖、發明說明 記錄媒體31亦同樣地將評價結果表示於表5(宥關將於後述 之實施例的表6〜10亦相同）。又，取樣編號3— 1〜3-9 之資訊記錄媒體均屬於本發明之範圍。 【表5】 取樣 編號 第1及第2介電體層之材料 (mol% ) 剝離 反覆次數 峰値功率 Pp(mW) 3-1 (Zr〇2 ) 7〇( Cr2〇3 ) 30 >frrp 100000以上 13.2 3-2 (Zr〇2)4〇(Cr2〇3)3〇(Si〇2)30 Ynr Μ 100000以上 12.5 3-3 (Zr〇2)3〇(Cr2〇3)2〇(ZnS)i〇(SiO 2 ) 30 4rrr m 100000以上 11.5 3-4 (Zr〇2)4〇(Cr2〇3)2〇(ZnSe) 10( Si 〇2 ) 30 Μ j \ w 100000以上 11.8 3-5 (Zr〇2)4〇(Cr2〇3)2〇(ZnO)i〇(SiO 2 ) 30 4πτ. m 100000以上 12.2 3 — 6 (ZrSi〇4)54(Cr2〇3)46 4τττ III 1" J \ \\ 100000以上 12.0 3-7 (ZrSi〇4)54(Cl*2〇3 ) 31 ( ZnS ) 15 4πί Μ 100000以上 11.0 3-8 (ZrSi〇2)54(Cr2〇3 )31 (ZnSe) i5 Μ j \\\ 100000以上 11.2 3-9 (ZrS i 〇2) 54( Cr2〇3 )31( ZnO) 15 4τττ. Μ 100000以上 11.9 比較 (ZnSMSi〇2)2〇 (習知構成） dnt m 100000以上 11. 5 表5所示，取樣編號3- 1及3 —2之資訊記錄媒體，不 會發生剝離，可反覆次數可維持在100000次以上，相對於 將Zr〇2-CnCh系材料使用於介電體層材料之取樣編號3- 1 之資訊記錄媒體的Pp爲13.2mW，將Si〇2混合於Z;r〇2 —Cn〇3 1234779 玖、發明說明 系材料之材料使用於介電體層材料之取樣編號3_2的資訊 曰己錄媒體’乃能將Pp降至12 · 5 8mW以下。將包含於取樣編 號3 — 2之介電體層材料之Cr2〇3之中lOmol%部分以zns、 ZnSe或ΖηΟ置換之材料使用於介電體層材料之取樣編號3 5 一 3〜3 — 5的資訊記錄媒體，能更降低Ρρ，而取樣編號3一 3之貨$日己錄媒體可獲得11 · 5mW之低峰値功率ρρ。 又，取樣編號3-6〜3-9之資訊記錄媒體，將介電體 層材料設包含ΖΚ)2與Cn〇3約相等比例之ZrSi〇4系材料。介 電體層材料之組成以m〇l%單位之氧化物基準來標記，因此 1〇 例如（Zr〇2)35(Cr2〇3)3〇(Si〇2)35(mol % )呈（ZrSi〇4)35(Cr2〇-3)3〇(莫耳比），將此換算 100% 爲（ZrSi〇4)54(Cr2〇3)46(m〇l 比）（取樣編號3 -6之介電體層）。如此取樣編號3 -6〜3 -9之資訊記錄媒體亦可獲得11〜12mW之低Pp。特別是將 Cn〇3之一部分以ZnS置換之材料使用於介電體層材料之取 樣編號3-7之資訊記錄媒體可獲得與比較例之習知構成之 資訊記錄媒體31同等的密著性（剝離）、反覆改寫性能（反覆 次數）、以及Pp。又，以本實施例製作之取樣編號3-1〜3 之資訊記錄媒體之（於無凹凸之平面）Rc實測値爲15% 〜17%，Ra實測値爲2%以下。 2〇 如上所述，使用ZrCb — CnO3系或Zr〇2 —Cr2〇3- Si〇2系 材料所構成之層（Zr-Cr - 0系材料層）作爲連接於記錄層 $介電體層的情形下，或是使用將ZnS、ZnSe或ΖηΟ混合於 hQ2〜Cr2〇3—Si〇2系材料所構成之層（Zr —Cr —Zn — 0系材 料餍）的情形下，於不設置第1及第2界面層之構成（比習知 79 47” 玖、發明說明 胃數:少之構成）之第1圖所示之資訊記錄媒體25，可獲得與 胃有第1及第2界面層之第10圖所示之習知構成的資訊記 錄媒觼31相同的性能。 又’本實施例使用相同於第1及第2介電體層材料組成 的树料，然而亦可從Zr —Ci* — 0系材料及Zr — Ci* - Zn - 0 料選擇之組成相互不同之層使用於第1及第2介電體 $ °此情形下亦可獲得與本實施例之結果同程度之良好的性 能。 (實施例4) 10 實施例4係瞭解就Zr02- Cn〇3系材料適合使用於介電 體層之組成範圍而如表6所示，對第2介電體層材料之ZK)2 與以2〇3之含有率（莫耳％)作各種變化而製作資訊記錄媒 體。本實施例之資訊記錄媒體乃構成與在實施樣態3參照第 3圖而進行之上述資訊記錄媒體27同樣地構造，爰此’由 15 具有第1介電體層及第2介電體層爲不同組成的材料所構 成，第1介電體層與記錄層之間具有第1界面層的構成者。 本實施例之資訊記錄媒體27如以下的方式製作。首 先，準備與實施例1同樣的基板1，於此基板1上將 (ZnSMSi〇2)2〇(mol%)之第1介電體層102形成I50nm厚 20 度，將Ge - Cr 一 N之第1界面層103形成5nm厚度，將 Ge27SmSb12Te53(原子％ )之記錄層4形成9nm的厚度，將Zr〇2 之第2介電體層6形成50nm的厚度，Ge8〇Cn〇(原子％ )之光 吸收補正層7形成40mn的厚度，將Ag- Pd-Cu之反射層8 形成80nm的厚度，以濺鍍法順序地形成膜。在此說明第1 80 1234779 玖、發明說明 介電體層102及第1界面層103之各材料可參照第1〇圖而 與上述習知之資訊記錄媒體31中的材料相同。 本實施例之資訊記錄媒體27除了於第1介電體層102 之成膜步驟與記錄層4之成膜步驟之間追加第1界面層之 5 點，以及變更第2介電體層6之成膜步驟之點以外，乃與實 施例1之取樣編號1-1之資訊記錄媒體的情形同樣地製 作。於第1界面層103之成膜步驟，係與實施例1所述之比 較例之習知構成之資訊記錄媒體31之製作方法中形成第1 界面層的步驟同樣地進行。又’形成第2介電體層6的步驟 10 係用以製作取樣編號4- 1〜4一 11之資訊記錄媒體而分別 使用具有表6所示一定組成之濺鑛標靶（直徑l〇〇nm，厚度 6mm)，於任何取樣均將功率設爲5〇〇w，導入成膜裝置之氣 體爲Ar氣體（100%)而在約〇.13Pa的壓力下進行。又，形 成第1介電體層102的步驟乃與實施例1所述之取樣編號1 15 - 1之資訊記錄媒體25之製作方法中形成第1介電體層2 的步驟同樣地進行’亦有與習知構成之資訊記錄媒體31之 製作方法中的第1介電體層2之形成步驟相同。 對於以上所述獲得之取樣編號4一1〜4一 Η之資訊記 錄媒體27，以在實施例1約與上述同樣地評價介電體層之 20密著性及資訊記錄媒體之反覆改寫性能，惟本實施例之密著1 性評價係藉著瞭解記錄層4與接觸此記錄層之第2介電體層 6之間是否不會發生剝離的情形而實施。將此等結果與於評 價反覆改寫性能之際度得之峰値功率（Ρρ) 一同表示於表 6。又，取樣編號4一 1〜4一 11之資訊記錄媒體之中’取樣 81 1234779 玖、發明說明 編號4- 3〜4- 9之資輸錄媒购於本翻之範圍。 【表6】 取樣 編號 第2介電體層之材料 (Z Γ〇2 ) M ( C Γ2〇3 ) 100-M ( IflQ ] 〇/ ν 剝離 反覆次數 峰値功率 Pp(mW) 4一 1 Zr〇2 有 100000以上 11.5 4-2 4-3 (ΖΓ〇2 ) 9〇( Cr2〇3 ) 10 --^---- 有 100000以上 11.9 (ΖΓ〇2 ) 8〇( C Γ2〇3 ) 20 4ml m 100000以上 12.2 4一 4 ' ---- (Zr〇2)7〇(Cr2〇3)3〇 >fnT- M： 100000以上 12.5 4一5 (Zr〇2 )60( Cr2〇3 )40 100000以上 12.8 4—6 (Ζ Γ〇2 ) 50 ( C r 2〇3 ) 50 Arrr. ill! J\\\ 100000以上 13.1 4—7 (Zr〇2)40(Cr2〇3)60 M 100000以上 13.4 4一 8 ----— (Zr〇2)30(Cr2〇3)70 4γτχ·. M 100000以上 13.7 4一 9 ^ (Zr〇2)20(Cr2〇3)80 /fnT- m 100000以上 14.0 4- 10 --- (Zr〇2)i〇(Cr2〇3)9〇 m 70000 11.4 4-11 ' ---- Cr2〇3 yfrn* m 20000 15.0 比較 —^^__ (ZnS)8〇(Si〇2)2G(習知權除 無 100000以上 11.0 ^—----- 如表6所不’第2介電軸材料以8_1%以下的比例 包含ZirCh之職疆4-3〜4〜u之讎記讎體，不會 5發生麵。又’第2介電體靥材料以勤1%以上的比例包 含Zr*〇2之取樣編號4一 1〜4〜9之資訊記錄媒體可獲得 100000次之反覆次數，而且滿足Pp$ 14.0mW。