TWI228939B - Image display device - Google Patents
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Description
1228939 玫、發明說明： 【技術領域】 。本發明係關於—種具有自發光元件之圖像顯示裝置，特 ^係關於具有由非晶硬形成電流通過區域之驅動元件之主 動矩陣方式圖像顯示裝置。 【先前技術】 現今’在進行圖像顯示等之顯示之領域中，使用有機電 激發光7C件（有機EL元件）代替液晶顯示裝置之圖像顯示 裝置文到 >王目。與液晶顯示裝置比較，使用有機El元件之 圖像顯不裝置，因自發光性無需背光，且具有優良之響應 速度與對比、視覺辯認性等，具有超越液晶之功能。又使 用有機EL元件之圖像顯示裝置由於構造亦較簡單，故從製 造成本觀點而言認為亦有利。 圖8係先前使用有機eL元件之主動矩陣方式圖像顯示裝 置構造等效電路圖。如圖8所示，先前之圖像顯示裝置具 有：有機EL元件ιοί ;及電源線107，其係與有機EL元 件101之陰極側連接，將電流供給有機EL元件ι〇1者。又 有機EL元件101係連接於具有驅動元件功能之薄膜電晶體 102，以薄膜電晶體1〇2控制流動於有機EL元件1〇1之電 流值。薄膜電晶體102係從信號線104及掃插線丨〇5，藉 薄膜電晶體103供給一定閘電位，以控制驅動狀態，依該 控制決定流動於有機EL元件101之電流。有機EL元件1 〇 1 係以因應流入之電流值之光強度發光，進行圖像顯示（例如 專利文獻1)。
O:\85\85606DOC 1228939 薄膜電晶體102因具有因應驅動狀態之移動度，故具有 因應施加之閘電位控制流動於有機EL元件101之電流值功 能。孩薄膜電晶體102之構造已提出以多晶石夕形成通道層 者’及以非晶碎形成者。 以多晶矽形成通道層之薄膜電晶體，可提高移動度之另 一面，有控制形成通道層之多晶矽粒徑困難之問題。使用 多晶矽之薄膜電晶體移動度，因受形成通道層之多晶矽粒 徑之影響，故粒徑控制困難時，各像素有不同之薄膜電晶 體102移動度。例如考慮為了於畫面整體顯示單一色，使 施加於構成各像素之薄膜電晶體102之閘電壓為相等之情 形。使用多晶矽之薄膜電晶體，因粒徑控制困難，故各像 素移動度互異，即流動於有機EL元件101之電流亦互異。 因有機EL元件101為電流發光元件，而因流入之電流值互 異，致各像素亮度變動，故實際上無法顯示單一色。 針對此，以非晶矽形成通道層之薄膜電晶體，因無需控 制粒徑，故不產生各像素所設各個薄膜電晶體移動度互： 之問題。因此，做為有機虹元件之驅動元件使用之薄膜電 晶體102,最好使用以非晶料成通道層|，由於使用： 構造之薄膜電晶體，即可將大致均勻之電流流至各個有機 EL元件。 專利文獻1 日本特開平8-234683號公報（第10頁，圖1} 【發明内容】 發明所欲解決之課題 O:\85\85606.DOC -6- 1228939 然而，驅動元件使用以非晶矽形成通道層之薄膜電晶體 時，圖8所示先前之圖像顯示裝置有無法長時間進行圖像 顯示困難之問題存在。已知使用非晶矽之薄膜電晶體，長 時間將電流導至通道層時，臨限值電壓將緩緩變動，因即 使繼續施加一定之閘電壓，流動於通道層之電流值亦因應 臨限值電壓之變動而變化之故。 圖9係就將非晶矽做為通道層之薄膜電晶體，將一定電 流繼續導至通道層之結果產生之臨限值電壓變動值曲線 圖。