TWI227946B

TWI227946B - Column readout circuit with increased signal range for CMOS image sensor

Info

Publication number: TWI227946B
Application number: TW092107010A
Authority: TW
Inventors: Xinping He; Hongli Yang; Quingwei Shan
Original assignee: Omnivision Tech Inc
Priority date: 2002-03-27
Filing date: 2003-03-27
Publication date: 2005-02-11
Also published as: TW200406058A; US20030183891A1; EP1349380B1; ATE317201T1; DE60303418D1; EP1349380A2; CN1447587A; EP1349380A3; DE60303418T2

Description

1227946 五、發明說明（1) ' i發明所屬之技術領域： - i本發明與一種互補式金氧半電晶體（CMOS)影像感應器有關，特別是有關於一利用透過金氧半電晶體（M0S)電容 i器AC躺合之讀出電路。 I先前技術： ! ! . 影像感應器用於產生表示物體的影像。上述影像感應器包括圖素的列與行。上述圖素產生與從將被成像的物體反射的光成比例的小的光電訊號（p h 〇 t 〇 s i g n a 1)。通過訊號處理馨電路讀出並處理光電訊號以便產生表示物體的影像。 i屬於同一行（也稱為位元線）的圖素通常連接到從其讀出訊 i號的公共輸出節點。單獨地控制同一位元線中的每個圖素以便在公共輸出節點處進行讀出。在輸出節點，提供行讀出電路以便讀出並放大光電訊號。典型地，一圖素包括一驅動元件，上述驅動元件接收一由 I影像感應器檢測的一光密度的電子指示訊號，並且將與該 I密度（光電訊號）成比例的電流驅動到與圖素單元耦合的鲁 :位元線。隨著訊號整合（s i g n a 1 i n t e g r a t i ο η)，就通過 I將列選擇訊號指定到選定的列的每一個圖素來讀取選定的列的圖素。

第5頁 1227946 - 五、發明說明（2) ' 此外，在某些影像感應器中，採用行讀出電路消除熱雜訊、| 固定的影像雜訊與其它類型的雜訊。在重定周期内通過使行讀出電路取樣圖素的輸出來完成此消除。然後，上述行丨讀出電路從光電訊號中減去重定訊號。這種類型的讀出電路有時稱為相關雙取樣（correlated double sampling)電路。在現有技術的一些影像感應器中，利用第二級行讀出丨電路以便進一步放大光電訊號並诮除由第一級行讀出電路 i引起的雜訊。 ! | | ! i在行讀出電路中，需要電容器來取樣並保持上述光電訊號 _ i與重定訊號。典型地，利用兩層多晶矽（多晶（poly)-多晶丨電容器）或兩層金屬（金屬-金屬電容器）來形成這些電容 I器。然而，多層多晶矽或兩層金屬的利用與標準互補式金 i氧半電晶體（CMOS)邏輯處理是不相容的，由此會增加成本。 I此外，多晶矽或金屬電容器會佔用較大的面積。 ! i

! . · - · I

在美國專利第622217 5號中可見相關雙取樣行讀出電路的實 I ί ! i例。其中描述的電路包括用於保持一重定訊號與一光電訊丨 I號的電容器C7與C8。電容器C7與C8是多晶-多晶型或金屬- | :金屬型中的任何一種類型的傳統的電容器。這兩種類型的 · 電容器需要相對於標準互補式金氧半電晶體（CMOS)邏輯處 i 理的附加製造複雜性。 ;

