TWI225955B - Translucent reflection type photoelectric device, electronic machine and manufacturing method of translucent reflection type photoelectric device - Google Patents

Description

1225955 A 7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於半透過反射型光電裝置，使用此之電子 機器及半透過反射型光電裝置之製造方法。更詳細而言， 即是關於半透過反射型光電裝置之畫素構成者。 【先行技術】 液晶裝置等之光電裝置是被當作各種機器之直視型的 顯示裝置使用。於如此之光電裝置中，例如使用TFT當作 畫素開關用之非線性元件的主動矩陣型之液晶裝置，則如 第16圖及第17圖所示般，挾持有作爲光電物質之液晶50 的TFT陣列基板10及對向基板20中，在TFT陣列基板10 上形成有畫素開關用之 TFT (薄膜電晶體/ Thin Film Transistor ) 30，和由電氣性連接於該TFT30之ITO膜等之 透明導電膜所構成之畫素電極9a。 再者，於液晶裝置中，反射型是在透光性之畫素電極 9a之下層側上，形成有用以將自對向基板20側所射進來的 外光朝向對向基板20予以反射的光反射膜8a，如第1 7圖 及第18圖中箭號LA所示般，依據利用TFT陣列基板1〇 側反射自對向基板20側所射入的光，並且自對向基板20 側所射出的光而顯示畫像（反射模態）。 但是，於反射型之液晶裝置中，當以光反射膜8 a所反 射之光的方向性爲強時，則顯著出現因觀看畫像之角度不 同而使亮度不同等之視角依存性。在此於製造液晶裝置之 時，在層間絕緣膜4或形成於其表面之表面保護膜（無圖 (請先聞讀背面之注意事_ J· 項再填· 裝-- 寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） -5- 1225955 A7 B7 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 示）之表面上，塗布8〇〇nm〜1500nm厚度的如丙儲酸樹脂 等之感光性樹脂後，使用微影成像技術，在光反射膜8a之 下層側中，與光反射膜8a平面性重疊之區域上，藉由以規 定之圖案選擇性殘留感光性樹脂層所構成之凹凸形成層1 3 a ，在光反射膜8a之表面賦予凹凸圖案8g。再者，因在此狀 態下，在凹凸圖案8g上產生凹凸形成層13g之稜邊，故藉 由在凹凸形成層1 3 a之上層上，再塗布形成1層流動性高 的由感光性樹脂層所構成之上層絕緣膜7a，而在光反射膜 8a之表面上賦予無稜邊而圓滑形狀的凹凸圖案8g。 再者，於反射型之液晶裝置中，亦可執行透過模態之 顯示的半透過反射型液晶裝置中，對於光反射膜8a，在與 畫素電極9a平面性重疊之區域上，形成有光透過窗8d。該 光透過窗8d於以往是如例如第1 6圖所示般，在每個畫素 上被形成1個矩形狀，相當於該光透光窗8d之區域，因是 在全面上形成凹凸形成層13a，或完全不形成凹凸形成層 1 3 a，故爲平坦表面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於如此所構成之半透過反射型之液晶裝置中，若在 TFT陣列基板10側配置背光裝置（無圖示），自TFT陣列 基板1 〇側射入自該背光裝置所射出之光，則如第1 8圖之 箭號LB1、LB2所示般，朝向光反射膜8a之光是被光反射 膜8a遮光而無助於顯示，然而如第1 7圖及第1 8圖之箭號 LB0所示般，朝向無形成光反射膜8a之光透過窗之光’是 經由光透過窗8d而透過對向基板20側，有助於顯示（透 過模態）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6- 1225955 A7 B7 五、發明説明（3 ) 【本發明所欲解決之課題】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 但是，於以往之半透過反射型之液晶顯示裝置中，因 藉由光反射膜8a及光透過窗8d之面積，在反射模態中之 顯示光量及透過模態中之顯示光量完全被規定，故當提昇 在一方模態中之顯示亮度時，則犧牲掉另一方中之顯示亮 度，則有無法提昇在雙方之模態中之顯示亮度的問題點。 鑒於上述之問題點，本發明之課題是提供可以在反射 模態及透過模態之任一方中增大顯示光量的半透過反射型 光電裝置，具備此之電子機器及半透過反射型光電裝置之 製造方法。 【用以解決課題之手段】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 爲了解決上述課題，本發明是屬於在保持光電物質之 基板上，具有被形成規定圖案之由第！透光性材料所構成 的凹凸形成層，和被形成在該凹凸形成層之上層側上之由 第2透光性材料所構成的上層絕緣膜，和被形成在該上層 絕緣膜之上層側的光反射膜，和在上述上層絕緣膜之上層 側上而被形成在上述光反射膜之上層或下層的透光性電極 ，並且於上述反射膜上部分性地形成有光透過窗的半透過 反射型光電裝置，其特徵爲：上述光透過窗是多數被形成 在與上述凹凸形成層所形成之多數凸部中之至少一部分的 凸部，或是多數凹部中之至少一部分凹部重疊之位置上， 上述第1透光性材料及上述第2透光性材料，是各具有使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225955 A7 _B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 從上述基板之背面側所射入的光朝向上述光透過窗予以折 射的鏡功能，賦予在上述凹凸形成層和上述上層絕緣膜之 界面的折射率。 再者，本發明是屬於在保持光電物質之基板上，具有 被形成規定圖案之由第1透光性材料所構成的凹凸形成層 ，和被形成在該凹凸形成層之上層側上之由第2透光性材 料所構成的上層絕緣膜，和被形成在該上層絕緣膜之上層 側的光反射膜，和在上述上層絕緣膜之上層側上而被形成 在上述光反射膜之上層或下層的透光性電極，並且於上述 反射膜上部分性地形成有光透過窗的半透過反射型光電裝 置之製造方法，其特徵爲：將上述光透過窗多數形成在與 上述凹凸形成層所形成之多數凸部中之至少一部分的凸部 ，或是多數凹部中之至少一部分凹部重疊之位置上，並且 藉由使用不同折射率之透明材料作爲上述第1透光性材料 及上述第2透光性材料，而使從上述基板之背面側所射入 的光朝向上述光透過窗予以折射的鏡功能，賦予在上述凹 凸形成層和上述上層絕緣膜的界面上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於適用本發明之半透過反射型光電裝置中，因形成有 光反射膜，故可以執行以反射模態的顯示，並且因在光反 射膜上部分性地形成光透過窗，故亦可以執行以透過模態 的顯示。