又圖9之曲線圖中，流至通道層之電流係一般有機EL 元件以150cd/m2之亮度發亮程度之電流。 由圖9亦可知，約100小時產生約IV之臨限值電壓變 動，經過2000小時產生超過2V之臨限值電壓變動。一般 使用有機EL元件之圖像顯示裝置性能，要求約20000小時 連續保持一定亮度，臨限值電壓不宜在短時間内發生大變 動。 故將用非晶矽之薄膜電晶體做為驅動元件使用之實際圖 像顯示裝置，除圖8所示構造外加上每一像素配置電壓補 償電路。具體而言，藉由除了從信號線104供給薄膜電晶 體102之閘電極之電位，並由電壓補償電路補償臨限值電 壓變動份量之電位之構造，以實現穩定之圖像顯示。該電 壓補償電路因以每1像素3〜4個薄膜電晶體形成，產生配 置有機EL元件之基板上另設電壓補償電路用區域之需要 性，故無法以高密度配置有機EL元件，而產生高精細圖像 顯示困難之問題。
O:\85\85606.DOC 1228939 又使用非晶硬之薄膜電晶體亦有移動度低之問題。以先 前所用有S EL元件做為發光元件日f，由於4 了實現充分之 亮度需要-定量電流，而具有為了將該電流供給有機乩元 件而放大通道幅度之必要性’具有驅動元件功能之薄膜電 晶體之佔有面積增加’故產生有冑EL元件之配置密度: 低，高精細圖像顯示困難之問題。 本發明有鑑於上述先前技術之問題，其目的在於提供一 種圖像顯示裝置，其係主動矩陣方式，藉由抑制以非晶石夕 形成電流通過區域之驅動元件電氣特性之變動，俾能長時 間顯示圖像者。 解決課題之方法 為達成上述目的’中請專利範圍第丨項有關之圖像顯示 裝置，其特徵為具有：發光元件，其係具有複數發光層， 及配置於該複數發光層間之電子_電洞互生成層者；驅^元 件，其係控制流動於該發光元件之電流，具有含非晶矽形 成之電流通過區域者；開關元件，其係控制該驅動元件Z 驅動狀態者；信號線，其係將顯示信號供給該開關元件者； 及掃描線，其係將掃描信號供給上述開關元件者。 依該申請專利範圍第丨項之發明，因係主動矩陣方式， 且含非晶矽形成驅動元件之電流通過區域之構造之圖像顯 示裝置’由於複數發光層間具有含電子·電洞互生成層之發 光元件，故能以低電流發出冑亮度％，由抑制通過電流^ 過區域之帶電粒子量，即可抑制驅動元件之電氣特性變動。 又申請專利範SU 2項有關之圖像顯示裝置係如上述發
O:\85\85606.DOC 1228939 明’其中上述發光層係含有機材料形成。 又申請專利範圍第3項之圖像顯示裝置係如上述發明， 其中上述驅動元件係含以非晶矽形成通道層之薄膜電晶體 形成。 又申請專利範圍第4項之圖像顯示裝置係如上述發明， 其中上述電子-電洞互生成層係由具有透光性之導電層形 成。 又申請專利範圍第5項之圖像顯示裝置係如上述發明， 其中上述電子-電洞互生成層係由具有透光性之金屬氧化 層形成。 又申叫專利範圍第6項之圖像顯示裝置係如上述發明， 其中上述電子-電洞互生成層係由ITO層形成。 又申叫專利範圍第7項之圖像顯示裝置係如上述發明， 其中上述電子_電洞互生成層係於上述發光元件之陰極側 配置ITO層，於陽極側配置含铯之導電層。 又申請專利範圍第8項之圖像顯示裝置係如上述發明， 其中上述發光層係射出白色光，此外具有彩色濾光片，其 係從上述白色光抽出一定波長之光者。 又申睛專利範圍第9項之圖像顯示裝置係如上述發明， 其中上述發光層係射出4〇〇nm以下波長乏光，此外具有色 變调制機構，其係變換從上述發光層射出之光波長。 又申請專利範圍第10項之圖像顯示裝置係如上述發 明，其中上述色變調制機構將上述發光層射出之光 對應紅、藍、綠之波長之光。 …
