JPH0762918B2 - 読み出し専用光ディスク - Google Patents
読み出し専用光ディスクInfo
- Publication number
- JPH0762918B2 JPH0762918B2 JP1166080A JP16608089A JPH0762918B2 JP H0762918 B2 JPH0762918 B2 JP H0762918B2 JP 1166080 A JP1166080 A JP 1166080A JP 16608089 A JP16608089 A JP 16608089A JP H0762918 B2 JPH0762918 B2 JP H0762918B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- glass substrate
- film
- read
- optical disc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はレーザーを用いて情報の読み出しを行う光ディ
スクに関し、特に信頼性、耐候性に優れた読み出し専用
の光ディクスに関するものである。
スクに関し、特に信頼性、耐候性に優れた読み出し専用
の光ディクスに関するものである。
（従来の技術） 読み出し専用の光ディスクとしてコンパクトディスク
（以下、CDを呼ぶ）が広く知られている。CDはポリカー
ボネート基板（以下、PC基板と呼ぶ。）上にアルミニウ
ムからなる反射膜及UV硬化樹脂からなる保護膜を設けた
構成になっており、予めPC基板上に形成された微小な凹
凸（以下、ピットと呼ぶ。）による光の変調を利用し
て、音声の再生を可能にするものである。
（以下、CDを呼ぶ）が広く知られている。CDはポリカー
ボネート基板（以下、PC基板と呼ぶ。）上にアルミニウ
ムからなる反射膜及UV硬化樹脂からなる保護膜を設けた
構成になっており、予めPC基板上に形成された微小な凹
凸（以下、ピットと呼ぶ。）による光の変調を利用し
て、音声の再生を可能にするものである。
また、近年、上述した音声再生用のみならず、CD−ROM
と呼ばれる各種データの読み出し専用光ディスクもいろ
いろな分野に用いられつつある。例えば、パーソナルコ
ンピュータ用のデータ媒体、電子出版媒体などへ展開し
ている。
と呼ばれる各種データの読み出し専用光ディスクもいろ
いろな分野に用いられつつある。例えば、パーソナルコ
ンピュータ用のデータ媒体、電子出版媒体などへ展開し
ている。
（発明が解決しようとする課題） CD−ROMは従来のCD作製技術によりPC基板を用いて容易
に作製できるが、読み出しの信頼性、データの保存性
（CD−ROMの耐候性）を強く要求される場合はPC基板で
は問題となる。即ち、PC基板が持つ吸水性、透湿性のた
めに反りあるいは反射膜の腐食、剥離などの劣化を生じ
易い。更に、CDにおいても、例えば車両搭載などを考え
ると、その環境条件は苛酷なものであり、より高品質の
ものが求められる。
に作製できるが、読み出しの信頼性、データの保存性
（CD−ROMの耐候性）を強く要求される場合はPC基板で
は問題となる。即ち、PC基板が持つ吸水性、透湿性のた
めに反りあるいは反射膜の腐食、剥離などの劣化を生じ
易い。更に、CDにおいても、例えば車両搭載などを考え
ると、その環境条件は苛酷なものであり、より高品質の
ものが求められる。
本発明の目的は高信頼性、高耐候性を有する読み出し専
用光ディスクを提供することにある。
用光ディスクを提供することにある。
（課題を解決するための手段） 以下、第１図を用いて本発明を説明する。第１図は、本
発明の概略断面図である。
発明の概略断面図である。
本発明によれば、吸湿性、透湿性のないガラス基板１を
用い、まず、拡散防止層２を形成する。次に、その拡散
防止層２を付けた面と反対側のガラス基板面にいわゆる
ゾルゲル法と呼ばれる手法を用いて、有機金属化合物を
焼成することにより得られるガラス状のピットパターン
をもった焼成層３を形成し、次いで高耐食性の反射膜
４、保護膜５を順次積層することにより、高信頼性の読
み出し専用光ディスクが得られる。
用い、まず、拡散防止層２を形成する。次に、その拡散
防止層２を付けた面と反対側のガラス基板面にいわゆる
ゾルゲル法と呼ばれる手法を用いて、有機金属化合物を
焼成することにより得られるガラス状のピットパターン
をもった焼成層３を形成し、次いで高耐食性の反射膜
４、保護膜５を順次積層することにより、高信頼性の読
み出し専用光ディスクが得られる。
ガラス基板１としては通常のソーダライムガラス、アル
ミノケイ酸ガラスなどが用いられるが、光ディスクとし
ての信頼性の観点からみると、化学強化を施されたもの
が好ましい。
ミノケイ酸ガラスなどが用いられるが、光ディスクとし
ての信頼性の観点からみると、化学強化を施されたもの
が好ましい。
しかしながら、通常の化学強化を行うためにはガラスが
Li,Naなどのアルカリ金属を含むことが必要になる。こ
のアルカリ金属は、ガラスを高温高湿下に置いた場合、
ガラス表面に拡散し、例えばNa2CO3のような塩にするこ
とが良く知られている。このような変化はレーザ光を照
射して読み出しを行う際の障害となり、光ディスクとし
ての特性上好ましくない。そこで、拡散防止層２が必要
になる。この拡散防止層２の材料は各種無機酸化物を用
いることが出来るが、光ディスクとしての特性を勘案す
ると、Si,Ti,Ta,Zr,Al,Sn,Crの酸化物を単独もしくは組
み合わせて使用することが好ましい。また、Si3N4も良
好な特性を示す。これらの酸化物あるいは窒化物はスパ
ッタ法などにより容易に形成することが出来る。
Li,Naなどのアルカリ金属を含むことが必要になる。こ
のアルカリ金属は、ガラスを高温高湿下に置いた場合、
ガラス表面に拡散し、例えばNa2CO3のような塩にするこ
とが良く知られている。このような変化はレーザ光を照
射して読み出しを行う際の障害となり、光ディスクとし
ての特性上好ましくない。そこで、拡散防止層２が必要
になる。この拡散防止層２の材料は各種無機酸化物を用
いることが出来るが、光ディスクとしての特性を勘案す
ると、Si,Ti,Ta,Zr,Al,Sn,Crの酸化物を単独もしくは組
み合わせて使用することが好ましい。また、Si3N4も良
好な特性を示す。これらの酸化物あるいは窒化物はスパ
ッタ法などにより容易に形成することが出来る。
所望のピットパターンをガラス基板の上に形成するに
は、以下に示すようにゾルゲン法を用いて容易に行うこ
とが出来る。
