TWI222668B - Gas purging method and exposure system, and device production method - Google Patents

Description

1222668 玖、發明說明： 、 【發明所屬之技術領域】 1本發明係關於氣體清除方法及曝光裝置、以及元件製 仏方法’詳言t ’係關於將配置於既定波長光之光路上的 物體與光學裝置之間$ # ^ 間之二間，進行氣體清除的氣體清除方 法及適合於實施該氣體清除方法之曝光裝置，以及使用該 曝光裝置之元件製造方法。 【先前技術】 習知，在用來製造半導體元件（積體電路）、液晶顯示春 兀件等電子兀件之微影製程，使用各種曝光裝置，在基板 上形成電子元件之微細圖案。近年來，特別從生產性方面 之考量，以縮小投影曝光裝置為主來使用，該裝置係將所 欲形成之圖案依比例放大4〜5倍程度而形成之光罩（遮罩） 或標線片（以下，統稱為「標線片」）的圖案，透過投影光 學系統縮小而轉印於晶圓等之被曝光基板（以下，稱為「 晶圓」）上。 在此種投影曝光裝置，為對應積體電路之微細化而實 籲 現局解析度’已將其曝光波長轉移至更短波長側。現在， 其波長雖以KrF準分子雷射光之248nm為主流，但是更短 波長之ArF準分子雷射光之193nm亦漸進入實用化階段。 β 並且，最近亦進行使用真空紫外域光之投影曝光裝置之提 - 案，係使用發射更短波長之波長157nm之F2雷射光，或波 長126nm之Ar2雷射光等，所謂被稱為真空紫外域之波長 帶之光的光源。 6 1222668 …此種波長18〇nm以下之真空紫外光，會被大氣中之氧 氣或水蒸氣強烈吸收。因此，將真空紫外光當作曝光用光 使用之曝光裝置，& 了要從曝光用光之光路上之空間排除 氧氣或水蒸氣等之吸光物質，需要以幾乎不吸收曝光用光 之氮氣或氦等稀有氣體作氣體置換（氣體清除）。例如，在 以發射波長157nm之F2雷射光為光源之曝光裝置，一般認 為從雷射至晶圓為止之光路之大部分，則需要將殘留氧氣 濃度抑制於1 ppm以下。 又，高解析度化，不僅能以曝光波長之短波長‘達成 _ ’而且亦能以光學系統之大數值孔徑（Ν· A·)化實現，故最 近亦進行光學系統之更一層之大Ν· Α·化的開發。然而，為 要實現高解析度，除投影光學系統之大Ν· Α·化以外尚加上 ’需要投影光學系統之像差之減低。因此，在投影光學系 統之製程，進行利用光之干涉的波面像差測量，將殘留像 差量以曝光波長之1/1000程度之精度測量，依據該測量值 進行投影光學系統之調整。 如上述之大Ν· Α.化或低像差化，係視野越小之光學系 _ 統則越容易實現。但是，對曝光裝置而言，視野（曝光範 圍）越大處理能力（生產能力）就越提高。因此，為使用視野 雖小但Ν· Α·大之投影光學系統，且實質上能獲得大曝光 · 範圍’在曝光中，將標線片與晶圓邊維持其結像關係邊作 _ . 相對掃描的例如掃描型投影光學系統，例如步進掃描（step 霹 and scan)方式之掃描型投影光學系統（即所謂掃描步進機 (scanning stepper))，就成為最近之主流。 7 1222668 【發明内容】 然而，以上述之真空紫外光為光源的曝光裝置，亦需 要將標線片附近之空間之殘留氧氣或水蒸氣濃度抑制於 1 ppm耘度以下。實現其之方法，亦可考慮將保持標線片之 標線片載台全體以大的氣密型遮蔽容器（標線片載台室）覆 蓋，將其内部（包含標線片載台、標線片）全體進行氣體清 除之方法。然而，若採用此種遮蔽容器，曝光裝置就變成 大型化及重里化，半導體工廠潔淨室内之曝光裝置每1部

之設置面積（footprint)就變更大，由於設備成本（或運轉 費用）之增加，結果會導致半導體元件之生產性降低。又 ，要接近標線片附近就變成困難，使維護標線片載台等時 之作業性降低，以致維護所需時間增加，亦會導致半導體 元件之生產性降低。 知描型投影曝光裝置，由於在曝光中將標線片高速掃 描之需要，具備大型標線片載台，要覆蓋該大型標線片載 台全體之遮蔽容器（標線片載台室）則變成更大型化。

又，標線片附近之空間之氣體清除，並不僅是投影曝 光裝置之問題，搭載於投影曝光裝置而用以測量投影光學 系統像差的檢查光學裝置等，亦成為問題。 ^本發明有鑒於上述實情，其第1目的在於提供：一種 氣體清除方法，將配置於光之光路上之物體與光學裝置之 間之空間進行有效率的氣體置換，不必使用大型且重之氣 密性遮蔽容器來實現。 ' 一種曝光裝置，能抑制 本發明之第2目的在於提供 8 1222668 裝置之大型化、重量化，且可提高曝光精度。 本發明之第3目的在於提供：一種元件製造方法，能 提昇高積體度之元件之生產性。 本發明之氣體清除方法，係將配置於既定波長光之光 路上的物體與光學裝置之間的空間進行氣體清除，其係包 含以下步驟： 以至少在與該物體、及保持該物體之保持構件中任一 特定物體之間形成既定之第丨間隙的狀態下，配置將該光 學裝置與物體之間的空間與外氣阻隔之遮蔽構件的步驟；馨 及 將對該光之吸收特性比吸收性氣體低的特定氣體，透 過形成於該遮蔽構件之供氣用開口，而供應於該遮蔽構件 内部之空間的步驟。 在此，所謂吸收性氣體，係對前述既定波長光（在光學 裝置所使用之光）之吸收特性大的氣體之統稱，例如，若 光係波長120nm〜180nm之真空紫外光時，含有將其真空紫 外光強烈地吸收之氧氣、水蒸氣、碳氫化合物等吸光物質 _ 的氣體，則符合於此。在本說明書，由於如上述之意思， 使用「吸收性氣體」術語。又，一般空氣（大氣）因含有氧 氣與水蒸氣，故當作吸收性氣體處理。因此，吸收性氣體 · 係按照上述之光之波長（既定波長）而不相同。 · 藉此，遮蔽構件，因至少在前述物體及保持該物體之 保持構件中任一特定物體之間，以形成既定之第1間隙的 狀態下配置，故藉由將該第1間隙設定為適當尺寸，能將 9 1222668 配置於既定波長光之光路上的物體與光學裝置之間的遮蔽 構件内部的空間，以某程度氣密之狀態與外,氣阻隔。並且 ’透過形成於該遮蔽構件内部之空間的供氣用開口，將對 别述光之吸收特性比吸收性氣體低的特定氣體（以下，適 =稱為低吸收性氣體」）供應。藉此，能將物體與光學 /置之間之光路上的空間，即，將遮蔽構件内部之空間的 氣體置換為低吸收性氣體。藉此，能從空間内排除(清 除^前述吸收性氣體。因此，配置於光之光路上之物體與 光學裝置之間之空間的高精度氣體置換，則不必使用大型 且重之氣密型遮蔽容器，而能實現。換言之，依本發明， -要使用能覆蓋光學裝置與物質之間之空間的小型遮蔽構 件就月匕達成與使用大型且重之氣密型遮蔽容 同之程度的高精度氣體置換。 欠相 在此情形，能進-步包含··將前述遮蔽構件 =:，透過形成於前述遮蔽構件之排 ： 排氣的步驟。 j | # 在本發明之第！氣體清除方法 大约3mm以下。 此形成為 在此情形，能；隹 JK , Λ 特定物體對向二含：透過在該遮蔽構件之與該 於該第1間隙内並7的供虱口，將既定之氣體供應 ]隙内，並且使該第丨間 於該端面之該空門W内之風冑’透過相對 氣的步驟。 ’、以供氣口外側的排氣σ向外部排 在本發明之第 虱體>月除方法，前述遮蔽構件，係用 10 1222668 來減低對前述光學裝置之振動傳達，較佳者為前述遮蔽構 件，在與前述光學裝置之間，能以形成既^之帛2間隙之 狀態下配置。 在此情形，前述第2間隙，能形成為大約3隱以下。 在此If形，月匕進-步包含：透過在該遮蔽構件之與該 光學裝置對向之端面所形成的供氣口，將既定之氣體供應 於該第2間隙内，並且將該第2間隙内之氣體，對該端面 口向外部排氣的步 之空間透過形成於該供氣口外側的排氣

本發明之氣體清除方法，從帛2觀點來纟，係將包含 使用於光學裝置（具有照射既定波長光之光學系統）的光檢 測器之受光面的空間進行氣體清除，其係包含以下步驟： 將保持構件（-面形成開口且在内部將該光檢測器以受 光面朝4開口的方式收容）之該開口周圍的端自，透過密 封構件而與該光學裝置之構成零件之—部分結合，以將包 含该光檢測器之受光面之空間與外氣阻隔之步驟；及 將對該光之吸收特性比吸收性氣體低 過形成於該構成料、絲㈣件巾任_者的供氣用開: 供應於该空間，而將該空間内之氣體，透過形成於該構成 ‘件及保持構件中任一者的排氣用開口向外部排氣之步 驟。 藉此，將保持構件（一面形成開口且在内部將該光檢測 器以受光面朝該開口的方式收容)之前述開口周圍的端面 ，透過松封構件結合於前述光學裝置之構成零件之一部分 11 1222668 ，將包含前述光檢測器之受光面的空間與外氣阻隔。因此 ，包含由光學裝置之構成零件及保持構件所構成的光檢測 器之受光面的空間，則變成氣密性良好之空間。並且 對照射於光學裝置，透過該光學裝置之光學系統射入於受 光凡件的光之吸收特性，比吸收性氣體低的特定氣體（低 ^收性氣體），透過形成於前述構成零件及前述保持構件 中任一者的供氣用開口供應於前述空間，而將該空間内之 乳體’透過形成於前述構成零件及前述保持構件中任 的排氣用開口向外部；g β , 之受光面為止之=:°Γ 光學裝置至光檢測器 二4内部的乳體，會被特定氣體置換 的過光學裝置射入於前述空間内之後而射出之既長 的光以光檢測器之受光面接受為止以前，在空間内部幾乎 不會被吸收。因此，銥拌奋白 戏于 測，化撼W〜 行光檢測器之光量檢 J依據该先置檢測之結果，例如要進行光學 特性測量等時，能提高該測量精度。 先予 在此情形’能進一步包含：在該保持構件之 檢測器之部分，預先形成貫通孔的步驟；丨 以 從該光檢測器之背面侧，透過該貫通 檢測器之電氣配線向外部拉出的步驟。 I自该先 在本發明之第2氣體清除方法，能進 前述保持構件的步驟。 匕3 .冷部 在此情形，前述保持構件之冷卻，能在 件之前述光檢測器相反側的面連接料帖元件來進保持構 在此情形，能進一步包含：將前述料帖丁之盘 7丨6 70件之與前 12 1222668 述保持構件相反側冷卻的步驟。 在本發明之第2氣體清除方法，能進—步包 先學裝置之該構成零件（與保持構件結合）之與該 : 光透過性構件’將包含該光檢測器之受光面1 工間刀隔成複數個空間的步驟。 形成= 二:種㈣ f明光學系統，係用來以既定波長光照明該光罩；

第1遮蔽構件，係配置於該光罩、及保持該光罩之光 罩保持構件中任—特定物體與該照明光學“之間，以至 少在與該料物體之間形成既定之第丨間隙之狀態下，將 該光罩之該照明光學系統侧之至少包含對應該光罩之圖案 領域的領域之第丨空間與外氣阻隔；及 第1氣體供應系統，係透過形成於該第i遮蔽構件之 供氣用開°，將對該光之吸收特性比吸收性氣體低的特定 氣體供應於該第1空間。

錯此，藉由在光罩及光罩保持構件中任一特定物體與 照明光學系統之間’以形成既定之第1間隙之狀態下配置 的第1遮蔽構件’冑包含光罩之照明光學系統側之至少對 應光罩之圖案領域的領域之第丨空間與外氣阻隔。並且， 藉由第1氣體供應系統，透過形成於第丨遮蔽構件之供氣 用開口，將對既定波長光（曝光用光）之吸收特性比吸收性 氣體低的特定氣體供應於前述第i空間。藉此，能將第i 空間内之氣體置換為特定氣體。因此，能從第i空間内排 13 1222668 除吸收曝光用光之吸收性氣體，因從照明光學系統所照射 之光，幾乎不會被吸收而照射光罩，故能抑制曝光用光之 透過率之降低’而實現高精度之曝光。在此情形，僅使用 能覆蓋照明光學系統與光罩或光罩保持構件之間之第夏* 間的小型帛1遮蔽構件，就能達成與使用大型且重的氣： 型遮蔽容器（光罩載台室）時大致相同程度之效率良好的氣 體置換。因此，能抑制裝置之大型化、重量化。 在此情形，能進一步具備：投影光學系統，係用以將 從該光罩射出之光投射於該基板上； 第2遮蔽構件，係、酉己置於該特定物體與該投影光學系 統之間，在減低對該投影光學系統之振動傳達之狀態下了 將-亥光罩之該投影光學系統侧之至少包含該光罩之圖案領 域之弟2空間與外氣阻隔；及 第2氣體供應系統，係透過形成於該第2遮蔽構件之 供氣用開口將該特定氣體供應於該第2空間。 在此情形，第2遮蔽構件，較佳者為以至少在與前述 特定物體之間形成既定的第2間隙之狀態配置。 ^ 又，在此情形，如申請專利範圍第18項之曝光裝置， 能進一步具備： 第1氣體排氣系統，係透過形成於該第丨遮蔽構件之 排氣用開口將該第丨空間内之氣體向外部排氣；及 第2氣體排氣系統，係透過形成於該第2遮蔽構件之 排氣用開口將該第2空間内之氣體向外部排氣。 在本發明之曝光裝置，前述第1及第2間隙之至少一 1222668 方，能形成為大约3mm以下。 在此情形，能進一步具備··差動排氣機構，從形成於 該第1遮蔽構件之與該特定物體對向之端面的供氣口，將 既定之氣體透過相對於該端面之第丨空間係位於該供氣口 外側的排氣口向外部排氣。 在本發明之曝光裝置，若前述第丨及第2間隙之至少 一方係大約3咖以下時，能進一步具備：差動排氣機構， 從形成於該第2遮蔽構件之與該特定物體對向之端面的供 氣口 ’將既定之氣體向該特定物體供應，並且將該第2間 隙内之氣體透過相對於該端面之第2空間係位於該供氣口 外側的排氣口向外部排氣。 在本發明之曝光裝置，若具備第丄遮蔽構件及第2遮 敝件時’能進-步具備以下兩調整機構之一：設置於嗜 =遮蔽構件之特定物體側之端部，且能將該第i間隙在 第1蔽構件全周進行調整的調整機構；以及設置於該 兮第2二二件之特疋物體側之端部，且能將該第2間隙在 以第2遮蔽構件全周進行調整的調整機構。 在本發明之曝光梦w Ab . ^ 投影光學系絶之門ί “則述第2遮蔽構件與前述 、、之間，形成既定之第3間隙。 在本發明之曝光 , 投影光學李统"，右在則述第2遮蔽構件與前述 排氣ΪΓΓ成第3間隙時，能進一步具備：差動 哪乳機:構，從形成 對向之端面的Μ 、 遮蔽構件之與該投影光學系統 ，並且將該第3間：广!定之氣體向該第3間隙内供應 ’、之氣體透過相對於該端面之第2空 15 1222668 間係位於該供氣口外側的排氣口向外部排氣 =情形，前述第3間隙，能形:為：約。 第2遮蔽構件，能進一步且備=構件外另加上具備 兮笛9 ώ t 、備.差動排氣機構，從形成於 1 2遮蔽構件之與該投影光學系統對 口 内之氣體透過相對於該端面之第子…間隙 側的排氣口向外部排氣。 二間係位於該供氣口外 在本發明之曝光裝置，該第 體對向之端面 ”、、冓件之與該特定物 面=: 遮蔽構件之與該特定物體對向之端 糸句為平面，分別與此等端面對向 皆係平面。 竹疋物體之面亦 ^ H步具備：基板保持構件，係用來保持該美 ’驅動裝置，係包含將該光罩保持 ”“ 動之_源’將該光罩保持構件與 既疋掃描方向同步移動；將該驅動源之反=構件沿 於該第1空間及第2空間之外部。 #分，配置 在本發明之曝光裝置，若且 板保持構件同步移動於既定掃摇方向之二=構件與基 1遮蔽構件之掃描方向之長度，係至少依據該第 光之同步移動二％ 虞在進行該曝 件所移. 速域與減速域中，該光罩保持構 :所移動之助行距離；及該光罩之圖 二：持構 長度來決定。 Α之知描方向的 在本發明之曝光裝置，能進 少侑·第3遮蔽構件 α222668 ’配置於該基板與投影光學系統之間’以至少在與該基板 之間形成既定之第3間隙之狀態下，將該基板之投影光學 系統側之第3空間與外氣阻隔；及第3氣體供應系統，透 過形成於該第3遮蔽構件之供氣用開口將該特定氣體供應 於該第3空間。 在此情形，能進一步具備：差動排氣機構，從形成於 前述第3遮蔽構件之與前述基板對向之端面的供氣口，將 既定之氣體供應於前述第3間隙，同時將前述第3間隙内