O:\85\85606.DOC 1228939 【實施方式】 發明之實施例 以下參考圖說明本發明之實施例之圖像顯示裝置。又圖 係^種模式，請注意與現實者有異。又圖之彼此間當財 含彼此尺寸之關係及比例不同之部分。 第一實施例 首先，說明第一實施例之圖像顯示裝置。第一實施例之 圖像顯示裝置具有複數發光層，於該發光層間具二低= 發光元件，其係配置有用於發光之電子·電洞互生成層= 者，顯示圖像時減低流至含非晶矽之驅動元件之電流值， 俾可長時間顯示穩定圖像之構造。 圖1係第一實施例之圖像顯示裝置構造剖面圖。如圖五 所不，第一實施例之圖像顯示裝置，係於具有透光性之基 板1上具有：構成驅動電路之薄膜電晶體2及薄膜電晶體 3，與後述h唬線或掃描線連接用之導電層4 ;連接薄膜電 晶體2與薄膜電晶體3之導電層5 ;及與薄膜電晶體3連 接之陽極配線層6。又於薄膜電晶體2及薄膜電晶體3上 配置平坦化層7。而陽極配線層6及平坦化層7上，具有： 發光元件12 ;及每一顯示像素分離發光元件12用之元件 分離層11。該薄膜電晶體2、3及發光元件12係在單色顯 示時有相應之顯示像素，在彩色顯示時另有對應顯示像素 之R(紅）、G(綠）、B(藍）之副像素（以下彙稱「顯示像素等」） 配置之構造。 薄膜電晶體3係為控制流入發光元件12之電流值者，藉 O:\85\85606.DOC -10- 1228939 一方之源/汲極及陽極配線層6連接於發光元件i2。又薄膜 電晶體3因具有以非晶石夕形成電流通過層功能之通道層構 造，故具有不致起因於通道層物理構造上差異，致每一顯 不圖像等電壓、電流等特性變動之穩定特性。 薄膜包日日體2係控制薄膜電晶體3之驅動狀態者，具有 開關元件之功能。薄膜電晶體2之通道層亦可用非晶矽與 多晶矽中之任一種形成。 平坦化層7係為了使配置薄膜電晶體2、3之區域上面平 坦化者。即圖1中雖簡化圖示，惟實際上薄膜電晶體23 具有以不同材料形成之複雜多層構造，故薄膜電晶體2、3 上面呈複雜之凹凸形狀。一方面，配置於上層之形成發光 元件12之材料層膜厚度極薄，疊置於凹凸狀表面上困難。 因此，第一實施例之圖像顯示裝置，於配置薄膜電晶體2、 3又區域上配置平坦化層7，於平坦化層7上疊置發光元件 12之構造。又平坦化層7 一般含光抗蝕劑等有機材料形 成，惟只要能使薄膜電晶體2、3上層平坦化之材料，亦可 用有機材料以外之材料。 元件分離層11透過分離相應於發光元件12之顯示像 素，俾防止設於某一像素等之發光元件與設於其他像素等 之發光元件間發生串擾者。具體而言，元件分離層n係例 如以感光性之高分子膜為材料，用對應元件分離層u之形 狀义光罩進行攝影步驟形成。又從元件分離之觀點，最好 剖面形狀呈台形，上底大於下底之倒錐形狀， 其他剖面形狀者。 有
O:\85\85606.DOC -11 - 1228939 其次’說明發光元件12。發光㈣12係以因應注入電 心值（売度發光之自發光元件，為直接有利於第一實施例 之圖像顯示裝置之元件。其具體構造為具有將：發光層 :〜8d ’其係由電子與電洞發光再結合而發光者；與電子_ =洞互生成層9a〜9c，其係分別配置於發光層8卜以間者； 、印之構迨又具有·於底邵配置陽極配線層6，其係與 卜I5之甩路元件連接之用者；及於頂部配置陰極配線層之 構造°又圖1係設置4層發光層8及3層電子電洞互生成 層9之構造，惟請注意上述係為舉例者，發光層8及電子_ 電洞互生成層9之層數當不受圖}所示之限制。 