TWI233601B - Optical recording medium manufacturing method, optical recording medium manufacturing apparatus and optical recording medium - Google Patents

Description

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五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域·· 本發明是有關於一種在基材之一表面上形成至小 以光照射進行初期化之記錄層之後、於上述記錄声 /層 透光層之光記錄媒體的製造方法、與光記錄媒體二5 2 $ 置’以及利用上述製造方法與上述製造裝置所製 =: htr i-u- jaA 自勺 吕己 先前技術： 光a己錄媒體以咼密度、大容量等優點受到注目，' 已應用於各式各樣的用途。特別是可將所記錄之資訊^ 及進行再記錄之重複讀寫式光記錄媒體，因其可進j ^ 的：復及更新，且可重複進行重複讀冑，故於光記錄媒體 之：泛用途的應用上尤其受到重才見。此種光記錄媒體中磁 光式Α錄媒體（Μ0)與相變化型光記錄媒體等 商品化。 观间知汉 #咛ί:辨广習知利用相變化進行可重複讀寫之相變化型 媒體（以下均以「光記錄媒體」表示）之代表性之一 例’示於第11圖。圖中所示之光記錄媒體51 ί 面（圖中之上方表面)起依序形成記錄層 二ί!Λ、與覆蓋層7等所堆積構成。基材52之材質係 # 材料（例如以聚碳酸酯為主要成分之樹脂 1=出成形作出所欲厚度的平板形狀（例如為圓盤 此時基材52之表面（圖中之上方表面）上亦會同時形 4司服用之凹槽等的細微凹凸（未綠示）。記錄層5 4具

1233601 五、發明說明（2) -~ --— 有第一保護層54a、相變化材料層54b與第二保護層η。， 上述各層54a、54b、54c於基材52上係依此順序堆積形 成。其中第一保護層54a與第二保護層54c之材質例如為氣 化鋁或ZnS-Si〇2等介電材料，相變化材料層54b之材質例 如為GeTeSb、InSbTe或AgGelnSbTe等材料。反射層3之材 質例如利用A 1、Ag或N i等金屬，形成於記錄層54上。 層7之材質例如利用樹脂材料，形成於反射層3上。1 光記錄媒體51中，由基材52側以設定為記錄功率之 ^光束（以下以「記錄用雷射光束」表示）對記錄層“進行 照射，由於其可使包括相變化材料層54b之記錄層54於 結晶狀態與結晶狀態間產生可逆性之相變化，故可進行 錄記號的形成及去除。換言之，當使用記錄用雷射光束照 射記錄層54(尤其是相變化材料層54b)日夺，被照射的部分、、 加熱到溫度超過熔點後急速冷卻（淬火）而形成非結晶化狀 態，因而形成對應於記錄信號之記錄記號；當記錄用雷射 光束照射記錄層54時，記錄層54被照射的部分加熱到溫度 ，過結晶化溫度後緩慢進行冷卻（退火）而形成結晶化狀 怨’因而使記錄記號去除。當讀取時，以設定為讀取功率 之雷射光束（使用比進行記錄時具較低功率之雷射光 以下以「讀取用雷射光束」表示）對記錄層54進行昭射， 利用非結晶狀態與結晶狀態間隨著光學常數變化而產生變 # 5 射率的差4、來判別記錄記號的有無，以進行資 在製作光記錄媒體51時，首先以射出成形形成表面

1233601 五、發明說明（3) (:，中表具有凹槽等之細微凹凸的圓盤狀基材52。接 f辦二二μ ®广具細微凹凸之表面上形成記錄層54。其中 』二本π I曰，與第—、第二保護層54a、54c 一般係以 :賤鍍^成。然後，於記錄層54上形成反射層3，之後例 如以旋塗法於反射屑q L , u 化材料層54b於剛形成斤：盍層7。記錄層54中之相變 能進行記錄。因此二非/晶狀態，此時使用者並不 材料層54b)進行初期;須對記錄層54(尤其是相變化 進行記錄層54之初期匕2驟二，於形成覆蓋層7後，需 或記錄用雷射光束之昭二疋二與，取用雷射光束 二用高功率之雷射光束(以下以「初期化 ,.^ J 不照射，進行記錄層54之初期化步驟。 社M ，本發明人已開發完成如第1 2圖所示之具有層積 透光二/ΛΛ序形成反射層3、記祕 所射^ (例：為圓盤狀)。此時 反：L 時二成:二伺服用之凹槽等的細微凹凸(未繪示）。 lit &材Λ Λ使用A1、A g或N1等金屬，形成於基材2 相變化材料層4b與第二保護層4c，上述Ί4&、 反射層3上係依此順序形成。i “於 汁〜风具中第一保護層4a與第二保 2186-5256- PF(N);Ahddub, ptd 第7頁 466 1233601 五、發明說明（4) 護層4c之材質例如為氧化鋁或ZnS —Si〇2等介電材料，相變 化材料層4b之材質例如為GeTeSb、InSbTe或AgGelnSbTe等 f料。覆蓋層7之材質例如使用透光性樹脂材料，形成於 第一保護層4 a上。 光記錄媒體61中，由覆蓋層7側以記錄用雷射光束（例 如波長為405nm、且設定為記錄功率之雷射光束）對記錄層 4進行照射，由於其可使包括相變化材料層扑之記錄層4於 非結晶狀態與結晶狀態間產生可逆性之相變化，故可進行 =录記號的形成及去除。換言之，當使用記錄用雷射光束 己錄層4(尤其是相變化材料層4b)時，被照射的部分 二=熔點後急速冷卻(淬火)而形成非結晶化狀 二：ίΐ 錄信號之記錄記號；當記錄用雷射 先束”、、射圮錄層4時，記錄層4被照射的部分加埶 = = 慢進行冷卻(退火)而形成結晶化Li， .„ Ϊ Ϊ 4〇51 ^ , t ^ „ 行照射，利用非結y己^時曰-車父低功率之雷射光束）進 而產生變化之光反射率：差間隨著光學常數變化 以進行資料的讀取。、、 別纪錄記號的有無， (一表在mGf61時，首先以射出成形形成表面 i^4 t ^ t # ,^4； # ^ ^ ^

1233601 五、發明說明（5) 形成覆蓋層7。記錄層4中之相變化材料 非結晶狀態，此時使用者並不能進行二。田=形成時為 光記錄媒體6 1在使用者可立刻直接使用^屮，了使 製造光記錄媒體61時必須對記錄層4 复ς 貨，在 4㈣初期化之步驟。故於形成V蓋尤义相=材料層 層4之初期化步，驟。於是，卩與 進们己錄 雷射光束，照射方向同一方向(即由】=則束起^ :)一，以南功率之雷射光束（以下以「初期化用雷射光束 表不）照射’進行記錄層4之初期化步驟。此時，為了使二 Ξ ”射ί束效率佳、可於短時間内進行初期化步驟並 k尚生產效率，記錄用雷射光束與讀取用雷射光束係使用 不同波長的雷射光束。初期化用之雷射光束一般係使用波 長810nm之雷射光束，此初期化用之雷射光束例如藉由開 口數NACNumeri cal Aperture)約為 〇. 4(例如為〇· 34)之物 鏡，對光記錄媒體61進行照射。如此即完成了具有經初期 化之記錄層4的光記錄媒體6丨。 為了符合更大容量之光記錄媒體之開發與商品化的要 求’發明人目前正從事以光記錄媒體6丨為基礎、且具更大 容量之光記錄媒體71的開發。關於此光記錄媒體7丨之說明 請對照第1 3圖。圖中與光記錄媒體6丨具相同結構之部份均 以相同符號標示’其說明亦不重複敘述。 此光記錄媒體7 1，亦即單面多層（例如兩層）記錄層型 光記錄媒體（以下以「多層記錄層型光記錄媒體」或「光 記錄媒體」表示），如圖所示，於基材2之一表面（圖中之

