TWI230542B - Image sensing apparatus and reading apparatus - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 56
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JIGDAUOKKYKRKO-UHFFFAOYSA-N 4-[(7-methoxy-3,5-dihydro-2h-1,4-benzothiazepin-4-yl)methyl]benzoic acid Chemical compound C1C2=CC(OC)=CC=C2SCCN1CC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 JIGDAUOKKYKRKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003702 image correction Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14678—Contact-type imagers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14806—Structural or functional details thereof
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S257/929—PN junction isolated integrated circuit with isolation walls having minimum dopant concentration at intermediate depth in epitaxial layer, e.g. diffused from both surfaces of epitaxial layer
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
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Description
1230542 A7 B7_____ 五、發明説明(彳) 以下爲本發明之先行技藝。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) JPA 4-68571於1992年3月4曰公佈 JPA 5-14598於1993年1月22日公佈 發明部份 本發明係有關影像感測裝置及讀取裝置,且更明確言 之,係有關在高速(5MHz或更高)上操作之接觸影像感測器 之佈線結構。 發明之背景 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在接觸影像感測器(此後稱爲CIS)中,視其結構而定’ 可獲得體積之減小及功率消耗之降低。然而,C I S需要足 夠之光電變換晶片(此後稱爲CCD晶片)用於欲讀取之影像 規模,並具有大量之CCD晶片安排成一線。而且,由於光 電變換晶片之電壓之降低,成類比信號之影像信號具有與 驅動信號之電壓(通常5-V邏輯)相對之1V之範圍。爲此, 爲呈現具有8數元256灰階位準之單色影像,需要高至 1LSB =約4mV之精確度。故此,難以在高速上驅動普通 CIS’及CCD晶片之驅動頻率通常爲彳至2MHz。 現已發生要求提高影像讀取裝置之性能(要求高解像度 及高速讀取),且亦已對C I S要求提高c C D晶片之解像度 (600dpi或以上)及高速驅動(5MHz或更高)。而且,提高實 際讀取速度之方法預期成爲主流,由輸出多個類比信號, 以達成較高速度(1 0MHz或更高)。在此情形下,邏輯信號 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) Ω*ί μ η只 -4- 1230542 A7 B7_ 五、發明説明(2) 雜訊之影響於類比信號不能忽視。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且,在許多情形,c I S結構使用L E D作爲讀取光源 ’及晶片本身及其驅動佈線通常構製於一單個基體上。此 時,LED信號源之驅動控制由驅動電流及發光時間調變聯 合執行(PWM控制)。驅動電流大部份大於(二倍或以上 )CCD驅動電流,及在PWM驅動中可能發生之切換雜訊影 響CCD類比輸出信號。 在先行技藝中,爲增加來自CCD晶片之類比信號之 S/N比率,提出有關切換元件之電極安排,該安排隨帶之 佈線結構等之技術(閱日本專利公報4-68571及5-1 4598號 )。 然而,爲達成CCD之更高解像度及更高速度操作,需 要降低多級輸出之串擾,及防止數位雜訊之疊置於類比信 號上。爲此,非常難以由普通佈線技術設計CIS基體。 發明槪要 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 本發明在解決以上問題,且其目的在提供一種影像感 測裝置,且更明確言之,提供一種影像感測裝置,在接觸 影像感測器操作於高速(5MHz或以上)中,此能防止光源驅 動及光電變換驅動用之數位信號疊置於類比信號上,建立 佈線圖案條件適於降低信號間之串擾,並抑制信號位準之 變化’及輸出所需之影像信號,及包釘此等之可靠之讀取 裝置。 爲解決以上問題,依據本發明,提供一種影像感測裝 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 0131G3 ·5 — 1230542 A7 B7 五、發明説明(3) 置,包含一多層基體,其中,一光電變換晶片及驅動光電 變換晶片之數位信號之佈線圖案佈線於一單個基體層上, 其中,包含自光電變換晶片輸出之影像資訊之類比信號之 佈線圖案,及驅動光電變換晶片之數位信號之佈線圖案構 製於各別之基體層上。 