之氣體，透過相對於前述端面之前述第3空間係位於前述 供氣口外側的排氣口向外部排氣。 又，本發明之曝光裝置，在前述第丨遮蔽構件與前述 照明光學系統之間，能將對照明光學系統之振動傳達減低 即’在第1遮蔽構件與前述照明光學系統之間，能形成 既定之第2間隙。

〃在本發明之曝光裝置，能進一步具備：差動排氣機 ，從形成於前述第丨遮蔽構件之與前述照明光學系統對 1端面的供氣口，將既定之氣體供應於前述第2間隙， :將則述帛2間隙内之氣體，彡過相對於前述端面之前 第1空間係位於前述供氣口外側的排氣口向外部排氣。 、、在本發明之曝光裝置，能具有：遮蔽構件，配置於 1基板與前述投影光學系、統之間，而不與前述基板與前 投影光學系統接觸，將前述基板與前述投影光學系統之 之包含刖述曝光光束之光路的空間與外氣阻隔。 又，在微影製程，藉由使用本發明之曝光裝置進行 17 1222668 光，則能在基板上精度良好地形成圖案，藉此，能將更高 積體度之微元件以良好之合格率製造。因此，更從別之觀 點來看，本發明亦能稱為使用本發明之曝光裝置的元件製 造方法。 【實施方式】 第1實施形態 以下，依圖1〜圖7(B)說明本發明之第丨實施形態。 在圖1，概略地表示本第i實施形態之曝光裝置1〇〇

之構成。此曝光裝置100,係步進掃描方式之投影曝光裝 置，即所明掃描步進機，將作為能量束之曝光用照明光EL 照射於光罩之標線片R ’將該標線片R與作為基板之晶圓 沿既定之掃描方向（在此，係在圖丨與紙面正交方向之γ車 方向）同步移動’將標線片R之圖案透過投影光學系統p 轉印於晶圓W上複數個照射領域。

此曝光名i 1〇〇，係包含未圖#之光源及作為光學身 置（照明光學系統）之照明單元ILU，具備：照明系統， 曝光用照明光(以下，稱為「曝光用光」）el照明標線片 ，標線片載台RST，用來保持標線片R之光罩保持構件； 投影光學系統PL，將從標線片R射出之曝光用光el投身 於晶圓w上；晶圓載台WST，用來保持晶圓w之基板保类

構件；此等之控制系統；及支持架台BD《，用來支 各部。 第1架台34，具有複數個 34A(透過複數個（在此，例 前述支持架台BD，係具備： (在此’例如3個或4個）腳部 18 1222668 如3個或4個）第1防振單元43設置於淨潔室地板F上）， 與鏡筒盤（亦稱為主架）34B(以該腳部34A大致水平地支撐） :及第2架台32,具有複數個支持構件21(設置於構成該 第1架台34天板之鏡筒盤34B上面且沿z軸方向延伸）， 與標線片載台盤27(以該複數個支持構件21支撐使其上面 大致水平）。在弟1架台34之鏡筒盤3 4B下方，透過複數 個第2防振單元41將平板狀晶圓載台底座Bs(將上面設定 為高平坦度）配設於地板F上方。 前述光源，在此，係使用發射屬於波長約12〇nm〜約 _ 180nm之真空紫外域之光的光源，例如輸出波長之 氟雷射光（F2雷射光）。光源，係透過將光軸調整用光學系 統（稱為光束調整組）包括在一部分的未圖示之送光光學系 統，連接於構成照明單元ILU之照明系統殼2的一端。照 明系統殼2,實際上，係具有全體大致L字狀之形狀，沿 圖1紙面後側延伸既定距離，從該處沿下方延伸。 前述光源，實際上，係設置於與潔淨室（設置包含照明 單το ILU及投影光學系統pl等在内之曝光裝置本體）另外籲 之低潔淨度之服務室，或是潔淨室地板下之公用設施區域 專又，光源，亦可使用輸出波長146nm之氪二聚體 (Krypton dimer)雷射光（Kr2雷射光）、輸出波長126nm之 · 氬二聚體（Argon dimer)雷射光（Ar2雷射光）等其他真空紫 ·· 外光源，或疋，亦可使用輸出波長1 ggnm之Arj?準分子雷 射光、輸出波長248nm之KrF準分子雷射光等。 刖述照明單元ILU，係構成為包含：照明系統殼2，用 19 1222668 2將内部從外部隔離；及照明光學系統由照度均句化光 學系統（包含以既定之位置關係配置於殼内部之光學積分 器在内）、中繼透鏡、可變ND濾光片、標線片遮簾、及光 路、疋射用鏡等（均未圖示）組成。又，光學積分器，係使用 複眼透鏡’桿式積分器(内面反射型積分器），或繞射光學 一牛等本實細*形悲之照明單元，係例如與揭示於曰本專 :特開平6-349701號公報等之構成相同之構成。在照明 早儿〗LU’將形成電路圖案等之標線片尺上之狹縫狀照明 領域(前述標線片遮簾所限制且沿叉轴方向延伸細長之狹縫 狀領域），藉由曝光用光EL以大致均勻之照度照明。 又，在照明系統殼2内之標線片R側端部附近，如圖 所不’配設平板狀之光透過窗構件2q。此光透過窗構件 ，係具有使來自照明單元ILU之曝光用光el透過，並且 Πη照明系統殼2内為氣密狀態的機能。又，光透過窗構 牛二〇不限定於平板狀者，藉由將構成照明單元⑽之任一 通鏡氣密地固定於昭明系 ❿ 過窗構件之代替亦;、。…2,以該透鏡作為上述光透 昭声A上述照明單疋ILU之光學構件中，透鏡或如 =勾化光學系統、光透過窗構件別等透過曝光用光 冓件材料，較佳者為例如使用對真空紫外光具高透過 1〇石。但是，在-部分，亦可使用將氫氧基排除至 ，下程度，而含有氣1%程度之氣推雜石英 :央）。又’並不限於敦摻雜石英，亦能使用通常 或僅是氫氧基少之石某，，止、 便用通'之石央 、 進 乂添加氫氣之石英。又，亦 20 1222668 可使用氟化鎂、氟化鋰等之氟化物結晶。 又，在前述送光光學系統或照明單元ILU内之維護時 ’為避免從外部渗人之空氣，擴散至維護對象之空間以外 ，在送光光學系統與照明單元ILU之邊界部分，設置分隔 窗亦可。又，亦可將上述之分隔窗，以設置於送光光學系 統與照明單元ILU内之任意光學構件代用，將送光光學系 統與照明單元ILU内分離為複數個氣密空間。 ，前述標線片載台RST，係具有俯視（從上方看）呈矩形 之形狀’在構成第2架台32之標線片載台盤U上方，透 過未圖示之氣體靜塵軸承浮起支撐。在標線片載台rst之 中央部，如從圖i之標線片R附近之放大截面圖得知，形 成俯視(從上方看)呈矩形之附段開口…在該附段開口 Μ 内緣部附近之複數個部位設置更高—階之真空吸附部53a :糟由分別設置於此等複數個真空吸附部咖之未圖示的 续^附機構（真空夹具），將標線片^及附保持。在此標 兮之圖案面(下面），設置矩形狀之薄膜架Μ 該薄膜架57下面之镇蹬u 銥丄# 塵埃等之附著。4膜56。精由薄膜56能防止對圖案面 在標線片載台RST之Y金占士 a 1 1之x軸方向兩端部，如圖1所示， =置γ軸線性馬達（作為驅動裝置）24A、24B hy轴線性馬請、24B之定子26a、26b，= :定長度延設，Y轴方向。此等定子心，，係愈= 线架台BD另外固定於地板F，分別以馬達支持構件 、3職上下方向當作長邊方向而配置)支撐。在此情形， 21 1222668 動子25a、25b，係藉由分別在定子26a、2讣間所產生之 電磁力，沿Y軸方向驅動，藉此標線片載台RST，在標線 片載台盤27上以既定行程沿γ軸方向驅動。又，標線片載 台RST，係構成為藉由使γ軸線性馬達24Α、24β之產生推 力稍微不相同，而能在χγ面内作微小驅動（含旋轉）。 又，在上述，γ軸線性馬達24A、24B之定子26a、26b 係透過馬達支持構件31a、31b在地板F上方支撐，而將定 子所產生之振動透過馬達支持構件31a、31b向地板側釋放 的構成說明。然而，不限於此，例如，亦可將定子26a、 · 26b及標線片載台盤27，對各支持構件透過氣體靜壓軸承 浮起支撐。若如此作，則按照標線片載台RST驅動時之反 作用力而驅動定子26a、26b，保存包含標線片載台RST、 定子在内之系統的運動量，而能防止起因於上述反作用力 之定子之振動。又，在此情形，因亦不產生重心之移動， 故亦能防止所謂偏載重之產生。 又，定子連接於標線片載台盤27上時，藉由將標線片 載口盤27與前述同樣構成為對支持構件能相對移動，同樣鲁 能有效地抑制標線片載台盤27之振動。藉此，能使伴隨標 線片載台RST沿Υ軸方向驅動所產生的反作用力給與投影 光學系統PL之影響減輕。 · 剞述標線片載台RST，如圖3(A)所示，在其上面之—γ · 側端部，將沿Χ軸方向延伸之平面鏡所組成之標線片γ移 · 動鏡37Υ固定，對該移動鏡37γ，將來自設置於標線片載 · 口盤2 7之;^線片γ干涉计3 〇的測長光束垂直照射。又， 22 1222668 在前述標線片載台RST上面之—x側端部附近，將沿γ袖 方向延伸之平面鏡所組成之標線片χ移動鏡37χ固定，對 該移動鏡37Χ’將來自未圖示之標線片χ干涉計的測長光 束垂直照射。 干涉計，將標 置，例如能以 藉由此等標線片γ干涉計30、標線片X 線片載台RST t γ軸方向位置、χ軸方向位 〇· 5〜lnm程度之分解能分別經常檢測。 亦可將標線片載台RST之端面鏡面加