1233601 發明說明（6) ΐίϊ)之上門=成包括反射層3與記錄層4之L1層、作為 m 光層之覆蓋層7。=上以下二L°層表示）、與作為透 於责τη Μ V /、中間隔層5之厚度ΤΗ通常設定為20 # 二6包括第二：2表面上形成有凹槽等之細微凹凸。記錄 6曰c，上述各#6護層广、相變化材料層❿與第二保護層 右_微凹凸^ ^、6b、係以此順序形成於間隔層5之具 4 ^4b ^4οΓί 〇 J篕戶7之材料/與厚度均相異，但卻具有相同之功能。 覆盍層7之材枓為樹脂材料，形成於[〇層上。 :使是光記錄媒體71，於製造過程中仍需進行_ ’初』b ^驟。如第！ 4圖所示，與光記錄媒體6 j相 同於开v成覆蓋層7後，使用物鏡L £進行如同光記錄媒體 61之初期化的初期化步驟。具體地說，以從物鏡LE射出之 初期化用雷射光束LIN，由覆蓋層7側起對L1層進行照射， 來進行包括記錄層4之L1層的初期化步驟，接著如圖所 示，對L0層照射初期化用雷射光束Lin，進行L〇層之初期 化。如此完成了具有經初期化之以層與L〇層的光記錄媒體 71 ° 發明内容： 發明所欲解決的課題： 然而，習知之光記錄媒體5 1的製造方法中有下列問題 急需解決。亦即’ I知之光記錄媒體5 1的製造方法中，初 期化用雷射光束是透過基材5 2照射記錄層5 4來進行記錄層

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54的初期 寫造成影 存在有缺 不均等情 勻地照射 點，雖然 束來進行 上前述之 初期化用 執行上的 中存在之 61 、 71 的 側起以L1 所以也會 化步驟。然 響之厚度不 陷或塵埃， 形造成初期 ，導致記錄 有人提出改 記錄層5 4的 厚度不均情 雷射光束被 困難而急需 前項問題， 製造方法， 層、L0層之 存在相同的 =^ 土材52上存在有不會對記錄與讀 均炀形與微小的損壞、或是基材52中 但由於進行初期化時，會因上述厚度 化用雷射光束無法對記錄層54進行均 層54無法均勻地進行初期化。針對此 由覆蓋層7側起照射初期化用雷射光 初期化，但使用此初期化方法，再加 形、損壞與缺陷等問題的存在，使得 反射層3所反射，而導致初期化步驟 解決。另外，光記錄媒體5丨製造方法 即使利用發明人所開發之光記錄媒體 因初期化用雷射光束Lin係由覆蓋層7 順序進行照射來進行各層之初期化， 缺點。 此外，多層記錄層型光記錄媒體之光記錄媒體7丨的製 造方法中更包括下列需要改善的缺點。亦即，如第丨4圖所 示’此製造方法中對形成於間隔層5上之[〇層進行初期化 時，照射L0層所使用之初期化用雷射光束^中之一部分的 雷射光束LPE，會通過L0層與間隔層5達L1層，而雷射光束 Lpe中之一部份的雷射光束LRE會被L1層所反射。此時被反射 的雷射光束LRE與照射L0層之初期化用雷射光束Lin間會因間 隔層5之厚度不均而產生干涉現象。因此，l〇層中會有部 份之吸收光量不相同，結果使得L〇層中各部分的發熱量不 相同（L0層上產生發熱不均）。因此，由於反射之雷射光束

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第11頁 1233601 五、發明說明（8) LRE的再照射’L0層’尤其是記錄層6中之相變化材料声⑽ 可能會產生不均句之結晶狀態’而無法對L〇層進行曰 初期化步驟，故最好能改善此缺點。&外，有人提出於l〇 層形成後再進行L1層之初期化步驟之方法。此時，初 用雷射光束LIN需考慮通過L0層時的吸收量，而必用古 功率。然而，實際上製造可發射出這種高功率之初'期化= 雷射光束LIN之雷射元件時，其技術上卻有很大的困難。 為了使雷射光束LRE之上述影響達最小，利用初期化雷 射光束LIN係由物鏡LE所聚集而成之非平行光之原理的製造 方法被提出。具體地說，此製造方法係形成具更大厚度之 間隔層5，使初期化用雷射光束[在[〇屏由 又 ^ ^ ^ a I, Λ Λ Λ iLl //. 5 ^ fH1 τ Π M ^ ^ . . . T 由耵尤果使被L1層反射而照射至 L0層之雷射先束Lre的光束束徑增加。 於降低因反射而照射至!^〇声之帝私本^ = 射朵旦&目士 4 層之雷射先束‘之單位面積的照 里如=雷射光束‘而在“層中產生發熱之 (尤A ^己钎屉J免因雷射光束Lre之照射所產生之L〇層 的現\ Λ :之相變化材料層6 b )的結晶狀態不均勻 錚婵體於作為透光層之間隔層5之厚度與光記 意地作設計，目此齡動裝置的叹计心息相關，由於無法任 此難以採用上述製造方法。 因此本發明之主里曰从^么丨日7U 方法與光記錄媒體之光記錄媒體之製造 的係提供-種ΐϊ;初期化步驟。再者’本發明之另-目 〃 ’均勻初期化之各記錄層的光記錄媒 第12頁 2186-5256-PF(N)；Ahddub.ptd 1233601 五、發明說明（9) 體。 用以解決課題的手段： 為達成上述目的，本發明提供一種光記錄媒體之製造 方法’上述光記錄媒體具有形成於基材之一表面上至少一 層以光照射進行初期化之記錄層、與形成於上述記錄層上 之透光層，上述光記錄媒體之製造方法包括：形成上述記 錄層；對上述記錄層進行初期化；以及於上述完成初期化 之§己錄層上形成上述透光層。

本發明又提供一種光記錄媒體之製造方法，上述光奋 錄媒體具有形成於基材之一表面上以光照射進行初期化戈 複數記錄層、與分別形成於上述各記錄層上之透光層，』 =光記錄媒體之製造方法包括：形成上述複數記錄；；考 虽上述各記錄層形成後，分別對上述各記錄層進行初期 ί層以*於上述完成初期化之各記錄@上分別形成上述ϋ 此外，本發明提供一種光記錄媒體之製造 光記錄媒體具有依序形成於基材之一表面上 彳’ 光照射進行初期化之記錄層、與透光層，上"^射層

之製造方法包括：形成上述記錄層；對上f光記錄媒 期化；以及於上述完成初期化之記錄層#錄層進行 層。 上形成上述透光 根據上述光記錄媒體之製造方法，上 期化時，最好以與讀取用雷射光束及記二記錄層進行初 己錄用雷射光束之照

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再者，本發明提供一種光記錄媒體之製造方法，上述 ΐ =媒體具有形成於基材之—表面上分別包括記錄層之 不㈢、與形成於上述各層間之間隔層，其中上述記錄層 ΐ進行初期* ’上述光記錄媒體之製造方法包括下 驟：形成一層上述層’其中上述層對通過其上層 之上述間隔層入射之初期化用雷射光

r率為3。%以下；對上述層照射上述初期化〜狀雷^ 束，以進行初期化；於完成初期化之 隔層；於上述間隔層上形成另一上述層乂 =上= 層照射上述初期化用雷射光束，以進行初期化。 述 又本發明提出一種光記錄媒體製 錄媒體具有形成於基材之一表面上分… 層、與形成於上述各層間之間隔# 。己錄層之複數 照射進行初期⑶，上述光記錄媒體 ：己：層以先 間步驟：％成-層上述層，A中 ^方法包括下列中 述間隔層入射之初期化用雷射光束於初 ;^層之上

射通過上述間隔層之V述，二成化上用述二隔層；對上述層照 化；於上述間隔層上形mu射光束；“進行初期 照射上述初期化用雷射光束，^曰，以及對另一上述層 根據上述光記錄媒體i製初期化。 射光束與讀取用雷射光走之本^; ώ，套’上述層對記錄用雷 尤反射率最好在20%以上。

