1232981 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於具備液晶裝置，液晶裝置之製造方法 ’及此液晶裝置之電子機器，尤其是，關於在基板間配設 間隔物之技術。 【先前技術】 做爲先前熟知之液晶裝置，係於下基板和上基板各基 板之周圍部，藉由密封材給予黏著，此等一對之基板間， 具有注入液晶層之架構者。此時，爲將基板間隔於基板面 內給予均勻，故於一對基板間，配置間隔物之技術。 如此之液晶裝置，係藉由如以下之方法而製造而成。 換言之，於各下側基板及上側基板，積層形成電極及配向 膜後，例如，於下基板上，於基板周圍部，形成液晶注入 口之形狀，印刷未硬化之密封材，於相同基板或是於另一 基板之表面，散佈間隔物之後，藉由未硬化之密封材，使 得貼附該下基板和另一上基板，而取得液晶胞。且，硬化 該液晶胞之未硬化之密封材，再由密封材，從事先形成之 液晶注入口，於液晶胞內，藉由注入液晶而形成液晶層。 此時，爲進行液晶注入前之基板貼合，將只承受間隔 物之基板貼合時之壓力，爲可做爲承受貼合壓力，無論如 何不得減少間隔物之數量，具體而言，例如，200〜3 00個 / m m2程度是必要的。於此，對表示間隔物之數量不多之 影響爲少的，可形成高對比之顯示之同時，也得到降低成 -4 - (2) 1232981 本。於上述之製造方法，從均勻之基板間隔（液 ’設定爲2 0 0個/ mm2程度之確保觀點來看爲有 本發明，有鑑於此問題點所發明之創作，其 供一具備此液晶裝置之電子機器，其爲將基板間 板面內可做爲均勻化之同時，更具備不易產生降 之顯示特性之液晶裝置，和其液晶裝置之製造方 【發明內容】 爲解決上述課題，本發明之液晶裝置其特徵 持液晶層之一對之基板間，配置間隔物形成之液 液晶層及間隔物，於基板面內之領域，配置封閉 密封材’其密封材內部之間隔物之密度爲5 〇〜 m m 2 ° 上述本發明之液晶裝置，密封材係爲了於基 領域構成封閉之框狀，因此於該液晶裝置之製造 於基板貼合後注入液晶’而是必須基板貼合前， 基板上滴入液晶，再與另一基板進行貼合之工程 於基板上滴入液晶，同時亦於散佈間隔物之狀態 可做爲基板貼何者，於是間隔物不僅承受基板貼 力且亦可承受液晶，相較於設計先前注入口之構 裝置，可相對減少間隔物之數目。換言之，液晶 承受貼合壓力之一部分之作用，即使減少間隔物 可承受貼合壓力，形成可確保均勻之基板間隔。 因此，於本發明中，密封材之構造爲了於基 晶層厚） 限定之。 目的爲提 隔，於基 低對比等 法。 ，係於挾 晶裝置； 之框狀之 1 5 0 個 / 板面內之 時，無法 於任一之 。此時， 下，爲了 合時之壓 成之液晶 爲了負責 之數目亦 板面內之 -5- (3) 1232981 領域做爲封閉之框狀，故於密封材之框之內部領域之間隔 物密度，可設小爲5 0〜1 5 0個/ mm 2。其結果，相較於先 前，對間隔物之顯示之影響形成較小。因此，藉由上述構 造，形成可提供使得使用之間隔物數之減少降低成本之同 時，亦可達成顯示特性之改善之液晶裝置。 同時，間隔物之散佈密度比5 0個/ m m 2小時，使液 晶層厚（基板間隔）於基板面內維持均勻有其困難之處， 引起顯示品味之降低，且一但間隔物之散佈密度超過]5 0 個/ mm 2時，成本降低之幅度變小之同時，亦易於形成發 生漏光，對比改善幅度也有變小時。 同時，假使使用如先前般注入口之某密封材，於進行 基板貼合前液晶注入時，基板貼合時，由於發生液晶露出 於外部之等不佳狀況，因此於形成具有注入口之密封材時 ’貼合前之液晶注入事實上爲不可能之。另一方面，當然 使用本發明之無注入口密封材，而於基板貼合後不需進行 液晶注入，因此，藉由本發明之構造，於基板貼合前之液 晶注入爲確實可能，將可實現上述範圍之間隔物散佈密度 〇 本發明之液晶顯示裝置，密封材淸楚地並無露出於基 板之外緣’而是可做爲形成框狀物。且密封材並無具備朝 基板之外緣之開口，而係可做爲形成封口框形狀者。 於如此密封’不設液晶注入口而作成完全封閉之框形 狀（詳細爲封口框形狀），液晶於基板貼合前滴下，而於 另一基板散佈間隔物後，既可將此等基板採用貼合製法， -6- (4) 1232981 如此既可將間隔物之散佈密度變少爲50〜1 50個/ mm 2。 