TWI231513B - Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
1231513 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種固態電解電容器及其製造方法。 【先前技術】 近年,由於個人電腦等之電子機器的高頻化,因而必 須瞬間將電流供給至電子電路,所以便期待在高頻區域 中,得以開發等效串聯電阻(以下稱為Γ ESR」)之值較小的 固態電解電容器。 在這裡,ESR係由介電損耗、電解質之電阻率、及電 解=與陰極之接觸電阻的合計所構成。在高頻區域中,電 解貝之電阻率、及電解質與陰極之接觸電阻將成為支 素。 一般來說,固態電解電容器的陰極,係採用由碳層與 銀塗料等二層所構成者(日本電氣化學會編第5版電氣化 予更覽太^善株式會社),尤其係,為了降低陰極層與陰極 引線端子之連接強度的不均自,而提案有使用由平均粒徑 為以以上,5 # m以下之銀粒子構成之銀塗料層(參照 曰本專利特開平5-315200號公報)。 / /但是,在上述固態電解電容器中,高頻區域中的別尺 將受電解質與陰極之接觸電阻的影響。特別,係由碳層與 銀塗料層所構成之陰極的情形,碳層與銀塗料層之接觸電 阻’將成為ESR上升的要因,而頗難將高頻區域中的獄 降低。 【發明内容】 315668 5 1231513 本發明之目的在於提供一種,經降低ESR的固態電解 電容器及其製造方法。 .依照本發明一形態的固態電解電容器,係依序具備 有:由金屬構成的陽極、在陽極表面上形成之由金屬氧化 物所構成的介電層、電解質層、與陰極層,且陰極層係具 有碳層以及形成於碳層上,且平均粒徑為㈣心以下之 金屬粒子所構成之金屬層的積層構造。 在本發明的固態電解電容器中,由於金屬層中所含之 金屬粒子係具有〇.〇5"m以下的平均粒徑所以可在碳層 表面上均勻地被覆著細微的金屬粒子。藉此,令碳層盥金 屬層的接觸電阻變小。結果,降低了高頻區域中的等效串 聯電阻。 便 金屬粒子的平均粒徑最好在G G1//m以上。藉此, 不致因金屬,粒子間的界面增加而增加接觸電阻。 金屬粒子最好含有由銀、金及白金所構成之組群中, 至少選擇一種或兩種以上的金屬。 此情況下’因為銀、金及白金具有較高的導電率,所 以:屬層導電率將提高,而使碳層與金屬層間之接觸電阻 變得更小。 金屬層亦可含有保護膠體。此情況時,將可防止在製 作金屬糊(Paste)之時金屬粒子引起二次凝聚的現象。藉 此,因為在金屬糊中金屬粒子將均勻地分散著,所以可令 碳層與金屬層的接觸電阻變得更小。結果,便可更加降低 在高頻區域中的等效串聯電阻。 315668 6 1231513 電解貝層亦可由導電性聚合物構成。藉此,便可獲得 較大的靜電容量。 陽極最好含有由钽、鋁、鈮及鈦所構成之組群中,至 少選擇一種或兩種以上的金屬。且|旦、銘、銳及鈇之氧化 物的介電常數較高。藉此便可獲得小型且較大靜電容量。 依照本發明其他形態的固態電解電容器之製造方 法,係包含有··在由金屬所構成的陽極表面上,形成由金 屬之氧化物所構成的介電層的步驟;在介電層上形成電解 質層的步驟;在電解質層上形成碳層的步驟;以及在碳層 上形成由平均粒徑為0 05 V m以下之金屬粒子所構成之金 屬層的步驟。 依照本發 層中所含金屬 可在碳層表面 層與金屬層的 域中之等效串 金屬粒子 不致因金屬粒 形成金屬 屬粒子之金屬 °c以上的溫度 藉此,便 降低高頻區域 形成金屬 %列因態電解電容器之製造方法,由於金屬 粒子係具有0·〇5 // m以下的平均粒徑,所以 上均勻地被覆著細微金屬粒子。藉此,令碳 接觸電阻變小,,可獲得已降低高頻區 聯電阻的固態電解電容器。 的平均粒徑最好在0.01 # m以上。藉此,便 子門的界面增加而導致接觸電阻增加。 層的步驟’亦可含有:在碳層上塗布含有金 糊的步驟;以及在金屬糊塗布之後,以i 5〇 Μ ^ % ^乾燥的步驟。 "更加減小碳層與金屬層之接觸電阻, 中的等效串聯電阻。 層的步驟, '、可含有:藉由在有機溶劑中混 315668 7 1231513 合金屬粒子與保護膠體之方式,製作金屬糊的步驟;以及 在碳層上形成金屬糊的步驟。 此情況時,藉由保護膠體便可防止有機溶劑中的金屬 粒子引起之二次凝聚現象。藉此,因為在金屬糊中金屬粒 =將均勻地分散著,所以碳層與金屬層的接觸電阻便可變 '】、、σ果,便可更加降低咼頻區域中的等效串聯電阻。 依照本發明另一其他形態的固態電解電容器之製造 方法,係包含有:在由金屬所構成之陽極表面上,依序形 成由金屬氧化物所構成之介電層、電解質層、及碳層的步 驟;藉由在有機溶劑中混合金屬粒子與保護膠體之方式製 作金屬糊的步驟;以及藉由將金屬糊塗布於碳層上之方式 形成金屬層的步驟。 •根據本發明的固態電解電容器之製造方法,在金屬糊 製作時,係藉由保護膠體防止有機溶劑中的金屬粒子所引 起二次凝聚現象。藉此,因為在金屬糊中金屬粒子將均勻 地分散著,所以碳層與金屬層的接觸電阻便可變得更小。 結果,便可降低高頻區域中的等效串聯電阻。 【實施方式】 (最佳實施例的說明) 以下,針對本發明—實施形態的固態電解電容器及1 製造方法,進行說明。 ^ 第1圖係本發明實施形態的固態電解電容器的構造 圖。 如第1圖所示,固態電解電容器係具有在陽極2的表 315668 8 1231513 面上,依序形成介電層3、電解質4、碳層5及金屬層6 的構造。 在陽極2上連接陽極端子1,並在金屬層6上透過導 電性黏接劑8連接於陰極端子7。另外,將塑模外裝樹脂9 形成如將陽極端子1與陰極端子7的端部朝外部被拉出的 狀態。 陽極2係由鈕粒子之多孔質燒結體所構成。因為鈕粒 子的多孔質燒結體具有較大的表面積,因而可構成為大電 容量化。&外,陽極2並不僅限於鈕,亦可利用由鋁、鈮 或鈦等其他閥作用金屬所構成之金屬粒子而形成,亦可含 有鈕、鋁、鈮或鈦等金屬粒子之中兩種類以上的金屬粒子。 * ,"電層3係由使陽極2之表面在如磷酸水溶液 中ί行陽極氧化’而形成的氧化介電膜所構成。在本實施 形悲中,介電層3係由氧化组所構成。若陽極2係由紹、 或-太等之其他的金屬粒子的多孔質燒結體所構成時, =介電層3便由氧化紹、氧钱或氧化鈦等之氧化物 成0 電解貝4係由聚口比口各、聚嗦 成。金屬居㈠一 4之導電性聚合物構 现金屬層6係藉由將平均粒徑為〇 Λς 子、保護膠辦“ …4 0.〇5//m W下之銀粒 碳声5的I _ 機溶劑混合而製作的銀糊,並塗布於 心述:心經乾燥而形成。相關金屬層6之形成方法, 在此所謂平均粒徑 曲線的累積值達50%時 ,係指粒子之粒度分布 的粒子徑。 的累積分布 315668 9 1231513 藉由採用平均粒徑為〇·〇5/ζ m以下的銀粒子,便可將 炭層5表面均勻地被覆著細微的銀粒子。藉此,便可減小 曰 >、金屬層6之接觸電阻。結果,如後述,可獲得降 低在高頻區域中之等效串聯電阻的固態電解電容器。 而且’銀粒子的平均粒徑最好在0.01 # m以上。藉此, 便可不致產生因銀粒子間的界面增加而造成接觸電阻的增 力因此,尤以採用平均粒徑為0.01 // m以上且為0 05 # m以下的銀粒子為佳。 就成本面來說,雖係採用銀粒子作為金屬粒子為佳, 但疋亦可改為採用金粒子或白金粒子取代銀粒子。或者, 亦可h用銀粒子、金粒子及白金粒子之中兩種類以上的金 屬粒子。 八人針對本發明實施形態的固態電解電容器之製造 方法,進行說明。 首先,藉由燒結紐粒子之粉體的方式,而形成由多孔 貝k-體所構成的陽極2。此情況下,令鈕粒子間沈積。 此外,^可採用紹、銳或鈥等之其他的金屬粒子的粉體。 其次,藉由使陽極2在磷酸水溶液中進行陽極氧化之 方式,而形成由氧化介電膜所構成的介電層3。 接著藉由電解聚合等,利用由聚吼洛或聚嚷吩等導 電性聚合物所構成電解質4,被覆著介電層3的表面。此 時,電解質4係以在填人於多孔質燒結體之表面的介電層 3間之間的方式形成在介電層3的表面。 之後,藉由在電解質4上塗布著碳糊,而在電解質4 315668 10 1231513 上形成碳層5。 另一方面,藉由將平均粒徑為〇〇5//m以下的銀粒子 及保護膠體依預定重量比進行混合的混合物,與有機溶劑 依預定重置比進行混合,而製作成銀糊。 在此所謂保護膠體,係指為增加疏水膠體對電解質的 安定性,而添加的親水性膠體(岩波理化學辭典第5版、 1300頁)。並藉由採用保護膠體,便可令銀粒子不致引起 二次凝聚的情況下,均勻地分散於有機溶劑中。 保護膠體係可採用聚乙烯亞胺、或聚乙烯亞胺之氧化 鹽。另外,亦可採用在環氧化合物中,使胺化合物與含有 羧基的預聚物所進行反應的化合物,或者在由聚亞胺酯與 ♦脲所構成之主鏈上,鏈結著具有複數個三級胺基或鹼性 環式氮原子之基的高分子等作為保護膠體。此外,有機溶 劑係可採用乙醇等。 將經上述方法所製得之銀糊塗布於碳層5上,並利用 在預定溫度中進行乾燥之方式,在碳層5上形成金屬層6。 乾燥溫度最好係在150。(:以上。藉此,可令碳層5與金屬 層6之接觸電阻變得更小,並可更加降低在高頻區域中的 等效串聯電阻。 接著,在金屬層6透過導電性黏接劑8連接陰極端子 7。之後,將塑模外裝樹脂9形成令陽極端子丨與陰極端子 7的端部朝外部被拉出的狀態。經上述方法,便製得 電解電容器。 在本實施形態中,藉由金屬層6中所含銀粒子具有 315668 11 1231513 舜j # m以下的平均粒徑,便可在碳層5之表面均勻地被 :著、、田微銀粒子。藉此,令碳層5與金屬^ 6之接觸電阻 * 、、口果’降低了高頻區域中的ESR。 ,另外’藉由在銀糊中混合著保護膠體,便可防止在銀 ,製作時引發銀粒子二次凝聚的現象。