TWI232593B - Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector - Google Patents
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Description
1232593 玫、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本杂明係關於光源。更特定言之,本發明係關於發射自 發光二極體(LED)之光衝擊於磷光體材料上並將其激發,其 接著再發射可見光之光源。 【先前技術】 於構造中利用LED之白色光源可具有兩基本形態。在其 中一種於文中稱為直接發射LED之形態中,經由不同顏色 LED之直接發射而產生白光。其例子包括紅色led、綠色 LED、及監色LED之組合,及藍色LED及黃色LED之組合。 在於文中稱為LED激發以碟光體為主體之光源(pLED)的另 一基本形態中,單一的LED於狹窄波長範圍内產生光束, 此光束衝擊於磷光體材料上並將其激發,而產生可見光。 磷光體可包括不同磷光體材料之混合物或組合,且由磷光 體所發射之光可包括複數個分佈於可見波長範圍内之狹窄 發射線,以致發射光在人類肉眼看來實質上為白色。 PLED之一例子為照明將藍色轉變為紅色及綠色波長之 碟光體的監色LED。一部分的藍色激發光未被磷光體吸 收,及殘留的藍色激發光與由磷光體所發射之紅光及綠光 結合。PLED之另一例子為照明吸收uv光及將其轉變為紅 光、綠光、及藍光之鱗光體的紫外(UV)LED。 白光PLED較諸直接發射白色LED之優點包括成裝置老 化及溫度函數之較佳的顏色穩定性,及較佳的批次間和裝 置間顏色均勻度/再現性。然而,PLED部分由於在磷光體之 90930.doc 1232593 光吸收及再發射過程中之無效率而可能較直接發射led之 效率低。 白光PLED可包括在反射性散熱器中之uv發射半導體晶 粒(晶片)。反射性散熱器亦可使uv光部分準直。uv光照明 含磷光體層之底側,其吸收至少一部分2UV光及在可見區 域中之多個波長下發射光,而提供對一般觀察者看來實質 上為白色的光源。圖1顯示此一 pLED 1〇之一形態。pLED 包括裝置於導電性散熱器14之井中的半導電性LED 12,此 導電性散熱器14亦將發射自LED 12之一些光朝磷光體-反 射器組件16反射。組件16可位於光學透明的鑄封材料18 内,此鑄封材料1 8之形狀可提供透鏡特徵2〇,以調整由 PLED 1 〇所發射之光。構光體組件1 $更詳細示於圖2。鱗光 體係自一或多種鱗光體材料與黏合劑混合之組合形成為層 22。可將反射UV激發光但透射可見發射光之長通道(Lp ; long-pass)反射态24運用至鱗光體層22之上表面。可將反射 可見光但透射uv光之短通道(SP)反射器26運用至層22之底 部。 一定磷光體濃度之磷光體層的最佳厚度係在有效率吸收 UV光(偏好光學上厚的鱗光體層)與有效率發射可見光(偏 好光學上薄的填光體層)之間的折衷。此外,由於UV光之強 度在磷光體層22之底部為最大,且有用的光係自磷光體層 22之頂部引出,因而將罐光體層22之厚度提高至高於最佳 厚度將會使整體PLED輸出及效率快速地降低。 LP反射器24及SP反射器26之存在可增進PLED 10之效 90930.doc 1232593 率。LP反射器24將未被磷光體層22吸收,且在其他情況中 將被浪費的UV光往回反射於磷光體層22上。此使UV光通過 磷光體層之有效路徑長度增加,而使對於一定磷光體層厚 度之被磷光體吸收之UV光的量增加。因此,最佳磷光體層 厚度可相較於沒有LP反射器24之構造降低,而提高光產生 效率。 PLED的另一顯著損耗係基於磷光體層中之光之方向不 受控制的產生所致,而導致於磷光體層22中產生之一半的 可見光朝LED往回導引。此光之部分可經由反射離開散熱 器之傾斜壁而被捕捉,但光之大部分經散射、吸收、或降 低品質。此損耗可經由如圖所示將SP反射器26置於LED 12 與磷光體層22之間而降低。 最好能再進一步增進PLED構造之效率。亦最好能簡化 PLED之製造及降低其成本。 【發明内容】 - 本申請案揭示將聚合物多層光學薄膜利用於濾光組份, 即LP及SP反射器之PLED。多層光學薄膜包括通過薄膜之厚 度設置於光學重複單元内之個別的光學層,其之至少部分 可為雙折射。鄰接的光學層具有維持反射性及避免在中至 高入射角下之P-偏振光之洩漏的折射率關係。SP反射器包 括具有一厚度梯度之光學重複單元,其產生經設置成將由 磷光體所發射之可見光反射及透射UV激發光之反射帶。LP 反射器包括具有一不同厚度梯度之光學重複單元,其產生 經設置成將UV激發光反射及透射由磷光體所發射之可見 90930.doc 1232593 光的反射帶。作為PLED之一組份之平人 心3物多層光學薄膜可 具有平面形態,或其之至少一者可經 /变化或以其他方式成 形成曲面,無論係為球體、拋物面、 備圓體之形狀、或其 他形狀。 揭示製造麵之方法,此方法包括形成包含至少一聚合 物多層光學缚膜及一磷光體層之片材材料。在一些情況 中’填光體可夾於兩聚合物多層光學薄膜反射器 及-LP反射器-之間。在其他情況中’可僅將磷光體層塗布 至-聚合物多層光學薄膜。聚合物多層光學薄膜及稱光體 層形成磷光體-反射器組件。可自片材材料切割出個別件的 罐光體-反射器組件’接著將其浸泡於透明_封材料中或注 塑形成第-光學組份,然後再將其結合至個別製造的哪 組份。片材材料可包括以方便㈣筒形態收容及儲存填光 體-反射器組件物件直至需要時為止的載體薄膜。娜可 經由將包括LED之下部結合至包括碟光體_反&器組件之上 部而製得。在一些情況中,片材材料亦可經壓花。 本說明書揭示其中之曲面LP反射器與磷光體層,或至少 與其之中心明亮部分隔開,以致任何未被磷光體層吸收之 UV激發光將在有限範圍的入射角内衝擊於LP反射器上,且 更有效率地往回反射於構光體層上之plED具體實施例。 本申清案揭示利用鄰近多層光學薄膜及填光體層之至少 一者之空氣間隙於促進全内反射的pLED具體實施例。 本申請案揭示利用非成像集中器元件之組合於增進LP及 /或SP反射器之性能的PLED具體實施例。 90930.doc 1232593 本申請案亦揭示將LED、LP反射器、及磷光體層設置成 使來自LED之激發光直接反射於磷光體層之主要正面上之 PLED具體實施例。 揭示具體實施例之此等及其他態樣將可由以下之詳細說 明而明白。然而,絕不應將以上之概述解釋為對提出專利 申凊之主題内容的限制,此主題内容僅可由如可於實行中 改進之隨附之申請專利範圍所定義。 【實施方式】 雖然如圖1-2所示使用LP反射器24及SP反射器26之一或 兩者可改良系統效率,但其之改良由於特定反射器在傾斜 入射角下之不良的光譜選擇性及不良反射性而受限。以散 射%序為基礎的LP反射鏡或濾光器可獲致相當恒定之性能 成入射角之函數,但其具有不良的光譜選擇性。由無機介 電材料堆疊所構成的LP及SP反射鏡可於狹窄的入射角範圍 内具有良好的光譜選擇性,但其會隨增加的入射角及在中 至咼入射角下之p-偏振光之低反射性(高透射)而發生光譜 藍色位移。由於磷光體顆粒使!;从激發光散射,及在寬廣的 角度範圍内發射其個自之光’因而習知iLp及“反射鏡對 於管理磷光體-反射器組件内之光並非高度有效。 PLED之性能可經由使用聚合多層光學薄膜而提高,即具 有至少第一及第二聚合物材料之數十、數百、或數千個交 替層之薄膜,其之厚度及折射率係經選擇成可於期望的光 譜部分中獲致期望的反射性,諸如限於uv波長之反射帶或 限於可見波長之反射帶。參見,例如,美國專利5,882,774 90930.doc -10- 1232593 (J〇nza等人)。雖然由此等薄膜所產生之反射帶亦會發生斑 和無機各向同性材料之堆叠相關之藍色位移類似之隨入射 角的監色位移,但可將聚合多層光學薄膜加工,以致鄰接 的層對具有相付或幾近相符、或故意不符之與正交於薄膜 之Z軸相關的折射率,以致在鄰接層間之各界面對於卜偏振 光之反射性隨入射角緩慢地減小,實質上與入射角無關,、 或隨遠離正向之人& & Μ 1 ^ 之入射角而增加。因此,此種聚合多層光學 薄膜即使係在高度傾斜的入射角下亦可對Ρ-偏振光維持高 反射性值’相較於習知之無機各向同性堆疊反射器降低由 射f生薄膜所透射之卜偏振光的量。為獲致此等性質,將 W 口物材料及加工條件選擇成對各對鄰接的光學層,沿z轴 (平行於薄膜之厚度)之折射率的差異不多於沿(面内) 轴之折射率差的-分數,此分數為G.5、G.25、或甚至0,1。 或者,z轴之折射率差的符號可與面内才斤射率差相反。 使用Κ Θ夕層光學薄膜亦由於此種薄膜的可撓性及可形 成,而可有各種新穎的PLED具體實施例及構造方法,無論 /、疋否亦具有以上所指的折射率關係。舉例來說,聚合多 層光學薄膜可經由壓花、熱成形、或其他已知之方式,而 欠久羑幵y成具有二維形狀諸如拋物面、球體、或橢圓體之 口P刀大致參見公開申請案us 2002/0154406(Merrill等 人)。關於額外的聚合多層薄膜具體實施例,亦參見美國專 利5,540,978(Schrenk)。不同於一般係逐層蒸氣沈積於硬 貝脆f生基材上之習知之無機各向同性堆疊,聚合多層光 學溥膜可以大體積的捲筒形態製得,且亦可層合至其他薄 90930.doc 1232593 膜及塗布,且可模切或以其他方式細分成小物件,以容易 地加入至光學系統諸如PLED中,如進一步說明於下。