在此，於光反射膜之下層側上，以第1透光性材 料形成有用以在其表面賦予凹凸圖案的凹凸形成層，於該 凹凸形成層之上層形成有由第2透光性材料所構成之上層 絕緣膜。在此，於本發明中，使用折射率不同者當作該些2 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 1225955 A7 B7 五、發明説明（5 ) 個透光性材料，並且藉由在與構成凹凸形成層之凸部或凹 部重疊之位置上形成光透過窗，而使從上述基板之背面側 所射入的光朝向上述光透過窗予以折射的鏡功能，賦予在 上述凹凸形成層和上述上層絕緣膜的界面上。因此，自基 板之背面側所射入之光中，原本以往因朝向光反射膜而無 助於透過模態之顯示的光，也成爲其一部分穿過光透過窗 而有助於顯示。因此，因即使不擴大光透過窗之面積，亦 可增大透過模態中之顯示光量，故不會犧牲反射模態中之 顯示亮度，可以提昇透過模態中之顯示亮度。 於本發明中，上述光透過窗有被形成在與上述多數凸 部中之至少一部分凸部重疊之位置上的情形，於此時，針 對上述凸部形成是具有略圓形而向上方鼓起的凸透鏡形狀 ，並且，使用比上述第2透光性材料折射率大的透光性材 料作爲上述第1透光性材料。 於本發明中，將上述多數凸部形成具有略圓形而向上 方鼓起的凸透鏡形狀，是使用作爲上述第1透光性材料之 透光性的感光性樹脂，以規定圖案形成上述凹凸形成後， 加熱該感光性樹脂並予以溶解。 再者，上述光透過窗有被形成在與上述多數凹部中之 至少一部分凹部重疊之位置上的情形，於此時，上述凹部 是具有略圓形而向下方凹陷的凹透鏡形狀，並且若使用具 有比上述第2透光性材料折射率小的透光性材料即可。 於本發明中’將上述多數凹部形成具有略圓形而向下 方凹陷的凹透鏡形狀，是使用作爲上述第1透光性材料之 本紙適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 1225955 A7 B7 五、發明説明（6 ) 透光性的感光性樹脂，以規定圖案形成上述凹凸形成後， 加熱該感光性樹脂並予以溶解。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於本發明中，作爲上述第1透光性材料及上述第2透 光性材料是可以使用透光性之感光性樹脂。 於本發明中，上述透光性電極是被形成在上述光反射 膜之上層爲最佳。當形成如此之構成時，以僅相同之透光 性材料形成對向基板之對向電極和透明畫素電極，則可以 防.止光電物質分極配向。 於本發明中，上述光電物質是例如爲液晶。 再者，本發明之半透過反射型光電裝置，是屬於在保 持光電物質之基板上，具有被形成規定圖案之由第1透光 性材料所構成的凹凸形成層，和被形成在該凹凸形成層之 上層側上之由第2透光性材料所構成的上層絕緣膜，和被 形成在該上層絕緣膜之上層側的光反射膜，和在上述上層 絕緣膜之上層側上而被形成在上述光反射膜之上層或下層 的透光性電極，並且於上述光反射膜上部分性地形成有光 透過窗的半透過反射型光電裝置，其特徵爲： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述光透過窗是多數被形成在與上述凹凸形成層所形 成之多數凸部中之至少一部分的凸部，或是多數凹部中之 至少一部分凹部重疊之位置上， 上述第1透光材料及上述第2透光材料具有各自不同 的折射率。因此，依據任意選擇該折射率，則可任意控制 自基板之背面側所射入之光中，原本以往因朝向光反射膜 而無助於透過模態顯示之光的折射角，故成爲一部分穿過 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -10- 1225955 A7 _B7 五、發明説明（7 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 光透過窗而有助於顯示。因此，因即使不擴大光透過窗之 面積，亦可增大透過模態中之顯示光量，故不會犧牲反射 模態中之顯示亮度，可以提昇透過模態中之顯示亮度。 適用本發明的光電裝置，是可以當作如攜帶型電腦或 行動電話等之電子機器的顯示裝置使用。 【發明之實施形態】 參照圖面，說明本發明之實施形態。 (光電裝置之基本構成） 第1圖是自對向基板側觀看適用本發明之光電裝置的 各構成要素之時的平面圖，第2圖是第1圖H-H’剖面圖。 第3圖是光電裝置之畫像顯示區域中，被形成矩陣狀之多 數畫素之各種元件、配線等之等效電路圖。並且，於本形 態之說明所使用之各圖中，爲了使各層或各構件可在圖面 上成爲可辨識左右之大小，故層或各構件之縮尺有所不同 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於第1圖極第2圖中，本形態之光電裝置100是在藉 由密封材料52所貼合之TFT陣列基板10和對向基板20之 間’挾持作爲光電物質之液晶50，在密封材料52之形成區 域之內側領域上，形成有由遮光性材料所構成之週邊離型 53。於密封材料52之外側區域上，沿著TFT陣列基板10 之一邊形成有資料線驅動電路1 0 1極安裝端子1 02，沿著鄰 接於該一邊的2邊形成有掃描線驅動電路1 04。於TF T陣 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 11 - 1225955 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 列基板1 〇之所剩餘的一邊上，設置有用以連接被設置在畫 像顯示區域之兩側上的掃描線驅動電路1 〇4之間的多數配 線105，並且利用週邊離型53之下方等，也設置有預充電 電路或檢查電路。再者，於對向基板20之偶角部之至少1 處，形成有用以取得TFT陣列基板1 0和對向基板2 0之間 電氣性導通的上下導通材料1 06。再者，資料線驅動電路 101極掃描線驅動電路104等是即使與密封材料52重疊亦 可，即使被形成在密封材料52之內側區域上亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 並且，例如即使經由異方性導電膜將安裝有驅動用LSI 之TAB (捲帶自動接合）基板，電氣性及機機械性連接於 被形成在TFT陣列基板1 0之週邊部的端子群，來取代將資 料線驅動電路1〇1及掃描線驅動電路1〇4形成在TFT陣列 基板10之上亦可。並且，於光電裝置1〇〇中，配合所使用 之液晶50種類，即是TN (扭轉向列）模態、STN (超扭轉 向列）模態等之動作模態或正常白色模態/正常黑色模態 之不同，而在規定方向上配置偏光薄膜、相位薄膜、偏光 板等，但是在此省略圖示。