TWI223902B - Structure of light emitting diode - Google Patents

Description

1223902 玖、發明說明： 發明所屬之枝術領域 本發明是有關於一種發光二極體結構’且特別是有 關於一種發光層中具有不同量子井結構（多重量子井或是單一量 子井）相互交錯的發光二極體結構。 先前技術 近幾年來，由於發光二極體的發光效率不斷提升’ 使得發光二極體在某些領域已漸漸取代日光燈與白熱燈 泡，例如需要高速反應的掃描器燈源、液晶顯示器的背光 源或前光源汽車的儀表板照明、交通號誌燈以及一@的照 明裝置等。發光二極體與傳統燈泡比較具有絕對的優勢， 例如體積小、壽命長、低電壓/電流驅動、不易破裂、發 光時無顯著之熱問題、不含水銀（沒有污染問題）' 發光 效率佳（省電）等特性。 而利用含氮化鎵的化合物半導體，如氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵 (GaAIN)、氮化銦鎵(GalnN)等的發光二極體元件吸引許多人的目光。 含氮之ΠΙ - V族化合物爲一寬頻帶能隙之材料，其發光波長可以從紫 外光一直含蓋至紅光，因此可說是幾乎含蓋整個可見光的波段。 而在目前習知技藝中，發光二極體之混光的方式如第1圖所示， 其繪示爲習知之一種混光式發光二極體結構的剖面示意圖。請參照第 1圖，發光二極體結構10係包括一半導體層110、一第一電極120 及一第二電極130，其中半導體層110至少包括一第一型摻雜半導體 層112、一第二型摻雜半導體層116，以及一發光層114。上述之發光 層114係位於第一型摻雜半導體層112上，第二型摻雜半導體層116 12277twf.doc 5 1223902 係位於發光層114上，第一電極120係電性連接於第一型摻雜半導體 層112之部分區域上，而第二電極130則位在第二型摻雜半導體層116 之部分區域上。習知技術中，白光發光二極體之發光層Π4係由一第 一多重量子井結構114a以及一第二多重量子井結構114b所構成’其 中第一多重量子井結構114a適於發出黃光，而第二多重量子井結構 114b適於發出藍光，當第一多重量子井結構IMa所發出之黃光與第 二多重量子井結構114b所發出之藍光混光後，便可呈現出白光。 承上述，第一電極120之材質係鈦/鋁合金等，第二電極130包 括N型透明導電氧化層以及P型透明導電氧化層，其中N型透明導 電氧化層之材質爲ITO及P型透明導電氧化層之材質爲CuA102等。 當外&卩電壓於發光二極體結構丨〇之第一電極120與第二電極13〇 兩者之間時，經過第一多重量子井結構114a以及第二多重量子井結 構U4b的載子會因量子井結構的作用而發出光線。由於發光層114 所呈現的白光色溫是由第一多重量子井結構U4a以及第二多重量子 井結構114b所決定，因此第一多重量子井結構114a以及第二多重量 子井結構114b之間的搭配十分的重要。然而，在設計上通常會需要 滿足諸多不同的需求，以白光發光二極體而言，若單純地以第一多重 量子井結構114a以及第二多重量子井結構11处之間的搭配來調整白 光的色溫及演色性，其可調整的幅度十分有限，且較不易獲得較低色 溫之白光。 發明內容 12277twf.doc 6 1223902 有鑑於此，本發明之目的就是在提供一種發光二極 體結構，其發光層具有多數個不同量子井結構（多重量子井或單 一量子井）相互交錯，使得電流在通過這些不同量子井結構時所 發出的多種不同波長之顏色的光，其在混光之後可得到一適當色溫之 白光。 爲達本發明之上述目的，本發明提出一種發光二極體結 構，此結構包括一半導體層、一第一電極及一第二電極，其中半導體 層至少包括一第一型摻雜半導體層、一第二型摻雜半導體層及一發光 層，此發光層係位於第一型摻雜半導體層的部分區域上，而第二型摻 雜半導體層係位於發光層上。此外，發光層還包括多數個第一多重量 子井結構以及多數個第二多重量子井結構，且第一多重量子井結構與 第二多重量子井結構係相互交錯。另外，第一電極係位在發光層分佈 區域以外之第一型摻雜半導體層上，且第二電極位在第二型摻雜半導 體層上。 依照本發明的較佳實施例所述，上述之發光二極體結 構，其中第二電極之材質包括一 N型透明導電氧化層與或一 P型透明 導電氧化層。 基於上述，本發明因採用具有多數個不同量子井結構（多 重量子井或單一量子井）相互交錯的發光層之發光二極體結構，使 得電流在通過這些不同量子井結構時，所發出的多種不同波長之 顏色的光，其在混光之後可得到較低色溫之白光。 爲讓本發明之上述目的、特徵和優點能更明顯易懂， 12277twf.doc 7 1223902 下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如 下。 