細分 聚合多層光學薄膜之適當方法揭示於2002年10月10日提出 申請之申請中之美國申請案序號1〇/268,118。 有相當多樣的聚合物材料適用於供PLED用之多層光學 薄膜中。然而,尤其當PLED包括白光磷光體發射器與UV LED激發源結合時,多層光學薄膜包括交替的聚合物層, 其包含當暴露至UV光時可抵抗降解之材料較佳。在此方 面,特佳的聚合物對為聚對苯二曱酸乙二酯(PET)/共-聚甲 基丙烯酸曱酯(co-PMMA)。聚合反射器之UV安定性亦可經 由加入非UV吸收光安定劑諸如受阻胺光安定劑(HALS)而 提高。在一些情況中,聚合多層光學薄膜亦可包括透明金 屬或金屬氧化物層。參見,例如,PCT公告WO 97/01778 (Ouderkirk等人)。在使用即使係強韌之聚合物材料組合亦 將會令人無法接受地降解之特別高強度之UV光的應用 中,可有利地使用無機材料於形成多層堆疊。無機材料層 可為各向同性,或可經製成為呈現形態雙折射,如說明於 PCT公告WO 01/75490(Weber),因此而具有產生如前所述之 增進P-偏振反射性之有利的折射率關係。然而,在大多數 的情況中,多層光學薄膜實質上完全為聚合性,沒有無機 材料最方便且成本有效。 圖3描繪片材材料30之捲筒,此材料包括至少一聚合多層 光學薄膜及利用塗布操作塗布至多層光學薄膜之實質上均 勻的磷光體層。片材材料亦可包括以將磷光體層夾於第一 90930.doc 12 1232593 2:;:合多層光學薄膜之間之方式塗布的第二聚合多層 /二V ’如圖2所見。亦可包括提供期望機械、化學、及 或光予性質之額外的層
孟層參見吴國專利0,368,699 1⑺等人)。片材材料30亦包括載體薄膜較 經由機械梦罟#上π U 曰 、诸如刀片,精密模切,或經由如說明於以上 提及之中請中之,U㈣請案中之掃描雷射㈣吻切。吻切線 =定片材材料之個別物件32’但其不包括保持完整的載體 :犋。物件32可具有類似於圖2所示之截面構造,且可為任 思的小尺寸。其係經由如圖4所示之下方的載體薄膜Μ而方 便地遞送。在PLED之製造過程中-且與源之構造無關_ 可將物件32自載體薄膜移出及置於先前經加入,或之後再 加入鑄封材料之個別模具中,因此形成如圖丨所描繪之 PLED,但其中之反射器組份使用聚合多層光學薄膜。 圖5-7描纷利用内凹形狀之多層光學薄膜乙?反射器之 PLED的另類構造。使Lp反射器與磷光體隔開及使其朝磷光 體及朝LED 12彎曲有助於降低衝擊於lp反射器上之激發光 的入射角範圍’因而降低由論述於上之藍色位移效應所造 成之UV光洩漏通過LP反射器。多層光學薄膜在浸泡於透明 介質18中之前,經由壓花或其他適當方法永久變形成適當 幵> 狀之内凹表面較佳。無論係LP或SP之多層光學薄膜在其 之各別反射帶内為鏡面反射器。來自多層光學薄膜之擴散 反射典型上可忽略。 在圖5中,PLED 40包括設置於包含聚合多層光學薄膜之 非必需之SP反射器44上之相當小面積之磷光體層42。LP反 90930.doc -13- 1232593 射器46經壓花而得内凹形狀,且鄰接於磷光體-反射器組件 之其他組伤(42#)設置。LED 12及散熱器丨4係經設置成將 由LED所發射之UV激發光朝磷光體層42之中心部分導引。 UV光於磷光體層42之中心或接近中心處具最高光量 (fluence)較佳。於其之起始穿越磷光體層42中未被吸收之 卩¥光在被1^反射|§46朝填光體層往回反射之前,通過在1^ 反射器46和磷光體層42之間的區域48。區域48可包括透明 鑄封材料18,或者另一聚合材料,或空氣(或其他氣體),或 玻璃。LP反射46經成形成使往回反射至鱗光體之uv激發 光的量最大化較佳。 圖6顯示類似於PLED 40之PLED 50,除了將填光體層 52、SP反射器54、及LP反射器56之尺寸增加。對於自LED 12 至鱗光體層之一定的距離,及相同的散熱器14形體,較大 的LP反射器56將於磷光體層之中心產生較高的光濃度。磷 光體層之較小的中心發射面積呈現磷光體發射光至LP反射 器表面之較小的入射角範圍’而改良整體的pled效率。如 刖,區域58可包括鎮封材料ig或另一聚合材料,或空氣(或 其他氣體),或玻璃。 圖7所示之PLED 60係類似於PLED 50,除了 LP反射器66 現形成光源之外表面。區域68可填充鑄封材料18或其他透 明介質。 圖5-7之鱗光體層可為連續,或經圖案化以將填光體限制 於其最有效處。此外,在圖1及5-7之具體實施例及其他將 磷光體-反射器組件設置於LED上方且與其隔開之具體實施 90930.doc 14 1232593 例中,PLED可分兩半製造:一半包含具有散熱器2LED, 及另一半包含磷光體層及多層反射器。兩半可分開製造, 然後再結合或以其他方式固定在一起。此構造技術可有助 於簡化製造及提高總良率。 圖8展示可有利應用於此處之其他具體實施例的一概 念:在LED與磷光體層之間提供一空氣間隙,及/或鄰近磷 光體-反射器組件之一或多個元件提供一空氣間隙。為簡化 說明起見,在圖中僅顯示pled之一些元件。圖中顯示在 LED 12與磷光體層72之間,鄰接於多層光學薄膜”反射器 74之空氣間隙70。空氣間隙由於所牽涉之相當小的角度而 對自LED到達磷光體層之uv光具有最小的不利影響。但空 氣間隙使在高入射角下行進之光,諸如在sp反射器、磷光 體層、及LP反射器中行進之光可全内反射(tir)。在圖8之 具體實施例中,sp反射器之效率經由可在反射器74之下表 面TIR而增進。或者,可除去sp反射器74,及可將空氣間隙 直接形成於磷光體層72下方。亦可將空氣間隙形成於磷光 體層72之上側,或鄰接KLp反射器之上或下表面。提供空 氣間隙之-方法包括使用已知的微結構薄臈。此種薄膜相 對於微結構表面具有實質上平坦的表面。微結構表面之特 徵可在於單一組之線性¥字形溝槽或稜鏡,界定微小角錐之 陣列之多組相交的v字形溝槽,一或多組狹窄脊狀物等等。 當將此-薄膜之微結構表面靠著另一平坦薄膜放置時,在 微結構表面的最上部之間會形成空氣間隙。 當填光體將一波長(激發波長)之光轉變為其他波長(發射 90930.doc -15 - 1232593 波長)日守,會產生熱。在靠近磷光體處存在空氣間隙可顯著 地降低熱之自磷光體傳送至周遭材料。可以其他方式補償 降低的熱傳,諸如經由在靠近磷光體層處提供一層可橫向 移除熱之玻璃或透明陶兗。 改良PLED之效率的又另一方法係將LED、磷光體層、及 LP反射态構造成使來自LED之至少一些uv光被LP反射器 直接反射於磷光體層之上(觀看)表面,而非將所有的1;¥光 導引於磷光體層之底表面上。圖9顯示此一PLED 8〇。散熱 器14’經自以上之具體實施例作修改,以致可將LED 12及麟 光體層82大致共平面地裝置。將“反射器示為在磷光體層 之下方’但其在許多情況中將不需要。此係由於經壓花成 内凹糖圓體或類似形狀之形態的LP反射器86將UV激發光 直接自LED導引於磷光體層82之上表面上,此表面係面對 PLED 80之正面。將LED及磷光體層設置於橢圓體之焦點較 佳。由填光體層所發射之可見光被LP反射器86透射及被 PLED本體之圓形前端收集,而形成期望的圖案或可見(以 白色較佳)光。 將激發光直接導引於磷光體層之正面有許多好處。磷光 體層之最明亮的部分—激發光最強處—現暴露於裝置 之正面’而非被磷光體層之厚度遮蔽。可將磷光體層作得 實質上較厚,以致其實質上吸收所有的UV激發光,而無需 擔憂以上所提及的厚度/亮度交換。可將磷光體裝置於寬帶 金屬反射鏡,包括銀或經增強之鋁之上。 圖10概略顯示另一PLED具體實施例,其中LED光衝擊於 90930.doc 16 1232593 磷光體層之正面上,但其中一些LED光亦衝擊於背面上。 在此具體實施例中,由LED 12所發射之一些光衝擊於鱗光 體層92之背面上,但一些LED光亦反射離開内凹形狀的Lp 反射器96,衝擊於麟光體層92之正面上,而未穿過碟光體。 由磷光體層92發射之可見光接著通過Lp反射器%朝向觀看 者或待照明之物體。LED、磷光體層、及Lp反射器皆可浸 泡於或附著至如先前具體實施例所示之透明鱗封介質。 圖11概略顯示另一 PLED具體實施例,其中設置非成像集 中裔之組合’以增進多層光學薄膜之操作。明確言之,如 圖所示將集中器元件1 〇〇a、1 〇〇b、1 〇〇c設置於LED 1 2、SP 反射器104、磷光體層i〇2、與LP反射器i〇6之間。集中器元 件有降低衝擊於多層反射器上之光之角度散佈,因而降低 關於圖5-7而論述於上之反射帶之藍色位移的效用。集中器 疋件可為具有平坦側壁之簡單圓錐段的形態,或側壁可為 所知曉之更為複雜的曲線形狀,以視光之行進方向而增進 準直或聚焦作用。在任何情況中,集中器元件之側壁為反 射性’而兩端(一大一小)則否。在圖11中,將LED 12設置 於集中器100a之小端。集中器元件1〇〇a收集由lEd所發射 之寬廣角度範圍的光,此範圍當此光行進至裝置sp反射器 104之集中器元件之大端時降低。sp反射器將uv激發 光透射至集中器元件l〇〇b,其將此光集中於磷光體層1〇2上 (同時並提高光的角度散佈)。由磷光體層1〇2向下發射之寬 角度範圍之可見光被集中器元件1〇〇b轉變為在sp反射器 104之更狹窄的角度範圍,在此其朝磷光體層1〇2向上往回 90930.doc 1232593 反射。