藉此,因銀糊中將 2地分散著銀粒子,故碳層5與金屬層6的接觸電阻將 复得更小。結果’將更加降低在高頻區域中的ESR。 再者在奴層5上塗布著含銀粒子之銀糊之後,再以 1 5〇 C以上的溫度將銀糊予以乾燥後的情形,可令碳層5 與金屬層6的接觸電阻變得更小,並更加降低高頻區域中 的 ESR 〇 此外,在本實施形態中,雖採用鈕、鋁、鈮及鈦等之 粉末燒結體作為陽極2,惟本發明並不僅限於此,譬如亦 可採用該等的金屬箔。 (實施例) 以下實施例中,係利用上述實施形態的製造方法,製 作固態電解電容器,並進行ESr的評估。 第2圖係實施例1至12及比較例中所製得之固態電解 電容器100的模式圖。 (實施例1至7) 首先,在實施例1至7中,將銀粒子的平均粒徑分別 設為 0.009 // m、〇·〇1 // m、0.03 // m、〇·〇5 " m n 从 m、ϋ·06 // m、 〇·〇7// m及0.09// m,並依下述條件及方法製得固態電解 電容器100。 315668 12 1231513 採用聚乙烯亞 亞胺分別依70重量\膠體,並將銀粒子與聚乙婦 笠W人 ❶3 0重量%的比率進行混合。將兮 質與有機溶劑的乙醇,分別… : 里/0 =率進行混合而製得銀糊。 燒結俨禮〕曰使L粒子粉體進行燒結,而形成由多孔質 Γ ° 、陽極2,將陽極2在磷酸水溶液中進行陽極 :匕而在陽極2的表面形成由氧化介電膜所構成的介電 層3 〇 接著,藉由電解聚合等將由聚吡咯所構成電解質4被 覆於介電層3的表®。再於,電解質4上塗布碳糊,並以 溫度150t予以乾燥30分鐘,而形成碳層5。 接著,將依上述方法所製得銀糊塗布於碳層5的表 面,再以溫度15(TC予以乾燥30分鐘之方式形成金屬層6。 另外,在陽極2連接陽極端子丨,而於金屬層6則連接著 陰極端子7。 (比較例) 在比較例中,除了銀粒子之平均粒徑設為3 # m之外, 其餘均係與貫施例1至7相同的條件與方法,製作固態電 解電容器。 (評估) 相關實施例1至7與比較例的固態電解電容器丨〇 〇, 係採用LCR測量器測定頻率100kHz中的ESR。 實施例1至7與比較例的固態電解電容器1 00之ESR 測定結果,係如表1所示。此外,在表1中,以比較例的 315668 13 1231513 固態電解電容器之ESR測定結果A】ΛΛ⑽ 衣馬100,將實施例1至7 之固態電解電容器1〇〇的ESr的測 幻劂疋結果進行格式化,並 顯示出經格式化的ESR值。 表1】 1 —實施例1 實施例2 —實施例3 實施例4 —實施例5 實施例6 —實施例7 比較例 實施例1, 的ESR值。特別係,當銀粒子的平均粒徑在〇 〇1"爪至 0.05/zm之情況時,得知ESR將達75至78,而明顯的較 小於比較例。 由以上結果得知,銀粒子的平均粒徑最好為〇 〇ΐρ 至 0.05 // m 〇 (實施例8至12) 在實軛例8至12中,除將銀粒子的平均粒徑設為〇 #m,並將銀糊的乾燥溫度設為14〇它、145它、15〇它、丄⑹ C及1 7G C之夕卜’其餘均係與實施例i至7相同的條件及 方法,製作固態電解電容器1〇〇。此外,實施例1〇係與上 返實施例3相同。 (鲆估) 相關貫施例8至12的固態電解電容器丨〇〇,係採用 315668 14 1231513 LCR測量器測定頻率i〇〇kHz中的ESR。 貫施例8至12的固態電解電容器1 〇〇之ESR測定結 果,如表2所示。此外,在表2中,以實施例8的固態電 解電谷器之ESR測定結果為1 〇〇,將實施例8至12之固 態電解電容器100的ESR測定結果進行格式化,並顯示出 經格式化的ESR值。 【表2】 乾燥溫度(°c) ESR 實施例8 140 100 實施例9 145 95 貫施例1 0 150 70 貫施例11 160 70 實施例12 170 65 貫施例8及9的ESR值分別為ι〇〇及%。實施例1〇 至12的ESR值則為65至70,且明顯地小於實施例8及9。 由以上結果得知,銀糊的乾燥溫度最好係在15〇c>c以上。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明實施形態的固態電解電容器構造圖。 第2圖係以實施例丨至12及比較例所製得之固態電解 電容器的模式圖。 (元件符號說明) %極端子 2 陽極 介電層 4 電解質 碳層 6 金屬層 陰極端子 8 導電性黏接劑 塑模外裝樹脂 100 固態電解電容器 315668 15 9
Claims (1)