實施方式 【第一實施例】 請參照第2圖，其繪示依照本發明第一實施例的一種發 光二極體結構之剖面示意圖。本發明之發光二極體結構20 係包括一半導體層210、一第一電極220及一第二電極230，其中半 導體層210至少包括一第一型摻雜半導體層212、一第二型摻雜半導 體層210，以及一發光層214 〇以下將針對各膜層進行說明。 本實施例中，發光層214係位於第一型摻雜半導體層212上， 第二型摻雜半導體層216係位於發光層214上，第一電極220係電性 連接於第一型摻雜半導體層212之部分區域上，而第二電極230貝丨J係 位在第二型摻雜半導體層216之部分區域上。 値得注意的是，本實施例中的發光層214係由多數個第一多重 量子井結構214a以及多數個第二多重量子井結構2Mb所構成，且第 一^多重量子井結構214a與第—>多重量子井結構214b彼此之間係相互 交錯配置。此外，本實施例之第一多重量子井結構214a例如適於發 出黃光，而第二多重量子井結構214b例如適於發出藍光。當載子經 過這些彼此交錯配置之第一多重量子井結構214a以及第二多重量子 井結構214b作用之後，由於多重量子井結構214a與第二多重量子井 結構214b係以多個對多個的型態彼此交錯配置，故整體而言，此架 構所呈現的白光色溫、演色性，甚至於色溫的可調整性都十分良好。 本實施例中，第一電極220之材質例如係Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、 Ti/NiAl/Ni/Aii 或 Ti/NiAl/Cr/Au。 v 12277twf.doc 8 1223902 本實施例中，第二電極230之材質例如爲Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、 Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx 或WSix。此外，第二電極230之材質亦可以是N型透明導電氧化層 或P型透明導電氧化層，其中N型透明導電氧化層之材質例如係IT0、 CTO、ΖηΟ:Α卜 ZnGa2〇4、Sn02:Sb、Ga203:Sn、AgIn02:Sn 或 Ιη203:Ζη， 而P型透明導電氧化層之材質例如爲CuA1〇2、LaCuOS、NiO、CuGa02 或 SrCu202。 【第二實施例】 請參照第3圖，其繪示依照本發明第二實施例的一種發光二極 體結構之剖面示意圖。相較於第一實施例之發光二極體結構20，本實 施例之發光二極體結構30中，發光層314係由多數個第一單一量子 井結構314a及多數個第二單一量子井結構314b所構成，且第一單一 量子井結構314a係與第二單一量子井結構314b彼此之間相互交錯配 置。此外，本實施例之第一單一量子井結構314a例如適於發出黃光， 而第二單一量子井結構314b例如適於發出藍光。當載子經過這些彼 此交錯配置之第一單一量子井結構3 Ma與第二單一量子井結構314b 作用之後，由於第一單一量子井結構314a與第二單一量子井結構314b 係以多個對多個的型態彼此交錯配置，故整體而言，此架構所呈現的 白光色溫、演色性，甚至於色溫的可調整性都十分良好。 本發明上述之發光二極體結構，並非用以限定其量子井之種類 及個數，本發明亦可將三種或是更多種量子井結構（多重量子井及單 一量子井）彼此交錯配置，另外本發明亦可採用適於發出紅光、綠光 及藍光等色彩之量子井結構（多重量子井及單一量子井），並將其交 錯配置。 12277twf.doc 9 1223902 綜上所述，本發明之發光二極體結構中至少具有下列優 點： 1.本發明之發光二極體因採用具有多數個不同量子井結構 (多重量子井或單一量子井），且這些量子井結構係彼此相互交錯配 置，故載子在經過這些不同量子井結構作用後，可發出的多種不 同波長之光線，且各種波長的光線在混光之後可得到較低色溫之白 光。 2.本發明之發光二極體因採用多種不同的量子井結構，並將這些 量子井結構交錯配置，故其演色性以及色溫的可調整性十分優異。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 【圖式簡單說明】 第1圖繪示爲習知之一種混光式發光二極體結構的剖面示意 圖。 第2圖繪示爲依照本發明第一實施例發光二極體結構之剖面示 意圖。 第3圖繪示爲依照本發明第二實施例發光二極體結構之剖面示 意圖。 【圖式標示說明】 10、20、30 :發光二極體結構 110、210、310 :半導體層 12277twf.doc 10 1223902 112、212、312 :第一型摻雜半導體層 114、214、314 :發光層 114a、214a :第一多重量子井結構 114b、214b :第二多重量子井結構 116、216、316:第二型摻雜半導體層 120、220、320 :第一電極 130、230、330 :第二電極 314a :第一單一量子井結構 314b :第二單一量子井結構 11 12277twf.doc