同時,洩漏通過磷光體層1〇2之UV光及由磷光體層 1 02向上發射之可見光一開始具有寬的角度散佈,但其被集 中杰元件100c轉變為較小的角度散佈,以致lp反射器ι〇6 將較佳地透射由磷光體所發射之可見光及將uv光朝碌光 體層往回反射。 為捕捉儘可能多的LED激發光,集中器元件100a之小端 可具有一空腔,以捕捉至少一些由LED之側面所發射之 光’如圖12所示。 揭不於此之具體實施例係利用各式各樣的磷光體材料操 作。磷光體材料典型上為無機組成物,其具有在3〇〇_45〇奈 米範圍内之激發波長及在可見波長範圍内之發射波長。在 具有狹窄發射波長範圍之磷光體材料的情況中,可調配磷 光體材料之混合物,以獲致如由觀看者所察覺之期望的顏 色平衡,例如發射紅色、綠色及藍色之磷光體的混合物。 具有較寬廣發射帶之磷光體材料有用於具較高色彩校正 (color rendition)指數之磷光體混合物。希望磷光體應具有 快速的輻射衰變速率。磷光體摻混物可包括分散於黏合劑 諸如環氧黏著劑、或聚合基質中之在(_25微米大小範圍 内之碟光體顆粒’其接著可塗布至基材,諸如LED或薄膜。 技藝中熟知將在約300至47〇奈米範圍内之光轉變至較長波 長之磷光體。參見,例如,由Phosphor Technology Ltd. (Essex,England)所提供之磷光體之訊息。磷光體包括經摻 雜稀土之石權石、石夕酸鹽、及其他陶瓷。此處所使用之術 語「鱗光體」亦可包括有機螢光材料,包括螢光染料及顏 90930.doc 1232593 疋〖生之材料為較佳,尤其 料。在300-470奈米輻射下具高安 係無機磷光體。 特定術語之彙編 LED :發射可為可見、紫外、 异、外或紅外,且可為相干或不 相干之光的二極體。此處所使用之術語包括以「㈣」銷 售之不相干(及通常為廉價)環氧包封的半導體裝置,無論係 為習知或超n射種類。此處所使用之術語亦包括半導體雷 射二極體。 可見光:可由人類肉眼察覺之光,一般係在約4〇〇至7〇〇 奈米之波長範圍内。 光學重複單元(「ORU」):在多層光學薄膜之厚度上重複 之至少兩個別層之堆疊,但相關的重複層不需具有相同厚 度〇 光學厚度:指定本體之物理厚度乘以其之折射率。一般 而言,其係波長及偏振作用之函數。 ^ 反射帶··在各側上由甚低反射率之區域限制之甚高反射 率之光譜區域。 紫外(UV):波長在約300至約4〇〇奈米範圍内之光。 白光··刺激人眼之紅、綠、及藍色感測器,而產生一般 觀察者將視為「白色」之外觀的光。此種光可偏向至紅色(一 般稱為暖白光)或至藍色(一般稱為冷白光)。此種光可具有 高至100之色彩校正指數。 進一步論述 此處說明之干擾反射器包括由有機、無機或有機及無機 90930.doc 19 1232593 材料之組合所形成的反射器。干擾反射器可為多層干擾反 射^。干擾反射器可為可撓性干擾反射器。可換性干擾反 射器可由聚合、非聚合材料、或聚合及非聚合材料形成。 包括聚合及非聚合材料之範例的薄膜揭示於美國專利第 6,010,751 及 6,172,81〇 號及 ep 733,919A2。 說明於此之干擾反射器可由可撓性、塑性、或可變形材 料形成,且其之本身可為可撓性、塑性或可變形。此等干 擾反射器可偏向或彎曲至可使用於習知之LED的半徑,即 0.5至5毫米。此等可撓性干擾反射器可經偏向或彎曲,且 仍保有其之偏向前的光學性質。 已知之自安裝的週期性結構,諸如膽固醇反射偏光鏡及 特定的嵌段共聚物,被視為係供本申請案之用途用之多層 干擾反射器。膽固醇反射鏡可使用左手及右手對掌節距元 件之組合製造。 在一說明具體實施例中,可將部分透射所有波長之藍光 的長通道濾光器與薄的黃色磷光體層結合使用,以將來自 LED之一些藍光於第一次通過磷光體之後往回導引於磷光 體層上。 除了提供UV光之反射外,多層光學薄膜之一功用可為阻 擔UV光之透射,以防止後續在led封裝内部或外部的元件 退化’包括防止損傷人眼。在一些具體實施例中,可能最 好在UV反射器之最遠離於led之側上加入UV吸收劑。此 UV吸收劑可為在多層光學薄膜中,在其之上,或與其鄰接。 雖然技藝中知曉各種製造干擾濾光器之方法,但全聚合 90930.doc • 20- 1232593 物的構造可提供多項製造及成本的效益。如將具高光學透 射=大指數差之南溫聚合物利料干擾濾、光器巾,則可製 造薄且相當可撓的環境安定濾光器,以滿足短通道(SP)及 (LP)濾光器的光學需求。尤其,於US 6,531,230(Weber等人) 中所教不之共擠塑多層+擾濾光器可提供精轉的波長選擇 以及大面積、有效利用成本的製造。使用具高指數差之聚 &物對可構造自支承’即沒有基材但仍可容易加工之非常 薄的咼度反射性反射鏡。此種干擾結構當熱成形或當曲折 至小至1毫米之曲率半徑時將不會龜裂或損壞或以其他方 式退化。 可將全聚合性濾光器熱成形成各種3]0形狀諸如,比方 說,半球形圓頂(說明於下)。然而,必需小心地在圓頂之整 個表面上將薄化控制至準確量,以產生期望的角度性能。 具有簡單二維曲率之濾光器較3D化合物成形濾光器容易製 作。尤其’可將任何薄且可撓的濾光器彎曲成2D形狀諸如-, 比方說’圓柱形之一部分,在此情況中,不需要全聚合性 濾光器。在薄聚合基材上之多層無機濾光器以及在厚度低 於200微米之玻璃基材上之無機多層物可以此方式成形。後 者可能需經加熱至接近玻璃轉移點之溫度,以得到具低應 力之永久形狀。 供長及短通道濾光器用之最佳帶緣將視濾光器經設計於 其中操作之系統中之LED及磷光體的發射光譜而定。在一 說明具體實施例中,對於短通道濾光器,實質上所有的LED 發射通過濾光器而激發磷光體,及實質上所有的磷光體發 90930.doc -21 - 1232593 射被濾光器反射,因此其不會進入LED或其可被吸收之其 之基礎結構中。因此,將短通道界定帶緣置於在LED之平 均發射波長與磷光體之平均發射波長之間的區域中。在一 說明具體實施例巾,將濾光器置於㈣與填光體之間。然 而,如濾光器為平面,則來自典型LED之發射將在各種角 度下衝擊濾光器,及在一些入射角下被濾光器反射而無法 到達鱗光體。除非將濾光器彎曲以維持接近恒定的入射 角’否則將可能需要將設計帶緣置於較磷光體及LED發射 曲線之中點大之波長下,以使整體系統性能最佳化。尤其, 由於所包含的立體角相當小,因而極少鱗光體發射在接近 零度的入射角下被導引至濾光器。 在另一說明具體實施例中,將長通道反射濾光器置於磷 光體層之與LED相對之側,以將led激發光再循環回到構光 體’而改良系統效率。在此說明具體實施例中,如led發 射係在可見光譜中,且需要大量以平衡磷光體顏色輸出, 則可將長通道濾光器省略。然而,可使用部分透射短波光, 諸如,比方說,藍光之長通道濾光器於經由將可使較多藍 光在較正入射高之角度下通過之光譜角度位移而將藍色 LED/黃色填光體系統之角度性能最佳化。 在再一說明具體實施例中,LP濾光器為曲面,以維持LED 發射光於濾光器上之接近恒定的入射角。在此具體實施例 中’鱗光體及LED皆面對LP濾、光器之一側。在高入射角下, LP濾光器將不會反射短波光。因此,可將LP濾光器之長波 帶緣置於儘可能長的波長下,同時仍阻擋儘可能少的磷光 90930.doc -22- 1232593 體發射。同樣地,可改變帶緣位置,以使整體系統效率最 佳化。 在此將術語「鄰接」定義為指示兩物件彼此相近的相對 位置。鄰接的物件可相觸及,或彼此隔開,而有一或多個 材料設置於鄰接的物件之間。 LED激發光可為任何LED源可發射之光。LED激發光可為 UV、或藍光。藍光亦包括紫色及教色光。led包括自發發 射裝置以及使用刺激或超輻射發射之裝置,包括雷射二極 體及垂直空腔表面發射雷射二極體。 此處說明之磷光體層可為連續或不連續層。磷光體材料 之層可為均勻或不均勻圖案。麟光體材料之層可為複數個 具有小面積之區域,諸如,比方說,複數個各具有低於1〇〇〇〇 平方微米或自500至10000平方微米之平面圖中之面積之 「點」。在一說明具體實施例中,複數個點各可由在一或多 個不同波長下發射可見光之磷光體所形成,諸如,比方說^ 發射紅色之點、發射藍色之點、及發射綠色之點。可視需 要將在複數個波長下發射可見光之點以任何均勻或不均勻 的方式設置及構造。舉例來說,磷光體材料之層可為複數 個沿表面或面積具有不均勻密度梯度之點。「點」可具有任 何規則或不規則形狀,且其之平面圖不需為圓形。磷光體 材料可為多層光學薄膜之共擠塑皮層。 如下所述,結構磷光體層可以數種方式構造,以提供性 忐效益。當使用多種磷光體類型於提供較寬廣或較完全的 光。9輪出%,來自較短波長磷光體之光可被其他磷光體再 90930.doc -23- 1232593 吸收。包括各磷光體類型之隔離點、線條、或隔離區域之 圖案使再吸收之量降低。此對於使未經吸收之泵光(pump Hght)往回反射至磷光體圖案之空腔型構造將特別有效。 多層結構亦可降低吸收。舉例來說,最好可依序形成各 墙光體之層,其中最長波長之發射器最靠近激發源。較靠 近發射器發射之光平均將較靠近輸出表面發射之光在全體 W光體層内經歷較大程度的多重散射。由於最短的發射波 長最易再吸收,因而最好將最短波長磷光體設置於最靠近 輸出表面。此外,最好可對各層使用不同厚度,以當激發 光行進通過多層結構時,補償漸低的激發光強度。對於具 類似吸收及發射效率之4光體層,自激發至輸出側之漸薄 的層將於各層中對減小的激發強度提供補償。