TWI226976B - Lithographic apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Lithographic apparatus, and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI226976B
TWI226976B TW092105783A TW92105783A TWI226976B TW I226976 B TWI226976 B TW I226976B TW 092105783 A TW092105783 A TW 092105783A TW 92105783 A TW92105783 A TW 92105783A TW I226976 B TWI226976 B TW I226976B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mirror
segmented
polyhedron
radiation
segmented mirror
Prior art date
Application number
TW092105783A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200307854A (en
Inventor
Marcel Mathijs Theodo Dierichs
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200307854A publication Critical patent/TW200307854A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI226976B publication Critical patent/TWI226976B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70075Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

1226976 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微影投射裝置,包括: 幸田射系統,其包括用以提供一輻射投射光束的多個反 射光學元件,該等反射光學元件包括一用以在一第二 夕面體反射鏡上產生複數個影像源的第一多面體反射鏡 _ 一支撐結構,用以支撐圖樣化構件,該圖樣化構件的 作用是根據所需的圖樣來圖樣化該投射光束; -一基板檯面,用以固定該基板;及 -一投射系統,用來把被圖樣化的光束投射到該基板的 一目標部分上, 【先前技術】 本文所採用的”圖樣化構件(patterning means),,應廣義地 解項為指可被使用來賦予入射輻射光束一圖樣化截面的裝 置,該圖樣化截面對應於要在基板目標部分内產生之圖樣 ,在本文中也可使用”光閥”一詞。一般而言,該圖樣對應 於目標部分内產生的裝置(諸如積體電路或其他裝置,請參 考下文)中一特別功能層。此種圖樣化構件的範例包括: -光罩。光罩的概念在微影技術領域中是眾所週知的,且 其包括諸如二進位型光罩、交替相移型光罩和衰減相移 型光罩’還有各種混和型光罩。將光罩置入輻射光束内 會造成A?、射到光罩上的輪射根據光罩上的圖樣選擇性地 透射(在透射型光罩的情況下)或反射(在反射型光罩的情 84302-930722.doc 1226976 況下)°在有光罩的情況下,支撐結構一般是光罩檯面, 光罩檯面確保光罩可固定在入射輻射光束内所需的位置 上’且其可在需要時相對於光束移動。 可編程反射鏡陣列。此類裝置的一種範例是具有一黏彈 性控制層和一反射表面的可矩陣定址表面。此種裝置所 根據的基本原理(譬如)是反射表面之被定址區域將入射 光線反射成為繞射光線,而未被定址區域則將入射光線 反射成為未繞射光線。利用適當的濾光鏡,可從反射光 束中濾除該洙繞射光線而僅留下繞射光線;依此方式, 可根據可矩陣定址表面之定址圖樣將光束圖樣化。可編 程反射鏡陣列的一種替代具體實例採用微小反射鏡的矩 陣結構,可藉著加上一適當局部電場或藉著利用壓電致 動構件使母個細1小反射鏡獨立地繞著一軸傾斜。同樣 地,這些反射鏡可矩陣定址以使被定址的反射鏡會將入 射輻射光束往不同於未被定址之反射鏡的方向反射,·依 此方式,可根據可矩陣定址反射鏡的定址圖樣將所反射 之光束圖樣化。可使用適#的電子構件來實現所需的矩 陣定址。在上述的兩種情況下,圖樣化構件都可包括一 或多個可編程反射鏡陣列。本文所指的反射鏡陣列之更 多訊息可從譬如美國專利第5,296,891號和第5,523,職 及PCT專利申請案wo議―则_號知悉, 這些專利與專利中請案以引用的方式併人本文中。在可 編程反射鏡陣列的情況下,链 姐一 月况下言如可依照需要將該支撐結 構貫施成固定或可移動框架或檯面。 84302-930722.doc 1226976 可編程液晶顯示(LCD)陣列。美國專利第5,229,872號提供 此種結構的—種範例,該專利以引用的方式併人本文中 :如上文所述般,在此情況下’譬如可依照需要將該支 撐結構實施成固定或可移動框架或檯面。 為了簡化起見,本發明說明的以下部分可能在某些地方明 確地指向包含光罩與光罩檯面的範例,但是在此情況下討 論的整體原理應被視為上文所述的較廣義圖樣化構件。 譬如於積體電路(1C)的製造過程中可使用微影投射裝置 。在此情況下圖樣化構件可產生一對應於積體電路單層 的電路圖樣,且此圖樣可成像於已塗佈㈣敏感材料(総 )層之基板(矽晶圓)上的目標部分(譬如包括一或多個晶粒) 上。-般而言’單一晶圓會包含整個相鄰目標部分網路, 該等目標部A經由投射系、统被一次一個連續地照射。在現 行裝置中,採用藉I光罩檯面上的光草圖樣化,兩種不同 型式機器間可有差異。在一種微影投射裝置中,每個目標 部分藉著一次將整個光罩圖樣曝光在目標部分上而照射7 此種裝置一般稱為晶圓步進器(wafer stepper)。在一般稱為 步進掃描(step-and-scan)裝置的另一種裝置中,每個目標部 分以既定基準方向(”掃描”方向)在投射光束下漸次掃描光 罩圖樣,同時以與此方向平行或反向平行的方向同步掃描 基板檯面而被照射;因為一般而言,投射系統有一放大因 數Μ(—般<1),基板檯面被掃描之速率v是光罩檯面被掃描 速率的Μ倍。