再者，於將光電裝置100當作 彩色顯示用之構成時，在對向基板20中，與TFT陣列基板 10之各晝素電極（後述）相向之區域上’形成有RGB彩色 濾光片及其保護膜。 於具有如此之構造的光電裝置1 〇〇之畫面顯示區域中 ，如第3圖所示般，多數畫素l〇〇a被構成矩陣狀，並且於 該些各晝素100a上，形成有畫素電極9a ’及用以驅動該畫 素電極9a之畫素開關用之TFT30，供給畫素訊號SI、S2、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 1225955 A7 _ ___ B7 五、發明説明（9 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) …、Sn之資料線6a是被電氣性連接於該TFT30之源極上 。被寫入至資料線6a之晝素訊號si、S2、…、Sn即使依 此順序線順序地予以供給亦可，並且對於相鄰接之多數資 料線6a彼此，即使供給至每群亦可。再者，掃描線3a是 被電氣性連接於TFT3〇之閘極上，被構成以規定之時機依 照掃描訊號Gl、G2、…、Gm之順序以線順序面衝性地施 加至掃描線3a上。畫素電極9a是被電氣性連接於TFT30 之汲極上’藉由使爲開關元件之TFT30僅在一定期間成爲 ON狀態’而已規定時間寫入由資料線6a所供給之畫素訊 號S1、S2.....Sn。如此一來，經由畫素電極9a而被寫入 至液晶之規定電平的畫素訊號S 1、S 2.....S η，則在第2 圖所示之對向基板20之對向電極2 1之間被一定期間保持 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此，液晶5 0是藉由所施加之電壓電平而變化分子集 合之配向或秩序，藉此可調製光，執行灰階顯示。若爲正 常白色模態時，因應所施加之電壓，射入光通過該液晶50 之部分的光量則下降，若爲正常黑色模態時，因應所施加 之電壓，射入光通過該液晶50之部分的光量則增大。其結 果，以整體而言，自光電裝置100射出持有因應畫素訊號 SI、S2、…Sn之對比度的光。 並且，爲了防止所保持之畫素訊號SI、S2.....Sn洩 漏，則與形成在畫素電極9a和對向電極之間的液晶電容並 列附加存儲電容60。例如，畫素電極9a之電壓是以僅比施 加源極電極之時間長3位數時間被存儲電容60保持。依此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 1225955 A7 B7 五、發明説明（10) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，電荷之保持特性被改善，可以實現對比度高之光電裝置 100。並且，作爲形成存儲電容60之方法是如第3圖所示 般，即使爲形成於用以形成存儲電容60之配線的電容線3b 之間的情形，或形成於與前段之掃描線3 a之間的情形亦可 (TFT陣列基板之構成） 第4圖是本形態之電氣光學裝置所使用之TFT陣列基 板之相鄰接的複數之畫素群的平面圖。第5圖在相當於第4 圖之A-A’線的位置上切斷光電裝置之晝素一部分時的截面 圖。 於第4圖中，在TFT基板10上，矩陣狀地形成由多數 透明之IT Ο ( Indium Tin Oxide)膜所構成之畫素電極9a， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 對於該些各畫素電極9a各連接著畫素開關用之TFT30。再 者，沿著畫素電極9a之縱橫境界，形成有資料線6a、掃描 線3a極電容線3b，TFT30是連接於資料線6a及掃描線3a 上。即是，資料線6a是經由觸孔而電氣性連接於TFT30之 高濃度源極區域1 d上，掃描線3 a其突出部分是構成 TFT3〇的閘極電極。並且，存儲電容60是成爲將用以形成 畫素開關用之TFT30的半導體膜1之延設部分If予以導電 化者當作下電極，並在該下電極41上重疊容量線3b當作 上電極的構造。 如此所構成之畫素區域之A-A’線中之截面是如第5圖 所示般，在作爲TFT基板10之基體的透明基板1〇,之表面 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14 - 1225955 A 7 B7 五、發明説明（11) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上，形成由厚度300nm〜500nm之矽氧化膜（絕緣膜）所 構成之基底保護膜11，於該基底保護膜11之表面上，形成 有厚度約爲50〜150nm之矽氧化膜所構成之匣極絕緣膜2 ，於該聞極絕緣膜2之表面上，形成有厚度3〇〇nm〜800nm 之掃描線3 a。於半導體膜1 a中，經由閘極絕緣膜2而對掃 描線3a對峙的區域則成爲通道區域la’。相對於該通道區 域la’在一方側上，則形成具有低濃度區域lb及高濃度源 極區域Id的源極區域，於另一方側上，則形成有低濃度汲 極區域1 c及高濃度汲極區域1 e的汲極區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於晝素開關用之TFT30之表面側上，形成有厚度爲 3 0 0 n m〜8 0 0 n m之砂氧化膜所構成之層間絕緣膜4，於該層 間絕緣膜4之表面上，形成有由厚度100nm〜300nm之石夕 氮化膜所構成之表面保護膜（無圖示）。於層間絕緣膜4 之表面上，形成有厚度300nm〜800nm之資料線6a，該資 料線6a是經由形成在層間絕緣膜4之觸孔而電氣性連接於 高濃度源極區域1 d。於層間絕緣膜4之表面上，形成有與 資料線6a同時形成之汲極電極6b，該汲極電極6b是經由 被形成在層間絕緣膜4之觸孔而電氣性連接於高濃度汲極 區域1 e上。 於層間絕緣膜4之上層上，以規定之圖案形成由第1 感光性樹脂所構成之凹凸形成層1 3 a，於該凹凸形成層1 3 a 之表面上，形成有由第2感光性樹脂所構成之上層絕緣膜 7a，再者，上層絕緣膜7a之表面上形成有由鋁膜等所構成 之光反射膜8a。因此，於光反射膜8a之表面上，凹凸形成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 1225955 A7 ___ B7___ 五、發明説明（12) 層1 3 a之凹凸經由上層絕緣膜7a而被反映形成凹凸圖案8g 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於光反射膜8a之上層上形成有由ITO膜所構成之畫素 電極9a。晝素電極9a是直接被疊層在光反射膜8a之表面 ，畫素電極9a和光反射膜8a是電氣性被連接。再者，畫 素電極9a是經由形成在感光性樹脂層7a及層間絕緣膜4 之觸孔而被電氣性連接。 於畫素電極9a之表面側上形成有由聚醯亞胺所構成之 配向膜1 2。該配向膜1 2是對聚醯亞胺施有拋光處理的膜。 