亦最好可將 短通道濾光器置於不同磷光體層之間,以降低來自往回散 射及稍早依序被磷光體層再吸收之發射磷光體光。 形成具磷光體塗層之薄膜結構亦可製造適用於方粒切製 成供二極體用之個別單元之小結構的陣列。舉例來說,可 印刷小圓頂或半球體之陣列,其各將有用於降低pLED有時 會出現的「暈圈(hai〇)效應」(如下所述)。 非散射磷光體層可與多層光學薄膜結合而提供增進的光 輸出。非散射磷光體層可包括在指數相符黏合劑(例如,具 咼指數惰性奈米顆粒之黏合劑)中之習知之磷光體,習知之 磷光體組成物之奈米尺寸顆粒(例如,其中之顆粒大小小且 散射光可忽略)’或經由使用量子點磷光體。量子點磷光體 係以半導體諸如硫化鎘為基質之光發射器,其中顆粒夠 90930.doc -24- 1232593 小’以致電子結構會受顆粒大小的影響及控制。因此,吸 收及發射光譜係經由顆粒大小而控制。量子點揭示於美國 專利第6,501,091號。 此處揭示一種具體實施例,其中包括磷光體/反射器組件 之第一光學組份稍後可安裝至LED基座;散熱器視需要可 包括可安裝磷光體層及干擾濾光器之透明散熱器。透明散 熱器可為設置於磷光體層/干擾濾光器與LED基座之間的一 層監寶石。大多數的玻璃具較聚合物高之導熱性,且亦可 有用於此功能。許多其他結晶材料之導熱性較大多數的玻 璃高,且亦可使用於此。藍寶石層可於邊緣處與金屬散熱 器接觸。 在一說明具體實施例中,在塗布干擾濾光器(即具有碟光 體層之聚合干擾濾光器)之前,可處理濾光器之表面,以促 進塗層之黏著。最佳的處理係視濾光器之表面層及磷光體 塗層中之材料(明確言之係用於將磷光體顆粒固定於表面 上之黏合劑)而定。表面處理可為標準的電暈放電處理,或 在底塗層之後的電暈放電。底塗層典型上係低於1微米厚。 有用的底塗材料為PVDC、磺化聚酯及其他非晶形聚酯諸如 Vitel、順丁稀二酸酯化共聚物諸如Bynei (〇叩〇加)及Μ·: (Mitsui Chemicals)、及 EVA諸如 Elvax (Dupont)。碟光體層 用之黏合劑可為熱塑性及/或可熱成形,且可為,例如,氟 聚合物、或矽基材料。 其他的底塗層包括,例如,真空塗布層,其以來自諸如 離子束或氣體電漿源之能源較佳,其中離子或電漿成份轟 90930.doc -25 - 1232593 擊聚合物表面,同時並沈積底塗層。此種底塗層典型上係 無機材料層諸如鈦氧或石夕氧層。 雖然將甚多注意力放在使用磷光體於將短波長光向下轉 變為可見光,但亦可將紅外輻射向上轉變為可見光。技藝 中热知向上轉變填光體,且典型上使用二或多個紅外光子 於產生1可見光子。亦經展示泵送此種磷光體所需之紅外 led,且其非常有效率。使用此方法之可見光源可經由加 入長通道(LP)及短通道(sp)濾光器而變得更有效率,雖然各 長通道(LP)及短通道(SP)濾光器之功能在在此情況中係相 車乂於向下轉變磷光體系統而逆轉。可使用sp濾光器於將设 光朝磷光體導引,同時並透射可見光,及可將Lp濾光器置 於、光體與LED之間,以將發射可見光朝預期的系統或使 用者向外導引。 SP或LP濾光器之壽命大於或等於相同系統中之led之壽 〒幸乂佳。聚合干擾濾光器之退化可歸因於過熱,其會造成 2變層厚度值,及因此改變濾光器反射之波長的^料潛 變。在最糟的情況中,過熱會導致聚合物材料熔融,導致 材料之快速流動,及波長選擇之改變以及引發濾光器 均勻。 s聚合物材料之降解亦可視聚合物材料而由短波長(光似) 、,射諸如_色、紫色或uv_射所引發。降解速率係、視光似 光通里及聚合物之溫度而定。溫度及通量—般將隨距咖 之、加的距離而減小。因此,在高亮度led,尤其係—咖 之ft况中’最好視設計之容許而將聚合性濾光器設置在儘 90930.doc -26- 1232593 可能遠離於LED。將聚合物濾光器設置於如前所述之透明 散熱器上亦可改良濾光器之壽命。對於圓頂形濾光器,光 似輻射之通量係隨距LED之距離的平方而減小。舉例來 說’於曲率中心放置單向1瓦LED之半徑1公分之半球形 MOF反射器將受到ι/(2ττ)瓦/平方公分之平均強度(圓頂之 表面積=2ττ平方公分)。在〇·5公分之半徑下,圓頂上之平均 強度將係該值之四倍,或2/ττ瓦/平方公分。LED、磷光體、 及夕層光學薄膜之系統可將光通量及溫度控制列入考慮而 設計。 可將一反射性偏光鏡設置於鄰接多層反射器及/或鄰接 碟光體材料。反射性偏光鏡可發射較佳偏振作用之光,同 曰守反射其他的偏振作用。技藝中已知之填光體層及其他薄 膜組份可使被反射性偏光鏡反射之偏振光消偏振,及藉由 自鱗光體層,或磷光體層與多層反射器結合之反射,可使 光再循環及提高固態光裝置(LED)之偏振光亮度。適當的反 射性偏光鏡包括,例如,膽固醇反射性偏光鏡、具1/4波延 遲器(retarder)之膽固醇反射性偏光鏡、講自3M公司之 DBEF反射性偏光鏡或亦購自3M公司之drpF反射性偏光 鏡。反射性偏光鏡在由磷光體所發射之實質的波長及角度 範圍内偏振光較佳,及在LED發射藍光之情況中,其亦可 反射LED發射波長範圍。 適當的多層反射器薄膜係雙折射多層光學薄膜,其中在 兩鄰接層之厚度方向中之折射率實質上相符合,且具有非 书大或不存在的布魯斯特(Brewster)角度(p-偏振光之反射 90930.doc -27- 1232593 率達到零之角度)。如此可構造P-偏振光之反射性隨入射角 緩慢減小,與入射角無關,或隨遠離正向之入射角而增加 的多層反射鏡及偏光鏡。結果,可獲致於寬帶寬具高反射 性(在反射鏡之情況中對任何入射方向之兩偏振平面,及在 偏光鏡之情況中對選定的方向)之多層薄膜。此等聚合性多 層反射器包括第一及第二熱塑性聚合物之交替層。交替异 界定具平行於層延伸之互相正交之X及y軸及具正交於&及乂 軸之Z軸的局部座標系統,及其中至少一些層為雙折射。對 >σ第 、第一、及弟二互相正父轴偏振之光,在第一及第 '一層之間之折射率差之絕對值分別為Δχ、Ay、及Αζ。第三 軸係正交於薄膜之平面,其中Δχ係大於約〇 〇5,及其中Δζ 係低於約0 · 0 5。此寻薄膜說明於’例如,美國專利第 5,882,774號中。 圖13係使用於,例如,圖1之光源中之碟光體-反射器組 件116之另一具體實施例的剖面圖。圖中顯示一多層反射器 12 6鄰接於填光體材料12 2之層,然而,僅需將多層反射器 126設置成使光可於填光體材料122之層與多層反射器126 之間行進。多層反射器126反射至少一部分之可見光,及透 射LED激發光諸如,比方說,UV、或藍光。如前所述,可 將此多層反射器126稱為短通道(SP)反射器。 如文中所論述,可將多層反射器126設置成接受來自LED 12之光。多層反射器126可為任何可使用的厚度。多層反射 器126可為5至200微米厚或1〇至1〇〇微米厚。多層反射器126 視需要可實質上不含無機材料。 90930.doc -28- 1232593
一多層反射ϋ 126可由當暴露至諸如文中所論述之-、藍 光或兔光時抵抗降解的材料所形成。此處論述之多層反 :器可在高強度照明下長時間安定。一般可將高強度照明 疋義為自1至_瓦/平方公分之通量值。干擾反射器之操作 溫度可為戰以下,或65t以下。適當的說明性聚合材料 可包括由,例如,丙烯酸系材料、pET材料、材料、 聚苯乙烯材料、聚碳酸酯材料、購自3M(St· mn)之THV 材料及其組合形成之抗UV材料。可將此等材料及pEN材 料使用於藍色激發光。 如文中所說明,多層反射器126可與LED 12以任何可使用 的形態設置。在一說明具體實施例中,多層反射器126係設 置於磷光體122之層與LED 12之間。在另一說明具體實施例 中,將磷光體122之層設置於多層反射器126與lED 12之 間。可將多層反射器126構造成透射11乂或藍光,及反射至 σ卩分之可見光光瑨諸如綠光、黃光、或紅光。在另二 說明具體實施例中,可將多層反射器126構造成透射υν、 藍光或綠光,及反射至少一部分之可見光光譜諸如黃光或 紅光。 磷光體材料122之層當經發射自Led 12之激發光照明時 可發射可見光。墙光體材料122之層可為任何可使用的厚 度。磷光體材料122之層可包括任何數目的黏合劑諸如,比 方說’聚酯材料。在另一說明具體實施例中,填光體材料 12 2之層可包括黏著劑材料。在再一說明具體實施例中,可 將黏著劑材料設置於填光體材料12 2之層與聚合多層反射 90930.doc -29- 1232593 為126之間。黏著劑材料可為光學功能黏著劑,即其可包括 額外的光學材料諸如,比方說,染料、或散射顆粒。 磷光體-反射器組件11 6可以各種方式形成。舉例來說, 可將磷光體材料122之層設置或塗布於聚合多層反射器} % 上。可將磷光體材料122之層於聚合多層反射器ι26上塗布 為可流動材料。可將磷光體材料122之層以固體層鄰接於聚 合多層反射器126層合。此外,可將磷光體材料ι22之層及 聚合多層反射器126連續或同時熱成形。磷光體之層可為可 壓縮、彈性體,且甚至可包含於發泡結構中。 磷光體-反射器組件11 6可包括設置於如此處所說明之磷 光體材料122之層上,且示於圖2之第二干擾反射器。參照 圖2,圖中顯示此第二多層反射器26鄰接於磷光體材料22之 層,然而如前所述,僅需將第二多層反射器26設置成使光 可於磷光體材料22之層與多層反射器26之間行進。第二干 擾反射器26可為長通道或短通道反射器。磷光體材料22之 層及聚合多層反射器26可為任何期望的形態諸如,比方 說,平面、成形或曲面。 