再者’本發明之液晶裝置，爲可提供上述間隔物之表 面之一部分或是全部，可使具備配向規制手段。換言之， 於間隔物之表面附近爲產生液晶之配向偏移，因此有產生 對比之降低狀況，但是於如此之間隔物之表面使其具備配 向規制手段，即使於間隔物表面附近亦可形成使液晶配向 ，而防止漏光之發生，不易產生對比降低等之瑕疵狀況。 同時，以譬如，使用硅烷偶合劑等，做爲配向規制手 段，亦可做爲於間隔物表面上，付予長鏈之基者等之範例 〇 且，於上述間隔物之表面之一部分或是全部，已可做 爲附著硬化之熱硬化型樹脂。 將如此之熱硬化型樹脂形成於間隔物之表面，譬如， 於基板間之定位配設間隔物後藉由實施熱處理，可將間隔 物安定且固定於基板上，譬如，可防止間隔物浮游定位後 ，形成偏離等不佳狀況發生。 再者，亦可於間隔物進行著色。譬如，將該液晶裝置 以顯示裝置使用時，於進行黑顯示之（暗顯示）領域，從 配設之間隔物漏光’而其部分有進彳了白顯不（売顯示）時 ，但是若對如上述之間隔物實施著色，尤其爲於黑色使用 著色之間隔物，既可確實進行黑顯示（暗顯示）。 且，上述液晶顯示裝置之製造方法，其特徵將包含以 下之工程。換言之，本發明之液晶裝置之製造方法，係包 含於一對基板之中任一之基板上，滴下液晶之工程，和於 -7- (5) 1232981 一對之基板之中任一基板上，於該基板面內之領 閉之框狀之密封材之工程，和於一對之基板之中 上，散佈間隔物之工程，和貼合此等一對之基板 間隔物之散佈密度係於密封材之框狀之內部領 5 0 〜1 5 0 個 / m m 2。 於本發明之液晶裝置之製造方法，基板貼合 上滴下液晶，於此基板或是和此不同之基板上形 ，再者，於任一之基板上散佈間隔物後，由於作 等一對之基板之構造，因此形成基板貼何時之壓 間隔物，爲了液晶層亦可形成承受此力量，即使 物密度，於基板面內基板間隔亦可形成均勻。換 行如同上述之各工程之同時，亦將間隔物散佈密 述範圍，持續保持基板間隔之面內均勻性，基於 之影響所產生之漏光，可提供不易產生降低對比 裝置。 同時，以上述本發明之液晶裝置之製造方法 含如同以下之工程者亦可。換言之，本發明之液 製造方法之不同狀況爲，包含於一對基板之中任 上，於該基板面內形成封閉框狀之密封材之工程 密封材之內部領域，滴下液晶之工程，和於一對 任一之基板上，散佈間隔物之工程，和貼合此等 板工程；間隔物之散佈密度爲於密封材之框之內 ，設爲5 0〜1 5 0個/ m m 2做爲其特徵。 即使依照如此之製造方法，於基板貼合前， 域形成封 任一基板 之工程。 域，設爲 前於基板 成密封材 成貼合此 力不僅爲 減少間隔 言之，進 度設爲上 由間隔物 等之液晶 ，做爲包 晶裝置之 一之基板 ，和於該 基板之中 一對之基 部領域中 在形成框 (6) 1232981 狀之密封材之基板上之密封材之框之內部領域，滴下液晶 ，同時，於任一基板上，散佈間隔物後，由於做成貼合此 等一對之基板之構成，使得基板貼合時之壓力，不僅間隔 物連液晶層也得承受此力量。因此，即使減少間隔物密度 ，於基板面內之機板間隔，也不會形成不均勻，換言之， 進行如同上述之各工程之同時，亦將間隔物設爲上述範圍 ，持續保持基板間隔之面內均勻性，基於由間隔物之影響 所產生之漏光’可提供不易產生降低對比等之液晶裝置。 且，本發明之電子機器其特徵，係將如同上述之液晶 裝置，做爲例子顯示裝置而具備。藉由具備如此之本發明 之液晶裝置，使可提供顯示品質優越之電子機器。 【實施方式】 以下，茲參考圖面說明關於本發明之實施形態。 [')仪晶裝置] 如以下所示之本實施形態之液晶裝置，係使用以TFT (薄膜電晶體）元件，做爲開關元件之主動矩陣式之透過 型液晶裝置。同時，本實施形態之液晶裝置之特徵，爲配 置於挾持液晶層之一對的基板間之間隔物之構造，及於一 對之基板內，密封貼著一對之基板之液晶層之密封材的構 造所形成。 圖1爲配置於本實施形態之透過型液晶裝置之陣列狀 之，複數畫素之開關元件，和信號線等之等價電路圖。