JP2003092245A - 半導体集積回路装置の製造方法およびフォトマスクの製造方法 - Google Patents

半導体集積回路装置の製造方法およびフォトマスクの製造方法

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JP2003092245A JP2001282069A JP2001282069A JP2003092245A JP 2003092245 A JP2003092245 A JP 2003092245A JP 2001282069 A JP2001282069 A JP 2001282069A JP 2001282069 A JP2001282069 A JP 2001282069A JP 2003092245 A JP2003092245 A JP 2003092245A
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功 宮崎
Yasushi Takeuchi
靖 竹内
Toshihiro Morii
敏博 森井
Koji Sekiguchi
幸治 関口
Yoshihiko Okamoto
好彦 岡本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路装置の製造とフォトマスクの
供給との間の不整合を小さく又は無くす。 【解決手段】 半導体メーカＭＡと、フォトマスクメー
カＭＢとが別々の場所に分離されているが通信回線を通
じて互いに結ばれているような状況において、半導体メ
ーカＭＡは、フォトマスクの製造計画情報を通信回線を
通じてフォトマスクメーカＭＢに与え、フォトマスクメ
ーカＭＢは、その製造計画情報に従ってフォトマスクを
製造し、半導体メーカＭＡに納品する。フォトマスクメ
ーカＭＢは、途中、フォトマスクの製造進度の情報を半
導体メーカＭＡに通信回線を通じて定期的に連絡する。
半導体メーカＭＡは、送られたフォトマスクの製造進度
情報に従ってフォトマスクの製造計画情報を再作成し、
フォトマスクメーカＭＢに通信回線を通じて送る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置の製造技術およびフォトマスクの製造技術に関し、特
に、半導体集積回路装置を製造する半導体メーカまたは
製造部署等（以下、単に半導体メーカ等という）と、フ
ォトマスク（以下、単にマスクという）のメーカまたは
製造部署等（以下、単にマスクメーカ等という）とが、
各々の製造工程を連係させながら所望の半導体集積回路
装置を製造する場合における半導体集積回路装置の生産
管理方法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明者らが検討した半導体集積回路装
置の生産管理方法は、半導体メーカ等の設計部から発注
されたマスクの製造依頼に従ってマスクメーカ等がマス
クを製造し、そのマスクを半導体メーカ等の製造ライン
に納品する工程において、半導体メーカ等の開発管理部
が、製品開発日程に合わせてマスクが供給されるよう
に、例えば電話やファックスを通じてメーカ間の連絡を
取り合い、所望の半導体集積回路装置の生産を管理する
ものである。
【０００３】なお、例えば特開平１１−１８４０６５号
公報には、マスクデータを生成して、マスクメーカを自
動選択し、マスクメーカへマスクデータを転送すること
により、処理時間や工数の増大及び人為的なミスの発生
を回避する技術が開示されている。また、例えば特開平
６−３３２１５０号公報には、マスクデータの作成およ
び検査の自動化技術について開示されている。また、例
えば特開平８−７００３号公報には、マスク・レチクル
の管理技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記半導体
メーカ等の開発管理部が、製品開発日程に合わせてマス
クが供給されるように、例えば電話やファックスを通じ
てメーカ間の連絡を取り合い、所望の半導体集積回路装
置の生産を管理する技術においては、以下の課題がある
ことを本発明者は見出した。
【０００５】すなわち、上記の方法では、例えばマスク
の要求納期が製品の流れ（製造）と上手く整合している
か否かが分からない、マスクを製品の流れ（製造）に合
わせて上手く供給できない、マスクが納期遅延の原因
（マスクの手配起因か、製造起因か）を的確に判断する
ことができない、マスクの納期遅延の徴候を捕らえるこ
とができない等の不具合が生じ、半導体集積回路装置の
開発段階において、半導体集積回路装置の製造とマスク
の供給との間に不整合が生じる結果、マスクの納期遵守
率を向上させることができず、半導体集積回路装置の開
発速度の向上やマスク製造メーカ等のシェア拡大を阻害
する、という問題がある。特に、近年は、例えば手配す
るマスクの増加、マスクの製作工数の増加、マスクの製
作外注化、マスクの価格高騰といった傾向があることか
らも、半導体集積回路装置の製造とマスクの供給との間
の不整合を如何にして小さく、または無くして、半導体
集積回路装置を効率良く短期間で製造するかが重要な課
題となっている。
【０００６】本発明の目的は、半導体集積回路装置の製
造とマスクの供給との間の不整合を小さく、または無く