本文所述有關微影裝置的更多資訊可譬如從 第6,046,792號美國專利中蒐尋,該專利以引用的方式併入 84302-930722.doc 1226976 本文申。 在使用d奴射u的製造程序中,—圖樣(譬如在光罩 内)被成像在基板上’該基板至少局部被一輕射敏感材料( 光阻)層覆盖。在此成像步驟之前,可經過各種程序處理來 基板,如印刷、光m塗佈及軟烤(soft bake)。在曝光之後 ’基板可接受諸如曝光後供培(pGst exp_re他,pEB) 、顯影、硬供培及成像特徵測量/檢查等其他處理程序。這 、串5处里耘序被使用當做定出諸如積體電路等裝置單 層圖樣的基廣。然後此種被圖樣化之層可進行諸如姓刻 、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械磨光等各種處 理程序,該等程序全部是用來完成一單獨層所需的。若需 要。f夕層’則須對每個新層重複一遍整個處理程序一或其 變體-。最後會有-系列的裝置呈現在基板(晶圓)上。然後 藉由諸如切割或鑛割等技術將這些裝置彼此分開,接著將 :別1置固定在載體上、連接至接腳等。如需製程的詳細 貢訊,請參閱(例如)MCGraw職Publishingc。,在㈣ 0-07-067250.4 ^ Peter van Zant r 黯㈣叫恤咖咖·· A⑽㈤Guide tG Semi_duct〇r P™ng」第三版,這份文獻以引用方式併人本文中。 為了簡化起見’投射系統在下文中可稱為”透鏡㈣”, 但此名自司應被廣義址紘枝炎A人 ,、我地解項為包含各種不同的投射系統,孽 如包含㈣光學裝置、反射光學裝置、及兼反射和折射光 學糸統寺。轉射照射系統也可包括根據這些設計類型中任 一種設計而操作的元件,用來導引、修整或控制輕射投射 84302-930722.doc 1226976 光束,且此種元件也可在下文中整體或個別稱為,,透鏡,,。 此外,微影裝置的類型可為具有兩個或更多個基板檯面(及 /或兩個或更多個光罩檯面)者。在此種,,多重載台,,裝置中, 可平打使用額外的檯面,或者可在一或多個檯面上實施預 加工步驟而同時使用一或多個其他檯面做曝光。雙載台微 影裝置譬如描述於第5,969,441號美國專利及W0 98/40791 號專利申請案中,該等文件以引用的方式併入本文中。
在微影裝置中,很重要的是讓圖樣化構件的照明在場與 角度方面平均吩佈,對諸如雙極性或四極性照明等照明模 式而曰,所有的極性相等。為達成此目的,照明系統内配 置了整合斋。在使用UV4DUV曝光輻射的微影裝置中,整 合裔的形式可為水晶棒或所謂蠅眼透鏡。蠅眼透鏡是由極 大里較小透鏡以陣列方式建構而成的透鏡,該透鏡在照明 系統的瞳孔平面内產生相對應的大量影像源。這些影像當 做疋虛擬的或間接的影像源。但是當使用Ευν曝光輻射時 ,因為沒有已知的適合材料可為Euv輻射形成折射光學元 件所以知、明系統須由反射鏡構成。在此種照明系統中, 可使用多面體反射鏡構成來提供同等於蠅眼透鏡的功能, 譬如像是美國專利第6,195,201號,美國專利第6,198,793號 及歐洲專利第Α-0 939 341號中所述者,該等專利的内容以 引用的方式併入本文中。這些文件描述第一(或場)多面體反 射鏡’場多面體反射鏡將複數個影像以每個分段鏡面一個 影像的方式聚焦於第二(或瞳孔)多面體反射鏡上,瞳孔多面 體反射鏡將光線導引以適當地填充投射系統的瞳孔。由UV 84302-930722.doc 1226976 與DUV微影技術知道不同種類光罩圖樣之成像可藉著控制 妝明汉疋值而改善,譬如控制投射系統之瞳孔的填充率(一 般稱為σ)或提供諸如環狀、雙極性或四極性照明等特別照 明杈式。# _照明設定值的更多資訊可從區欠洲專利第冬〇 949 541號和歐洲專利第i 1()9㈤號中獲得,該等文件以 引用的方式併入本文中。在具有繩眼整合器的肋乂微影裝 置内可藉著選擇性遮擋某些曈孔分段鏡面而控制這些照 月又疋值仁是,因為在各分段鏡面上的來源位置與大小 不完全精確得如且不穩定,所以必須一次遮擒掉整個分段 鏡面而非遮擋掉局部分段鏡面。所以只可能非常粗才造地控 制照明設定值。而且,為了提供環狀照明設定值,就必須 遮暗最内側的瞳孔分段鏡面,且當定位一遮播葉片於内側 分段鏡面上時,難以避免部分地遮暗一或多個外側分段鏡 面0 【發明内容】 本發明—項目的是提供-種包含反射光學元件照明系统 之微影裝置,該裝置可斜昭明士上 于、尤 了對…、月故疋值提供較佳的控制。 此目的和其他目的根據在【發明所屬之技術領域】中所 迷之本發明之微影裝置内達成,其特徵為: 該微影袭置包括分段鏡面遮擋構件,該分段鏡面遮播構 來選擇性遮擋該第一多面體反射鏡與該第二多面體 反射鏡的一或多固分ρ於 、, 又兄,亚且該分段鏡面遮擋構件包 擇性插入於該投射光束内的至少—局部不透明遮擔 局部不透明遮播葉片具有不透明與透明區域之結 84302-930722.doc 1226976 構’且具有足夠大之間距以促使消略該投射光束的繞射。 藉著使用該局部不透明遮檔葉片以選擇性遮擋一或多個 分段鏡面’來自該分段鏡面之輻射的一部分可被遮擋而不 會在圖樣化構件的照明内形成無法接受的不均勻,而不需 考慮到事貝上热法得知影像源在瞳孔分段鏡面上的確實位 置。依此方式,可在遮擋整個分段鏡面或分段鏡面環與不 遮擋整個分段鏡面或分段鏡面環之間,提供照明的中間設 定值。 間隙根據分段鏡面和被照明範圍之大小而應在從)麵到 5 00 nm的範圍内。 間隙應相對外於影像源,以使被遮擋的輻射比率與來源 位置無關’但間隙應不小到會造成投射光束發生繞射之程 度。較佳的是,對使用EUV當做曝光輻射的裝置而言,該 分段鏡面遮撞構件最好進—步包括用來調整分段鏡面被 遮暗範圍之比率的裝置,譬如包括可選擇性插人於該等投 射光束内的複數個局部不透明葉片。這實現了多重之照明 的中間設定值,從而提供進一步的多功能性。 較佳的是,分段鏡面遮_件配置成#近㈣二(瞳 多面體反射鏡,因為這樣提供圖樣化構件最均勾的照明。 本發明的第二種態樣提供一種在 1 i L七月所屬之技術領域 】中所述的微影裝置,其特徵為: 、$ 該微影裝置包括分段鏡面遮擋構 ^ ^ 用來選擇性地遮擋 該第一多面體反射鏡的一或多個分段鏡面。 因為來自該第一(場)多面體反射鏡之 刀奴鏡面的所有 84302-930722.doc -11- 1226976 輻射都入射到該第二多面體反射鏡的一個分段鏡面上,所 以可藉著如同遮擋瞳孔分段鏡面一樣選擇性遮擋場分段鏡 面來達成等效的照明控制。但一般而言,不打算在此位置 處控制諸如σ等照明設定值,因為這不是瞳孔平面,所以 預期在此位置處做選擇性遮暗會造成圖樣化構件照明内的 不均勻。