圖14係使用於圖1之光源中之磷光體-反射器組件216之 另一具體實施例的剖面圖。圖中顯示一多層反射器224鄰接 於磷光體材料222之層,然而,僅需將多層反射器224設置 成使光可於磷光體材料222之層與多層反射器224之間行 進。多層反射器224係經設置成反射LED激發光諸如,比方 說,UV、或藍光,及透射可見光。如前所述,可將此多層 反射器224稱為長通道(LP)反射器。 90930.doc -30- 1232593 多層反射為224係經設置成將LED激發光反射至磷光體 材料222之層。多層反射^§ 224可為任何可使用的厚度。多 層反射态224可為5至200微米厚或1〇至微米厚。多声反 射器224可由當暴露至諸如文中所論述之uv光時抵抗降解 的材料所形成。多層反射器224視需要可實質上不含無機材 料。 說明於此之多層干擾反射器可具有橫向厚度梯度,即具 有在反射器上之一點與在反射器上之另一點不同之厚度。 此等反射器可隨LED發射光入射角朝多層反射器之外部區 域的增加而較厚。由於反射波長係與厚度及入射角成正 比’因而提高在外部區域之反射器厚度可補償帶位移的問 題。 如文中所說明,多層反射器224可與LED 12以任何可使用 的形態設置。在一說明具體實施例中,多層反射器224係設 置於鱗光體222之層與LED 12之間。在另一說明具體實施例 中,將磷光體222之層設置於多層反射器224與lEE) 12之 間。可將多層反射器224構造成反射UV或藍光,及透射至 少一部分之可見光光譜諸如綠光、黃光、或紅光。在另一 說明具體實施例中,可將多層反射器224構造成反射UV、 藍光或綠光,及透射至少一部分之可見光光譜諸如黃光或 紅光。 磷光體材料222之層當經發射自LED 12之激發光照明時 可發射可見光。鱗光體材料222之層可為任何可使用的厚 度。填光體材料2 2 2之層可包括任何數目的黏合劑諸如,比 90930.doc -31 - 1232593 方說’聚酯材料。在另一說明具體實施例中,碌光體材料 222之層可包括黏著劑材料。在再一說明具體實施例中,可 將黏著劑材料設置於磷光體材料222之層與聚合多層反射 器224之間。黏著劑材料可為光學功能黏著劑。 磷光體-反射器組件2 16可以各種方式形成。舉例來說, 可將磷光體材料222之層設置或塗布於多層反射器224上。 可將構光體材料222之層於多層反射器224上塗布為可流動 材料。可將磷光體材料2 2 2之層以固體層層合至多層反射哭 224。此外,可將磷光體材料222之層及多層反射器224連續 或同時熱成形。磷光體之層可為可壓縮、彈性體,且甚至 可包含於發泡結構中。 鱗光體-反射器組件216可進一步包括如前所述且示於圖 2之短通道反射器。磷光體材料222之層及多層反射器224可 為任何期望的形態諸如,比方說,平面、成形或曲面。 圖15係以磷光體為主體之光源310之雙份組份系統之概 略剖面圖。可將磷光體-反射器組份311形成為單一組份, 且可將LED組份309以單一組份提供。PLED 3 10可經由將第 一光學組份(磷光體-反射器組份3 11)設置成接受來自第二 光學組份(LED組份309)之發射光而形成。在一說明具體實 施例中,LED組份309可具有經設置及構造成與磷光體-反射 器組份311配合表面313相配合的配合表面308。磷光體-反 射器316係如前所述。可將磷光體-反射器316設置於光學透 明材料310内或光學透明材料表面320上。 實施例 90930.doc -32- 1232593 此處之磷光體亮度的測量係使用裝射積算球(由〇ptr〇mc
Laboratories指示為〇L IS-670-LED)及高精密LED裝置具 (由 Optronic Laboratories指示為 〇L 700-80-20)的分光輻射 光通儀(由 Optronic Laboratories,Inc.(〇rlando,Florida, USA)指示為OL 770_LED)進行。分光輻射光通儀經校準, 以報告在輸入口進入積算球之總輻射能量(單位瓦每奈 米)。使用慣用的穿孔機自經塗布磷光體之樣品製造丨英吋 直徑之碟。此碟係配合經製造成裝置於高精密LED裝置具 上之慣用的薄膜接合器内。慣用的接合器將薄膜樣品固定 於經封裝LED之底座的上方大約丨英吋。經由將LED裝置於 裝置具内,將具有磷光體塗層之薄膜置於接合器内,將接 合為固定至發光二極體支架,然後將二極體支架組件插入 至積算球之入口孔隙内,而進行測量。若需要,使用經校 準之中性密度濾光器於調整到達分光輻射光通儀之偵測器 的光量。 除非特別說明,否則使用於以下實施例中之多層光學薄 膜在正向入射下均等地反射兩偏振狀態(即各個別的光學 層具有沿正交面内軸之標稱相等的折射率)。 對於經給定磷光體層厚度之所有以下的實施例,厚度係 經由將碟紐層及基材薄膜之總厚度減去基材薄膜之厚度 而測得。厚度係使用具有裝置於針盤量規(dial gage)支架 (目錄編號 52-580-020,購自 Fred v F〇wler c〇,-, (Newton,Massachusetts,USA))上之平接觸點(目錄編號 52-525-035,亦購自F〇wler)的針盤指示器(目錄編號 90930.doc -33- 1232593 5 2-520-140,亦購自Fowler)測量。基材薄膜之厚度係在基 材薄膜上之隨機位置之三個測量的平均。磷光體層及基材 薄膜之厚度係在磷光體層上之隨機位置之六個測量的平 均。 實施例1 利用以下步驟於單層透明聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)薄 膜上製造經摻雜鈽之釔鋁石榴石(YAG:Ce)磷光體之塗層。 將12.00克之氟聚合物樹脂(由Durel Comp any (Chandler, Arizona,USA)指示為「磷光體墨水零件A:樹脂溶液 (Phosphor Ink Park A: Resin Solution)」,零件編號: 1INR001,rev: AA,批號:KY4_〇35)置於4〇毫升之玻璃瓶 中。將 15.02 克之 YAG:Ce墙光體(由 Phosphor Technology,
Ltd· (Stevenage,England)指示為 QMK58/F-U1 Lot#13235) 測量至稱重碟中。經由先將一半的磷光體加至樹脂中,及 利用不錄鋼刮勺利用手將其混合,然後再加入另一半,及 利用手將其混合,而將磷光體混合至樹脂中。利用手將磷 光體及樹脂混合,直至混合物具有光滑質地及均勻外觀為 止。將含有生成之磷光體糊之瓶蓋上蓋子,及於轉瓶機 (bottle roller)上放置約3〇分鐘。 將6夬吋寬乘1〇英吋長乘丨5密爾(mil)厚之3m (St· Paul,MN)之單層透明PET薄膜之片材置於清潔的平坦 表面上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭薄膜之兩 表面。將含有磷光體糊之瓶自轉瓶機移出,及將約5克之糊 置於PET薄膜上之小坑内。使用方形多餘隙塗布機(由 90930.doc -34- 1232593 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5 3 57)之5密爾間隙將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,Inc·,(West Chester,pennsyivania,USA)指示為 135〇G型)中在約 n〇〇c 之溫度下固化30分鐘。於固化後,磷光體/樹脂塗層厚度為 1 · 6密爾。 製備YAG:Ce塗布薄膜之1英吋直徑的碟,及將其安裝至 如前所述之分光輻射光通儀中。碟係經定向成使磷光體塗 布面面對至積算球内。使用具約463奈米之最大波長的藍色 LED (由 Hosfelt Electronics,Inc·,(Steubenville,OH)指示為 Part #25-365)於激發磷光體。經由將在藍色led之標準5毫 米封裝頂端的圓頂形透鏡機械切除,而對藍光提供平坦離 開面。將大約0.18英吋之封裝自封裝之頂部移除。利用恒 流電源在20毫安培及3.46伏特下對LED供電。使用分光輻射 光通儀記錄得之磷光體層的發射光譜於圖丨6中示為標示為 「實施例1」之曲線。使用分光輻射光通儀所提供的軟體, 計算得發射至積算球内之總光通量為〇 〇68流明。 實施例2 將一片具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約6〇〇奈 米至約1070奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的 多層光學薄膜(MOF)(根據美國專利第6,531,230號製造)置 於在實施例1之經塗布磷光體之PET薄膜與實施例丨之藍色 LED(在20毫安培下操作)之間的薄膜接合器中。記錄光譜, 且其於圖16中示為標示為「實施例2」之曲線。使用分光輻 90930.doc -35- 1232593 射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光通 量為0.118流明。此呈現73%之發光強度的增加。 實施例3 利用以下步驟於聚(對苯二曱酸乙二酯)(PET)薄膜上製造 硫化辞(ZnS)磷光體之塗層: 將20.04克之氟聚合物樹脂(由Durel Company (Chandler, Arizona,US A)指示為「磷光體墨水零件A.