TWI223445B - Multi-terminal MOS varactor - Google Patents

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TWI223445B
TWI223445B TW092101235A TW92101235A TWI223445B TW I223445 B TWI223445 B TW I223445B TW 092101235 A TW092101235 A TW 092101235A TW 92101235 A TW92101235 A TW 92101235A TW I223445 B TWI223445 B TW I223445B
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Alberto Oscar Adan
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Description

1223445 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於能適用於積體電路，特別是高頻積體電 路，且依據自複數個端子所施加之電壓而控制靜電容量之 MOS變容二極管之相關技術。 【先前技術】 電壓控制可變電容量電容器，係能因應於所施加之電壓 的大小而控制靜電容量之電容器，亦稱為變容二極管。變 容二極管係依據CMOS處理製程而製造，並使用（1)PN接合 二極體之電壓依存特性，或（2) MOS電容器之電壓依存特性 者。此外，特別將該（2)稱為MOS變容二極管。 變容二極管係在控制電路或振盪器中被廣為使用。例 如，高頻（Radio Frequency)振蘆器（以下，稱為RF振盪器） 係使用能將振盪頻率調節成特定值之變容二極管。此外， RF振盪器之其中一種的LC (感應型電容器）振盪器，其振盪 頻率一般係由下式之關係而決定。 ω0 = 1 / 儿 因此，使用變容二極管之LC振盪器，係藉由改變靜電容 量的值C而能調整頻率。又，作為變容二極管之特性，係以 能控制在較寬廣的範圍内進行電容量的變更為佳。此外， 以能抑制影響到振盪器的動作之電容量成份的產生則較為 理想。使用如此的特性之變容二極管，則控制電路或振盪 電路即能跨越較寬廣的範圍而控制頻率。 繼之，說明有關於使用變容二極管之習知的實施例。例 1223445 將圖13之半導體可變容量元件使用於閉迴路之PLL (Phase Locked Loop :相位同步迴路）内之VCO時，亦具有影響該動 作的感度AC/AVc會產生變化之問題。 如上述，使用PN接合二極體或MOS變容二極管之習知方 式，其靜電容量的可變範圍之控制係受限制，並具有無法 控制以靜電容量和電壓之比所表示之感度ACMVc之問題。 【發明内容】 本發明之目的係在於提供一 M〇S變容二極管，其係能連 續性地改變靜電容量，且當適用於振盪器時，即能控制頻 率或感度。 本發明之多端子型MOS變容二極管係為了達成上述之 目的而創作，其係含有：MOS電容器，其係具有形成於 阱之雜質區域、連接於該雜質區域之控制端子、以及相對 向於該阱之浮動電極；以及複數個電容器，其係一方的端 子為連接於該浮動電極，且能自他方的端子而施加控制電 壓：。 在該構成當中，多端子型MOS變容二極管係其複數個電 容器的一方之端子為連接於MOS電容器的浮動電極。而 且，能自複數個電容器之他方的端子而施加控制電壓。因 此，藉由自複數個電容器之他方的端子而施加控制電壓， 且自控制端子而施加控制電壓，即能連續性地改變靜電容 量，此外，亦能調整製造時所產生之不均現象。