但是因為場反射鏡與瞳孔反射鏡被鏡面分段,所 以可執行的選擇性遮擋整個場分段鏡面,而不會有無法接 受的非均勻損失。 分段鏡面可激配置以促使場分段鏡面照明不同位置上的 目里孔分段鏡面,譬如靠近場多面體反射鏡周邊處的分段鏡 面會導引輻射定位在瞳孔多面體反射鏡更中央處的分段鏡 面。如此可更簡單地設定環狀照明模式,而不部分遮暗外 側瞳孔分段鏡面,且可設定需要遮擋難以接近的瞳孔分段 鏡面之照明模式。 當然,本發明第二種態樣之分段鏡面遮擋構件可與第— 種恶樣之分段鏡面遮撞構件相同,且這二種態樣可合併以 廷擇性遮擋場分段鏡面及瞳孔分段鏡面。藉此,可達成獨 立控制環狀照明模式之内側與外側半徑範圍0_^與σ。") 〇 根據本發明進一步態樣提供一種裝置製造方法,該方法 包括下列步驟: -k供基板,該基板至少局部被一輻射敏感材料層覆蓋; -使用輻射系統提供輻射投射光束,該輻射系統包括多個 反射光學元件以供應輪射投射光束,該等反射光學元件 S4302-930722.doc -12- 1226976 包括一用以在一第二多面體反射鏡上產生複數個影像源 的第一多面體反射鏡; -使用圖樣化構件,以便將一圖樣賦予投射光束的橫斷面 内; -將被圖樣化之輻射光束投射到該輻射敏感材料層的目標 部分上, 其特徵為: , 該方法藉著選擇性將局部不透明遮擋葉片插人於該投射 光束内,而遠擇性地遮措該第一多φ體反射鏡與該第二多 面體反射鏡之-的-或多個分段鏡面,該局部不透明遮擋 葉片具有透明與不透明區域的結構,且具有足夠大之間距 以促使消略該投射光束的繞射。 雖然本發明說明特別指明使用根據本發明的裝置於製造 龍電路的環境令,但請清楚注意此種裝置有許多其他可 應用。譬如’製造積體光學系統、磁域記憶體的導引及 k測圖樣、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者 會知道在此種替代性應用背景下,任何使用"主光罩 (reticle)”、’’晶圓”或”晶粒"等名詞應被視為分別被,,光罩”' ”基板"與,,目標部分”等更廣義的名詞取代。 在本發明說明中,,,幸畐射,,與”光束,,等名詞被使用以包含所 :重類的電磁輕射,包括紫外線輕射(譬如波長為365,248, 鞋、或 26 nm)與遠备、外線(extreme ultra-violet EUV ’ 曰如波長為5-20nm,尤其是糾、$ 2 土丄、 八疋·^ nm附近)輻射,以及諸如離 子束或電子束等粒子束。 84302-930722.doc -13- 1226976 【實施方式】 具體實例1 圖1概要顯示根據本發明_ 裝置。該裝置包括·· 種特…實例的微影投射 -=^Ex,IL,用來供應輻射(譬如遠紫外線㈣)投射 束 在此特別情況下也包括輻射源LA,· 第-物件檯面(光罩檯面)MT,該檯面配置有光罩固定哭 以固定一光罩MA(譬如主光罩),且連接至第一定位裝置 PM,以將光罩相對於標的項目PL正確地定位; 第二物件檯面(基板檯面)WT,該檯面配置有基板固定器 以固定基板W(譬如有光阻塗層㈣晶圓),且連接至第二 定位衣置PW,以將基板相對於標的項目PL正確地定位;
投射系統(”透鏡”)PL(譬如一群反射鏡),用來將光罩MA 的被照射部分成像於基板w的目標部分c(譬如包括一或 多個晶粒)上。 如本圖所示者,該裝置為反射型者(譬如有反射型光罩)。但 是一般而言,其也可譬如為透射型者(譬如有透射型光罩) 。或者,該裝置也可採用其他種類的圖樣化構件,像是上 文中所引用的那種可編程反射鏡陣列等。 來源LA(譬如為由雷射產生的或放電電漿源)產生照射光 束。此光束直接或在穿過諸如光束擴展器Ex等調整裝置之 後饋送入照明系統(照明器)IL内。照明系統IL可包括調整裝 置AM ’用來設定光束内強度分布的外側及/或内侧徑向幅 度(一般分別稱為外側σ與内側σ )。此外,照明系統IL通常 84302-930722.doc -14- 1226976 還包括各種其他構成元件,像是整合器IN與聚光器C0。依 此方式,照射在光罩MA上的光束PB在其橫斷面内可有期望 的均勻性與強度分布。 在圖1中請注意來源LA可在微影投射裝置的機殼内(譬如 就像是當來源LA是水銀燈的常見情況般),但其也可遠離微 影投射裝置、其產生之照射光束被導引入微影投射裝置内( 譬如藉助於適當的導引反射鏡);此後者景象常見於當來源 LA是準分子雷射的方案。本發明與申請專利範圍包括這兩 種方案。 光束PB接著攔截被固定在光罩檯面MT上的光罩μα。已 經被光罩MA選擇性反射的光束pb穿過透鏡pl,透鏡pl將 光束PB聚焦在基板W的目標部分c上。藉助於第二定位裝置 (及干涉計量測量裝置汀),基板檯面WT可被正確地移動, #如以將不同目標部分C定位在光束pB的路徑内。同樣地 ,可使用第一定位裝置來將光罩M A相對於光束pB的路徑正 確地定位;譬如在將光罩MA從光罩儲存庫做機械取回之後 或在掃描期間。一般而言,物件檯面MT、WT的移動可藉 助長衝程模組(粗定位)與短衝程模組(細定位)實施,該等模 組未清楚地顯示於圖丨中。但是在晶圓步進器(相對於步進 掃描裝置)的情況下,光罩檯面乂了可僅連接至短衝程傳動 器或為固定者。 該圖所示裝置可使用於兩種不同模式下: κ在步進模式下,光罩檯面Μτ維持基本上不動,且整個光 罩影像一次投射(亦即以單一,,閃光”)到目標部分C上。然 84302-930722.doc -15- 1226976 後’基板檯面WT在χ及/或古 a y方向上移動以使不同的標 部分c可被光束1>6照射; Ja铩 2·在掃描模式下,基本上廡 土本上相相同的方案,只是某目標部 分C不是以單一”閃光”曝光。 而疋遽光罩檯面ΜΤ以速率 ^在某方向(所謂,丨掃描方向,,壁 吕如y方向)移動,以使投 射光束PB知描在光罩影像上pi η士 m上冋時,基板檯面W丁以