圖 -9- (7) 1232981 2表示由資料線，掃描線，畫素電極所形成之τ F T陣列基 板之相鄰接之，複數之畫素群之構造重點平面圖。圖3爲 圖2之A-AS線剖面圖，圖4爲表示本實施形態之透過型 液晶裝置全體，之平面構造之全體平面圖。同時，於圖3 中’已圖示出上側爲光入射側，下側爲視認側（觀察者側 )，且，於各圖中，爲了將各層或各構件於圖面做成可認 識程度較大，故於各層或各構件，將其縮小比例爲不同。 於本實施形態之透過型液晶裝置中，如圖1所示，在 配置於陣列狀之複數之畫素，已各形成爲了進行畫素電極 ’和往該畫素電極9之通電控制的開關元件之TFT元件 3 〇 ’而畫素信號係供給資料信6a，電氣性連接於該TFT 元件3 0之源極。寫入於資料線6 a之畫素信號S 1，S 2， ··.···，· S η係依此之線順序供給，或是對相鄰接之複數之 資料線6a，供給於每群組。 且，掃描線3 a係電氣性連接於TFT元件3 0之閘極 ，對複數之掃描線3 a掃描信號G 1，G2........Gm，係於所 定之時序以線順序施加於脈衝波。同時，畫素電極9爲電 氣性連接於TFT元件30之汲極，而藉由開關元件之TFT 元件3 0只於一定期間導通，使從料線6a被供給之畫像信 號SI，S2，……Sn，於所定之時序內寫入。 藉由畫素電極9而寫入於液晶之所定準位之畫像信號 S I，S2，….· Sn，係一定期間保持於和後述之共通電極之 間。液晶爲使用施加之電壓準位，而藉由改變分子集合之 配向或秩序，調變光而可調階顯示。於此，保持之畫像信 -10- (8) 1232981 5虎爲了防止漏電’故於fc素電極9和共通電極之間，付力口 形成之液晶容量和並列之積蓄容量。 同時，藉由圖2，說明關於本實施形態之透過型液晶 裝置之重要的平面構造。如圖2所示，於TFT陣列基板 上，係由複數之銦錫氧化物（以下簡稱爲「ITO」）等之 透明導電性材料所組合之矩形狀的畫素電極9 (藉由點線 部9 A來顯示輪廓），設成陣列狀，沿著各畫素電極9之 縱橫之境界，設置資料線6 a，掃描線3 a及容量線3 b。於 本實施形態中，爲了連接各畫素電極9，及各畫素電極9 之間， 因此形成配置之資料線6a，掃描線3a，容量線3b等 之領域之畫素，形成進行顯示於配置於每矩陣狀之各畫素 的構造。 資料線6a係由構成TFT元件30之例子多晶矽膜所 組成之半導體層1 a之中，於後述之源極領域藉由接觸孔 5，電氣性接觸，畫素電極係半導體層1 a之中，於後述之 汲極領域藉由接觸孔8，電氣性接觸。同時，半導體層1 a 之中，爲了對向於後述之通道領域（圖中左上之斜線領域 )，配置掃描線3 a，掃描線3 a係以對向於通道領域的部 分，以閘電極做爲功能。 容量線3 b具有係沿著掃描線3 a延伸於略直線狀之本 線部，（換言之，平面視之，沿著掃描線3 a形成的第1 領域）和資料線6 a，和從交叉之範圍沿著資料線6 a突出 於前段側（途中上方）之突出部（換言之，平面視之，沿 -11 - (9) 1232981 著資料線6 a延伸設置之第2領域）。 而且’圖2中，於右上方斜線所示之領域，已設 數之第1遮光膜1 1 a。 其次’藉由圖3 ’說明關於本實施形態之透過型 裝置之剖面構造。圖3如上述所述，爲圖2之A-A 面圖，顯示TFT元件3 0形成之領域之構造之剖面面 本實施形態之透過型液晶裝置中，於TF T陣列基板 對向配置於此之對向基板2 0之間，挾持著液晶層5 0 液晶層5 0 ’係以強介電性液晶之層狀液晶所構 ，做爲對於電壓變化之液晶驅動之反應性較快。T F T 基板1 〇 ’係以由石英等之透光性材料所組成的基板 1 0 A，和形成於其液晶層5 0側表面之TFT元件3 0 , 電極9，配向膜4 0做爲主體所構成之，而對向基板 係以由玻璃，或石英等之透明性材料所組成的基板 20A，和形成於其液晶層50側表面之共通電極21， 向膜6 0做爲主體所構成之。同時，各基板間1 0，2 0 由間隔物1 5形成所定間隔保持之狀態。 於T F T陣列基板1 〇之中，於基板本體1 0 A之液 5 0側表面，設置畫素電極9，於鄰接於各畫素電極9 置，設置開關控制各畫素電極9之畫素開關用TFT 30。