進而能不 追加處理步驟，而以標準型CMOS處理製程而作成。 本發明之更另外的目的、特徵、以及優點，係可由以下 1223445 所示之記載而得以充分理解。此外，本發明之優點係可藉 由參閱所附加之圖式之如下的說明而得以明瞭。 【實施方式】 圖1係多端子型MOS變容二極管之概略構成圖。圖1係作 為多端子型變容二極管之基本的構成，而表示3端子型MOS 變容二極管。本發明之多端子型MOS變容二極管，簡單而 言係將控制端子追加於MOS變容二極管之構成。亦即，多 端子型MOS變容二極管1係具備MOS電容器（Cf) 5、電容器 (C1) 6、以及電容器（C2) 7。此外，亦具備控制端子（Vgl) 9 和控制端子（Vg2) 10、以及控制端子（Vn) 11。 MOS電容器（Cf) 5係設置於N阱2和閘極之間，且其一方 之端子之閘極，係相對向於阱而設置，並形成浮動電極（Vf) 8。此外，MOS電容器（Cf) 5的他方之端子，係中介形成阱2 的雜質區域之N+區域3，4而連接於控制端子（Vn) 11。 電容器（Cl)6和電容器（C2)7之一方的端子，係均連接於 浮動電極（Vf) 8。此外，電容器（C1) 6之他方的端子係連接 於控制端子（Vgl) 9，而電容器（C2) 7之他方的端子係連接 於控制端子（Vg2) 10。 電容器（C1) 6和電容器（C2) 7係可依據如雙、多晶矽·電 容器（以下，稱為DPC)或金屬·絕緣體·金屬（以下，稱為 MIM)電容器之電容器而構成。 有關於本發明之實施形態的多端子型變容二極管，係可 依據半導體處理製程而實施。此外，多端子型變容二極管 係並非限定於2 GHz為止之高頻電路，而亦可適用於一般的 1223445 伴隨著控制電壓Vgl之增加，而有效靜電容量C亦增加。此 外，當變更控制電壓Vg2的值時，C-V曲線係橫方向（Vgl方 向）地移動。有效靜電容量C係在極限的情形時，形成 c = c2 + cf c = c2+cmin for Cx » (C2+ Cf) 又，Cmin係MOS電容器（Cf) 5為空乏型（depletion mode)時之 靜電容量Cf的最小值。 如此，多端子型MOS變容二極管1係藉由將施加於各端子 之電壓Vgl、電壓Vg2或電壓Vn予以獨立並進行調節，而能 調節靜電容量的值、或進而係C-V曲線上之操作點，亦即能 調節感度ACMVc。 此外，MOS電容器（Cf) 5的浮動電極8 (浮動節點）之電壓
Vf係形成
Vf
CrV,^c2^2 + crvn cl + c2 + cf 因為MOS電容器（Cf)之靜電容量Cf，係電壓Vf和電壓Vn的 差之函數之故，將上述予以變形時，則形成 (Vf - Vn)
Cr(^i-K)^C2-(V^2-Vn)
Q + C2 + Cf 圖3係以圖1中作為MOS電容器（Cf) 5而表示之N阱2而實 施之MOS變容二極管之C-V特性的實測曲線圖。如圖3所 示，伴隨著（Vf-Vn)之值的增加，而有效靜電容量C係連續 性地增加。 此處，將圖1所示之多端子型MOS變容二極管1之有效靜 電容量C的值予以增大時，係可作成如下之構成。圖4係具
-12- 1223445 備複數個電容器之多端子型MOS變容二極管12之構成圖。 又，和圖1所示的構成相同的部位，係賦予相同的符號並省 略其詳細說明。 如圖4所示，多端子型MOS變容二極管12係分別將η個電 容器6-1〜6-η之一方的端子連接於MOS電容器5之浮動電 極8。此外，在η個電容器（C1) 6-1〜電容器（Cn) 6-η之他方的 t 端子，係分別連接控制端子（Vgl) 9-1〜控制端子（Vgn) 9-n。 進而控制端子（Vn) 11係連接於MOS電容器5之雜質區域之 、 N+區域 3，4。 _