的速率在相同或相反方向上同時移動,.其㈣是透鏡PL 的放大倍數(一般而言如1/4或1/5)。依此方式可曝光相當 大的目標部 >分C而不必犧牲解析度。 如圖2中所不,照明系統包括具有複數個分段鏡面u的場 多面體反射鏡10,該等分段鏡面從輻射源乙八接收輻射並在 目里孔多面體反射鏡22的對應分段鏡面上形成來源LA的複 數個影像。瞳孔分段鏡面21連同照明系統的其餘部分重新 $引輻射,以促使場多面鏡的影像重疊於圖樣化構件上。 %多面鏡11之形狀大體上界定圖樣化構件上照明場的形狀。 為了控制用來照明光罩的照明設定值而配置了分段鏡面 遮檔構件22-25。分段鏡面遮擋構件22_25包括局部不透明遮 擋葉片22和實心遮檔葉片24,該等葉片分別連接至各自的 致動器23、25,以便可選擇性地且漸增地在瞳孔多面體反 射鏡的個別分段鏡面前方靠攏入投射光束内。因為投射系 統PL之瞳孔内的影像是瞳孔多面體反射鏡2〇的影像(它們 是在共軛平面内),所以若未出現繞射(在光罩處),則選擇 性地遮暗瞳孔分段鏡面21最外側的分段鏡面可控制投射系 統瞳孔被填充之量的比率σ光罩。遮暗最外側分段鏡面可 84302-930722.doc -16- 1226976 降低σ。 分段鏡面遮擋構件22,23 24 γ漁甘ρ & 一 ,24,25與其刼作方法更詳細地 顯示於圖3到7中。雖然在這些圖式中,局部不透明遮播草 片22被顯示為實心’但其可在限制條件下包含儘可能多數 目的孔徑與不透明區域,限生丨 飞限制條件是孔徑與不透明區域的 尺寸與間隔必須比投射井类的、士且 尤釆的波長大,以促使不發生繞射 且符合實際製造考量。不透 社 逍月£域的總面積宜充分足以將 瞳孔分段鏡面反射的㈣減少_狀比率,較佳的是5〇% 。請注意’因為投射光束不是正好垂直入射到瞳孔反射鏡 2〇上’所以若分段鏡面遮擋構件完全與瞳孔反射鏡2〇分隔 開’則局部不透明遮播葉片22的總不透明面積相對於分段 鏡面之-面積的比率會料於投射光束要被吸收之預定分 量比率。 如圖3中所示,瞳孔分段鏡面21是正方形的且配置成行。 所以,局部不透明與實心遮擋葉片22, 24被建構成複數個指 狀物26, 27,每行瞳孔分段鏡面配一個指狀物,該等指狀物 可選擇地且漸增地擴展以覆蓋瞳孔分段鏡面中的各個分段 鏡面。較佳的是,可獨立控制各個指狀物26, 27以獲得照明 設定值的較大彈性,但是在某些情況下,指狀物對組或群 可成套排列在一起。 局部不透明遮擋葉片27譬如可建構成棒、條或線格柵或 在貫心板内以適當圖樣形成孔徑。圖7中顯示以複數個棒29 形成的局部不透明遮擋葉片27。 一般而言’對其他形狀與結構的瞳孔分段鏡面而言,遮 84302-930722.doc -17- 1226976 擋T片22, 24的結構可不同。譬如,對配置成同心環的瞳孔 刀奴鏡面而5,遮擋葉片可為虹狀光圈形式。可調整葉片 的一種替代方案是可能提供複數個葉片—不透明的與局部 不透明的,對應於所需照明設定值且選擇性地將這些葉片 根據需要插入於光束中。此種固定葉片可形成為具有適當 開口舁局邓不透明(開孔徑的)區域之薄板且可固定在要插 入於光束中的底片盒或旋轉架内。 圖3顯示分段鏡面遮擋構件在其空檔位置,遮擋葉片22, 24(指狀物26, 27)都打開且瞳孔分段鏡面21沒有障礙。此設 定值提供最大的σ。為了以最小量減少σ(實際上為半幻 ,局部不透明指狀物26擴展一步以覆蓋最外側環瞳孔分段 鏡面21a,如圖4中所示。實心指狀物27維持完全縮回狀態 且内側瞳孔分段鏡面21b未被覆蓋。為了進一步降低σ,實 心指狀物27擴展一步,完全遮暗最外側環瞳孔分段鏡面 ,如圖5中所示。同樣地,内側瞳孔分段鏡面2ib維持未被 覆蓋。藉著進一步擴展指狀物26, 27可達成進一步降低α, 擴展實心指狀物27以整步降低,而再多一步擴展局部不 透明指狀物26則提供半步降低口。將局部不透明指狀物% 比貫心指狀物27多擴展一步使照明強度分布更平緩的朝向 瞳孔邊緣減少。請注意,為了提供圓形照明模式,最外側 指狀物會移動以遮暗整行的分段鏡面,而中央指狀物則僅 前進一個分段鏡面寬度。當中央指狀物向内再移動另一個 分段鏡面寬度時,次一個最外侧行會被遮暗,依此類推。 其目的是使未被遮暗的分段鏡面區域儘可能接近圓形。 84302-930722.doc -18- 1226976 藉著提供多重具有不同遮擋率的局部不透明遮擋葉片, 就可提供較小的^漸增量。譬如,使用兩個適當對齊的局 部^透明遮播葉片,-個遮播25%的韓射而另—個遮擔5〇% ,就可提供1/4步的漸增量;25%遮擋葉片比實心遮擋葉片 擴展多一步提供1/4步,50%遮擋葉片多擴展一步提供1/2步 ,而二者都多擴展一步提供3/4步。 雖然圖示的組態是旋轉對稱,但此並非一定必要或期望 的。譬如,可藉著僅在一方向上覆蓋分段鏡面而產生橢圓 瞳孔組態,且可藉僅覆蓋適當的分段鏡面而產生多極性組態 〇 在第一種具體實例的一種變體中,使用四組由分段鏡面 遮擋葉片,該四組葉片配置在環繞多面體反射鏡的四個邊 上。這顯示於圖6中且可提供圓形照明模式,而當分段鏡面 配置在正方形格柵上時可有較短的指狀物移動。 具體實例2 圖8與9中顯示本發明的第二種具體實例,下文中省略描 述第二種具體實例相同於第一種具體實例之部份。 如圖8中所示,第二種具體實例有靠近場多面體反射鏡10 的刀4又鏡面遮撞構件12、I]。分段鏡面遮擔構件12,13可 如第一種具體實例般包括局部不透明遮擋葉片與實心遮擋 葉片’或者僅單純包括實心遮擋葉片。將分段鏡面遮擋構 件放在場多面體反射鏡處而不放在瞳孔多面體反射鏡處會 有利’因為場分段鏡面一般在一個方向上大於瞳孔分段鏡 84302-930722.doc -19- 1226976 面’所以有額外的空間提供必要的機制且可較簡單地以較 大尺寸規格建構局部不透明遮擋葉片。但是若場分段鏡面 配置成填充瞳孔分段鏡面而非瞳孔反射鏡内對應位置内的 分段鏡面,則可獲得額外的優點。譬如,最外側場分段鏡 面1 la可配置成填充最内側瞳孔分段鏡面21b,反之亦然, 如圖8中所不。在該情況下,關閉分段鏡面遮擋構件12,13 以遮暗最外側場分段鏡面丨丨a,可將照明從最内侧瞳孔分段 鏡面21 b移除,從而提供環形照明模式。 圖9顯示場多面體反射鏡1〇,其與第一種具體實例中者相 同。場多面體反射鏡10包括複數個場多面鏡u,該等場多 面鏡11為间覓比甚高的長方形且配置成列與行。分段鏡面 遮擋構件12可實施成複數個可選擇性擴張的指狀物,像是 第一種具體實例的瞳孔多面鏡分段鏡面遮擋構件内的指狀 物,或者實施成單純的葉片以便一次遮擋整個場分段鏡面 11區段。 各種瞳孔分段鏡面與場分段鏡面間的對應關係可被選擇 ,以促使場多面體反射鏡10上相鄰場分段鏡面i丨之區域對 應於瞳孔多面體反射鏡20上一組特定瞳孔分段鏡面21。譬 如,場分段鏡面11的區域I可被選擇以對應於瞳孔分段鏡面 21的一環、區域π對應於另一環瞳孔分段鏡面、且區域m 對應於瞳孔分段鏡面21一内側圓形區域。區域11與111可 藉個別的遮擋葉片輕易地被遮擋,從而使能選擇不同的口 值或環形照明,然而要僅遮擋對應的瞳孔分段鏡面就遠較 困難了。可使用場與瞳孔分段鏡面間對應關係的不同結構 84302-930722.doc •20- 1226976 以提供其他的照明槿或,兮 、 諸如又極性與四極性組態及盥上 述組態互補的組態。 