1231513 拾、申請專利範圍: 1· 一種固態電解電容器,係依序具備有: 由金屬構成的陽極; 在刚述陽極的表面形成的由前述金屬之氧化物所 構成的介電層; 電解質層;以及 陰極層, 月述陰極層係具有碳層,以及形成於前述碳層上, 且平均粒徑為0.05" m以下之金屬粒子所構成之金屬 層的積層構造。 2.如申請專利範圍第丨項之固態電解電容器,其中,前述 金屬粒子的平均粒徑為0.01"m以上。 3·如申請專利範圍第1項之固態電解電容器,其中,前述 金屬粒子係含有由銀、金及白金所構成的組群中,至^ 選擇一種或兩種以上的金屬。 (如申請專利範圍第丨項之固態電解電容器,其中,前述 金屬層係含有保護膠體。 •如申哨專利範圍帛i項之固態電解電容器,其中,前述 電解質層係由導電性聚合物構成。 I如申請專利範圍帛1項之固態電解電容器,其中,前述 陽極係§有由纽、鋁、銳及鈥所構成的組群中,至少選 擇一種或兩種以上的金屬。 7· —種固態電解電容器之製造方法,係包含有: 在由金屬所構成之陽極表面上,形成由前述金屬之 315668 16 1231513 氧化物所構成的介電層的步驟; 在前述介電層上形成電解f層的步驟; 在:述電解質層上形成碳層的步驟;以及 在月j述石反層上形成由平均粒徑為〇 "爪以下的 金屬粒子所構成之金屬層的步驟。 8·如申請專利範圍第7項之固態電解電容器之製造方 法’其中,前述金屬粒子的平均粒徑為〇〇1"m以上。 9. 如申請專利範圍第7項之固態電解電容器之製造方 法’其中’前述形成金屬層的步驟,係包含有: 在月)述碳層上塗布含有前述金屬粒子之金屬糊的 步驟;以及 在雨述金屬糊塗布之後,將該金屬糊在i5〇(t以上 的溫度中予以乾燥的步驟。 10. 如申請專利範圍第7項之固態電解電容器之製造方 法,其中,前述形成金屬層的步驟,係包含有: 藉由在有機溶劑中混合前述金屬粒子與保護膠體 之方式製作金屬糊的步驟;以及 將前述金屬糊形成在前述碳層上的步驟。 11 · 一種固態電解電容器之製造方法,係包含有: 在由金屬所構成之陽極表面上,依序形成由前述金 屬之氧化物所構成之介電層、電解質層、及碳声的+ 驟; 曰、V 藉由在有機溶劑中混合金屬粒子與保護膠體之方 式製作金屬糊的步驟;以及 315668 17 1231513 藉由將前述金屬糊塗布於前述碳層上之方式形成 金屬層的步驟。 18 315668
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Cited By (1)
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JP4739982B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2011-08-03 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
DE102005016727A1 (de) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
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US8644003B2 (en) * | 2005-06-09 | 2014-02-04 | National University Corporation, Tokyo University Of Agriculture And Technology | Electrolytic capacitor element and process for producing the same |
US20080232038A1 (en) * | 2005-09-04 | 2008-09-25 | Cerel (Ceramic Technologies) Ltd. | Method For Electrophoretic Deposition Of Conductive Polymer Into Porous Solid Anodes For Electrolyte Capacitor |
US7466539B2 (en) * | 2005-09-30 | 2008-12-16 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Electrochemical double-layer capacitor using organosilicon electrolytes |
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US7460358B2 (en) * | 2007-03-21 | 2008-12-02 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a protective adhesive layer |