依據本發明之另一方面,提供一種影像感測裝置,包 含一多層基體,其中,一光電變換晶片及驅動光電變換晶 片之數位信號之佈線圖案佈線於一單個基體層上,其中, 包含自光電變換晶片輸出之影像資訊之類比信號之佈線圖 案,及驅動光電變換晶片之數位信號之佈線圖案構製於各 別之基體層上,俾在垂直上不相互接觸。 依據本發明之又另一方面,提供一種影像感測裝置, 包含一多層基體,其中,一光電變換晶片及驅動光電變換 晶片之數位信號之佈線圖案佈線於一單個基體層上,其中 ,包含自光電變換晶片輸出之影像資訊之類比信號之佈線 圖案之寬度等於或大於驅動光電變換晶片之數位信號之佈 線圖案之寬度。 依據本發明之又另一方面,提供一種影像感測裝置, 包含一多層基體,其中,一光電變換晶片及驅動光電變換 晶片之數位信號之佈線圖案佈線於一單個基體層上,其中 ,包含自光電變換晶片輸出之影像資訊之類比信號之佈線 圖案,及驅動光電變換晶片之數位信號之佈線圖案佈線於 一單個基體層上,及各佈線圖案間之地寬度至少等於或大 於數位信號之佈線圖案之寬度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 013170 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·裝· 卜訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230542 A7 B7 五、發明説明(4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明之又另一方面,提供一種影像感測裝置, 包含一多層基體,其中,光電變換晶片及驅動光電變換晶 片之數位ig號之佈線圖案佈線於一*單個基體層上,多層基 體具有多個類比輸出信號級,其數等於或不少於光電變換 晶片之數,並安排自光電變換晶片輸出一輸出信號經多個 類比輸出級至影像感測裝置之外部,其中,每一類比輸出 級設有一類比輸出電路,及每一類比輸出電路由一元件構 成。 依據本發明之又另一方面,提供一種影像感測裝置, 包含一多層基體,其中,一光電變換晶片,驅動光電變換 晶片之數位信號之一第一佈線圖案,及驅動用於讀取之 L E D光源之驅動信號之一第二佈線圖案佈線於一單個基體 層上,其中,第一佈線圖案及包含自光電變換晶片輸出之 影像資訊之類比信號之一第二佈線圖案各構製具有一或更 多佈線狀態出自: (1 ) 一佈線狀態,其中,第一佈線圖案及第三佈線圖案 構製於各別之層上; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (2) —佈線狀態,其中,第一佈線圖案及第三佈線圖案 構製於一單個層上,及第一及第三佈線圖案間之地寬度至 少等於或大於第二佈線圖案之寬度;及 (3) —佈線狀態,其中,一高頻移去裝置插入於驅動 LED光源之驅動信號之地部份處,及 第二佈線圖案與第一及第二佈線圖案電分離。 依據本發明,提供一種讀取裝置,此讀取文件影像, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 019171 1230542 A7 _____ B7__ 五、發明説明(5) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 包含上述影像感測裝置;一文件輸送裝置,置於影像感測 裝置之前及後,以定置該文件;一接觸裝置,此使文件接 觸影像感測裝置;及一控制裝置,此處理來自影像感測裝 置之輸出信號,以執行裝置控制。 自以下說明聯同附圖,可明暸本發明之其他特色及優 點,在附圖中,各圖中相同之參考符號指示相同或相似部 份。 附圖簡述 圖1爲槪要透視圖,顯示具有本發明之佈線圖案之接 觸感測器之基體(C I S基體); 圖2爲C I S基體之佈線安排圖; 圖3A及3B爲接觸感測器之類比影像信號之波形圖; 圖4爲槪要透視圖,顯示接觸感測器之結構; 圖5顯不C IS之定時圖; 圖6爲用以量度類比信號之波形之電路圖; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖7爲本發明之文件影像讀取裝置之安排之槪要圖; 及 圖8爲方塊圖,顯示電安排,用以詳細說明圖7之控 制電路。 主要元件對照表 2-1 : LED 光源 2-3 :光接收元件 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 013172 -8- 1230542 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
五、發明説明(6) 4-1 :線源單位 4-1-2 :光導 4-3 :基體 6-1 :光量調整電路 6-2 :時脈產生電路 6-3 : A/D 換器 1〇1 :接觸影像感測器 102 :固態影像感測元件 103: SELFOC 透鏡 104: LED 行歹[] 105 :接觸玻璃 1 08 :文件偵測桿 1 1 0 :控制電路 203 : LED控制電路 205 : A/D變換電路 206 :陰影 RAM 207 :陰影改正電路 208 :尖峰偵測電路 209 :珈瑪變換電路 21 0 :緩衝 RAM 21 1 :包裝/緩衝RAM控制電路 2 1 2 :介面電路 2 1 5B :工作 RAM (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝· 卜訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X:297公釐)013173 -9- A7 B7 1230542 五、發明説明(7) 較佳蹇施例之詳細說明 以下參考附圖’詳細說明本發明之較佳實施例。 