形成反射面（相當於前述移動鏡之反射面）。又，替代用^ 作才示線片载台RST掃描方向（在本實施形態係γ軸方向^ 位置檢測的移動鏡37Υ，亦可使用至少1個直角反射型鏡 例如’逆反光鏡）。在此，標線片γ干涉計3G與標線片 干涉計中之-S，例如標線片Η涉計3Q，係具有2轴須 之2軸干涉計，依據此標線片γ干涉計3G之測量值， 除能測量標線片載台RST之γ位置外，亦能測量θζ方向戈 旋轉。 以上述標線片X干涉計、標線片γ干涉計3〇所測量之 ^片載纟RST之位置資料（或速度資料），即標線片r之 2資料(或速度資料)則供應至未圖示之控 本上餘料性馬達24A、24B，使此等標線片干 "叶所輪出之位置資料（或速度資料）與控制目標值一致。 回至圖卜在照明單元ILU與標線片载台NT之間， 線片：!片載自"Γ上方，設置第1遮蔽機構1〇卜在標 。RST與投影光學系統PL之間，即在標線片載台 23 1222668 RST下方，設置第2遮蔽機構ι〇 望^ 対此荨遮蔽機構之構成 專，將詳述於後。 前述投影光學系統PL，係將由整石、& 1 物姓曰 货石、鼠化鋰等之氟化 物、、、口日日所成之透鏡或反射鏡組成的光學 „ ^ 兀予糸統，以鏡筒19密 閉者。投影光學系統PL，在此，作為一加〆 、、n 1 例，係使用兩側遠 〜且投影倍率β例如1/4或1/5之折射系 — 外耵糸統。因此，如前述 ，右以來自照明單元ILU之曝光用杏！π Μ 心幣尤用丸£L照明標線片R，其 照明領域部分之標線片r上之圖荦， ? ^ 圃茶以投影光學系統PL縮 小投影於晶圓W上之照射領域之一邱八 ^丄 丄r 只錯，形成以前述曝光 用光E L所照明之圖案部分的縮小像（部分像）。 前述投影光學系統PL，係插入於俯視（從上方看）呈圓 形之開口 (以其光軸方向為z軸方向且形成於鏡筒請之 中央）内，透過設置於1t 狀又直度方向之中央稍下側之凸緣㈣ 固定於鏡筒盤34B。 又’投影光學糸統PL，不限於批私会 个限於折射糸統，亦能使用反 射折射系統、反射系統中之任一系統。 前述晶圓載台WST，係以去R -々曰间 你以禾圖不之晶圓驅動系統（例如 ，係磁氣浮動型或以加壓痛獅 一 缓乳體之靜壓洋動之氣體浮動型之 線性馬達專所構成之驅動梦罟、...^ >軔衷置），沿前述晶圓載台底座Bs 之上面且非接觸地在χγ面内驅動自如。 晶圓載台m，實際上，係具備：XY台，在上述之χγ 面内驅動（含θζ旋轉）自如；基板载台等，搭載於此ΧΥ台 上’用以保持晶圓Α丨 , 阅〃在基板台上設置未圖示之晶圓保持 器，藉由該晶圓保持々丨上 于為例如以真空吸附來保持晶圓W。基 24 1222668 板台，藉由未圖示之驅動系統，沿Z軸方向及對χγ面之傾 斜方向微小驅動。如此，晶圓載台WST，實際上，雖包含 複數之台、載台而構成，但是在以下，係將晶圓載台WST 當作：能以晶圓驅動糸統朝X、Y、Z、X軸周圍之旋轉之㊀x 、丫軸周圍之旋轉之ey、及θζ方向的6自由度方向驅動的 單一載台來說明。 晶圓載台WST之位置資料，係透過設置於晶圓載台 WST上面之移動鏡16’藉由晶圓雷射光干涉計（以下，稱為 「晶圓干涉計」）20 ’例如以〇· 5〜lnm程度之分解能經常測 泰 量。 又’實際上，移動鏡，係設置有：X移動鏡，具有正 交於X軸之反射面；及Y移動鏡，具有正交於γ軸之反射 面；對應於此，雷射光干涉計，亦設置有：X方向位置測 量用之X雷射光干涉計，及γ方向位置測量用之Y雷射光 干涉汁，但是在圖1係由移動鏡16、晶圓干涉計2 〇來代 表此4構件而圖示。又，例如，亦可將晶圓載台WST之端 面鏡面加工來形成反射面（相當於移動鏡16之反射面）。又 _ ，X雷射光干涉計及γ雷射光干涉計，係具有複數支測長 軸之多軸干涉計，除能測量晶圓載台WST之X、γ位置外， 亦能測量旋轉（偏搖（係Z軸周圍之旋轉、θζ旋轉），縱搖（ 係X軸周圍之旋轉、0Χ旋轉），橫搖（係γ軸周圍之旋轉、 . θγ知:轉））。因此，在以下之說明，設定以雷射光干涉計2〇 · ，能測量晶圓載台WST之X、Υ、θζ、ey、θχ之5自由度方 向的位置。又，多軸干涉計，亦可透過傾斜45。且設置於 25 1222668 晶圓載台WST之反射面，脾蕾L ^ 卸將雷射先束照射於載置投影光學 系統PL之架台（未圖示）所設置的反射面，來檢測投影光學 系、·先PL之光軸方向（z軸方向）相關之相對位置資料。 上述來自晶圓干涉計20之晶圓載台WST的位置資料（ 或速度資料）係送至未圖示之控制裝置，在控制裝置，依 據晶圓載纟WST之位置資料（或速度資料）透過晶圓驅動系 統來驅動晶圓載台WST。 4在晶圓載台WST與投影光學系統PL之間，設置第3遮 蔽機構1 03。對该第3遮蔽機構1 03之構成等將於後述。 修 控制系統，主要係以未圖示之控制裝置所構成。控制 裝置，係包含由CPU(中央運算處理裝置），R〇M(唯讀記憶 體）RAM(皈機存取記憶體）等組成之所謂微電腦（或工作站 )構成除執行上述各種控制動作外，為要使曝光動作 確進行例如控制標線片R與晶圓之同步掃描，晶圓 W之步進等。 /、體而a，控制裝置，例如在掃描曝光時，同步於標 線片R透過標線片載台RST以速度VR=V沿+γ方向（或一γ方鲁 向）掃描，透過晶圓載台WST使晶圓w對曝光領域以速度 Vw=P · ν(β ’係標線片R對晶圓W之投影倍率）沿一γ方向（ 或+Υ方向）掃描，分別依據標線片干涉計、晶圓干涉計2 0 之測量值控制γ軸線性馬達24Α、24Β，透過晶圓驅動系統 / 控制標線片載台RST、晶圓載台WST之位置及速度。 · 又’在步進時，控制裝置，係依據標線片干涉計及晶 圓干’V。十2 0之測量值，透過晶圓驅動系統控制晶圓載台 26 1222668 WST之位置。 然而，若要將真空紫外域之波長光當作曝光用光之情 形，則需要從其光路排除對如上述波長帶域之光具有強吸 收特性之氣體（如氧氣、水蒸氣、碳氫化合物系之氣體等 ’以下，適當稱為「吸收性氣體」）。因此，在本實施形 態，實施將從光源至晶圓W之光路上之全部空間内部的吸 收性氣體極力排除之改善。對此，將詳述於後。 其次，就前述第1〜第3遮蔽機構（101、102、103)說 明。 Φ 前述第1遮蔽機構1 〇 1 3照明糸統側氣體清除側緣2 2而構成，係由設置於標線片 R上方，且XY截面矩形框狀之一方之面（在圖1係下面）擴 及全面開口，而另一方之面（在圖i係上面）之中央部開口 ，全體而言厚度薄之直方體狀構件所構成的遮蔽構件。此 照明系統側氣體清除側緣22，係配置於特定物體（標線片R 及保持該標線片R之標線片載台RST中任一者）與照明單元 ILU之間，α至少纟與前述特定物體之間形《既定之間隙 的狀態下，將標線片R之照明單& ILU側之至少包含對應 標線片R之圖案領域的領域之空間與外氣阻隔。 照明系統側氣體清除側緣22，係將其上端面❿固定 於照明單元ILU之，昭明糸播私9々μ 、月糸統设2之標線片側端部（下端部） ’其下端© 22b，係不接觸地接近於標線片載么脱之上 面（照明單元ILU側之面）而配 P 在照明糸統側氣體 月除側緣22之下端面22b與標線.片載台RST之上面之間， 27 1222668 形成既定之間隙。在此情形，照明系統側氣體清除側緣22 與照明單元ILU與標線片載台RST之間，則形成空間IM， 作為大致氣密狀態之第1空間。 、在此空間1M’為要確保高氣密性，前述間隙係越狹窄 越佳。但是，標線片載纟RST，因伴隨掃描而有產生上下 振動之虞，故為避免即使產生上下振動時的標線片載台 τ與照明系統側氣體清除侧緣22之接觸，需要設置某程 度之間隔。其間隔，雖依各機構之構成而#，但從氣密性 觀點來看，上述間隙較佳者為最大3mm以下。 又亦可設置：配置於照明系統側氣體清除側緣22盘 標線片載台Ι?ςΤ + Βθ 山立 4 ’且位於照明系統侧氣體清除側緣22 ^ 例如將伸縮自如之波紋構件作伸縮驅動及傾斜 驅動的驅動梦署 Μ 藉由以該驅動裝置將波紋構件作伸縮及 傾斜驅動央^卩日 s隙，使擴及照明系統側氣體清除側緣2 2 全周大致均勻。

在圖4，I ^ 表不標線片載台RST之俯視圖。如該圖4所 不’照明系統側氣體清除側、緣22，係沿Υ軸方向形成長矩 框形狀。為何昭 4明糸統側氣體清除側緣22係如此將γ軸方 向設定為長开彡，θ ϊ ’、丨依據以下之理由。即，在本實施形態， 雖將才不線片R(標線片載台RST)沿Υ軸方向掃描（scan)，但 為要防止標線片R之污$，即使標線片載台RST沿Y軸方 向掃描時，临& 士 & 各有4示線片R之附段開口 5 3，則需要經常收 納於照明系統側氣體清除側緣22内部。另一方面，若是γ 軸方向長度(圖4所示之長度SY)不足，伴隨掃描，標線片 28 1222668 R與附段開口 53會有從照明系統側氣體清除側緣22脫離 之可能性，若脫離時，則在照明系統側氣體清除側緣22之 下端部22b與標線片R之間產生大間隙，使空間IM之氣密 性不能維持。然而，空間IM，因係光源至晶圓W之光路上 的空間，為要使後述之氣體清除有效地進行，需要確保某 程度以上之氣密性，故必須避免如上述情形。 上述長度SY，具體而言，係將標線片r之圖案領域之 Y軸方向長度，照明標線片R之照明領域之γ軸方向長度（ 所4狹縫寬度），與伴隨掃描之助行距離（在進行曝光之同籲 步移動時前後之加速域與減速域，標線片載台RST要移動 之助行距離’即所謂前掃描距離與後掃描距離之和）加起 來的長度合計來決定，具體而言，若標線片R係6吋見方 (15〇mm見方）之尺寸時，照明系統側氣體清除側緣22内部 之Y轴方向長度SY，則需要250mm程度以上。 另方面’照明系統側氣體清除側緣2 2之X軸方向長 :sx，因標線片載台RST沿X軸方向不像沿γ軸方向驅動 侍大’故在標線片R(或附段開口 53)之大小設置多多少少· 、裕即可’例如若標線片R係6吋見方（150mm見方）之 尺寸時，長度SX可設為180mm程度以上。

、乂又為了確保空間IM之氣密性，即使標線片載台RST 主軸方向掃描，需要將標線片載台RST以照明系統側氣 · ::除側緣22繼續覆蓋之程度的大小。因此，標線片載台 向王長（圖4所示之長度RYi)，需要將照明系 氣體/月除側、緣22内側之γ軸方向長度SY、照明系統 29 1222668 側氣體清除侧緣22侧壁厚度之兩倍、和標線片载台阶 Y方向掃料度加起來的長度總計以上的長 之 / , , X 丹體而士 ，列如，若標線片R係6吋見方（15〇mm見方）之尺 5 則需要使標線片載# RST < γ軸方向之全長 ^ ’ 600mm以上。 w又疋為

又，為要避免因標線片載台RST之掃描所引 片載台RST與照明系統側氣體清除側緣22之接觸，標 載台RST之表面形狀，至少相對於γ軸方向需要平2 ^ 用數式表示此條件，標線片載台RST表面之z位置對 向位置的函數Z=f(Y)，則相對於Υ需要一定。 另一方面，標線片載台RST之表面形狀，相對於乂轴 方向係不需要4平坦，雖亦可具段差或彎曲，但在該情 形’需要將照明系統側氣體清除側緣22之下端面22b加: 成與標線片載纟RST之表面形狀大致相同之形狀，若站在 加工性之觀點來看，變成非常複雜。因此，對標線片載台 RST之X軸方向之表面形狀，較佳者亦為平面。

又’在此情形，需要採用：使包含在空Γθ1⑽内之構件 ’例如配置於標線4 R或其他標線片周邊之構件全部，不 從標f片載台RST上面向上側露出之構造（參閱圖3⑻）。 月1j述第1遮蔽機構m，除上述照明系統側氣體清除 側緣22外’亦具有配管系統或差動排氣機構等，用來有效 地進行空間IM内之氣體置換’但是對此等機構將詳述於後 所示，具備投影系統 前述第2遮蔽機構1〇2，如圖 30 1222668 側氣體清除側緣28，係透過設置於鏡筒盤34B上之複數個 /月除側緣保持機構29，保持於標線片載台RST下方的遮蔽 構件。投影系統側氣體清除側緣28，該上端面28a，係以 不接觸於標線片載台RST下面（投影光學系統pL側之面）的 方式接近配置，其下端面28b，係以不接觸投影光學系統 PL之鏡筒19 i端面的方式接近配置。即，在投影系統側 氣體巧除側緣28之上端面28a與標線片載台RST下面之間 杈衫系統側氣體清除側緣28之下端面2讣與投影光學系 統PL之間，分別形成間隙。 在此it $ ’藉由投n统側氣體清除侧緣28、標線片 載台RST、標線片R、及投影光學系统pL，形成大致氣密 狀態之空間MP。 上返間隙

係與前述照明單元ILU及標線片 台RST之間之間隙同樣，越狹窄越佳，但是，即使伴隨 線片載口 RST之知描方向移動產生上下振動，因需要避 标線片載口 RST與投影系統側氣體清除側緣^之接觸，

=某程度之間隔。此情形之間隙，較佳者為與上述同 没疋於 3mm以下。亦力从此… 丌在此情形，亦可在投影系統側氣體 除側緣28上端㈣’設置波紋構件及將該波 =:動之驅動裝置，擴及投影軸^ 知面28a全周大致均勻地設定間隙。 投影系統側氣體清除側緣28上端部之 係設定為與上述昭明糸 穴J # (即，内㈣Υ 氣體清除側緣22之下端部始 轴方向長度SY，X轴方向長度sx之她 31 1222668 形框狀）。採用此種形狀、大小之理由，係與照明系統側 氣體清除側緣22之之情形相同，故省略其說明。 又’在此情形’為要避免伴隨標線片載台rst之驅動 ’標線片載台RST與標線片r接觸於投影系統側氣體清除 側緣28，需要採用：使薄膜56，或其他標線片周邊之構造 物全體不從標線片載台RST突出於下側之構成（參閱圖 3(B))。 另一方面’投影系統側氣體清除側緣28下端面28b之

形狀係圓形框狀。此理由，係因投影光學系統pL之鏡筒 1 9具有圓筒形狀’且其上端面形狀為圓形框狀，故站在空 間MP之氣練之觀點來看，較佳者為使投影系統側氣體清 除侧緣28下端面28b’形成為與投影光學系統pL之鏡筒 19上端面相同之形狀。 π叫' w乐1米台；Η，故