は、以下に示すようにゾルゲン法を用いて容易に行うこ
とが出来る。
まず、金属アルコレート、水、塩酸、アルコールなどか
ら成る塗布溶液を調製し、ガラス基板上に所定の厚さに
なるようにスピンコートする。次いで、所望のピットパ
ターンになるように設計された樹脂製の型を押し当て、
60〜120℃程度の温度で一次焼成を行う。その後、ガラ
ス基板を離型し、250〜400℃で二次焼成を行い、溶剤、
添加剤などの有機成分を除去することにより所望のピッ
トパターンを有する非晶質の金属酸化物層３を形成でき
る。
ら成る塗布溶液を調製し、ガラス基板上に所定の厚さに
なるようにスピンコートする。次いで、所望のピットパ
ターンになるように設計された樹脂製の型を押し当て、
60〜120℃程度の温度で一次焼成を行う。その後、ガラ
ス基板を離型し、250〜400℃で二次焼成を行い、溶剤、
添加剤などの有機成分を除去することにより所望のピッ
トパターンを有する非晶質の金属酸化物層３を形成でき
る。
ここで用いられる金属アルコレートとしては各種の金属
アルコレート、例えばSi,Ti,Zr,Al,Bなどのアルコレー
ト、が使用できるが、光ディスクとしての特性、製造上
の取り扱いやすさなどから、Si系アルコレートあるいは
Si系アルコレートとTi系アルコレートの混合系が好まし
い。
アルコレート、例えばSi,Ti,Zr,Al,Bなどのアルコレー
ト、が使用できるが、光ディスクとしての特性、製造上
の取り扱いやすさなどから、Si系アルコレートあるいは
Si系アルコレートとTi系アルコレートの混合系が好まし
い。
このようにして所望のピットパターンを有する透明なガ
ラス基板を得ることが出来る。
ラス基板を得ることが出来る。
次に、得られたピットパターンを持った焼成層の上に、
反射膜４をスパッタ法などにより付け、更に、保護膜５
をその上に被覆することにより読み出し専用光ディスク
が得られる。
反射膜４をスパッタ法などにより付け、更に、保護膜５
をその上に被覆することにより読み出し専用光ディスク
が得られる。
反射膜４の材料としては、各種の金属、金属窒化物など
を用いることが出来るが、光ディスクとしての特性を満
足すると共に、高耐食性を示すものが好ましく、Au,Au
系合金、TiNを用いることが出来る。
を用いることが出来るが、光ディスクとしての特性を満
足すると共に、高耐食性を示すものが好ましく、Au,Au
系合金、TiNを用いることが出来る。
保護膜５としては、SiO2などの無機酸化物、Si3N4など
の無機窒化物のような無機系のものあるいはUV硬化樹脂
などのような有機系のものが単独もしくは組み合わせて
使用できる。
の無機窒化物のような無機系のものあるいはUV硬化樹脂
などのような有機系のものが単独もしくは組み合わせて
使用できる。
（作用） 本発明による読み出し専用光ディスクは、耐湿性に優れ
る拡散防止層付きのガラス基板及び耐食性に優れる反射
膜を有しているために、高い信頼性を実現できる。
る拡散防止層付きのガラス基板及び耐食性に優れる反射
膜を有しているために、高い信頼性を実現できる。
（実施例） 以下、実施例に基づき詳細に説明する。
実施例１ 化学強化されたガラス基板上に、拡散防止層としてスパ
ッタ法によりSiO2膜を1000Å形成した。次いで、このSi
O2膜面と反対側のガラス基板面の上に、テトラエトキシ
シラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチ
ルアルコール溶液をスピンコートし、有機金属化合物層
を2000〜3000Å形成した。次いで、表面に所定のピット
パターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押し
当て、ピットパターンを転写すると共に120℃で一次焼
成を行った。その後、ガラス基板を離型し、350℃で二
次焼成を行った。
ッタ法によりSiO2膜を1000Å形成した。次いで、このSi
O2膜面と反対側のガラス基板面の上に、テトラエトキシ
シラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチ
ルアルコール溶液をスピンコートし、有機金属化合物層
を2000〜3000Å形成した。次いで、表面に所定のピット
パターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押し
当て、ピットパターンを転写すると共に120℃で一次焼
成を行った。その後、ガラス基板を離型し、350℃で二
次焼成を行った。
このようにして作製したピットパターンを有する焼成層
の上に、反射膜としてスパッタ法でAu−Ta合金膜を約10
00Å、保護膜としてSiO2膜を1000Å順次成膜した。
の上に、反射膜としてスパッタ法でAu−Ta合金膜を約10
00Å、保護膜としてSiO2膜を1000Å順次成膜した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.4×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.9×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が2.4×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.9×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例２ 化学強化されたガラス基板上に、拡散防止層としてスパ
ッタ法によりSiO2−Ta2O5膜を1000Å形成した。次い
で、もう一方のガラス基板面の上に、テトラエトキシシ
ラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチル
アルコール溶液をスピンコートし、有機金属化合物層を
2000〜3000Å形成した。次いで、表面に所定のピットパ
ターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押し当
て、ピットパターンを転写すると共に120℃で一次焼成
を行った。その後、ガラス基板を離型し、350℃で二次
焼成を行った。
ッタ法によりSiO2−Ta2O5膜を1000Å形成した。次い
で、もう一方のガラス基板面の上に、テトラエトキシシ
ラン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチル
アルコール溶液をスピンコートし、有機金属化合物層を