第6頁 1227946 ；--------------------—--~~ _____________________________· 一 ------ …一一 __ I五、發明說明（3) | ! |此外，即使採用金氧半電晶體（M〇s)電容器用於‘ 1 75專利的「 |電容器C7與C8，也會出現額外的問題。例如，因為金氧半 · 電晶體（MOS)電容器是p型金氧半電晶體（pm〇s)類型，所以就存在電源雜訊問題，電源雜訊會與訊號搞合並直接干擾訊號。如果採用N型金氧半電晶體（NMOS)類型的電容器，上述光電訊號電壓與重定訊號電壓必須高於金氧半電晶體（MOS)· 電容器的起始電壓（VT ( N))，使得上述金氧半電晶體（M0S) 電容器在二極區（triode region)工作。眾所周知，n型丨金氧半電晶體（M0S)電容器具有起始電壓，其中在此起始電 | 壓之上，金氧半電晶體（M0S)電容器的電容基本上恒定。參i 見美國專利第596288 7號。因此，位元線上的訊號就必須具_ 有高於VT ( N)的幅度。通常，不容易滿足這一需要。參見 IEEE Transactions on Electron Devices， Vol.47， Νο·1， 2 0 0 0年1月Blank sby等人的”彩色互補式金氧半電晶體（CMOS) 光閘影像感應器的性能分析（P e r f 〇 r m a n c e A n a 1 y s i s 〇 f a Color互補式金氧半電晶體（CMOS) Photogate Image Sensor) n中採用金氧半電晶體（M〇S)電容器的讀出電路的實例。因此，需要一種與標準互補式金氧半電晶體（CMOS)邏輯處 | 理相容的行讀出電路。 4 . !

發明内容： I

第7頁 1227946 五、發明說明（4) 本發明之目的是提供一種用於讀出由圖素提供的光電訊號 :與重定訊號的行讀出電路，該電路包括：一重定訊號支線 (branch)，上述重定訊號支線（branch)包括一具有一第一端點（terminal)與一第二端點之第一金氧半電晶體 | ( MOS)電容器，上述第二端點選擇性地連接到一基準高壓，上述第一電容器選擇性地連接到上述圖素與一基準低壓；丨以及，一光電訊號支線（branch)，上述光電訊號支線 ! ( branch)包括一具有第一端點與一第二端點之一第二金氧半電晶體（MOS)電容器，上述第二端點選擇性地連接到上述基準高壓，上述第一電容器選擇性地連接到上述圖素 I與基準低壓。 _ I . :本發明之另一目的是提供一種從圖素讀出光電訊號之方法， |該方法包括：首先，耦接上述光電訊號到一金氧半電晶體 | (MOS)電容器之一第一端點上；接著，設置一基準高壓到上述金氧半電晶體（MOS.)電容器之一第二端點上；然後，耦接上述金氧半電晶體（MOS)電容器之第一端點到一基準低壓，使得上述光電訊號透過上述金氧半電晶體（MOS)電容器並藉 i由電容性耦接上述金氧半電晶體（MOS)電容器之第二端點而 I轉移；最後，讀取從上述金氧半電晶體（MOS)電容器之第二丨端點之光電訊號。 _ I本發明之一種從圖素讀出光電訊號之方法更包括：耦接一丨重定訊號到一第二金氧半電晶體（MOS)電容器之一第一端點 :上；然後，設置上述基準高壓到上述第二金氧半電晶體（MOS) 1227946 I ^ ~ ~ 一 ^ ~ :- 五、發明說明（5) 丨電容器之一第二端點上；之後，耦接上述第二金氧半電晶體i·· (MOS)電容器之第一端點到上述基準低壓，使得上述重定訊 h 號透過上述第二金氧半電晶體（MOS)電容器並藉由電容性耦丨' 接上述第二金氧半電晶體（MOS)電容器之第二端點而轉移；最· i後，讀取從上述第二金氧半電晶體（MOS)電容器之第二端點 I 之上述重定訊號。 | "

I

I ! 實施方法： | ; 在接下來的描述中，提供了許多的具體的詳細說明以提供對於本發明之實施例的一個完整的了解。然而，對於一個 4 熟知習知技術的人而言，沒有一個或更多個具體的詳細說明，或者是有其他方法、構成要素等，本發明都可以被實施。在其它例子中，熟知的結構或運作不加以顯示或詳細描述以避免模糊了本發明不同實施例的觀點。整個說明書中所提及到的π —個實施例（ο n e e m b 〇 d i m e n t) π 或” 一實施例（a n e m b o d i m e n t) n是意謂著：關聯著一實施例中所描述的一個特殊的特徵、結構或特性是包括在至少一個本發明之實施例中。因此，在整個說明書不同地方中所出現的π在一個實施例中（i η ο n e e m b 〇 d i m e n t) π或 π · ▼

丨在一實施例中（in an embodiment) ”之句子不必然是指向 I |相同的實施例。此外，上述之特殊的特徵、結構或特性也丨 I可能以任何的方式而結合在一個或多個實施例中。 I

