1234010 相同的多層膜系而成，但在其1260 nm -1640 nm波段中除了此濾光 片的所屬信號外其他的波長範圍會産生漏光或雜訊。本發明消除雜訊 之CWDM濾光片在採用四分之一波長堆疊數個結構相同的譜振腔 (cavity)的基礎上，繼續堆疊數個結構不同的四分之一波長的膜層， 使其能夠消除此漏光或雜訊現象，從而可以在光通訊的波段範圍内得 到更廣泛的應用。 【實施方式】 現結合說明書附圖，對本發明消除雜訊之CWDM (c〇arse wavelength division multiplex)濾光片作進一步詳細說明。 如第一和第二圖所示，本發明關於一種消除雜訊iCWDM濾光片 1 ’包括：基板10 ;設置在基板上的第一部分，包括至少兩個第一堆 疊結構，且每一第一堆疊結構自基板侧包括一法布裡一珀羅諧振腔 vFabry-Perot cavity)結構與一第一耦合層；堆疊於第一部分上的 第二部分，包括至少兩個第二堆疊結構，且每一第二堆疊結構自基板 側包括一(HnLH)結構與一第二耦合層；以及第一匹配層，其夾擠於第 一部分與第二部分之間。 第一部分的每一第一堆疊結構的法布裡一珀羅諧振腔自基板側 包括-第-膜堆、-空間層（spacer layer) 15、—第二膜堆與一第 一耦合層（coupling layer)，且第一膜堆與第二膜堆係相對於空間層 15對稱設置。第一膜堆為H，(L，H，)a，第二膜堆為(H，L，)aH，，迅觀空 显層為kL。其中’ a為正整數；L，表示的低折射率膜層；η， 表示;IV4的高折射率膜層；λ，〇表示通過cw〇M濾光片之中心波 TP040030-TW説明書劃線更正頁 u 1234010 長’為1470 nm ; k為大於等於2的正整數。 自基板側依序，第一部分可表達為 H (L h026L：(HT5)2H,UHXUH?)32U(H,L?)3H,L5H5(L,H5)36L：(H5U)3h, LΉXLΉ^)¼LXHT03HXΉXLΉ036LXHΈ^)3HTΉXLΉ^)MLXH^U)3
H L HXLO〇36U(H5U)3H,UH?(L,H,)32L5(H,L5)3H5UH,(L5H,)26L,(H,U )2H，L，。 而對於第二部分的第二膜堆結構而言，n為大於等於2的正整 數’可表示為n=2q，q為正整數。L表示入。/4的低折射率臈層，H表 不入。/4的高折射率膜層，λ〇表示雜訊之中心波長。其第一匹配層為 mH’m為正整數，並且m最好為正偶數；Η表示λ()/4的高折射率膜層， 入〇表示雜訊之中心波長。第二耦合層為L，L表示；^/4的低折射率 膜層，λ。表示雜訊之中心波長。第二部分可表達為
L(H2LH)L(H2LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H2LH)L(H 2LH)L。 本發明還包括-第二匹配層，設置於第二部分上。其自基板側依 序包括1· 7239H及G· 582L，且L表示;I。/4的低折射率膜層 ，Η表示 λ〇/4的高折射率膜層，又。表示雜訊之中心波長。 其中，第二部分的部分奇數或偶數層採用了偶數倍的四分之一波 膜。具體來說’是第二部分的四分之一膜層、结構的第137、14〇、144、 148、152、156、16〇、164、168、172層，採用偶數倍的四分之一波 長膜厚；例如可以是2和4倍。第二部分中交娜疊的高、低折射率 膜層的層數可以是4G層、50層、或者6〇層，等等。具體層數可以 12 TP040030-TW説明書劃線更正頁 1234010 根據具體要求和應用環境來確定，本發明以4〇層爲較佳的實施膜層 數。 在光通訊常用的八個通道中（1470nra、議則51〇国、·. 