TWI227918B - Aligning method and aligning device of proximity exposure - Google Patents

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TWI227918B
TWI227918B TW92128608A TW92128608A TWI227918B TW I227918 B TWI227918 B TW I227918B TW 92128608 A TW92128608 A TW 92128608A TW 92128608 A TW92128608 A TW 92128608A TW I227918 B TWI227918 B TW I227918B
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Tsutomu Miyatake
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Sumitomo Heavy Industries
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7038—Alignment for proximity or contact printer

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

1227918 (2) 5. 如申請專利範圍第1項所述的對位方法，其中，又 包括（d)調整上述第一參照光罩的表面高度，而與上述第 一對象物的表面高度對準的工程。 6. 如申請專利範圍第3項所述的對位方法，其中，上 述工程（c)包括： 使用上述第二對準感測器同時地檢測與上述第二對象 物的相對位置被固定，形成在將光線透過在至少一部分的 領域所區劃的標記支持部的第二參照標記，及上述第一參 照標記的工程；及 移動上述第一工作台，同時地檢測上述第二參照標記 與上述第一對準標記的工程。 7. 如申請專利範圍第6項所述的對位方法，其中，上 述第二參照標記形成在第一支持基板，須轉印的圖案形成 在與該第一支持基板不词的第二支持基板；該第一支持基 板與第二支持基板被固定在同一保持面上。 8. 如申請專利範圍第6項所述的對位方法，其中，上 述第二參照標記，與須轉印的圖案，形成在同一支持基板 〇 9. 如申請專利範圍第6項所述的對位方法，其中，在 形成有上述第二參照標記的標記支持部的該第二參照標記 的旁邊，形成有貫通該標記支持部的貫通孔，在上述工程 (c)中，上述第二對準感測器，是經貫通該標記支持部的 貫通孔檢測上述第一參照標記及上述第一對準標記。 10. 如申請專利範圍第3項所述的對位方法，其中，上 1227918 (3) 述第二對象物被固定在夾盤機構，該夾盤機構被支 盤支持體，在上述工程（c)中，將上述第二對準感 鏡筒前端接觸於上述夾盤支持體一部分的狀態下檢 第一參照標記及上述第一對準標記。 11·如申請專利範圍第10項所述的對位方法， 上述第二對象物包括須轉印的圖案所形成的曝光部 持該曝光部的支持部，而在該支持部形成有貫通孔 述工程（c)中，上述第二對準感測器，經形成在該 的貫通孔而檢測上述第一參照標記及上述第一對準 12·—種對位裝置，是屬於使用於近接於第二 而配置第一對象物，且將第二對象物上的圖案轉印 對象物的近接曝光的對位裝置，其特徵爲具有： 用以保持，移動形成第一對準標記的第一對象 一工作台； 與上述第一工作台相對向，且用以保持形成第 標記的第二對象物的第二工作台； 配置於上述第一工作台，且具有將光線透過在 部分的光線的領域所區劃的標記支持部，與形成在 支持部的第一參照標記的第一參照光罩；以及 配置於上述第一工作台，且由上述標記支持部 透光的領域可檢測上述第二對準標記之同時可檢測 一參照標記的第一對準感測器。 13·如申請專利範圍第12項所述的對位裝置， 上述第一工作台包括粗動工作台與微動工作台；上 持於夾 測器的 測上述 其中， ，及支 ;在上 支持部 標記。 對象物 在第一 物的第 二對準 至少一 該標記 區劃的 上述第 其中， 述第一 -3 - 1227918 (4) 參照標記是配置在上述微動工作台，而上述第一對準感、測 器是配置在上述粗動工作台。 1 4 ·如申請專利範圍第1 2項所述的對位裝置，宜中， 上述第一對準感測器包括邊緣散射光斜方檢測系統，或色 像差雙重焦點光學系統。 1 5 ·如申g靑專利範圍第1 2項所述的對位裝置，宜中， 又具有可拘束與配置於上述第二工作台的第二對象物的相 對位置，可檢測上述第一參照標記及第一對象物上的第一 對準標記的第二對準感測器。 16·如申請專利範圍第15項所述的對位裝置，其中， 上述第二對準感測器包括邊緣散射光斜方檢測系統或光學 顯微鏡。 17·如申請專利範圍第12項所述的對位裝置，其中， 又具有可調整上述第一參照光罩的高度的高度調整機構。 18·如申請專利範圍第15項所述的對位裝置，其中， 上述第二工作台具有：固定第二對象物的夾盤，及變 位該夾盤的變位機構； 又具有支持上述變位機構的基台； 上述第二對準感測器安裝於上述基台。 19·如申請專利範圍第18項所述的對位裝置，其中， 又具有：與被固定於上述夾盤的第二對象物的相對位 置被拘束，且將光線透過在至少一部分的領域所區劃的標 記支持部，及具有形成於該標記支持部的第二參照標記的 第二參照光罩； -4- 1227918 (5) 上述第二對準感測器，是可同時地檢測上述第二參照 標記與上述第一參照標記，且可同時地檢測被保持在上述 第一工作台的第一對象物的第一對準標記與上述第二參照 標記。 20. —種曝光用光罩，其特徵爲具有： 具有物理式支持力的支持基板； 配置於上述支持基板內，以透過電子束的領域與遮蔽 的領域所構成的轉印圖案部；以及 配置於與上述支持基板內的上述轉印圖案部不同的位 置，而在將光線透過在至少一部的領域所區劃的標記支持 部形成有參照標記的參照標記部。 21. —種曝光用光罩，其特徵爲具有： 具有物理式支持力的支持基板； 配置於上述支持基板內，以透過電子束的領域與遮蔽 的領域所構成的轉印圖案部；以及 配置於與上述支持基板內的上述轉印圖案部不同的位 置的貫通孔。
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