陽極配線層6具有發光元件12之陽極之功能，並為以電 連接發光元件12與薄膜電晶體3者。於第_實施例，陽極 配’·泉層6係以A卜Cu等形成，具有可透過發光層8a〜8d 產生之光之構造。例如，陽極配線層6可具有可透過光之 私度薄膜化之構造，又可構成配置部分具有透光窗功能之 構造。 陰極配線層10具有發光元件12之陰極之功能。陰極配 線層具體而言，以Ah Cu等金屬等導電性材料形成。又第 只知例之圖像頭示裝置，因具有發光元件所發之光通 過基板1放出外部之構造，故陰極配線I 1〇無冑具備透光 性，而可加大膜厚。 發光層8a〜8d由分別對應一定波長之材料，最好以有機 材料形成，從陰極側注入之電子，與從陽極側注入之電洞 再結合而發出光之構造。具體而言，發光層8a〜8d係由酞 O:\85\85606.DOC -12- 1228939 青（phthalcyanine )、三銘（tris-aluminum )錯合物、苯并 喹啉（benzoquinoline-beryllium)錯合物等有機系材料形 成，必要時添加一定之雜質之構造。 電子-電洞互生成層9 a〜9 c，係由施加電壓向陰極側（圖^ 之上方）放出電洞，向陽極側放出電子之用。電子-電洞互生 成層9a〜9c係以具有透光性之導電材料形成，最好以銦錫 氧化物 ITO(Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物 iz〇(Indium Zinc Oxide)等金屬氧化物等透明導電材料形成。又因IT〇 之電氣負性度咼’故電子-電洞互生成層9a〜9c亦可分別於 ΠΌ下層含铯（Cs)等金屬材料之導電層形成。該導電層最好 使用含有铯之BPHPEN或BCP。又亦可以Cr、A卜Cii等 材料，使其薄膜化至可透光程度之構造，或部分具有透光 窗之構造’俾形成電子-電洞互生成層9a〜9c。 其次，說明第一實施例之圖像顯示裝置之每一顯示圖像 等之電路元件具體連接狀態1 2係第—實施例之圖像顯 不裝置每一顯示圖像等之等效電路圖，以下參考圖2說明。 第一實施例之圖像顯示裝置係如圖2所示，發光元件12 之陽極側係連接於具有驅動元件功能之薄膜電晶體3之一 方之源/汲極 薄膜電晶體3之閘極係連接於薄膜電晶體2 之-方之源/汲極。又具有薄膜電晶體2之另一方之源/汲極 係與信號線14連接’閘極係連接於掃描線丨3之構造。又 發光元件u之陰極側係連赫電源線15，並於電源線15 與薄膜電晶體3之閘極間配置電容 與電源線驅動電路19連接而具有 器16。此外，電源線15 電流供給功能，掃描線 O:\85\85606.DOC -13- 1228939 1 3、信號線14係分別連接於掃描線驅動電路1 7、信號線 驅動電路18，俾將一定電位供給薄膜電晶體2之閘極及另 一方之源/汲極。又有關發光元件12，亦因如圖丨所示具有 複數發光層之構造，故電氣上可視為將複數發光二極體串 聯連接之構造，以圖2所示構造表示。 其次，參考圖2說明將電流供給發光元件ι2之機構。首 先’從掃描線驅動電路17藉掃描線丨3將一定電位供給薄 膜電晶體2之閘極，薄膜電晶體2成接通狀態。而從信號 線驅動電路18藉信號線14將一定電位供給成為接通狀^ 又薄膜電晶體2,藉薄膜電晶體2之通道層將一定電位寫 入電容器16。由於電容器16 一方之電極與薄膜電晶體3 之閘極係以電連接，故將寫入電容器16之電位供給薄膜電 晶體3之閘極。 而薄膜電晶體3依該電位成為接通狀態，將一定電流導 入薄膜電晶體3之通道層。由於發光元件丨2係連接於薄膜 電晶體3之一方之源/汲極，故依薄膜電晶體3之通道層之 移動度規定之電流流至發光元件12，射出因應電流值之亮 度光。可是，一旦將電位寫入電容器16後，薄膜電晶體2 成為斷開狀態，惟因保持寫入電容器16之電位，故薄膜電 曰曰體3义閘電位得以維持。故對應該閘電位之電流繼續流 至薄膜電晶體3之通道層及發光元件12，維持發光元件12 之發光狀態。 因此，圖像顯示時電流繼續流至具有驅動元件功能之薄 膜電晶體3之通道層，因電流長時間流動致臨限值電壓有