1233601 五、發明說明（11) •盥：ί ί 3光°己錄媒體之製造方法，上述記錄用雷射光 光束較佳係使用未滿500nm之波長的光； 夕、I Γ月-田射光束較佳係使用500nm以上l〇〇〇nm以下 之波長的光。又上述記錄層最好以相變化材料所形成。 丄此外’本發明提出一種光記錄媒體之製造裝置，上述 :記”體具有形成於基材之一表面上至少一二照射 進订初期化之記錄層、與形成於上述記錄層上之透光声， ΐΪΐΪΪ媒Ϊ之製造裝置包括··記錄層形成裝置，用以 ，署、：材ί表面上形成至少一層之上述記錄I ;初期化 凌置’用以肖上述記錄層形成裝置所形成之上述纪錄層進 Γ2Ϊ初形成裝置’用以於經由上述初期化 衣置π成初期化之上述記錄層上形成上述透光声。 本發明提出又一種光記錄媒體之製造裝置7 錄媒體具有形成於基材之一表面上以〃 ° 複數記錄層、與分別形成於上述各；^進行初期化之 上述基材之表面上形成上述複數 行上述各記錄層之初期化；以及透錄層後:進 每次上述初期化裝置完成初期化之上^ ^置，用以於 透光層。 义5己錄層上形成上述 造裝置，上述光記 之反射層、以光照 述光記錄媒體之製 本發明還提出一種光記錄媒體之製 錄媒體具有依序形成於基材之一表面上 射進行初期化之記錄層、與透光層，上

2186-5256-PF(N)；Ahddub.ptd 1233601 五、發明說明（12) 上述基材之表面上 以於上述反射層上 上述記錄層形成裝 及透光層形成裝 化t述記錄層上 上述初期化裝置最 束之照射方向同— 光束來進行初期 造裝置包括··反射層形成裝置，用以於 开> 成上述反射層，記錄層形成裝置，用 形成上述δ己錄層，初期化裝置，用以對 置所形成之上述C錄層進行初期化；以 置，用以於以上述初期化裝置完成初期 形成上述透光層。 根據上述光記錄媒體之製造裝置， 好以與讀取用雷射光束及記錄用雷射光 方向’對上述記錄層照射初期化用雷射 化0 本發明更提出一種光記錄媒體之製造裝置，上 錄媒體具有形成於基材之一表面上分別包括記錄層之= 層、與形成於上述各層間之間隔層，其中上述記錄層以= 照射進行初期化，上述光記錄媒體之製造裝置包括I = 層形成裝置，用以形成一層上述層，其中上述層對通過1 上層之上述間隔層入射之初期化用雷射光束於初期狀熊一 之光反射率為30%以下；第一初期化裝置，用以對上述士層F 照射上述初期化用雷射光束，以進行初期化；間隔層形曰 裝置’用以於完成初期化之上述層上、形成上述間隔居· 第二層形成裝置，用以於上述間隔層上形成另一上述^ ·’ 以及第二初期化裝置，用以對另一上述層照射上述初期化 用雷射光束，以進行初期化。 此外’本發明提出一種光記錄媒體之製造裝置， 上述 光記錄媒體具有形成於基材之一表面上分別包括記錄層之

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複數層、 以光照射 第一層形 過其上層 態下之光 述層上形 照射通過 期化；第 述層；以 初期化用 根據 置所形成 光反射率 與形成於上述各層 進行初期化，上述 成裝置’用以形成 之上述間隔層入射 反射率為30%以下； 成上述間隔層；第 上述間隔層之上述 一層形成裝置，用 及第一初期化襄置 雷射光束，以進行 上述光記錄媒體之 之上述層對記錄用 最佳於20%以上。 間之間隔層，其中上述記錄層 光記錄媒體之製造裝置包栝： 一層上述層，其中上述層對通 之初期化用雷射光束於初期狀 間隔層形成裝置，用以於上 一初期化裝置，用以對上述層 初期化用雷射光束，以進行初 以於上述間隔層上形成另一上

’用以對另一上述層照射上述 初期化。 製造裝置，上述第一層形成裝 雷射光束與讀取用雷射光束之 巧據上述光記錄媒體之製造裝置，上述記錄用雷射光 束與項取用雷射光束最好使用未滿500nm之波長的光上 述第-與第二初期化裝置中所照射之上述初期化用雷射光 束最好使用50Onm以上1〇〇〇nm以下之波長的光。又上述第 一與第二層形成裝置較佳以相變化材料形成上述記錄層。 再者’本發明提供一種光記錄媒體，包括：複數層， 形成於基材之一表面上，分別包括以光照射進行初期化之 記錄層；以及間隔層，形成於上述各層間，其中上述複數 層中除最上層外之其他層對通過其上層之上述間隔層入射 之初期化用雷射光束，於初期狀態下之光反射率於3〇%以 下。

1233601 五、發明說明（14) 根據上述之光A錄媒體，上述複數層中除最上層外之 其他層對通過其上層之上述間隔層入射之初期化用^射光 束，於初期狀態下之光反射率最好於2〇%以上。 根據上述之光記錄媒體，上述記錄用雷 用雷射光束最好使用未滿50 0nm之波長的光；對^上^述複數 層中除最上層外之其他層所照射之上述初期化用雷射光束 最好使用50〇nm以上l〇〇〇nm以下之波長的光。又上述記錄 層較佳係以相變化材料所形成。 σ 實施方式： 请參照所附之圖式，以下蔣料士义 制、止古土 τ , ^ 卜將對本發明之光記錄媒體的 製造方法、光記錄媒體之製造裝置^ 施例作詳細說明。 邱綠體之季乂佳貫 首先先對以此光記錄媒體的製 錄媒體1作說明，請參照第！圖 習士作出之光記 具相同結構之部份以相同符號標示中說；體5丨 光記錄媒體1，如第^不=複敛逑。 基材2之一表面（此圖中之上方 先楗供一基材2，於 凹槽等之細微凹凸（未繪示）。 上形成循軌伺服用之 有細微凹凸的形成表面上依序妒^ =媒體1係由基材2之具 於本發明中作為透光層之覆蓋層^射層3、記錄層4、與 材質為利用聚碳酸酯等之樹脂^ 斤堆積構成。基材2之 厚度的平板形狀（例如為圓盤狀）"’以射出成形作出所欲 可利用透光性之樹脂材料，亦开二形成基材2之樹脂材料 了利用非光透過性之樹脂材

2186-5256-PF(N)；Ahddub.ptd 第18頁 1233601 五、發明說明（15) :斗第反材質例如為…㈣1等金屬。記錄層4包 Π: ^ =變化材料層仏與第二保護層4c，上述 q 4 a於反射層3上係依此順序 。豆一 保護層4 a與第二保護層4 材質 7 ’、 篝A啻uα 之材貝例如為氧化鋁或ZnS-Si〇2 Ι_Τ :ΑΓ，Τ 材料層4b之材質例如為GeTeSb、 材料，1 ^=SbTe等材料° |蓋層7之材質係利用樹脂 柯枓，形成於第二保護層4c上。 錚用ί 2 ί ΐ體1中’由覆蓋層7側以讀取用雷射光束或記 ϊ錄層4進行照射，由於其可使包括相變 二 於非結晶狀態與結晶狀態間產生可 光記鉾棋ί r “，故可進行記錄記號的形成及去除。此時與 率的：里*如目同’利用於非結晶狀態與結晶狀態間透光 =的差來判別記錄記號的有無’以進行資料的讀取。此 ’:己^己號的形成及去除之原理與光記錄媒體51相同。 接者對光記錄媒體丨之製造裝置100作說明，請參照第 ζ圖。 少 製造裝置100包括反射層形成裝置1〇1、記錄層形成裝 置〇2、初期化裝置103與透光層形成裝置1〇4。反射声 成裝置101包括反射層形成室101a與設置於反射層形^室 l〇la中之濺鍍裝置1〇lb，利用濺鍍裝£1〇lb可對運送至反 射層形成室1 0 1 a之基材2的表面形成反射層3。記錄声 裝置1 02包括記錄層形成室丨〇2a與設置於記錄層形成室 l〇2a中之濺鍍裝置1〇2b，利用濺鍍裝置1〇21)可對運送至記 錄層形成室102a之基材2的表面形成記錄層4。初期化裝置