咖、1570 nm、159〇 nm、_ nm)，本發縣要是針對副⑽ 這個通道而言，其他通道的發明原則都是根據此通道所 心波長位移到149Gnm的話也可_本發明。因此，本發明第一部分 的中心波長;I ’〇可爲1470nm或者I490nm。 消除雜訊之CWDM濾光片1的峰值透過率大於9〇%;且其截止波長 爲：短波1230nm-1457mn，長波1483nm-183〇nm。基板10表面的拋光 直徑爲95mm、厚爲10腿，可包括氧化矽、鋇、鋰、鈉等元素的。低 折射率膜層的材質可以採用氧切膜，高折射辅層的材質可以是氧 化膜。本發明CWDM濾光片1的各四分之一膜層（高折射率膜層、低 折射率膜層等）及基板10的材料可以根據具體要求或條件來確定。 本發明消除雜訊之CWDM遽光片1的正面膜系採用： No/CLH^LHL)1 (H2L)1 (HLH)1 (4LHLH)5 (2LHL)1 (H2LHL2H)1 (L?H〇3 6L：(H：L：)3 H：(L：H：)3 2L：(H：L：)3 H：(LT)4 6L：(H：L：)4H：(L：H：)3 4L：(H：L：)3H：(L：H：) 4 6L：(H：L：)4 H：(L：H：)3 4L：(H：L：)3H：(L：H：)46L：(H：L：)4H：(L：H：)32L：(H：L^ /Ns。背面膜系（抗反射膜)採用：n〇/LHLH/Ns。 第一部分的相鄰兩個法布裡一珀羅諧振腔結構之間以耦合層 (coupling layer)連結。每個法布裡一珀羅諧振腔結構由兩個奇數 或偶數層的多膜層結構（stack)組成。 13 TP040030-TW説明書劃線更正頁 1234010 如第-圖所示，本發明消除雜訊之CWDM滤光片i的基板ι〇上面 分別依次以高折射率堆四分之—波長的第丨膜層後，縣疊低折射率 四分之-波長的膜層，之後再依此順序堆疊至第136層。其中，第6 層以四分之-波長的低折射率膜層堆疊6次，第2()層以四分之一波 長的低折神顧堆疊2次，第36相四分之一波姻低折射率膜 層堆豐6次’第52層以四分之—波長的低折射率膜層堆疊4次，第 68層以四分之-波長的低折射率膜層堆疊6次，第％層以四分之一 波長的低鋪辆層堆疊4次，第⑽層伽分之—波低折射率 膜層堆疊6次，第116層以四分之—波長的低折射補層堆疊2次， 第130層以四分之-波長的低折射率膜層堆疊6次；即爲本發明消除 雜Λ之CWDM濾、光片1用高、低折射率膜層以四分之一波膜堆叠第一 階段的设計’由此可得到本發明之第—部分，其光譜特性圖如第三圖 所不在1260 nm -1288 nra的波段有雜訊。若要消除此雜訊，則必須 再加上苐二階段的膜層堆疊設計。 弟邰刀中，四为之一波長的波長為λ ’〇,如前所述為本發明之 CWDM遽光片1的中心波長，可爲i47〇nm或者1490nm。 第二階段的設計爲在第一階段設計的最後一層上再以四分之一 波膜堆疊，也就是在第136層上再以高、低折射率材料堆疊四分之一 波長的膜層直至第174層爲止，即得到第二部分。其中，第137層以 四分之一波長的高折射率膜層堆疊2次，第140層以四分之一波長的 低折射率膜層堆疊2次，第144層以四分之一波長的低折射率膜層堆 疊2次，第148層以四分之一波長的低折射率膜層堆疊4次，第工犯 TP040030-TW説明書劃線更正頁 14 1234010 層以四分之一波長的低折射率膜層堆疊4次，第156層以四分之一、皮 長的低折射率膜層堆疊4次，第160層以四分之一波長的低折射率膜 層堆疊4次，第164層以四分之一波長的低折射率膜層堆疊4次，第 168層以四分之一波長的低折射率膜層堆疊2次，第172層以四分之 一波長的低折射率膜層堆疊2次。