Claims (1)

1. 拾、申請專利範圍： 1 · 一種發光二極體結構，包括： 一基材； 一晶核層，位於該基材上； 一緩衝層，位在該晶核層上； 一第一束縛層，位在該緩衝層之部分區域上，其中該第一束縛層 之摻雜型與該緩衝層之摻雜型相同； 一發光層，位在該第一束縛層上，其中該發光層包括多數個第一 多重量子井結構以及多數個第二多重量子井結構，且該些第一多重量 子井結構與該些第二多重量子井結構係相互交錯； 一第二束縛層，位在該發光層上，其中該第二束縛層之摻雜型與 該第一束縛層之摻雜型不同； 一接觸層，位在該第二束縛層上； 一第一電極，位在該第一束縛層分佈區域以外之該緩衝層上；以 及 一第二電極，位在該接觸層上。 2·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中 該基材之材質包括氧化鋁、碳化矽(Sic)、氧化鋅(Zn〇)、矽(Si)、磷 化鎵(GaP)以及砷化鎵(GaAs)其中之一。 3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中 該晶核層之材質包括AlelnfGa^fHe、fkO ; 〇2+拉。 4. 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體結構，其中該 12277twf.doc 12 1223902 晶核層爲N型摻雜。 5. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該緩衝層 之材質包括 AlJndGawN/、企0 ; 〇Sc+d<l。 6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體結構，其中該緩衝層 爲N型摻雜。 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中 該第一束縛層之材質包括AIJnyGakylsU、y^O ; (Kx+y<l ; x〉c。 8. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該 些第一多重量子井結構包括摻雜之AlJiibGa^N /AlxInyGai+yN，且a、 b2〇 ; (Ka+b<l ; x、y^O ; 〇2x+y<l ; x〉c〉a，而該些第二多重量子井 結構包括摻雜之 AlglnhGakhN/AlJnyGa^yN，且 g、心0 ; (Kg+h<l ; x、 y>0 ϊ 0<x+y<l ； x>c>g ° 9. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該 發光層爲N型摻雜。 10. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中 該發光層爲P型摻雜。 11. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中 該些第一多重量子井結構包括未摻雜之AlaInbGai_a_bN /AlxInyGai_x_yN， 且 a、b>0 ; (Ka+b<l ; x、y>0 ; 0<x+y<l ; x>c〉a，而該些第二多重 量子井結構包括未摻雜之AlglnhGa^N/AlJnyGa^yN，且g、hkO ; 0<g+h<l ; x、y2〇 ; 0<x+y<l ; x〉c〉g。 12. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中 該第二束縛層之材質包括 AlJiiyGa^yNA、y>0 ; 〇Sx+y<l ; x>c。· 13. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中 該第一電極之材質包括 Ti/Al、Ή/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、 13 12277twf.doc 1223902 Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、 Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、 Cr/Al/Ti/Au > Cr/Al/Co/Au ^ Cr/Al/Ni/Au ^ Pd/Al/Ti/Au ' Pd/Al/Pt/Au ^ P獻疆/Au、Pd/Al/Pd/Au、P_/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、 