此時，第j個之電容器的控制端子（Vgj) 9-j之有效靜電容 量係
Cjx ick+cM{vf) C — _^k=\,k^j_= 〇 ick+CM(Vf) U=i 」 又，CM (Vf)係施加著浮動電容量的電位Vf之MOS電容器 (Cf) 5之靜電容量。此外，浮動電極之電位Vf係依據因應於 自控制端子（Vgl) 9-1〜控制端子（Vgn) 9-n所施加之控制電 # 壓、以及自控制端子（Vn) 11之N+1端子所施加之控制電壓 $ 之N+1個之電容器〔η個之電容器（C1) 6-1〜電容器（Cn) 6-η、 ，· 以及電容器（Cf) 5〕之靜電容量而決定。 繼之，說明依據單·多晶矽· CMOS處理製程之多端子型 MOS變容二極管之實施形態。圖5係依據單·多晶矽· CMOS 處理製程之多端子型MOS變容二極管之概略構成圖。多端 子型MOS變容二極管21係具備MOS電容器（Cf) 25、電容器 -13 - 1223445 (Cl) 26、以及電容器（C2) 27。此外，亦具備控制端子（Vgl) 29、控制端子（Vg2) 30、以及控制端子（Vn) 31。 MOS電容器（Cf) 25係設置於N阱22和閘極之間，且一方 之端子之閘極係浮動電極（Vf) 28。此外，MOS電容器（Cf) 25 之他方的端子，係中介形成於阱22之雜質區域之N+區域23 和N+區域24而連接於控制端子（Vn) 31。
電容器（C1) 26係設置於N阱32和閘極之間，且一方之端 子之閘極係連接於控制端子（Vgl) 29。此外，電容器（C 1)26 之他方之端子，係中介形成於N阱32之雜質區域之N+區域 33、34而連接於浮動電極（Vf) 28。 電容器（C2) 27係設置於N阱35和閘極之間，且一方之端 子之閘極係連接於浮動電極（Vf) 28。此外，電容器（C2) 27 之他方之端子，係中介形成於N阱35之雜質區域之N+區域 3 6和N+區域37而連接於控制端子（Vg2) 30。
圖5所示之多端子型MOS變容二極管21，係依據單·多晶 矽· CMOS處理製程而在相同的矽基板當中予以電性地分離 之複數個N阱上形成有積層MOS電容器。亦即，作為圖1所 示之多端子型變容二極管1的電容器（C1) 6和電容器（C2) 7，係使用形成於N阱之電容器（C1) 26和電容器（C2) 27。此 外，控制電壓Vn係施加於N阱22，且控制電壓Vg2係施加於 N阱35。又，該構成中，控制電壓Vn、控制電壓Vg2係N阱 對於圖外之P基板必須恒常形成正電位。 圖6係將依據圖5所示之單·多晶矽· CMOS處理製程之多 端子型MOS變容二極管的構成予以變形之概略構成圖。多 -14- 1223445 端子型MOS變容二極管41係具備MOS電容器（Cf) 45、電容 器（C1) 46、以及電容器（C2) 47。此外，亦具備控制端子（Vgl) 49、控制端子（Vg2) 50、以及控制端子（Vn) 51。 MOS電容器（Cf) 45係設置於N阱42和閘極之間，一方之 端子之閘極係連接於浮動電極（Vf) 48。此外，MOS電容器 (Cf) 45之他方之端子，係中介形成於N阱42之雜質區域之 N+區域43和N+區域44而連接於控制I子（Vn) 51。 電容器（C1) 46係設置於N阱52和閘極之間，一方之端子 ^ 之閘極係連接於控制端子（Vgl) 49。此外，電容器（C1) 46 每 之他方之端子，係中介形成於N阱52之雜質區域之N+區域 0 53、54而連接於浮動電極（Vf) 48。 電容器（C1) 47係設置於N阱55和閘極之間，一方之端子 之閘極係連接於控制端子（Vg2) 50。