第9頁 1227946 五、發明說明（6) I如上所述:一互補式金氧半電晶體（CMOS)影像感應器包 :一形f為行與列之圖素陣行。典型地，上述圖素之每個Γ 貝出氣路相關聯’這即是本發明之目的。在下面 - ί明書中，〜單_ 圖素係關聯一讀出電路來作說明。應當的說解’對於全部影像感應器是需要多個讀出電路的理 0 1連請參考圖一，其顯示出一主動圖素（active pixel) 接到一讀出電路103。上述主動圖素101包括一光電二極㉟ (photodiode) 105、一重定電晶體107、圖素輸出電晶^ 表示撞擊在光電二極體10 5上的光量之光電訊號輸出 1 0 9與列選擇電晶體1 1 1。上述主動圖素1 〇丨的結構是現%有 |術中的傳統結構。在操作中，上述光電二極體1〇 5提供了 j 如果上述列選擇（RS)電晶體1 1 1是開的（turned on) _，則i 述光電訊號即用來調製上述圖素輸出電晶體1 〇 9以輸出_ % 電訊號。上述圖素輸出電晶體10 9也被稱為處於源極跟卩遺哭 (source fol lower)結構。上述重定電晶體1 〇7係用來對下一個訊號整合周期（integration period)重定上述圖素 I 1 0 1。此外，在一個實施例中，上述圖素1 0 1採用一光電二丨極體105，而圖素1〇1還可以採用一光閘（photogate)或釘 i紮光電二極體(pinned photodiode) 〇丨 s 丨上述讀出電路103包括兩支線（branch):第一支線用於捕丨獲一重定訊號，第二支線用於捕獲上述光電訊號。特別地，

第10頁 1227946 五、發明說明（7) 上述圖素輸出電晶體之源極到上述第一與第二支線。兩個J 雙取樣，其係—種對1 / f雜訊鱼、，17 1 用的技術。應咎> 土。 /、固定的影像雜訊最小化之有過列選擇電晶體1 π而連接線的使用就能夠允許相關用的技術。應當注意的是/對係在兩個支線之間採用一短路=相關雙取樣，典型地方式 transistor)。然而，為了二晶體（shorting 一雷路中，上it i：- μ +。a ㈢的清楚’在圖一所示的讀出电格T 述紐路電晶·體被省略了卬丨上述弟'一支線和第二主後其夫丨理解，除了用”，，主— 土上結構是相同的。為了易於丨=，，b=, 用於捕獲上述重定訊號的第-支線，

丨的夂者數I #於捕獲上述光電訊號的第二支線之外，相同 :的參考數子表示相同元件。 J I上述讀出電路丨（load)電晶 I包括支線選擇 :關，來選擇由 !述支線選擇電丨壓基準電晶體 :之後的訊號通電晶體1 17a與 1 1 9 a與 1 1 9 b的之源極連接到 (ground) ° 1 0 3包括一上述圖素輸出電晶體j 〇 9之負載體1 1 3。上述第一與第二支線中，每一個支線電晶體1 1 5a和1 1 5b。這些晶體係用來作為開上述主動圖素1 〇 1輸出的訊號指到的支線。上日日體1 1 5a與1 1 5b的下游（downstream)是低 1 1 7 a與1 1 7 b。下游這個術語係指一參考位置路（signal path)中的位置。上述低壓基準 1 1 7 b的汲極連接到金氧半電晶體（Μ 0 S )電容器源/沒極板。上述低壓基準電晶體1 1 7 a與1 1 7 b 一電壓Vlo，上述電壓Vlo可以是VSS或地因此，上述低壓基準電晶體1 1 7a與1 1 7b係用