·樹脂溶液」,零件 編號:1INR001,rev: AA,批號:KY4-03 5)置於2盎司之玻 璃瓶中。將20.06克之ZnS石粦光體(由Phosphor Technology, Ltd· (Stevenage,England)指示為 GL29A/N-C1 Lot#l 1382)測 量至稱重碟中。經由先將一半的磷光體加至樹脂中,及利 用不銹鋼刮勺利用手將其混合,然後再加入另一半,及利 用手將其混合,而將磷光體混合至樹脂中。利用手將磷光 體及樹脂混合,直至混合物具有光滑質地及均勻外觀為 止。將含有生成之磷光體糊之瓶蓋上蓋子,及於轉瓶機上 放置約24小時。 將6英吋寬乘10英吋長乘1.5密爾厚之3M Company(St. Paul, MN)之透明PET薄膜之片材置於透明的平坦表面上。 利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭PET薄膜之兩表面。將 含有磷光體糊之瓶自轉瓶機移出,及將約3克之糊置於PET 薄膜上。使用方形多餘隙塗布機(由BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland, USA)指示為 PAR-5353)之 2密爾間隙 將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕薄膜在重力對流烘箱(由 VWR International, Inc. (West Chester, Pennsylvania, USA) 90930.doc -36- 1232593 指示為1350G型)中在約> , 幻ru13〇c之溫度下固化3〇分鐘。於固化 後,磷光體/樹脂塗層厚度為〇 7密爾。 製備ZnS塗布薄膜之1英吋 、 、了直仏的碟,及將其安裝至如前 所述之刀光“射光通儀中。碟係經定向成使鱗光體塗布面 面對至積算球内。使用具約州奈米之最大波長的UV LED(由 Hosfelt Electr〇nics,^ ⑴e,⑽)指示為
Part #25-495)於激發碌光體螢光。經由將在w㈣之桿準$ 毫米封裝的圓頂形頂端機械切除,而對^光提供平坦離開 面。將大約G.18G英奴封裝自封裝之頂部移除。利用恒流 電源在2G毫安培及3.7伏特TffLED供電。使用分光轄射光 通2記錄得之磷光體層的發射光譜於圖17中示為標示為 κ靶例3」之曲線。使用分光輻射光通儀所提供的軟體, 計具得發射至積算球内之總光通量為〇 〇52流明。 實施例4 將片具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約320奈 米至約490奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的多 層光學薄膜(MOF)(根據美國專利第6,531,23〇號製造)置於 在實施例3之磷光體層頂端的薄膜接合器中,及將實施例3 之UV LED(在20毫安培下操作)使用作為激發源。記錄光 譜,且其於圖丨7中示為標示為「實施例4」之曲線。使用分 光輕射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總 光通量為0.062流明。當與實施例3比較時,此呈現約19%之 發光強度的增加。 實施例5 90930.doc -37- 1232593 經由層合兩片多層光學薄膜(MOF)而製得寬帶可見反射 器。使用光學透明黏著劑將具有PET及共-PMMA之交替層 及自約490奈米至約610奈米之正向入射反射帶(在半最大 值下測量)之一層 MOF (3M Company(St· Paul,MN)製造)層 合至具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約590奈米至 約710奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)之一層 MOF (3M Company (St· Paul,MN)製造)。將層合物置於在 實施例3之經塗布磷光體之PET薄膜與實施例3之UV LED(在20毫安培下操作)之間的薄膜接合器中。將具有PET 及共-PMMA之交替層及具有自約320奈米至約490奈米之正 向入射反射帶(在半最大值下測量)之一片多層光學薄膜 (MOF)(3M Company(St· Paul,MN)製造)置於在磷光體層頂 端的薄膜接合器中,以產生具有夾於LED側上之可見反射 鏡與另一側上之UV/藍色反射鏡之間之磷光體層的空腔。記 錄光譜,且其於圖17中示為標示為「實施例5」之曲線。使 用分光輻射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内 之總光通量為0.106流明。當與實施例3比較時,此呈現約 104%之發光強度的增加。 實施例6 利用以下步驟於聚(對苯二曱酸乙二酯)(PET)薄膜上製造 硫化鋅(ZnS)磷光體之塗層:
將說明於實施例3中之磷光體糊塗布於6英吋寬乘10英吋 長乘1.5密爾厚之透明PET薄膜之片材上。將PET置於乾淨平 坦表面的頂部上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭PET 90930.doc -38- 1232593 薄膜之兩表面。將約3克之糊置於PET薄膜上。使用方形多 餘隙塗布機(由 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland, US A)指示為PAR-5 3 53)之4密爾間隙將磷光體糊以手牽伸 成塗層。使濕薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,
Inc·,(West Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中 在約13 0 C之溫度下固化3 〇分鐘。於固化後,填光體/樹脂 塗層厚度為1.3密爾。 製備ZnS塗布薄膜之1英吋直徑的碟,及將其安裝至如前 所述之分光輻射光通儀中。碟係經定向成使磷光體塗布面 面對至積算球内。使用具約395奈米之最大波長的uv LED(由 Hosfelt Electronics,Inc.(Steubenville,OH)指示為 Part #25-495)於激發磷光體。經由將uv LED之標準5毫米封 裝的圓頂形頂端機械切除,而對UV光提供平坦離開面。將 大約0· 1 80英吋之封裝自封裝之頂部移除。利用恒流電源在 20毫安培及3.7伏特下對LED供電。使用分光輻射光通儀記 錄得之磷光體層的發射光譜於圖18中示為標示為「實施例 6」之曲線。使用分光輻射光通儀所提供的軟體,計算得發 射至積算球内之總光通量為0.066流明。 實施例7 將一片具有PET及共-PMM A之交替層及具有自約490奈 米至約610奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的多 層光學薄膜(M〇F)(3M Company (St· Paul,MN)製造)置於在 實施例6之經塗布磷光體之pet薄膜與實施例6之UV LED(在20毫安培下操作)之間的薄膜接合器中。記錄光譜, 90930.doc -39- 1232593 且其於圖1 8中示為標示為「實施例7」之曲線。使用分光輻 射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光通 量為0.095流明。當與實施例6比較時,此呈現約44%之發光 強度的增加。 實施例8 利用以下步驟於多層光學薄膜(MOF)上製造硫化鋅(ZnS) 磷光體之塗層: 將說明於實施例3中之磷光體糊塗布於具有PET及共 -PMMA之交替層及具有自約490奈米至約610奈米之正向入 射反射帶(在半最大值下測量)之MOF的片材(3M Company (St· Paul,MN)製造)上。將MOF置於乾淨平坦表面的頂部 上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭MOF薄膜之兩表 面。將約3克之糊置於MOF薄膜上。使用方形多餘隙塗布機 (由 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5 3 5 3)之4密爾間隙將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,Inc·,(West Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中在約 130°C 之溫度下固化30分鐘。於固化後,磷光體/樹脂塗層厚度為 1.3密爾。 製備ZnS塗布薄膜之1英吋直徑的碟,及將其安裝至如前 所述之分光輻射光通儀中。碟係經定向成使磷光體塗布面 面對至積算球内。使用具約395奈米之最大波長的UV LED(由 Hosfelt Electronics,Inc (Steubenville,OH)指示為 Part #25-495)於激發磷光體。經由將UV LED之標準5毫米封 90930.doc -40- 1232593 裝的圓頂形頂端機械切除,^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^向對(J V先提供平坦離開面。將 j 80英寸之封裝自封裝之頂部移除。利用恒流電源在 0¾安k及3·7伏特下對£ED供電。使用分光輻射光通儀記 錄付之石粦光體層的發射井+並#同1 p _ J s耵尤π於圖1 8中不為標示為「實施例 」之曲線使用刀光輻射光通儀所提供的軟體,計算得發 射至積·^球内之總光通!為〇· i 〇7流明。當與實施例6比較 時,此呈現約62%之發光強度的增加。 實施例9 利用以下步驟將硫化辞(Zns)磷光體之塗層網印於實施 例5中說明的層合多層光學薄膜(m〇f)上: 將150克之氟聚合物樹脂(由Durel c_pany(chandier, Arizona,USA)指示為「磷光體墨水零件a:樹脂溶液」,零件 編號:1INR001,rev: AA,批號:KY4-035)置於16盎司之 玻璃瓶中。將150克之ZnS磷光體(由Phosphor Technology,