Nd/Al/Ti/Au、Nd/Al/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Au、 Hf/Al/Pt/Au ^ Hf/Al/Ni/Au ^ Hf/Al/Pd/Au ' Hf/Al/Cr/Au ' Hf/Al/Co/Au ^ Zr/Al/Ti/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al_/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、 Zr/Al/Co/Au > TiNx/Ti/Au ^ TiNx/Pt/Au ^ TiNx/Ni/Au ^ TiNx/Pd/Au ^ TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、 TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、 NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、 Ti/NiAl/Cr/Au 其中之一。 14. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該第二電 極之材質包括 Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、 Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、丁丨\¥队以及 WSix 其中之一。 15. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該第二電 極之材質包括一 N型透明導電氧化層與一 P型透明導電氧化層其中之 --- 〇 16. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體結構，其中該N型 透明導電氧化層包括 ITO、CTO、ZnO:A卜ZnGa204、Sn02:Sb、Ga203:Sn、 AgIn02:Sn 以及 Ιη203··Ζη 其中之一。 17. 如申請專利範圍第15項所述之發光二極體結構，其中該Ρ型 透明導電氧化層包括CuA102、LaCuOS、NiO、CuGa02與SrCu202其 中之一。 18·一種發光二極體結構，包括： 14 12277twf.doc 1223902 一半導體層，該半導體層至少包括一第一型摻雜半導體層、一第 二型摻雜半導體層，以及一發光層，該發光層係位於該第一型摻雜半 導體層的部分區域上，而該第二型摻雜半導體層係位於該發光層上， 其中該發光層包括多數個第一多重量子井結構以及多數個第二多重量 子井結構，且該些第一多重量子井結構與該些第二多重量子井結構係 相互交錯； 一第一電極，位在該發光層分佈區域以外之該第一型摻雜半導體 層上；以及 一第二電極，位在該第二型摻雜半導體層上。 19.如申請專利範圍第18項所述之發光二極體結構，其中 該第一電極之材質包括 Ti/Al、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、 Ti/Al/Pd/Au ' Ti/Al/Cr/Au > Ti/Al/Co/Au ' Cr/Au ' Cr/Pt/Au ^ Cr/Pd/Au ' Cr/Ti/Au、Cr/TiWx/Au、Cr/Al/Cr/Au、Cr/Al/Pt/Au、Cr/Al/Pd/Au、 Cr/Al/Ti/Au、Cr/Al/Co/Au、Cr/Al舰/Au、P_/Ti/Au、Pd/Al/Pt/Au、 Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、 N舰/Ti/Au、N題/Ni/Au、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Aii、 Hf/Al/Pt/Au、Hf/A麵Au、H觀/P獻u、Hf/Al/Cr/Au、Hf/Al/Co/Au、 Zr/Al/Ti/Au ' Zr/Al/Pt/Au > Zr/Al/Ni/Au ^ Zr/Al/Pd/Au ^ Zr/Al/Cr/Au ^ Zr/Al/Co/Au、TiNx/Ti/Au、TiNx/Pt/Au、TiNx^/Au、TiNx/Pd/Au、 TiNx/Cr/Au、TiNx/Co/Au、TiWNx/Ti/Au、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、 TiWNX/Pd/Au、Ή\νΝχ/07Αιι、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、 Ni Al/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、 Ti/NiAl/Cr/Au 其中之一。 