最後，在第174層上面再分別以高、 低折射率材料堆璺非四分之一波長的膜層175和176，作爲整個膜^隹 的微調層，到此即完成整個濾光片的設計。其中，第175層爲高折射 率膜層’其膜厚爲1· 7239倍的四分之一波長；第丨76層爲低折射率 膜層，其膜厚爲0_ 582倍的四分之一波長。 本發明的膜層結構整體亦可描述為： 第一部分··第1層設於玻璃基板1〇上，為高折射率膜層，膜厚為 四分之-波長；第2層為低折射率膜層，堆疊於第丨層高折射率膜層 上，膜厚為四分之-波長;".第6層為低折射率膜層，堆疊於第5層 膜層上’膜厚為6倍的四分之—波長;...第2G層為低折射率膜層，堆 疊於第19祕層上，轉為2倍的四分之—波長;...第36層為低折 射率膜層，堆疊於第35層膜層上，膜厚為6倍的四分之一波長.…第 52層為低雜麵層，堆第51層麟±，轉為4麵四分之 -波長;…第68層為低折射率膜層，堆疊於第67層膜層上，膜厚為 6倍的四分之一波長;...第84層為低折射率膜層，堆疊於第83層膜 層上，膜厚為4倍的四分之—波長;...請層為低折神膜層，堆 疊於第99層膜層上，膜厚為4倍的四分之—波長;·.第ιΐ6層為低折 射率膜層，堆疊於第115層膜層上，膜厚為2倍的四分之—波長;...
TP040030-TW説明書劃線更正買 H 1234010 第130層為低折射率膜層，堆疊於第129層膜層上，膜厚為6倍的四 分之一波長。 第卩刀.第137層為南折射率膜層，堆疊於第136層膜層上， 膜厚為2倍的时之—波長；...第14G層為低折神騎，堆疊於第 139膜層上，賴2倍_分之，請軸折射率膜 層’堆第U3層膜層上，祕為2倍的四分之—波長，第148 層為低折鱗闕，堆4於第147制紅，财為4麵四分之一 波長;…第152層為低折射率膜層，堆疊於第151層膜層上，膜厚為 4倍的四分之一波長;...第156層為低折射率膜層，堆疊於第155層 膜層上，麟為4倍的四分之—;·.·第⑽層為低折射率膜層i 堆疊於第159層膜層上，膜厚為4倍的四分之-波長;...請層為 低折射率膜層，堆疊於第163層膜層上，膜厚為4倍的四分之一波 長;…第168層為低折射率膜層，堆疊於第⑽層膜層上，臈厚為2 七的四为之；皮長;...第172層為低折射率膜層，堆疊於第⑺層膜 層上，膜厚為2倍的四分之—波長;._·第175層為高折射率膜層，堆 疊於第m層上，膜厚為_倍的四分之—波長;請層為低折 射率膜層，堆疊於第175層上，膜厚為〇. 582倍的四分之-波長。 第一心中四刀之一波長的波長為入〇，如前所述表示雜訊之 中。波長其係才木用第二圖所讀第—部分光错特性圖中雜訊所在的 波段的中心波長。而對於她之觀片而言，λ。大約為湖咖左 右0 採用穿 通常’四分之^皮膜的膜厚是在㈣/4時有一個極值， TP040030-TW説明書劃線更正頁 1234010 透式精度0· G1%自紐控纟錢行解監控，也就是說麵厚達到極 值時(峰值或谷值)光控系統立刻停止監控。高折射率膜層的折射率一 般為2· 1-2· 4，低折射率膜層的折射率一般為1>44。 般的光通訊CWDM濾光片大都採用四分之一波長堆疊數個結構 相同的多層膜系而成，但在其126〇 nm -164〇 nm波段中除了此濾光 片的所屬信號外其他的波長範圍會産生漏光或雜訊。本發明消除雜訊 之CWDM濾光片在採用四分之一波長堆疊數個結構相同的諧振腔 (cavity)的基礎上，繼續堆疊數個結構不同的四分之一波長的膜層， 使其能夠消除麟光或雜概象，制可以在光通輯波段範圍内得 到更廣泛的應用。 【圖式簡單說明】 第一圖是本發明消除雜訊之CWDM濾光片的膜層結構示意圖； 第二圖是本發明消除雜訊之CWDM濾光片的示意圖； 第三圖是本發明消除雜訊之CWDM濾光片的第一部分的光譜特性 圖；及 第四圖是本發明消除雜訊之CWDM濾光片的光譜特性圖。 【元件符號說明】 消除雜訊之CWDM據光片 1 基板 1〇