氣體清除側緣28與投影光學㈣pL，亦透過 i…封構件能氣密地接合(固定）。但是，若 側氣體清除側緣28藉由標線 〜 其振動傳達至投影光學系統pL，二=動等振動， 情形，較佳者為如本實施形態離：::像㈣惡化之虞 此間隙，亦盥上開既疋之間隔接近配置 才二上述同樣，較佳者為設定在3咖以下。 ^而，在曝光裝置，因需要 線片交換，故需要採用邊維持空==片/適宜與其他 ，邊=換標線U的標線片交換機構。工間MP之氣密. 為要實現上述需要，亦能採 卜之構成·例如，/ 32 1222668 照明系統側氣體清除側緣22側壁之一部分，設置能開閉之 標線片搬送窗（未圖示），透過此標線片搬送窗，藉由以未 圖不之標線片裝載機，將標線片r搬出空間IM外部，而將 新標線片搬入空間IM，來進行標線片；或是，標線片R全 體’即使向照明系統側氣體清除側緣22及投影系統側氣體 清除側緣28之Y軸方向外側突出，要將標線片載台RST之 Y軸方向掃描行程取大，使照明系統侧氣體清除側緣22及 投影系統側氣體清除側緣28能繼續覆蓋，以從照明系統側 亂體清除側緣22及投影系統側氣體清除側緣28將標線片_ R王體大出之狀態，使用設置於照明系統側氣體清除側緣 22外側的標線片裝載機，來進行標線片交換。 又在此情形’若將標線片交換時之標線片載台rST 之移動方向，設定於一γ方向之情形，亦在標線片交換時， 為使照明系統側氣體清除側緣22及投影㈣側氣體清除側 緣28與標線片載纟RST之間之氣密性能保持（即，即使標 線片R全體突出於照明系統側氣體清除側緣22及投影系統 側氣體/月除側、緣28之外側時，不使標線片載台RST之+γ · 側端4超越照明系統側氣體清除側緣Μ及投影系統側氣體 月除側緣28之+γ側之側壁），需要將標線片載台聊之γ 軸方向長度(具體而言，係從圖4所示之標線片r加+Y側’ 之長度）設定為充分長。 € 於是’在照明系統側氣體清除側緣22，如圖2所示，. 連接4種配管：第1供氣管60、帛1排氣管61、及第2供 氣管72、第2排氣管73。 33 1222668 在圖5(A) ’將照明系統側氣體清除側緣22之 山 22b與標線片載台RST接近配置之部分，以截面圖表示， 在圖5(B)，將照明系統側氣體清除側緣22接近標線片載 台RST之面（下端面22b)之一部分放大表示。又，圖5(A) ’係相當於圖5(B)之A-A線截面。 前述第1供氣管60，如圖5(A)所示，係對貫通孔 251 (從照明系統側氣體清除側緣22之側壁外側，連通於内 側所形成的供應用開口），透過連接器75從照明系統側氣 體清除側緣22外側連接。在與貫通孔251之與第丨供氣管 60相反側設置供氣嘴76。 前述第1排氣管61，雖未圖示，但與上述第丨供氣管 60同樣，對貫通孔（從照明系統側氣體清除側緣22側壁外 侧，連通於内侧所形成之未圖示的排氣用開口），透過連 接器從照明系統側氣體清除側緣22外側連接。 如本實施形態，在使用真空紫外域之曝光波長的曝光 裝置，為要避免氧氣、水蒸氣等吸收性氣體所產生之曝光 用光的吸收，空間IM内之氣體則需要以低吸收性氣體置換 。因此，在本實施形態，使用第！供氣管6〇及第i排氣管 61 ’以對真空紫外域之光具有吸收少之特性的特定氣體， 例如氮氣，及氦、氬、氖、氪等之稀有氣體，或此等氣體 之混合氣體（以下，適當稱為「低吸收性氣體」）填滿。 即’如述第1供軋管6 0之另一端，如圖2所示，係連 接於氣體供應裝置50之一端，第丨排氣管6丨之另一端係 連接於未圖示之氣體回收裝置。在第丨供氣管6〇、第i排 34 1222668 氣管61，分別設置未圖示之供氣閥及排氣閥，藉由未圖禾 之控制裝置適當控制供氣閥、排氣閥之開閉，及内設於氣 體供應裝置50之泵之啟動、停止，使低吸收性氣體填充於 空間IM内，其内部之吸收性氣體濃度係降至數ppm以下之 濃度。又’亦可將低吸收性氣體經常流動於空間IΜ内。 前述第2供氣管72之一端，如圖5(A)所示，對形成 於照明系統側氣體清除側緣22之側壁内部的截面l字狀的 供氣管路167,透過連接器65連接。連接該第2供氣管72 之一端的供氣管路167之另一端側，係在連通於供氣用環 狀凹槽67(作為形成於照明系統側氣體清除侧緣22之下端 面22b的供氣口）之狀態。在此情形，供氣用環狀凹槽67 ，係設定為其寬度例如卜3mm程度，其深度例如卜3咖程 度。 7又，第2排氣管73之一端，對形成於照明系統側氣體 清除側緣22側壁内部的截面L字狀的排氣管路168，透過 連接器66連接。連接此第2排氣管73之一端的排氣管路 168 ’係形成連通於作為排氣口之排氣用環狀凹槽⑽（相對 於照明系統側氣體清除侧緣22之下端面娜的空間Μ， 系I成於别述供氣用環狀凹槽67外側）之狀態。在此情形 丄才非氣用環狀凹槽68，就與供氣用環狀凹槽67同樣，設 定為其寬度例如"mm程度，其深度例如"_程度。： 衣狀：：67、68間之間隔，能設定為5〜2。随程度。又 站在乳錢確保之觀點，較佳者為因應照明系統側氣體 清除側緣22之側壁厚度，設定為盡量寬。 35 1222668 在此，帛2供氣管72之另一端，如圖2所示，係連接 於低吸收性氣體之供應裝置80,第2排氣管73之另一端 係連接於真工泵79。並且’藉由未圖示之控制裝置適當押 制内設於供應裝置80之泵及真空果Μ之啟動、停止，: 圖5⑷所示，將透過第2供氣管72及供氣管路167所供 應之低吸收性氣體，從環狀凹槽67供應至照明系統側氣體 清除側緣22之下端面22b與標線片載台rst之間的間隙 W，其間隙D1内部之氣體，透過環狀凹槽68、排氣管路 168、及第2排氣管73向外部排氣。即，包含第2供氣管 72及第2排氣管73在内之氣體流路，主要係第2供氣管 72=氣管路167〜環狀_ 67—間隙μ—環狀凹槽I 排氣管路1 68"->第2 i非裔答7q , . 排孔e 73 ’在間隙D1中，形成從照明 糸統側氣體清除側緣22 _(即空@ IM側）向外侧之氣體 流路。藉此’將對照明系統側氣體清除側緣2 2内側(空間 IM)之來自外側之氧氣戋水墓 一 “、、軋的&入，能以上述氣體流路 遮斷，對提高空間内之、、主^ M & / 尸曲 内之/月除性能（即，氧氣濃度、水墓 氣丨辰度之減低性能)有極大效果。又，環狀凹槽67所供應 之低吸收性氣體之-部分會滲入空間IM内。又，環狀凹槽 68 ’則將照明系統側氣體清除側緣22外部之氣體之一部I 透過間隙D1排氣。 77 又，實際上，在環狀凹槽67、68形成複數 個）供氣管路及排氣管路，在 v 管及第2排氣管，然而在 ^刀另’、接第2供氣 你圃為說明及圖示之方#，蝥 2供氣管及第2排氣管係分 便苐 刀α連接各1條於照明系統側氣 36 1222668 體清除側緣22來表示。 · 又，環狀凹槽並不限於如上述形成2個凹槽，亦更能 將2個槽組合成複數個，來形成4層或6層···之槽。 又，透過第2供氣管72供應至間隙之氣體，並不限於 上述低吸收性氣體，例如在來自間隙之氣體排氣量比對間 隙之氣體供應量大，而供氣用環狀凹槽67所供應之氣體不 能滲入空間IM内之情形，亦可使用加壓空氣等低吸收性氣 體以外之氣體。 在前述投影系統側氣體清除側緣28，如圖2所示，分 _ 別連接第1供氣管77，第i排氣管78，第2供氣管81、 82，及第2排氣管82、84。 在圖6(A)，將投影系統側氣體清除側緣28之上端面 28a與標線片載台RST接近配置之部分，以截面圖表示， 在圖6(B)，將投影系統側氣體清除側28 統 '之鏡筒19接近配置之部分，以截面圖表示：先干糸 前述第1供氣管77 ’如圖6(A)所示，係對貫通孔252 (對投影系統側氣體清除側'緣28側壁’從外側連通於内側· 所形成的供應用開σ )，透過連接器86從投影系統側氣體 清除側緣28外側連接。又，在貫通孔252之與第i供氣管 77相反側，設置供氣嘴87。 · 前述第1排氣管78，雖未圖示，但與上述第j供氣f / 77同樣，對貝通孔(對投影系統側氣體清除側緣μ側壁， 從外側連通於内側所形成），透過連接器從投影系統側氣^ 體清除側緣28外側連接。 37 1222668 如本實施形態，在使用真空紫外域之曝光波長之曝光 裝置，為要避免氧氣、水蒸氣等吸收性氣體所產生之曝光 光的吸收，空間MP内之氣體則需要以低吸收性氣體置換 用 因此，在本實施形態，使用第1供氣管77及第1排氣管 7 8將空間MP内以低吸收性氣體填滿。 即’前述第1供氣管77之另一端，如圖2所示，係連 接於氣體供應裝置50，第1排氣管78之另一端係連接於 未圖示之氣體回收裝置。在第1供氣管77、第1排氣管78 ’为別没置未圖示之供氣閥及排氣閥，藉由未圖示之控制 裝置適當控制供氣閥、排氣閥之開閉，及内設於氣體供應 裝置50之泵之啟動、停止，使低吸收性氣體填充於空間 MP内，其内部之吸收性氣體濃度係降至數卯爪以下之濃度 。又，亦可將低吸收性氣體經常流動於空間Mp内。 則述第2供氣管81之一端，如目6(a)所示，對形成 於投，系統側氣體清除側緣28之側壁内部的截面L字狀之 仏乱：路169 ’透過連接器88連接。連接該帛2供氣管 ^知的供氣管路169,係在連通於供氣用環狀凹槽厲 料Μ於投料、統職體清除側緣28之上端 狀態。在此情形，供氣用環狀凹槽1?〇,係設3 /、寬度例如1〜3_程度， - /、冰度例如1〜3mm程度。 又，弟2排氣管§ 2之一總，斜、 清除側緣28之側壁内部 字^成於投影系統侧氣體 過連接ϋ 89連接。連接之排氣管路171，透 路171，係形成、隶、s 2排氣官82之一端的排氣管 ^ 、於作為排氣口之排氣用環狀凹槽172( 38 _ 28 28a ^^Fa1 广》成於供氣用環狀凹槽17〇外側)之狀態。在此情形 =氣用環狀凹槽172，與供氣用環狀凹槽Μ同樣，設 疋：其寬度例％卜^程度，其深度例如"丽程度。又 肖、凹槽170、172間之間隔，能設定為5〜2〇臟程度。 站在孔在性確保之觀點來看，較佳者為按照投影系統 側乳體清除側緣28之側壁厚度，設定為盡量寬。 义在此帛2供氣官81之另一端，如圖2所示，係連接 二引述仏應波£ 80 ’第2排氣管82之另-端係連接於真 工泵79。並且’藉由未圖示之控制裝置適當控制内設於供 應裝置8〇之泵及真空泵79之啟動、停止，如圖6(A)所示 過帛2供氣管81及供氣管路1 69所供應之加壓氣體 攸％狀凹槽170供應至投影系統側氣體清除側緣28上端 面28a與;^線片載台Rs丁下面之間的間陽：μ，其間隙μ ㈣之氣體’透過環狀凹槽172、排氣管路171、及第2排 ^管82向外部排氣。即，包含第2供氣管81及第2排氣 官82在内之氣體流路，主要係帛2供氣管8“供氣管路 169—供氣用環狀凹槽17〇—間隙：D2—排氣用環狀凹槽 Π2—排氣管路171 —第2排氣管82，在間隙中，形成 從投影系統側氣體清除侧緣28内側（即空間Mp側）向外側 之氣體流路。X，環狀凹# 17〇所供應之低吸收性氣體之 一部分會渗入空間MP内。又，環狀凹槽172,則將投影系

統側氣體清除側緣28外部之氣體之—部分透過間隙D 氣。 39 1222668 前述第2供氣管83之一端，如圖6⑻所示，對形成 於投影系統側氣體清除側緣28之側壁内部的截面l字狀之 供氣管路173,透過連接器90連接。連接此第2供氣管83 之一端的供氣管4 Π3,係形成連通於供氣用環狀凹槽 Π4(形成於投影系統側氣體清除側緣28之下端面⑽作為 供氣口）之狀態。在此情形，供氣用環狀凹槽174，係設定 為其寬度例如卜3则1程度，其深度例如卜3随程度。 又，第2排氣管84之-端，對形成於投影系統側氣體 清除側緣28之側壁内部的截面[字狀之排氣管路μ，透 過連接器91連接。連接此第2排氣管84之—端的排氣管 路175,係形成連通於作為排氣口之排氣用環狀凹槽176( 相對於投影系統側氣體清除側緣28之下端面挪的空間 MP’係形成於供氣用環狀凹槽174外侧）之狀態。在此情形 ’排氣用環狀凹槽176與供氣用環狀凹槽174同樣，設定 ，其寬度例如卜3mm程度，其深度例如"随程度。又， 環狀凹槽174、176間之間隔，能設定為5〜20_程度。又 ，從氣密性確保之觀點來看，與上述同樣，較佳者為按昭 投影糸統側氣體清除側緣28之側壁厚度，設^為盡量寬。 、在此，第2供氣管83之另—端，如圖2所示，係 於前述供應裝置80，第？姑*鸽w 处 — 2排虱$ 84之另一端係連接於真 一 、’且，藉由未圖示之控制裝置適當控制内設於供 應裝置8〇之泵及真空栗79之啟動、停止，如圖6⑻所： 供氣管83及供氣管路173所供應之加壓氣體 從％狀凹槽1 74徂_ e m ^ 4供應至投影系統側氣體清除側緣28下端 40 1222668 面28b與標線片載台RST下面之間的間隙！)3，其間隙D3 内部之氣體，透過環狀凹槽176、排氣管路175、及第2排 氣管84向外部排氣。，包含第2供氣管83及第2排氣 官84在内之氣體流路，主要係第2供氣管83—供氣管路 173—供氣用環狀凹# 17D3〜排氣用環狀凹槽 176—排氣管路175 —第2排氣管84，在間隙⑽中，形成 從投影系統側氣體清除側緣28内側（即空間Mp側）向外側 之氣體流路。又，環狀凹槽174所供應之低吸收性氣體之 一部分會滲入空間MP内。又，環狀凹槽176，則將投影系 統侧氣體;t除側、緣28外部之氣體之一部分透過間隙⑽排 氣。 如上述，由於在投影系統側氣體清除側緣28之上端面 28a及下端面28b，形成從空間MP外側流動至内側之氣體 流路，對空間MP能遮斷投影系統側氣體清除側緣28外侧 之氧氣或水蒸氣的流入’對S高空帛Μρ Θ之清除性能（即 ，氧氣濃度、水蒸氣濃度之減低性能）有極大效果。 又’實際上，在環狀凹槽17〇、172、174、176以連通 狀態=形成複數個(例如3個)之供氣管路及排氣管路， 在此等管路，分別連接帛2供氣管及第2排氣管，然而在 圖2、等為說明及圖示之方便，第2供氣管及第2排氣管係 刀別連接2支於投影系統側氣體清除側緣28來表示。 又，％狀凹槽並不限於如上述形成2個凹槽，亦更能 將2個槽組合成複數個來形成4層或6層…之槽。 又，雖將說明前後對調，但是若投影光學系統pL之鏡 41 1222668 筒19内之清除氣體之種類，係與空間Mp内之清除氣體之 · 種類不相同之情形，則需要將透鏡L1之保持機構hi(位於 投影光學系統PL中之上端（靠近標線片R之側），如圖 6(B)所示）具有充分之氣密性，以免兩氣體混入。 前述第3遮蔽機構103,如圖！所示，包含晶圓氣體 清除側緣36而構成，該晶圓氣體清除側緣％，係配置於 投影光學系統PL與晶圓載台WST上之晶圓w之間’藉由一 端固定於鏡筒盤34B下面之複數個懸掛支持構件92來懸掛 支撐的遮蔽構件。晶圓氣體清除側緣36之上端面36a，係 籲 以不接觸投影光學系統PL之鏡筒19下端面的方式接近配 置’又’晶圓氣體清除側緣36之下端面36b，亦係以不接 觸晶圓w的方式接近配置。晶圓氣體清除側緣36,如由圖 1得知，因具有概略圓柱形之形狀，且將圓錐台狀之中空 部36c以從上側端面連通至下側端面之狀態形成於其中央 部’故在晶圓氣體清除側緣36與投影光學系統pl與晶圓 W之間，形成大致氣密狀態之空間pw。 在圖7(A)，表示晶圓氣體清除側緣36附近之截面圖 · ’在圖7(B)，表示將晶圓氣體清除側緣36從上側（+z軸） 俯視之圖。又，圖7(A)中心線（投影光學系統PL之光軸 AX)左方之半面圖，係相當於圖7(B)之B-B線截面圖，圖 7(A)中心線右方之半面圖，係相當於圖7(B)之C-C線截面 · 圖。 在空間PW，為確保氣密性，投影光學系統pl之鏡筒 19與晶圓氣體清除側緣36之間之間隔（間隙）D4，及晶圓 42 1222668 氣體清除侧緣36與晶圓w之間之間隔（間隙）D5，係越狹窄 越佳。但是，晶圓氣體清除侧緣36與晶圓w之間之間隙 D5，因伴隨掃描方向及正交於此之非掃描方向的移動，在 晶圓載台WST有產生上下振動之虞，即使產生上下振動， 為要避開晶圓w與晶圓氣體清除側緣36接觸，需要保持某 種度之間隔。其間隔，雖依各機構之構成而異，但從氣密 性之觀點’間隙D5較佳者為最大3mm以下。 又，在晶圓氣體清除側緣36之下端部，設置波紋構件 及對該波紋構件作伸縮驅動及傾斜驅動之驅動裝置，來使 間隙D5擴及全周設定為能均勻地調整，亦為可能。 在晶圓氣體清除側緣36,如圖2所示，連接第丨供氣 管111，第1排氣管112，第2供氣管113及第2排氣管 114。在此實際上，如圖7(A)、圖7(B)所示，第2供氣管 113，係對晶圓氣體清除側緣36連接3條（第2供氣管 113A〜113C)，第2排氣管114，係對晶圓氣體清除側緣％ 連接3條(第2排氣管114A〜114C)，但是在圖2為圖示之 方便，僅圖示各丨條。 前述第1供氣管111，如圖7(A)、圖7(B)所示，對貫 通孔253(作為從晶圓氣體清除側緣％外側，連通於内側 所形成的供氣用開口），透過連接器從晶圓氣體清除側緣 36外側連接。在與貫通孔253之第i供氣管lu之相反側 設置供氣嘴115。 引述第1供氣管112，係夾著晶圓氣體清除側緣36配 置於與第1供氣管111大致對稱之位置，對從晶圓氣體清 43 1222668 除側緣36外側，連通於内側所形成的貫通孔253透過連接 器’從晶圓氣體清除側緣3 6外側連接。 如本實施形態，在使用真空紫外域之曝光波長的曝光 裝置’為要避免氧氣、水蒸氣等吸收性氣體所產生之曝光 用光的吸收’空間PW内之氣體亦需要以低吸收性氣體置換 。因此’在本實施形態，使用上述第1供氣管u丨及第1 排氣管112將空間PW内以低吸收性氣體填滿。 即，前述第1供氣管U1之另一端，如圖2所示，係 連接於氣體供應裝置50之一端，第！排氣管112之另一端鲁 係連接於未圖示之氣體回收裝置。在第丨供氣管m、第i 排氣官112，分別設置未圖示之供氣閥及排氣閥，藉由未 圖示之控制裝置適宜控制供氣閥、排氣閥之開閉，及内設 於氣體供應裝置50之泵之啟動、停止，使低吸收性氣體填 充於空間PW Μ，其内部之吸收性氣體濃度就降至數卿以 下之/辰度又，亦可將低吸收性氣體經常流動於空間PW内 〇 前述第2供氣管113A〜113C，如總合圖7(Α)及圖7⑻鲁 就知知，對在晶圓氣體清除側緣36内以約等間隔形成之大 致Τ字狀的第2供氣管路123A〜mc，從晶圓氣體清除側 緣36外側透過連接器連接。第2供氣管路123A〜123C，分 . 別成為連通於供氣用環狀㈣m(形成於晶圓氣體清除側· 緣6之上知面36a作為供氣口）與供氣用環狀凹槽I〗％形 . 成於晶I氣體清除側緣36之下端Φ 36b作為供氣口）之狀 態。 44 ^22668