並且，對於自高濃度汲極區域1 e所延設部分1 f (下電 極），是依據經由與閘極絕緣膜2同時形成之絕緣膜（介 電體膜），電容線3b作爲上電極而予以對向，來構成存儲 電容60。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 並且，TFT30最佳是持有如上述般之LDD構造，但是 即使具有部執行注入雜質離子於相當於低濃度源極區域1 b 及低濃度汲極區域1 c的區域的補償構造亦可。再者， TFTSO即使爲將閘極電極（掃描線3a之一部分0當作掩模 而已高濃度注入雜質離子，自己整合地形成高濃度之源極 及汲極區域的自調整型的TFT亦可。 再者，於本形態中，雖然作爲僅將1個TFT30之閘極 電極（掃描線3a )配置在源極-汲極區域之間的單閘構造， 但是即使在該些之間配置2個以上之閘極電極亦可。此時 ’於各個閘極電極上，則被施加相同之訊號。如此若構成 雙閘或三閘以上之TFT30，則可以防止通道和源極-汲極區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 1225955 A7 B7 五、發明説明（13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 域之接合部的洩漏電流’可以降低0FF時之電流。若將該 些之聞極電極之至少1個構成L D D搆造或補償構造’更可 以降低OFF電流，可取得安定之開關元件。 (凹凸圖案之構成） 第6圖是表示放大第5圖所示之光電裝置中，形成於 TFT陣列基板之凹凸圖案及光透過窗之周圍的說明圖。 如此所構成之TFT陣列基板1 〇中，在光反射膜8 a之 表面上形成有凸部8b及凹部8c的凹凸圖案8g，於本形態 中，如第4圖所示般，當作凸部8b及構成此之凹凸形成層 13a爲具有圓形之平面形狀者而予以表示。但是，針對凸部 8b及凹凸形成層1 3 a之平面形狀，不限於圓形，可採用橢 圓形或六角形或角形等之多角形的各種形狀。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 構成如此之凹凸圖案8g，是在本形態之TFT陣列基板 1 〇中，如第5圖所示般，在光反射膜8a之下層側中，相當 於凹凸圖案8g之凸部8b之區域上，以規定圖案選擇性殘 留有由透光性之第1感光性樹脂（第1透光性材料）所構 成之凹凸形成層13a，在形成於其上層側之光反射膜8a之 表面上附有凹凸圖案。於本形態中，凹凸形成層13 a是具 有略圓形而向上鼓起的凸透鏡形狀。 再者，於本形態中，藉由在凹凸形成層1 3 a之上層再 塗布形成由流動性高之透光性的第2感光性樹脂（第2透 光性材料）所構成之上層絕緣膜7a，而在光反射膜8a之表 面上賦予圓滑形狀之凹凸圖案8g。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 1225955 A7 B7 五、發明説明（14) 在此，將構成凹凸形成層1 3 a之第1感性樹脂之折射 率樹脂之折射率Μ，和構成上層絕緣膜7a之第2感光性樹 脂之折射率n2設爲不同之値。因此，自外部所射入之光是 成爲在凹凸形成層1 3 a和上層絕緣層7a之界面中不直線前 進，而在任一方向上其前進路徑被彎曲。 (第1實施形態） 首先，構成凹凸形成層1 3 a之第1感光性樹脂之折射 率，是針對比構成上層絕緣膜7a之第2感光性樹脂的折 射率η2大之時的實施例予以說明。於本形態中，凹凸形成 層1 3 a是具有略圓形而向上方鼓起的凸透鏡形狀。因此， 凹凸形成層1 3 a和上層絕緣膜7a之界面是當作聚光透鏡而 發揮功能。 並且，於本形態中，在光反射膜8a之與畫素電極9a 平面性重疊之區域上，對於凹凸圖案8g之多數凸部8b (形 成較厚凹凸形成層13a之區域）中，與一部分凸部8b之中 央部分重疊之區域，形成有由比凹凸形成層13a稍微小之 開口所構成之圓形光透過窗8d。因此，在相當於光透過窗 8d之部分上，雖然存在由ITO所構成之畫素電極9a，但不 存在光反射膜8a。 (對向基板之構成） 於第5圖中，在對向基板20中，與在TFT陣列基板 1 〇所形成之畫素電極9a之縱橫境界區域相向的區域上，形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 鲁批衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 1225955 A7 B7 五、發明説明（15) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 成有被稱爲黑色矩陣或黑色條紋等的遮光膜23,於其上層 側上形成有由ITO膜所構成之對向電極2 1。再者，於對向 電極2 1之上層側上，形成有由聚醯亞胺所構成之配向膜22 ，該配向膜22是對聚醯亞胺施予拋光處理的膜。 (本形態之作用及效果） 如此所構成之半透過反射型之光電裝置1〇〇中，因在 畫素電極9a之下層側上形成有光反射膜8a，故如第5圖之 箭號LA所示般，由TFT陣列基板10側反射自對向基板20 側所射入的光，並藉由自對向基板20側所射出之光而顯示 畫像（反射模態）。 再者，自被配置在TFT陣列基板1 0之背面側上的背光 裝置（無圖示）所射出之光中，朝向不形成有光反射膜8a 之光透過窗8d的光，是如箭號LB0所示般，經由光透過窗 8d而透過對向基板20側，有助於顯示（透過模態）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，於本形態中，於光反射膜8a之下層上，以折射 率爲之第1感光性樹脂形成有用以在其表面賦予凹凸圖 案的凹凸形成層13a，在該凹凸形成層13a之上層上，形成 有由折射率爲之第2感光性樹脂所構成之上 層絕緣膜7a，並且於與凹凸圖案8g之凸部8b重疊之位置 上，形成有光透過窗8d。因此，凹凸形成層13a和上層絕 緣膜7a之界面是具備有將自TFT陣列基板10之背面側所 射入之光朝向光透過窗8d而予以折射的透鏡功能。 因此，自TFT陣列基板1 0之背面側所射入之光中，原 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - 1225955 A7 B7 五、發明説明（16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本以往因朝向光反射膜8a而無助於透過模態之顯示的光， 也如第6圖之箭號LB1、LB2所示般，穿過光透過窗8d而 有助於顯示。 因此，即使使光透過窗8d之面積過大，因亦可使透過 模態中之顯示光量增大，故不會犧牲於反射膜態中的顯示 亮度，可提昇透過模態中之顯示亮度。 (TFT之製造方法） 參照第7圖至第11圖說明如此構成之光電裝置1〇〇之 製造工程中的TFT陣列基板之製造工程。