此外，電容器（C1) 47 之他方之端子，係中介形成於N阱55之雜質區域之N+區域 56、57而連接於浮動電極（Vf) 48。 又，圖6所示之多端子型MOS變容二極管41，其和圖5所 示之多端子型MOS變容二極管21相同，係依據單·多晶矽· 鲁 CMOS處理製程而在相同的矽基板當中予以電性地分離之 0 複數個之N阱上，形成積層MOS電容器。 Γ, 如上述，圖6所示之多端子型MOS變容二極管41係和圖5 所示之多端子型MOS變容二極管2 1相異，不僅控制電壓 Vgl，且控制電壓Vg2亦連接於電容器的閘極電極之構成。 此外，該構成係電容器C1和電容器C2為相等時，則形成對 稱性的構成。 ’ -15- 1223445 繼之’說明有關於將本發明之多端子型M〇s變容二極管 使用於VCO之實施形態。rf所使用之vc〇係和相位雜訊之 減低相同，其振盈頻率之控制性及調諧性極為重要。可實 現該特性之多端子型變容二極管，係能使用sLC型vc〇。 圖7係使用多端子型變容二極管之LC型Vc〇之電路圖。 型VCO 61係具備MOS電晶體62、感應器63、感應器64、電 容器（Cc) 65、第1 MOS電容器之M〇s電容器（c) 66、第2 MOS電容器（MOS電容器（C) 67、電容器⑽68、购§電 晶體69、以及MOS電晶體7〇。 在電源Vdd係連接M0S電晶體62。此外，在m〇s電晶體 62係連接感應器63和感應器64之—方之端子。在感應器^ 之他方之端子係連接MOS電容器（c) 66的一方之端子（第ι 浮動電極卜廳電晶體69、曰日體70之控制端 子。在感應器64之他方之端子係連接M〇s電容器之— 方的端子（第1浮動電極）、_電晶體7G、以及職電晶_ 69之控制端子。刪電容器⑹Μ之他方之端子（第i端子^ 和MOS電容器(C) 67之他方之端子(第】端子)係相互連接。 而且，在該連接點係連接著電容器（Cc) 65 電容器⑽68之-方之端子。在電容器（叫65之他=^ 子係連接控制端子Ve，且在電容器（Cf) 68之他方之端子係 連接控制端子（Vn) 72。此外，在咖係連接娜電晶體 和MOS電晶體70。 電容器（Cc)65和電容器（Cf)68，係低寄生電容量之膽 電容器（或DPC)，且在電容器（Ce) 65係施加控制電壓vc。 -16- 1223445 此夕卜，MOS電容器（C) 66和MOS電容器（C) 67係可變型電容 器，且使用MOS電容器（MOS變容二極管）而予以實施。 此外，VCO 61之輸出VI和V2因係相異之值，故施加於電 容器（Cf)之電壓係可以 =mu 2C + Cc+Cf 表示，該值並非依存於RF電壓（輸出電壓）。此外，由於RF 訊號具有差異，故由輸出而言，連接各個電容器之部份（C 網路）之有效靜電容量，係和RF振盪器之電容器（Cc) 65和電 容器（Cf) 68無關，而單獨成為C。 圖8係表示圖7中的電路之靜電容量C和電壓Vc的關係之 特性圖。圖8係以電壓Vn作為參數而表示VCO的有效節點靜 電容量C和控制電壓Vc的關係。當控制電壓Vn改變時，則 C-Vc曲線係往橫方向移位。該實施形態中，在交叉而連接 之MOS電晶體69和MOS電晶體70係施加控制電壓Vx= 1 V。此外，控制用電容器之電容器（Cc) 65和電容量（Cf) 68 之靜電容量係Cc = Cf = 5 pF。圖7中之電路係能控制靜電容 量的絕對值之外，亦能控制感度ACMVc。 圖9係使用多端子型變容二極管，且能調節C-Vc特性曲線 的斜率之VCO的電路圖。圖10係表示以範圍調整電壓Vb作 為參數之VCO之有效節點靜電容量C和控制電壓Vc的關係 之特性圖。又，和圖9相同的部位，係賦予相同的符號而省 略其詳細說明。 