1233601 五、發明說明（16) 1〇3包括旋轉機構103a、未緣示之循執機構 l〇3b，旋轉機構〗03a用來旋轉基材2，而猝=頭乂 未繪示之循軌機構所控制，用來沿材;：:3b :由 槽，對基材2照射設定為初期化功率之 的凹 LIN。於初期化裝置1〇3令可對形成於 田射光束 4進/初期化步驟。透光層形成裝置‘包；；二記進錄層 Ϊ機〇ΐ :染料R之添加機構104b與紫外線 射械構（未繪不），在此可以旋塗法於基材2 二 為透光層之覆蓋層7。 七成作 接著對光記錄媒體1之製造方法作說明。 製造光記錄媒體1時，首先以射出成形形表 凹槽等之細微凹凸t圓盤&基材2。 ^ 成裝置⑻’於基材2上之具有細微凹凸的表^上反射層1 η ’以記錄層形成裝置102 成成反射 r。伴具=說，於反射層3上形成第二保護層二之ΐ於 形成相變化材料層仙，再於相變化材料層 4b上升y成第一保遵層4a。其中篦一保罐庶 ^ 層4b與第一保護層4a均以濺鍍法形成。曰C目變化材料 射光ίΐ昭ΓΓΓ裝置103中，以與讀取用或記錄用雷 X ϋ、、、射方向同一 $向（$即完成製較 起的方向），制形成之記錄層4照 曰側 : 之製造方法’ #照射初期化用雷射 先束LIN寺即使基材2上存在有不會對記錄讀取造成影響 第20頁 2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 1233601 五、發明說明（17) 之厚度不均情形與微小的損壞及缺痕，由於不經 而直接對記錄層4照射初期化用雷射光束^， / 土 受到上述厚度不均等問題的影響，而可對灼: 照射初期化用雷射光束Lin。因此，記錄層4可:層=地 、接著，以透光層形成裝置1 04例如以旋塗法， 初期化之記錄層4上形成覆蓋層7。具體地說，、^ 記錄層4的形成面上添加具有透光性之樹脂染料r = 塗法於整個基材2的表面上塗佈一層薄膜狀的染料r、。’疋 後，照射紫外線使染料R硬化，而形成覆蓋層7。如 了光記錄媒體1的製作。 匕儿成 此製造方法中，於記錄層4形成後、覆蓋層7 對記錄層4直接照射初期化用雷射光束^以進行初期月|，’ 材2與覆蓋層7上之厚度不均、損壞或缺陷 期化用雷射光束Lin不均勾的照射，因 ::均勾地進：記錄層4的初期化。因為覆蓋層7比其他】 f旱’所以覆盍層7上產生厚度不均、損壞與缺陷曰 4Α θ A、^ 在 覆盍層7影響之下對記 錄層4進仃均勻地初期化步驟，可 技術。此外，此製造方法中，以伽> & m 期化 東之昭射方a n t a μ中 與項取用或記錄用雷射光 束之:，、' 射方向同-方向對記錄層4照射初期化用雷射 LIN以進行記錄層4之初期化，由於的 4的初期化。 *"確實且穩定地進行記錄層

第21頁 2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 1233601 五、發明說明（18) 本發明並不只限於上述之實施例，也可作 更。例如，基材2不只限於圓盤&田白、變 基材。另外也可於構成記錄層4之第二保護層重， 形fr直接對相變化材料_射^4 先束LIN進仃相變化材料層4b的初期化，之後田射 化之相變化材料層4b上形成第一保護層4a用=初期 可在不受到第-保護層4a與其他層之n方法， 之狀況下進行記錄層4(尤其是相變化材^荨障形影響 :’因而可對記錄層4進行均句之初期化二之2 發明係以於基材2與記錄層4間形成反射声 \雖然本 作為實施例，但本發明亦可 9 屺錄媒體1 射層之順序所形成的光記於ί;2之上以：錄層4與反 記錄層4照射讀取用或記錄μ 、"之，透過基材2對 媒體的製造中，亦可以與讀缉、束所形成之光記錄 方向相反之方向，進行初期化 射先束之照射 行記錄層4之初期化。 、 IN的照射，以進 此外，本發明之光記錄媒體的製 記錄媒體1之製造，如第3圖 ：並卜限於先 有細微凹凸的表面上形成:己：二3用於基材2之具 造。以下將對此製造方法及=、參;；記錄媒體11的製 20。作說明。，中與光記錄及媒執體法之製造裝置 之部份的說明，在此則不再贅述。八同結構及相同步驟 第4圖首先對光記錄媒體U之製造裝置200作說明，請參照

1233601 — 五、發明說明（19) 置_、間隔層形成)裝02置2:期(开第一初期化裝 成裝置）202、初期化梦置f笛记錄層形成裝置（第二層形 層形成裝置1〇4。間隔層形成；：：化裝置)2〇3、與透光 之旋轉機構2〇la、毕料^之夭^置20^包括用來旋轉基材2 加匕與紫外線照射機構（切示H(未緣示）、透明母版 係以旋塗法於基材2表面上)=層：成裝置2〇1中 第3圖所示）。記錄屏你士肢作為透先層之間隔層5 (如 盥設置於卞轷屌^ 、置202包括記錄層形成室202a ~叹置於$錄層形成室2〇2a中 襞置202b可對運送至記錚層报鍍裝置2〇2b，利用濺鍍 成节样展 . ’、乂成至2〇2a之基材2的表面形 ΐ裝置203包括旋轉機構、未繪示之 2而4二二二2〇3b，旋轉機構2〇3“系用來旋轉基材 著美未繪示之循軌機構所控制，用來沿 土 >成的凹槽，對基材2照射初期化用雷射光束 :。於初期化裝置103中可對形成於基材2表面上 層 b進仃初期化步驟。 接著對光記錄媒體1 1之製造方法作說明。 首先，以與光3己錄媒體1之製造方法相同的方法，藉 由反射層形成裝置101與記錄層形成裝置102形成至記錄曰層 4的部分。接著，以初期化裝置1〇3，直接對記錄層4照射 初期化用雷射光束LIN以進行記錄層4之初期化。在此也可 於構成記錄層4之第二保護層4c與相變化材料層4b形成 後’對相變化材料層4b直接照射初期化雷射光束k來進行 2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第23頁 1233601 五、發明說明（20) 相變化材料層4b的初期化，之後再於完成初期化之相變化 巧料層4b上形成第一保護層4a。接著，於間隔層形成裝置 2〇1中，於第一保護層4a上形成本發明中作為透光層之間 隔層5。此時，於基材2之記錄層4的形成面上添加且有透 光性之樹脂的樹脂材料（染料R1)，並以旋塗法於第一保護 層4a上塗佈一層薄膜狀的樹脂材料，之後於未硬化狀態之 樹脂材料上覆蓋透明母版201b，以形成凹槽等之細微凹 ^。然後，照射紫外線使樹脂材料硬化後，移除透明母版 lb。於此步驟中，間隔層5之表面上形成了凹槽等之細 之广與間隔層5上之記錄層4相同，於記錄層形 成由第一保護層、相變化材料層6b與第 :保所構成之記錄層6後’以與記錄層‘之初期化相 來：二?挤ΪΓ期化裝置203中照射初期化用雷射光束1^ 2進灯圯錄層6之初期化步驟。雖然各層6a、6b、6c盥對 應之各層4a、4b、4c之材質與厚度均相異，但卻具有相同 上最Λ’：透光層形成裝置104中於完成初期化之 作、亲層6上形成覆蓋層7。如此完成了光記錄媒體η的製 體之ίΐ步ΐΐ發明之光記錄媒體之製造方法、光記錄媒 i:ϋ 錄媒體之其他較佳實施例作說明。 媒二ί:用此光記錄媒體之製造方法所製造之光記錄 ，體21作說明’請參照第5圖。光記錄 利用與光圯錄媒體丨丨相同之製造裝置2〇〇所製/造、。圖中與’、