又’則述第2排氣管114A〜114C，對在晶圓氣體清除 側緣36内形成於前述第2供氣管路i23A〜123C附近之大致 T子狀的第2排氣管路124A〜124C，從晶圓氣體清除側緣 36外側透過連接器連接。第2排氣管路124A〜124C，分別 對排乳用裱狀凹槽118(相對於晶圓氣體清除側緣％之上 端側36a之空間PW’係形成於前述供氣用環狀凹槽11?外 側），及排氣用環狀凹槽12〇(相對於晶圓氣體清除側緣％ 之下端側36b之空間Pw，係形成於前述供氣用環狀凹槽 119外側作為排氣口），成為連通之狀態。 在此情形，供氣用環狀凹槽117、119及排氣用環狀凹 槽118 12〇，均设疋為其寬度例如1〜3mm程度，其深度例 如1〜3關程度。又，環狀凹槽117、118間之間隔，環狀凹 槽119、120間之間隔，均能設定為5〜2〇_程度。又，站 在氣密性確保之觀點來看，較佳者為將按照晶圓氣體清除 側緣36側壁之厚度，設定為盡量寬。

在此，第2供氣管ii3A〜113c(以下，適宜稱為「第2 供氣管113」），如圖2所示，連接晶圓氣體清除側緣％ 與供應裝置80,第2排氣管U4A〜114C(以下，適宜稱為「 第2排氣管114」），連接晶圓氣體清除側緣％與真空泵 79。並且，藉由未圖示之控制裝置適當控制内設於供應裝 置80之泵及真空泵79之啟動、停止，與前述同樣，將透 過第2供氣管113及供氣管路123所供應之加壓氣體，從 各環狀凹槽117、119分別供應至晶圓氣體清除側緣％之 上端面36a與投影光學系統PL下面之間的間隙D4，晶圓 45 1222668 氣體清除側緣36之下端面36b與晶圓W之間的間隙D5， 其間隙D4、D5内部之氣體，就依序透過環狀凹槽n8、 120 ’排氣管路175，及第2排氣管114，向外部排氣。即 ，包含第2供氣管113及第2排氣管114在内之氣體流路 ’主要係第2供氣管ιΐ3>>供氣管路123A〜123C 共氣用 環狀凹槽117(或119)4間隙D4(或05)»>排氣用環狀凹槽 118(或120)4排氣管路124A〜124C—第2排氣管114，在各 間隙D4、D5，形成從晶圓氣體清除側緣36内側（即空間pw 側）向外側之氣體流路。 _ 又’環狀凹槽117 (或119)所供應之低吸收性氣體之一 部分’則透過間隙！)4(或D5)滲入空間MP内。又，環狀凹 槽118(或120)，則將晶圓氣體清除側緣36外部之氣體之 一部分透過間隙D4(或D5)排氣。 如上述，由於在晶圓氣體清除側緣36之上端面36a及 下端面36b之雙方，形成從空間pw外側流動至内側之氣體 流路，對空間Pw能遮斷晶圓氣體清除側緣36外側之氧氣 或水蒸氣的流入，對提高空間PW内之清除性能（即，氧氣翁 漢度、水蒸氣濃度之減低性能）有極大效果。 又’環狀凹槽並不限於如上述形成2個凹槽之情形， 亦能將2個槽進一步組合成複數個來形成4層或6層 丨 又，若投影光學系統PL之鏡筒19内之清除氣體之種 · 類，係與空間Pw内之清除氣體之種類不相同之情形，則需 要使透鏡L2之保持機構H2(位於投影光學系統pL中之= 46 1222668 端(靠近晶圓W之側），如圖7 (A)所示)具有 ，以免兩氣體混入。 <札在性 又’因投影光學系統PL係固定於第1架台34，拚 圓氣體清除側緣36與投影光學系統pL，則亦能 , 壤等密封構件氣密地接合（固定 i =㈣、统PL，會有使結像特性惡化之虞的情形，較 佳者為如本實施形態離開既定間隔，接近而配置。 又’晶圓氣體清除侧緣36與投影光學系統pL之間， 亦可省略供氣管用凹槽m。即，晶圓氣體清除側緣^盘 扠衫光學系統PL之間，亦可構成為將間隙D4内之氣體， f透過間隙D4之外部氣體及空間pw内之氣體，從排氣用 ^狀凹槽118吸引排氣。如上述，在晶圓氣體清除側緣扣 與投影光學系統PL之間，僅設置排氣用環狀凹槽118，則 對空間PW能遮斷晶圓氣體清除侧緣36外側之氧氣或水i 氣的流入。 y、 Λ 雖將說明前後對調，但是如本實施形態，若要將真空 紫外域之光當作曝光用光EL使用之情形，當然需要從照明 系統殼2内部或投影光學系統PL之鏡筒内部排除吸收性氣 體。因此，在本實施形態，照明系統殼2，係如圖2所示 以供氣管10連接於氣體供應裝置50，以排氣管11連接於 未圖示之氣體回收裝置。同樣，鏡筒19,係以供氣管3〇 連接於氣體供應裝置50，以排氣管31連接於未圖示之氣 體回收裝置。在供氣管1〇、30分別設置未圖示之供氣間， 47 ^222668 在排氣管11、31分別設置未圖示之排氣閥。藉由未圖示之 控制裝置適當控制各供氣閥、排氣閥之開閉，及内設於氣 體供應裝置50之泵之啟動、停止，使低吸收性氣體填充於 照明系統殼2内部或投影光學系統pL之鏡筒内部，其内部 之吸收性氣體濃度，就抑制至數以下之濃度。又，亦 可將低吸收性氧體經常流動於此等空間内部。 又’上述之說明，係就將從氣體供應裝置50供應至各 空間内之低吸收性氣體，使用後向氣體回收裝置排氣之情 形巩明，但是不限於此，亦可將各排氣管連接於氣體供應❿ 裝置50，將使用後之氣體送回氣體供應裝置5〇。在此情形 ，在氣體供應裝置50之内部，内設低吸收性氣體之儲氣箱 泵氣體精製裝置等（均省略圖示）。在此情形，内設於 氣體供應裝置50之氣體精製裝置，係用來將通過各空間而 純度降低之低吸收性氣體，再一次再造為既定之純度，例 如能使用：過濾器型，包含去除塵埃（粒子）之HEpA過濾器 或ULPA過渡器等空氣過遽器，與去除氧氣、水蒸氣、碳氫 化合物系之氣體等之吸收性氣體的化學過濾器；或使用低· 溫聚，利用該低温泵所液化之氣體中含有物質之氣化溫度 差異，來分離低吸收性氣體與雜質之類型亦可。又，氣體 供應裝置50内部之儲氣箱，較佳者為透過具有流量控制機' 能之閥，連接於外部之低吸收性氣體供應源，適宜補充低. 吸收性氣體不足量。 % 然後，藉由未圖示之控制裝置適當控制供氣閥、排氣 閥之開閉，及内設於氣體供應裝置5〇之泵之啟動、停止， 48 1222668 使低吸收性氣體填充於各空間内，能抑制照明系統殼2内 =吸收性氣體濃度至數卿以下之濃度。在此情形，即使 猎由包含氣體供應裝置50之循環途徑，將低吸收性氣體長 時間循環使用，能以氣體精製裝置維持各空間内之吸收性 氣體濃度至數ppm以下之濃度。 又氣體供應裝置5〇，亦可將其内部對應前述各空間 分割為第1室〜第9室之9個空間。在此情形，亦可使各空 間内部之低吸收性氣體之種類為不相同。 又，在本實施形態，與上述照明系統殼2同樣，亦在 送光光學系統内部之光路填滿低吸收性氣體，則不在話下 從以上之說明得知，由氣體供應裝置5〇、第丨供氣;

未圖不之供氣閥，來構成供應低吸收性氣體（特定氣彳 照明系統側氣體清除側緣22内部之空間IM的氣體供: 系統’由未圖示之氣體回收裝置、第！排氣f 61、未圖_ ,排氣閥，來構成將空間IM内之氣體排氣至外部的氣⑹ 氣系統。X，由氣體供應裝置50、第！供氣管77、未圖： 之供氣閥’來構成供應低吸收性氣體(特定氣體)至投影〗 統側氣體清除側緣28内部之空@ Mp的氣體供應系统^ 未圖示之氣體回收裝置、第1排氣管78、未圖示之排氣p ’來構成將Μ MPM氣體㈣至外部的氣體排氣系统 進一步，由氣體供應裝置50、第！供氣管m、未圖示二 供氣閥’來構成供應低吸收性氣體（特定氣體）至晶圓則 體清除側、緣36内部之空間Pw的氣體供應系統，由未圖； 49 1222668 之氣體回收裝置、第1排氣管112、未圖示之排氣閥，來 構成將空間PW内之氣體排氣至外部的氣體排氣系統。 又，藉由供應裝置80、真空泵79、第2供氣管路167 、第2排氣管路168、第2供氣管72、及第2排氣管73， 來構成供應加壓氣體（低吸收性氣體）至間隙D1内，並且將 間隙D1内之氣體排氣至外部的差動排氣機構。又，藉由供 應裝置80、真空泵79、第2供氣管路169、第2排氣管路 171、第2供氣管81、及第2排氣管82，來構成供應加壓 氣體至間隙D2内，並且將間隙D2内之氣體排氣至外部的 差動排氣機構。又，藉由供應裝置8〇、真空泵79、第2供 氣管路173、第2排氣管路175、第2供氣管83、及第2 排氣管84，來構成供應加壓氣體至間隙D3内，並且將間 隙D3内之氣體排氣至外部的差動排氣機構。又，藉由供應 裝置80、真空泵79、第2供氣管路123A〜123C、第2排氣 管路124A〜124C、第2供氣管113A〜113C、及第2排氣管 114A〜114C ’來構成分別供應加壓氣體至間隙D4、D5内， 並且將此等間隙D4、D5之氣體排氣至外部的差動排氣機構 〇 如以上詳細說明，依本實施形態之曝光裝置1〇()及該 曝光裝置所進行之氣體清除方法，構成第1遮蔽機構1〇1 之照明糸統側氣體清除側緣22，因係以在與標線片rst之 間形成間隙D1之狀態下配置，故藉由設定其間隙di為適 且尺寸’能使配置於曝光用光EL之光路上之標線片R斑照 明單元ILU之間的空間IM内，以某程度氣密狀態與外氣阻 50 1222668 隔。並且’透過連接於照明系統側氣體清除側緣22之第1 供氣管60，將對曝光用光EL之吸收特性比吸收性氣體低 的低吸收性氣體供應至其空間IΜ内，透過連接於照明系統 側氣體清除側緣22之第1排氣管61排氣。藉此，能將標 線片R與照明單元ILU之間之空間ΙΜ内之氣體有效地置換 ’藉此能從空間ΙΜ内排除（清除）吸收性氣體。