Ltd. (Stevenage,Eng land)指示為 GL2 9 A/N-C 1 Lot# 1 1 3 82)測 量至稱重碟中。使用由空氣動力機所驅動的玻璃動葉輪將 磷光體緩慢混合至樹脂中。將磷光體及樹脂混合,直至混 合物具有光滑質地及均勻外觀為止。將含有生成之鱗光體 糊之瓶蓋上蓋子,及於轉瓶機上放置約10分鐘。 使用在裝置於網印機(由Svecia Silkscreen Maskiner AB (Stockholm,Sweden)指示為Type SSΜ)上之每英忖280根線 PET網上具有每英吋28線條之解析度的半色調圖案進行印 刷。半色調圖案係由三個具有10%、50%及90%覆蓋率之區 域所組成。於一程中將圖案印刷於實施例5中說明之兩層合 90930.doc -41 - 1232593 MOF薄膜的片材上。 使印刷層於強制空氣烘箱中在約1 3 8 °C之溫度下固化1 5 分鐘。於固化後,磷光體/樹脂塗層厚度為〇 · 8密爾。 自具有50%覆蓋率之部分的圖案製備ZnS網印薄膜之1英 吋直徑的碟,及將其安裝至如前所述之分光輻射光通儀 中。碟係經定向成使填光體塗布面面對至積算球内。使用 具約395奈米之最大波長的UV Led(由Hosfelt Electronics, Inc(Steubenville,OH)指示為 part #25-495)於激發磷光體。 經由將UV LED之標準5毫米封裝的圓頂形頂端機械切除, 而對UV光提供平坦離開面。將大約〇18〇英吋之封裝自封裝 之頂部移除·。利用恒流電源在20毫安培及3·7伏特下對LED 供電。使用分光輻射光通儀記錄得之磷光體層的發射光譜 於圖19中示為標示為「實施例9」之曲線。使用分光輕射光 通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光通量為 0.052流明。 . 實施例10 將一片具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約320奈 米至約490奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)的多 層光學薄膜(M〇F)(3M Company(St· Paul,MN)製造)置於在 實施例9之磷光體層頂部的薄膜接合器中,及將實施例9之 UV LED(在20毫安培下操作)使用作為激發源。記錄光譜, 且其於圖1 9中示為標示為「實施例1 Q」之曲線。使用分光 輻射光通儀所提供的軟體,計算得發射至積算球内之總光 通量為0·078流明。當與實施例9比較時,此呈現約5〇%之發 90930.doc -42- 1232593 光強度的增加。 實施例11 利用以下步驟製造經塗布硫化鋅(ZnS)磷光體之多層光 學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。 將具有PET及共-PMMA之交替層及具有自約59〇奈米至 約7 10奈米之正向入射反射帶(在半最大值下測量)之一層 MOF (3M Company (St· Paul,Minnesota,USA)製造)黏合至 聚(氣乙烯)之片材,而形成可撓性複合物。將此複合物稱為 MOF-PVC。 將MOF-PVC置於乾淨平坦的表面上,使MOF側面向上。 利用經曱醇潤濕之無棉絨的棉布擦拭MOF-PVC之上表面。 將約3克之說明於實施例9中之ZnS磷光體糊置於MOF-PVC 上。使用方形多餘隙塗布機(由BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5353)之 4密爾間隙 將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕薄膜在重力對流烘箱(¾ VWR International, Inc. (West Chester, Pennsylvania, USA) 指示為1350G型)中在約130°C之溫度下固化30分鐘。 將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在270°C之溫度下加熱23秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之MOF-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 90930.doc -43- 1232593 實施例12 利用以下步驟製造經塗布硫化鋅(ZnS)磷光體之多層光 學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。 將實施例11中說明之MOF-PVC之片材置於乾淨平垣的表 面上,使MOF側面向上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布 擦拭MOF-PVC之上表面。將約3克之說明於實施例9中之 ZnS磷光體糊置於MOF-PVC上。使用方形多餘隙塗布機(由 BYK-Gardner USA(Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-53 5 3)之2密爾間隙將磷光體糊以手牵伸成塗層。使濕、 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,Inc.,(West Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中在約 l3〇°c 之溫度下固化30分鐘。 將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在270°C之溫度下加熱21秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之MOF-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 實施例13 利用以下步驟製造經塗布經掺雜鈽之釔鋁石榴石 (YAG:Ce)磷光體之多層光學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。 將20.01克之氟聚合物樹脂(由Durel Corporation (Chandler,Arizona,USA)指示為「磷光體墨水零件A :樹脂 90930.doc -44- 1232593 溶液」,零件編號·· 1INR001,rev: AA,批號:KY4-035) 置於2盎司之玻璃瓶中。將19.98克之YAG:Ce磷光體(由 Phosphor Technology, Ltd. (Stevenage,England)指示為 卩“^58/?-1;11^(^#13 23 5)測量至稱重碟中。經由先將一半的 磷光體加至樹脂中,及利用不銹鋼刮勺利用手將其混合, 然後再加入另一半,及利用手將其混合,而將磷光體混合 至樹脂中。利用手將磷光體及樹脂混合,直至混合物具有 光滑質地及均勻外觀為止。將含有生成之磷光體糊之瓶蓋 上蓋子,及於轉瓶機上放置約30分鐘。 將實施例11中說明之MOF-PVC之片材置於乾淨平坦的表 面上,使MOF側面向上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布 擦拭MOF-PVC之上表面。將約3克之YAG:Ce磷光體糊置於 MOF-PVC上。使用方形多餘隙塗布機(由BYK-Gardner USA(Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5353)之 4密爾 間隙將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕薄膜在重力對流烘 箱(由 VWR International,Inc.(West Chester,Pennsylvania, 1^八)指示為1350〇型)中在約130°0之溫度下固化30分鐘。 將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在270°C之溫度下加熱23秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之MOF-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 90930.doc -45 - 1232593 實施例14 利用以下步驟製造經塗布經摻雜鈽之纪链石p石 (YAG:Ce)磷光體之多層光學薄膜(MOF)的熱成形圓頂。 將實施例11中說明之MOF-PVC之片材置於乾淨平坦的表 面上,使MOF側面向上。利用經甲醇潤濕之無棉絨的棉布 擦拭MOF-PVC之上表面。將約3克實施例13中說明之 YAG:Ce磷光體糊置於MOF-PVC上。使用方形多餘隙塗布機 (由 BYK-Gardner USA (Columbia,Maryland,USA)指示為 PAR-5353)之2密爾間隙將磷光體糊以手牽伸成塗層。使濕 薄膜在重力對流烘箱(由VWR International,Inc.,(West