一 當然’第一種具體實例的分 、 奴鏡面遮擋構件可與第二種 ,、體貫例的分段鏡面遮擋構件人 y r ,, 千〇併以&供環形照明模式内 側與外側半徑範圍(σ 盥 ^ 的獨立控制能力。 雖然上文中描述本發明的特 明可爾纺…,、 體實例,但請注意本發 述方法不同的其他方法實浐· 砲又3田十a 无只知〇本發明說明的敘 述不疋用來限制本發明的。 【圖式簡單說明】 上文僅藉由範例參考諸概 ,諸圖式中: 口式榣述本發明的具體實例 圖1顯示根據本發明—種具 貝例的械影投射裝置; S 2,4不圖i之裝置的照明系統. 圖3到6顯示本發明第_種具體實舒—70件, 面遮擋構件; 、a彳在各種位置之分段鏡 圖7顯示使用於本發明第—種且 遮擋葉片; 〃體實例中的局部不透明 _ 員示本發明第二種具體實例 元件;且 “、、月系統的某些構成 圖』不本發明第二種具體實夕 在諸圖式中,對應的參考符?” '夕面體反射鏡。 【圖式代表符號說明】”虎表示對應的元件。 EX 光束擴展器 p 投射光束 84302-930722.doc -21 - 1226976 LA 輻射來源 MT 光罩檯面 MA 光罩 PM 第一定位裝置 PL 透鏡 WT 基板檯面 W 基板 PW 第二定位裝置 C 目標部分 IL 照明裝置 AM 調整裝置 IN 整合器 CO 聚光器 IF 干涉計量測量裝置 10 場多面體反射鏡 11 場分段鏡面 20 瞳孔多面體反射鏡 21 瞳孔分段鏡面 22 局部不透明遮擋葉片 24 實心遮擋葉片 23, 25 致動器 26, 27 指狀物 29 棒 21b 内侧瞳孔分段鏡面 84302-930722.doc -22- 1226976 21a 最外側環瞳孔分段鏡面 12, 13 分段鏡面遮擔構件 11a 最外側場分段鏡面 I, II, III 區域 -23 - 84302-930722.doc

Claims (1)

1226976 修正替換本 $年;;月》曰 拾、申請專利範圍: 1 · 一種微影投射裝置,包括: -輻射系統,其包括用以提供一輻射投射光束的多個 反射光學元件’該等反射光學元件包括一用以在一第二 多面體反射鏡上產生複數個影像源的第—多面體反射鏡; 一支撐結構1以支撐圖樣化構件,該圖樣化構件的 作用疋根據所需的圖樣來圖樣化該投射光束; 一基板檯面,用以固定該基板;及 一投射系統,用來把被圖樣化的光束投射到該基板的 一目標部分上, 其特徵為: 該微影投射裝置包括分段鏡面遮擋構件,該分段鏡面 遮擋構件係用來選擇性遮擋該第一多面體反射鏡與該第 二多面體反射鏡之一的一或多個分段鏡面,並且該分段 鏡面遮擔構件包括可選擇性插入於該投射光束内的至少 一局部不透明遮擋葉片,該局部不透明遮擋葉片具有不 透明與透明區域的規則性週期結構,且具有足夠大之間 距以促使消略該投射光束的繞射,並實質上遮擔整個分 段鏡面。 2·如申請專利範圍第1項之裝置,其中該間距相對於該影像 源甚小。 3·如申請專利範圍第2項之裝置,其中該間距在從1 mm到 5 00 nm的範圍内。 4·如申請專利範圍前述諸項中任一項、之裝置’其中該等分 V' ,一..'〆 84302-930722.doc 1226976 段鏡面配置成行且該局部不透明葉片包括複數個局部不 透月扣狀物’该等指狀物可選擇性地沿著個別分段鏡面 線擴張。 汝申明專利範圍第丨,2或3項之裝置,其中該等分段鏡面 遮撞構件配置在靠近第二多面體反射鏡處。 6.如申請專利範圍第丨,2或3項之裝置,其中該分段鏡面遮 擋構件進一步包括實心遮擋裝置,該實心遮檔裝置可選 擇丨生插入於該投射光束内以幾乎完全遮擋該等分段鏡面 中的至少一個分段鏡面。 .如申%專利範圍第1,2或3項之裝置,其中該分段鏡面遮 擋構件進一步包括調整裝置,該調整裝置用來調整被局 部不透明遮擋葉片遮暗之分段鏡面面積的比率。 8·如申請專利範圍第7項之裝置,其中該分段鏡面遮擋構件 有複數個可選擇性插入於該投射光束内的局部不透明遮 擋葉片。 9· 一種微影投射裝置,包括: 一輻射系統,其包括一用以提供一輻射投射光束的多 個反射光學元件,該等反射光學元件包括一用以在一第 二多面體反射鏡上產生複數個影像源的第一多面體反射鏡 一支撐結構,用以支撐圖樣化構件,該圖樣化構件的 作用是根據所需的圖樣來圖樣化該投射光束; 一基板檯面,用以固定該基板;及 一投射系統,用來把被圖樣化的光束投射到該基板的 84302-930722.doc 1226976 一目標部分上, 其特徵為: 該微影投射裝置包括分段鏡面遮擋構件,該分段鏡面 遮擋構件係用來選擇性遮擋該第一多面體反射鏡的一或 多個分段鏡面之全部。 10·如申請專利範圍第9項之裝置,其中該第一多面體反射鏡 的一群相鄰分段鏡面被配置以導引輻射到該第二多面體 反射鏡的一組分段鏡面,該第二多面體反射鏡的該組分 段鏡面被以:一種組態配置,該組態從下列組態群組中選 擇: 實質上呈環形的組態; 多極性組態; 大致呈圓形的組態;及 與上述組態互補的組態。 11·如申請專利範圍第9或10項之裝置,其中接近該第一多面 體反射鏡周邊處的分段鏡面被配置成導引輻射到該第二 多面體反射鏡更中央部分處的分段鏡面。 12 · —種裝置製造方法,包括下列步驟: 提供基板’該基板至少局部被一輻射敏感材料層覆蓋; 使用輻射系統提供輻射投射光束,該輻射系統包括多個 反射光學元件以提供輻射投射光束,該等反射光學元 件包括一用來在一第二多面體反射鏡上產生複數個影 像源之苐一多面體反射鏡; 使用圖樣化構件,以便將一圖樣賦予投射光束的橫斷面内 84302-930722.doc 1226976 將被圖樣化之輻射光束投射到該輻射敏感材料層的目桿 部分上, 其特徵為: 該方法藉著選擇性將至少一局部不透明遮擋葉片插入 於該投射光束内而選擇性地遮擋該第一多面體反射鏡與 a第一夕面體反射鏡之一的一或多個分段鏡面,該局部 不透明遮擋葉片具有透明與不透明區域的規則性週期結 構且/、有:足夠大之間距以促使消略該投射光束的繞射 ,且並κ貝上遮擋整個分段鏡面。 84302-930722.doc -4-
TW092105783A 2002-03-18 2003-03-17 Lithographic apparatus, and device manufacturing method TWI226976B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP02251933 2002-03-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200307854A TW200307854A (en) 2003-12-16