畫素開關用TFT元件30，係具有LDD (微量參 極）構造，掃描線3 a具備，藉由該掃描線3 a之電場 成之通道的半導體層1 a之通道領域1 ’，絕緣掃描^ ，和半導體層1 a之聞極絕緣膜2 ’資料線6 a，半導 置複 液晶 線剖 。於 ，和 ) 成之 陣列 本體 畫素 20， 主體 和配 係藉 晶層 之位 元件 雜汲 所形 體層 -12 - (10) 1232981 1 a之低濃度源極領域1 b，及低濃度汲極領域1 c，半導體 層1 a之高濃度源極領域1 d，及高濃度汲極領域1 e。 上述掃描線3 a，於包含閘極絕緣膜2上之基板本體 1 0 A上，形成開孔通往高濃度源極領域]d之接觸孔5， 及通往高濃度汲極領域1 e之接觸孔的第2層間絕緣膜4 。換言之，資料線6 a，係藉由貫通第2層間絕緣膜4之 接觸孔5，電氣性連接於高濃度源極領域。 再者，於資料線6a上及第2層間絕緣膜4上，形成 開孔通往高濃度汲極1 e之接觸孔8的第3層間絕緣膜。 換言之，高濃度汲極1 e係藉由貫通第2層間絕緣膜 ，及第3層間絕緣膜7之接觸孔，電氣性連接於畫素電極 9 〇 本實施形態，係將閘極從對向於掃描線3 a位置，延 長設置做爲介電質而使用，延伸設置半導體膜1 a做成第 1蓄積容量，更藉由將對向於此等之容量線3b之一部分 ，做成第2蓄積容量使構成蓄積容量70。 同時，於TFT陣列基板1 0之基板本體1 〇A之液晶層 5 0側表面中，於形成各畫素開關用TFT元件3 0之領域， 係透過TFT陣列基板1〇，而於TFT陣列基板1〇之圖示 下面（TFT陣列基板1 〇和空氣之介面）給予反射，回覆 於液晶層5 0之回覆光係，由於防止入射於至少半導體層 1 a之通道領域1 a'，及低濃度源極，汲極領域]b，〗c而 所設置第1遮光膜。 同時，於第]遮光膜1 1 a，和畫素開關用τ F T元件 (11) 1232981 3 0之間，係爲了將構成畫素開關用τ F T元件3 0之半導體 層]a，從第1遮光膜電氣性絕緣，而形成第1層絕緣膜 ]2。再者，如圖} 2所示，除了於TFT陣列基板1 〇設置 第1遮光膜外，經由接觸孔，爲了電氣性連接於第一遮光 膜]1 a，前段或是後段之容量線3 b，而所構成。 另一方面，於對向基板20，係爲基板本體20A之液 晶層5 0側表面，對向於資料線6 a，掃描線3 a，畫素開關 用T F T元件3 0之形成領域，換言之，於各畫素部之開口 領域以外之領域，入射光係爲了防止侵入畫素開關用TFT 元件3 0之半導體1 a之通道領域1 a '，或低濃度源極領域 1 b，低濃度汲極領域〗c，所設置第2遮光領膜2 3。再者 ，於形成第2遮光膜23之基板本體20A之液晶層50側 ’涵蓋其大約表面，形成由IT 0等所組成之共通電極 2 1 ，而於其之液晶層5 0側，形成控制不施加電壓時，之液 晶層5 0內之液晶分子的配向之配向膜6 〇。 圖4爲關於本實施形態之透過型液晶裝置1 0 0之全體 構造，所示槪略之平面模式圖，於TFT陣列基板1 0，和 對向基板20之間，藉由閉環狀之密封材93，以密封之形 狀形成液晶層5 0。換言之，於本實施形態之透過型液晶 裝置1 0 0中，密封材，係不具備爲了注入液晶而設置注入 口，於基板1 0，2 0之面內領域，係封閉狀之框形狀，不 需露出於基板1 0，2 0之外緣，而形成於不具備基板1 〇， 2 0之外緣方向，的開口之封口框形狀。 其次，圖5，係形成圖2之畫素電極9之領域，換言 -14 - (12) 1232981 之，於T F T兀件3 0之非形成領域，表示關於未形成遮光 膜2 3之顯示領域之構造的剖面圖。即使於此顯示領域中 ，和圖3所示之領域同樣，於下側之TFT陣列基板（同 時，於顯示領域上，TFT元件爲非形成）1 〇，和對向此位 置之上側的對向基板2 0之間，做成挾持液晶層5 0之構造 ，再者，即使於此顯示領域中，各基板1 0，2 0間係藉由 間隔物1 5，形成保持所定間隔之狀態。 如上述所言，於挾持液晶層5 0隻一對基板]0，2 0間 ，形成間隔物1 5，其間隔物形成數，對密封材93之內部 面積，形成5 0〜1 5 0個/ mm 2 (譬如約1 5 0個/mm 2 )。 