Chester,Pennsylvania,USA)指示為 1350G型)中在約 13〇。〇 之溫度下固化30分鐘。 將經塗布磷光體之MOF-PVC複合物裝入至熱成形機器 中。將層在270°C之溫度下加熱21秒。使用具有圓形孔隙(約 1/2英吋直徑)之板,將經塗布磷光體之MOF-PVC形成為在 半球體之外凸側上具有磷光體之約1/2英吋之半球體。半球 體之視覺檢查顯示半球體在靠近半球體之外部區域具有較 大厚度及在半球體之内部區域較薄。磷光體層為平滑及連 續,且未呈現龜裂或脫層的徵象。 實施例15 將實施例11中說明之MOF-PVC之片材於前述之熱成形裝 置中加熱至約270 °C之溫度16秒。藉由真空輔助使此 MOF-PVC之經加熱片材覆蓋於市售5毫米LED封裝的半球 形透鏡上。MOF-PVC之最終形狀係對應於半球形透鏡形狀。 90930.doc -46- 1232593 使用Perkin-Elmer Lambda 19光譜光度計測量形成的 MOF-PVC透射光譜。經顯示形成之MOF-PVC之中心部分的 光譜具有在400奈米下產生最高反射性之在360奈米及460 奈米下之帶緣。此形成之MOF-PVC具有在高於500奈米之波 長下大於75%之透射。MOF-PVC之此測得的光譜位移係歸 因於在成形操作中所發生之光學堆疊的薄化。 熟悉技藝人士當可明白本發明之各種修改及變化,而不 脫離本發明之範圍及精神,且應明瞭本發明並不受限於記 述於文中之說明具體實施例。 【圖式簡單說明】 在全篇說明書中參照附圖,其中類似的元件編號指示類 似的元件,及其中: 圖1係LED激發以磷光體為主體之光源(PLED)的概略剖 面圖; 圖2係使用於圖1之光源中之磷光體-反射器組件的剖面 圖; 圖3描繪包括呈片材形態之磷光體-反射器組件及細分成 個別物件之捲筒; 圖4係說明在載體薄膜上之磷光體-反射器組件之個別物 件的概略剖面圖; 圖5-7係另一 PLED構造之概略剖面圖; 圖8描繪又另一 PLED構造之一部分; 圖9係又另一 PLED構造之概略剖面圖;
圖10係如同圖9之具體實施例利用正面照明之另一 PLED 90930.doc -47- 1232593 構造的概略側視圖; 圖11係利用非成像集中器之配置之PLED構造的概略侧 視圖; 圖12係圖11之一部分的特寫圖; 圖13-14係使用於圖丨之光源中之磷光體_反射器組件之其 他具體實施例的剖面圖; 圖15係以填光體為主體之光源之雙份組份系統之概略剖 面圖; 圖16係實施例1及2之光強度光譜之圖; 圖17係實施例3、4、及5之光強度光譜之圖; 圖18係實施例6、7、及8之光強度光譜之圖;及 圖19係實施例9及10之光強度光譜之圖。 【圖式代表符號說明】 10, 40, 50, 60 ,80, 310 PLED 12 LED 14, 14’ 散熱器 16, 116 ,216 丨) 316 磷光體-反射器組件 18 鑄封材料 20 透鏡特徵 22, 42, 52, 72 ,82, 92, 鱗光體層 102 ,122 ,222 24, 46, 56, 66 ,86, 96, 長通道反射器 106 26, 44, 54, 74 ,104 短通道反射器 90930.doc -48- 1232593 30 片材材料 32 個別物件 34 載體薄膜 48 , 58 , 68 區域 70 空氣間隙 100a , 100b , 100c 集中器元件 126 , 224 多層反射器 308 , 313 配合表面 309 LED組份 311 磷光體-反射器組份 320 光學透明材料表面 90930.doc 49-
Claims (1)
1232593 拾、申請專利範圍: 1 · 一種光源,包括: 發射激發光之LED ; 反射激發光及透射可見光之聚合多層反射器;及 與LED隔開之一層磷光體材料,該磷光體材料當經激發 光照明時發射可見光; 其中該聚合多層反射器將激發光反射於磷光體材料 上,及該磷光體材料之層係設置於LED與聚合多層反射器 之間。 2·如申專利範圍第1項之光源,其中該激發光包括UV光。 3·如申請專利範圍第1項之光源,其中該激發光包括藍光。 4·如申請專利範圍第1項之光源,其中該磷光體材料之層進 一步包括黏著劑。 5·如申請專利範圍第1項之光源,其中該聚合多層反射器包 括當暴露至UV光時抵抗降解之聚合材料。 ‘ 6.如申請專利範圍第丨項之光源,其中該聚合多層反射器係 實質上不含無機材料之聚合材料。 7·如申請專利範圍第1項之光源,其中該鱗光體材料之層係 鱗光體材料之不連續層。 8·如申請專利範圍第7項之光源,其中該磷光體材料之不連 續層係磷光體材料之複數個線條或磷光體材料之圖案。 9·如申請專利範圍第7項之光源,其中該磷光體材料之不連 續層包括磷光體材料之複數個點。 10·如申請專利範圍第9項之光源,其中該磷光體材料之複數 90930.doc 1232593 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 18. 個點各具有低於10000平方微米之面積。 如申明專利圍第9項之光源,#中該複數個點包括當經 激發光明時發射多於—種顏色之鱗光體材料。 如申請專利範圍第9項之光源,丨中該複數個點包括當經 激發光照料發射紅光、綠光及藍光之碟光體材料。 如"專:範圍第1項之光源,#中該聚合多層反射器包 括第一及第二熱塑性聚合物之交替層,其中至少一些層 為雙折射。 a 如申請專利範圍第9項之光源,其中至少一第一磷光體點 發射在第一波長下之光,及一第二磷光體點發射在不同 於第一波長之第二波長下之光。 一種製造光源之方法,包括下列步驟: 提供包括第一多層干擾哭士 Μ 口 义臂丁復反射态又罘一可撓性片材; 提供載送反射器之載體薄膜; 將反射器分割成由載體薄膜所載送的個別物件;及 將至少一個別物件設置在鄰近於 料之光之LED。 如申請專利範圍第15項之方法 片材之步驟包括提供包括第一 一可撓性片材。 如申請專利範圍第15項之 一多層干擾反射器塗布一 如申請專利範圍第17項之 鱗光體材料層塗布於第一 可發射激發鱗光體材 ,其中該提供第一可撓性 聚合多層干擾反射器之第 万法,其進包括鄰接於第 層磷光體材料。 万法’其中該塗布步驟包括將 多層干擾反射器上。 90930.doc 1232593 19·如申請專利範圍第1 7項之方法,其中該塗布步驟包括將 包含黏著劑材料之磷光體材料層塗布至第一多層干擾反 射器。 20·如申請專利範圍第丨7項之方法,其中該塗布磷光體材料 層之步驟進一步包括在磷光體材料層與第一多層干擾反 射器之間塗布一層黏著劑。 •如申請專利範圍第1 7項之方法,其中該塗布磷光體材料 層之步驟進一步包括將一層不連續磷光體材料塗布至第 可撓性片材而形成磷光體-反射器組件。 22·如申請專利範圍第17項之方法,其進一步包括: &供包括第二多層干擾反射器之第二可撓性片材,及 將其鄰接於與第一可撓性片材相對之磷光體材料層設 置。 23·如申請專利範圍第22項之方法,其中該提供第一可撓性 片材之步驟包括提供包含第一多層短通道或長通道反—射 咨之第一可撓性片材。 .如申凊專利範圍第23項之方法,其中該提供第二可撓性 片材之步驟包括提供包含第二多層短通道或長通道反射 器之第二可撓性片材。 25·如申請專利範圍第22項之方法,其中該提供第一可撓性 片材之步驟包括提供包含第一多層長通道反射器之第一 可說性片材,及該提供第二可撓性片材之步驟包括提供 包含第二多層短通道反射器之第二可撓性片材。 26·如申請專利範圍第15項之方法,其中該提供第一可撓性 90930.doc 1232593 才 乂虱包括提供包含第一聚合多層干擾反射器之第 "T抗性片材,兮裳 . _ 、, 々弟一聚合多層干擾反射器包括第一及 罘—熱塑性聚合物之交替層,及其中至少-些層為雙折 射0 27. 28. 29. 30. 專固$ 17項之方法,其中該塗布步驟包括鄰 接於弟一 、 曰炎反射器塗布磷光體材料之不連續層。 如申凊專利範圍第2 7項> 士 接於第-多層评反^ 其中該塗布步驟包括鄰 i反射為塗布磷光體材料之案 如申請專利範圍第27項之方半甘士 口木化臂 夕路; 万法,其中該塗布步驟包括鄰 ,,,射时塗布磷光體材料之複數個點。 第-多層干擾反射器塗布^/進—步包括在鄰接於 。 粦光體材料層之前對第一多JB 干擾反射器進行表面處 曰 王以促進磷光體材料斟笛—夕 層干擾反射器之黏著之步驟。 十罘夕 90930.doc
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