TWI226976B true TWI226976B (en) 2005-01-21

Family

ID=27838136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092105783A TWI226976B (en) 2002-03-18 2003-03-17 Lithographic apparatus, and device manufacturing method

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6771352B2 (zh)
JP (1) JP4099423B2 (zh)
KR (1) KR100576750B1 (zh)
CN (1) CN1273871C (zh)
DE (1) DE60326063D1 (zh)
SG (1) SG121762A1 (zh)
TW (1) TWI226976B (zh)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7333178B2 (en) * 2002-03-18 2008-02-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7170587B2 (en) * 2002-03-18 2007-01-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1649324B1 (en) * 2003-07-30 2011-03-16 Carl Zeiss SMT GmbH An illumination system for microlithography
JP4402656B2 (ja) 2003-09-17 2010-01-20 カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー マスク及びリソグラフィ装置
WO2005040927A2 (en) * 2003-10-18 2005-05-06 Carl Zeiss Smt Ag Device and method for illumination dose adjustments in microlithography
DE10352040A1 (de) * 2003-11-07 2005-07-21 Carl Zeiss Sms Gmbh In Lage, Form und/oder den optischen Eigenschaften veränderbare Blenden-und/oder Filteranordnung für optische Geräte, insbesondere Mikroskope
JP2006134932A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Nikon Corp 可変スリット装置、照明光学装置、露光装置、及び露光方法
US7136214B2 (en) * 2004-11-12 2006-11-14 Asml Holding N.V. Active faceted mirror system for lithography
US7277158B2 (en) * 2004-12-02 2007-10-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004063314A1 (de) 2004-12-23 2006-07-13 Carl Zeiss Smt Ag Filtereinrichtung für die Kompensation einer asymmetrischen Pupillenausleuchtung
JP2008530788A (ja) * 2005-02-12 2008-08-07 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー マイクロリソグラフィ投影露光装置
EP1894063A1 (en) * 2005-06-21 2008-03-05 Carl Zeiss SMT AG A double-facetted illumination system with attenuator elements on the pupil facet mirror
KR20080059625A (ko) * 2005-10-04 2008-06-30 칼 짜이스 에스엠테 아게 리소그래피 장치 및 제어 방법
US7817246B2 (en) * 2006-06-21 2010-10-19 Asml Netherlands B.V. Optical apparatus
DE102006036064A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Projektionsbelichtungsanlage mit Wellenlängen ≦ 193 nm
DE102006059024A1 (de) * 2006-12-14 2008-06-19 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie, Beleuchtungsoptik für eine derartige Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zum Betrieb einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage, Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauteils sowie durch das Verfahren hergestelltes mikrostrukturiertes Bauteil
US7990520B2 (en) 2006-12-18 2011-08-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithography illumination systems, components and methods