第11頁 1227946 五、發明說明（8) 於將源/沒極板周期性地並選擇性地拉到一低的參考電壓。卜上述金氧半電晶體（MOS)電容器119 a與119 b是現有技術中的丨傳統電容器，例如在美國專利第5 9 6 2 8 8 7與其中引用的參考文件中描述的電容器。其中所描述的電容器’這種金氧半電晶體（Μ 0 S )電容為的源/>及極板係由金氧半場效應電晶體 (MOSFET)的通道區、源極區與汲極區所形成。金氧半電晶體（MOS)電容器119 a與119 b的多晶矽閘極部分是 \ 連接到高壓基準電晶體121 a與121b的源極。上述高壓基準 \ ;電晶體121 a與121b的汲極連接到一可以是VDD的電壓Vhi。 ‘ i因此，上述高壓基準電晶體121 a與121b係用於將上述金氧 I半電晶體（MOS)電容器119a與11 9b的多晶矽閘極周期性並選： ! I擇性地拉到一高的參考電壓。丨 ! | i上述金氧半電晶體（MOS)電容器119 a與119 b的多晶矽閘極是 1連接到缓衝器123 a與123 b的輸入。然後，上述緩衝器的輸 :出提供到差分放大器125，上述差分放大器12 5放大上述重定訊號與光電訊號中的差異。 | 1 j . ! :接著，描述上述電路之工作（operation)。應當注意的是，· 上述讀出電路係在兩個輸入訊號下工作：即上述光電訊號與重定訊號。因此，對光電訊號與重定訊號重復下面的讀出技術。對於每個步驟是相同的，因此僅僅描述用於讀取

第12頁 1227946 五、發明說明（9) 光電訊號的步驟 i首先，如圖一 A所=，在時間t 〇，上述列選擇電晶體丄丨工是 •開的（turned on)以便允許由上述圖素ι〇ι輸出的訊號轉移到-節點C。隨後’ #圖二β所示，在時間士卜上述支線選擇電晶體U5b與高壓基準電晶體12lb是開的（switched on)。上述低壓基準電晶艎U7b是關的（switched 〇ff)。如圖二C所不，即點D處的電壓變為川，同時節點£與c處 (參見圖三B與三A)的電壓將在光電訊號電平（vps)。隨後，如圖二D與二C所示，在時間咖u，上述高壓基電f體mb與支^選擇電晶體U5b是依次關的 ⑽ 〇 f f)。追樣就將光電訊號V 左々節點D保持在高壓基準電壓Vhi。i即$ 。應當注意的是，得上述光電訊號被捕獲在金半ΐ = =及極板上，同日,多晶石夕極板（p〇ly piate)具有一電壓接耆，在時間Ϊ4，上述高壓基準電晶體i 2丨b與支線選擇電晶體115b保持關的（remain off)。然而，如圖二E所示，在時間t4,上述低壓基準電晶體U7b是開的（hmed⑽）丨這就導致了節點E處的光電訊號電壓Vps將透過 ( ί氧半電晶電容器119b之節點'。㈣的丨疋，上述轉移的訊號不是精確的Vps，而是Vhi + Η。_ Us 1227946 五、發明說明（ίο) 的電壓移位形式（voltage shifted version)。如果正確選擇V h i與V 1 〇的大小，該技術就會導致上述電容器1 1 9 a與 1 1 9b—直工作在三極區（triode region)。特別地，如果 V 1 〇為地（ground)，那麼為了維持在上述三極區工作， Vhi與 Vps(最大值）之間差值應超過金氧半電晶體（M〇s) 電容器1 1 9的起始電壓（threshold voltage)。隨後，透過緩衝器1 23b將節點D處的光電訊號電壓vps之電壓移位形式提供到差分放大器i 2 5。最後，如圖二B所示，在將允許上述圖素重定的一些時間期間（15至16)，上述重疋電晶體107是開的（turned on)。為了處理上述重定訊號，在重定訊號支線上進行一類似的 =驟'因此，在時間t7,上述高壓基準電晶體121二. 開的"urned °n)。這允許將上述重定訊號 |，於即點C與B上，同時節點a變成Vhi。如圖二ρ鱼一 | f間t8和t9，高壓基準電晶體i21a和支線選擇電一曰不’ ^1〜是依次關的（七訂116(1〇“）。這就導致了上5 = 5二 β。應當注意的是，節點A維持在高壓ίΐ 曰二延些步騍就導致上述重定訊號將被捕獲在全 /旱曰曰體（M0S)電容器n9a的源/汲極板上，金乳+電 (P〇ly Plate)具有電壓Vhi。〇曰曰石夕極板 &後，在時間tl〇，上述高壓基準電晶體12u與支線選擇

第14頁 1227946 , —— _____ _ 五、發明說明（11) * 笔日日體1 1 5 a保持關的（r e m a i η 〇 f f)。然而，如圖二Η戶斤示，、 f，間tl〇，上述低壓基準電晶體1 i7a是開的（turned on)。. 丨这就導致了節點B處的重定訊號將透過AC電容耦合被，，轉移，， / 到金氧半電晶體（M0S)電容器1 1 9a的節點A。特別的是，上 · j述轉移的訊號不是精確的重定訊號’而是Vhi+ Vlo- Vreset 丨的笔壓移位形式（voltage shifted version)。隨後，透 · |過緩衝器123 a將節點A處的重定訊號的電壓移位形式提供到 ΐ差分放大器125。 ! .! ：；； ί !