O:\85\85606.DOC -14- 1228939 變動之虞。然而，由於該臨限值電壓之變動幅度係對應通 過通運層之帶電粒子量’故第一實施例之圖像顯示裝置， 由減低導土發光元件丨2之電流值，俾抑制驅動元件之薄膜 電晶體3之臨限值電壓之變動。 圖3係發光元件12之發光機構說明模式圖。發光層8卜以 由於從外部供給之電子與f洞再結合激勵構成發光層 8a〜8d <有機材料分子，因分子從激勵狀態轉移至基態時產 生足剩餘能量變換為光而發光。形成發光元件12之電子_ 電洞互生成層9a〜9c，具有由於分別供給一定電位，將電子 供給陽極配線層6側，將電洞供給陰極配線層1〇側之功 能。第一實施例之圖像顯示裝置，設置該電子-電洞互生成 層9a〜9c，俾以低電流發出充分亮度之光。 舉例說明發光層8c之發光機構。於發光層8c由於從外 P /他入黾子-黾/同互生成層9b產生之電洞與電子_電洞互生 成層9c產生之電子，於發光層8c内再結合而產生光。在 此，供給發光層8c之電洞及電子均非從發光元件12外部 供給，而於發光元件12内部生成。故於發光層8c中有利 於發光之帶電粒子與通過薄膜電晶體3之通道層之帶電粒 子並典直接關係，薄膜電晶體3之通道層不受發光層發 光之影響。同樣，供給發光層8b之電子及電洞，供給發光 層8a之電子及供給發光層8d之電洞係於發光元件12内部 產生，且因在發光層内變換，故此等帶電粒子不致影響薄 膜電晶體3之通道層之劣化。故發光元件丨2能藉薄膜電晶 體3供給之電流值，而有比先前更高之效率發光，於發出 O:\85\85606.DOC -15- 1228939 同一亮度光時，可減低涂=立〜 *、， 〃 心土薄膜電晶體3之電流值。 其次，說明第一實施例推〜 、 則進订長時間圖像顯示時驅動元件 <電氣特性不變動，具I# ;丄 、 、 “足S，說明流動於具有驅重件 功能之薄膜電晶體3之通s +, &勤兀仵 、 、層电泥值、與臨限值電壓之變動 值之關係。圖4係就以非曰 声日曰硬形成通道層之同一構造薄膜 電晶體，以加速試驗測定將兩、、纟 、兒’瓜、，k、，、貝導至通道層時之臨限 值電壓變動值之時間變動纟 又動結果曲線圖。圖4中曲線 先前之有機EL元件以充八古命& .、 无刀冗度發光所需1Χ10·6Α之電流
、， &又動’曲線12係以-半之0.5X10-6A 之電流流動時之情形。 由比車乂曲、泉1 !共曲線l2可知，例如經過伽〇小 點的臨限值電壓為，相料曲線h的情形為約2·5ν，而曲 線12的情形可抑制為^以下，將電流值減半能將臨限值 電壓變動值抑制至約2/5。此外，比較達到-定臨限值電壓 變動值所需時間時，依電流佶夕兰 、、 攸思，儿值又差頭耆。例如假設驅動元 件可容許之臨限值電壓變動值為lv時，曲線卜之情形為 約1 000小時超過容許值，而曲線1 2之情形為經過二“ 時以上始達容許值。又容許值為15V #，相料曲線U 《情形為2_小時以下即超過容許值，而曲線匕之情形 為需要約10000小時。