1233601 五、發明說明（21) 體11具相同結構之部份以相同符號標示，說明亦 不重複敘述。 光記錄媒體21，如笫^阊讲- ^ 凸的表面(此圖中之上方=上：，，基材2之具有細微凹 5、_與覆蓋層7表面）上依序形成U層、間隔層 ”層由反射層3與記錄層4所構成，其對初期化用雷射 =圍為5〇〇，1〇〇〇咖之波長，在此以使用 81〇^之波長為例）之光反射率在3%以上3〇%以下，較佳係 下。本發明之光反射率的定義為於某-層 (例如為L1層）上形成間隔層5作為上層、且該層（此例中為 L1層）已進行初期化的狀態中，由間隔層5側起以初期化用 雷ϊίΪ照射:寺的反射率。換言之，該層（此例中為L1層） 之^ s酼著形成於最靠近入射光側的層（具體說為第 呆η層4a)之上方的層而產生變化。這是因為與最靠近 入射$側的層鄰接不同的層會產生不同的折射率差所造 成。若以具體數字舉例作說明的話，由於記錄層（第一保 ，層4a)之折射率為2·25、間隔層5之折射率約為16、空 氣，折射率紅G，記錄層（第—保護層4a)與間隔層5的工 射率差約為0.65，記錄層（第一保護層4a)與空氣之折 差約為1. 25。因j：b，由於反射率之測定方法中包括 、 5之表面反射的影響，即使該層（L1層）本身的反射率曰 為3 0%，實際上反射率之測量值可能會超過3〇%。若上° 間隔層5之折射率為16，表面反射約5%，則實際的刿量 可能會超過35%。因此，包括表面反射之測量方法令，&值 第25頁 鴦 2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 1233601 五、發明說明（22) 間隔層5之折射率為已知時，必須從 反射的部分。此外，可於不受表面反射之影值:扣除表面 L1層進行測量，而關於此測量係以具有可對 行對焦^光學系統的光度計或測量裝置來測定〆1層）進 接著對光記錄媒體21之製造方法作說明。 首先，以射出成形形成表面（一表面）具有 微凹凸的圓盤狀基材2。接著，以反射層形成裝置= = 材2之表面上形成反射層3之後，以記錄層形成裝；土 上形成記錄層4。其中相變化材料層—如以濺鍍 法形成。在此所形成之[丨層於初期化狀態中，並广 由間隔層5入射之初期化雷射光束Lin的光反射率在3〇%以左 下。具體地說，L1層之第一保護層4&例如使用氧化鋁或 ZnS-Si 〇2等介電材料形成具有如下文所述之厚度。 ^然後，於初期化裝置103中，以與記錄用雷^射光束及 讀取用雷射光束（以下將兩雷射光束統稱&「記錄讀取用 雷射光束」）之照射方向同一方向，對所形成之u層照射 初期化用雷射光束LIN，以進行包括記錄層4之[丨層（詳細為 包括相變化材料層4b之L1層）的初期化步驟。在此亦可不 進行L1層的初期化步驟，而以間隔層形成裝置2 〇 1於[1層 上方形成間隔層5之後’如同後述，再以初期化裝置丨〇 3進 行L1層的初期化步驟。 接著’於間隔層形成裝置2 0 1中例如以透明母版2 〇 1 b 進行2P法，於L1層上形成例如厚度TH為2〇 之間隔層5。 此時對基材2之記錄層4的形成面上添加具有透光性之樹脂

I 2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第26頁 1233601

的樹脂材料（染料R1)，並以旋塗法於第一保護層切 -層薄膜狀的樹脂材料，之後於未硬化狀態之樹 ： 覆蓋透明母版2〇1b，以形成凹槽等之細微凹凸。缺 外線照射使樹脂材料硬化後，去除透明母版別。了在此= 驟中，因母版201b表面上具有細微凹凸，故可於間隔層/ 表面上形成細微凹凸。此時如上所述，亦可在此進行^声 之初期化。接著，利用記錄層形成裝置2〇2，於間隔層5 ^ 形成細微凹凸的表面上形成L0層。L〇層例如以旋塗法0來形 成。 ^

然後，於初期化裝置203中，以與記錄讀取用雷射光 束之照射方向同一方向，對所形成之L〇層照射初期化雷射 光束LIN來進行包括記錄層6之L0層的初期化。如第6圖所 示，從讀寫頭20 3b之物鏡LE射出而對l〇層進行照射之初期 化雷射光束LIN中之一部分的雷射光束‘會通過L〇層與間隔 層5達L1、層。而達L1層之雷射光束LpE中之一部分的雷射光 束LRE會被L1層（尤其是L1層中的反射層3)反射而照射至L〇 層。由於已初期化之L1層對雷射光束LpE的光反射率在3〇%

以下，因此若以通過L0層之雷射光束LpE的光量作基準，E 射至L0層之雷射光束LRE的光量至少可降低至3〇%以下。在 此，L1層之形成、L1層之初期化、間隔層5之形成、L〇層 之形成及L0層之初期化均為本發明的中間步驟。 最後’以透光層形成裝置1〇4於完成初期化之[〇層上 例如以旋塗法形成覆蓋層7。具體地說，利用添加機構 104b於基材2之L0層上添加具有透光性之樹脂的樹脂材料

1233601 五、發明說明（24) (染料R)，並利用旋轉機構1043旋轉基材2(利用旋塗法）， 於L0層上塗佈一層薄膜狀的樹脂材料，之後，以紫外線昭 射使樹脂材料硬化。如此完成了光記錄媒體21的製作 '。在' 此亦可於L0層形成後形成覆蓋層7，之後再進行L〇層的初 期化。 發明人利用改變L1層中之第—保護層“的厚度，使L1 層對初期化用雷射光束Lin之光反射率改變而分別製作出夫 記錄媒體21，並對這些光記錄媒體21中之L〇層之初期化的 良否作模擬。模擬結果如第7圖所示。在此，以對形成具

一特定厚度之間隔層5與L1層中之第一保護層“進行模擬 為例，L1層中之相變化材料層4b、u 4二”層3及基材2等之各折射率、各光學；消=與 各層厚度均列於第8圖中。 根據第7圖所示之模擬結果，u層對初期化用雷射光 束LIN之先反射率設定在3〇%以下時，初期化狀態之判定為 佳二，反射率設定在31%以上•，初期化狀態之判定為 ::。因：’由模擬結果來看’若㈣層對初期化用雷射 i 在3〇%以下時，則可避免記錄層6中 進灯初期化的部分與其周圍已初期化的部分因

之再照射而產生前述之干涉現象，因而確 = ί成不均句等問題的發生。㈤此，可對記：層6 進灯均勻且良好的初期化步驟。 另外，發明人亦對L1層中之篦一 層對初期化用雷射朵击I . I , 保遵層4a的厚度與L1 層對初』化用雷射先束LIN之光反射率的關係進行模擬，其

1233601 五、發明說明（25) -- 模擬結果列於第9圖。根據此模擬結果，當l 1層中之第一 保護層4a的主要材料例如為ZnS-Si 〇2等介電材料時，若將 L1層中之第一保濩層4a之形成厚度設定在約96nm〜約Ι59ηιη 之範圍（圖中A表示之範圍）中時，則可於l 1層之初期化狀 態（結晶狀態）中，將L 1層對初期化用雷射光束Lin之光反射 率設定在30%以下。