； I |如上所述，雖然電壓值Vhi和VI 〇通常為任意值，在一些實 i |施例中，Vhi只是VDD且Vlo只是VSS或地（ground)。另外，^ i上述電容器11 9 a與119 b可以是基於P型金氧半電晶體（PMOS) Y |的。在這種情況下，P型金氧半電晶體（PM0S)電容器的閘極 |應當連接到位元線（b i 11 i ne)。 i上述緩衝器123 a與123 b可以是例如一在源跟隨器（s〇urce follower)結構中的電晶體。如果Vh i設置？ V D D，那麼就提高源跟隨器的訊號範圍。此外，如果上述緩衝器1 2 3 a與1 2 3 b 丨是運算放大器，就可以將Vhi與VI 〇的電壓電平調整為滿足上述運算放大器的輸入共模（common mode)範圍，以便允： i許靈活地調整。 ^ 在透上述過缓衝器123 a與123 b緩衝上述重定訊號與光電訊 | 號之後，將訊號提供到差分放大器125，此處從上述光電訊 1227946 丨五、發明說明（12) | · I號中減去重定訊號，並且放大上述結果以便提供行讀出電路 i 1 0 3之輸出。雖然已經說明並描述了本發明之較佳實施例，應當理解的是，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下可以進行各種改變。例如，雖然本發明已經依據採用光電二極體進行了描述，但可以採用其它類型的光感元件或光讀出元件，例如光電閘（ph〇 t 〇ga t e)、釘紮光電二極體（p i η n e d photodiode)等。此外，利用p型基底與光電二極體來描述上述實例。對於η型基底或光電閘感應器，本發明對於本領域普通技術人員同樣可以應用。對熟悉此領域技藝者，本發明雖以一些較佳實例闡明如上，然其並非用以限定本發明精神。在不脫離本發明之精神與範圍内所作之修改與類似的安排，均應包含在下述之申請專利範圍内，這樣的範圍應該與覆蓋在所有修改與類似結構的最寬廣的詮釋一致。因此，闡明如上的本發明一些較佳實例，可用來鑑別不脫離本發明之精神與範圍内所作之各種改變。

第16頁 1227946 i圖式簡單說明 ' i圖式簡單說明： i本發明的目的、特徵、優點與較佳實施例將於往後之說 I明文字中輔以下列圖形做更詳細的闡述： i第一圖是根據本發明之形成一讀出電路之一示意圖； |第二A至第二Η圖是顯示圖一之讀出電路之不同開關之操作丨時間圖； ! 第三Α至第三 Ε圖是顯示圖一於讀出電路操作期間之讀出電路之不同節點之電壓位準。圖不符號對照表· ί

第17頁 1227946 圖式簡單說明緩衝器1 2 3 a、1 2 3 b ;差分放大器1 25

Claims

1227946 丨六、申請專利範圍 ! I ί申請專利範圍： ! ; i I : 丨1· 一種用於讀出一由圖素（pixel)提供之一光電訊號與 i一重定訊號之行讀出電路，該電路包括： | ! 一重定訊號支線（branch)，該重定訊號支線（branch) 丨 I 包括一具有一第一端點（terminal)與一第二端點之第一 | 金氧半電晶體（MOS)電容器，該第二端點選擇性地連接到 | 一基準高壓，該第一電容器選擇性地連接到該圖素與一基 |準低壓；以及 | | 一光電訊號支線（branch)，該光電訊號支線（branch) 包括一具有第一端點與一第二端點之一第二金氧半電晶體 4 (MOS)電容器，該第二端點選擇性地連接到該基準高壓，該第一電容器選擇性地連接到該圖素與該基準低壓。 2 ·如申請專利範圍第1項之行讀出電路，其中該第一與第二金氧半電晶體（MOS)電容器係工作於三極區（triode I . | r eg i on) o ί I

|3·如申請專利範圍第1項之行讀出電路，其中該圖素包括選自於由下述光電二極體、光閘（photogate)或釘紮光電二極體（pinned photodiode)組成之族群中之一光感元件。 ! ί M·如申請專利範圍第1項之行讀出電路，更包括一用於接