又’藉由構成為透過形成於照明系統側氣體清除側緣 22之標線片R側下端面22b之供氣用環狀凹槽67等，將 低吸收性氣體供應至間隙D1内，並且將間隙Di内之氣體 ，透過對空間IM形成於供氣用環狀凹槽67外側之排氣用 裒狀凹槽68排軋至外部，能實質地提高標線片載台rst與 照明單元ILU之間之空間IM的氣密性。 ” 又，構成第2遮蔽機構102之投影系統側氣體清除側 緣28,因以在與標線片載纟m之間形成間隙D2之狀態 配置，故藉由設定其間隙D2為適宜尺寸，能使配置於曝光

用光EL之光路上之標線片R，與投影光學系統孔之間纪 空間MP内，以某程度氣密狀態與外氣阻隔。並且，透過缝 接於投影系統側氣體清除側緣28之第】供氣管^供應， 吸收性氣體，透過連接於投影系統側氣體清除側緣28之第 "非氣管78排氣。藉此，不僅是空間IM，亦能從標線片] 與投影光學系、统PL之間之空間Mp内，排除吸收曝光用井 之吸收性氣體。 因此，不需要使用大型且重之氣密性標線片載台室， 能進行從照明單元ILU至投影来風备鉍m

仅〜九學糸統PL之曝光用光EL 51 1222668 之光路上之空間内的高精度之氣體置換，能從此等空間排 除吸收性氣體。在此情形，因能使用照明系統側氣體清除 側緣22，投影系統側氣體清除側緣28，即，能覆蓋標線片 載台RST與照明單元ilu或投影光學系統PL間之空間之程 度的小型者，故能抑制裝置之大型化、重量化，再者，因 如上述將間隙Dl、D2形成於與標線片載台RST之間，故雖 將標線片R之圖案領域之一方之面侧及另一方之面側之空 間與外氣阻隔，能從外部容易接近標線片載台RST。

又’在投影系統侧氣體清除側緣28，亦與照明系統側 氣體清除側緣22同樣，因從形成於與標線片R對向之面（ 上端面28a)供氣用環狀凹槽17〇，將低吸收性氣體向標線 片R供應，並且將間隙D2内之氣體，透過對空間Mp形成 於上端面28a之供氣用環狀凹槽17〇外側的排氣用環狀凹 槽172排氣至外部’故實質地提高空間MP之氣密性，能置 換為更高精度氣體。

又’在投影光學系統PL與投影系統側氣體清除側 之門因形成既定之間隙D3，故即使伴隨標線片載 之驅動，引起投影系、統側氣體清除側緣⑼產生振動 月b防止其振動傳達至投影與 〜九子糸統PL·。即使如上述形成 隙D3，在本實施形態，盥 n9门以 丄 ”间I糸Dl、D2同樣，因在間隙 内形成從空間MP向外相•丨夕备触、士 & 之乳體^路，故幾乎不會降低氣 52 ^2668 間=，且在與晶圓w之間形成既定之間隙郎的狀態下 緣36:心，統PL與晶圓W之間，晶圓氣體清除側 、、 4之空間，亦與上述各空間同樣，進行氣體置換。 亦在晶圓氣體清除側緣36,從形成於與投影光學 ϋ對向之面（上端面36a)之供氣用環狀凹槽⑴將低 1體向間隙D4内供應，並且將間隙D4内之氣體， 用=成於上端面！_6a之供氣用環狀凹槽117外側的排氣

:凹槽118排氣至外部。進一步，因從形成於面對晶 :面(下端面36b)之供氣用環狀凹槽119，將低吸收性 :體向間隙D5内供應，並且將間隙D5内之氣體，透過形 =下心_之供氣㈣狀凹槽119外側的排氣用環狀 ::120排氣至外部’故實質地提高空間^之氣密性，能 置換為更向精度氣體。 因此，不需要使用大型且重之氣密性標線片載台室， 就能進行從投影光學系統PL至晶圓W之曝光用光EL之光 路亡之空間内的高精度氣體之置換，能從此空間排除吸收 ^乳體。在此情形，因能使用晶圓氣體清除側緣36，即， 能覆蓋晶圓W與投影光學系統pL間之空間之程度的小型者 ，故能抑制裝置之大型化、重量化。 ^以上，因能從照明單元ILU至晶圓W之曝光用光EL之 光路上之空間排除低吸收性氣體，故能良好地維持曝光用 光EL之透過率而長時間進行高精度之曝光。 又’藉由使照明系統側氣體清除側緣22之與標線片載 台 RST 對 口 、向之面（下端面22b)，投影系統側氣體清除侧緣 53 1222668

28之與標線片載台RST對向之面（上端面22&)均為平面， 標線片載台RST之上下面均為平面，即使是將間隙w、d 取充分狹窄之情形’移動標線片載台RST時，各清除側2 22、28不會接觸標線片載台RST。因此，能邊維持空間u 、MP之氣密性，邊大幅移動標線片載台rst，邊在其後办 易進行標線片交換，或容易進行標線片載台RST之維護。各 又，在上述實施形態，因將驅動標線片載台RST之 軸線性馬達24A、24B配置於清除空間之外側，故能使针 氣體清除之空間縮小，減低氣體清除用氣體之使用量丁 且:㈣光學系統PL或標線片R，能從伴隨標線片载台 之知描所產生之塵埃或發熱遮蔽，能防止曝光裝 安定性或對標線片R之塵附著（污染）。 杏與έ从η 〜，、、、㈠个儿至投

間：：門W之空間，而且是投影光學系統PL與晶圓 :=，亦使用晶圓氣體清除侧緣36,來形成大致氣 :情形’加以說明’但是本發明並不限定於此。投 =統PL與晶圓W之間之空間，通常因距離短，故亦 :二體供應配管與氣體排氣配管之各端部位於此空 且將人士社 叹改巩體迗進前述空間内， 管排h ^ 巩體之軋體，透過氣體排氣 圓w π 4 u股從技衫光學系統PL與 ® W間之光路上之空間排除 術，*谪田柱度因此，亦可將上述; /、適用於本發明之氣體清除方法組合。

又，在上述實施形態，雖對照明系統側氣體清除側I 54 1222668 2 2 ’係直接固設於照明單元 是亦可與其他之部分同樣， 明系統側氣體清除側緣2 2。 ILU之下端面之情形說明，但 以形成既定間隔之方式設置照 即，如圖8所示，At + ητ7 ^ 口斤丁此在照明系統側氣體清除側緣22愈 照明單元ILU殼2之下媸1與 下鳊面之間，以形成間隙D6之方々^ 置。此情形’為提高空間Τ μ…以 χ 間1亂猎性，與前述同樣，將作

/、乳口之供氣用環狀凹槽37。與作排氣口之排氣用環狀凹 槽372,形成於照明系統側氣體清除側緣^之上端面 ’分別對連通供氣用環狀凹槽37〇所形成之截面卩字£ 第2供氣管路369與連通排氣用環狀凹槽奶所形成之截 面U字狀的第2排氣管路371，連接第2供氣管咖與第2 排氣管384之-端，將此等第2供氣管哪，第2排氣管 384之另-端分別連接於供應裝置㈣及真空栗。藉由如二 構成’與前述同樣，因在間隙:D6形成從空Μ im向外側之 氣體流路’㈣抑制來自空㈤IM外之氣體之流入。

因此’以維持㈣IM内之清除性能之狀態，伴隨標線 片載台RST之移動的振動，即使產生於照明系統側氣體清 除側緣22,能避免對照明單元ILU傳達振動。 在此情形，藉由供應裝置80、真空泵79、第2供氣管 路369、第2排氣管路37卜第2供氣管383、第2排氣管 384，來構成第3差動排氣機構。 又’在上述實施形態，雖就將本發明之氣體清除方法 採用於步進掃描方式之曝光裝置之情形說明，但是本發明 並不限於此’對步進重複（step and repeat)方式之曝光裝 55 置（所"月步進機stepper)亦能適用得合適。 除方法的步進 部分來截面表 在圖9 ’將適合適用於本發明之氣體清 機型曝光裝置之標線片載台附近狀態，將一 示。 ，且=該圖9所示，標線片載台，係具備：载台本體咖 ”千板狀形狀；及複數個（例如4個）標線片保持部 132’固定於形成在該載台本體13〇中央之矩形開σ _ 附近。 在各則述;f示線片保持部13 2，形成凹部13 &於其上面 ，透過連通該凹部134所形成之吸引用管路135，藉由連 接於標線片保持部132之吸氣管136吸附保持標線片r。 在標線片R與照明單元ILU之間，設置與上述實施形 態同樣之第1遮蔽機構1〇1，。 此第1遮蔽機構1 〇 1，，係包含照明系統側氣體清除側 緣22而構成，在此照明系統側氣體清除側緣22，，與前述 第1遮蔽機構101同樣，連接於第1供氣管6〇，與第丨排 氣管61，與複數個第2供氣管72,與複數個第2排氣管73, 。第1供氣管60’連接於氣體供應裝置80，第1排氣管61， 連接於未圖示之氣體回收裝置，藉此，因從第1供氣管 6〇’，將低吸收性氣體供應至照明系統側氣體清除側緣22, 與照明單元ILU與標線片R所形成之大約氣密化的空間 内，而從第1排氣管61，排出空間IM，内之氣體，故空 間IM’内就以低吸收性氣體置換。又，第2供氣管72,與第 2排氣管73’，分別連接於供應裝置80及真空泵79，因從 56 1222668 第2供氣管72’’對照明系統側氣體清除側緣22 R之間之間隙D1’供應加壓氣體，而從第2排氣管^、，以 真空系之吸引力排出間隙D1，之氣體，故在間隙W，形成從 空間IM，向外側之氣體流路。 在標線片R之下面側，即標線片R與投影光學系統孔 之間，設置第2遮蔽機構ι〇2。

此第2、遮蔽_ 1〇2 ’係包含投影系統側氣體清除側 緣28’而構成，在此投影系統側氣體清除側緣28，，與上述 實施形態同樣，連接於第丨供氣管77，，第i排氣管78,， 複數個第2供氣管81，，複數個第2排氣管犯，。此等第工 供氣管77,，第1排氣管78，分別連接於氣體供應襞置5〇， 未圖示之氣體回收裝置。藉此，因從第丨供氣管7了，，將 低吸收性氣體供應至投影系統側氣體清除側緣28，與標線 片R與投影光學系統PL所形成之大約氣密化的空間MP，内 ’而從第1排氣管78,排出空間MP，内之氣體，故空間MP， 内之氣體，就以低吸收性氣體置換。 又，第2供氣管81，與第2排氣管82,，與上述實施形 態同樣，分別連接於供應裝置80及真空泵79。而且，從 第2供氣管81，對投影系統側氣體清除側緣28，與標線片r 之間之間隙D2,，及投影系統側氣體清除側緣28,與投影光 學系統PL之間之間隙D3,，供應低吸收性氣體，而從第2 排氣管82,排出間隙D2,及D3,之氣體。藉此，因在間隙D2, 、D3’形成從空間MP’向外側之氣體流路，故能更提高空門 MP之氣密性。 57 货此，因少 ^ ^ ΜΟ 1ψ ,, 作如掃描步進機之大動作）， 名舰 構成第1、第2遮蔽機構之 :體清除侧緣，就能以比上述實施形態更接近於標線片^ 狀態m由各氣料除側㈣所形叙大致氣密 的空間IM，、mp，，則能比上述實施形態之空間im、m” :為更氣密化之清除空間。因此，比上述實施形態更抑制 +光用光之吸收，能實現高精度之曝光。

又，此情形之標線片交換方法，例如，藉由將標線片 尺沿圖g之紙面正交方向滑動，能容易實現。 又，在以上之全部說明，雖將空間（IM、Mp、pw(或im， 、p ))内之排氣，透過連接於各清除側緣之第1排氣管來 進仃但疋不限於此，能構成為從各空間排氣至外部。

又，在上述實施形態，投影光學系統PL，雖採用如圖 •斤丁之直筒型鏡筒，但是替代之，例如，採用反射折射 1扠〜光學系統時，投影光學系統之形狀，雖變成具有彎 ㈣t及突起部分等之形狀，但即使是此種情形，藉由將 氣體清除側緣接近配置於投影光學系統之標線片側面或晶 圓側面，能適合地適用本發明。 •又，在本實施形態，雖構成：在投影系統側氣體清除 •、 之& °卩’與投影光學系統PL之鏡筒18之上端面之 1形成既定之間隙，然而亦可構成··將投影系統側氣體 月矛、Η緣28之端部，面對投影光學系統PL之鏡筒18之側 面’使在與投影光學系統PL之鏡筒18之側面之間形成既 定之間隙。 58 說明=避施形態，雖就設置差動排氣機構之構成 扠衫系統側氣體清除側緣28與投影光學系 心2、會傳達振動，但亦可將投影线職體清除側緣 /、又衫光學系統PL，以薄膜狀之連結構件連結。在此情 形連^構件，較佳者為使用已減低吸收物質之薄膜狀構 件此薄膜狀構彳，係在乙烯乙烯醇樹脂（E卿樹脂）所構 成之薄膜材料外面’透過黏接劑覆蓋聚乙烯所構成之伸縮 f生良好的保護膜，進-步在其薄膜材料内φ，將銘所構成 之安定化膜以蒸鍍等被覆來形成。EV〇H樹脂，能使用固拉 列股份有限公司之「商品名野琶露」。 又，本發明之氣體清除方法，不僅是投影曝光裝置， 亦能對使用於搭載投影曝光裝置之投影光學系統之檢查的 檢查光學裝置適用。此檢查光學裝置適用之實施形態，則 是將在下面說明之第2實施形態。 第1實施形態