此外，光記錄媒體2 1必須能夠讓使用者所使用之記錄 項取裝置（以開口數N A約為0 · 8 5之物鏡射出記錄讀取用雷 射光束）得以對L1層進行良好的資料記錄與讀取。雖然記 錄讀取裝置之特性多少都具有偏差，但因L1層對波長在 3 9 5 nm以上4 1 5nm以下（例如為4 〇 5nm )之記錄讀取用雷射光

束之光反射率可確保在2 0 % (較佳為3 〇 % )以上，因此可得到 良好的對焦性，且使記錄於L1層中之資料得以獲得良好的 記錄與讀取。如上所述，此時r L1層之光反射率」的定義 為於由間隔層5侧起所照射之記錄讀取用雷射光束排除靠 入射側的層（例如為L0層與覆蓋層7 )之影響的狀態下，通 過間隔層5對L1層進行對焦時所測量出之反射率；亦即， 不考慮通過L0層時光的衰減等的光反射率。因此，為了找 出能夠確保L1層對記錄讀取用雷射光束之光反射率在2〇% 以上之L1層中之第一保護層“的厚度條件，發明人進一步 對厚度與L1層對記錄讀取用雷射光束之光反射率間的關係 作模擬。此模擬結果列於第丨〇圖中。根據此模擬結果，若 將L1層中之第一保護層4a之厚度設定在約〇nm〜約丨2nm之範 圍（圖中B1所示之範圍）、或約36nm〜約1 〇2nm之範圍（圖中

1233601 五、發明說明（26) B_2所不之範圍）、或約丨2βηπι〜約丨92ηιη之範圍（此圖中B3所 不之範圍）時，便可確保於L丨層之初期化狀態（結晶狀態） 中L1層對記錄讀取用雷射光束之光反射率在2〇%以上。 因此，為了於製造光記錄媒體2 1時能夠以初期化用雷 射光束LIN進行良好的初期化，且讓使用者以記錄讀取裝置 得以進行良好的資料記錄與讀取，最好將以層中之第一保 遵層4a的厚度設定在第9圖之範圍a與第1〇圖之範圍…、或 範圍B2或範圍B3之重疊範圍中。換言之，因範圍a與範圍 B1沒有重疊，故較佳係設定成範圍a與範圍B2之重疊部 分、亦即約96nm〜約102nm之範圍C1中的任意厚度；或設定 成範圍A與範圍B3之重疊部分、亦即約i26nra〜約159nm之範 圍C2中的任意厚度。根據第9、1 〇圖，即使於範圍c丨、C2 中’光反射率最好比L1層對初期化用雷射光束lin之光反射 率低、且比L1層對記錄讀取用雷射光束Lin之光反射率高， 由此觀點來看，可知較佳是將[丨層中之第一保護層4a的厚 度設定於137nm以上145nm以下之範圍中，最佳是在i4〇nm 左右。另外，若存在有如上述之其他重疊範圍的話，亦可 於其他範圍中設定成比L1層對初期化用雷射光束Lin之光反 射率低、且比L1層對記錄讀取用雷射光束lin之光反射率高 之任意厚度。 根據光記錄媒體21之製造方法與製造裝置2〇〇，由於 將L1層對初期化用雷射光束Lin之光反射率設定在3〇%以 下’故當L0層進行初期化時，通過L0層之雷射光束LpE中被 L1層所反射之雷射光束Lre的光量相對於通過L〇層之雷射光

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第30頁 1233601 五、發明說明（27) 束LPE的光量，可被降低至30%以下。因此，並不需增加間 隔層5的厚度，便可完全地避免因L0層中雷射光束L之再 照射所產生結晶狀態不均勻的現象，進而能夠對l〇r^進行 2 : 士良好的初期化步驟。此外，因L1層對記錄讀ς用雷 射光束之光反射率確保在2〇%以上，所以可 好之資料記錄與讀取。 層進灯良 =發明並不只限於上述之實施例，亦可作適當的變 更。雖然本發明之實施例中，以利用改變L1声 護層4a之厚度以改變L1層之光反射率為例來^ :太、 發明並不限於此例。例如，選擇適當之第_ #1 一 質，#扮射銮炎—杜τ 、评ι田 < 弟保護層4a的材 的值層之光反射率便可設定成所欲 ^ 時L1層之光反射率會受L1層中之各声間之#的 干涉條件所影響，而此干涉條件合 a門之先的 县餅旦7鄉丄 - 禾1干曰又各層之光照射的途徑 ^ 於此光徑長等於層的折射率與厚度之乘藉 改鑤奸哲h將弟保€層3之厚度維持一定，而萨由 改變材質來改變折射率時得 而藉甶 與上述將第一保護層“之：:：欲之先反射率值，此方法 法屬相同的效果。因此，為求 旱又之方 於上述模擬之方法來形成之折：率，由相同 免掉因雷射光束LRE對記錄層6之再昭日&由於此夠確貫避 不均勻的問題，因此可對包括"屏r斤造成之結晶狀態 良好的初期化步驟。此外，適：：曰6之以層進行均勻且 度與材質，亦即適當地改變折：：改：第二保護層4c之厚 第-保護層4a之折射率的方二方法也能夠與改變 」乃击具有相同之效果。又L1層之 第31頁 1233601 五、發明說明（28) 光反射率也會受間隔層5之材 也可採用改變間隔層5之材以[率)的影響。因此， 法。 貝以改^L1層之光反射率的方 ^本發明之實施例中，雖然以具有兩 之雙層記錄層型光記錄媒體 θ σ 、亲層4、e 明亦可用於藉由重複進行間隔：5= 夕々鉾爲 之初期化4步驟所製造之具有三屏以卜 之a己錄層、且各記錄層都均勻地進一㈢以上 型光記錄媒體的製造中。在此則+二層記錄層 2〇〇中重複增加間隔層形成裝置製造裝置 期化裝置203等裝置即可。例如為基材2上二 與光記錄媒體11之L1層具相同構造之L2層、L1層 二層e錄層型光記錄媒料，其製造方法括二 2上形成L2層、進行L2層之初期化、形成間隔層5括：= 層、進行U層之初期化、形成間隔層5、形成^層、= 層之初期化 '形成覆蓋層7 ’以及於基材2上形成^芦、 形成間隔層5、進行L2層之初期化、形成u層、形成曰隔 層5、進仃L1層之初期化、形成L〇層、形成覆蓋層7、進行 L0層之初期化等步驟。此時，u層之初期化中，因L2層對 初期化用雷射光束LIN之光反射率設定於30%以下，故可對 L1層進行均勻且良好的初期化步驟；而L 〇層之初期化中， 因L1層對初期化用雷射光束Lin之光反射率設定於3〇%以 下，故可對L0層進行均勻且良好的初期化步驟。另外，本 發明中之離入射光最遠的層除外之其他層（雙層時為

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第32頁 1233601 五、發明說明（29) 層，三層時為L0層與L1層）的第一保護層（4a或6a)與第二 保護層（4a或6a)之材質亦可部分採用金屬層。此外，本發 明之多層記錄層型光記錄媒體中之複數層亦可包括ROM 層，此時並不需對全部的層進行初期化，僅需對其中任意 層進行初期化步驟即可。 此外，進行L0層之初期化步驟時，L0層還會受到被L1 層與L2層所反射之初期化用雷射光束lin的照射。然而，由 於L0層與L2層間的距離約等於L0層與L1層間距離的2倍，

故L2層之反射光的光量會減低至L1層之反射光的1/4。而 且，L2層之反射光於通過L0層後被L2層反射而達L0層，共 通過L1層二次。因此，L2層之反射光的光量等於被減低至 1/4的值與L1層之透過率之平方的乘積值。因此，L2層之 反射光的光量與L1層之反射光相較之下可忽視，因此當進 行L0層之初期化時僅需考慮L1層之反射光即可。亦即，當 進行多層記錄層型光記錄媒體中其中一層之初期化時，僅 需考慮離欲進行初期化之對象層的入射光較遠一層之反射 光的衫故將離此入射光較遠一層之初期化用雷射光束 LIN之光反射率設定於30g/g以下即可。