すことのできる技術を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】すなわち、本発明は、半導体集積回路装置
の製造と、マスクの製造との通信回線を用いた整合支援
を行う工程を有するものである。
【００１０】また、本発明は、フォトマスクを製造する
フォトマスク製造ラインと、前記フォトマスクを用いて
露光装置によりウエハに集積回路パターンを転写する半
導体製造ラインとが分離しており、前記半導体製造ライ
ン側では、半導体集積回路装置の製造に必要となるフォ
トマスクの製造計画情報をフォトマスク製造ラインに与
え、前記フォトマスク製造ライン側では、前記フォトマ
スクの製造計画情報を受けてフォトマスクの着工順位を
決定する工程を有するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本願発明を詳細に説明する前に、
本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００１２】１．マスク：レチクルを含む上位概念であ
って、マスク基板上に光を遮蔽するパターンや光の位相
を変化させるパターンを形成したもの。マスク基板上と
はマスク基板上面、マスク基板上面に近接した内部領域
または上空領域を含む（上面に近接した別のマスク基板
上に配置しても良い）。下記の通常のマスク、位相シフ
トマスクおよびレジストマスクを含む。
【００１３】２．通常のマスク（メタルマスクまたはク
ロムマスク）：マスク基板上に、メタルからなる遮光パ
ターンと、光透過パターンとでマスクパターンを形成し
た一般的なマスクのことを言う。
【００１４】３．位相シフトマスク：マスク基板に光の
位相を選択的に反転させるシフタを有するマスクのこと
を言う。レベンソン型、ハーフトーン型およびエッジ強
調型等がある。
【００１５】４．レベンソン型位相シフトマスク：遮光
領域で隔てられた隣り合う開口の位相を相互に反転させ
て、その干渉作用によって鮮明な像を得ようとする位相
シフトマスクの一種である。
【００１６】５．ハーフトーンマスク：位相シフトマス
クの一種でシフタと遮光膜を兼用するハーフトーン膜の
透過率が１％以上、４０％未満（好ましくは２０％未
満）で、それが無い部分と比較したときの位相シフト量
が光りの位相（位相差が相互干渉で弱めあうような値に
なっているもの（位相が完全に反転しているものに限ら
ず、不完全反転でも良い。少なくとも相互に強めあわな
ければ良い））を反転させるハーフトーンシフタを有す
るものである。
【００１７】６．レジストマスク：本願でレジストマス
クというのは、上記マスクの一種であって、一般に感光
性レジストをベースとした膜を電子線（イオンビーム）
や光（真空紫外、遠紫外、近紫外等の紫外線、可視光）
等のエネルギービームやフォトリソグラフィーの手法で
感光してパターニングするものを言う。遮蔽膜としては
真空紫外、遠紫外、近紫外等の紫外線、可視光の全部ま
たは一部を遮蔽する。感光性は上記樹脂自体の属性であ
り（但し、必要があれば光吸収剤や光散乱物質を添加す
る場合もある）、ハロゲン化銀等の添加組成物が感光性
の主体をなすエマルジョンマスク等は原則として、ここ
で言うレジストマスクに対応しないものとする。すなわ
ち、現像して初めて所望の遮光性を発揮するものではな
く、現像前から、又はマスク基板上に塗布等した時点で
すでに遮光性を有するものである。ただし、それらを含
めて各種の添加物を含むことを許容することは言うまで
もない。レジストは一般に有機樹脂を主要な樹脂成分と
するものであるが、無機物を添加することを許容する。
【００１８】７．ウエハ：半導体集積回路の製造に用い
るシリコン単結晶基板（半導体ウエハまたは半導体集積
回路ウエハと呼ばれ、一般にほぼ平面円形状）、サファ
イア基板、ガラス基板その他の絶縁、反絶縁または半導
体基板等並びにそれらの複合的基板を言う。
【００１９】８．半導体集積回路装置（あるいは電子デ
バイスなど）というときは、単結晶シリコン基板上に作
られるものだけでなく、特にそうでない旨が明示された
場合を除き、上記した各種基板、あるいはさらにＳＯＩ
(Silicon On Insulator)基板、ＴＦＴ(Thin Film Trans
istor)液晶製造用基板、ＳＴＮ(Super Twisted Nemati
c) 液晶製造用基板などといった他の基板上に作られる
ものを含むものとする。
【００２０】９．マスクの製造計画情報（マスク情報）
は、例えばマスク名称、工程名称および枝番等のような
基本情報、マスク着工スケジュール（着工開始予定、納
期予定、製作期間）等のような計画情報、マスク製作上
の仕様や難易度等のような製造情報、そのマスクを用い
る半導体集積回路装置の着工計画情報、半導体集積回路
装置の製造工程毎の製造進度情報の全部またはそれらの
情報から選択された複数の情報のことを言う。
【００２１】以下の実施の形態においては便宜上その必
要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に
分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それら
はお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部ま
たは全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００２２】また、以下の実施の形態において、要素の
数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場
合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数
に限定される場合等を除き、その特定の数に限定される
ものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００２３】さらに、以下の実施の形態において、その
構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場
合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合
等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまで
もない。
【００２４】同様に、以下の実施の形態において、構成
要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示
した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられ
る場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似
するもの等を含むものとする。このことは、上記数値お
よび範囲についても同様である。
【００２５】また、本実施の形態を説明するための全図
において同一機能を有するものは同一の符号を付し、そ
の繰り返しの説明は省略する。
【００２６】以下、本発明の実施の形態を図面に基づい
て詳細に説明する。
【００２７】（実施の形態１）図１は、本発明者らが検
討したマスク進度管理およびマスク生産方式の課題を示
している。
【００２８】前記したように、本発明者らが検討した半
導体集積回路装置の生産では、半導体メーカの開発管理
部が、製品開発日程に合わせてマスクが供給されるよう
に、例えば電話やファックスを通じてメーカ間の連絡を
取り合い、所望の半導体集積回路装置の生産を管理して
いる。このマスクの手配に際して、仕様書、図面、描画
データ、発注伝票等のような必要書類がバラバラに処理
されている。また、例えばマスクの要求納期が製品の流
れと上手く整合しているか否かが分からない、マスクを
製品の流れに合わせて上手く供給できない、マスクが納
期遅延の原因を的確に判断することができない、マスク
の納期遅延の徴候を捕らえることができない等の不具合
が生じている。
【００２９】また、半導体メーカにおけるマスク進度管
理（図１の左側）は、製品開発管理部が人海戦術でマス
ク進度管理を行っているため、全製品の管理を徹底する
ためには膨大な作業工数が必要である。また、現実の運
用は、工数削減のために製品を限定してマスク進度管理
を実施しているため、管理されていない製品においてマ
スク進度管理上のトラブルが多発している。一方、マス
クメーカにおけるマスク生産方式（図１の右側）は、受
注したマスクに対する生産対応が中心で、これから受注
されるであろうマスクの受注予測ができず、平準化生産
対応は困難となっている。
【００３０】特に、近年、半導体集積回路装置の生産業
界では、(1)手配するマスクが増大（３万６０００枚／
年）、(2)マスク製作工数大（２日が１４日に増加）、
(3)マスク製作外注化、(4)マスクの価格高騰（３０万円
が３００万円に増加）といった４つの傾向があることか
らも、半導体メーカにおけるマスク納期遵守率向上の為
には、時間、物資、燃料および人員の無駄を省き、如何
にして半導体集積回路装置を効率よく生産するかが重要
な課題である。
【００３１】図２は、上記傾向の(1)の一例を説明した
図である。半導体メーカは、例えば製品開発において１
製品当り約９０枚のマスクを手配している。これは、１
製品当りマスク使用工程が３０工程で、かつ、マスク変
更に及ぶ試作が３セット実施された場合を想定したもの
である。半導体メーカからマスクメーカに発注するマス
クは、１社で年間３万６０００枚に及ぶ。これは、年間
４００品種の製品開発を実施した場合を想定したもので
ある。このため、マスクメーカが半導体メーカから受注
するマスクは、4社トータルで年間１４万４０００枚に
及ぶ。したがって、マスクメーカにおけるマスク納期遵
守率向上の為には、如何にして年間１４万４０００枚に
及ぶマスクを効率良く生産するかが大きな課題となる。
【００３２】上記傾向の(2)の一例を説明すると次の通
りである。近年、半導体集積回路装置の製造において
は、素子や配線等の微細化に伴い、これらをウエハに転
写するためのマスクについても、例えば上記位相シフト
マスク等のような特殊なマスクを使用する場合がある。
位相シフトマスクは、シフタを形成することから上記通
常のマスクよりも製造に時間がかかる。半導体集積回路
装置の製造では、その一連の製造工程中に、上記位相シ
フトマスクを用いる場合と、通常のマスクを用いる場合
とが混在する場合がある。その際、半導体集積回路装置
の製造とマスクの製造および納品は、製造時間の短縮を