圖9所示之LC型VCO 81係將第3 MOS電容器之MOS電容 器（Cb) 82、以及第4 MOS電容器之MOS電容器之（Cb) 83追 -17- 1223445 加於LC型VCO 61之構成。亦即，將MOS電容器（Cb) 82之一 方之端子（第2浮動電極）連接於LC型VCO 61之MOS電容器 (C)66之第1浮動電極，並將MOS電容器(Cb)83之一方之端 子（第2浮動電極）連接於MOS電容器（C) 67之第1浮動電 極。此外，將MOS電容器（Cb) 83之他方之端子（第2端子）和 MOS電容器（Cb) 84之他方之端子（第2端子）相互連接，並將 控制端子（Vb) 84連接於該連接點。此外，藉由將MOS電容 器（變容二極管）使用於電容器（Cf) 68，即能電性地控制C-V 曲線之斜率。 靜電容量C、C c、和C f、以及控制電壓V c和V η，係使用 於用以調節C-V曲線上之操作點，亦即用以調節感度 △ CMVc 〇適用多端子型變容二極管之VCO係形成 _ _1_ ^Lx[C(VcJn) + Cb(Vb)] dVc 2 0 dVc 靜電容量Cb和控制電壓Vb係使用於用以增加或減少靜 電容量C之絕對值。該情形係表示於圖10中。亦即，伴隨著 靜電容量Cb之增加，而有效靜電容量C即減少。此外，伴 隨著控制電壓Vb之增加，而有效靜電容量C即減少。 在該電路中，在交叉而連接之MOS電晶體69和MOS電晶 體70，係施加控制電壓Vx = 1 V。此外，電容器（Cc)係靜電 容量Cc= 3 pF。進而電容器（Cf)係使用靜電容量的最大值 Cfmax=10pF之MOS變容二極管。 圖11係表示以斜率調整電壓Vn作為參數之VCO的有效節 -18- 點靜電容量c和控制電壓v ^ ^ Μ ^ Γκ λ/ $關係炙特性圖。圖11係表示藉 吗&制電壓VC而將有效 形。該實施: 以電性地控制之情 將斜率二調節電mvb作成2V。此外，“示 =制，變更成0.95ν，ιιν，ΐ3ν之資 圖1U中，伴隨著控制 降俏^ , ^土 “之}曰加，而有效靜電容量即 筆低。此外，伴隨著斜率 係急速地傾斜。十羊周”壓^增加，而特性曲線 而^圖:圖11所示之VC〇,係在2個電容器C的連接點 自……、 構成，但，本發明係不 ' Λ 。亦即，進而將複數個電容器之一方之y子 連接於2個電容器C之連接點，且藉由將該複數個電容哭之 端：？為電壓控制端子而施加控制電壓，即能將靜 包谷I <值丁以增大。 此外，以上說明係有關於其雜f區域係形成N+區域於N =之廳電容器，但，本發明係不自限於該構成。亦即， 右旎作為MOS電容器而使用時，則阱係N阱或p阱均可，而 形成於阱上之雜質區域，係N+區域或p+區域均可。 如以上所述， (1)本實施形態之多端子型M〇s變容二極管係含有· MOS電容器，其係具有形成於阱上之雜質區域、連接於 孩雜質區域之控制端子、以及相對向於該阱之浮動電=) 以及 包 複數個電容器，其係一方之端子為連接於該浮動電極， 且此自他方之^子而施加控制電壓。 -19- 1223445 該構成中，多端子型MOS變容二極管係複數個電容器的 一方之端子為連接於MOS電容器之浮動電極，且能自複數 個電容器之他方之端子而施加控制電壓。因此，藉由自，複 數個電容器之他方之端子而施加控制電壓，且自控制端子 而施加控制電壓之措施，而能使靜電容量連續性地變化的 同時，亦能調整製造時所產生之不均現象。此外，可無追 加處理步驟，而能以標準型之CMOS處理製程製作多端子型 CMOS變容二極管。 (2)在上述之多端子型MOS變容二極管當中，令前述複 數個電容器之個數為N，且令施加著前述浮動電極的電位 Vf之前述MOS電容器之靜電容量為CM (Vf)，則第j個電容 器之前述他方之端子之有效靜電容量係形成 C 二