12277twf.doc 15 20.如申請專利範圍第18項所述之發光二極體結構，其中該第二 電極之材質包括 Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、 Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、TiWNx 以及 WSix 其中之一。 21·如申請專利範圍第18項所述之發光二極體結構，其中該第二 電極之材質包括一 Ν型透明導電氧化層與一 Ρ型透明導電氧化層其中 之一。 22·如申請專利範圍第21項所述之發光二極體結構，其中該Ν型 透明導電氧化層包括 IT0、CT0、Zn0:Al、ZnGa204、Sn02.Sb、Ga203:Sn、 AgIn02:Sn 以及 In2〇3:Zn 其中之一。 23·如申請專利範圍第21項所述之發光二極體結構，其中該P型 透明導電氧化層包括CuA102、LaCuOS、NiO、0^&02與3忙11202其 中之一。 24·—種發光二極體結構，包括： 一半導體層，該半導體層至少包括一第一型摻雜半導體層、一第 二型摻雜半導體層，以及一發光層，該發光層係位於該第一型摻雜半 導體層的部分區域上，而該第二型摻雜半導體層係位於該發光層上， 其中該發光層包括多數個第一單一量子井結構以及多數個第二單一量 子井結構，且該些第一單一量子井結構與該些第二單一量子井結構係 相互交錯； 一第一電極，位在該發光層分佈區域以外之該第一型摻雜半導體 層上；以及 一第二電極，位在該第二型摻雜半導體層上。 25·如申請專利範圍第24項所述之發光二極體結構’其中 12277twf.doc 16 1223902 該第一電極之材質包括 Ti/Al、Ή/Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au、Ti/Al/Ni/Au、 Ti/Al/Pd/Au、Ti/Al/Cr/Au、Ti/Al/Co/Au、Cr/Au、Cr/Pt/Au、Cr/Pd/Au、 Cr/Ti/Au ^ Cr/TiWx/Au > Cr/Al/Cr/Au ' Cr/Al/Pt/Au ^ Cr/Al/Pd/Au ^ Cr/Al/Ti/Au ^ Cr/Al/Co/Au ^ Cr/Al/Ni/Au > Pd/Al/Ti/Au > Pd/Al/Pt/Au ^ Pd/Al/Ni/Au、Pd/Al/Pd/Au、Pd/Al/Cr/Au、Pd/Al/Co/Au、Nd/Al/Pt/Au、 N獻 1/Ti/Au、Ν_·Αιι、Nd/Al/Cr/Au、Nd/Al/Co/A、Hf/Al/Ti/Aix、 Hf/Al/Pt/Au > Hf/Al/Ni/Au ^ Hf/Al/Pd/Au ^ Hf/Al/Cr/Au > Hf/Al/Co/Au ' Zr/Aim/Au、Zr/Al/Pt/Au、Zr/Al/Ni/Au、Zr/Al/Pd/Au、Zr/Al/Cr/Au、 Zr/Al/Co/Au ^ TiNx/Ti/Au ^ TiNx/Pt/Au ' TiNx/Ni/Au ^ TiNx/Pd/Au > TiNx/Cr/Au ' TiNx/Co/Au、ΉλΥΝ/Π/Αιι、TiWNx/Pt/Au、TiWNx/Ni/Au、 TiWNx/Pd/Au、TiWNx/Cr/Au、TiWNx/Co/Au、NiAl/Pt/Au、NiAl/Cr/Au、 NiAl/Ni/Au、NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Pt/Au、Ti/NiAl/Ti/Au、Ti/NiAl/Ni/Au、 TVNiAl/Cr/Au 其中之一。 26. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體結構，其中該第二 電極之材質包括 Ni/Au、Ni/Pt、Ni/Pd、Ni/Co、Pd/Au、Pt/Au、Ti/Au、 Cr/Au、Sn/Au、Ta/Au、TiN、11\¥队以及 W%其中之一。 27. 如申請專利範圍第24項所述之發光二極體結構，其中該第二 電極之材質包括一 N型透明導電氧化層與一 P型透明導電氧化層其中 之一。 28. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體結構，其中該N型 透明導電氧化層包括 IT0、CT0、Zn0:Al、ZnGa204、Sn02:Sb、Ga203:Sn、 AgIn02:Sn 以及 Ιη203:Ζη 其中之一。 29. 如申請專利範圍第27項所述之發光二極體結構，其中該P型 透明導電氧化層包括CuA102、LaCuOS、NiO、〇^&02與SrCii202其 中之一。 17 12277twf.doc