爰此，取樣 編號4-3〜4一9之資訊記錄媒體，可獲得高密著性及高反 覆改寫性能之同時，可獲得低峰値功率。從本實施例可確認 82 1234779 玖、發明說明 . 對於介電體層材料，在Zr〇2 —ChO3以包含心〇2爲2〇〜8〇m〇1 %之組成範圍的材料爲佳。 (實施例5) 、 貫施例5係瞭解就Z r〇2 - C r 2〇3 - s i 〇2系材料使用於介電 - 5體層之適當的組成範圍。如表7所示，變化第2介電體層材 · 料中的Zr〇2與Cn〇3與Si〇2之含有率（莫耳而製作資訊記 錄媒體。本實施例之資訊記錄媒體設成與實施例4之資訊記 錄媒體同樣構造，除了以第2介電體層之成膜步驟，用以製 修 作取樣編號5- 1〜5- 12之資訊記錄媒體而分別使用具有 1〇 表7所示之一定組成之濺鍍標靶之點以外，餘以與實施例4 同樣的條件來製作。此時由實施例4，可得知在Zr〇2之含有 率爲20mol%以上，且Cr2Cb之含有率爲20mol%以上的範圍 內改變Si〇2之含有率。 就如以上說明所獲得之取樣編號5- 1〜5— 12之資訊 15記錄媒體，與實施例4同樣地進行而評價介電體層之密著性 及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。將其結果與評價反覆改寫 ® 性能之際求得之峰値功率（PP)一同表示於表7。又，在取樣 編號5- 1〜5- 12之資訊記錄媒體之中，取樣編號5一1〜5 ， —4及取樣編號5- 7〜5- 12之資訊記錄媒體屬於本發明的 — 20 範圍。 【表7】 83 1234779 玖、發明說明 取樣 編號 ---^ 第2介電體層之材半斗 (Zr〇2)x(Cr2〇3)Y(Si〇2)i〇〇 . x ^ y(mol% ) 剝離 反覆次數 峰値功率 Pp(mW) 5-1 (Zr〇2)70(Cr2〇3)2Q( Si〇2) l〇 /fnr Μ 100000以上 12.3 5-2 (Zr〇2)6〇(Cr2〇3)2〇(Si〇2)2〇 無 100000以上 12.2 5—3 (Zr〇2)5〇(Cr2〇3)2〇(Si〇2)3〇 4τττ Μ 100000以上 12.1 5-4 (Zr〇2)4〇(Cr2〇3)2〇(Si〇2)4〇 4nt 100000以上 12.0 5-5 (Zr〇2)30(Cr2〇3)20(Si〇2)50 有 100000以上 11.8 5-6 (Zr〇2)20(Cr2〇3)20(Si〇2)60 有 100000以上 11.8 5-7 (Zr〇2)50(Cr2〇3)40(Si〇2)l0 無 100000以上 12.9 5 — 8 (Zr〇2)40(Cr2〇3 ) 40( S i 〇2 ) 20 無 100000以上 12.8 5-9 (Zr〇2)30(Cr 2〇3 ) 40 ( S i 〇2 ) 30 ^frrr Μ 100000以上 12.7 5-10 (Zr〇2 )20( Cr2〇3 )40( S i〇2 )40 100000以上 12.6 5—11 (Z r 〇2 ) 30 ( C r 2〇3 ) 60 ( S i 〇2 ) 10 -frai Μ 100000以上 13.5 5—12 (Zr〇2 )20( Cr2〇3 )60( S i〇2 )20 Μ 100000以上 13.4 比較 (ZnSMSi〇2)2。（習知構成） >ΓΙΙ Γ m 100000以上 11.0 如表7所示，第2介電體層材料以i〇m〇i%以上40mol %mol以下的比例包含Si〇2之取樣編號5—1〜5 — 4及5- 7 〜5- 12之資訊記錄媒體，不會發生剝離且可獲得高密著性 5及高反覆改寫性能之同時，可獲得低峰値功率。從本實施例 之結果可確認對於介電體層材料，在Zr〇2- Cr2〇3- Si〇2以包 含 Zr〇2 爲 20〜70mol%、Cn〇3 爲 20〜60mol%，以及 Si〇2 84 1234779 玖、發明說明 爲10〜40m〇l%之組成範圍的材料爲佳。 (實施例6) 實施例6係瞭解就包含Zr〇2與Cr2Cb略相等比例之 ZrSi〇4 —Cf2〇3系材料使用於介電體層之適當的組成範圍。如 5 表8所示，變化第2介電體層材料中的ZrSi〇4與Cn〇3之含 有率（莫耳％ )而製作資訊記錄媒體。本實施例之資訊記錄媒 體設成與實施例5之資訊記錄媒體同樣構造，製作方法與實 施例5相同而省略其說明。此時可得知Zr〇2及SiCh之含有 率爲20ιη〇1%以上50mol%以下的範圍內（因此，ZrSi〇4之構 10 成比例爲25mol%以上lOOmol%以下）改變Cr2〇3之含有率。 參照表8，取樣編號5 — 4、5-9及5— 12之資訊記錄 媒體係對應上述實施例5之資訊記錄媒體。就表7所記載之 取樣編號5 - 4、5 - 9及5 — 12之資訊記錄媒體， (Zr〇2)4〇(Cr2〇3)2〇(Si〇2)4。換算爲（ZrSi〇4)67(Cr2〇3)33(mol 15 % ) ， （Zr〇2)3〇(Cr2〇3)4()(Si〇2)3〇(mol % )換算爲 (ZrSi〇4)43(Cr2〇3)57(mol % )，（Zr〇2)2〇(Cr2〇3)6〇(Si〇2)2〇(mol %)換算爲（ZrSi〇4)25(Cr2〇3)75(mol%)。 就如以上說明所獲得之取樣編號5 — 4、5-9、5- 12 及6- 1〜6-4之資訊記錄媒體，與實施例4同樣地進行而 20 評價介電體層之密著性及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。將 其結果與評價反覆改寫性能之際求得之峰値功率（Pp)—同 表示於表8。又，在取樣編號5-4、5—9、5—12及6 - 1 〜6-4之資訊記錄媒體之中，取樣編號5 — 4、5— 9、5—12、 6— 3及6—4之資訊記錄媒體屬於本發明的範圍。 85 ；ίγ·κ 1234779 玖、發明說明 【表8】 取樣 編號 第2介電體層之材料 (ZrSi〇4)z(Ci2〇3) 1〇〇 - z(m〇l %) 剝離 反覆次數 峰値功率 Pp(mW) 6-1 ZrSi〇4 有 100000以上 11.4 6-2 (ZrSi〇4)82(Cr2〇3 ) 18 有 100000以上 11.7 5-4 (ZrSi〇4)67(Cr2〇3 ) 33 dnXL Μ 100000以上 12.0 6-3 (ZrSi〇4)54(Cr2〇3)46 Μ 100000以上 12.3 5-9 (ZrSi〇2)43(Cr 2〇3) 57 Till: 100000以上 12.7 6 — 4 (ZrSi〇4)33(Cr 2〇3 ) 67 ^fnT 無 100000以上 13.0 5—12 (ZrSi〇2)25(Cr2〇3 ) 75 4πτ. Μ 100000以上 13.4 比較 (ZnS)8〇(Si〇2)2。（習知構成） Μ 100000以上 11.0 表8所示，除了取樣編號6- 1與6-2之資訊記錄媒體 之外，不會發生剝離且可獲得高密著性及高反覆改寫性能之 同時，可獲得低峰値功率。從本實施例之結果可確認對於介 5 電體層材料，在ZrSi〇4 —Cr2〇3系以包含ZrSi〇4爲25〜67inol %之組成範圍的材料爲佳。 (實施例7) 實施例7係就Zr〇2 —Cn〇3 — ZnS—Si〇2系材料而瞭解使 用於介電體層所適用的組成範圍。如表9所示，變化Zr〇2 10 與Cn〇3與ZnS與Si〇2之含有率（莫耳％)而製作資訊記錄媒 體。本實施例之資訊記錄媒體與實施例5同樣地與實施例4 之資訊記錄媒體設爲同樣的構造。製作方法除了於第2介電 體層之成膜步驟將功率設爲400W以外，與實施例5之情形 86 1234779 玖、發明說明 相同，因此省略其說明。此時，由實施例5可得知Zr〇2之 含有率爲20mol%以上，且Cr2〇3之含有率爲20mol%以上的 範圍，改變ZnS與Si〇2之含有率。 就如以上說明所獲得之取樣編號7— 1〜7— 16之資訊 5 記錄媒體，與實施例4同樣地進行而評價介電體層之密著性 及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。將其結果與評價反覆改寫 性能之際求得之峰値功率（Pp)—同表示於表9。又，在取樣 編號7- 1〜7- 16之資訊記錄媒體之中，取樣編號7- 2〜7 一 4及7-6〜7- 16之資訊記錄媒體屬於本發明的範圍。 