本發明之實施例中，雖然對L1層對初期化用雷射光束 lin之光反射率提出具體的數值，但是從光反射率值最好比 U層^初期化用雷射光束Lin之光反射率值低、且比L1層對 吕己錄項取用雷射光束之光反射率值高之觀點來看，也可採 用L1層對初期化用雷射光束Lin之光反射率比L1層對 取用雷射光束之光反射率值低之條件。 π貝

1233601 五、發明說明（30) ---- 本案與申請曰為2001年1〇月12曰之曰本公開公聋 2001 - 315146號、與申請日為2〇〇1年11月9日之日本八 報第200 1 -344 1 79號所描寫的主題相關，而這些於Α ~公 容已清楚地揭露於本案中。 *月的内 發明效 如 製造裝 初期化 下進行 度不均 題，故 可靠性 另 進行初 後，以 一方向 初期化 因此， 再 媒體之 形成於 束之光 期4匕用 果： 上所述 置，由 之記錄 記錄層 等情形 可對記 之初期 外，於 期化之 與讀取 ，對記 之後， 可確實 者，根 製造裝 初期化 反射率 雷射光 ，根據 於於形 層上形 的初期 所造成 錄層進 化步驟 基材之 本發明 成記錄 成透光 化。如 初期化 行均勻 所製造 一表面 記錄層、與透 用雷射光束及 錄層照射初期 才於已完成初 且穩定地進行 據本發明之光 置，當製造光 狀態下對通過 為3 0 %以下之-束以進行初期 之光記錄媒體與光記錄媒體之 層後進行初期化步騍，再於已 層’故可在不受透光層的影響 此，由於可避免因透光層之^ 用雷射光束之不均句照射的問 的初期化。因此，可得到以高 出的光記錄媒體。 ^ 上依序形成反射層、以光照射 光層時，由於在記錄層形成 記錄用雷射光束之照射方向同 化用雷射光束以進行記錄層之 期化之記錄層上形成透光層， 冗錄層的初期化步驟。 記錄媒體之製造方法與光記錄 記錄媒體時，其中間步驟包括 間隔層入射之初期化用雷射光 一層、對所形成之該層照射初 化、於完成初期化之該層上形

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第34頁 1233601 五、發明說明（31) 成間隔層、於上述間隔層上形成另—層、以及對所形成之 另-層照射初期化用雷射光束以進行初期化等步驟，如此 可避免因該層所反射的初期化用雷射光束與通過另一声 初期化用雷射光束間產生之上述干涉、所造成另一声; 期化狀態不均的問題。而且，不需增加間隔層之^， 可製作出具有均句且良好初期化之包括 ；“ 品質光記錄媒體。 曰心合續的问 此外，根據本發明之其他光記錄媒體之製造方法盥 離ΐΐΐί記錄媒體時，#中間步驟包括形成於初 對呼厗昭射、S、A M曰於所形成之该層上形成間隔層、 化Γ射光束以進行初期化 該層所反射之初期化2m 如此可避免因於 雷射光束間產生上述千過另一層《初期化用 均的問題。而且ir歩、所造成另一層中初期化狀態不 有均句且良好初不間隔層之厚度，便可製作出具 媒體。 匕之包括記錄層之各層的高品質光記錄 又根據本發明> β 由於形成對記錚用雷t錄媒體之製造方法與製造裝置’ 於20%以上的層，射光束與讀取用雷射光束之光反射率 進行資料記錄曰盘辕％可有效防止使用者使用記錄讀取裝置 再者，本發Κι偏差的產生。 光δ己錄媒體具有形成於基材之一表面

1233601 五、發明說明（32) 上分別包括以光照射進行初期化之記錄層等之複數層、血 形成於各層間之間隔層，由於除上述複數層中之最上屛& =對通過間隔層入射之初期化用 ； Γ:以T均在30%以下，故可充分降低比二 =因；期化用雷射光束的照射 良好初期化之包括記錄 p t供具有均勻且 外’根據本發明之光記錄媒體，由於：體。 雷射光束與讀取用雷斯本 ” 、乂成對記錄用 ίΐ己記錄讀取裝置來進行良好之資料， 及對3己錄之資料進行良好的tt取。 彳k錄、以

第36頁 1233601 圖式簡單說明 第1圖繪示依據本發明實 施例之光記錄媒體1之結構 面圖。 —— …，吁剖 第2圖緣示光記錄媒體1之製造裝置1〇〇之結構剖 圖 面 剖面圖。 第3圖繪不依據本發明實施例之光記錄媒體〗丨之結 構 面圖 第4圖繪示光記錄媒體1 1、2 1之製造裝置2 0 0之結 構剖 第5圖繪示依據本發明實施例之多層（雙層）記錄層 之光§己錄媒體2 1之結構剖面圖。 第6圖為進行具有li層與L〇層之光記錄媒體21之初 化時對L0層之影響的說明圖，其中被[1層所反射之雷 束Lre會照射至L0層。 ' 第7圖為改變光記錄媒體2丨中之u層的光反射率， 各光記錄媒體1中之L0層的良否作模擬之模擬結果的明 圖。 ^ 用之 第8圖為對應第7圖所示之模擬結果之模擬時所採 條件的說明圖。 第9圖為改變光記錄媒體2 1中之[1層的厚度、對於初 期化狀悲（結晶狀態）時之L 1層對初期化用雷射光束[a (波 長為81 Onm)之光反射率的特性作模擬，其模擬結果=說明 圖。 第10圖為改變光記錄媒體21中之L1層的厚度、分別對 於初期化狀態（結晶狀態）時與未初期化狀態（非結晶狀態）

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3之L1層對記錄讀取用雷射光束（波長為4〇5nm)之光反射 ^的特性作模擬’其模擬結果之說明圖。 ^ 11圖繪示習知之光記錄媒體5丨之結構剖面圖。 第1 2圖繪示本發明人已開發完成之單層記錄層型之光 記錄媒體61之結構剖面圖。 第1 3圖繪示本發明人已開發完成之多層（雙層）記錄層 型之光記錄媒體7 1之結構剖面圖。 第14圖為具有L1層與l〇層之光記錄媒體71進行初期化 時、被L1層所反射之雷射光束‘照射至L〇層時對層所受 之影響作說明的說明圖。 符號說明： 2、5 2基材 4、6、54 記錄層 7覆蓋層 101a反射層形成室 103b 、 203b讀寫頭 10 4b添加機構 201b母版 3反射層 5間隔層 1 0 1反射層形成裝置 1 0 3、2 0 3初期化装置 104透光層形成裝置 201間隔層形成裝置

4a、6a、54a第一保護層 4c、6c、54c第二保護層 102、202 記錄層形成裝置 102a、202a 記錄層形成室 4b、6b、54b相變化材料層

1233601 圖式簡單說明 101b 100、 103a 、102b、202b 濺鍍裝置 2 0 0 光記錄媒體製造裝置 、104a、201a、20 3a 旋轉機構 1 1、2 1、5 1、6 1、7 1 光記錄媒體

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Claims (1)

1233601 六、申請專利範圍 形成於基材 錄層、與形 之製造方法 形成上 對上述 於上述 2. —種 形成於基材 層、與分別 媒體之製造 形成上 每當上 初期化；以 於上述 成於上述記 包括： 述記錄層； 記錄層進行 完成初期化 光記錄媒體 1. 一種光記錄媒體之製造方法，上述光記錄媒體具有 之一表面上至少一層以光照射進行初期化之記 錄層上之透光層，上述光記錄媒體 初期化；以及 之記錄層上形成上述透光層。 之製造方法，上述光記錄媒體具有 之一表面上以光照射進行初期化之複數記錄 各記錄層上之透光層，上述光記錄 形成於上述 方法包括： 述複數記錄層； 述各記錄層形成後，分別對上述各記錄層進行 及 完成初期化之各記錄層上分別形成上述透光 層 依序形成於 化之記錄層 括： 形成上 對上述 於上述 4 ·如申 3. —種光記錄媒體之製造方法，上述光記錄媒體具有 基材之一表面上之反射層、以光照射進行初期 、與透光層，上述光記錄媒體之製造方法包 述記錄層； 記錄層進行初期化；以及 完成初期化之記錄層上形成上述透光層。 請專利範圍第1、2或3項所述之光記錄媒體之