其次，依圖10說明本發明之第2實施形態。在此，對 與如述第1實施形態相同或同等之構成部分’使用相同符 號，並且使其說明簡略化或省略。 本第2實施形態，係關於在用來投影光學系統PL之檢 查的檢查光學裝置，固有且配置檢查光學系統之空間的氣 體清除方法。 在圖10，將構成檢查光學裝置之檢查部200與投影光 學系統PL及晶圓氣體清除側緣103 —起以截面圖表示。又 ，雖未圖示，但是因檢查光學裝置中之標線片側（投影光 59 1222668 學系統PL上方）之氣體清除方法，係與前沭 〜連步進機之情形 相同，又設置於投影光學系統PL下側之晶圓氣體清除側緣 103，係與上述第1實施形態相同，故省略其說明 構成檢查光學裝置之檢查部200，如圖彳^ _ &曰 η i u所不，係具 備·光學系統支持框體OB，形成一方之端部（下端）封閉， 另一方之端部（上面）開口的圓筒狀（有底之圓筒狀）；檢查 光學系統160，係在該光學系統支持框體〇B内，包含沿z 軸方向依序配設之透鏡161、162、163，而構成的光學系 統；攝影元件164，係配置於該檢查光學系統16〇下方的 光檢測器；X軸線性馬達MX，用來沿X軸方向驅動光學系 統支持框體OB ; Y軸線性馬達MY，用來沿γ軸方向驅動光 學系統支持框體0B ;及平板150，固定於光學系統支持框 體0B之上端面。 前述檢查光學系統160中之透鏡161，係透過透鏡保 持器210，保持於光學系統支持框體内之上端部附近， 藉由該透鏡161與透鏡保持器210，比光學系統支持框體 0B内之透鏡161位在下側之空間，則成為氣密狀態。以下 ，稱此空間為「空間0C」。 使用檢查光學裝置之投影光學系統PL之像差測量時， 與上述第1實施形態同樣，由於使用真空紫外光，其真空 紫外光之光路之光學系統支持框體0B内部（空間0C内部） ’需要以氮氣或稀有氣體等低吸收性氣體置換。因此，在 光學系統支持框體0B，從外側至内侧形成貫通孔255，作 為供氣用開口，在該貫通孔255之外側，透過連接器152 60 在貫通孔255之内侧，設置供氣 151等從氣體供應裝置供應低吸 ’連接供氣管151。又， 嘴153。透過此等供氣管 收性氣體至空間0C内。 又，在光學系統支持框體0B，與上述貫通孔255另外 ，形成貫通孔256,作為排氣用開口，在該貫通孔挪之 外側’透過連接器、155連接排氣管156。空Μ 〇(：内之氣體 ’係透過此等排氣f 156等排出至光學系統支持框體⑽外 部。：此’空間0C内之氣體就置換為低吸收性氣體。 前述X軸線性馬達MX，係包含與光學系統支持框體〇B 連接之動子212，及以X軸方向為長邊方向之定子2i4而 構成。動+ 212，沿定子214朝χ軸方向驅動，藉此光學 系統支持框體0Β則沿X軸方向滑動驅動。又，γ軸線性馬 達ΜΥ’係包含固定於χ軸線性馬達Μχ之定子214下側的 動子216’及α γ軸方向為長邊方向之定子218而構成。 動子216,沿定子218帛γ軸方向驅動，藉此光學系統支 持框體0Β則與前述Χ軸線性馬達Μχ —起沿γ軸方向滑動 驅動。 如此，在内部具備檢查光學系統！ 6〇及攝影元件工W 之光學系統支持框體0B，則能在2維面内移動。 前述平板150,例如俯視（從上方看）呈矩形形狀，在 其中央部形成圓形開口 l50a。又，對平板15〇將詳述於後 。在如此所構成之檢查部2〇〇，將以投影光學系統孔形成 之像等，透過構成檢查光學系統16〇之透鏡161〜163放大 投影於由CCD等所組成之攝影元件164上，例如測量投影 61 ^學系統PL之光學特性（像差等）。在此情形，如上述，因 藉由線性馬達MX、MY，能使光學系統支持框體0B作2維 移動，故能接受來自投影光學系統PL之視野内之各測量點 的像光束全部’能測量視野内之各測量點的像差等。 平板150 ’如上述接受來自投影光學系統之視野内之 各測里點的像光束時，即使以線性馬達Μχ、Μγ，使光學系 統支持框體ΟΒ在2、維面内移動，具有晶圓氣體清除側緣 36之下端面不從平板150突出之程度的尺寸。即，藉由設 置平板150，在投影光學系統pL與晶圓氣體清除側緣％ 與铋查部200之間，與上述實施形態同樣，形成大致氣密 化之空間PO，此空間p〇，係即使檢查部2〇〇為檢查移動2 維方向，能經常維持氣密狀態。 如以上說明，依本第2實施形態，因從投影光學系統 pL至檢查部200之攝影元件164止之光路全部，以低吸收 性氣體置換，故能作高精度之投影光學系統pL之檢查。 又，使用CCD作為設置於光學系統支持框體〇B中之攝 影元件164時，一般係填裝於陶瓷封裝體，而在其前面設 置保護玻璃。然而，適合於真空紫外光用之保護玻璃，從 透過率之觀點來看並不佳，假如將螢石或添加氟之石英添 附於保護玻璃時，保護玻璃與CCD之受光面間之空間的氣 體置換，會有變成困難之問題。改善此問題者，係表示於 下之第3實施形態。 實施形態 其次，依圖11(A)、圖11(B)說明本發明之第3實施形 62 1222668 態。在此，對與前述第2實施形態相同或同等之構成部分 ，使用相同符號，並且使其說明簡略化或省略。 本第3實施形態，具有特徵；上述第2實施形態之光 學系統支持框體之構成；攝影元件164 (CCI)，作為檢測器 )之配置方法；及在CCD上方設置光透過窗287。 在本實施形態，替代上述第2實施形態之光學系統支 持框體0B，如圖ΐι(Α)所示，使用由第}部分框體〇Ba與 第2部分框體0Bb所構成之光學系統支持框體〇β，。在此 等第1部分框體OBa，第2部分框體〇Bb之邊界部分，形 成槽。卩231’在該槽部231將螢石或添加氟之石英等所構 成之光透過窗構件287，以部分框體〇Ba、〇Bb從上下兩側 挾持。在此情形，光透過窗構件287，係以從第丨部分框 體〇Ba與第2部分框豸_稍微突出的各3點之突起部 2 9 0點接觸來保持。 如上述，將光透過窗構件287以上下各3點之點接觸 〇保2 (挾持）之理由’係若將光透過窗構件287,以上下 1 70王氣岔之方式強固地固定，則在光透過窗287多少 會產生應力變形’以光透過窗構# m分隔之上下空間， 供應相同種類之低吸收性氣體時，較佳者為 點挾持。 d ，訊 纟第2部分框體0Bb上方，與第2實施形態同樣 ’设置檢查光學系統160。 ’ 在第1邛分框冑0Ba之下端面，透過〇型環38卜將 構件之陶兗封裝體27°’以搭載CCD 164之狀態氣密 63 地接合，透過截面概略S字狀之固定件及螺栓28〇，固定 ， 於第1部分框體〇Ba之下端面。在此情形，陶甍封裝體 如圖11⑻所示，係由在上面中央形成凹冑270b之 粕狀構件而構成，其上端面27〇a係設定為高平坦度。 又通吊之陶瓷封裝體係在其前面（上面）設置保護玻 璃，然而在本實施形態，不設置保護玻璃。 _在陶究封裝體270之CCD164之下側部分，如圖11(A) 所示，形成配線用孔165,用來拉出來自CCM64之電荷轉 送控制電路等之電路的電氣配線2n。藉由如此形成配、線籲 用孔165從該配線用孔165拉出電氣配線271，藉由在外 部與未圖示之連接配線連接，防止⑽164上面側之氣體透 過配線用孔165漏出外部，而能進行對CCD164之配線。 然而，在陶㈣裝體270之下面側，如圖n(A)所示 ，没置珀耳帖元件272及散熱裝置274。 前述料帖元件272,係具有：藉由透過連接於該拍 耳帖元件272之電流配線供應既定電流，來冷卻陶瓷封裝 體270的機能。 < 籲 前述散熱裝置274,係設置於與前述轴耳帖元件272 之陶竟封裝體270相反之面側。此散熱裝置274，例如* 置液體配f 275於内部，對該液體配管奶，藉由從未圖又 示之液體供應裝置流通冷卻液體來進行珀耳帖元件272之 / 冷卻。又，散熱裝^ 274’亦可採用其他裝置(例如冷 ， 等）。 如此設置拍耳帖元件272及散熱裝置274之理由，係 64 1222668 (1)對料帖元件272而言，當⑽64檢測微弱光時，為 改善S/N比（信號/雜訊比）之必要，較佳者為冷卻cc刪 ;⑵對散熱裝置274而言’與拍耳帖元件奶之㈣相 反側(一圖11(A)之下冑之面），0在上⑧咖4之冷卻時會 變成高溫，故需要冷卻珀耳帖元件272之下面側，产 不上升至比周圍溫度（例如23。〇高。 又 在此，若使用珀耳帖元件272來冷卻CCD164，珀耳帖 το件272所冷卻之CCD164附近的氣體，因對流等，會冷卻 配置於CCD164上方之透鏡或其附近的氣體，而可能造成光 學性能之不安定。因此，如上述，設置光透過窗構件287 〇 在此情形，光透過窗構件287與CCD164之間之空間， 亦需要以低吸收性氣體置換，以使真空紫外光不被吸收而 良好地透過。因此，在本實施形態，與前述者同樣，將供 氣管281之一端透過連接器283連接於貫通孔257(從第1 部分框體OBa外側向内側形成，作為供氣用開口），在與貫 通孔2 5 7之供氣管2 81相反側設置供氣嘴2 8 5。透過此等 供氣管281等，從未圖示之氣體供應裝置，將低吸收性氣 體供應至氣密化之空間GC(由光透過窗構件287，第1部分 框體OBa及陶甍封裝體270所形成）内。另一方面，與前述 貫通孔257另外，在貫通孔258(從第1部分框體OBa向内 側形成，作為排氣用開口），透過連接器284連接排氣管 282。透過此等貫通孔258，排氣管282等，將空間GC内 之氣體排出至外部。藉此，將空間GC内之氣體置換為低吸 65 1222668 收性氣體。 又，若需要將CCD164冷卻為更低溫時，較佳者為設置 與光透過窗287同樣之光透過窗多數段，使已冷卻之ccj) 1 64周邊之氣體不傳至位於上方之光學系統。 如以上詳細說明，依本第3實施形態，將陶瓷封裝體 270(收谷CCD164於開口一方之面之内部，其受光面朝向開 口）之開口周圍之端面270a，對第1部分框體〇Ba透過密 封構件（0型環）381結合，與外氣阻隔包含CCD164之受光 面在内的空間GC。因此，以第1部分框體〇Ba與陶瓷封裝 _ 體270所形成的空間GC，則成為氣密性良好之空間。並且 ，將射入於受光元件的光之吸收特性小的特定氣體（低吸 收性氣體），透過連接於第1部分框體〇以之供氣管281供 應至空間GC内，將空間GC内之氣體，透過連接於第丨部 分框體OBa之排氣管排出至外部。藉此，因空間GC能以低 吸收性氣體精度良好地置換，故在光檢測器之受光面受光 為止之期間内，光幾乎不會被吸收。因此，能精度良好地 進行光檢測器之光量檢測，依此光量檢測之結果，例如要 _ 進行投影光學系統PL之光學特性之測量時，能提高其測量 精度。 又，在上述第3實施形態，雖將用來作空間GC内之氣 體置換的供氣管281及排氣管282，連接於第1部分框體 · 〇Ba，但是不限於此，亦可在陶瓷封裝體27〇形成開口，對 · 該開口將供氣管281、排氣管282連接。 又，在上述第3實施形態，為了需要設置光透過窗構 66 1222668 件287，雖使用由第1部分框體OBa、第2部分框體0Bb之 2個部分框體所構成之光學系統支持框體0B，，作為光學系 統支持框體，但是不限於此，在不設置光透過窗構件287 亦了之h形’陶資*封裝體270’亦可直接固設於第2部分 框體OBb。 又’上述實施形態之曝光裝置之光源，不限於h雷射 光源，ArF準分子雷射光源，KrF準分子雷射光源等，例如 ，亦可使用：自DFB半導體雷射或光纖雷射所振盪之紅外 域，或將可視域之單一波長雷射光，例如以摻雜铒（或铒籲 與鏡雙方）之光纖放大器放大，使用非線形光學結晶，波 長轉換為紫外光的高次諳波。又，投影光學系統之倍率不 僅是縮小系統，亦可等倍及放大系統中之任一種。 又，藉由將由複數個透鏡所構成之照明單元、投影光 學系統裝設於曝光裝置本體，作光學調整，同時將由多數 個機械構件所構成之晶圓載台（掃描型時標線片載台亦一 起）裝設於曝光裝置本體，而連接配線或配管，將構成標 線片室’晶圓室之各隔壁裝設，連接氣體配管系統，作對 _ 此控制系統之各部分之連接，進一步作總合調整（電氣調 整、動作確認等），則能製造上述實施形態之曝光裝置1〇〇 等的本發明相關之曝光裝置。又，曝光裝置之製造，較佳 者為在管理溫度及潔淨度等之潔淨室進行。 # 友丑盥造方法 其次，就在微影製程使用上述曝光裝置的元件製造方 法之實施形態說明。 67 9 1222668 在圖12，表示元件（1C或LSI等半導體晶片、液晶面 板、CCD、薄膜磁頭、微機器等）之製造例的流程圖。如圖 12所不，頁先，在步驟3〇1 (設計步驟），作元件之機能·性 月匕5又计（例如，半導體元件之電路設計等），進行用以實現 其機能之圖案設計。接著，在步驟302 (光罩製作步驟）， 製作幵y成所没汁之電路圖案的光罩。另一方面，在步驟 303 (曰曰圓製造步驟），使用矽等材料製造晶圓。 其-人，在步驟304 (晶圓處理步驟），使用在步驟3〇1〜

步驟303所準備之光罩與晶圓，如後述，以微影技術等在 晶圓上形成實際電路等。接著，在步驟鳩（元件組裝步驟 )，使用在步驟304所處理之晶圓進行元件組裝。在此步驟 3〇5 ’按照需要，包含切割製程、打線製程，及封裝製程( 晶片封入）等製程。 最後，在步驟306 (檢查步驟），進行在步驟3〇5所製 作之元件之動作確認試驗，耐久試驗等之檢查。經過如上 述之製程後元件就完成而出貨。