US20080257883A1 (en) 2007-04-19 2008-10-23 Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having an inner layer and the outer layer made of the same material and preform for making it
US20080259298A1 (en) * 2007-04-19 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9919841B2 (en) 2007-04-19 2018-03-20 Anheuser-Busch Inbev S.A. Integrally blow-moulded bag-in-container having interface vents opening to the atmosphere at location adjacent to bag's mouth, preform for making it; and processes for producing the preform and bag-in-container
US20080259304A1 (en) * 2007-04-20 2008-10-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US7843549B2 (en) * 2007-05-23 2010-11-30 Asml Holding N.V. Light attenuating filter for correcting field dependent ellipticity and uniformity
JP5077724B2 (ja) * 2007-06-07 2012-11-21 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィツール用の反射照明システム
DE102007041004A1 (de) 2007-08-29 2009-03-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie
DE102007047446A1 (de) * 2007-10-04 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element
NL1036162A1 (nl) * 2007-11-28 2009-06-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
DE102008013229B4 (de) * 2007-12-11 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102008000788A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
KR101656534B1 (ko) 2008-03-20 2016-09-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피용 투영 대물렌즈
NL1036771A1 (nl) * 2008-04-22 2009-10-26 Asml Netherlands Bv Illumination System and Lithographic Method.
DE102008001511A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithografie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102008002749A1 (de) * 2008-06-27 2009-12-31 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für die Mikrolithografie
EP2146248B1 (en) * 2008-07-16 2012-08-29 Carl Zeiss SMT GmbH Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
WO2010032753A1 (ja) * 2008-09-18 2010-03-25 株式会社ニコン 開口絞り、光学系、露光装置及び電子デバイスの製造方法
CN102203675B (zh) * 2008-10-31 2014-02-26 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于euv微光刻的照明光学部件
WO2010099807A1 (de) 2009-03-06 2010-09-10 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik sowie optische systeme für die mikrolithographie
WO2010108516A1 (en) * 2009-03-27 2010-09-30 Carl Zeiss Smt Ag Illumination optical system for euv microlithography and euv attenuator for an illumination optical system of this kind, illumination system and projection exposure installation having an illumination optical system of this kind
JP5070242B2 (ja) * 2009-05-27 2012-11-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー リソグラフィ装置
NL2004770A (nl) * 2009-05-29 2010-11-30 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and method for illumination uniformity correction and uniformity drift compensation.