第7圖、第8圖 、第9圖、第10圖及第11圖任一者皆表示本形態之TFT 陣列基板1 〇之製造方的工程截面圖，如任一之圖中，皆相 當於第4圖之A-A’線的截面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先，如第7圖（A)所示般，準備藉由超音波洗淨等 而潔淨化的玻璃製等之基板10’後，在基板溫度爲150°C〜 45 0°C之溫度條件下，藉由電漿CVD法，在基板10’之全面 上形成由厚度爲300nm〜500nm之砂氧化膜所構成之基底 保護膜1 1。此時作爲原料玻璃，可以使用例如甲矽烷和笑 氣的混合氣體或TEOS和氧氣，或者乙矽烷和氨。 接著，在基底保護膜11之表面上形成導狀之半導體膜 la (主動層）。這是在基板溫度爲150 °C〜450 °C之溫度條 件下，在基板10’之全面上，藉由電漿CVD法形成30nm〜 lOOnm厚度之由非晶矽膜所構成之半導體膜對半導體膜照 射雷射光而施予雷射退火，並使非晶質之半導體膜一度溶 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1225955 A7 B7 五、發明説明（17) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 解後，經冷卻硬化過程而予以結晶化。於此時，對各區域 照射雷射光之時間是非常短時間，並且，因照射區域相對 於基板全體也爲局部，故無法使基板全體同時達到高溫。 因此，即使使用玻璃基板等當作基板10’也不會因熱而產生 變形或破裂。接著，使用微影成像技術在半導體膜之表面 上形成光阻掩模，依據經由該光阻掩模而鈾刻半導體膜， 形成島狀之半導體膜la。並且，作爲形成半導體la之時的 原料氣體，是可以使用例如甲矽烷或乙矽烷。上述結晶化 即使利用固相生長法或是使用閃光燈或鎢絲燈的RTA ( Rapid Thermal Anneal)法等來執行亦可。再者，即使於形 成上述非晶半導體膜之後，圖案製作成島狀，再以上述之 方法使島狀之非晶半導體膜予以結晶化亦可。 接著，如第7圖（B)所示般，在3 5 0°C以下之溫度條 件下，於基板10’之全面上形成由厚度爲50nm〜150nm之 由矽氧化膜所成之閘極絕緣膜2。此時之原料氣體是可以使 用例如TEO S和氧氣體的混合氣體。在此，所形成之閘極 絕緣膜2即使爲矽氮化膜來取代矽氧化膜亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，雖然省略圖示，但是經由規定之光阻掩模將雜 質離子注入半導體la之延設部分If，而在與電容線3b之 間形成用以構成存儲電容60的下電極。 接著，如第7圖（C )所示般形成掃描線3 a (閘極電極 )及電容線3b。這是藉由濺鍍法再基板1〇’之全面上形成 3 00nm〜8 00nm厚度之由鋁膜、钽膜、鉬膜或以該些金屬中 之任一者爲主要成分的合金膜所構成之導電膜後，使用微 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -21 - 1225955 A7 B7 五、發明説明（18) 影成像技術形成光阻掩模，並經由光阻掩模而鈾刻導電膜 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在晝素TFT部及驅動電路之N通道TFT部（無 圖示）之側上，將掃描線3 a (閘極電極）當作掩模，以大 約0.1xl013/cm2〜大約l〇xi〇13/cm2的摻雜量注入低濃 度之雜質離子（磷離子），相對於掃描線3 a自己整合地形 成低濃度源極區域1 b及低濃度汲極區域1 c。在此，因爲於 掃描線3 a之正下方，故不導入雜質離子之部分則成爲半導 體膜la之通道區域la’。 接著，如第7圖（D)所示般，形成比掃描線3 a (閘 極電極）寬度大的光阻掩模5 5 5，以大約〇. ΐχ 1〇15/ cm2〜 大約l〇X 10 15/cm2的摻雜量注入高濃度之雜質離子（磷離 子），而形成高濃度源極區域1 d及汲極區域1 e。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即使不執行低濃度之雜質注入而在形成比閘極電極寬 度還寬之光阻掩模的狀態下，注入高濃度之雜質（磷離子 )，形成補償構造之源極區域及汲極區域，來取代該些之 雜質導入工程亦可。再者，即使使掃描線3 a成爲掩模注入 高濃度之雜質，形成自調整構造之源極區域及汲極當然亦 可° 並且，雖然省略圖示，但是藉由如此之工程，形成周 圍驅動電路部之N通道TFT部。再者，於形成周圍驅動電 路之P通道TFT部之時，以光阻被覆保護畫素部及n通道 TFT部，藉由將聞極電極當作掩模，以大約〇.ix i〇i5/cm2 〜大約10x 1015/cm2的摻雜量注入硼離子，自己整合性地 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1225955 A7 _B7 五、發明説明（19) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 形成P通道之源極、汲極區域。此時，與形成N通道TFT 部時相同，將閘極電極當作掩模，以約0.1 X 1〇 13/cm2〜大 約1 Ox 1013/ cm2的摻雜量注入導入低濃度（硼離子），於 聚矽膜上形成低濃度區域後，形成比閘極電極寬度還寬之 掩模而以大約0.1xl015/cm2〜大約10xl015/cm2的摻雜 量注入高濃度之雜質（硼離子），即使形成LDD構造（ Lightly Doped Drain構造）之源極區域及汲極區域亦可。 再者，即使不執行低濃度之雜質注入，而在形成比閘極電 極寬度還寬的掩模之狀態下，注入高濃度雜質（磷離子） ，形成補償構造之源極區域及汲極區域亦可。依據該些離 子注入工程，可成爲CMOS化，可內藏於周圍驅動電路之 相同基板內。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，如第8圖（E )所示般，在掃描線3 a之表面側 上依據CVD法等形成由厚度3 00nm〜800nm之矽氧化膜所 構成之層間絕緣膜4後，使用微影成像技術形成光阻掩模 ，並經由該光阻掩模蝕刻層間絕緣膜4而形成觸孔。形成 層間絕緣膜4時之原料氣體是可以使用例如TEOS和氧氣 的混合氣體。 接著，如第8圖（F )所示般，在層間絕緣膜4之表面 側上形成資料線6a及汲極電極6b。這是以濺鍍法形成 300nm〜800nm厚度的由錫膜、鉬膜、鉬膜或以該些金屬中 之任一者爲主要成分的合金膜所構成之導電膜後，使用微 影成像技術形成光阻掩模，並經由光阻掩模而蝕刻導電膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210 X297公釐） -23- 1225955 A7 _B7 五、發明説明（20) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，如第8圖（G)所示般，在資料線6a及汲極電 極6b之表面側或是其表面上形成表面保護膜之後，使用旋 轉塗層法等，塗布正型之第1感光性樹脂。 