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第40頁 1233601 六、申請專利範圍 製造方法，其 射光束及記錄 錄層照射初期 5· —種光 形成於基材之 於上述各層間 期化，上述光 形成一層 隔層入射之初 3 0%以下； 對上述層 化； 於完成初 於上述間 對另一上 期化。 6. —種光 形成於基材之 於上述各層間 期化，上述光 形成一層 隔層入射之初 3 0 %以下； 於上述層 中上述5己錄層進行初期化時，以與讀取用雷 用雷射光束之照射方向同一方向，對上述記 化用雷射光束來進行初期化。 記錄媒體之製造方法，上述光記錄媒體具有 表面上分別包括記錄層之複數層、與形成 之間隔層，其中上述記錄層以光照射進行初 °己錄媒體之製造方法包括下列中間步驟： 上述層，其中上述層對通過其上層之上述間 期化用雷射光束於初期狀態下之光反射率為 照射上述初期化用雷射光束，以進行初期 期化之上述層上形成上述間隔層； 隔層上形成另一上述層；以及 述層照射上述初期化用雷射光束，以進行初 j錄媒體之製造方法，上述光記錄媒體具有 :表面上分別包括記錄層之複數層、與^成 間隔層，其中上述記錄層以光照射進行初 η己錄媒體之製造方法包括下列中間步驟： :層，λ中上述層對通過其上層之上述間 4化用雷射光束於初期狀態下之光反射率為 上形成上述間隔層；

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第41頁 1233601

對上述層照射通過上述間隔層之上述初期化用雷射光 束，以進行初期化； 於上述間隔層上形成另—上述層；以及 對另 上述層照射上述初期化用雷射光束，以進行初 期化。 7.如申請專利範圍第5或6項所述之光記錄媒體之製造 方法’其中上述層對記錄用雷射光束與讀取用雷射光束之 光反射率在20%以上。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之光記錄媒體之製造方

法’其中上述記錄用雷射光束與讀取用雷射光束係使用未 滿5 0 0 nm之波長的光； 上述初期化用雷射光束係使用5 0 0 nm以上1 〇 〇 〇 nm以下 之波長的光。 9·如申請專利範圍第丨、2、3、5或6項所述之光記錄 媒體之製造方法，其中上述記錄層係以相變化材料所形 成。

10· —種光記錄媒體之製造裝置，上述光記錄媒體具 有形成於基材之一表面上至少一層以光照射進行初期化之 記錄層、與形成於上述記錄層上之透光層，上述光記錄媒 體之製造裝置包括·· ' 記錄層形成裝置，用以於上述基材之表面上形成至少 一層之上述記錄層； 初期化裝置，用以對上述記錄層形成裝置所形成之上 述記錄層進行初期化；以及

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第42頁 1233601 六、申請專利範圍 透光層形成裝置，用以於經由上述初期化裝置完成初 期化之上述記錄層上形成上述透光層。 11 · 一種光記錄媒體之製造裝置，上述光記錄媒體具 有形成於基材之一表面上以光照射進行初期化之複數記錄 層、與分別形成於上述各記錄層上之透光層，上述光記錄 媒體之製造裝置包括： 記錄層形成裝置，用以於上述基材之表面上形成上述 複數記錄層； 、初期化裝置，用以在每次上述記錄層形成裝置一形成 上述各記錄層後，進行上述各記錄層之初期化；以及 透光層形成裝置，用以於每次上述初期 期化之上述記錄層上形成上述透光層。 罝凡成初 1 2· —種光記錄媒體之製造裝置，上述 有依序形成於基材之一表面上之反射層、以°二^、_ A 期化之記錄層、與透光層，上述光 2 =進行初 括： U 卡體之製造裝置包 反射層形成裝置，用以於上述基 反射層； 表面上形成上述 記錄層形成裝置’用以於上述反射 層； 上开y成上述記錄 初期化裝置，用以對上述記錄層 述記錄層進行初期化；以及 展置所形成之上 化 透光層形成裝置，用以於以卜 L、+…M a A M上述仞期 之上述a己錄層上形成上述透光 層 化裝置完成初期

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第43頁 I233601 $'申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第1 〇、11或1 2項所述之光土錄媒/ 體之製造裝置，其中上述初期化裝置係以與讀取用雷射光 束及記錄用雷射光束之照射方向同一方向，對上述記錄層 照射初期化用雷射光束來進行初期化。 14· 一種光記錄媒體之製造裝置，上述光記錄媒體具 有形成於基材之一表面上分別包括記錄層之複數層、與形 成於上述各層間之間隔層，其中上述記錄層以光照射進行 初期化，上述光記錄媒體之製造裝置包括： " 第一層形成裝置，用以形成一層上述層，其中上述層 餅通過其上層之上述間隔層入射之初期化用雷射光於: 期狀態下之光反射率為3 0 %以下； 、 第一初期化裝置，用以對上述層照射上述初期 射光束，以進行初期化； ^化用雷 間隔層形成裝置，用 成上述間隔層； 第二層形成裝置，用 第二初期化裝置，用以對另一上 用雷射光束，以進行初期化。 15· —^種光$己錄媒體之製造裝置，

層；以及 其中上述層

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第44頁 1233601

間隔層入射之初期化用雷射光束於初 期狀悲下之先反射率為30%以下； 間隔層形成装置，用η於pL 咕用以於上迹層上形成上述間隔層； 第一子刀期化裝詈，田丨V料μ、+、 ◊、“ 置用以對上述層照射通過上述間隔声 之上，初期化用雷射光束，以進行初期化； 臼 第二層形成裝置’用以於上述間隔層上形成另一上 層；以及 第二初期化裝置，用以對另一上述層照射上述初期化 用雷射光束，以進行初期化。 1 6 ·如申請專利範圍第丨4或丨5項所述之光記錄媒體之 製造裝置’其中上述第一層形成裝置所形成之上述層對記 錄用雷射光束與讀取用雷射光束之光反射率於20%以上。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之光記錄媒體之製造 裝置，其中上述記錄用雷射光束與讀取用雷射光束係使用 未滿5 0 0 n in之波長的光； 上述第一與第二初期化裝置中所照射之上述初期化用 雷射光束係使用5 0 0nm以上1 0 00nm以下之波長的光。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4或1 5項所述之光記錄媒體之 製造裝置，其中上述第一與第二層形成裝置係以相變化材 料形成上述記錄層。 1 9. 一種光記錄媒體，包括： 複數層，形成於基材之一表面上，分別包括以光照射 進行初期化之記錄層；以及 間隔層，形成於上述各層間，

2186-5256-PF(N);Ahddub.ptd 第45頁 1233601 六、申請專利範圍 其中上述複數層中除最上層外之其他層對通過其上層 之上述間隔層入射之初期化用雷射光束，於初期狀態下之 光反射率於30%以下。 2〇·如申請專利範圍第丨9項所述之光記錄媒體，其中 上述複數層中除最上層外之其他層對通過其上層之上述間 隔層入射之初期化用雷射光束，於初期狀態下之光反射率 於2 0 %以上。 2 1 ·如申請專利範圍第2 0項所述之光記錄媒體，其中 上述έ己錄用雷射光束與讀取用雷射光束係使用未滿5 00nm 之波長的光； 對上述複數層中除最上層外之其他層所照射之上述初 期化用雷射光束係使用5〇〇ηίη以上丨00 0nm以下之波長的 光。 22·如申請專利範圍第19或20或21項所述之光記錄媒 體’其中上述記錄層係以相變化材料所形成。

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