Cj x ：ick+CM{Vf) k=\，k^j k^vf\ 因此，依據連接於MOS電容器的浮動電極之電容器的個 數，即能將有效靜電容量予以改變。 (3)前述複數個電容器係由前述MOS電容器所構成，且 前述MOS電容器和前述複數個電容器，係形成於相同的矽 基板之電性地予以分離之複數個之阱上。 在該構成中，多端子型MOS變容二極管係在相同的矽基 板之電性地予以分離之複數個之阱上，形成MOS電容器和 由MOS電容器所構成之複數個電容器。因此，能以無追加 處理步騾而以標準型之CMOS處理製程而製作多端子型 1223445 MOS變容二極管，且能減低製造成本。 (4) 含有： 第1 MOS電容器和第2 MOS電容器，其係分別具有形成於 阱上之雜質區域、連接於該雜質區域之第1端子，以及相對 向於該阱之第1浮動電極，且該第1端子係互相連接；以及 複數個電容器，其係一方的端子為連接於該第1端子，且 能自他方的端子而施加控制電壓。 % 在該構成中，多端子型MOS變容二極管係具備： 第1 MOS電容器和第2 MOS電容器，其係形成於阱的雜質 · 區域所連接之第1端子為互相連接；以及 籲 複數個電容器，其係一方的端子為連接於該第1端子；複 數個電容器係能分別自他方之端子而施加控制電壓。因 此，藉由將多端子型MOS變容二極管使用於電壓控制振盪 器之情形下，即能將靜電容量的絕對值和含有控制電壓之 靜電容量的感度進行調節。 (5) 含有第3 MOS電容器和第4 MOS電容器，其係分別具 有形成於阱上之雜質區域、連接於該雜質區域之第2端子、 像 以及相對向於阱之第2浮動電極，且該第2端子係互相連 φ 接。且將該第3 MOS電容器之第2浮動電極連接於前述第1 % MOS電容器之第1浮動電極，而將該第4 MOS電容器之第2 浮動電極連接於前述第2 MOS電容器之第1浮動電極。 在該構成中，記載於第（4)項之多端子型MOS變容二極 管，係進而含有第3 MOS電容器和第4 MOS電容器，其係形 成於阱之雜質區域所連接之第2端子為互相連接。且為將該 -21 - 1223445 第3 MOS電容器之第2浮動電極連接於前述第1 MOS電容器 的第1浮動電極，而將該第4 MOS電容器之第2浮動電極連 接於前述第2 MOS電容器之第1浮動電極之構成。因此，藉 由將多端子型MOS變容二極管使用於電壓控制振盪器之情 形下，即能將靜電容量的絕對值和含有控制電壓之靜電容 量的感度進行調整的同時，亦能控制C-V曲線之斜率，並可 · 實現調整範圍較寬廣之電壓控制振盪器。 % 在發明之詳細說明之項目當中所實施之具體的實施形態 或實施例，至多也只不過是明瞭本發明之技術内容而已， _ 但並非僅限定於如此之具體例而狹義地闡述，而能在本發 _ 明之精神和如下所記載之申請專利項之範圍内，進行各種 變更並予以實施。 【圖式簡單說明】 圖1係多端子型MOS變容二極管之概略構成圖。 圖2係表示圖1所示之多端子型MOS變容二極管之控制電 壓Vgl和有效靜電容量C的關係之特性圖。 圖3係表示圖1所示之多端子型MOS變容二極管之C-V特 镛 性的實測曲線圖。 | 圖4係具備複數個電容器之多端子型MOS變容二極管之 % 構成圖。 圖5係依據單·多晶矽· CMOS處理製程之多端子型MOS 變容二極管之概略構成圖。 圖6係將圖5所示之單·多晶矽· CMOS處理製程之多端子 型MOS變容二極管之構成予以變形成概略構成圖。 -22- 1223445 圖7係使用多端子型變容二極管之LC型VCO之電路圖。 圖8係表示圖7中的電路之靜電容量C和電壓Vc的關係之 特性圖。 