接著，如第9圖（Η )所示般，經由曝光掩模2〇0曝光 第1感光性樹脂13。在此，於曝光掩模200中，相當於參 照第5圖所說明之凹凸圖案8g之凹部8c的區域成爲透光 部 2 10 ° 接著，如第9圖（I )所示般，對第1感光性樹脂施予 顯像，除去第1感光性樹脂13中之被曝光的部分。其結果 ，第1感光性樹脂13是殘留相當於凹凸圖案8g之凸部8b 的區域。 如此一來，於顯像後，對第1感光性樹脂1 3施予加熱 處理，而使第1感光性樹脂13予以溶解。其結果，如第9 圖（J )所示般，第1感光性樹脂13是成爲持有略圓形而 向上方鼓起之感光性樹脂層13a。並且，凹凸形成層13a因 也被殘留在TFT30之形成區域，故於凹凸形成層13a上形 成用以電氣性連接畫素電極9a和汲極電極6b的觸孔。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，如第1 〇圖（K )所示般，形成由第2感光性樹 脂所構成之上層絕緣膜7a。此時，於上層絕緣膜7a上形成 用以電氣性連接畫素第9a和汲極電極6b之觸孔。 接著，如第1 〇圖（L )所示般，在上層絕緣膜7a之表 面上矽成鋁等之金屬膜8後，於其表面上，使用微影成像 技術，形成光阻掩模5 5 6，並經由該光阻掩模5 56而圖案製 作金屬膜8，如第10圖（Μ )所示般，形成光反射膜8a。 本纳Γ張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " -24- 1225955 A7 __B7_ 五、發明説明（21) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此時，在重疊於殘留有凹凸形成層13a之多數凸部中之一 部分凸部的區域上，形成光透過窗8d。如此一來所形成之 光反射膜8 a中，下層側之凹凸形成層1 3 a之表面形狀因經 由上層絕緣膜7a而被反映出，故於光反射膜8a之表面上 ，形成無稜邊，圓滑之凹凸圖案8a。 接著，如第1 1圖（N )所示般，以濺鍍法在光反射膜 8a之表面側上形成厚度爲40nm〜200nm之ITO膜9後，使 用微影成像技術形成光阻掩模55 7，並經由該光阻掩模557 對ITO膜執行蝕刻，如第1 1圖（0 )所示般’形成畫素電 極9 a 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，如第5圖所示般，在畫素電極9a之表面側上形 成聚醯亞胺膜（配向膜）。這是凸版印刷（flexo printing )使5〜1 0重量％之聚醯亞胺或聚醯胺酸溶解於丁基溶纖劑 或n-甲基吡咯烷酮等之溶媒的聚醯亞胺漆後，予以加入並 硬化（燒結）。然後，以由人造絲系纖維所構成之拋光布 在一定方向擦拭形成有聚醯亞胺膜的基板，使聚醯亞胺分 子在表面附近配列成一定方向。其結果藉由之後所充塡之 液晶分子和聚醯亞胺分子的相互作用，使得液晶分子配列 成一定方向。 (第2實施形態） 並且，於上述形態中，於上述形態中，雖然在與凹凸 圖案8g之凸部8b重疊之位置上形成光透過窗8d’並且以 折射率爲ηι之第1感光性樹脂形成凹凸形成層1 3a ’並於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -25- 1225955 A7 B7 五、發明説明（22) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該凹凸形成層13a之上層，形成由折射率爲η2(ηι>η2) 之第2感光性樹脂）所構成之上層絕緣膜7a，但是如第12 圖所示般，即使爲在與凹凸圖案8g之凹部8c重疊之位置 上形成光透過窗8d，並以折射率爲ηι之第1感光性樹脂形 成凹凸形成層13a，於該凹凸形成層l〗a之上層上，形成由 折射率爲ri2 ( ni > n2 )之第2感光性樹脂）所構成之上層 絕緣膜7a的構成亦可。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於如此所構成之時，凹凸形成層13a與上層絕緣膜7a 之界面是成爲具有使自TFT陣列基板1 0之背面側所射入之 光朝向光透過窗8d而予以折射的透鏡功能。因此，自TFT 陣列基板1 〇之背面側所射入之光中，原本以往因朝向光反 射膜8a而不助於透過模態之顯示的光也如第12圖之箭號 LB1所示般，穿過光透過窗8d而有助於顯示。因此，因即 使不擴大光透過窗之面積，亦可增大透過模態中之顯示光 量，故不會犧牲反射模態中之顯示亮度，可以提昇透過模 態中之顯示亮度。並且，其他之構成因與上述之實施形態 相同，故對於具有相同功能之部分賦予相同符號’如第1 2 圖所示般，省略該些說明。 再者，於上述形態中，雖然說明使用TFT作爲畫素開 關用之主動元件的例，但是使用 MIM ( Metal Insulator Metal)元件等之薄膜二極體（TFD元件/Thin Film Diode 元件）之時也相同。 (光電裝置對電子機器之適用） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 1225955 A7 _B7_ 五、發明説明（23) 如此所構成之半透過反射型之光電裝置100雖然可以 作爲各種電子機器之顯示部予以使用，但是參照第1 3圖、 第14圖及第15圖予以說明其一例。 第13圖是表示將本發明所涉及之光電裝置當作顯示裝 置使用的電子機器之電路構成的方塊圖。 於第1 3圖中，電子機器是具有顯示資訊輸出源70、顯 示資訊處理電路7 1、電源電路72、時間發生器73還有液 晶裝置74。再者，液晶裝置74是可以使用上述之光電裝置 100 〇 顯示資訊輸出源70是具備有如ROM ( Read Only Memory) 、RAM (Random Access Memory)等之記憶體、 如各種光碟之存儲元件、用以使數位畫像訊號予以同步輸 出的同步電路等，根據藉由時間發生器73而所生成之各種 時脈訊號，將如規定格式之畫像訊號等之顯示資訊供給至 顯示資訊處理電路7 1。 顯示資訊處理電路71是具備有如串聯-並聯變換電路 、放大·反轉電路、旋轉電路、珈瑪修正電路、箝位電路 等之眾知的各種電路，實行所輸入之顯示資訊之處理，而 將該畫像訊號與時脈訊號CLK同時供給至驅動電路76。電 源電路72是將規定之電壓供給至各構成要素。 第14圖是表示本發明所涉及之電子機器之一實施形態 的攜帶型之個人電腦。在此所示之個人電腦80是具有擁有 鍵盤8 1之本體部82，和液晶顯示元件83。液晶顯示元件 83是包含上述之光電裝置1〇〇而所構成。 