DE102009045491A1 (de) * 2009-10-08 2010-11-25 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik
US20120262690A1 (en) * 2009-12-29 2012-10-18 Asml Netherlands B.V. Illumination system, lithographic apparatus and illumination method
JPWO2012035843A1 (ja) * 2010-09-13 2014-02-03 株式会社オーク製作所 投影露光装置
DE102010040811A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Abbildende Optik
DE102011005881A1 (de) * 2011-03-22 2012-05-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Einstellung eines Beleuchtungssystems einer Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie
DE102011006003A1 (de) * 2011-03-24 2012-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithografie
NL2008322A (en) * 2011-04-13 2012-10-16 Asml Holding Nv Double euv illumination uniformity correction system and method.
KR101883186B1 (ko) * 2011-05-27 2018-07-31 삼성디스플레이 주식회사 블라인드를 포함하는 노광 장치 및 이의 구동 방법
DE102011085949A1 (de) * 2011-11-08 2013-01-03 Carl Zeiss Smt Gmbh Wärme ableitender und mechanisch stabilisierter Filter
DE102012208064A1 (de) * 2012-05-15 2013-11-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012212664A1 (de) * 2012-07-19 2014-01-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Einstellen eines Beleuchtungssettings
DE102013218131A1 (de) * 2013-09-11 2015-03-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik sowie Beleuchtungssystem für die EUV-Projektionslithographie
DE102014204818A1 (de) * 2014-03-14 2015-09-17 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Bauelement
DE102015210041A1 (de) * 2015-06-01 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102015220144A1 (de) * 2015-10-16 2017-04-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System und Lithographieanlage
CN110914760B (zh) * 2017-05-11 2024-06-18 株式会社尼康 反射系统、极紫外线曝光工具及光刻曝光工具
US11656555B2 (en) * 2019-04-26 2023-05-23 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus and illumination uniformity correction system
CN112198767B (zh) * 2020-10-20 2022-11-08 Tcl华星光电技术有限公司 曝光机

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5339346A (en) 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US5512759A (en) * 1995-06-06 1996-04-30 Sweatt; William C. Condenser for illuminating a ringfield camera with synchrotron emission light
JP4238390B2 (ja) * 1998-02-27 2009-03-18 株式会社ニコン 照明装置、該照明装置を備えた露光装置および該露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法
US6438199B1 (en) * 1998-05-05 2002-08-20 Carl-Zeiss-Stiftung Illumination system particularly for microlithography
DE10053587A1 (de) 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
US6225027B1 (en) 1998-08-06 2001-05-01 Euv Llc Extreme-UV lithography system
US6573978B1 (en) * 1999-01-26 2003-06-03 Mcguire, Jr. James P. EUV condenser with non-imaging optics
US6195201B1 (en) 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
EP1200879B1 (de) * 1999-07-30 2007-06-20 Carl Zeiss SMT AG Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
DE19935568A1 (de) 1999-07-30 2001-02-15 Zeiss Carl Fa Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
EP1109067B1 (en) 1999-12-13 2006-05-24 ASML Netherlands B.V. Illuminator
EP1491959A1 (en) * 2001-09-07 2004-12-29 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR100576750B1 (ko) 2006-05-03
JP2004128449A (ja) 2004-04-22
DE60326063D1 (de) 2009-03-19
CN1273871C (zh) 2006-09-06
JP4099423B2 (ja) 2008-06-11
KR20040002463A (ko) 2004-01-07
CN1445613A (zh) 2003-10-01
SG121762A1 (en) 2006-05-26
US6771352B2 (en) 2004-08-03
US20030227603A1 (en) 2003-12-11
TW200307854A (en) 2003-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI226976B (en) Lithographic apparatus, and device manufacturing method
TW544547B (en) Exposure method and apparatus
US8279405B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7542129B2 (en) Patterning apparatuses and methods for the same
JP4056462B2 (ja) リソグラフィ投影用パラメータを決める方法、そのためのコンピュータシステムおよびコンピュータプログラム、デバイス製造方法並びにそれによって製造したデバイス
EP1870772B1 (en) Lithographic apparatus
JP2014195078A (ja) マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
KR20060074867A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
TW546550B (en) An illuminator for a lithography apparatus, a lithography apparatus comprising such an illuminator, and a manufacturing method employing such a lithography apparatus
TWI242114B (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4171647B2 (ja) プロセス・ラチチュードを改善するために利用した補助形態を除去する方法
TWI233536B (en) Lithography apparatus
JP2004343082A (ja) 凹面および凸面を含む集光器を備えたリトグラフ投影装置
KR100609109B1 (ko) 디바이스 제조방법, 상기 방법에 사용되는 마스크 세트,프로그램가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데이터 세트,마스크 패턴을 생성하는 방법 및 컴퓨터 프로그램
JP4740742B2 (ja) マルチslmマスクレスリソグラフィにおける散乱光を最小化する方法、投影光学系および装置
US8937705B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method with radiation beam inspection using moveable reflecting device
TWI278003B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005340847A (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2006049904A (ja) リソグラフィ用のオフアクシス反射屈折投影光学系
JP4349799B2 (ja) リソグラフ装置およびデバイス製造方法
KR20040090924A (ko) 일루미네이터 제어식 톤 반전 프린팅
KR100585463B1 (ko) 리소그래피장치 및 디바이스제조방법
JP4386861B2 (ja) リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
JP2009065173A (ja) リソグラフ装置及びデバイスの製造方法
JP4791179B2 (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees