TWI222121B - Manufacturing method of semiconductor IC device and manufacturing method of mask - Google Patents

Description

1222121 A7 B7 五、發明説明（彳） 【發明領域】 本發明是關於半導體積體電路裝置的製造技術以及光 罩的製造技術，特別是關於適用於製造半導體積體電路裝 置的半導體製造廠或製造部署等（以下僅稱爲半導體製造 廠等）與光罩的製造廠或製造.部署等（以下僅稱爲光罩製造 廠等）一邊聯繫各個製程，一邊製造所希望的半導體積體 電路裝置的情形下的半導體積體電路裝置的生產管理方法 之有效的技術。 【發明背景】 【習知技藝之說明】 本發明者們所檢討的半導體積體電路裝置的生產管理 方法是光罩製造廠等依照由半導體製造廠等的設計部訂製 的光罩的製造委託而製造光罩，在將該光罩繳納到半導體 製造廠等的製造線的製程中，半導體製造廠等的開發管理 部配合製品開發日程而被供給光罩，例如透過電話或傳真 機互相取得製造廠間的聯絡，以管理所希望的半導體積體 電路裝置的生產。 此外，例如在日本特開平1 1 - 1 84065號公報揭示有藉 由生成光罩資料自動選擇光罩製造廠，將光罩資料轉送到 光罩製造廠，以避免處理時間或工時的增大以及人爲的失 誤發生的技術。而且，例如在日本特開平6-3321 50號公 報揭示有關於光罩資料的作成以及檢查的自動化技術。而 且’例如在日本特開平8-7003號公報揭示有光罩（Mask) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 1222121 Α7 Β7 2> 五、發明説明（ 光罩（Reticle)的管理技術 【發明槪要】 但是，爲了使在上述半導體製造廠等的開發管理部配 合製品開發日程而被供給光罩，例如透過電話或傳真機互 相取得製造廠間的聯絡，以管理所希望的半導體積體電路 裝置的生產的技術中，本發明者們發現有以下的課題。 即以上述方法發生不知道例如光罩的要求規定繳納時 間是否與製品的流程（製造）好好地整合；無法將光罩配合 製品的流程（製造）而好好地供給；無法正確地判斷光罩的 規定繳納時間延遲的原因（光罩的佈置起因或製造起因）； 無法捕捉光罩的規定繳納時間延遲的徵候等的情況不佳， 在半導體積體電路裝置的開發階段中，在半導體積體電路 裝置的製造與光罩的供給之間發生不整合的結果，無法提 高光罩的規定繳納時間遵守率，有阻礙半導體積體電路裝 g的開發速度的提高或光罩製造廠等的市場佔有率擴大的 問題。特別是近年來因有例如佈置的光罩增加；光罩的製 作工時增加；光罩的製作外部訂製化；光罩的價格高騰的 ί頃向’如何減小或去除半導體積體電路裝置的製造與光罩 的供給之間的不整合，以有效短時間製造半導體積體電路 裝置成爲重要的課題。 本^發明的目的是提供可減小或去除半導體積體電路裝 置的製造與光罩的供給之間的不整合的技術。 本發明的前述以及其他目的與新穎的特徵可由本說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210x297公釐） 0¾ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 1222121 A7 B7 五、發明説明（3) 書的記述以及添付圖面而明瞭。 在本案中所揭示的發明之中，若簡單地說明代表的發 明槪要的話如以下所示。 即本發明是具有進行使用半導體積體電路裝置的製造 與光罩的製造的通訊線路的整合支援的製程。 而且’本發明具有製造光罩的光罩製造線與使用該光 罩藉由曝光裝置轉移積體電路圖案到晶圓的半導體製造線 是分離，在該半導體製造線側將半導體積體電路裝置的製 造所需的光罩的製造計劃資訊給予光罩製造線，在該光罩 製造線側接受該光罩的製造計劃資訊，決定光罩的開工順 序的製程。 【圖式之簡單說明】 圖1是顯示本發明者們檢討的光罩進度管理方式以及 光罩生產方式的課題的說明圖。 圖2是本發明者們檢討的光罩佈置以及規定繳納時間 管理的課題的說明圖。 圖3是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置的 製造方法中的光罩佈置方法以及規定繳納時間管理方式的 說明圖。 圖4是依照圖1的方法的功效的說明圖。 圖5是圖3的半導體積體電路裝置的製造方法中的光 罩佈置方法以及光罩規定繳納時間管理方式的更詳細的說 明圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公楚） ---聋-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 _ 1222121 A7 B7 五、發明説明（4) 圖6是圖3的半導體積體電路裝置的製造方法中的光 罩佈置方法以及光罩規定繳納時間管理方式的基本構成的 說明圖。 圖7是圖6的光罩開工程序機的系統構成的說明圖。 圖8是光罩開工程序機的原版表的一例的說明圖。 圖9是光罩開工程序機的演算法的一例的說明圖。 圖10是光罩開工程序機的程序的基本例的說明圖。 圖11是用以比較本發明者們檢討的光罩開工程序（左 側）以及光罩資訊公開範圍（右側）所顯示的說明圖。 圖12是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法的光罩開工程序（左側）以及光罩資訊公開範圍 (右側）的說明圖。 圖13是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法的製品開工實績連動光罩開工再程序公開以及 光罩開工實績公開的說明圖。 圖14是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法的光罩優先開工控制的說明圖。 圖1 5是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法的光罩進度異常監視方法中的異常監視晝面影 像的說明圖。 圖1 6是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法的光罩進度異常監視系統的構成的說明圖。 圖17是顯示圖16的光罩進度異常監視系統所使用的 監視條件原版的一例的說明圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） IU---S-----_裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7- 1222121 A7 _ B7_____ 五、發明説明（5) 圖1 8是顯示圖1 6的光罩進度異常監視系統所使用的 異常監視演算法的一例的說明圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1 9是顯示圖1 6的光罩進度異常監視系統所使用的 異常監視演算法的一例的說明圖。 圖20是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法中的光罩佈置以及光罩規定繳納時間管理工件 的流程圖。 圖2 1是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法中的光罩開工程序的具體例的說明圖。 圖22是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法所使用的光罩的製程中的主要部位剖面圖。 圖23是接著圖22的光罩的製程中的主要部位剖面圖 圖24是接著圖23的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖25是接著圖24的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖26是接著圖25的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖27是本發明的一實施形態的半導體積體電路裝置 的製造方法所使用的其他光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖28是接著圖27的光罩的製程中的主要部位剖面圖 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) M規格（21GX297公羞） -8- 1222121 A7 B7 五、發明説明（6) 圖29是接著圖28的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖30是接著圖29的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖3 1是接著圖30的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖32是接著圖3 1的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖33是接著圖32的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖34是接著圖33的光罩的製程中的主要部位剖面圖 〇 圖35是接著圖34的光罩的製程中的主要部位剖面圖 【符號說明】 1:光罩基板 2:金屬膜 3a、3b、3c:光阻膜 4:半色調膜 5:導電性膜 【較佳實施例之詳細說明】 在詳細說明本案發明前，若說明本案中的用語的意思 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐） !-Il·----1II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 9 - 1222121 A7 B7 五、發明説明（7) 的話如以下所示。 1、 光罩（Mask):是包含光罩（Reticle)的上位槪念，在 光罩基板上形成遮光的圖案（Pattern)或使光的相位變化的 圖案。所謂光罩基板上包含光罩基板頂面、接近光罩基板 頂面的內部區域或上空區域（配置於接近頂面的其他基板 上也可以）。包含以下的通常的光罩、相移式光罩（Phase shift mask)以及光阻罩幕（Resist mask)。 2、 通常的光罩（金屬光罩或鉻光罩）：指在光罩基板 上藉由由金屬構成的遮光圖案與光透過圖案形成光罩圖案 的一般的光罩而言。 3、 相移式光罩：指具有對光罩基板選擇性地使光的 相位反轉的移相器（Shifter)的光罩而言。有Levenson型、 半色調（Halftone)型以及邊緣強調型等。 4、 Levenson型相移式光罩：使被遮光區域隔開的相 鄰的開口的相位相互反轉，欲藉由其干涉作用以獲得鮮明 的像的相移式光罩的一種。 5、 半色調型光罩：相移式光罩的一種，兼用移相器 與遮光膜的半色調膜的透過率爲1%以上未滿40%(最好爲 未滿20%)，與無遮光膜的部分比較時的相移量具有使在 光的相位（如相位差互相干涉而互相減弱的値的（不限於相 位完全反轉，不完全反轉也可以。至少不相互增強的話佳 ))反轉的半色調移相器者。 6、 光阻罩幕：在本案光阻罩幕是指上述光罩的一種 ’一般指以電子線（離子束）或光（真空紫外、遠紫外、近 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I. ! Is ί^· s - 1— i I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 -10- 1222121 A7 B7 五、發明説明（8) 紫外等的紫外線、可視光）等的能量束或微影 (Photolithography)的手法，使以感光性光阻爲基底的膜感 光而形成圖案（Patterning)。遮蔽膜是遮蔽真空紫外、遠紫 外、近紫外等的紫外線、可視光的全部或一部分。感光性 是上述樹脂自身的屬性（但是，若有需要也有添加光吸收 劑或光散亂物質的情形），鹵化銀等的添加組成物構成感 光性的主體的乳劑光罩（Emulsion mask)等原則上並非對應 於此處所謂的光阻罩幕。即並非進行顯影最初發揮所希望 的遮光性，由顯影前或在光罩基板上塗佈等的時點已經具 有遮光性。但是，當然也容許包含這些而包含各種添加物 。光阻一般是以有機樹脂爲主要的樹脂成分，但是也容許 添加無機物。 7、 晶圓：指在半導體積體電路的製造所使用的矽單 晶基板（稱爲半導體晶圓或半導體積體電路晶圓，一般大 致爲平面圓形）、藍寶石（Sapphire)基板、玻璃基板或其他 的絕緣、反絕緣或半導體基板等以及這些基板的複合基板 〇 8、 稱半導體積體電路（或電子裝置（Device))等）時不 僅爲在矽單晶基板上所製作者，除了特別明示並非該要旨 的情形外，也包含在上述的各種基板，或SOI(絕緣層上 覆石夕，Silicon On Insulator)基板、TFT(薄膜電晶體，Thin-Film- Transistor)以及 STN(超扭轉向歹U，Super-Twisted-Nematic)液 晶製造 用基板 等的其 他基板 上所製 作的。 9、 光罩的製造計劃資訊（光罩資訊）：指例如像光罩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----^-----II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 1222121 A7 _B7_ 五、發明説明（9) 名稱、製程名稱以及插入號碼等的基本資訊、光罩開工程 序（開工開始預定、規定繳納時間預定、製作期間）等的計 劃資訊，像光罩製作上的規格或難易度等的製造資訊，使 用該光罩的半導體積體電路裝置的開工計劃資訊、每一半 導體積體電路裝置的製程的製造進度資訊的全部或由這些 資訊選擇的複數個資訊。 在以下的實施形態中方便上當有需要時，分割成複數 個部分或實施形態來說明，惟除非特別明示的情形，否則 這些並非相互無關係的，一方爲他方的一部或全部的變形 例、詳細、補充說明等的關係。 而且，在以下的實施形態中提到要素的數目等（包含 個數、數値、量、範圍等）的情形，除非特別明示的情形 以及原理上明顯地限定於特定的數目等，否則並非限定於 該特定的數目，特定的數目以上或以下都可以。 再者，在以下的實施形態中其構成要素（也包含要素 步驟等），除非考慮特別明示的情形以及原理上明顯地必 須的情形等，否則當然未必爲必須者。 同樣地在以下的實施形態中當提到構成要素等的形狀 、位置關係等時，除非考慮特別明示的情形以及原理上明 顯地並非如此的情形等，否則視爲包含實質上近似或類似 其形狀等。此點關於上述數値以及範圍也一樣。 而且，在用以說明本實施形態的全圖中，對具有相同 功能的構件附加相同的符號，省略其重複說明。 以下根據圖示詳細地說明本發明的實施形態。 氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ' -12- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 『裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222121 A7 B7 五、發明説明（^ (實施形態一） 圖1是顯示本發明者們檢討的光罩進度管理以及光罩 生產方式的課題。 如前述在本發明者們檢討的半導體積體電路裝置的生 產中，半導體製造廠的開發管理部配合製品開發日程而被 供給光罩，例如透過電話或傳真.機互相取得製造廠間的聯 絡，以管理所希望的半導體積體電路裝置的生產。在此光 罩的佈置時，像規格書、圖面、描繪資料、訂製傳票等的 必要文件被分散處理。而且，發生不知道例如光罩的要求 規定繳納時間是否與製品的流程好好地整合；無法將光罩 配合製品的流程而好好地供給；無法正確地判斷光罩的規 定繳納時間延遲的原因；無法捕捉光罩的規定繳納時間延 遲的徵候等的情況不佳。 而且，在半導體製造廠中的光罩進度管理（圖1的左 側）因製品開發管理部以人海戰術進行光罩進度管理’故 爲了使全製品的管理徹底故需龐大的作業工時。而且’現 實的運用爲了工時的削減而限定製品實施光罩進度管理’ 在被管理的製品中，光罩進度管理上的問題經常發生。另 一方面，光罩製造廠中的光罩生產方式（圖1的右側）其對 訂製的光罩的生產對應爲中心，由此訂製將無法進行光罩 的訂製預測，使平準化生產對應困難。 特別是近年來在半導體積體電路裝置的生產業界即使 有（1)、佈置的光罩增大（3萬6000片/年），（2)、光罩製作 工時大（兩日但是增加到14日），（3)、光罩製作外部訂製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 -13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C·

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 11 2 2 2 A7 ___ B7 五、發明説明（U) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 化，（4)、光罩的價格高騰（30萬日幣但是增加到300萬曰 幣）的四個傾向，因半導體製造廠中的光罩規定繳納時間 遵守率提高，故節省時間、物資、燃料以及人員的浪費， 如何有效地生產半導體積體電路裝置成爲重要的課題。 圖2是說明上述傾向的（1)的一例的圖。半導體製造 廠例如在製品開發中每一製品佈置約90片的光罩。此爲 假想每一製品光罩使用製程爲3Ό製程，且達光罩變更的 試作被實施三組的情形。由半導體製造廠訂製到光罩製造 廠的光罩在一家公司一年達到3萬6000片。此爲假想實 施一年400品種的製品開發的情形。因此，光罩製造廠由 半導體製造廠接受訂製的光罩在四家公司一年總共達到 14萬4000片。因此，爲了光罩製造廠中的光罩規定繳納 時間遵守率提高，如何有效地生產一年達到1 4萬4 0 0 0片 的光罩成爲大的課題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若說明上述傾向的（2)的一例的話如以下所示。近年 來在半導體積體電路裝置的製造中，即使是對於伴隨著元 件或配線等的微細化，用以將這些元件或配線等轉移到晶 圓的光罩，也有使用像例如上述相移式光罩等的特殊光罩 的情形。相移式光罩因形成移相器故製造比上述通常的光 罩還花時間。在半導體積體電路裝置的製造中於其一連的 製程中，有使用上述相移式光罩的情形與使用通常的光罩 的情形混合存在的情形。此時半導體積體電路裝置的製造 與光罩的製造以及交貨爲了謀求製造時間的縮短而並行進 行，但是在半導體積體電路裝置的一連的製程中，在有使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21GX297公餐) "" ~ -14- 1222121 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 用像相移式光罩等的特殊光罩的製程的情形下，因發生光 罩的製造期間不爲一定，規定繳納時間混亂，故若半導體 積體電路裝置的製造與光罩的製造以及交貨不能好好地管 理的話，有招致浪費的時間或作業的混亂的情形。 針對上述傾向的（3)，由分工所產生的技術的以及經 濟的有利性的觀點，半導體積體電路裝置的製造與光罩的 製造由個別的公司進行光罩的製造而進行。此情形資訊的 揭示或聯絡比由同一公司進行半導體積體電路裝置的製造 與光罩的製造時還困難的結果，有半導體積體電路裝置的 製造與光罩的製造的不整合變大的情形。 針對上述傾向的（4)，由於上述相移式光罩等的特殊 光罩增加，或半導體積體電路裝置的製程增大導致光罩片 數的增大外，由於多品種少量生產的要求增加必須使用次 數少的光罩的實狀，故光罩的成本增大。因此，即使爲了 解決因上述傾向的（1)〜（4)造成的種種問題，也需要光罩進 度管理支援以及光罩平準化生產支援。 圖3是顯示本發明的一實施形態的半導體積體電路裝 置的製造方法中的光罩佈置以及規定繳納時間管理方式。 此處舉例說明半導體製造廠（半導體積體電路裝置製 造部，半導體製造線）MA與光罩製造廠（光罩製造部，光 罩製造線）MB個別存在的情形。半導體製造廠MA爲生產 (開發以及製造）半導體積體電路裝置的業者。而且，光罩 製造廠MB爲該半導體積體電路裝置的生產（曝光製程）所 使用的光罩的製造業者。 ϋ— ftr^ ϋ— 0 ί ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —I#—· uni —Lrl ，裝·

、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -15- 1222121 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（13) 此半導體製造廠MA與光罩製造廠MB是物理地分離 ，但是在透過像例如電話、傳真機以及網際網路（或專用 線路）等的通訊線路互相聯絡爲可能的狀態下連結。特別 是對於半導體製造廠MA其交換光罩的製造契約的光罩製 造廠MB，透過網際網路（或專用線路）存取（Access)半導體 製造廠MA的伺服器，以接受後述的整合支援而預先設定 有存取權，而賦予固有的ID(識別號碼，Identification Nurnbei*)、密碼以及位址。 半導體製造廠MA的設計部MA1對光罩製造廠MB訂 製所希望的光罩的製造。即提供光罩的開工委託資訊（箭 頭A1)。光罩製造廠MB依照來自半導體製造廠MA的委 託製造所希望的光罩，繳納到半導體製造廠MA的製造部 MA2(箭頭A2)。在此製程中在本實施形態中介支援半導體 積體電路裝置的製造與光罩的製造的整合的整合支援手段 Μ。此整合支援手段Μ具有光罩進度管理支援手段Ml與 光罩平準化生產支援手段M2。 光罩進度管理支援手段Ml主要是半導體製造廠側所 提供的，具有支援光罩進度管理用的（1)、光罩開工程序 機（Scheduler) ; (2)、光罩資訊的相互公開（光罩開工程序 公開與光罩開工實績取得）功能；（3)、光罩進度異常監視 功能的至少一個。光罩平準化生產支援手段M2主要是光 罩製造廠側所進行的，具有支援光罩平準化生產用的（1) 、光罩資訊的相互公開（光罩開工實績）功能；（2)、光罩優 先開工控制功能的至少一個。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222121 Α7 Β7 五、發明説明（14) 圖4顯示本實施形態的目標、功效。如果依照本實施 形態因光罩進度管理的支援與光罩平準化生產的支援爲可 能，可減小或去除半導體積體電路裝置的製造與光罩的製 造的不整合，故可謀求光罩規定繳納時間遵守率的提高。 因此，在光罩製造廠與市場佔有率與商業的擴大有關，在 半導體製造廠中可謀求製品開發速度的提高（Q-T AT ;

Quick Turn Around Time)，可與市場佔有率與商業的擴大 有關。因此，可大大地有助於產業界的發展。此處，光罩 進度管理是指製造在半導體積體電路裝置的一連的製程中 所使用的複數個光罩，到繳納到半導體製造廠爲止的光罩 的製作的進行情況（按照預定、延遲以及超前）的管理。而 且，光罩平準化生產是指使半導體積體電路裝置的一連的 製程中所使用的複數個光罩的規定繳納時間不發生變動， 或即使小的變動也能完成而生產光罩。 圖5是更詳細地顯示圖3的光罩佈置方法以及光罩規 定繳納時間管理方式。 圖5的左側顯示光罩進度管理支援。上述光罩開工程 序機具有製品開工計劃連動光罩開工程序機以及製品開工 實績連動光罩開工再程序機。此程序機可以製品開工計劃 以及實績爲基礎，生成光罩規格別、繳納據點別的光罩開 工程序機。設置繳納據點別之項目乃因依照繳納據點使光 罩的傳送時間不同。 給予上述光罩製造廠的光罩資訊的相互公開具有製品 開工計劃連動光罩開工程序結果、製品開工預定以及實績 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297&ϋ " -17- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

1222121 A7 B7 五、發明説明（15) 、製品開工實績連動光罩開工再程序結果的三個。光罩製 造廠使用此光罩資訊進行接受訂製預測，達成平準化生產 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 上述光罩進度異常監視具有光罩開工異常監視以及光 罩規定繳納時間異常監視的兩個。 另一方面，圖5的右側是顯示光罩平準化生產支援。 此處的光罩資訊的相互公開具有製品開工計劃連動光罩開 工程序結果的取得（光罩規格別、繳納據點別）、製品開工 預定以及實績的取得、製品開工實績連動光罩開工再程序 結果的取得的三個。在此處取得的光罩的製造計劃資訊， 因接受訂製完成的光罩當然包含此後接受訂製的資訊，故 接受訂製預測的範圍擴大，平準化生產對應也容易。而且 ，給予半導體製造廠的光罩資訊有光罩開工實績以及規定 繳納時間回答。半導體製造廠使用此資訊於進度管理與異 常監視。 此處的優先開工控制具有優先開工表示、製品開工實 績連動光罩開工再程序結果的反饋（Feedback)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖6是顯示圖3的光罩佈置方法以及光罩規定繳納時 間管理方式的基本構成。 首先，半導體製造廠MA對光罩製造廠MB佈置光罩 。即根據製品開工計劃S 1，使用像鍵盤等的輸入手段將 光罩佈置資訊S2輸入到光罩佈置系統S3。光罩佈置資訊 S2具有例如訂製資訊、圖面資訊以及規格書資訊等。接 著，光罩佈置系統S3將光罩佈置資訊S2變換成光罩佈置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 1222121 A7 B7 五、發明説明（16) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 文書與資料S4，經由像例如網際網路等的通訊線路S5， 轉送到光罩製造廠MB的光罩接受訂製系統S6，並且也 將光罩佈置資訊S2轉送到接受訂製側的光罩規定繳納時 間管理S7的光罩開工程序機S8。 其次，光罩開工程序機S8使用預先登錄有光罩佈置 資訊S2的光罩規格別原版（Master)、繳納據點別原版、製 品完工原版，生成光罩開工程序（製造計劃資訊）S9，經由 第一光罩資訊公開S 1 0以及通訊線路5，將光罩開工程序 S10公開在光罩製造廠MB(製品開工計劃連動光罩開工與 公開製程）。據此，可使光罩的佈置失誤銳減。而且，可 配合製品的製作進度製作光罩。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，光罩開工程序機S8由製品進度管理系統S11 週期性地（例如約每一小時）取得製品進度實績S 12，再程 序連動於製品進度實績的光罩開工程序S9，經由第一光 罩資訊公開S 10以及通訊線路S5將製品開工計劃、實績 一起公開在光罩製造廠MB。製品進度實績S 1 2將製品開 工計劃、開工實績以及進度預測的三個要素作成圖來表示 (製品實績連動光罩開工再程序與公開製程）。 其次，接受訂製的光罩規定繳納時間管理S 1 3的光罩 優先開工S14是以被公開的光罩開工程序S9爲基礎，進 行優先開工表示S15。光罩製造廠MB依照優先開工表示 進行光罩的開工（光罩優先開工製程）。據此，不產生浪費 的時間，可在必要時製造必要的光罩，可適時地提供給半 導體製造廠MA。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 1222121 A7 B7 五、發明説明（17) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次，接受訂製側的光罩規定繳納時間管理s 1 3的第 二光罩資訊公開S16由光罩進度管理系統S17取得光罩進 度實績S 1 2，以對比於光罩開工程序S9的形（光罩進度管 理表示S18)經由通訊線路S5公開在半導體製造廠Μ A(光 罩進度實績公開製程）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，光罩進度異常監視S19以光罩開工程序S9與 取得的光罩進度實績爲基礎，使用監視條件原版監視光罩 進度異常。此光罩進度異常監視的結果當光罩進度實績比 開工預定還快時，加速製品開工而反饋到製品進度管理系 統S 11。當光罩進度實績比開工預定還慢時，將對光罩製 造廠MB的跟隨（Follow)與製品開工的調整指示反饋到製 品進度管理系統S 11 (光罩進度異常監視）。即在半導體積 體電路裝置的一連的製程中，因可正確地把握半導體積體 電路裝置的製造與光罩的製造的雙方的全體的流程，故可 正確地判斷半導體積體電路裝置的製造與光罩的製造是否 整合。而且，因可捕捉光罩供給的延遲徵候，故在好像產 生該延遲的階段用以防止該延遲的調整或跟隨爲可能，可 減小或去除半導體積體電路裝置的製造與光罩的供給的不 整合。而且，因可正確地判斷光罩的延遲理由（光罩佈置 起因或光罩製造起因等），故可訂立用以防止該延遲的有 效的對策。 此外，上述半導體製造廠MA以及光罩製造廠MB的 相互間的公開是藉由僅對半導體製造廠MA以及光罩製造 廠MB的雙方提供資訊而進行。而且，這些公開資訊顯示 本紙張尺度適用中周國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 1222121 Α7 Β7 五、發明説明（18) 於像半導體製造廠MA或光罩製造廠MB的顯示器等的顯 示手段。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其次’使用圖7〜圖1 0說明上述光罩開工程序機。圖 7是顯示光罩開工程序機的系統構成。而且，圖8是顯示 光罩開工程序機的原版表的一例。圖9是顯示光罩開工程 序機的演算法（Algorithm)的一例。再者，圖10是顯示光 罩開工程序機的程序的基本例。 輸入製品別投入日期和時刻與對象製程η到光罩開工 程序機。對象製程η是指顯示半導體積體電路裝置的製程 中的任何製程所使用的光罩。光罩開工程序機是以預先登 錄的製品開工準備時間原版、光罩開工準備時間原版、製 程別完工原版（SK)、繳納據點別完工原版（ΝΚΚ)、光罩規 格別完工原版（RSK)爲基礎，藉由圖9所示的光罩開工程 序機的演算法作成程序。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其結果自動地輸出包含圖1 0所示的對象製程η的製 品開工預定、光罩規定繳納時間預定、光罩開工預定、光 罩訂製預定的程序。圖1 0的橫軸顯示日程；縱軸顯示對 象製程（半導體積體電路裝置的製程（例如擴散製程、接著 的配線製程））。粗糙製程顯示以較低的圖案轉移精度完成 的製程，精細製程顯示以較高的圖案轉移精度爲必要的製 程。由光罩開工預定到光罩規定繳納時間的期間因光罩的 規格或繳納據點的不同而變化’故依照該光罩規格別以及 繳納據點別作成程序。 其次，使用圖11以及圖1 2說明上述第一光罩的資訊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格_( 210Χ297公釐） " -21- 1222121 A7 B7 五、發明説明（19) 的相互公開（製品開工計劃連動光罩開工程序公開）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖11是用以比較而顯示本發明者們檢討的光罩開工 程序（圖11的左側）以及光罩資訊公開範圍（圖11的右側） 。由此處的半導體製造廠對光罩製造廠的光罩資訊公開因 僅爲訂製的光罩的規定繳納時間資訊，故無法進行接受訂 製預測，使光罩製造廠中的平準化生產困難。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 2是顯示本實施形態的光罩開工程序（圖1 2的左 側）以及光罩資訊公開範圍（圖1 2的右側）。由本實施形態 中的半導體製造廠MA對光罩製造廠MB的第一光罩資訊 公開除了訂製的光罩規定繳納時間資訊外，重新設置製品 開工預定、製品開工實績、光罩規定繳納時間預定、光罩 開工預定以及光罩訂製預定。而且，在此光罩資訊公開除 了對光罩製造廠MB委託製造的光罩的資訊外，也提供尙 未對光罩製造廠MB委託製造但將來可能會委託的光罩的 資訊。據此，因光罩製造廠可擴大接受訂製預測的範圍， 故訂立光罩的製造預定容易，光罩的平準化生產的對應容 易。因此，可減小或去除半導體積體電路裝置的製造與光 罩的製造以及交貨的不整合，可去除浪費的時間，可大幅 地縮短半導體積體電路裝置的開發期間。而且，因對於製 品製造的管理無須龐大的作業工時，故可降低半導體積體 電路裝置的成本。 這種本實施形態中的光罩的公開資訊均爲光罩開工程 序機的輸出結果，無光罩開工程序機就無法擴大光罩資訊 公開範圍。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 1222121 A7 B7 五、發明説明（20) 其次，使用圖1 3說明上述第二光罩的資訊的相互公 開（製品開工實績連動光罩開工再程序公開）。圖1 3是顯 示本實施形態的製品開工實績連動光罩開工再程序公開以 及光罩開工實績公開的說明圖。 在本實施形態中，在由半導體製造廠MA對光罩製造 廠MB的光罩資訊公開（圖13的上段左側）包含有製品開工 預定、製品開工實績、光罩規定繳納時間預定、光罩開工 預定以及光罩訂製預定。光罩開工程序機由製品進度管理 系統週期性地（例如約每一小時）取得製品進度實績，再程 序連動於製品進度實績的光罩開工程序，藉由反饋該結果 到公開光罩資訊，可即時地提供製品開工實績與連動的光 罩開工程序（圖1 3的上段右側）。 在由本實施形態中的光罩製造廠MB對半導體製造廠 Μ A的光罩資訊公開（圖1 3的下段右側）包含有例如光罩開 工實績以及光罩規定繳納時間回答。使用此公開光罩資訊 ，進行光罩進度管理以及光罩進度異常監視。此光罩開工 實績以及光罩規定繳納時間回答在光罩製造廠MB被手動 輸入或由光罩進度管理系統自動取得（圖1 3的下段左側） 〇 其次，使用圖14說明上述光罩優先開工控制。圖14 是顯示上述光罩優先開工控制的說明圖。 圖14的上段左側顯示製品開工計劃連動開工程序結 果。在光罩製造廠MB中以由半導體製造廠MA公開（提 供）的光罩資訊（製品開工預定、製品開工實績、光罩規定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 1222121 A7 B7 五、發明説明（21) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 繳納時間預定、光罩開工預定以及光罩訂製預定）爲基礎 ，進行如圖14的上段右側所示的優先開工表示。此優先 開工表示是以接受訂製的全光罩爲對象優先地由上依序地 表示開工以及規定繳納時間，例如顯示像製品、光罩名、 製程名稱、插入號碼、開工預定以及規定繳納時間預定等 的項目。光罩製造廠MB參照此優先開工表示，尤其上依 序開工進行。 圖14的下段左側顯示連動於製品進度實績的光罩開 工再程序結果。此處，發生以圖14的上段右側的粗線包 圍的光罩以某些理由往後推佳的情形。這種情形在本實施 形態中，連動於製品進度實績的光罩開工再程序結果因即 時被反饋，故上述再程序後的優先開工表示成爲如圖14 的下段右側所示的優先開工表示，表示也能依照程序而更 新。因此，光罩製造廠MB可有效地製造光罩，故可大幅 地縮短光罩的製造時間。 其次，使用圖15〜圖19說明上述光罩進度異常監視 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 5是顯不異常監視畫面影像。異常監視項目有對 光罩開工預定的實績的延遲與對光罩規定繳納時間預定的 回答的延遲。在產生延遲的情形下’分別輸出第一1警報 (Alarm)、第二警報。改變警報在顯示器上可表示延遲。 圖1 6是顯示異常監視系統的構成。而且，圖1 7 .是顯 示監視條件原版的一例。在監視條件原版針對開工異常以 及規定繳納時間異常’設定有監視的要否、監視週期以及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ~' -24 - 1222121 A7 B7 五、發明説明（22) 監視預（Pre)時間。而且，圖18以及圖19分別顯示異常監 視演算法的一例。 輸入資料可舉例說明光罩開工預定、光罩開工實績、 光罩規定繳納時間預定、光罩規定繳納時間回答以及現在 的曰期和時刻。本實施形態的異常監視系統使用預先登錄 的圖1 7所示的監視條件原版與圖1 8以及圖1 9所示的異 常監視演算法，監視光罩開工異常以及光罩規定繳納時間 異常，輸出第一以及第二警報。藉由這些功能可即時地檢 測光罩進度異常，可謀求光罩規定繳納時間遵守率的提高 〇 其次，使用圖20以及上述圖6說明上述光罩佈置以 及光罩規定繳納時間管理工件（Work)。 圖20的最左側的流程是顯示光罩佈置以及開工程序（ 每一光罩佈置實行）的工件流程。首先，確認製品開工計 劃S1後（製程100)，生成光罩佈置資訊S2(描繪資料、圖 面、規格書等）（製程101)，使用光罩佈置系統S3佈置光 罩（製程102)。其次，使用光罩開工程序機S8生成光罩開 工程序（製程103)，在光罩製造廠MB公開光罩資訊（製程 104 ， S10卜 自圖20的左側起的第二流程是顯示光罩開工再程序（ 以一定週期實行）的工件流程。首先，由製品進度管理系 統S11取得製品進度實績（製程200)，更新光罩開工程序（ 連動於製品開工實績的光罩開工再程序）（製程201，S8)。 程序的結果與製品開工計劃以及實績當作光罩資訊公開在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公楚) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 『裝· 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 1222121 A7 B7 五、發明説明（23) 光罩製造廠MB(製程202，S 10)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 自圖20的左側起的第三流程是顯示光罩進度管理的 工件流程。確認來自光罩製造廠MB的光罩公開資訊（光 罩開工實績、規定繳納時間回答等）（製程300，S 16)，進 行光罩進度管理異常監視（製程301，S 19)。其結果當比預 定還快時，比預定還加速製品開工（製程302，S11);當比 預定還慢時輸出警報等，進行光罩製造廠MB的跟隨與製 品開工的調整（製程303，S 19)。 圖20的最右側的流程是顯示光罩優先開工控制（以一 定週期實行）的工件流程。首先，確認來自半導體製造廠 MA的光罩公開資訊（光罩開工程序、製品開工預定、實績 等）後（製程400)，實施光罩優先開工表示（例如以光罩開 工預定順序或光罩規定繳納時間順序重新排列表示）（製程 401，S 14)，依優先開工表示順序對光罩進行開工（製程 402)。而且，其結果（光罩開工實績、規定繳納時間回答 等）公開在半導體製造廠MA (製程403，S 16)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其次，說明光罩開工程序的具體例。圖21是顯示光 罩開工程序的具體例。此圖21縱方向表示半導體積體電 路裝置的製程，橫方向表示日程。在此處顯示例如N井 、場、P井、閘電極、N通道（Channel)、P通道、多晶矽 、電阻、接觸、第一層配線（AL-1)、貫通孔、第二層配線 (AL-2)以及銲墊（Bonding pad)的微影製程。在半導體製造 廠中與製造半導體積體電路裝置並行，在光罩製造廠中製 造該半導體積體電路裝置的製造所使用的光罩，繳納到半 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ -26- 1222121 A7 B7_ 五、發明説明（24) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 導體製造廠。例如半導體製造廠在進行用以形成N井的 曝光處理的階段爲光罩製造廠用以形成P井或閘電極的光 罩等。如此，半導體製造廠以及光罩製造廠依照圖21的 光罩開工程序機，進行半導體積體電路裝置以及光罩的製 造。程序例如四個，由右側依次顯示製品開工預定、光罩 規定繳納時間預定、光罩開工預定、光罩訂製預定（規格 書、描繪資料等）。在粗糙製程的光罩與精細製程的光罩 因精細製程的光罩製作工時長，故光罩開工預定也快。即 光罩開工時期早。據此，在半導體積體電路裝置的一連的 製程中，可謀求被繳納的光罩的製造的平準化。即因可按 照預定將光罩繳納到半導體製造廠，故可縮短半導體積體 電路裝置的開發期間。 其次，說明本實施形態的半導體積體電路裝置的製造 方法所使用的光罩的製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖22〜圖26是顯示上述粗糙製程所使用的光罩NM的 製程中的主要部位剖面圖。圖22所示的光罩基板1例如 由形成平面四角形的厚度6mm左右的透明的合成石英玻 璃板等構成。首先，對光罩基板1實施洗淨處理後，如圖 23所示在此光罩基板1的第一主面上利用濺鍍（Sputtering) 法等沉積對例如像鉻（Cr)等的曝光光遮光性高的金屬膜2 ，再者如圖24所示在金屬膜2上塗佈並烘烤光阻膜3a。 接著’在利用電子線描繪裝置對該光阻膜3a描繪預定的 圖案後，藉由實施顯影處理如圖25所示在金屬膜2上形 成光阻膜3a的圖案。然後，令該光阻膜3a的圖案爲蝕刻 本紙張尺度適用中關家標準（CNS ) A4規格（21GX297公釐) ~ -27- 1222121 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（25) 罩幕（Etching mask)，藉由触刻除去由該處露出的金屬膜2 ，如圖26所示在光罩基板1的第一主面上形成由金屬膜 2構成的遮光圖案。然後，在除去光阻膜3a的圖案後， 對光罩基板1實施洗淨處理，經由外觀檢查等製造光罩 NM。此光罩NM是相當於上述通常的光罩，在晶圓上當 作以較低的轉移精度轉移好的圖案時的光罩使用。此外， 當令光罩NM爲二元式光罩（Binary mask)時，其遮光圖案 的透過率大約0，即未滿1%，較佳爲未滿0.5%，更實際 以未滿0.1 %。 其次，圖27〜圖35是顯示在上述精細製程所使用的 光罩PM的製程中的主要部位剖面圖。如圖27所示在準 備與前述相同的光罩基板1實施洗淨處理後，如圖28所 示在光罩基板1的第一主面上利用濺鍍法或CVD(化學氣 相沉積法）法等沉積由例如金屬矽化鉬（MoSh)等構成的半 色調膜4。接著，如圖29所示在半色調膜4上利用濺鍍 法等沉積例如像鉻等的金屬膜2後，在其上如圖30所示 塗佈並烘烤光阻膜3b。接著，在利用電子線描繪裝置對 此光阻膜3b描繪預定的圖案後，藉由實施顯影處理，如 圖31所示在金屬膜2上形成光阻膜3b的圖案。然後，令 該光阻膜3b的圖案爲鈾刻罩幕，蝕刻除去由該處露出的 金屬膜2以及半色調膜4後，如圖32所示除去光阻膜3b 。然後，在經由洗淨以及外觀檢查後，如圖33所示在光 罩基板1的第一主面上由下層依次塗佈光阻膜3c以及導 電性膜5。導電性膜5是用以防止對光阻膜3c描繪圖案 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 『裝· 訂 -28 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222121 A7 B7 五、發明説明（26) 用的電子線描繪處理中的電子的帶電的透明膜。據此，可 抑制或防止起因於電子的帶電的光阻圖案的形狀劣化或位 置偏移不良等的情況不佳。其次，在利用電子線描繪裝置 對此光阻膜3c描繪預定的圖案後，藉由實施顯影處理， 如圖34所示在金屬膜2上形成光阻膜3c的圖案。接著， 令該光阻膜3c的圖案爲蝕刻罩幕，選擇性地蝕刻除去由 該處露出的金屬膜2後除去光阻膜3c，經由洗淨以及外 觀檢查等，如圖35所示製造光罩PM。此光罩PM是相當 於上述半色調型的相移式光罩，在晶圓上當作轉移需要較 高的轉移精度的圖案時的光罩使用。在光罩基板1的第一 主面上形成有金屬膜2與半色調膜4。金屬膜2與上述一 樣形成遮光圖案。半色調膜4形成半透明圖案，且具有對 透過光罩PM的透明區域的光，使透過光的相位反轉1 80 度的功能。 其次，說明使用據此製作的光罩的曝光處理。 首先，以例如由矽單晶構成的半導體爲基板的晶圓的 被露光面（主面），即在裝置（Device)形成面上塗佈光阻膜 後，將晶圓配置於縮小投影曝光裝置。而且，將被製作的 光罩配置於縮小投影曝光裝置。此時，在形成有光罩的第 一主面(即遮光圖案或相位移相器圖案（包含半色調圖案）） 的面朝向縮小投影曝光裝置的縮小投影透鏡，即晶圓的主 面側的狀態下配置光罩。接著，對光罩的第二主面（第一 主面的背側面）照射縮小投影曝光裝置的曝光光，經由縮 小投影透鏡將透過光罩的光縮小投影曝光於晶圓主面的光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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I222T7T A7 B7 五、發明説明（27) 阻膜。據此，將所希望的圖案轉移到晶圓上的光阻膜。而 且，透過顯影處理等形成的光阻圖案當作蝕刻罩幕或離子 植入罩幕使用，以在晶圓形成所希望的圖案或所希望的半 導體區域。 以上根據發明的實施形態具體地說明了由本發明者所 創作的發明，惟本發明並非限定於前述發明的實施形態， 當然在不脫離其要旨的範圍可進行種種的變更。 例如在上述例子雖然說明通常的光罩以及半色調光罩 ，惟並非限定於此，種種的適用爲可能·，例如也能使用上 述Levenson型的相移式光罩或光阻罩幕。 以上的說明主要是說明適用由本發明者所進行的發明 於成爲其背景的利用領域的半導體積體電路裝置的製造方 法的情形，但是並非限定於此，例如也能適用超電導裝置 、微機械（Micromachine)、磁頭、電子裝置或液晶面板等 的製造。 【發明的功效】 如果簡單地說明藉由在本案中所揭示的發明之中代表 的發明所獲得的功效的話，如以下所示。 即藉由具有進行半導體積體電路裝置的製造與使用光 罩製造的通訊線路的整合支援的製程，因可減小或去除半 導體積體電路裝置的製造與光罩的供給之間的不整合，故 可縮短導體積體電路裝置的開發期間。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） L-----_裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30-

Claims (1)

1222121 8 88 8 ABCD

申請專利範圍 第9 1 1 1 7693號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年5月21日修正 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1、 一種半導體積體電路裝置的製造方法，其特徵包 含： (a) 、在半導體積體電路裝置製造部製造半導體積體 電路裝置的製程； (b) 、在光罩製造部製造在該半導體積體電路裝置的 製程使用的複數片光罩的製程；以及 (c) 、透過通訊線路進行該半導體積體電路裝置的製 造與該複數片光罩的製造的調整的製程，其中 該調整製程具有管理該光罩的製造進度的手段與平準 化該光罩的生產的製程。 2、 如申請專利範圍第1項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中管理該光罩的製造進度的製程具有光 罩的製造計劃資訊的作成製程、光罩的製造計劃資訊的相 互公開製程以及光罩的製造進度異常的監視製程的至少一 個，平準化該光罩的生產的製程具有光罩的製造計劃資訊 的相互公開製程以及光罩的優先開工的控制製程的至少一 個。 3、 一種半導體積體電路裝置的製造方法，其特徵包 含以下的製程： (a)、半導體積體電路裝置製造部透過通訊線路，對 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 項再填 裝" 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29<7公釐） 1222121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 光覃製造部委託在半導體積體電路裝置的製造所使用的光 罩的開工的製程； (b)、該半導體積體電路裝置製造部透過通訊線路， 對光罩製造部提供由在半導體積體電路裝置的製造所使用 的光罩的開工到交貨的製造計劃資訊的製程； (C)、該光罩製造部依照該光罩的開工委託以及製造 計劃資訊製造光罩的製程； (d) '將在該光罩製造部製造的光罩繳納到該半導體 積體電路裝置製造部的製程；以及 (e) 、該半導體積體電路裝置製造部藉由使用該繳納 的光罩的曝光處理，將所希望的圖案轉移到晶圓的製程。 4、 如申請專利範圍第3項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊也具有對該光 罩製造部預定委託將來製造的光罩的製造計劃資訊。 5、 如申請專利範圍第3項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中具有根據該光罩的製造計劃資訊優先 地製造複數個光罩之中的預定的光罩的製程。 6、 如申請專利範圍第3項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊是以光罩的規 格別資訊以及繳納據點資訊爲基礎而作成。 7、 如申請專利範圍第3項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中在該半導體積體電路裝置的製程中具 有使用相移式光罩的製程。 8、 一種半導體積體電路裝置的製造方法，其特徵包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 2 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 含以下的製程： (a) 、半導體積體電路裝置製造部透過通訊線路，對 光罩製造部委託在半導體積體電路裝置的製造所使用的光 罩的開工的製程； (b) 、該半導體積體電路裝置製造部透過通訊線路， 對光罩製造部提供由在半導體積體電路裝置的製造所使用 的光罩的開工到交貨的製造計劃資訊的製程； (c) 、該光罩製造部依照該光罩的開工委託以及製造 計劃資訊製造光罩的製程； (d) 、該光罩製造部透過該通訊線路，對該半導體積 體電路裝置製造部週期地提供該光罩的製造進度資訊的製 程； (e) 、該半導體積體電路裝置製造部根據該光罩的製 造進度資訊監視光罩的製造進度的製程； (f) 、將在該光罩製造部製造的光罩繳納到該半導體 積體電路裝置製造部的製程；以及 (g) 、該半導體積體電路裝置製造部藉由使用該光罩 的曝光處理，將所希望的圖案轉移到晶圓。 9、如申請專利範圍第8項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊也具有對該光 罩製造部預定委託將來製造的光罩的製造計劃資訊。 1 0、如申請專利範圍第8項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中具有根據該光罩的製造計劃資訊優先 地製造複數個光罩之中的預定的光罩的製程。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -3 - -裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1222121 ABCD 六、申請專利範圍 1 1、如申請專利範圍第8項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊是以光罩的規 格別資訊以及繳納據點資訊爲基礎而作成。 1 2、如申請專利範圍第8項所述之半導體積體電路裝 置的製造方法，其中在該半導體積體電路裝置的製程中具 有使用相移式光罩的製程。 13、一種半導體積體電路裝置的製造方法，其特徵包 含以下的製程： (a) 、半導體積體電路裝置製造部透過通訊線路，對 光罩製造部委託在半導體積體電路裝置的製造所使用的光 罩的開工的製程； (b) 、該半導體積體電路裝置製造部透過通訊線路， 對光罩製造部提供由在半導體積體電路裝置的製造所使用 的光罩的開工到交貨的製造計劃資訊的製程； (c) 、該光罩製造部依照該光罩的開工委託以及製造 計劃資訊製造光罩的製程； (d) 、該光罩製造部透過該通訊線路，對該半導體積 體電路裝置製造部週期地提供該光罩的製造進度資訊的製 程； (e) 、該半導體積體電路裝置製造部根據該光罩的製 造進度資訊調整該半導體積體電路裝置的製造與光罩的製 造的製程； (f) 、將在該光罩製造部製造的光罩繳納到該半導體 積體電路裝置製造部的製程；以及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· -項再填寫太 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 1222121 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (g)、該半導體積體電路裝置製造部藉由使用該光罩 的曝光處理，將所希望的圖案轉移到晶圓。 1 4、如申請專利範圔第1 3項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該（e)製程具有根據該光罩的製造 進度資訊，再作成該光罩的製造計劃資訊，透過該通訊線 路提供給該光罩製造部的製程，該光罩製造部依照該再作 成的光罩的製造計劃資訊製造光罩的製程。 1 5、如申請專利範圍第1 3項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊也具有對該 光罩製造部預定委託將來製造的光罩的製造計劃資訊。 16、如申請專利範圍第13項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中具有根據該光罩的製造計劃資訊優 先地製造複數個光罩之中的預定的光罩的製程。 1 7、如申請專利範圍第1 3項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊是以光罩的 規格別資訊以及繳納據點資訊爲基礎而作成。 1 8、如申請專利範圍第1 3項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中在該半導體積體電路裝置的製程中 具有使用相移式光罩的製程。 19、一種半導體積體電路裝置的製造方法，製造光罩 的光罩製造線與使用該光罩藉由曝光裝置轉移積體電路圖 案到晶圓的半導體製造線是分離，其特徵包含： 在該半導體製造線側將半導體積體電路裝置的製造所 需的光罩的製造計劃資訊給予光罩製造線， 本紙張尺度適用中國國家祿準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- 訂 1222121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 在該光罩製造線側接受該光罩的製造計劃資訊，決定 光罩的開工順序的製程。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 20、如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中在該半導體製造線側將半導體製造 所需的光罩的製造計劃資訊，不僅佈置的光罩，對於由此 以後佈置的佈置預定的光罩也對光罩製造線給予。 2 1、如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法.，其中該光罩的製造計劃資訊具有使用佈 置的光罩的半導體積體電路裝置的半導體製造線中的半導 體積體電路裝置的開工計劃資訊。 22、 如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊具有使用佈 置的光罩的半導體積體電路裝置的半導體製造線中的半導 體積體電路裝置的開工計劃資訊以及每一製程的製造進度 資訊。 23、 如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該光罩製造線側將每一光罩製程的製造進度資訊給 予半導體製造線， 在該半導體製造線側接受該製造進度資訊，監視光罩 的進度異常。 24、 如申請專利範圍第23項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的進度異常的監視是以預先 被指定的監視條件原版、光罩開工程序以及光罩開工實績 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - 1222121 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 爲基礎進行異常監視，檢測光罩開工異常以及規定繳納時 間異常的兩個異常。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 5、如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中 在該光罩製造線側將每一光罩製程的製造進度資訊給 予半導體製造線， 在該半導體製造線側接受該製造進度資訊，監視光罩 的進度異常，且進行該半導體積體電路裝置與該光罩的生 產調整。 2 6、如申請專利範圍第2 5項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的進度異常的監視是以預先 被指定的監視條件原版、光罩開工程序以及光罩開工實績 爲基礎進行異常監視，檢測光罩開工異常以及規定繳納時 間異常的兩個異常。 27、 如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊是以半導體 積體電路裝置的開工計劃資訊、光罩規格別資訊以及繳納 據點別資訊爲基礎而作成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 28、 如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的製造計劃資訊是以半導體 積體電路裝置的開工計劃資訊、光罩規格別資訊以及繳納 據點別資訊爲基礎而作成，並且伴隨著該半導體積體電路 裝置的製造進行，即時地取得開工實績，以此實績爲基礎 週期地再作成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1222121 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 29、 如申請專利範圍第1 9項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中以該光罩的製造計劃資訊爲基礎的 光罩的開工順序的決定方法是在光罩製造線側以佈置的全 光罩爲對象，以光罩的製造計劃資訊順序內的開工預定以 及規定繳納時間預定爲基礎，表示優先開工。 30、 一種光罩的製造方法，其特徵包含以下的製程： (a) 、光罩製造部透過通訊線路，由半導體積體電路 裝置製造部接受在半導體積體電路裝置的製造所使用的光 罩的開工的製程二 (b) 、該光罩製造部透過通訊線路，由半導體積體電 路裝置製造部接受由在半導體積體電路裝置的製造所使用 的光罩的開工到交貨的製造計劃資訊的製程； (c) 、該光罩製造部依照該光罩的開工委託以及製造 計劃資訊製造光罩的製程；以及 (d) 、將在該光罩製造部製造的光罩繳納到該半導體 積體電路裝置製造部的製程。 31、 如申請專利範圍第30項所述之光罩的製造方法 ，其中該光罩的製造計劃資訊也具有對該光罩製造部預定 委託將來製造的光罩的製造計劃資訊。 32、 如申請專利範圍第30項所述之光罩的製造方法 ，其中具有根據該光罩的製造計劃資訊優先地製造複數個 光罩之中的預定的光罩的製程。 33、 如申請專利範圍第30項所述之光罩的製造方法 ，其中該光罩的製程具有相移式光罩的製程。 (請先閱讀背面之注意事 AW 項再填I 裝— 寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 8 - 1222121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 34、 一種光罩的製造方法，其特徵包含以下的製程： (a) 、光罩製造部透過通訊線路，由半導體積體電路 裝置製造部接受在半導體積體電路裝置的製造所使用的光 罩的開工的製程； (b) 、該光罩製造部透過通訊線路，由半導體積體電 路裝置製造部接受由在半導體積體電路裝置的製造所使用 的光罩的開工到交貨的製造計劃資訊的製程； (c) 、該光罩製造部依照該光罩的開工委託以及製造 計劃資訊製造光罩的製程； (d) 、該光罩製造部透過該通訊線路，對該半導體積 體電路裝置製造部週期地提供該光罩的製造進度資訊的製 程； (Ο、該半導體積體電路裝置製造部根據該光罩的製 造進度資訊調整該半導體積體電路裝置的製造與光罩的製 造的製程；以及 (f)、將在該光罩製造部製造的光罩繳納到該半導體 積體電路裝置製造部的製程。 35、 如申請專利範圍第34項所述之光罩的製造方法 ，其中該（e)製程具有該光罩製造部透過該通訊線路接受 根據該光罩的製造進度資訊再作成的光罩的製造計劃資訊 的製程，該光罩製造部依照該再作成的光罩的製造計劃資 訊製造光罩的製程。 36、 如申請專利範圍第34項所述之光罩的製造方法 ，其中該光罩的製造計劃資訊也具有對該光罩製造部預定 (請先閱讀背面之注意事 裝-- -項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 9 - 1222121 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 委託將來製造的光罩的製造計劃資訊。 37、如申請專利範圍第34項所述之光罩的製造方法 ，其中具有根據該光罩的製造計劃資訊優先地製造複數個 光罩之中的預定的光罩的製程。 3 8、如申請專利範圍第34項所述之半導體積體電路 裝置的製造方法，其中該光罩的製程具有相移式光罩的製 程。 39、一種光罩的製造方法，其特徵包含： 製造光罩的光罩製造線與使用該光罩藉由曝光裝置轉 移積體電路圖案到晶圓的半導體製造線是分離， 在該半導體製造線側將半導體積體電路裝置的製造所 需的光罩的製造計劃資訊給予光罩製造線， 在該光罩製造線側接受該光罩的製造計劃資訊，決定 光罩的開工順序的製程。 (請先聞讀背面之注意事- 辞 項再填 裝-- 窝本頁) 、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -10 -