2000〜3000Å形成した。次いで、表面に所定のピットパ
ターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押し当
て、ピットパターンを転写すると共に120℃で一次焼成
を行った。その後、ガラス基板を離型し、350℃で二次
焼成を行った。
このようにして作製したピットパターンを有する焼成層
の上に、スパッタ法でAu−Ta合金膜を約1000Å、SiO2膜
を1000Å順次成膜した。
の上に、スパッタ法でAu−Ta合金膜を約1000Å、SiO2膜
を1000Å順次成膜した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.4×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.9×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が2.4×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.9×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例３ 化学強化されたガラス基板上に、スパッタ法によりSiO2
−TiO2膜を1000Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
−TiO2膜を1000Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.3×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.5×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が2.3×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.5×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例４ 化学強化されたガラス基板上に、スパッタ法によりSiO2
−ZrO2膜を800Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
−ZrO2膜を800Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.7×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.5×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が2.7×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.5×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例５ 化学強化されたガラス基板上に、スパッタ法によりSiO2
−Al2O2膜を800Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
−Al2O2膜を800Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下げ耐候性を評価し
たところ、初期値が2.1×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.6×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が2.1×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.6×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例６ 化学強化されたガラス基板上に、スパッタ法によりSiO2
−SnO2膜を1000Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
−SnO2膜を1000Å形成した。次に、実施例２と同様に、
ガラス基板のもう一方の面に順次焼成層、反射膜層、保
護膜層を形成した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.4×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が2.4×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例７ 化学強化されたガラス基板上に、スパッタ法によりSiO2
−Ta2O5膜を1000Å形成した。次いで、テトラエトキシ
シラン、テトラブトキシチタン、塩 得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.6×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。酸、水、ポリエチレングリコ
ールを含むエチルアルコール溶液をスピンコートし、有
機金属化合物層を2000〜3000Å形成した。次いで、表面
に所定のピットパターンを有する樹脂製の型を有機金属
化合物層に押し当て、ピットパターンを転写すると共に
100℃で一次焼成を行った。その後、ガラス基板を離型
し、350℃で二次焼成を行った。
−Ta2O5膜を1000Å形成した。次いで、テトラエトキシ
シラン、テトラブトキシチタン、塩 得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.6×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。酸、水、ポリエチレングリコ
ールを含むエチルアルコール溶液をスピンコートし、有
機金属化合物層を2000〜3000Å形成した。次いで、表面
に所定のピットパターンを有する樹脂製の型を有機金属
化合物層に押し当て、ピットパターンを転写すると共に
100℃で一次焼成を行った。その後、ガラス基板を離型
し、350℃で二次焼成を行った。
このようにして作製したピットパトーンを有する焼成層
の上に、反射膜としてスパッタ法でAu−Ge合金膜を約10
00Å、SiO2膜を1000Å順次成膜した。更にその上をUV硬
化樹脂層で被覆した。
の上に、反射膜としてスパッタ法でAu−Ge合金膜を約10
00Å、SiO2膜を1000Å順次成膜した。更にその上をUV硬
化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が1.3×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には1.6×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が1.3×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には1.6×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例８ 化学強化されたガラス基板上に、スパッタ法によりSiO2
−CrO2膜を1000Å形成した。次いで、もう一方のガラス
基板面の上にテトラエトキシシラン、テトラブトキシチ
タン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチル
アルコール溶液をスピンコートし、有機金属化合物層を
2000〜3000Å形成した。次いで、表面に所定のピットパ
ターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押し当
て、ピットパターンを転写すると共に100℃で一次焼成
を行った。その後、ガラス基板を離型し、350℃で二次
焼成を行った。
−CrO2膜を1000Å形成した。次いで、もう一方のガラス
基板面の上にテトラエトキシシラン、テトラブトキシチ
タン、塩酸、水、ポリエチレングリコールを含むエチル
アルコール溶液をスピンコートし、有機金属化合物層を
2000〜3000Å形成した。次いで、表面に所定のピットパ
ターンを有する樹脂製の型を有機金属化合物層に押し当
て、ピットパターンを転写すると共に100℃で一次焼成
を行った。その後、ガラス基板を離型し、350℃で二次
焼成を行った。
このようにして作製したピットパトーンを有する焼成層
の上に、スパッタ法でAu−Ge合金膜を約1000Å、SiO2膜
を1000Å順次成膜した。更にその上をUV硬化樹脂層で被
覆した。
の上に、スパッタ法でAu−Ge合金膜を約1000Å、SiO2膜
を1000Å順次成膜した。更にその上をUV硬化樹脂層で被
覆した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が1.8×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が1.8×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例９ 化学強化さたガラス基板に、スパッタ法によりSi3N4膜
を800Å形成した。次いで、一方のガラス基板面の上に
テトラエトキシシラン、テトラブトキシチタン、塩酸、
水、ポリエチレングリコールを含むエチルアルコール溶
液をスピンコートし、有機金属化合物層を2000〜3000Å
形成した。次いで、表面に所定のピットパターンを有す
る樹脂製の型を有機金属化合物層に押し当て、ピットパ
ターンを転写すると共に100℃で一次焼成を行った。そ
の後、ガラス基板を離型し、350℃二次焼成を行った。
を800Å形成した。次いで、一方のガラス基板面の上に
テトラエトキシシラン、テトラブトキシチタン、塩酸、
水、ポリエチレングリコールを含むエチルアルコール溶
液をスピンコートし、有機金属化合物層を2000〜3000Å
形成した。次いで、表面に所定のピットパターンを有す
る樹脂製の型を有機金属化合物層に押し当て、ピットパ
ターンを転写すると共に100℃で一次焼成を行った。そ
の後、ガラス基板を離型し、350℃二次焼成を行った。
このようにして作製したピットパターンを有する焼成層
の上に、スパッタ法でAu−Ge合金膜を約1000Å、SiO2膜
を1000Å順次成膜した。更にその上をUV硬化樹脂層で被
覆した。
の上に、スパッタ法でAu−Ge合金膜を約1000Å、SiO2膜
を1000Å順次成膜した。更にその上をUV硬化樹脂層で被
覆した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が2.9×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が2.9×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には3.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例10 実施例２と同様にして作製したガラス基板のピットパタ
ーンを有する焼成層の上に、クラスターイオンビーム法
でTiN膜を約1000Å、スパッタ法でSi3N4膜を800〜1000
Å順次成膜した。更にその上をUV硬化樹脂層で被覆し
た。
ーンを有する焼成層の上に、クラスターイオンビーム法
でTiN膜を約1000Å、スパッタ法でSi3N4膜を800〜1000
Å順次成膜した。更にその上をUV硬化樹脂層で被覆し
た。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が1.7×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が1.7×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.1×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
実施例11 実施例２と同様にして作製したガラス基板のピットパタ
ーンを有する焼成層の上に、スパッタ法を用いてAu膜を
約1000Å、Si3N4膜を800〜1000Å順次成膜した。更にそ
の上をUV硬化樹脂層で被覆した。
ーンを有する焼成層の上に、スパッタ法を用いてAu膜を
約1000Å、Si3N4膜を800〜1000Å順次成膜した。更にそ
の上をUV硬化樹脂層で被覆した。
得られた光ディスクを80℃、90％RH下で耐候性を評価し
たところ、初期値が1.5×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.2×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
たところ、初期値が1.5×10-3であったブロックエラー
レートが、500時間後には2.2×10-3にやや増加した。し
かしながら、この程度の変化は再生特性上、何ら問題と