第19頁 1227946 六、申請專利範圍 I收來自該第一金氧半電晶體（MOS)電容器之該第二端點的第一訊號與來自該第二金氧半電晶體（MOS)電容器之該第二端點的第二訊號作輸入的差分放大器（differential amplifier)。 5·如申請專利範圍第4項之行讀出電路，更包括在該第一和第二金氧半電晶體（MOS)電容器與該差分放大器之間設置緩衝器（b u f f e r s)。 |6·如申請專利範圍第1項之行讀出電路，其中該基準高 i壓與該光電訊號或重定訊號的一最大值之間的差值大於 I i該第一或第二金氧半電晶體（MOS)電容器的一起始電壓 (threshold voltage) 〇 7 · —種從一圖素讀出光電訊號之方法，包括： 4禺接該光電訊號到一金氧半電晶體（M0S)電容器之一第一端點上；設置一基準高壓到該金氧半電晶體（M0S)電容器之一第 :二端點上； I搞接該金氧半電晶體（M0S)電容器之該第一端點到一基準低壓，使得該光電訊號透過該金氧半電晶體（M0S )電容鲁器並藉由電容性耦接該金氧半電晶體（M0S)電容器之該第二端點而轉移；以及讀取從該金氧半電晶體（M0S)電容器之該第二端點之該光

第20頁 1227946 六、申請專利範圍電訊號。 I |8·如申請專利範圍第7項之從一圖素讀出光電訊號之方法， j i其中該金氧半電晶體（MOS)電容器係工作於三極區 I (t r i ode region) o 9 ·如申請專利範圍第7項之從一圖素讀出光電訊號之方法，其中該金氧半電晶體（M0S)電容器之該第二端點上之該光電訊號係提供給一差分放大器之一輸入。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之從一圖素讀出光電訊號之方法，其中該金氧半電晶體（M0S)電容器之該第二端點上之該光電訊號係透過一緩衝器而提供給該差分放大器。 1 1 ·如申請專利範圍第7項之從一圖素讀出光電訊號之方法，其中該基準高壓與該光電訊號的一最大值之間的差值係大於該金氧半電晶體（M0S)電容器的一起始電壓 (threshold voltage) ° 1 2 ·如申請專利範圍第7項之從一圖素讀出光電訊號之方丨法，更包括： i耗接一重定訊號到一第二金氧半電晶體（M0S)電容器之一 !第一端點上； I設置該基準高壓到該第二金氧半電晶體（M0S)電容器之一 j

第21頁 1227946 六、申請專利範圍第二端點上；耦接該第二金氧半電晶體（MOS)電容器之該第一端點到該 i基準低壓，使得該重定訊號透過該第二金氧半電晶體（MOS) 電容器並藉由電容性耦接該第二金氧半電晶體（MOS)電容器之該第二端點而轉移；以及 ί 讀取從該第二金氧半電晶體（MOS)電容器之該第二端點之！該重定訊號。 i 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之從一圖素讀出光電訊號之方法，進一步地，其中該第二金氧半電晶體（M0S)電容器係工作於三極區（t r i 〇 d e r e g i ο η)。痛 ί 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項之從一圖素讀出光電訊號之方法，其中該第二金氧半電晶體（M0S)電容器之該第二端點上之該重定訊號係提供給一差分放大器之一輸入。 j 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之從一圖素讀出光電訊號之 | 方法，其中該第二金氧半電晶體（M0S)電容器之該第二端 | ί 點上之該重定訊號係透過一緩衝器而提供給該差分放大器。| I 1 6 ·如申請專利範圍第1 2項之從一圖素讀出光電訊號之 4 方法，其中該基準高壓與該重定訊號的一最大值之間的差值係大於該第二金氧半電晶體（M0S)電容器的一起始電壓 i (threshold voltage) 〇丨

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