故使流經通道層之電流值為一半 時’驅動7C件之壽命並非單純之2倍’而可實現4〜$倍或 以上之元件壽命。第一實施例所用發光元件12目具有*層 發光層，_ —亮度發光所需電流值在理論上約$先前^ 1/4即足，故具有驅動元件功能之薄膜電晶體3 〈7C件哥命 O:\85\85606.DOC -16- 1228939 ι長。故第一實施例之圖像顯示裝置，大致可解決因驅 動疋件《電氣特性變動之圖像品質劣化之問題，可以長時 間穩定顯示圖像。 為了從私子-電洞互生成層9a〜9c產生電子及電洞，需 將一疋電位分別施加於電子_電洞互生成層9a〜9c，結果施 於么光凡件12整體之電塵值增大。然而，因薄膜電晶體 3之電氣特性變動以帶電粒子通過量為主因，不受施加於 發先疋件12之電壓影#，故無影#長時間穩定顯示圖像之 吳又如上迷弟-貫施例之圖像顯示裝置，因能以 无分亮度發光，故並無因施㈣發光元件U之電壓辦大而 增加消耗電力之情事。 i胃大而
又由於驅動元件之薄膜電晶體3之電氣特 足，故第—實施例之圖像顯示裝置，無^K 晶體3之臨限值電壓變動 、、‘ 《、’膜電 另设補償電路。因此，可減少 土 1上非發光區〈佔有面積，而可使各個顯示 發光元件12之大型化或增加顯示像素等之個數。故第= 嫩圖像顯示裝置’可實現高亮度或高精細之圖象V 此外，由於使用具有複數發㈣8a〜心 成層9a長之發*元件U之構造，故 二洞互生 題。於第-實施例，發光層8 .，，、k成本增加之問 關於電子-電洞互生成層9 k有機材料等， 之故。 一錢用ιτο等已知材料 又第一實施例，因每一 gg ;你士 口母顯不像素等分離發 成兀件分離層11，惟亦可如 牛12而形 圖5所-，形成省略元件分離
O:\85\85606.DOC • 17- 1228939 曰之構u。使用於發光層之有機材料等，原本導電度低， 由選擇適當材料依施加於陽極配線層6與陰極配線層10間 ^ ^ 可形成僅向縱方向移動帶電粒子之構造。故即使 於鄰接〈顯示像素等，發光層或電子_電洞互生成層連續形 成時，亦可抑制因電流流向橫方向之串擾之發生。形成該 冓U時可省略形成元件分離層所需之步騾，可減低製造 成本 0 第二實施例 其次’說明第二實施例之圖像顯示裝置。第二實施例之 2像顯示裝置，由於具有以複數發光層及發光層所夾電子· 電洞互生成層，故從各個發光層射出對應R、G、B之波長 <光，由於將此等光合併輸出而具有輸出白色光之構造。 又白色光」並非僅指完全無彩&者，其概念為實質上含 能視同白色之顏色。 因每-副像素具有透過對應R、G、B之波長之光之彩色 滤光片’而可顯示彩色圖像。又第二實施例之圖像顯示裝 置，基本構造與第一實施例之圖像顯示裝置相同，具體而 έ，具有圖1及圖2所示構造。故以下未敘及處，可解釋 為與第一實施例相同者。 圖6係第二實施例之圖像顯示裝置構成要素中，於對應 顯示像素之部分，以模式顯示發光元件2〇與彩色濾光片 21，彩色圖像顯示狀態說明圖。彩色濾光片21具體而言， 配置於圖1所示基板1下層，具有對發光元件2〇射出之白 色光透過對應R、G、Β之波長之光之功能。 O:\85\85606.DOC -18 - 1228939 發光元件20係與第一實施例同樣，具有：複數發光層 22a〜22c;配置於發光層間之電子·電洞互生成層9a〜9b;及 以陽極配線層6與陰極配線層1〇夾持該結構之構造。陽極 配線層6、陰極配線層1〇及電子_電洞互生成層“〜外之具 體構造及功能係與第一實施例相同。 發光層22a〜22c由電子與電洞再結合產生分別對應R、 G、B之波長之光之材料形成。