例 ，，一 一 A 7<評細分 在圖13,在步驟311(氧化步驟），將晶圓表面氧^丨 在步驟312咖步驟），形成絕緣膜於晶圓表面。在步 電極形成步驟）’在晶圓上以蒸鍍形成電極。在步 314(離子植入步驟），將離子植入於晶圓。以上之步 31卜步驟314’分別構成晶圓處理各階段之前處理製程 才文照各階段所需要之處理，來選擇而實行。 在晶圓處理之各階段，上述前處理製程—完成，就 68 1222668 行如下之後處理製程。在後處理製程，首先，在步驟315( 光阻形成步驟），在晶圓塗布感光劑。接著，在步驟316( 曝光步驟），以如上述之微影系統（曝光裝置）及曝光方法， 將光罩之電路圖案轉印於晶圓。其次，在步驟317(顯影步 驟）將所曝光之晶圓顯影，在步驟3丨8 (姓刻步驟），將光 阻所殘留之部分以外的部分之曝光構件以蝕刻去除。然後 在乂驟319 (光阻去除步驟），去除已完成蝕刻而變成不 要之光阻。 藉由重複進行此等前處理步驟與後處理步驟，能在晶 圓上形成多層之電路圖案。 使用以上所說明之本實施形態之元件製造方法，因在 曝光步驟（步驟击用十、势！途：A y 7娜Wb)使用上述第丨實施形態之曝光裝置， 故能在長期間維持曝光用光透過率良好而將標線片之圖案 精度良好地轉印於晶圓上。其結果，能提昇高積體度之元 件的生產性。 發明之#罢 配署Γ:上所說明，依本發明之氣體清除方法，具有能將 之“番她 之物體與先學裝置之間之空間的高精度 之氣體置換，不必传用女刑 γ 的4里 重之乳岔型遮蔽容器來實現 的效果。 ’依本發明之曝光裝置， 、 衣直具有邊抑制裝置之大型化 里匕，邊能提高曝光精度的效果。 又，依本發明之元件製造方法，且 7L # ^ ^ ^ , 八頁％提幵咼積體度 凡仵之生產性的效果。 69 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 圖1係概略地表示本發明之第1實施形態之曝光裝置 之構成圖。 圖2係表示圖1之裝置之氣體配管的示意圖。 圖3(A)係表示標線片載台RST附近的立體圖，圖3(β) 係標線片載台RST的概略截面圖。 圖4係標線片載台rst的俯視圖。 圖5(A)係表示將照明系統侧氣體清除侧緣之下端面與 標線片載台接近配置之部分的截面圖，圖5(B)係將接近於 照明系統側氣體清除側緣之標線片載台之面之一部分放大 表示的圖。 圖6(A)係表示將投影系統側氣體清除側緣之上端面與 標線片載台接近配置之部分的截面圖，圖6⑻係表示將投 影系統側氣體清除側緣與投影光學系統接近配置之部分的 截面圖。 圖7(A)係表示晶圓氣體清除側緣附近的截面圖，圖 7(B)係將晶圓氣體清除側緣從上侧（+z側）觀察的俯視圖。 圖8係用以說明以在照明單元與照明系統側氣體清除 側緣之間形成間隙之方式，設置照明系統側氣體清除側緣 時之差動排氣機構的構成圖。 圖9係用以說明變形例之氣體清除方法的圖。 圖1 〇係將構成本發明第2實施形態之檢查光學裝置 之一部分的檢查部，與投影光學系統及遮蔽機構一起表示 1222668 的截面圖。 圖1UA)係本發明第 之下端部附近的截面圖，R # ^之光學系統支持框體 圖11(B)係表示搭截 之陶堯 封裝體的立體圖。 搭載CCD之陶£ 圖12係用以說明本發 流程圖。 件製造方法之實施形態的 圖13係表示圖12之步 ,λ , ~驟304砰細的流程圖。 (二）元件代表符號 α 22 照明系統側教髀、、主tt/ww λ… 22a 22b 24A 28 28a 28b 36 36b 50 孔體/月除側緣（第1遮蔽構件） 上端面（第2端面） 再仟） 下端面（第1端面） 24Β Υ軸線性馬達（驅動裝置） 投影系統側氣體清除側緣(第2遮蔽構件） 上端面（第2端面） 干〕 下端面（第4端面） 晶圓氣體清除側緣（第3遮蔽構件） 下端面（第5端面） 氣體供應裝置（第1氣體供應系統之一部八，第 氣體供應系統之-部分’第3氣體供應系統之^ 6。Ρ供氣管⑷氣體供應系統之一部：刀） 61第1排氣管(第1氣體排氣系統之一部： 67 供氣用$衣狀凹槽（供氣口） 68 排氣用$衣狀凹槽（排氣口） 72第2供氣管(第1差動排氣機構之一部分） 71 73第2排氣管（第1差動排氣機構之一部分） 77 第1供氣管（第2氣體供應系統之一部分） 78 第1排氣管（第2氣體排氣系統之一部分） 排氣L m(第1差動排氣機構之-部分二2差動 :機構之-部分’第3差動排氣機構之一部分，第*差 乳機構之一部分，第5差動排氣機構之一部分） 8〇供應裝置(第1差動排氣機構之一部分 動排氣機構之-部分，帛3差動排氣機構之一部分，第* 差動排乳機構之一部分，第5差動排氣機構之一部分） 82 83 84 100 81第2供氣管（第2差動排氣機構之一部分） 第2排氣管（第2差動排氣機構之一部分） 第2供氣管（第4差動排氣機構之一部分） 第2排氣管（第4差動排氣機構之一 曝光裝置 111第1供氣管（第3氣體供應系統之一部分） 112第1排氣管（第3氣體排氣系統之一部分） 113第2供氣管（第5差動排氣機構之一部分） 114第2排氣管（第5差動排氣機構之一部分） 119 供氣用環狀凹槽（供氣口） 12 0 排氣用壞狀凹槽（排氣口） 123A〜123C第2供氣管路（第5差動排氣機構之—部分） 124A〜124C第2排氣管路（第5差動排氣機構之一部 160 檢查光學系統（光學系統） 164 CCD(光檢測器） 72 1222668 167 第2供氣管路（第1差動排氣機構之一部分） 168 第2排氣管路（第1差動排氣機構之一部分） 169 第2供氣管路（第2差動排氣機構之一部分） 170 供氣用環狀凹槽（供氣口） 172 排氣用環狀凹槽（排氣口） 171 第2排氣管路（第2差動排氣機構之一部分） 174 供氣用環狀凹槽（供氣口） 176 排氣用環狀凹槽（排氣口） 173 第2供氣管路（第4差動排氣機構之一部分） 175 第2排氣管路（第4差動排氣機構之一部分） 251、252、253、257 貫通孔（供氣用開口） 258 貫通孔（排氣用開口） 270 陶瓷封裝體（保持構件） 270a 端面 370 供氣用環狀凹槽（供氣口） 372 排氣用環狀凹槽（排氣口） 369 第2供氣管路（第3差動排氣機構之一部分） 371 第2排氣管路（第3差動排氣機構之一部分） 381 0型環（密封構件） 383 第2供氣管路（第3差動排氣機構之一部分） 384 第2排氣管路（第3差動排氣機構之一部分） D1 間隙（第1間隙） D2 間隙（第2間隙） D3 間隙（第4間隙） 73 1222668 D5 間隙（第5間隙） D6 間隙（第3間隙） ILU 照明單元（照明光學系統、光學裝置） IM 空間（第1空間） MP 空間（第2空間） PL 投影光學系統 PW 空間（第3空間） R 標線片（物體、光罩、特定物體） RST 標線片載台（光罩保持構件、特定物體） W 晶圓（基板） WST 晶圓載台（基板保持構件）

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Claims (1)

1222668 拾、申請專利範圍： 1、一種氣體清除方法，係將配置於既定波長光之光路 上的物體與光學裝置之間的空間進行氣體清除，其係包含 以下步驟： 以至少在與該物體、及保持該物體之保持構件中任一 特定物體之間形成既定之第1間隙的狀態下，配置將該光 學裝置與物體之間的空間與外氣阻隔之遮蔽構件的步驟； 及

將對該光之吸收特性比吸收性氣體低的特定氣體，透 過形成於該遮蔽構件之供氣用開口，而供應於該遮蔽構件 内部之空間的步驟。 、如申請專利範圍第1項之氣體清除方法，其係進一 步包含：將該遮蔽構件内部之空間内的氣體，透過形成於 該遮蔽構件之排氣用開口向外部排氣的步驟。 3、如申請專利範圍第丨項之氣體清除方法，其中，該 弟1間隙係大約3mm以下。

人、中請專利範圍帛3項之氣體清除方〉去，其係達 步包含：透過在該遮蔽構件之與該特定物體對向之端面 :::供虱口 ’將既定之氣體供應於該第1間隙内，里 二，隙内之氣體，透過相對於該端面之該空間禮 ❹外側的排氣口向外部排氣的步驟。 專㈣圍第丨項之氣料除方法，其中， 遮蔽冓件，係用以減低對該光學裝置之振動傳達。 、如申請專利範圍第5項之氣體清除方法，其中， 75 1222668 間陳之 遮蔽構件，係以與該光學裝置之間形成既定之(呆 狀態下配置。 v〜 —7、如申請專利範圍第6項之氣體清除方法，其中，該 第2間隙係大約3mm以下。 8、 如申請專利範圍第7項之氣體清除方法，其係進一 步包含：透過在該遮蔽構件之與該光學震置對向之端面所 形成的供氣口 ’將既定之氣體供應於該第2間隙内，並且 將該^ 2間隙内之氣體，透過相對於該端面之空間係位於 6亥供氣口外側的排氣口向外部排氣的步驟。 9、 一種氣體清除方法，係將包含使用於光學裝置（具 有照射既定波長光之光學系統）的光檢測器之受光面的= 間進行氣體清除，其係包含以下步驟： 二 將保持構件（-面形成開口且在内部將該光檢測器以受 先面朝該開口的方式收容）之該開口周圍的端®，透過密 封構件而與該光學裝置之構成零件之一部分結合，以將包 含該光檢測器之受光面之空間與外氣阻隔之步驟·及 將對該光之吸收特性比吸收性氣體低的特定氣體，透 過形成於該構成零件、及保持構件中任—者的供氣用開口 供應於該空間，而將該空間内之氣體，透過形成於該構成 零件、及保持構件中任一者的排氣用開口向外部排氣之步 申吻專利範圍第9項之氣體清除方法，其係進 步包含： 以呆持構件之載置該光檢測器之部分，預先形成貫 76 ^2668 通孔的步驟；及 從該光檢測器之背面側， 檢測器之雷 > 脱& a 适過该貝通孔，將來自該光 之電風配線向外部拉出的步驟。 11、如申請專利範圍第 一歩勺人· 罘9項之虱體清除方法，其係進 匕3 ·將该保持構件冷卻的步驟。 該保2如巾請專利範圍第11項之氣體清除方法，其中， 側之面連:二該保持構件之與該光檢測器相反 逆擇珀耳帖70件來進行。 一+勺3人如中睛專利範圍第12項之氣體清除方法，其係進 I 4 ^白耳帖兀件之與該保持構件相反側冷卻的 一/4、如巾請專利範圍第12項之氣體清除方法，其係進 ,^ 3 .在該光學裝置之該構成零件（與保持構件結合） ，與該保持構件相反側配置光透過性構件，將包含該光檢 測器之受光面之空間分隔成複數個空間的步驟。 15、一種曝光裝置，係用以將形成於光罩之圖案轉印 於基板上，其係具備： 、、、月光子糸統，係用來以既定波長光照明該光罩； 第1遮蔽構件，係配置於該光罩、及保持該光罩之光 罩保持構件中任一特定物體與該照明光學系統之間，以至 夕在與忒特定物體之間形成既定之第1間隙之狀態下，將 該光罩之該照明光學系統側之至少包含對應該光罩之圖案 領域的領域之第1空間與外氣阻隔；及 第1氣體供應系統，係透過形成於該第1遮蔽構件之 1222668 供氣用開口，將對該光之吸收特性比吸收性氣體低的特定 氣體供應於該第1空間。 16、如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其係進一步 具備： 投影光學系統，係用以將從該光罩射出之光投射於該 基板上； 第2遮蔽構件，係配置於該特定物體與該投影光學系 統之間，在減低對該投影光學系統之振動傳達之狀態下， 將该光罩之該投影光學系統側之至少包含該光罩之圖案領 域之第2空間與外氣阻隔；及 第2氣體供應系統，係透過形成於該第2遮蔽構件之 供氣用開口將該特定氣體供應於該第2空間。 Π、如申請專利範圍第16項之曝光裝置，其中，第2 遮蔽構件’係以至少在與該特定物體之間形成既定之 間隙之狀態下配置。 19、 如申請專利範圍第工 5亥弟1及苐2間隙之至少 20、 如申請專利範圍第

一方係大約3mm以下。 18、如申請專利範圍第 具備： 第1 排氣用開口將該第1空間内 第2氣體排氣系統， 排氣用開口將該第2空間内 Π項之曝光裝置，其係進一步 遮蔽構件之 及 遮蔽構件之 W項之曝光裝置，其係進一步 差動排氣機構，從形成於該第 向之端面的供氣口，將既定之氣體透過相對= ^面之弟1空間係位於該供氣口外側的排氣口向外部^ I借21 i如中請專利範圍第19項之曝光裝置，其係進-步 i物體對=排氣機構’從形成於㈣2遮蔽構件之與該特 ;:L面的供氣口，將既定之氣體向該特定物體 2^門2間隙内之氣體透過相對於該端面之第 工間係位於該供氣口外側的排氣口向外部排氣。 22、 如中請專利範圍第17項之曝光裝置，其係進—步 ，、備以下兩機構中 — 定物體方於遮蔽構件之特 周逸= 能將該第1間隙在該第1遮蔽構件全 仃调整的調整機構；以及設置於該第2遮蔽構件之特 周淮= 能將該第2間隙在該第2遮蔽構件全 周進订調整的調整機構。 23、 如申請專利範圍第17項之曝光裝置，其中 。2遮蔽構件與該投影光學系統之間形成既定之第3間隙 3門二:：申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，該第 曰1隙係大約3mm以下。 25、如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其係進一步 備差動排氣機構，從形成於該第2遮蔽 :光學系統對向之端面的供氣口，將既定之氣體向該 _㈣應’並且將該帛3間隙内之氣體透過相對=端3 79 1222668 6: ζτ氣，的排氣，部排氣。 以蔽構件第17項…裳置…,該* -與該特定趙對向之端*及該第2遮蔽構件 對向之該特定物體之面亦皆係平面。 、此專知面 具備 係包含將，= 來保持該基板；及驅動裝置， 係包3將^罩保持構件沿既定掃财向 將該光罩保持構件與該基板保持構件沿既定掃描=二 ㈣，·將該驅動源之至少-部分，配置於該第:::第步 2空間之外部。 π 1工間及弟 Μ、如申請專利範圍第27項之曝 :遮蔽構件之掃描方向之長度，係至峰：進行:： ^之同步移動時前後之加速域與減速域中，持構 件所移動之助行距離.芬兮止$ 疋皁保符構 長度來決定。，〜先罩之圖案領域之掃描方向的 29、如申請專利範圍第17項之曝光裝置， 一 + 具備：第3遮蔽構件，配置於該 二 …，之間形成既定之第3:== 將Α基板之投〜光學系統側之第3空間與外氣阻隔；及第 3氣體供應統’透過形成於該第3遮蔽構件之供氣 口將該特定氣體供應於該第3空間。 ；、幵 3〇、如申請專利範圍第29項之曝光裝置，其係進一牛 具備氣體排氣系統’透過形成於該第3遮蔽構件之排氣= 80 1222668 開口將忒第3空間内之氣體向外部排氣。 3卜如申請專利範圍第29項之曝光裝置， 3遮蔽構件，係在盥兮如旦/ t 八中’该苐 „ A ，、在，、忒投衫光學系統之間形成既定之箓 間隙之狀態下配置。 疋之第4 32、如申請專利範圍第31項之曝光裝置 具備排氣機構，透過形成於 ，、，、進一步 系統對向之端面的遮構件之與投影光學 排氣。面的排’口，將該第4間隙内之氣體向外部 33 氣機構 排氣。 34 如申請專利範圍第32項之曝光裝置，其 係將該第3間隙内之氣體非 礼體逯過忒苐4間隙向外部 如申哨專利範圍第33項之曝光裝置，其中， 3氣體供應系統，係透過該第、μ弟 該第3空間。 帛4間隙將該特定氣體供應於 =申請專利範圍第29項之曝光裝置，其係進一步 板^差動排氣機構，從形成料第3遮蔽構件之與該基 =向之端面的供氣口，將既定之氣體供應於該第3間隙 並且將該第3間隙内之氣體透過相對於該端面之第3 工間係位於該供氣口外側的排氣口向外部排氣。 ，、如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，在該 弟1遮蔽構件與照明光學系統之間形成既定之第2間隙。 37、 如申請專利範圍第μ 2間隙係大約3咖以下。項之曝光裝置，其卜該第 38、 如申請專利範圍第36項之曝光裝置，其係進一步 81