US7483259B2 (en) * | 2007-03-21 | 2009-01-27 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a barrier layer |
US7515396B2 (en) * | 2007-03-21 | 2009-04-07 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer |
JP4863509B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-01-25 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5020052B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2012-09-05 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP4962368B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-06-27 | 富士通株式会社 | タンタルコンデンサおよびタンタルコンデンサの製造方法 |
CN101381472B (zh) * | 2008-10-16 | 2011-06-29 | 华东师范大学 | 一种以纳米气泡为模板制备纳米多孔聚吡咯薄膜的方法 |
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JP5861049B2 (ja) * | 2010-04-22 | 2016-02-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 固体電解コンデンサおよび固体電解コンデンサの製造方法 |
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WO2020175358A1 (ja) * | 2019-02-28 | 2020-09-03 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔、電解コンデンサおよびその製造方法 |
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Family Cites Families (5)
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---|---|---|---|---|
US4463030A (en) * | 1979-07-30 | 1984-07-31 | Graham Magnetics Incorporated | Process for forming novel silver powder composition |
JP2833341B2 (ja) | 1992-05-14 | 1998-12-09 | 日本電気株式会社 | チップ状固体電解コンデンサ |
EP0714108B1 (en) * | 1994-11-25 | 1999-11-03 | Nec Corporation | Solid electrolytic capacitor having two solid electrolyte layers and method of manufacturing the same |
JP3536951B2 (ja) * | 1995-12-15 | 2004-06-14 | 日立エーアイシー株式会社 | タンタル固体電解コンデンサ |
JP4050097B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2008-02-20 | 松下電器産業株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7993180B2 (en) | 2006-06-23 | 2011-08-09 | Tsinghua University | Manufacturing method of field emission element having carbon nanotubes |
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Publication number | Publication date |
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