本^:尺度適用中關家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 嫌 -27- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225955 A7 B7 五、發明説明（24) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第15圖是表示本發明所涉及之電子機器之其他實施形 態的行動電話。在此所示之行動電話是具有多數操作按鈕 91，和由上述光電裝置90所構成之顯示部100。 【發明之效果】 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如同上述說明，於本發明中，因形成有光反射膜，故 可以執行反射模態的顯示，並且因在光反射膜上部分性地 形成光透過窗，故亦可執行透過模態之顯示。在此，使用 折射率不同之材料，當作在光反射膜之下層側形成凹凸形 成層的第1透光性材料，及構成上層絕緣膜之第2透光材 料，並且藉由在與構成凹凸形成層之凸部或凹部重疊之位 置上，形成光透過窗，使在凹凸形成層和上層絕緣膜之界 面所射入之光的前進路徑被折射而彎曲。因此，依據可任 意選擇上述第1透光材料及第2透光材料之折射率，可在 凹凸形成層和上層絕緣膜之界面賦予透鏡功能。因此，自 基板之背面側所射入之光中，原本以往因朝向光反射膜而 不住於透過模態之顯示的光，一部分也穿過光透過反射膜 而成爲有助於顯示。因此，因即使不擴大光透過窗之面積 ，亦可增大透過模態中之顯示光量，故不會犧牲反射模態 中之顯示亮度，可以提昇透過模態中之顯示亮度。 【圖面之簡單說明】 第1圖是由對向基板側觀看本發明所示用之光電裝置 時的平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -28- 1225955 A7 __B7 五、發明説明（25) 第2圖爲第1圖之H-H’線之截面圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第3圖是光電裝置中，在矩陣狀之多數畫素上所形成 之元件等的等效電路圖。 第4圖是表示本發明所涉及之光電裝置之TFT陣列基 板之各畫素構成的平面圖。 弟5圖是在相當於弟4圖之A-A’線之位置上切斷本發 明所涉及之光電裝置的截面圖。 第6圖是本發明所涉及之光電裝置中，TFT陣列基板 之凹凸圖案及光透過窗之說明圖。 第7圖（A)〜（D)是表示本發明所涉及之TFT陣列 基板之製造方法的工程截面圖。 第8圖（E)〜（G)是表示本發明所涉及之TFT陣列 基板之製造方法的工程截面圖。 第9圖（H)〜（J)是表示本發明所涉及之TFT陣列 基板之製造方法的工程截面圖。 第10圖（K)〜（M)是表示本發明所涉及之TFT陣 列基板之製造方法的工程截面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第11圖（N)〜（0)是表示本發明所涉及之TFT陣 列基板之製造方法的工程截面圖。 第12圖是適用本發明之另外的光電裝置中，TFT陣列 基板之凹凸圖案及光透過窗之說明圖。 第13圖是表示將本發明所涉及之光電裝置當作顯示裝 置使用之電子機器的電路構成之方塊圖。 第14圖是表示使用本發明所涉及之光電裝置之攜帶型 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） " -29- 1225955 A7 B7 五、發明説明（26) 個人電腦的說明圖。 第15圖是表示使用本發明所涉及之光電裝置之行動電 話機的說明圖。 第1 6圖是表示以往光電裝置之TFT陣列基板上所形成 之各畫素之構成的平面圖。 第17圖是以往之光電裝置之截面圖。 第1 8圖是形成於以往光電裝置之TFT陣列基板上的凹 凸圖案及光透過窗之說明圖。 【符號說明】 la 半導體膜 2 閘極絕緣膜 3 a 掃描線 3b 電容線 4 層間絕緣膜 6a 資料線 6b 汲極電極 7 a 上層絕緣膜 8a 光反射膜 8b 凹凸圖案之凸部 8c 凹凸圖案之凹部 8d 光透過窗 9 a 畫素電極 10 TFT陣列基板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 1225955 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（27) 11 基 底 保 護 膜 13 第 1 感 光性 樹 脂 13a 凹 凸 形 成 層 20 對 向 基 板 21 對 向 電 極 23 遮 光 膜 30 畫 素 開 關 用 之 TFT 50 液 晶 60 存 儲 電 容 100 光 電 裝 置 100a 畫 素 90 攜 帶 電 δ舌 機 104 掃 描 線 驅 動 電 路 105 配 線 106 上 下 導 通 材 53 周 邊 導 通 材 52 密 封材 101 資 料 線 驅 動 電 路 102 安 裝 端 子 9a 畫 素 電 極 8g 凹 凸 圖 案 1 e 高 濃 度 汲 極 領 域 Id 高 濃 度 源 極 領 域 If 延伸 設 置 部 分 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 1225955 A7 B7 發明説明 ( 28) 5 5 6 > 5 57光 阻光 罩 lb 低 濃度 源極領域 91 操 作鍵 80 個 人電 腦 ----------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32-

Claims (1)

1225955 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 1· 一種半透過反射型光電裝置，是屬於在保持光電物 質之基板上，具有被形成規定圖案之由第〗透光性材料所 構成的凹凸形成層13a，和被形成在該凹凸形成層13a之上 層側上之由弟2透光性材料所構成的上層絕緣膜7 a，和被 形成在該上層絕緣膜7 a之上層側的光反射膜8 a，和在上述 上層絕緣膜7 a之上層側上而被形成在上述光反射膜8 a之 上層或下層的透光性電極，並且於上述反射膜8 a上部分性 地形成有光透過窗8d的半透過反射型光電裝置，其特徵爲 I 上述光透過窗8d是多數被形成在與上述凹凸形成層 1 3 a所形成之多數凸部中之至少一部分的凸部，或是多數凹 部中之至少一部分凹部重疊之位置上， 上述第1透光性材料及上述第2透光性材料，是各具 有使從上述基板之背面側所射入的光朝向上述光透過窗8d 予以折射鏡功能，賦予在上述凹凸形成層1 3 a和上述上層 絕緣膜7a之界面的折射率。 2.如申請專利範圍第1項所記載之半透過反射型光電 裝置，其中，上述光透過窗是被形成在與上述多數凸部中 之至少一部分凸部重疊之位置上，並且上述凸部是具有略 圓形而向上方鼓起的凸透鏡形狀。 