圖9係使用多端子型變容二極管，且能調節C-Vc特性曲線 的斜率之VCO之電路圖。 圖10係表示以範圍調整電壓Vb作為參數之VCO的有效節 點靜電容量C和控制電壓Vc的關係之特性圖。 圖11係表示以斜率調整電壓Vn作為參數之VCO的有效節 點靜電容量C和控制電壓Vc的關係之特性圖。 圖12(a)係使用用以控制振盪頻率的MOS變容二極管之電 壓控制振盪器（VCO)之電路圖。 圖12(b)係VCO之MOS變容二極管之概略構成圖。 圖12(c)係表示在MOS變容二極管當中，施加調諧電壓之 MOS電容器的構造之圖示。 圖13係習知之半導體可變電容量元件之電路構成圖。 【圖式代表符號說明】 1，12 多端子型MOS變容二極管 2 N阱 3，4 N+區域 5 MOS電容器 6，7 電容器 6-1〜6-n 電容器 8 浮動電極 9，10 電容器之他方之端子 1223445 9-1 〜9_n 電容器之他方之端子 11 控制端子 21，41 多端子型MOS變容二極管 22 ， 32 ， 35 N阱 23，24 N+區域 31 控制端子 33，34 N+區域 36，37 N+區域 61，81 VCO 65，68 電容器 66，67 MOS電容器 82，83 MOS電容器 121 離散可變MOS電容器 122 MOS電容器
-24-

Claims (1)

1223445 拾、申請專利範園： 1. 一種多端子型MOS變容二極管，其特徵在於含有： MOS電容器，其係具有形成於阱上之雜質區域、連接 於該雜質區域之控制端子、以及相對向於該胖之浮動電 極；以及 複數個電容器，其係一方之端子為連接於該浮動電 極，且能自他方之端子而施加控制電壓。 2. 如申請專利範圍第1項之多端子型MOS變容二極管，其中 前述複數個電容器係具有和前述MOS電容器相同之 MOS電容器構造，且前述MOS電容器和前述複數個電容 器，係形成於相同的矽基板之電性分離之複數個阱上。 3. 如申請專利範圍第1項之多端子型MOS變容二極管，其中 令前述複數個電容器的個數為N，且令施加著前述浮動 電極的電位Vf之前述MOS電容器之靜電容量為CM (Vf)，則第j個之電容器的前述他方之端子之有效靜電容 量係 cj x ick+CM(Vf) k=\,k 羊 j 4. 如申請專利範圍第3項之多端子型MOS變容二極管，其中 前述複數個電容器係由前述MOS電容器所構成，且前 述MOS電容器和前述複數個電容器，係形成於相同的矽 基板之電性分離之複數個阱上。 5. 一種多端子型MOS變容二極管，其特徵在於含有： 1223445 第1 MOS電容器和第2 MOS電容器，其係分別具有形成 於阱上之雜質區域、連接於該雜質區域之第1端子、以及 相對向於該阱之第1浮動電極，且該第1端子係互相連 接；以及 複數個電容器，其係一方之端子為連接於上述第1和第 2 MOS電容器之各第1端子，且能自他方之端子而施加控 制電壓：。 6. 如申請專利範圍第4項之多端子型MOS變容二極管，其中 進而含有第3 MOS電容器和第4 MOS電容器，其係分別 具有形成於阱上之雜質區域、連接於該雜質區域之第2端 子、以及相對向於該阱之第2浮動電極，且該第2端子係 互相連接， 分別將該第3 MOS電容器之第2浮動電極連接於前述第 1 MOS電容器之第1浮動電極，及將該第4 MOS電容器之 第2浮動電極連接於前述第2 MOS電容器之第1浮動電極。 7. —種電壓控制振盪器，其係具有使振盪頻率產生變化之 可變電容量元件，其特徵在於： 前述可變電容量元件係申請專利範圍第1項至第6項之 其中之1的多端子型MOS變容二極管。
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