なるレベルではない。また、80℃、90％RHの条件下に１
時間ほど放置した後、取り出して再生を行ったところ、
何ら異常なく再生できた。
比較例 市販されている音楽用のCDディスクについて同様に耐候
性の評価を行ったところ、ブロックエラーレートは５×
10-4（初期値）から著しく変化し、500時間後には測定
不能になっていた。また、80C、90％RH条件下に１時間
はど放置した後、取り出して再生を行ったところ、反り
が大きいため再生不能であった。
性の評価を行ったところ、ブロックエラーレートは５×
10-4（初期値）から著しく変化し、500時間後には測定
不能になっていた。また、80C、90％RH条件下に１時間
はど放置した後、取り出して再生を行ったところ、反り
が大きいため再生不能であった。
（発明の効果） 以上述べてきたように、本発明による読み出し専用光デ
ィスクは信頼性、耐候性に優れており、従来使用できな
かった応用分野への展開を可能にするものである。
ィスクは信頼性、耐候性に優れており、従来使用できな
かった応用分野への展開を可能にするものである。
第１図は本発明による読み出し専用光ディスクの概略断
面図である。 １……ガラス基板、２……拡散防止層、 ３……金属アルコレートの焼成層、４……反射膜、 ５……保護膜
面図である。 １……ガラス基板、２……拡散防止層、 ３……金属アルコレートの焼成層、４……反射膜、 ５……保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齋藤 美紀子 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 塚本 雄二 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 佐藤 明伸 東京都港区芝５丁目33番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 松野 好洋 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 角 俊雄 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 片山 慎也 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 松田 厚範 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−30132（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−40243（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−40244（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】透明なガラス基板上に拡散防止層を形成
し、この拡散防止層を形成した面と対向するもう一方の
ガラス基板上に、微小な凹凸を有する金属アルコレート
の焼成層、Au、Au合金もしくはTiNからなる反射膜及び
保護膜とを順次積層したことを特徴とする読み出し専用
光ディスク。 - 【請求項２】拡散防止層がSi,Ti,Ta,Al,Zr,Sn,Crの中か
ら選ばれた少なくとも一種類以上の元素からなる酸化物
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の読
み出し専用光ディスク。 - 【請求項３】拡散防止層がSi3N4であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の読み出し専用光ディス
ク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166080A JPH0762918B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 読み出し専用光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1166080A JPH0762918B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 読み出し専用光ディスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330133A JPH0330133A (ja) | 1991-02-08 |
| JPH0762918B2 true JPH0762918B2 (ja) | 1995-07-05 |
Family
ID=15824609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166080A Expired - Lifetime JPH0762918B2 (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 読み出し専用光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0762918B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858278B2 (en) | 2001-12-18 | 2005-02-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| EP1324326B1 (en) * | 2001-12-18 | 2005-11-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Information recording medium and method for producing the same |
| KR200447415Y1 (ko) * | 2009-07-28 | 2010-01-25 | 웅진코웨이주식회사 | 위생장갑용 홀더 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP1166080A patent/JPH0762918B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0330133A (ja) | 1991-02-08 |
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