1 .接觸影像感測器之整個安排 參考圖4,說明用於實施例中之接觸影像感測器之整個 安排。 一線源單位4-1包含一 LED光源單位2-1安排於線源 單位4-1之端部,及一光導4-1-2用於均勻擴散欲自線源單 位4-1發射之光於讀取主掃描方向中。 自光導4-1-2發射之照射光由一文件玻璃桌上之一文 件反射,及反射之光通過一 SELFOC透鏡行列4-2,以形 成一影像於基體4-3上所固定之一光接受元件(CCD)2-3上 〇 所形成之光影像光電變換爲電信號,此其後出作爲影 像信號。 2.CCD電路板之安排 圖2顯示CCD板上之電路安排之方塊圖。 R,G,及B色成份之LED光源單位2-1連接至CCD板 ,作爲讀取之光源。用以驅動LED光源單位2-1之線安排 於CIS基體上。在此實施例中,使用一端LED光源作爲讀 取之光源。而且,事實上,LED本體安裝於另一板上,且 僅其線出現於CIS基體上。 例如,四CCD晶片2-2安排成一線於讀取主掃描方向 上。晶片-1及晶片-2之輸出由OS1 (輸出信號1)表示,及 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) ' 019175 -ίο. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1230542 A7 B7 五、發明説明(8) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 來自晶片-3及晶片-4者由0S-2(輸出信號2)表示。各別信 號之信號線連接至二射極隨耦器電路2-3,作爲類比輸出電 路。每一晶片之輸出連接至對應之一射極隨親器電路2-3 之電晶體之基極。每一射極隨耦器電路2-3切換該晶片, 俾自一晶片至另一晶片輸出信號,從而輸出類比影像信號 於所連接之晶片之所有像素。自射極隨耦器電路2-3各別 輸出之信號爲具有幅度至多約1 V之二類比信號,及輸出信 號之幅度dV指示反射光之量(等於文件密度)(閱圖5)。 此輸出類比信號之電位差在其後之處理電路中以公共8 數元解像度作A/D變換。 作爲用以驅動晶片-1至晶片-4之信號,供應一像素時 脈0 Μ,一時脈0 R S (此復置每一像素之電荷),及一時脈 必TR(此爲影像讀取之水平同步信號,且爲與CCD之儲存 時間相當之一週期性信號)。時脈(必Μ,0 RS,及0 TR) 爲數位信號,具有5V之幅度。圖5顯示0 Μ,0 RS,及 0 T R之定時圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考圖5,每一時脈具有地線安排於其二側。此減少信 號傳輸之時脈中所含之雜訊及串擾,並穩定C I S方之地。 注意本發明並不限制上述之晶片數及輸出線數。 3 .本發明之C I S基體中之佈線圖案 參考圖1及2,說明本發明之影像感測裝置之特定結構 。圖1爲本發明之CIS基體之斷面圖,並使用一雙層作爲 圖解實例。 本紙張尺度準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -11 - 1230542 A7 B7 五、發明説明(9) C C D晶片2 -2之信號線0 Μ,0 R S,及0 T R爲數位 信號線Dn,及自CCD晶片2-2至射極隨耦器電路2-3之輸 入及輸出線之信號線爲類比信號線An。在圖1中,假定來 自C C D之類比信號線及數位信號線分別訂定爲類比信號線 A1及數位信號線D 1,及類比信號線A1及數位信號線D 1 分別構製於不同之層上。 當信號線A1及D1構製於不同之層上’數位信號線D1 不構製於類比信號線A1之正下方。類比信號線A1及數位 信號線D1間之距離x1設定於"〇"或更大,及地線構製於距 離x1中。 達成二種線之上述佈線狀態可降低二種線之圖案間之 相互干擾(串擾)。 而且,設定數位信號線D 1之圖案寬度d及類比信號線 A1之圖案寬度a,俾在基體上任一點處保持a>d,從而減 小類比信號線A1之傳輸阻抗,並增加類比信號線A1對外 部雜訊之電阻。 在許多情形,基體之空間依據要求減小C I S之體積而 受限制,及類比信號線及數位信號線可安排於一區域之單 層上。在此情形,如顯示於圖1,安排類比信號線A1及數 位信號線D2,俾在任何區中保持x2>d在此,x2代表類比 信號線A1及數位信號線D2間之距離。 如LED驅動圖案構製於同一基體上,時基線(類比及數 位線二者)及LED驅動線以數位圖案寬度d或更大相互分開 ,且每一高頻移去濾波器2-4(例如鐵酸鹽珠)插入於地及連 本紙張尺度费3%菌声拜準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝. 卜訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 1230542 A7 _____B7__ 五、發明説明(^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接於LED之陽極之辛納二極體之對應一陰極之間,以避免 靜電崩潰,如顯示於圖2。此防止數位信號還回進入L E D ’並禁止LED之切換雜訊混進於類比信號中。 如需要高於C C D晶片之驅動頻率之一頻率作爲影像讀 取速度,則需要多個類比信號級用於輸出類比信號。在此 情形,如顯示於圖2,需設置數量等於類比輸出線數之類比 輸出電路(圖2中之射極隨耦器電路2)。此時,可使用含有 多個元件之1C製備類比輸出電路。