10 【表9】 15 87 20 1234779 玖、發明說明 取樣 編號 第 2 介電體層之材料 (Zr〇2)c(Cr2〇3)e(ZnS)F(Si〇2)i〇〇- c -E-F(mol% ) 剝 離 反覆次數 峰値功 率 Pp(mW) 7-1 (Zr〇2) 20( Cr2〇3) 20( ZnS) 5〇( S i〇2) i〇 /fnrp ΤΓΤΤ： j\\\ 1000 10.2 7-2 (Zr〇2 ) 20( Cr2〇3 )20( ZnS )40( Si 〇2 )20 >fm·- m 100000以上 10.4 7-3 (Zr〇2)2G(Cl*2〇3 ) 20( ZnS ) 30( S i 〇2 ) 30 yfnt. m 100000以上 10.6 7-4 (Zr〇2 ) 2〇( Cl2〇3 ) 20 ( ZnS ) 2〇( S i 〇2 ) 40 dnC jw\ 100000以上 10.8 7—5 (Zr〇2 ) 20( Cr2〇3 ) 20( ZnS ) 10( S i 〇2 ) 50 有 100000以上 11.0 7-6 (Zr〇2)2〇(Cr 2〇3) 30( ZnS) 40( S i 〇2) i〇 >fnT iilT; J \\\ 100000以上 10.7 7-7 (Zr〇2)2〇(Cr2〇3) 30( ZnS) 10( S i 〇2) 4〇 /fm* m 100000以上 11.3 7-8 (Zr〇2)2〇(Cr2〇3) 4〇( ZnS) 3〇( S i 〇2) i〇 M J ^ 100000以上 11.2 7—9 (Zr〇2) 20( Cr2〇3) 40( ZnS) 10( S i 〇2) 3〇 >frrr m 100000以上 11.6 7-10 (Zr〇2) 20( Cr2〇3) 50( ZnS) 20( S i〇2) i〇 /fnf- m 100000以上 11.5 7-11 (Zr〇2)20(Cr2〇3 ) 50( ZnS ) 10( S i 〇2 ) 20 M 100000以上 11.8 7-12 (Zr〇2)2〇(Cr2〇3 )6〇(ZnS)i〇(Si〇2)i〇 >fnrr till j\\\ 100000以上 11.9 7- 13 (Zr〇2) 40( Cr2〇3) 20( ZnS) 3〇( S i 〇2) i〇 yfnr. 100000以上 10.7 7- 14 (Zr〇2)4〇(Cr 2〇3) 20( ZnS) 10( S i 〇2) 3〇 並 J ^ NN 100000以上 11.1 7—15 (Zr〇2)4〇(Cr2〇3 )4〇(ZnS)i〇(Si〇2)i〇 M 100000以上 12.0 7- 16 (Zr〇2 ) 6〇( Cr2〇3 )2〇(ZnS)l〇(Si〇2)lO M j\ \\ 100000以上 11.3 比較 (ZnS)8〇( 3丨〇2)2。（習知構成） >frrr 100000以上 11.0 表9所示，第2介電體層材料係以包含ZnS爲50mol% 比例之取樣編號7- 1的資訊記錄媒體，反覆次數爲1000 88 1234779 玖、發明說明 - 次。又’第2介電體層材料係以包含Si〇2爲5〇m〇1%比例之 . 取樣編號7-5的資訊記錄媒體不會發生剝離。其他取樣編 號之資訊記錄媒體不會發生剝離而可獲得高密著性及高反 ， 覆改寫性能之同時，可獲得低峰値功率。爰此，從本實施例 . 5之結果可確認對於介電體層材料，在ZrCb- CnCb —ZnS- /

Si〇2 以包含 Zr〇2 爲 20〜6〇m〇i%、cr2〇3 爲 20〜60mol%、ZnS 勢a 爲10〜40mol%以及Si〇2爲10〜4〇m〇i%之組成範圍的材料 爲佳。 籲 (實施例8) 10 實施例8係就Zr〇2 — Cr2〇3- ZnSe —SiCh系材料並用以瞭 解使用於介電體層所適用的組成範圍而將Zr〇2、Cr2〇3、

ZnSe、SiCb之含有率（莫耳％ )不同之各種材料製作使用於介 電體層的資訊記錄媒體。此材料於實施例7所瞭解之材料係 取代ZnS而使用ZnSe者。與實施例7同樣地進行評價時， 15可確認最好是包含Zr〇2 — Cr2〇3 —ZnSe—Si〇2系之Zr〇2爲20 〜60mol%、Cr2〇3 爲 20〜60mol%、ZnSe 爲 1〇〜40mol%， 鲁

Si〇2爲10〜40mol%之組成範圍的材料。 (實施例9) ^ 實施例9係就ZrCh —CnCh —ZnO- SiCb系材料並用以瞭 · 20解使用於介電體層所適用的組成範圍而將Zr〇2與Cr2〇3與 Zn〇與SiCh之含有率（莫耳％)不同之各種材料製作使用於 介電體層的資訊記錄媒體。此材料於實施例7所瞭解之材料 係代ZnS而使用ZnO者。與實施例7同樣地進行評價時，可 確認最好是包含ZrCh—Cr2〇3 —ZnO—Si〇2系之ZrCh爲20〜 89 1234779 玖、發明說明 60mol%、Cr2〇3 爲 20 〜60mol%、Zn〇 爲 1〇〜4〇m〇l%，si〇2 爲10〜40mol %之組成範圍的材半斗。 (實施例10) 實施例10係就ZrSiCU —Cr2〇3 —ZnS系材料而用以瞭解 5使用於介電體層所適用的組成範圍，並將第2介電體層材料 如表10所示，變化ZrSi〇4與Cr2〇3與ZnS之各含有率（莫耳 % )而製作資訊記錄媒體。本實施例之資訊記錄媒體與實施 例5同樣地與實施例4之資訊記錄媒體設爲同樣的構造。製 作方法除了於第2介電體層之成膜步驟將功率設爲400W以 10 外，與實施例5之情形相同，因此省略其說明。此時，ZrSiCU 之含有率爲25niol%以上，且Cr2〇3之含有率爲25mol%以上 的範圍，改變ZnS的含有率。 就如以上說明所獲得之取樣編號8一1〜8一 10之資訊 記錄媒體，與實施例4同樣地進行而評價介電體層之密著性 15及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。將其結果與評價反覆改寫 性能之際求得之峰値功率（Pp)—同表示於表10 °又’在取 樣編號δ-1〜δ- 10之資訊記錄媒體之任何之一均屬於本 發明的範圍。 【表10】 90 20 1234779 玖、發明說明 取樣 編號 第 2 介電體層之材料 (ZrSi〇4)A(Cr2〇3)B(ZnS)i〇〇 - a — B(mol% ) 剝 離 反覆次數 峰値功 率 Pp(mW) 8- 1 (ZrSi〇4)25(Cr2〇3 ) 25 ( ZnS ) 50 A i|"p 1111: j \\\ 100000以上 10.0 8-2 (ZrS i〇4 ) 25( Cr2〇3 ) 37.5( ZnS ) 37.5 >fnrp lilt: 100000以上 10.2 8-3 (ZrSi〇4)25(Cr2〇3 ) 50( ZnS ) 25 >fmr. 100000以上 10.4 8-4 (ZrSi〇4)25(Cr2〇3)62.5(ZnS)i2.5 >fnT III·: J\\\ 100000以上 10.6 8 - 5 (ZrSi〇4)33(Cr2〇3)27(ZnS)4〇 >fnT m 100000以上 10.1 8— 6 (ZrSi〇4)33(Cr2〇3)4〇(ZnS)27 >fnT 100000以上 10.3 8-7 (Zr S i 〇4) 33.5 (Cr2〇3 )53.5( ZnS) i3 ^fnr 100000以上 10.5 8-8 (ZrSi〇4)43(Cr 2〇3 )28.5(ZnS)28.5 ifrpl m 100000以上 10.2 8-9 (ZrSi〇4)43(Cr2〇3)43(ZnS)u ΙΙΙΓ J\\\ 100000以上 10.4 8- 10 (ZrSi〇4)54(Cr2〇3 ) 31 ( ZnS ) 15 ^frrp 1ΙΓΓ J\\\ 100000以上 10.6 比較 (ZnS)8〇(Si〇2)2〇 (習知構成） dnL 1111 j \\\ 100000以上 11.0 表10所示，取樣編號8—1〜8- 10之全部的資訊記錄 媒體不會發生剝離且可獲得高密著性及高反覆改寫性能之 同時，可獲得低峰値功率。爰此，從本實施例之結果可確認 5 對於介電體層材料，在ZrSiCU —Cr2〇3 —ZnS以包含ZrSiCU 爲 25〜54mol%、CnCh 爲 25〜63mol%、ZnS 爲 12〜50mol %之組成範圍的材料爲佳。 (實施例11) 實施例11係就ZrSi〇4—Cn〇3 —ZnSe系材料並用以瞭解 91 1234779 玖、發明說明 _ 使用於介電體層臓用的組成範圍而將㈣㈣㈤,

ZnSe之含神（莫耳％)不同之各軸料製作觀於介電體 層的資訊記錄媒體。此材料於實施例1〇所瞭解之材料魏 . 代ZnS而使用ZnSe者。與實施例10同樣地進行評價時，可 5確認最好是包含ZrSiOc(:⑽―ZnSe系之ZrSi〇4爲乃〜 54mol%、Cr2〇3爲 25〜63mol%、ZnSe 爲 12〜5〇m〇1%之組 碘· 成範圍的材料。 (實施例12) · 實施例12係就ZrSi〇4 — Cr2〇3—ZnO系材料並用以瞭解 10使用於介電體層所適用的組成範圍而將ZrSiCU與Cr2〇3與 ZnO之含有率（莫耳％)不同之各種材料製作使用於介電體 層的資訊gS錄媒體。此材料於實施例1〇所瞭解之材料係取 代ZnS而使用ZnO者。與實施例1〇同樣地進行評價時，可 確認最好是包含ZrSiOd — Cr^ —ZnO系之。以〇4爲25〜 15 54mol%、Cr2〇3 爲 25〜63mol%、ZnO 爲 12〜50ιώο1% 之組成 範圍的材料。 © (實施例13) 實施例13係與實施樣態2參照第2圖而具有上述資訊 - 記錄媒體26相同構造，而製作第1介電體層及第2介電體 - 20層相互不同組成之材料所構成的資訊記錄媒體。 本實施例之資訊記錄媒體26以下述的方式製作。首 先，基板1係於單側表面以準備形成有深56nm、軌跡間距（平 ί了方令基板之主面之面內的溝表面及脊表面的中心間 距）0.615//m之導引溝的基板，其直徑爲i2〇mm、厚度爲 92 1234779 玖、發明說明 0.6mm之圓形聚碳酸酯基板。 於此基板 1 上，將（ZrSi〇4)33(Cr2〇3)4〇(ZnS)27(mol%)之 第1介電體層2形成150nm的厚度，將Ge27Sn8Sb12Te53(原子 %)之記錄層4形成9nm的厚度，將Ge — Cr -N之第2界面 5 層105形成311111厚度，將（21^)8()(3丨〇2)2。(111〇1%)之第2介電 體層106形成50nm的厚度，將Ge8〇Cr2。（原子％ )之光吸收補 正層7形成40nm的厚度，將Ag — Pd —Cu的反射層8形成 80nm的厚度而藉著濺鍍法並依以下的順序來成膜。在此說 明，第2界面層105及第2介電體層106之各材料係參照第 10 10圖而與上述習知之資訊記錄媒體31之構成相同。 本實施例之資訊記錄媒體26除了變更第1介電體層2 之成膜步驟之點以及於記錄層4之成膜步驟與第2介電體層 106之成膜步驟之間追加第2界面層105之成膜步驟之點以 外，乃與實施例1之取樣編號1- 1之資訊記錄媒體的情形 15 同樣地製作。於第1介電體層2之成膜步驟中，將具有 (Zr*Si〇4)33(Cr2〇3)4〇(ZnS)27(niol% )之組成的濺鍍標靶（直徑 100nm，厚度6mm)安裝於成膜裝置而以功率400W，並導入 Ar氣體（100%)而在約0.13Pa的壓力下進行高頻濺鑛。形 成第2界面層105的步驟乃與實施例1所述之比較例之習知 2〇構成之資訊記錄媒體31之製作方法中形成第2界面層105 的步驟同樣地進行。又，形成第2介電體層106的步驟乃與 實施例1所述之取樣編號1- 1之資訊記錄媒體25之製作方 法中形成第2介電體層6的步驟同樣地進行，亦有與習知構 成之資訊記錄媒體31之製作方法中的第2介電體層106之 1234779 玖、發明說明 形成步驟相同。 對於以上所述所獲得之取樣編號9- 1之資訊記錄媒體 26，評價介電體層之密著性及資訊記錄媒體之反覆改寫性 能，乃與實施例1所述之情形同樣地評價，然而’本實施例 5 之密著性評價乃依據瞭解記錄層4與連接此記錄層之第1 介電體層2之間是否會發生剝離而進行。又，反覆改寫性能 之評價不僅進行溝記錄且進行脊記錄（β卩，以脊一溝記錄） 以對脊記錄及溝記錄分別瞭解反覆次數而進行。將此結果於 評價反覆改寫性能之際所求得之峰値功率（ΡΡ)及偏壓功率 10 (Pb)—同表示於表11。而且爲了比較，對於在實施例1製 作之第10圖所示之習知構成的資訊記錄媒體31同樣地將評 價結果表示於表11。 【表11】 取樣編 剝離 溝記錄 脊記錄 號 反覆次數 功率（mW) 反覆次數 功率（mW) Pp Pb Pp Pb 9一1 dnL Μ 100000以上 10.8 4.9 100000以上 11.1 5.0 比較 4kc Μ 100000以上 11.0 5.0 100000以上 11.3 5.2 如表11所示，僅於第1介電體層2之材料使用 15 (ZrSiO〇33(Cr2〇3)4〇(ZnS)27(mol%)而於基板 1 上以濺鍍法形 成之層（即，至反射層8之層）的層數設爲6層之本實施例之 取樣編號9- 1之資訊記錄媒體26，可獲得與總數設爲7層 之比較例之習知構成之資訊記錄媒體31同等的密著性、反 覆次數、峰値功率、以及偏壓功率。又，本實施例之第1 94 1234779 玖、發明說明 '、 使用 了具有（ZrSi〇4)33(Cr2〇3)4〇 (ZnS)27(mol% ) 之組成的材料軸成之層dGi:-Zn-G系材料層），然而 此組成爲例，ZrSi〇4 —Cn〇3—ZnS系材料涵蓋第1〇圖所 示之組成_，職本實施觸雜觀良_結果。而 且第1力電體層2亦可使用Zr — Cr-0系材料層或其他的 一以―Zn〜〇系材料層。 (實施例14)

實施例14係用以製作具有與實施樣態4參照第4圖而 記述之上述資訊記錄媒體28相同的構造。 本實施例之資訊記錄媒體28以下述的方式製作。首 先’基板101係於單側表面以準備形成有深21nm、軌跡間 距（平行於基板之主面之面內的溝表面及脊表面的中心間 距）〇.32//m之導引溝的基板，其直徑爲120mm、厚度爲i.lmm 之圓形聚碳酸醋基板。 15 於此基板1上，將Ag —Pd —Cu之反射層8形成80nm

的厚度，將（ZrSi〇4)54(Cr2〇3)46〇iK)l% )之第2介電體層6形 成16nm的厚度，將Ge37.5StmTe5i.5(原子％ )之記錄層4形成 llnm 厚度，將（ZrSi〇4)54(Cr2〇3)46(mol%)之第 1 介電體層 2 形成68nm的厚度而藉著濺鎪法並順序來成膜。 20 形成反射層8的步驟與實施例1之取樣編號1一 1之資 訊記錄媒體之製作方法中的成膜步驟同樣地形成。 形成第2介電體層6的步驟係將具有（ZrSi〇4)54(Cr2〇3)46 之組成的濺鍍標靶（直徑100nm，厚度6mm)安裝於成膜裝 置，以功率爲5〇〇W，導入成膜裝置之氣體爲Ar氣體（100%) 95 1234779 玖、發明說明 而在約0.13Pa的壓力下進行高頻濺鍍。 形成錄層4的步驟係將具有Ge - Sb- Te系材料所構 成的濺鍍標靶（直徑l〇〇nm，厚度6mm)安裝於成膜裝置，以 功率爲100W，導入之氣體爲Ar氣體（97%)與N2氣體（3%) 5的混合氣體而進行直流濺鍍。濺鍍時之壓力約爲〇. 13Pa。 形成第1介電體層2之步驟乃以第1介電體層2及第2 介電體層6具有實質相同組成而改變層厚之外，其餘與形成 上述第2介電體層6之步驟同樣地進行。 如上所述於基板101上依照反射層8、第2介電體層6、 10 記錄層4及第1介電體層2的順序形成膜層而形成積體層之 後’將紫外線硬化性樹脂塗布於第1介電體層2之上，而於 塗布紫外線硬化性樹脂之上密接作爲仿真基板110之直徑 120mm'厚度9〇em之圓形聚碳酸酯基板。從仿真基板11〇 側照射紫外線而硬化樹脂。藉此，硬化之樹脂所構成之接著 15 層9可形成10//Π1的厚度，並藉由接著層9而將仿真基板 110貼合於積層體。 貼合後，初期化步驟係使用波長670Ι1Π1之半導體雷射而 在半徑22〜60mm之範圍的環狀領域內約全面地涵蓋而將資 訊記錄媒體28之記錄層4予以結晶化。藉此結束初期化步 20驟而完成取樣編號10- 1之資訊記錄媒體28的製作。 而且’爲便於比較，除了於第1介電體層2與記錄層4 之間、及第2介電體層6與記錄層4之間分別具有Ge-Cr 一N之第1界面層103及第2界面層105，且取代第1介電 體層2及第2介電體層6而具備（ZnS)8〇(Si〇2)2〇(niol%)之第 96 1234779 玖、發明說明 1介電體層102及第2介電體層106之外，乃製作具有與本 實施例之資訊記錄媒體相同構成化比較例的資訊記錄媒體 (圖式未顯示）。第1界面層103及第2界面層105均形成厚 度 5mm。 5 此比較例之資訊記錄媒體除了將形成第1界面層103 及第2界面層105之步驟及形成第1介電體層102及第2 介電體層106之步驟與實施例1所製作之比較例之習知構成 之資訊記錄媒體31的製作方法相同地實施之點以外，乃與 本實施例之資訊記錄媒體之製作方法同樣地製作。 10 就以上製作所獲得之取樣編號10 - 1之資訊記錄媒體 28及比較例之資訊記錄媒體（圖式未顯示），評價介電體層 之密著性及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。將其結果與評價 反覆改寫性能之際求得之峰値功率（Pp)—同表示於表12。 本實施例之評價資訊記錄媒體28之介電體層的密著性 15 乃與實施例1同樣條件下進行。相對於此，資訊記錄媒體 28之反覆改寫性能的評價雖與實施例1相同以反覆次數爲 指標之點共通，惟與實施例1不同的條件進行。 於評價資訊記錄媒體28之反覆改寫性能之際，以與實 施例1同樣構成之資訊記錄系統，使用波長405nm之半導體 20 雷射與開口數0.85之對物透鏡而進行23GB相當容量的記 錄。旋轉資訊記錄媒體28之線速度設爲5m/秒。又， CNR(即，信號振幅與雜訊之比）及消除率之測定乃使用磁譜 分析器。 首先，爲了決定其決定反覆次數之際的測定條件，峰値 1234779 玖、發明說明 功率（Pp)及偏壓功率（Pb)依以下的順序來設定。一邊在高功 率階之峰値功率（mW)與低功率階之偏壓功率（mW)之間調變 雷射光12而一邊朝資訊記錄媒體28照射，而將標記長0.16 之2T信號記錄於記錄層4之同一溝表面10次。記錄2T 5 信號1〇次之後測定CNR。於記錄2T信號10次之際將偏壓 功率固定於一定値，而就使峰値功率作各種變化之各記錄條 件來測定CNR，將信號振幅飽和時之最小峰値功率之1.2倍 的功率設定爲Pp。又，與上述同樣地記錄2T信號10次之 後再生信號而測定2T信號的振幅，而且於該溝表面重寫一 10 次9T信號並再生信號而測定2T信號的振幅，並將記錄10 次後測定之振幅作爲基準之2T信號的衰減率作爲消除率而 求得。2T信號之10次記錄及9T信號之重疊寫上一次之際， 將峰値功率固定於之前設定的Pp，就將偏壓功率作各種變 化的各種條件而求得以上定義的消除率，而將消除率爲 15 25dB以上之偏壓功率範圍之中心値設定爲Pb。考量系統之 雷射功率上限値的話，最好是滿足PpS7mW、Pb$3.5mW。 成爲反覆改寫性能之指標的反覆次數在本實施例係依 據CNR及消除率而決定。於上述所設定之Pp及Pb —邊調變 雷射光功率而一邊朝向資訊記錄媒體28照射，將2T信號反 20 覆一定次數連續記錄於同一溝表面之後測定CNR，又，求得 消除率。消除率與上述情形相同，記錄一定次數之後及於其 上重疊寫上一次9T信號之後測定2T信號，對於記錄一定次 數之後測定之2T信號的振幅，以於重疊寫上一次9T信號之 後測定2T信號之振幅的衰減率而求得。反覆次數設爲1、2、 98 1234779 玖、發明說明 3、5、10、100、200、500、1000、2000、3000、5000、7000、 10000次。以反覆10次時之CNR及消除率爲基準而將CNR 降低2dB或是消除率降低5dB時判定爲反覆改寫之界限，並 藉此時之反覆次數而評價反覆改寫性能。當然，反覆次數愈 5大則反覆改寫性能愈高。資訊記錄媒體28之反覆次數最好 是1萬次以上。 【表12】 取樣編 剝離 溝記錄 號 反覆次數 功率（mW) Pp Pb 10—1 Μ 100000以上 5.0 2.3 比較 m 100000以上 5.0 2.4 本實施例之取樣編號10- 1之資訊記錄媒體28比較於 第1圖所示之資訊記錄媒體25，乃無關於基板上之各層的 10 成膜順序爲相反，無關記錄條件（雷射波長或透鏡的開口數） 之不同，以及無關記錄容量增加至5倍的情形，而係其第1 介電體層2及第2介電體層6使用具有 (Zr*Si〇4)54(Cr2〇3)46(mol% )之組成的材料所形成之層（Zr — Cr - 0系材料層）且不設界面層而可獲得良好的性能。又， 15 本實施例所製作之取樣編號10- 1之資訊記錄媒體28之（無 凹凸之平面部）Rc實測値爲20%，Ra實測値爲3%。由表 12可確認取樣編號10- 1之資訊記錄媒體28表示與與設置 第1及第2界面層之比較例之資訊記錄媒體相同的性能。 本實施例之取樣編號10- 1之資訊記錄媒體28係於第 99 1234779 玖、發明說明 . 1及第2介電體層雙方使用ZrSi〇4-Cr2〇3系材料所構成之 · 層’然而亦可使用其他Zr - Cr — Zn — 〇系材料層。 又，本實施例之資訊記錄媒體28係於第1及第2介電 ， 體層雙方使用Zr — Cr — 0系材料層（或Zr —Zn—s〜〇系材料 _ 5層），惟本發明並不限於此。舉其一例，亦可於第丨及第2 β 介電體層之其中任何一側使用Zr - Cr〜〇系材料層（或Zr_

Zn- S — 0系材料層），而於另一側之介電體層使用例如習知 之具有（ZnS)8。（Si〇4)2〇(mo 1% )之組成的材料，且於該另—^側 之介電體層與記錄層之間設置界面層。此情形下亦能獲得與 10本實施例同樣的結果。因此，藉著使用Zr — Cr 一 0系材料層 或Zr - Cr - Zn - 0系材料層作爲介電體層，而能減少於習知 在第1及第2介電體層與記錄層之間分別使用之二個界面層 之中至少一方，較好則能減少雙方，且能確保與比較例之資 訊記錄媒體相同的性能。 15 (實施例15) 實施例15係與於實施樣態5參照第5圖而製作具有與 * 上述資訊記錄媒體29相同構造的資訊記錄媒體。 本實施例之資訊記錄媒體29如以下的方式來製作。首 先，準備與實施例14相同的基板101，於此基板1〇1上以 〜 20濺鍍法依序將Ag — Pd — Cii之第2反射層20形成80nm的厚 度，將（ZrSi〇4)54(Cr2〇3)46(m〇i%)之第5介電體層19形成 16nm的厚度，將Ge45Sb4Te51(原子％ )之第2記錄層18形成 llnm 厚度，將（ZrSiO〇54(Cr2〇3)46(mol%)之第 4 介電體層 17 形成68nm的厚度。藉此可於基板101上形成第2資訊層22° 100 1234779 玖、發明說明 形成第2反射層20、第5介電體層19及第4介電體層 17的步驟乃分別以與實施例14之資訊記錄媒體28之製作 方法中形成反射層8、第2介電體層6及第1介電體層2之 步驟相同的條件來進行。又，形成第2記錄層18的步驟除 5 了使用不同組成之濺鑛標靶以外，其餘乃以與實施例14之 資訊記錄媒體28之製作方法之形成第記錄層4步驟相同的 條件來進行。 其次，於第2資訊層22上以例如旋轉塗敷法來塗布紫 外線硬化性樹脂。並於經塗布之紫外線硬化性樹脂上，將表 10 面設有導引溝之聚碳酸酯基板密著於該導引溝而配置。從聚 碳酸酯基板側照射紫外線而使樹脂硬化，並將聚碳酸酯基板 剝離中間層16。藉此可形成30//m厚度由硬化之樹脂所構 成且經複製溝之中間層16。 第1初期化步驟係使用波長670nm之半導體雷射而將第 15 2資訊層22之第2記錄層18在半徑22〜60rmri之範圍的環 狀領域內約全面涵蓋地結晶化。 、 其次，於以上方式所獲得之積層體16中間層16上，以 濺鍍法依序將Ti〇2之介電體層15形成15nm膜厚，將Ag-Pd — Cu之第1反射層14形成10nm的厚度，將 20 (ZrSi〇4)43(Cr2〇3)57(mol% )之第 2 介電體層 6 形成 12mn 的厚 度，將Ge4〇Sn5Sb4Te51(原子％ )之第1記錄層13形成6nm厚 度，將（ZrSi〇4)43(Cr2〇3)57(mol%)之第1介電體層2形成 45nm的厚度。藉此可形成第1資訊層21。 於形成第3介電體層15之步驟中，使用具有Ti〇2組成 101 1234779 玖、發明說明 之材料所構成之濺鍍標靶（直徑lOOnrni、厚度6mm)，而以功 率400W，導入Ar氣體（97%)與〇2氣體（3%)之混合氣體而 在約〇.13Pa壓力下進行高頻濺鍍。 形成第1反射層14之步驟除了改變層厚以外，乃與上 5 述第2反射層20之形成條件同樣的條件來進行。 於形成第2介電體層6之步驟中，將具有 (ZrSi〇4)43(Cr2〇3)57組成之材料所構成之濺鎪標靶（直徑 100mm、厚度6imn)安裝於成膜裝置，而以功率500W，導入 Ar氣體（100%)而在約〇.i3Pa壓力下進行高頻濺鍍。 1〇 於形成第1介電體層13之步驟中，將具有Ge- Sn- Sb —Te系材料所構成之濺鑛標靶（直徑l〇〇mm、厚度6mm)安裝 於成膜裝置，而以功率50W，導入Ar氣體（100%)而在約 〇.13Pa壓力下進行直流濺鍍。 形成第1介電體層2之步驟，乃使第1介電體層2及第 15 2介電體層6實質上具有相同組成並改變層厚以外，乃與上 述形成第2介電體層6之步驟相同地進行。 如此依以上方式於基板101上形成至第1介電體層2 爲止而形成積層體之後，於第1介電體層2上塗布紫外線硬 化性樹脂，將直徑120mm、厚度65//m之圓形聚碳酸酯基板 20 作爲仿真基板110而密著於經塗布之紫外線硬化性樹脂 上°從仿真基板110側照射紫外線並使樹脂硬化。藉此，可 形成10//⑺之硬化之樹脂所構成之接著層9,而並藉由接著 層9而將仿真基板110貼合於積層體。 貝占合後，第2初期化步驟係使用波長670mn之半導體雷 1234779 玖、發明說明 射而將第1資訊層21之第1記錄層13在半徑22〜60mm之 範圍的環狀領域內約全面涵蓋地結晶化。藉此完成取樣編號 11 一 1之資訊記錄媒體29的製作。 對於以上所述所獲得之取樣編號11 - 1之資訊記錄媒 5 體29，於每次評價第1資訊層21及第2資訊層22，評價介 電體層之密著性及資訊記錄媒體之反覆改寫性能。並將此結 果與於評價反覆改寫性能之際所求得之峰値功率（Pp)及偏 壓功率（Pb)—同表示於表13。 於本實施例，資訊記錄媒體29之介電體層之密著性的 10 評價雖與實施例1同樣的條件進行，惟，就瞭解第1資訊層 21與第2資訊層22之分別有無剝離1之點不同。又，資訊 記錄媒體29之反覆改寫性能的評價係約與實施例14同樣的 條件進行，惟在各別進行資訊記錄媒體29之第1資訊層21 與第2資訊層22之23GB相當容量的記錄，而就第1資訊層 15 21與第2資訊層22分別瞭解反覆次數之點不同。記錄於第 1資訊層21之際，將雷射光12集焦點於第1記錄層13，記 錄於第2資訊層22之際，將雷射光12集焦點於第2記錄層 18。若是考量系統之雷射功率上限値的話，最好是滿足pp $14mW、Pb$7mW(第2資訊層22係使用透過第1資訊層21 20 之雷射光12，故爲此等Pp及Pb之約一半値）。 【表13】 103 ；> 4 4 1234779 玖、發明說明 取樣編 號 剝離 第1資 訊層 第2資訊層 反覆次數 峰値功率 PP(mW) 剝離 反覆次數 峰値功率 pp(mW) * 11 一 1 4ml Μ 10000以上 11 無 10000以上 5.5 如表13所示，本實施例之取樣編號丨丨一丨之資訊記錄 媒體29比較於第1圖所示之資訊記錄媒體25，乃無關於基 板上之各層的成膜順序爲相反，無關基板上具有二個以上的 5資訊層，無關記錄條件之不同，以及無關記錄容量增加至 10倍的情形’而係其第1介電體層2及第2介電體層6、第 4介電體層17及第5介電體層19係使用ZrSl〇4 — Cn〇3之材 料所形成之層而可獲得良好的性能。又，本實施例所製作之 取樣編號11 - 1之資gJlgS錄媒體29之（無凹凸之平面部）第 10 1資訊層22之Rc貫測値爲，Ra實測値爲0.7%。第2 資5只層22之Rc貫測値爲25%，實測値爲3%。 本實施例之取樣編號11 - 1之資訊記錄媒體29係於第 1介電體層2及第2介電體層6、第4介電體層17及第5 力電體層19之全部使用ZrSi〇4〜Cr2〇3系材料所構成之層， 15然而亦可將其他Zr —Cr - 0系材料層（例如Zr〇2 —Cn〇3系及 Zr〇2及Zr〇2 — Cr2〇3—Si〇2系材料所構成之層），或Zr — Cr — Ζη-0 系材料層（例如於 Zr〇2—Cr2〇3—Si〇2 混合 ZnS、ZnSe 或ZnO之系列的材料所構成之層）使用於介電體層而能獲得 良好的性能。 20 又’本實施例之資訊記錄媒體29於全部第1介電體層 104 1234779 玖、發明說明 2、第2介電體層6、第4介電體層17及第5介電體層19 均使用Zr — Ci* 一 0系材料層（或Zr —Ci* — Zn — 0系材料層）， 惟本發明不限定於此。舉其一例，亦可於此等介電體層之中 至少一個使用Zr —Ci*-0系材料層或Zr —Zn-S-0系材料 5 層而其餘的的介電體層使用例如具有習知 (ZnS) 8〇(S i 〇2) 2〇(mo 1 % )組成之材料而於該其餘之介電體層 與記錄層之間設置界面層的構成。於此情形下亦能獲得與本 實施例同樣的結果。 又，本實施例之資訊記錄媒體29以使用Ti〇2所構成之 10 層作爲第3介電體層，惟亦可取代此而使用（Zr〇2)3〇(Cr2〇3)7。 所構成之層。此情形下於第1資訊層21可獲得同等的性能。 而且，本實施例之資訊記錄媒體29於全部第1介電體 層2、第2介電體層6、第4介電體層17及第5介電體層 19均使用相同組成的材料層，惟亦可就此等介電體層之中 15 至少任意二個使用不同組成的材料。於此情形下亦能獲得與 本實施例之結果同程度的良好性能。 (實施例16) 實施例16係與於實施樣態6參照第6圖而製作具有與 上述資訊記錄媒體30相同構造的資訊記錄媒體。本實施例 20 之資訊記錄媒體30與至上述爲止之實施例1〜15之資訊記 錄媒體之介電體層不同，係於第1界面層3及第2界面層5 使用Zr — Cr一0系材料層者。 本實施例之資訊記錄媒體30以下列方式製作。首先， 準備與實施例1同樣的基板1，於此基板1上將 105 1234779 玖、發明說明 (ZnSMSiOowmoi%)之第1介電體層1〇2形成I50nm厚 度，將（ZrSi〇4)43(Cr2〇3)57之第1界面層3形成5nm的厚度’ 將G⑶Sn8Sb12Te53(原子％ )之記錄層4形成9nm的厚度’將 (ZrSi〇4MCr2〇3)57之第2界面層5形成5mn的厚度’將 5 (ZnSMSiOowmoi%)之第2介電體層106形成5〇nm的厚 度，將Ge8〇Cr2〇之（原子％)之光吸收補正層7形成4〇nm的厚 度，將Ag — Pd — Cu之反射層8形成80nm的厚度，以濺鑛法 順序地形成膜。在此說明第1介電體層102及第2介電體層 16之各材料可參照第10圖而與上述習知之資訊記錄媒體31 10 中的材料相同。 本實施例之資訊記錄媒體30除了第1界面層5之材料* 不同之點以外，乃與實施例1所製作之習知構成的資訊記$ 媒體31 (參照第10圖）的情形同樣地製作。除了於第1界面 層3及第2界面層5之成膜步驟，乃與此同樣地製作。又’ 15第1界面層3及第2界面層5之成膜步驟係將具有 (ZrSi〇4)43(Cr2〇3)57(mol% )之組成的材料所構成的濺鍍標靶 (直徑lOOrnn，厚度6mm)安裝於成膜裝置，以功率爲500W， 導入成膜裝置之氣體爲Ar氣體（100%)而在約〇.i3Pa的壓 力下進行高頻濺鍍。 2〇 對於以上所述所獲得之取樣編號12 - 1之資訊記錄媒 體30，評價介電體層之密著性及資訊記錄媒體之反覆改寫 性能，乃與實施例1所述之情形約同樣地評價，然而，本實 施例之密著性評價乃依據瞭解記錄層4與連接此界面層之 間的情形，進一步而言即記錄層之第1界面層層3及第2 123 4779 玖 改寫 、發明說明 _ ^之至少一方之間是否會發生剝離而進行。又，反覆 __之評價不僅進行溝記錄且進行脊記錄（即，以脊- β綠）以對脊記錄及溝記錄分別瞭解反覆次數而進行。將 濟雪己… 七痕袭示於表14 °而且爲了比較’對於在實施例1製作 _ 1()_1所示之習知構成的資訊記錄媒體31同樣地將評價 之舉衮系於表14。 袭一 I4】 緖

反覆次數 100000以上 100000以上 溝記錄 脊記錄 功率（mW) 反覆次數 功率（mw) Ρρ

Pb Ρρ

Pb 10.5 4. 100000以上 11.0 4.9 11.0 5.0 100000以上 11.3 5.2 ι〇 14 所示，於界面層之材料使用 si〇；M3(Cr2〇3)57(mc)l%)之本實施例之取樣編號12- 1之 (媒體30乃能獲得與比較例之習知構成之資訊記錄 資^ 31相同的性能。 依據本實施例，乃使用Zr - Cr-O系材料層作爲界面 資訊記錄媒體之層數與習知相同不減少。但是，如此的 嬅 贘 ΊΛ

Cr 0系材料層所構成之界面層不會如習知之Ge-Cr 15 ^之评面層那般地依賴反應性濺鍍，乃能僅以Ar氣體之 辕填下的濺鍍而形成。因此，依據本實施例的話，界面層本 身之組成不均或膜厚分布會比習知之Ge〜cr〜N界面層小 而能提昇製造的容易性及穩定性。 又，本實施例之取樣編號12- 1之資訊記錄媒體3〇係 107 1234779 玖、發明說明 . 於第1界面層3及第2界丽5使用（ZrSi〇4)43(Cr2〇如⑽】 . %)組成之材料所構成之層（h — Gl系材料層），然而此 組成係其-例，亦可其_ ZF〜Gf —Q系材料層或^ . —Cr —Zn~〇系材料層。又，第1界面層3與第2界面層5 - 5亦可使用相互不同組成之Zr —C卜Zn〜〇系材料層。 (實施例17) 以上所述之實施例丨〜16係以光學性的機構而製作可 記錄資訊之資訊記錄媒體，然而實施例17則如第8圖所示 春 乃藉著電性機構而製作可記錄資訊的資訊記錄媒體2〇7。本 10實施例之資訊記錄媒體207即所謂記憶體。 本實施例之資訊g己錄媒體207以下述方式製作。首先淮 備一表面經氮化處理之長度5imn、寬度5mm且厚度imm的Si 基板201，於此基板201上以濺鍍法依順序於ι·〇_χ 1〇mm 領域厚度積層0· 1 # m之Au的下部電極202，於直徑〇.2mm 15圓形領域積層厚度〇·1 # m之Ge^SbioTeW化合物爲

Ge8Sb2Ten)的相變化部205，於0.6mmx 〇.6mm領域積（惟除 · 外相變化部205)層厚度與相變化部205相同之 (ZrSi04 ) 54(ZnS)46 的絕熱部 206，於 0 · 6mm X 0 · 6mm 領域積 ‘ 層0.1//m之Au的上部電極204。 _ 20 相變化部205之成膜步驟係將Ge- Sb-Te系材料所構 成之濺鑛標靶（直徑l〇〇mm、厚度6mm)安裝於成膜裝置，功 率設爲100W、導入Ar氣體（100%)之混合氣體而進行直流 濺鍍。濺鎪時之壓力約設爲〇.13Pa。又，絕熱部206之成 膜步驟係將具有（ZrCbMCnO小〇(Si〇2)“之組成材料所構成 108 1234779 玖、發明說明 之濺鍍標靶（直徑100mm、厚度6mm)安裝於成膜裝置’功率 設爲500W、導入Ar氣體（100%)而在壓力約設爲〇.13Pa情 形下進行高頻濺鍍。在此等步驟之濺鍍乃使相變化部2〇5 及絕熱部206不相互積層那般地，以遮罩鑄具覆蓋要成膜之 5 面以外的領域而各別進行。又，不論相變化部205及絕熱部 206之形成的順序，可先進行其中任何之一。 相變化部205及絕熱部206構成記錄部203，相變化部 205相當於本發明所稱之記錄層，絕熱部206相當於本發明 所稱Zr - Cr 一 0系材料層。 10 又，形成下部電極202的步驟及形成上部電極204的步 驟於以濺鍍法所構成之形成電極技術的領域中，能以一般的 方法來進行，因此省略詳細的說明。 藉著對以上所述製作之本實施例之資訊記錄媒體207 施加電的能量而在相變化部205產生相變化的情形，以第9 15 圖所示之系統來確認。第9圖所示之資訊記錄媒體207的斷 面圖表示沿著第8圖所示之資訊記錄媒體207之線A— B朝 厚度方向切斷的斷面。 更詳細而言，如第8圖所示，藉著將二個施加部212 以Au導線分別接線於下部電極202及上部電極204的狀 2〇 態，並藉由施加部212將電性的寫入/讀出裝置214連接於 資訊記錄媒體（記憶體）207。於此電性的寫入/讀出裝置 214,在分別連接下部電極202及上部電極204的施加部212 之間藉由開關210而連接脈衝發生部208，又，電阻測定器 209藉由開關211而連接。電阻測定器209連接於可判定藉 109 1234779 玖、發明說明 著電阻測定器209所測定之電阻値高低的判定部213。以脈 衝發生部208藉由施加部212而於下部電極202及上部電極 204之間流動電流脈衝，以電阻測定器209來測定下部電極 202及上部電極204之間的電阻値，並以判定部213判定此 5 電阻値的高低。一般而言，會因相變化部205之相變化而變 化電阻値，故能依據此結果而得知相變化部205之相的狀 態。 本實施例之相變化部205的融點爲630°C，結晶化溫度 爲170°C，結晶化時間爲130ns。下部電極202及上部電極 10 204之間的電阻値在相變化部205爲非晶質相變態下爲1000 Ω，在結晶相狀態爲20Ω。相變化部205爲非晶質相狀態（即 高電阻狀態）時，在下部電極202及上部電極204之間施加 20mA、150ns之電流脈衝之際，會降低下部電極202及上部 電極204之間的電阻値而使相變化部205從非晶質相狀態轉 15 移至結晶相狀態。其次，相變化部205爲結晶相狀態（即低 電阻狀態）時，在下部電極202及上部電極204之間施加 200mA、100ns之電流脈衝之際，會昇高下部電極202及上 部電極204之間的電阻値而使相變化部205從結晶相轉移至 非晶質相。 20 由以上結果可確認使用具有（2〖〇2)56((^2〇3)3。（3丨〇2)14組 成之材料所構成之層作爲相變化部205周圍的絕熱部206， 而以施加電的能量而會在相變化部（記錄層）產生相變態，爰 此，資訊記錄媒體207具有記錄資訊的機能。 如本實施例所示，於圓柱狀之相變化部205周圍設置介 110 1234779 玖、發明說明 * 電體之（Zr〇2)56(Cn〇3)3〇(Si〇2)i4的絕熱部206 ’則於下部電 · 極202及上部電極204之間施加電壓而能有效果地降低其流 向相變化部205之電流漏向其周邊部，因此，可藉著電流所 、 產生之焦耳熱而使相變化部205之溫度有效地上昇。特別是 - 5 將相變化部205轉移至非晶質相狀態的情形下，雖然有必要 暫時熔融相變化部205之GewSIhoTew而急速冷卻的過程， •, 惟藉著將絕熱部206設於相變化部205的周圍而能以更小的 電流使相變化部205之溫度上昇至融點以上。 · 絕熱部206之（Zr〇2)56(Cr2〇3)3〇(Si〇2)u爲高融點且不易 10 產生因熱所造成的原子擴散，故能適用於資訊記錄媒體207 那般的電性記憶體。又，相變化部205的周圍存在絕熱部 206的話，絕熱部206會形成障壁而使相變化部205於記錄 部203的面內實質地電性及熱性隔離，因此，於資訊記錄媒 體27以絕熱部206相互隔離的狀態設置多數的相變化部 15 205之而能增加資訊記錄媒體207之記憶體容量，以及能提 昇存取機能或開關機能。又，亦能將資訊記錄媒體27本身 ® 予以多數連接。 以上已藉著各種實施例而說明了本發明之資訊記錄媒 - 體，然而，對於以光學性的機構進行記錄之資訊記錄媒體及 - 20以電性的機構進行記錄之資訊記錄媒體之其中任何之一均 能使用Zr —Cr —0系材料層或Zr - Cr — Zn〜〇系材料層，依 據如此構成之本發明的資訊記錄媒體的話，則能獲得比習知 資訊記錄媒體優良的效果。 【發明效果】 111 1234779 玖、發明說明 本發明之特徵在於將直接與記錄層連接而形成的介電 體層，最好是於ZrCb —Cr2〇3系材料、Zr〇2 —Cr2〇3—Si〇2系材 料或Zr〇2—CnCb—Si〇2混合ZnS、ZnSe或ZnO之材料而形 成。依據此特徵，可刪除習知之光資訊記錄媒體所具有之記 5錄層與介電體層之間的界面層而能減少層數，同時能實現確 保優異之反覆改寫性能及高記錄感度之光資訊記錄媒體。 又’於施加電的能量之資訊記錄媒體，將此等材料之層作爲 用以將記錄層斷熱之介電體層使用的話，能以小電性的能量 來產生記錄層的相變化。 10 【圖式簡單說明】 第1圖表示本發明之光資訊記錄媒體之一例的部分斷 面圖。 第2圖表示本發明之光資訊記錄媒體之其他例的部分 斷面圖。 15 第3圖表示本發明之光資訊記錄媒體之另其他例的部 分斷面圖。 第4圖表示本發明之光資訊記錄媒體之另其他例的部 分斷面圖。 第5圖表示本發明之光資訊記錄媒體之另其他例的部 20 分斷面圖。 第6圖表示本發明之光資訊記錄媒體之另其他例的部 分斷面圖。 第7圖表示以式子（21)表示之材料之組成範圍的三角 圖。 112 1234779 玖、發明說明 第8圖表示藉著施加電性能量而記錄資訊之本發明之 資訊記錄媒體之一例的模式圖。 第9圖表示使用第8圖所示之資訊記錄媒體之系統之一 例的模式圖。 5 第10圖表示習知資訊記錄媒體之一例的部分斷面圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 1、 101、201 基板 2、 102 第1介電體層 3、 103 第1界面層 10 4 記錄層 5、 105 第2界面層 6、 106 第2介電體層 7 光吸收補正層 8 反射層 15 9 接著層 10、110 仿真基板 12 雷射光 13 第1記錄層 14 第1反射層 20 15 第3介電體層 16 中間層 17 第4介電體層 18 第2記錄層 19 第5介電體層 25 20 第2反射層 21 第1資訊層 22 第2資訊層 23 溝面 113 1234779 玖、發明說明 24 脊面 25〜31、207 資訊記錄媒體 202 下部電極 203 記錄部 5 204 上部電極 205 相變化部（記錄層） 206 絕熱部（介電體層） 208 脈衝發生部 209 電阻測定器 10 210、211 開關 212 施加部 213 判定部 214 電性的寫入/讀出裝置 114

Claims (1)

1234779 拾、申請專利範圍 1. 一種資訊記錄媒體，係包含基板及記錄層，前述記錄層 藉著1照射光或施加電的能量而在結晶相與非晶質相之間產 生相變態，其特徵在於： 更具有包含Zr、Cr及0之Zr - Cr 一 0系材料層，於該Zr 5 —Cr —0系材料層之Zr的含量爲3〇原子％以下，Cr*之含有量 爲7原子％以上37原子％以下。 2·如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，前 述Zr — Cr一0系材料層係包含由式子（1): ZrQCrR〇i〇()-Q-R(原子％) · · · (1) 10 (式子中，Q及R分別在30、7$R$ 37的範圍內， 且20$Q+RS60)所表示之材料所實質地構成。 3. 如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，前 述Zr — Cr 一 0系材料層更包含Si，且係包含由式子（2): ZfuCrvS ίτ〇ιοο-u-V-τ(原子 ％ ) · · · (2) 15 (式子中，U、V及Τ分別在〇SUS30、7SV$37及0 <T$14的範圍內，且20$U+V+T$60)所表示之材料所 實質地構成者。 4. 