3 .如申請專利範圍第1項所記載之半透過反射型光電 裝置，其中，上述光透過窗是被形成在與上述多數凹部中 之至少一部分凹部重疊之位置上，並且上述凹部是具有略 圓形而向下方凹陷的凹透鏡形狀。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^----- (請先聞脅背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225955 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 ： ^-- (請先閲兮背面之注意事項再填寫本頁) 4.如申請專利範圍第1項所記載之半透過反射型光電 裝置，其中，上述第1透光性材料及上述第2透光性材料 中之任一者皆是由透光性之感光性樹脂所構成。 5 .如申請專利範圍第1項所記載之半透過反射型光電 裝置，其中，上述透光性電極是被形成在上述光反射膜之 上層。 6. 如申請專利範圍第1項所記載之半透過反射型光電 裝置，其中，上述光電物質爲液晶。 7. —種電子機器，其特徵爲：將在保持光電物質之基 板上，具有被形成規定圖案之由第1透光性材料所構成的 凹凸形成層1 3 a，和被形成在該凹凸形成層1 3 a之上層側上 之由第2透光性材料所構成的上層絕緣膜7a，和被形成在 該上層絕緣膜7a之上層側的光反射膜8a，和在上述上層絕 緣膜7a之上層側上而被形成在上述光反射膜8a之上層或 下層的透光性電極，並且於上述反射膜8a上部分性地形成 有光透過窗8d的半透過反射型光電裝置， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述光透過窗8d是多數被形成在與上述凹凸形成層 l3a所形成之多數凸部中之至少一部分的凸部，或是多數凹 部中之至少一部分凹部重疊之位置上， 上述第1透光性材料及上述第2透光性材料，是各具 有使從上述基板之背面側所射入的光朝向上述光透過窗8 d 予以折射鏡功能，賦予在上述凹凸形成層1 3 a和上述上層 絕緣膜7 a之界面的折射率。所規定之半透過反射型光電裝 置當作顯示裝置使用。 -34 表紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1225955 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 (請先閱脅背面之注意事項再填寫本頁) 8. —種半透過反射型光電裝置之製造方法，是屬於在 保持光電物質之基板上，具有被形成規定圖案之由第1透 光性材料所構成的凹凸形成層，和被形成在該凹凸形成層 之上層側上之由第2透光性材料所構成的上層絕緣膜，和 被形成在該上層絕緣膜之上層側的光反射膜，和在上述上 層絕緣膜之上層側上而被形成在上述光反射膜之上層或下 層的透光性電極，並且於上述反射膜上部分性地形成有光 透過窗的半透過反射型光電裝置之製造方法，其特徵爲·· 將上述光透過窗多數形成在與上述凹凸形成層所形成 之多數凸部中之至少一部分的凸部，或是多數凹部中之至 少一部分凹部重疊之位置上，並且 藉由使用不同折射率之透明材料作爲上述第1透光性 材料及上述第2透光性材料，而使從上述基板之背面側所 射入的光朝向上述光透過窗予以折射的鏡功能，賦予在上 述凹凸形成層和上述上層絕緣膜的界面上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9. 如申請專利申請範圍第8項所記載之半透過反射型 光電裝置之製造方法，其中，使上述多數凸部形成具有略 圓形而向上方鼓起的凸透鏡形狀，並且使用比上述第2透 光性材料折射率大的透光性材料作爲上述第1透光性材料 在上述光反射膜上，形成上述光透過窗於與上述多數 凸部中之至少一部分之凸部重疊的位置上。 1 0·如申請專利申請範圍第9項所記載之半透過反射 型光電裝置之製造方法，其中，使上述多數凹部形成具有 -35- 本紙張尺度適财gjg]家料（CNS ) A4· ( 21QX297公董） 1225955 A8 B8 C8 D8 _、申請專利範圍 4 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 略圓形而向上方鼓起的凸透鏡形狀，是使用作爲上述第i 透光性材料的透光性之感光性樹脂，以規定圖案形成上述 凹凸形成層後，加熱該感光性樹脂，並予以溶解。 11. 如申請專利申請範圍第8項所記載之半透過反射 型光電裝置之製造方法，其中，使上多數凹部形成具有略 圓形而向下方凹陷的凹透鏡形狀，並且使用比上述第2透 光性材料折射率小的透光性材料作爲上述第1透光性材料 在上述光反射膜上，.形成上述光透過窗於與上述多數 凹部中之至少一部分凹部重疊的位置上。 12. 如申請專利申請範圍第U項所記載之半透過反射 型光電裝置之製造方法，其中，使上述多數凹部形成具有 略圓形而向下方鼓起的凹透鏡形狀，是使用作爲上述第1 透光性材料的透光性之感光性樹脂，以規定圖案形成上述 凹凸形成層後，加熱該感光性樹脂，並予以溶解。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 3 ·如申請專利範圍第8項所記載之半透過反射型光 電裝置之製造方法，其中，使用感光性樹脂作爲上述第2 透光性材料。 14. 如申請專利範圍第8項所記載之半透過反射型光 電裝置之製造方法，其中，將上述透光性電極形成在上述 光反射膜之上層。 15. —種半透過反射型光電裝置，是屬於在保持光電 物質之基板上，具有被形成規定圖案之由第1透光性材料 所構成的凹凸形成層1 3 a，和被形成在該凹凸形成層1 3 a之 36- ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） 1225955 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 5 上層側上之由第2透光性材料所構成的上層絕緣膜7a，和 被形成在該上層絕緣膜7a之上層側的光反射膜8a，和在上 述上層絕緣膜7a之上層側上而被形成在上述光反射膜8a 之上層或下層的透光性電極，並且於上述光反射膜8 a上部 分性地形成有光透過窗8d的半透過反射型光電裝置，其特 徵爲： 上述光透過窗8d是多數被形成在與上述凹凸形成層 Ua所形成之多數凸部中之至少一部分的凸部，或是多數凹 部中之至少一部分凹部重疊之位置上， 上述第1透光材料及上述第2透光材挝 %枓具有各自不同 的折射率。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 良紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）