然而,此安排延長自每 一晶片至類比輸出電路,及自類比輸出電路至C I S外部之 佈線,並增加串擾之可能性。爲此,恆使用含有單個元件 之1C製備類比輸出電路,如顯示於圖2,及來自類比輸出 電路之輸出信號線根據上述實施例安排。如此可儘量縮短 類比佈線。 圖3A及3B顯示由本發明者等試驗所獲得之類比信號 之輸出波形之量度資料。C I S由圖6所示之驅動電路驅動 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖6之CIS單位爲與圖2所示之CIS相等之實例。在 一量度板上,安排LED光源之一光量調整電路6-1 ; —時 脈產生電路6-2,此根據圖5所示之定時圖產生時脈;及一 A/D變換器6-3,此接收來自CCD之類比信號。該板及 CIS單位由一 400mmFFC電纜相互連接。在圖3A及3B中 ,在相同條件下,即使用同一驅動電路,同一電纜,及具 有相同頻率及特性之CC D晶片執行量度。由在量度板之一 接頭處量度獲得每一波形(閱圖6)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇x297公釐) 019178 -13- 1230542 A7 B7 五、發明説明(d 圖3A顯示不應用本發明之一 C I S中之輸出波形。更明 確言之,類比信號線及數位信號線構製於同層上,並以本 發明之申請專利第4項所述之地距離分開。參考圖3A,數 位雜訊疊置於類比信號上,及由於高頻雜訊而發生位準變 化。當在此信號狀態中試驗執行影像讀取時,影像品質大 爲降低。 另一方面,圖3B顯示使用本發明之佈線之一 CIS。不 獨相當抑制數位信號雜訊之疊置,且抑制由於高頻雜訊所 引起之位準變化。當在此狀態中執行影像讀取時,獲得具 有高色調位準再生之影像。 4.具有本發明之接觸影像感測器之文件影像讀取裝置 之整個安排 參考圖7及8,詳細說明在頁饋式文件影像記錄裝置中 使用本發明之接觸影像感測器之一實施例。 圖7爲用以讀取文件影像之文件影像讀取裝置之安排 之槪要圖。 接觸影像感測器(此後稱爲"CIS")1 01包含一固態影像 感測元件102,SELFOC透鏡1〇3,LED行列104,及接觸 玻璃1 05。 輸送滾子1 06置於CIS前及後,並用以定置文件。一 接觸板107用以使文件接觸CIS 101。一控制電路處理 來自CIS101之信號。 一文件偵測桿1 08用以偵測文件之插入。當文件偵測 桿108偵得文件插入時,此傾斜,及文件感測器109之輸 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I·裝· —訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度卷準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 1230542 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(么 出依此傾斜改變。當控制電路110中之CPU215注意到輸 出之改變時,此斷定有文件插入,並驅動一驅動文件輸送 滾子1 06之驅動馬達(未顯示)。由此操作,文件開始饋送 ’以執行讀取操作。 圖8爲方塊圖,顯示電安排,用以詳細說明圖7之控 制電路1 1 0。其電路操作參考圖8說明於下。 在圖8中,參考編號201標示一影像感測器(圖7中之 CIS101)。R,G,及 B LED 202 製成一體。一 LED 控制(驅動 )電路203於讀取每一線時輪流接通R,G,及B LED 202,以 照射文件,同時文件受饋送於接觸玻璃105上。由此程序 ,可獲得R,G,及B線序列彩色讀取影像。 一 AMP放大CIS201輸出之信號,及一 A/D變換電路 205A/D變換放大之輸出爲例如8數元數位輸出。一陰影 RAM206儲存由先前讀取校準頁所獲得之陰影改正資料。 一陰影改正電路207根據陰影RAM206中所儲存之資料, 執行讀取影像資料之影像改正。一尖峰偵測電路208偵測 每一線之讀取影像資料之尖峰値’並用以偵測文件之前端 〇 一珈瑪變換電路209依據主電腦先前所設定之珈瑪曲 線,執行讀取影像資料之珈瑪變換。 一緩衝ARM210用以暫時儲存影像資料,以促使實際 讀取操作及與主電腦之通訊相互同步。一包裝/緩衝RAM 控制電路2 1 1執行處理’俾依主電腦先前所設定之影像輸 出模式(二進位,4數元多値,8數元多値,及24數元多値 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !·裝·
、1T 本紙張尺度奶中書嗯g準(CNS〉M規格(210x297公釐〉 -15- 1230542 A7 B7
五、發明説明(A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ),執行讀取影像資料之包裝處理,並寫入經處理之資料於 緩衝RAM210中,及一程序用以讀出緩衝RAM210中所寫 入之影像資料,並供應讀出之資料至一介面電路2 1 2。 介面電路212執行接收控制信號及外部裝置往來之影 像信號之輸出處理,依據實施例,此裝置爲文件影像讀取 裝置之主裝置,諸如個人電腦。 CPU215爲例如微電腦之形態之一,並具有ROM215A 儲存處理程序,及一工作 RAM215B。CPU215 依據 ROM215A中所儲存之程序,控制各別單位。 參考編號2 1 6標示例如一石英掁盪器;及2 1 4標示一 定時信號產生電路,此依CPU215之設定,由石英掁盪器 216之輸出分頻,產生各種定時信號。一外部裝置213經 由介面電路212連接至包裝/緩衝RAM控制電路211,並包 含一個人電腦等,作爲一例。 依據以上實施例,可避免數位信號雜訊疊置於類比信 號上,從而達成能輸出高品質影像信號之影像感測裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而且,依據以上實施例,可達成一可靠之文件影像讀 取裝置,包含以上實施例之影像感測裝置。 由於本發明可有許多顯然廣大不同之實施例,而不脫 離其精神及範圍,故應明暸除後附申請專利範圍所界定者 外,本發明並不限於其特定實施例。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 013. 81 -16 -
Claims (1)
- 置正替換頁 9>年3月4曰 1230542 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 第9 1 1 22522號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國93年3月29日修正 1 . 一種影像感測裝置,包含一多層基體,其中,一光 電變換晶片及驅動光電變換晶片之數位信號之一佈線圖案 佈線於一單個基體層上,其中,包含自光電變換晶片輸出 之影像資訊之類比信號之佈線圖案,及驅動光電變換晶片 之數位信號之佈線圖案構製於各別之基體層上。 2. —種影像感測裝置,包含一多層基體,其中,一光 電變換晶片及驅動光電變換晶片之數位信號之一佈線圖案 佈線於一單個基體層上,其中,包含自光電變換晶片輸出 之影像資訊之類比信號之佈線圖案,及驅動光電變換晶片 之數位信號之佈線圖案構製於各別之基體層上,俾在垂直 上不相互接觸。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3. —種影像感測裝置,包含一多層基體,其中,一光 電變換晶片及驅動光電變換晶片之數位信號之一佈線圖案 佈線於一單個基體層上,其中,包含自光電變換晶片輸出 之影像資訊之類比信號之佈線圖案之寬度不小於驅動光電 變換晶片之數位信號之佈線圖案之寬度。 4. 一種影像感測裝置,包含一多層基體,其中,一光 電變換晶片及驅動光電變換晶片之數位信號之一佈線圖案 佈線於一單個基體層上, 其中,包含自光電變換晶片輸出之影像資訊之類比信 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNs") μ規格(_21〇X297公釐I 1230542 i|正替換頁 年3月θ曰: A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 號之佈線圖案,及驅動光電變換晶片之數位信號之佈線圖 案佈線於一單個基體層上,及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 各佈線圖案間之地寬度至少不小於數位信號之佈線圖 案之寬度。 5. —種影像感測裝置,包含一多層基體’其中’光電 變換晶片及驅動光電變換晶片之數位信號之一佈線圖案佈 線於一單個基體層上,多層基體具有多個類比輸出信號級 ,其數不大於光電變換晶片之數,並安排自光電變換晶片 輸出一輸出信號經多個類比輸出級至影像感測裝置之外部 , 其中,每一類比輸出級設有一類比輸出電路,及每一 類比輸出電路由一元件構成。 6 · —種影像感測裝置,包含一多層基體,其中,一光 電變換晶片,驅動光電變換晶片之數位信號之一第一佈線 圖案,及驅動用於讀取之LED光源之驅動信號之一第二佈 線圖案佈線於單個基體層上, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中,第一佈線圖案及包含自光電變換晶片輸出之影 像資訊之類比信號之一第三佈線圖案各構製具有一或更多 佈線狀態出自: (1 ) 一佈線狀態,其中,第一佈線圖案及第三佈線圖案 構製於各別之層上; (2 ) —佈線狀態,其中,第一佈線圖案及第三佈線圖案 構製於一單個層上,及第一及第三佈線圖案間之地寬度至 少等於或大於第二佈線圖案之寬度;及 本用中國國家標準「CNS) 210χ297公釐)~~—-1230542 六、申請專利範圍 3 (3) —佈線狀態,其中,一高頻移去裝置插入於驅動 L E D光源之驅動信號之地部份處,及 第二佈線圖案與第一及第三佈線圖案電分離。 7 .如申請專利範圍第1項所述之裝置,其中,該裝置 由不低於5 Μ Η z之一商頻電源驅動。 8 . —種讀取文件影像之讀取裝置,包含: 一影像感測裝置,如申請專利範圍第1項所述; 一文件輸送裝置,置於影像感測裝置之前及後,以定 置該文件; 一接觸裝置,此使文件接觸影像感測裝置;及 一控制裝置,此處理來自影像感測裝置之輸出信號, 以執行裝置控制。 (請先聞讀背面之注意事項存填寫本頁) -装· 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -3 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001310199A JP2003115584A (ja) | 2001-10-05 | 2001-10-05 | 撮像装置及び読取装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI230542B true TWI230542B (en) | 2005-04-01 |
Family
ID=19129220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091122522A TWI230542B (en) | 2001-10-05 | 2002-09-30 | Image sensing apparatus and reading apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6756617B2 (zh) |
JP (1) | JP2003115584A (zh) |
CN (1) | CN100391219C (zh) |
TW (1) | TWI230542B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7821684B2 (en) * | 2002-04-23 | 2010-10-26 | Chen-Hsiang Shih | Circuit module integrating a light driver and an optical |
JP2009200555A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 画像読取装置、画像読取方法 |
JP2009200556A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 画像読取装置、画像読取方法 |
CN102857668B (zh) * | 2012-09-25 | 2016-07-27 | 威海华菱光电股份有限公司 | 线阵图像传感器和线阵图像读取装置 |
JP6108936B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム、撮像装置の駆動方法 |
US9692922B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-06-27 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image reading substrate, image reading device, and image forming apparatus having equal distances of interconnects from output terminals to high-speed serial transmitting unit |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5855646B2 (ja) * | 1974-07-01 | 1983-12-10 | 日本電気株式会社 | ジセイリユウタイノ セイゾウホウホウ |
JPH0468571A (ja) | 1990-07-10 | 1992-03-04 | Oki Electric Ind Co Ltd | 密着型イメージセンサ |
JPH0514598A (ja) | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 密着型イメージセンサ |
DE69736479T2 (de) * | 1996-04-15 | 2007-04-12 | Rohm Co. Ltd., Kyoto | Bildsensorplättchen, herstellungsverfahren und bildsensor |
JP3008267B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2000-02-14 | ローム株式会社 | イメージセンサチップおよびイメージセンサ |
US6037643A (en) * | 1998-02-17 | 2000-03-14 | Hewlett-Packard Company | Photocell layout for high-speed optical navigation microchips |
US6587186B2 (en) * | 2000-06-06 | 2003-07-01 | Canesta, Inc. | CMOS-compatible three-dimensional image sensing using reduced peak energy |
JP4068571B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2008-03-26 | Necライティング株式会社 | オゾン濃度測定装置 |
-
2001
- 2001-10-05 JP JP2001310199A patent/JP2003115584A/ja active Pending
-
2002
- 2002-09-27 CN CNB021435480A patent/CN100391219C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-30 TW TW091122522A patent/TWI230542B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-10-02 US US10/263,012 patent/US6756617B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6756617B2 (en) | 2004-06-29 |
CN100391219C (zh) | 2008-05-28 |
JP2003115584A (ja) | 2003-04-18 |
CN1411266A (zh) | 2003-04-16 |
US20030067006A1 (en) | 2003-04-10 |
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---|---|---|---|
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