空間層 1R TP040030-TW説明書劃線更正貢 17 1234010 十、申請專利範圍： 1、 一種消除雜訊之CWDM濾光片，包括： 基板； 第一部分，設於基板上，包括至少兩個第一堆疊結構，且每一第 -堆疊結構自基板她括—法布裡—％羅驗腔結構與—第一麵合 層； 第二部分’設於第-部分上，包括至少兩個第二堆疊結構，且每 -第二堆疊結構於基板側包括一(HnLH)結構與一第二輕合層，其中η 社於等於2的正整數，L表示的低折射率膜層，η表示、又。/4 的高折射率膜層，表示雜訊之中心波長；以及 第一匹配層，夾擠於第一部分與第二部分之間。 如申凊專利範圍第1項所述的消除雜訊之議滤光片，其 中：第二麵合層為L，L表示W4的低折射率膜層，表示雜訊之 中心波長。 3、如申請專利範圍第丄項所述的消除雜訊之c圓慮光片，其 中：n=2q，q為正整數。 4如申明專利細第1項所述的消除雜訊之CWDM濾光片，其 中：第-匹配層為mH，ra為正整數，η表示λ〇/4的高折射率膜層， λ〇表示雜訊之中心波長。 5、 如申明專利耗圍第！項所述的消除雜訊之⑽請光片，更 包括：第二匹配層，設置於第二部分上。 6、 如申明專利範圍第w所述的消除雜訊之隱濾光片，其 TP040030-TW説明書劃線更正頁 π 1234010 中：第二匹配層自基板側依序包括丨· 7239H及〇· 582L，且L表示λ 〇/4 的低折射率膜層，Η表示入。/4的高折射率膜層，λ。表示雜訊之中心 波長。 7、 如申請專利範圍第1項所述的消除雜訊之CWDM濾光片， ’、中母法布裡一拍羅遭振腔結構自基板侧依序為 H(LH)kL(H’L’)aH’ ’且a為正整數，k為大於等於2的正整數，l， 表示AV4的彳氏折射率膜層，H，表*λν4的高折射率膜層，又,〇表 示通過CWDM濾光片之中心波長。 8、 如申請專利範圍第7項所述的消除雜訊之cwdm濾光片，其 中第一麵合層為L，。 9、 如申請專利範圍第4項所述的消除雜訊之CWDM濾光片，其 中：m最好為正偶數。 ίο、如申請專利範圍第丨項所述的消除雜訊之CWDM濾光片，其 中·其截止波長爲：短波1230nm- 1457nm，長波I483nm-1640nm。 11、 如申請專利範圍第1〇項所述的消除雜訊之CWDM濾光片， 其中 ： 第二 部分為
L(H2LH)L(H2LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H 4LH)L(H2LH)L(H2LH)L。 12、 如申請專利範圍第8項所述的消除雜訊之CWDM濾光片，其 中：第一部分自基板側依序為 H，(L，H，)26L:(H，L，)2H，L，H，(L，H，)32L，(H， L03HΈΉXLΉ036L：(H^^)3H^LΉ^(LΉ5)34L^(H5L5)3H^LΉ^(LΉ^)36U( TP040030-TW説明書劃線更正頁 19 1234010 ’(H’L’)3H，L，H，(L，H，)26L，(H，L，)2H，L，。 如申請專利範圍帛12項所述的消除雜訊之〇麵渡光片， 其中：又，。為147〇 nm。 14、一種消除雜訊之CWDM濾光片，包括： 基板； 第4刀，包括至少兩第一堆疊結構，且每一第一堆疊結構自基 板側包括-第—膜堆、—空間層、—第二膜堆與U合層； 第二部分，包括至少兩個第二堆疊結構，且每一第二堆疊結構自 基板側包括-(HnLH)結構與一第二麵合層，其中n為大於等於2的正 整數’ L表示W4 #低折射率膜層，H表示又。/4的高折射率膜層， 又0表示雜訊之中心波長；以及 第一匹配層，夾擠於第一部分與第二部分之間。 豆5々如申凊專利範圍第14項所述的消除雜訊之圓遽光片， 其中·第二麵合層為L，L表示λ〇/4的低折射率膜層，λ。表示雜訊 之中心波長。 6如申凊專利範圍第14項所述的消除雜訊之議渡光片， 其中· n=2q，q為正整數。 7々如申印專利fe圍第14項所述的消除雜訊之議渡光片， 其中：第-匹配層為mH，m為正整數，H表示W4的高折射率膜層， 入0表示雜訊之中心波長。 18如中咕專利乾圍第14項所述的消除雜訊之腦遽光片， 更包括·第二匹配層，設置於第二部分上。 TP_〇3〇-TW説明書劃線更正頁 20 1234010 如申明專利|&圍第14項所述的消除雜訊之觀滤光片， 其中·第二匹配層自基板側依序包括丨· _及Q·观，且L表示 的低折射率膜層，Η表示入。/4的高折射率膜層，入。表示雜訊之 中心波長。 如申明專利範圍第14項所述的消除雜訊之CWDM據光片， 其中’第-部分的第-卿與第二膜堆係相對於空間層對稱設置。 21如申明專利|&圍第2〇項所述的消除雜訊之漏渡光片， 其中第-膜堆為H，(L，HT，且第二__，咖，，其^為正整數， L’表示AV4的低折射補層，H，表示以的高折射補層，λ，〇 表示通過CWDM濾光片之中心波長。 22、 如申請專利範圍第21項所述的消除雜訊之CWDM濾、光片， 其中空間層為kL’，k為大於等於2的正整數。 23、 如申請專利範圍第22項所述的消除雜訊之CWDM濾光片， 其中第一搞合層為L，。 24、 如申請專利範圍第17項所述的消除雜訊之(^1^濾光片， 其中：m最好為正偶數。 25、 如申請專利範圍第η項所述的消除雜訊之(^]^濾光片， 其中：其截止波長爲：短波1230nm-1457nm，長波I483nm-1640nm。 26、 如申請專利範圍第25項所述的消除雜訊之CWDM濾光片， 其中：第二部分為 L(H2LH)L(H2LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H4LH)L(H4LH) L(H4LH)L(H2LH)L(H2LH)L。 27、 如申請專利範圍第23項所述的消除雜訊之CWDM濾光片， TP040030-TW説明書劃線更正頁 21 1234010 其中：第一部分自基板側依序為 H’(L’H’)26L:(H’L，)2H’L’H’(L’H’)32L’ (H’L’)3H’L’H’(L’H’)36L:(H’L’)3H’L’H’(L’H’)34L’(H’L’)3H’L’H’(L’H’)36 L’(H’L’)3H’L’H’(L’H’)34L’(H’L’)3H’L’H’(L’H’)36L’(H’L’)3H’L’H’(L’H’） 32L，(H，L，)3H，L，H，(L，H，)26L，(H，L，)2H，L，。 28、如申請專利範圍第27項所述的消除雜訊之CWDM濾光片，其 中：λ ’〇 為 1470 nm。 TP040030-TW説明書劃線更正頁 22 1234010 第 176層 0.582Lj 〔第172層2L 第164層4L 第156層4L 第148層4L 第137層2H 第116層21； 第84層41； 第52層41； 第20層21； 第2層1/
第 175 層 1.7239H 第168層2L 1 第160層4L 第152層4L 第144層2L 第140層2L 第130層61； 第100層61： 第68層61/ 第36層61/ 第6層61/ 第1層W
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