如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，前 述Zr — Cr 一 0系材料層係由式子（11): 20 (Zr〇2)M(Cr2〇3)i〇〇-M(mol% ) · · * (11) (式子中，Μ爲20SM$80) 表示之材料實質地構成之層。 5. 如申請專利範圍第3項所述之資訊記錄媒體，其中，前 述包含Si之Zr —Cr —0系材料層係由式子（21): 115 1234779 拾、申請專利範圍 (Ζ Γ〇2 ) χ(〇Γ2〇3) γ ( S 1 〇2 ) 1〇〇 - X - γ ( ΙΏΟ 1 % ) · · · (21) (式子中，X及Y分別在20SX$70、20SY$60的範 圍內，且爲60$X+Y$90) 表示之材料實質地構成之層。 5 6·如申請專利範圍第5項所述之資訊記錄媒體，其中，前 述式子（21)所表示之材料係將Zr02與Si02以包含略相等的 比例，而以式子（22)表示： (ZrSi〇4)z(Cr2〇3)i〇〇-z(mol%) · · · (22) (式子中，Z係在25$Z$67的範圍內）。 10 7.—種資訊記錄媒體，係包含基板及記錄層，前述記錄層 藉著照射光或施加電的能量而在結晶相與非晶質相之間產 生相變態，其特徵在於：更包含係由式子（3): (Zr〇2)c(Cr2〇3)E(D)F(Si〇2)i〇〇-c-E-F(mol% ) · · .(3) (式子中，D爲ZnS、ZnSe或ZnO，C、E及F分別在20 15 SC$60、20SE$60 及 10$FS40 的範圍內，且爲 60$C + E+F^90) 表示之Zr - Cr 一 Zn- 0系材料所實質構成之層。 8. 如申請專利範圍第7項所述之資訊記錄媒體’其中，前 述式子（3)所表示之材料係將2：^2與Si02以包含略相等的 20 比例，而以式子（31)表示： (ZrSi〇4)A(Cr2〇3)B(D)i〇〇-A-B(mol% ) · · · (31) (式子中，D爲ZnS、ZnSe或ZnO，A及B分別在25$ 八$54及25$8$63的範圍內，且爲50€八+；6$88)。 9. 如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，相 1234779 拾、申請專利範圍 變態係可逆性地產生。 10. 如申請專利範圍第7項所述之資訊記錄媒體，其中，相 變態係可逆性地產生。 11. 如申請專利範圍第9項所述之資訊記錄媒體，其中，記 5 錄層係包含從 Ge — Sb — Te、Ge — Sn — Sb— Te、Ge- Bi — Te、Ge — Sn—Bi—Te、Ge — Sb—Bi—Te、Ge〜Sn — Sb—Bi —Te、Ag—In- Sb—Te及Sb—Te中選出之其中一種材料。 12. 如申請專利範圍第10項所述之資訊記錄媒體，其中， 記錄層係包含從 Ge — Sb — Te、Ge — Sn - Sb — Te、Ge - Bi 10 —Te、Ge—Sn—Bi—Te、Ge—Sb—Bi—Te、Ge — Sn—Sb — Bi—Te、Ag—In—Sb—Te及Sb- Te中選出之其中一種材 料。 Π ·如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，記 錄層之膜厚係在15nm以下。 15 14.如申請專利範圍第7項所述之資訊記錄媒體，其中，記 錄層之膜厚係在15nm以下。 15.如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，具 有二個以上的記錄層。 16·如申請專利範圍第7項所述之資訊記錄媒體，其中，具 20 有二個以上的記錄層。 17.如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，在 基板之一側表面以第1介電體層、記錄層、第2介電體層 及反射層之順序形成，前述第1介電體層及前述第2介電 體層之中至少一個介電體層係前述Zr—Ci*—0系材料層， 117 1234779 拾、申請專利範圍 且以界面連接前述記錄層。 18. 如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體’其中’在 基板之一側表面以第1介電體層、記錄層、第2介電體層 及反射層之順序形成，前述第1介電體層及前述第2介電 5 體層之中至少一個介電體層係前述式子（3)表示之心- Ci: -Zn-0系材料層所實質形成之層。 19. 如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，在 基板之一側表面以反射層、第2介電體層、記錄層及第1 介電體層之順序形成，前述第1介電體層及前述第2介電 10 體層之中至少一個介電體層係前述zr—Cr—Ο系材料層， 且以界面連接前述記錄層。 20. 如申請專利範圍第1項所述之資訊記錄媒體，其中，在 基板之一側表面以反射層、第2介電體層、記錄層及第1 介電體層之順序形成，前述第1介電體層及前述第2介電 15 體層之中至少一個介電體層係前述式子（3)表示之Zr- Cr 一 Zn — Ο系材料層所實質形成之層。 21 —種資訊記錄媒體之製造方法，係包含基板及記錄層， 且更包含Zr、Cr及0,且Zr的含量爲30原子％以下，Cr 之含有量爲7原子％以上37原子％以下之Zr — Cr — 〇系材 20 料層，其特徵在於： 包含以灘鑛法形成該Zr - Cr - 〇系材料層的步驟。 22·如申請專利範圍第21項所述之資訊記錄媒體之製造方 法，其中，於以丨賤鎪法形成前述Zr〜Cr — 〇系材料層的步 驟中，係使用以式子（1〇): 118 1234779 拾、申請專利範圍 ZrjCrK〇i〇〇-j_K(mol%) · · · (10) (式子中，J及K分別在3$ 24及11$ KS 36的範 圍內，且爲34$ J+K$40) 表示之材料實質地構成的濺鍍標靶。 5 23.如申請專利範圍第21項所述之資訊記錄媒體之製造方 法，其中，於以濺鍍法形成前述Zr — Cr 一 0系材料層的步 驟中，係使用以式子(20): ZrGCrHSiLOioo-ci-H-L(原子％) · · · (20) (式子中，G、Η及L分別在4$G$21、11SHS30及2 10 12 的範圍內，且 34$G+H+L€40) 表示之材料實質地構成的濺鍍標靶，而形成包含Si之Ζι: 一 Cr 一 0系材料層。 24. 如申請專利範圍第21項所述之資訊記錄媒體之製造方 法，其中，於以濺鍍法形成前述Ζι* — Cr 一 0系材料層的步 15 驟中，係使用以式子（11〇) : ^ (Zr〇2)“Cr2〇3)i〇〇-m(mol%) · · · (11〇) (式子中，m爲20$m$80) 表示之材料實質地構成的濺鍍標靶。 25. 如申請專利範圍第21項所述之資訊記錄媒體之製造方 20 法，其中，於以濺鍍法形成前述Zr - Ci: 一 0系材料層的步 驟中，係使用以式子（210)= (Zr02)x(Cr2〇3)y(Si02)i〇〇-x-y(mol%)· · .(210) (式子中，X及y分別在及20$yS60的箪E 圍內，且 60Sx+yS90) 119 1234779 拾、申請專利範圍 表示之材料實質地構成的濺鍍標靶，而形成包含Si之Ζι· —Cr 一 0系材料層。 26·如申請專利範圍第25項所述之資訊記錄媒體之製造方 法，其中，前述式子（210)所表示之材料係將Zr02與Si02 5 以包含略相等的比例，而以式子（220)表示： (ZrSi〇4)z(Cr2〇3)i〇〇-z(mol% ) · · · (220) (式子中，z係在25SzS67的範圍內）。 27· —種資訊記錄媒體之製造方法，係包含基板及記錄層， 且更包含由Zr — Cr —Zn — 0系材料層所實質構成之層，其 10 特徵在於： 包含以濺鍍法形成該Zr-Cr - Zn - 0系材料層所構成 之層的步驟，此步驟使用式子（30): (Zr 〇2)c (C r 2〇3) e (D) f ( Si〇2) loo-c-e-f (mo 1 % ) · · · (30) (式子中，D爲ZnS、ZnSe或ZnO，c、e及f分別在20 15 -。^60及20^6^60、10^：^40的範圍內，且60-。+6 + f^90) 所表示之材料所實質構成者。 28.如申請專利範圍第27項所述之資訊記錄媒體之製造方 法，其中，前述式子（30)所表示之材料係將Zr02與Si02 20 以包含略相等的比例，而以式子（310)表示： (ZrSi〇4)a(CΓ2〇3)b(D)loo-a-b (mo 1 % ) · . · (310) (式子中，D爲ZnS、ZnSe或ZnO，a及b分別在25$ aS 54 及25$bS63的範圍內，且50Sa+b$88)所表示之材料 者。 120