如此，於本實施之形態中，爲了減小間隔物之散佈密度， 基於在間隔物1 5附近之漏光，因此不易產生顯示品味降 低者。 於此’於密封材形成液晶注入口之傳統的液晶裝置之 中，於基板貼合前，一但注入液晶，最好不要於基板貼合 時，恐怕會從注入口溢出。所以，於密封材形成液晶注入 口時，於基板貼合後必須注入液晶。另一方面，於密封材 9 3未形成液晶注入口之本實施形態之液晶裝置，由於未 具注入口，因此於基板貼合後無法注入液晶，基板貼合前 ，於基板1 〇，2 0之中的任一個基板上滴下液晶，而必須 與另一之基板進行貼合之工程。 此時，於基板上滴下液晶，同時也於散佈間隔物j 5 之狀態’可做成貼合基板者，故不僅間隔物1 5承受基板 貼合之壓力，連液晶也需承受，相較於設有傳統之液晶注 -15- (13) 1232981 入口之構造的液晶裝置，可相對的減少間隔物1 ，換言之，可達到實現 5 0〜1 5 0個/ m m 2程度較 物。 如此地，於本實施形態之液晶裝置上，爲了 封材，不形成具有液晶注入口之構造，故液晶要 貼合壓力之一部之任務，即使減少間隔物1 5之 必須耐得住貼合壓力，能夠可以確保均勻之基板 此，於本實施形態之液晶裝置上，爲了將密封材 造，於基板]〇，2 0之面內領域上做成封閉之框 可將密封材93內部之間隔物1 5的密度，減少f 個/mm 2，其結果，相較於傳統，對間隔物15 影響較少，基於在間隔物1 5附近之漏光，就不 比之降低情形。 於本實施形態之液晶顯示裝置中，間隔物1 密度比5 0個/mm 2小時，將液晶層5 0之層厚度 隔），於基板1 〇，2 0之面內均勻維持，有形成 會導致顯示品味之降低，同時，一但間隔物1 5 度超過1 5 0個/ m m 2，降低成本之幅度將變小， 產生漏光之現象，對比改善幅度變小時，從信賴 於液晶層5 0 ’也更有提局低溫氣泡發生率之開 如同本實施形態於密封材9 3，不設置液晶注入 時之間隔物1 5之散佈密度，最好係設置8 0〜1 5 0 〇 同時，於本實施形態，係以白黑顯示之構造 5之數目 少的間隔 做成於密 負起承受 數目，也 間隔。因 93之構 狀，因此 I 50〜1 50 之顯示之 易產生對 5之散佈 (基板間 之困難， 之散佈密 同時易於 性之層面 口。且， 口之構造 個 / m m 2 做爲前提 -16- (14) 1232981 ’但是，亦可進行彩色顯示，及形成彩色濾光板層。換言 之，於上側基板（對向基板）2 0之面內，設有由著色層 及遮光層（黑矩陣）所組成之彩色濾光板層，依序形成保 護彩色濾光板層之保護層，更可於保護層上，形成畫素電 極9。於顯示領域中，各不同的色，譬如，形成具備紅（ R)，綠（G)，藍（B)之著色層之物，因此，藉由各色 之顯示領域使得構成畫素，而於每個畫素可形成彩色顯示 。同時，於本實施形態，係將主動矩陣式之液晶裝置做爲 舉例，但是，譬如，於單純矩陣式之液晶顯示裝置中，亦 可採用藉由本發明所產生之構造。 其次，說明關於使用本實施形態之液晶裝置之間隔物 1 5之構造。間隔物1 5，譬如可以由二酸化珪素，或聚苯 乙烯等所組成之球狀構件所構成。間隔物].5之直徑，爲 配合密封於液晶裝置之液晶層5 0之厚度（單元厚度，換 言之爲基板間隔）而設定之，譬如從2〜1 0 // nr之範圍內 CBB 4-55 进擇。 以如圖6所示可採用於表面熱硬化性樹脂層1 5 0，係 有助於構造之者來做爲間隔物。此時，藉由熱硬化性樹脂 之硬化所產生間隔物1 5，係對於下基板（TFT陣列基板 )1 〇及/或是上側基板（對向基板）2 0將會被確實地固定 。譬如，於當該液晶裝置之製造工程中，所謂滴下液晶之 基板（譬如TFT陣列基板1 〇 >、，係於不同之基板（對向 基板）上，散佈間隔物1 5後進行熱處理，藉由使其硬化 熱硬化性樹脂，使得對向基板2 0可以予固定間隔物I 5。 -17- (15) 1232981 同時，於間隔物]5之表面，譬如如圖7所示，可設 置付予長鏈之烷基之表面處理層]5 ]。譬如，以使用硅烷 聯節軸劑進行表面處理爲例子，做爲設有付予長鏈之驗基 之表面處理層]5 1之手段。