為了射出對應各波長之光’ 例如可舉將對應R之Ir(btp)2(acac)、對應〇之ir(ppy)3、 對應B之Firpic以雜質分別添加於發光層22&〜22c之構 造。由該構造發光層22a產生對應义之波長之光，發光層 22b、發光滑22c分別產生對應G、B之波長之光，使發光 元件20整體輸出白色光。 其次，說明第二實施例之圖像顯示裝置之優點。首先， “有與第一貫她例同樣，因為具有於複數發光層間配置電 子-電洞互生成層之構造，可以低電流輸出高亮度光，即使 通道層使用非晶碎之薄膜電晶體做為驅動元件使用時，亦 無需設置補償電路之優點。 又由於發光元件20輸出白色光，以彩色濾光片21抽出 對應R、G、B之波長之光之構造，亦具有無需每—副像素 進行發光元件之圖案化，可簡化製造步驟之優點。即形成 發光7L件20時，可於基板i上均句疊置陽極配線層6、發 光層22a〜22c及電子-雷洞五a 士，麻π 门互生成層9a、9b、陰極配線層 1 〇，無需另以其他步驟形成射出對應R、gB之波長之光 之發光元件，而容易進行製造。
O:\8S\85606.DOC -19- 1228939 此夕卜，第-每、A y,、 只她列 < 圖像顯示裝置，由 一造，可射出減低彩色度之大:純粹: :先前之發光層因對應R、G、B之雜質之發光 不同，故均句給+ ϋ ο ^ 、Β之光成分強度困難。然而，第 一貫施例之圖像_干# 裝置，因可疊置多數發光層，故由就 " 20开> 成叠置複數對應發光效率低之顏色之發光 層構造，可# r、r 、， 疋光成分強度均勻，射出色彩度實 際上無問題之程度的白色化之光。 、 ，又第二實施例之圖像顯示裝置，並非構成發光層22a〜22c 產生分別對應R、G、B之波長之光之構造，例如亦可構成 由將上述所有雜質分別添加於各發光層❿〜❿，使發光層 Ua〜22c分別射出白色光之構造。 變化實施例 圖7係第一只施例之圖像顯示裝置之變化實施例模式 圖。本變化實施例係構成發光層23a〜23d產生對應B之波 長 < 光心構造，具有以色變調制部24將對應R、G、B之 光輸出外部之構造。 色又凋制彳24具有依輸入之一定波長光，輸出比輸入光 低能量，即比輸入光較長波長之光之功能。對應r、G、B <波長之光中，最高能量即短波長之光係對應B之光。因 此，由於構成於發光層23a〜23d射出對應B之光輸入色變 凋制邵24之構造，即可使色變調制部24輸出對應更長波 長之R、G之波長之光。 用彩色濾光片從白色光抽出對應r、G、B之波長之光之 O:\85\85606.DOC -20- 1228939 構&時，有關白色光之其他波 沪r ^ ^ ^ L , <先成分因被彩色濾光片 吳敝，故從實貝上發光效率之勸 , ”、、占，未必良好。變彳p音# 例非從白色光抽出一定波長成八 成分，而將對應β之波長之井 變換為長波長之光，使其成Λ f+處Ώ 以 八成為對應R、σ之波長之光， 提高實質之發光效率。 B之波長之光。 發明之效果 又變化實施例係將發光層23a〜23d產生之光為對應8之 波長之光，惟未必需要限於該波長之光。具體而言，由於 射出比分別對應r、g、b之光之波長為短波長，例如波長 為400nm&下之光，即可由色變調制部24輸出對應汉、〇、 如以上說明，依本發明之一種圖像顯示裝置，其係主動 矩陣方式，且驅動元件之電流通過區為含非晶矽形成之構 造，由於複數發光層間具有含電子·電洞互生成層之發光一 件，即可以低電流發出高亮度之光，由抑制通過電流通過 區之帶電粒子量，可抑制驅動元件之電氣特性之變動，發
揮能實現長時間亮度等不變動之穩定圖像顯示之圖像顯^ 裝置之效果。 N 【圖式簡單說明】 圖1係弟一貫施例之圖像顯示裝置構造剖面圖。 圖2係第一實施例之圖像顯示裝置配線構造等效電路 圖。 圖3係形成第一實施例之圖像顯示裝置之發光元件之發 光結構說明模式圖。 O:\85\85606.DOC -21 - 1228939 圖4係就將非晶矽用於通道層之薄膜電晶體，流動於通 道層之電流與臨限值電壓之關係曲線圖。 圖5係第一實施例之圖像顯示裝置變形例構造剖面圖。 圖6係第二實施例之圖像顯示裝置之彩色圖像顯示狀態 說明模式圖。 圖7係第二實施例之圖像顯示裝置之彩色圖像顯示狀態 說明模式圖。 圖8係先前技術有關之使用有機EL元件之圖像顯示裝置 構造等效電路圖。 圖9係就將非晶矽做為通道層之薄膜電晶體之臨限值電 壓變動值曲線圖。 【元件符號之說明】 1 基板 2 薄膜電晶體 3 薄膜電晶體 4 導電層 5 導電層 6 陽極配線層 7 平坦化層 8a 〜8d 發光層 9a 〜9d 電洞互生成層 10 陰極配線層 11 元件分離層 12 發光元件 O:\85\85606.DOC -22- 1228939 13 掃描線 14 信號線 15 電源線 16 電容器 17 掃描線驅動電路 18 信號線驅動電路 19 電源線驅動電路 20 發光元件 21 彩色濾光片 22a〜22c 發光層 23a〜23d 發光層 24 色變調制部 101 有機EL元件 102 薄膜電晶體 103 薄膜電晶體 104 信號線 105 掃描線 107 電源線 O:\85\85606.DOC - 23
Claims (1)
1228939 拾、申請專利範固·· L -種圖像顯示裝置，其特徵為具有： /光兀γ牛’其係具有複數發光@，及配置#該複數發 光層間之電子·電洞互生成層者； -二力凡件，其係控制流動於該發光元件之電流，具有 口非日日矽形成之電流通過區域者； ^關元件，其係控制該驅動元件之驅動狀態者； =號線’其係將顯示信號供給該開關元件者；及 知爲、、泉’其係將掃描信號供給上述開關元件者。 2·:=利範圍第1項之圖像顯示裝置，其中上述發光 層係含有機材料形成。 3· 明專利範圍第1或2項之圖像顯示裝置，其中上述 4 牛係含以非晶碎形成通道層之薄膜電晶體形成/ .二=圍第1或2項之圖像顯示裝置，其中上述 ^ 成層係由具有透光性之導電層形成。 二:㈣圍第…項之圖像顯示裝置，其中上述 %包洞互生成層係由具有透光性之 6. 如申請專利範圍第 至屬乳化層形成。 ㈣軛圍弟i或2項《圖像顯示 電子-電洞互生成層係由IT〇層形成。 -中上迷 7. 如申請專利範圍第i或2項之圖像顯示裝、， 電子-電洞互生成層係於上述發光元 〃上述 層，於陽極側配置含絶之導電層。《陰極側配置ιτο 8. 如申請專利範圍第i或2項 發光層係射出白色光， 圓像心裝置’其中上述 O:\85\85606.DOC 1228939 此外具有彩色漉光片，其係從上述白色光抽出一定波 長之光者。 9.如申請專利範圍第1或2項之圖像顯示裝置，其中上述 發光層係射出40Onm以下波長之光， 此外具有色變調制機構，其係變換從上述發光層射出 之光波長。 1 0.如申請專利範圍第9項之圖像顯示裝置，其中上述色變 調制機構將上述發光層射出之光變換為對應紅、藍、綠 之波長之光。 O:\85\85606.DOC
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