如圖9 ( a )所示，使用未設 有表面處理層1 5 1之間隔物1 5時，於間隔物]5表面附近 中，液晶分子之配向會散亂不齊，而於其部分中，有產生 漏光之現象。另一方面，如圖9(a)所示，使用設有表 面處理層1 5 1之間隔物1 5時，於間隔物1 5表面附近中， 液晶分子可配向於所定之方向（本實施形態時爲垂直配向 )，於其部分中，既不易於產生漏光現象。 再者，可於間隔物進行著色，圖8所示之間隔物1 5 b ，表示著色成黑色之間隔物之一例。譬如，如圖10(a) 之所示，使用無著色間隔物1 5時，於黑顯示時（暗顯示 )，對應到間隔物將會發生白色之點顯示，依情況有形成 對比降低之一因素時候。但是，如圖1 〇 ( b )之所示，使 用如圖8所示之著色間隔物1 5，於黑顯示時（暗顯示） ，不會導致發生對應到間隔物之白色的點顯示。且，於白 顯示時（亮顯示），將會發生對應到間隔物之黑色的點顯 示，但是相較於黑顯示（暗顯示）時之白色的點顯示發生 ，對對比降低之影響形成較小。 [液晶裝置之製造方法] 其次，茲參考圖3及圖1 1其中一例，說明關於上述 實施形態之液晶裝置的製造方法。首先，如圖1 1之S ]所 -18- (16) 1232981 不’於由玻璃等所組成之下側的基板本體]Ο A上，形 有：遮光膜1 1 a，第1層間絕緣膜1 2，半導體層1 a， 道領域1 a ^低濃度源極領域1 b，低濃度汲極領域1 ^， 濃度源極領域1 d，高濃度汲極1 e，蓄積容量電極]f， 描線3 a，容量線3 b，第2層間絕緣膜4，資料線6 a， 3層間絕緣膜7，接觸孔8，畫素電極9，配向膜4 0 , 做成下側基板（TFT陣列基板）1 0。同時，上側之基板 體20A上，也形成遮光膜23，對向電極21，配向膜60 而作成上側基板。 其次，於圖1 1之S 2中，於下側基板（T F T陣列基 )1 〇上，滴下所定量之液晶。同時，於圖1 1之S 3中 於上側基板20上印刷密封材93，再者，於S4中，於 同之上側基板2 0上，散佈間隔物1 5。此時，密封材 如圖4所示形成不具有液晶注入口之封口框形狀，再者 將間隔物]5之散佈密度，於封口框形狀之密封材9 3之 側領域中，形成5 0〜1 5 0個/ mm 2程度。 且，於圖1 1之S 5中，製造具備之液晶裝置，係貼 此等下基板1 〇 ’和上側基板2 0 ’形成未圖示於下側基 1 〇，及上側基板2 G之外側之相位差板，及偏光板等之 學元件，顯示於至少圖3之面板構造。 另一方面，以藉由圖12所示之工程，使可得到上 實施形態之液晶裝置’做爲製造方法不同之例子。首先 如圖1 2之S 1 I所不’和上述之圖1 1之s 1相同’於由 璃等組成之下側的基板本體]ο A上，形成配向膜4 0， 成 通 局 掃 第 而 本 板 相 93 內 合 板 光 述 玻 做 -19- (17) 1232981 成下側基板（TFT陣列基板）】〇。同時，於上側之基板本 體20Α上，也形成配向膜60，做成上側基板（對向基板 )20 〇 其次，於圖12之S 12中，於下側基板（TF丁陣列基 板）1 〇上，上述同樣，印刷不具有液晶注入口之封口框 形狀之密封材9 3，再者，於圖1 2之S13中，於該封口框 形狀之密封材9 3之內側，滴下所定量之液晶。其次，於 圖1 4之S 1 4中，於上側基板2 0上，散佈間隔物1 5。此 時，間隔物1 5之散佈密度，於封口框形狀之密封材9 3之 內側領域中，形成5 0〜]5 0個/ m m 2程度。 且，於圖1 2之S 1 5中’製造具備之液晶裝置，係貼 合此等下基板1 0，和上側基板2 0，形成未圖示於下側基 板】〇，及上側基板2 G之外側之相位差板，及偏光板等之 光學元件，顯示於至少圖3之面板構造。 [電子機器] 其次，茲說明關於具備上述實施形態所表示之液晶裝 置之電子機器的具體例子。 圖1 3 ( a )爲表示攜帶電話之一例之斜視圖。於圖】3 (a )中’符號5 0 0係表示攜帶電話，符號5 〇〗爲表示具 備上述實施形態之液晶裝置之液晶顯示部。 圖1 3 ( b )爲表示文書處理機，個人電腦等之攜帶型 資訊處理裝置之一例之斜視圖。於圖1 3 ( b )中，符號 6〇〇爲資訊處理裝置，符號6〇 ]爲鍵盤等輸入部，符號 (18) 1232981 6 03爲資訊處理本體，符號6 0 2爲表示具備上 之液晶裝置之液晶顯示部。 Η ] 3 ( c )爲表示手腕手錶型電子機器之 圖。於圖1 3 ( c )中，符號7 00爲表示手錶 7〇1爲表示具備上述實施形態之液晶裝置之顯:) 如此，表示於圖1 3 ( a )〜（c )之各電子 具備上述實施形態之液晶顯示裝置之任一者， 品質優越之電子機器。 [實施例] 其次’爲了確認本實施形態之液晶裝置之 行以下之實施例。 換言之，如表1之所示，製作實施例1〜4 ’和比較例1〜4之液晶裝置，考察關於對比至 均勻性。 首先’貫施例1〜4之液晶裝置’係錯由包 示之工程之製造方法所製造，具備關於上述實 造。換言之，密封材93係不具備液晶注入口 形狀口，間_物1 5之散佈密度如表1所示， 開始依序設定爲：5 0個/ n m2，8 0個/ n m 2，1 ] 1 5 0 個 / n m2。 另一方面，比較例1，2之液晶裝_，形 晶注入口之密封材9 3，間隔物1 5之散佈密月 個/nm2及2〇〇個/nm2。同時，比較例3，4則 述實施形態 一例之斜視 本體，符號 6部。 機器，由於 故成爲顯示 特性，故進 之液晶裝置 基板間隔之 含圖1 1所 施形態之構 而形成閉框 從實施例] 0 個 / n m2， 成不具備液 [設定爲1 0 使用具備液 -21 - (19) 1232981 晶注入口之密封材，於貼合下側基板]〇及上側基板2 0後 ，由於從該液晶注入口，注入液晶而製造之，故間隔物 1 5之散佈密度各設定爲50個/nm2及1 50個/nm 2。 [表1】 密封材 注入口 間隔物散 佈密度 (個 /mm2 ) 基板間隔 面內均勻 性 對比 低溫氣 泡產生 率 實施例1 Μ >\\\ 50 〇 ◎ 〇 實施例2 ίΕ j \ \\ 80 ◎ ◎ 〇 實施例3 Μ 110 ◎ ◎ 〇 實施例4 Μ J \ w 1 50 ◎ ◎ 〇 比較例1 10 X X 〇 比較例2 赫 y 200 ◎ 〇 X 比較例3 有 50 X X 〇 比較例4 有 150 Δ 〇 〇 符號說明： •基板間隔面內均勻性 ◎:非常局 〇：局 △:低 X:長常低 •對比 ◎:非常高 〇：高 X :低 •低溫氣泡發生率 〇：低溫氣泡幾乎不產生 X :低溫氣泡有產生之可能 如圖1所示，實施例]至4之液晶裝置，高對比之基 板間隔於基板面內爲均勻，但是於比較例]之液晶顯示裝 - 22- (20) 1232981 置，間隔物1 5之散佈密度爲〗〇個/mn32，比起養 之液晶顯不裝置，既形成基板間隔不均勻。同時 例2之液晶顯示裝置，間隔物】5之散佈密度】 /mm2，相較於實施例1〜4之液晶裝置，對比既 ’散佈密度一但達到2 0 0個/ m m 2以上，液晶面 爲較硬，藉由熱使液晶膨脹，或收縮，就有可 5 〇內部產生氣泡。再者，於比較例3，4之液晶 密封材形成液晶注入口，於貼合基板後注入液晶 實施例1〜4之液晶裝置，基板間隔既會於面內產 〇 同時，關於比較例3，4，於貼合基板前， 基板上滴下液晶，之後採用貼合基板之手法不久 時，液晶會從注入口漏出，結果既無法實現液晶 之壓力，於間隔物之散佈密度設爲5 0個/nm2〜1 : 之各比較例3，4中，基板間隔既產生不均勻。 [發明效果] 若依照如同以上說明之本發明之液晶裝置時 液晶層之一對之基板間’配置間隔物所形成之液 ，將液晶層，及間隔物於基板面內之領域中，配 框狀之密封材’爲了將於密封材內部之間隔物之 5 0個/nm2〜]5 〇個/nm2，於該液晶顯示裝置之製 貼合基板前，於任一之基板上，滴下液晶，可採 一之基板之工程，此時’於基板上滴下液晶’爲 :施例]〜4 ，於比較 I 2 0 0 個 變小，且 板就會變 能於液晶 裝置，於 ，比較於 生不均勻 於任一之 ，於貼合 承受貼合 ;〇 個 /nm2 ，於挾持 晶裝置中 置於封閉 密度設爲 造時，在 用貼合另 了更可於 -23- (21) 1232981 散佈間隔物之狀態’做爲貼合基板，故不僅間隔務須承受 貼合基板之壓力’液晶也需承受此壓力，相較於設有傳統 之注入口之構造的液晶裝置，形成可減少間隔物之數目。 具體而言’如上述所述，可將間隔物之數目設爲50 個/nm2〜150個/nm2程度，其結果，相較於傳統而言，對 間隔物之顯示的影響既減少，基於在間隔物附近之漏光， 既不易產生降低對比等。因此，本發明，藉由減少使用之 間隔物之數目所產生改善顯示品味之同時，亦可達到成本 降低之可能性。 【圖式簡單說明】 圖1爲表示於本發明之第1實施形態之液晶裝置的開 關元件，信號線等之等價電路圖。 圖2爲表示圖1之液晶裝置之TFT陣列基板之相鄰 接的複數之畫素群組之構造平面圖。 圖3爲表示關於圖1之液晶裝置，於其非顯示領域之 構造剖面圖。 圖4爲表示關於圖1之液晶裝置，全體構造之槪略全 體平面模式圖。 圖5爲表示關於圖1之液晶裝置，於其顯示領域之構 造剖面圖。 圖6爲表示間隔物之構造模式圖。 圖7爲表示於間隔物設置表面處理層時之構造模式圖 一 24 - (22) 1232981 圖8爲表示於間隔物進行著色時之構造模式圖。 圖9爲表示關於使用圖7之間隔物時之效果說明圖。 圖1 〇爲表示關於使用圖8之間隔物時之效果說明圖 〇 圖Π爲表示關於圖1之液晶裝置之製造方法，其中 一例之說明圖。 圖1 2爲表示關於圖1之液晶裝置之製造方法，其中 一變形例之說明圖。 圖1 3爲表示關於本發明之電子機器，幾個例子之斜 視圖。 【主要元件對照表】 la................半導體層 la^...............通道領域 lb................低濃度源極 lc................低濃度汲極
Id................高濃度源極 le................高濃度汲極
If.................第1蓄積容量電極 2 ..................閘絕緣膜 3 a................掃描線 3 〇................容量線 4 ..................第2層絕緣膜 5 ..................接觸孔 -25_ (23) (23)1232981 6 a.................資料線 7 ..................第3層絕緣膜 8 ..................接觸孔 9 ..................畫素電極 10 ...............下側基板（TFT陣列基板） 1 0A..............基板本體 11a... .........第1遮光膜 12.....第1層間絕緣膜 1 3................接觸孔 15a...............間隔物 15b...............間隔物 S1〜SN..........畫像信號 G 1〜G N.........掃描線 15................間隔物 20................側基板（對向基板） 20 A...............基板本體 2 1..................共通電極 23..................遮光膜 30...................TFT元件 4 0...................配向膜 50...................液晶層 6 0...................配向膜 70....................積蓄容量 93...................密封材 -26- (24) 1232981 100..................透過型液晶裝置 150..................熱硬化性樹脂 15]...................表面處理層 5 00 ..................攜帶式電話 5 0 1..................液晶顯不部 600 ..................資訊處理裝置 602 ............……液晶顯示部 6 03……..………資訊處理主體 700 ..................手錶 70 1 液晶顯不部