図るために並行して行われているが、半導体集積回路装
置の一連の製造工程中に位相シフトマスク等のような特
殊なマスクを使用する工程がある場合には、マスクの製
造期間が一定とはならなず納期に乱れが生じるので、半
導体集積回路装置の製造と、マスクの製造および納品と
を上手く管理しないと、無駄な時間や作業の混乱を招く
場合がある。
【００３３】上記傾向の(3)については、分業による技
術的および経済的な有利性の観点から半導体集積回路装
置の製造と、マスクの製造とを別々の会社で行うことが
行われている。この場合、半導体集積回路装置の製造と
マスクの製造とを同一会社で行っていた時よりも情報の
開示や連絡が困難となる結果、半導体集積回路装置の製
造と、マスクの製造との不整合が大きくなる場合があ
る。
【００３４】上記傾向の(4)については、上記位相シフ
トマスク等のような特殊なマスクが増えたことや半導体
集積回路装置の製造工程の増大によるマスク枚数の増大
の他、多品種少量生産の要望が増え、使用回数の少ない
マスクを製造しなければならないという実状により、マ
スクのコストが増大しているというものである。したが
って、上記傾向の(1)〜(4)による種々の問題を解決する
ためにもマスク進度管理支援およびマスク平準化生産支
援が必要である。
【００３５】図３は、本発明の一実施の形態である半導
体集積回路装置の製造方法におけるマスク手配方法およ
びマスク納期管理方式を示している。
【００３６】ここでは、半導体メーカ（半導体集積回路
装置製造部、半導体製造ライン）ＭＡと、マスクメーカ
（フォトマスク製造部、フォトマスク製造ライン）ＭＢ
とが別々に存在している場合が例示されている。半導体
メーカＭＡは、半導体集積回路装置を生産（開発および
製造）する業者である。また、マスクメーカＭＢは、そ
の半導体集積回路装置の生産（露光工程）に用いるマス
クの製造業者である。
【００３７】この半導体メーカＭＡとマスクメーカＭＢ
とは、物理的に離れているが、例えば電話、ファックス
およびインターネット（または専用回線）等のような通
信回線を通じて互いに連絡し合うことが可能な状態で結
びついている。特に、半導体メーカＭＡがマスクの製造
契約を交わしたマスクメーカＭＢには、半導体メーカＭ
Ａのサーバにインターネット（または専用回線）を通じ
てアクセスして後述の整合支援を受けられるように、予
めアクセス権が設定され、固有のＩＤ（Identification
Number）、パスワードおよびアドレスが付与されてい
る。
【００３８】半導体メーカＭＡの設計部ＭＡ１は、マス
クメーカＭＢに対して所望のマスクの製造を発注する。
すなわち、マスクの着工依頼情報を提供する（矢印Ａ
１）。マスクメーカＭＢは、半導体メーカＭＡからの依
頼に従って所望のマスクを製造し、半導体メーカＭＡの
製造部ＭＡ２に納品する（矢印Ａ２）。この工程におい
て、本実施の形態においては、半導体集積回路装置の製
造と、マスクの製造との整合を支援する整合支援手段Ｍ
を介在させている。この整合支援手段Ｍは、マスク進度
管理支援手段Ｍ１と、マスク平準化生産支援手段Ｍ２と
を有している。
【００３９】マスク進度管理支援手段Ｍ１は、主として
半導体メーカ側が提供するもので、マスク進度管理を支
援する為の(1)マスク着工スケジューラ、(2)マスク情報
の相互公開（マスク着工スケジュール公開＆マスク着工
実績取得）機能、(3)マスク進度異常監視機能の少なく
とも１つを有している。マスク平準化生産支援手段Ｍ２
は、主としてマスクメーカ側が行うもので、マスク平準
化生産を支援する為の(1)マスク情報の相互公開（マス
ク着工実績）機能、(2)マスク優先着工制御機能の少な
くとも１つを有している。
【００４０】図４は、本実施の形態の狙い、効果を示し
ている。本実施の形態によれば、マスク進度管理の支援
とマスク平準化生産の支援が可能となり、半導体集積回
路装置の製造と、マスクの製造との不整合を小さくまた
は無くすことができるので、マスク納期遵守率の向上を
図ることができる。このため、マスクメーカにおいて
は、シェア＆ビジネスの拡大に繋がり、半導体メーカに
おいては、製品開発スピードの向上が図られ（Ｑ−ＴＡ
Ｔ；Quick Turn Around Time）、シェア＆ビジネスの拡
大に繋げることが可能となる。したがって、産業界の発
展に大きく寄与することが可能となる。ここで、マスク
進度管理とは、半導体集積回路装置の一連の製造工程に
おいて用いる複数のマスクを製造して半導体メーカに納
品可能とするまでにおけるマスク製作の進み具合（予定
通り、遅れおよび進み）の管理を言う。また、マスクの
平準化生産とは、半導体集積回路装置の一連の製造工程
において用いる複数のマスクの納期に変動が生じないよ
うにまたは小さな変動で済むようにマスクを生産するこ
とを言う。
【００４１】図５は、図３のマスク手配方法およびマス
ク納期管理方式をさらに詳細に示している。
【００４２】図５の左側は、マスク進度管理支援を示し
ている。上記マスク着工スケジューラは、製品着工計画
連動マスク着工スケジューラおよび製品着工実績連動マ
スク着工再スケジューラを有している。このスケジュー
ラは、製品着工計画および実績を基にマスク仕様別、納
入拠点別のマスク着工スケジューラを生成できる。納入
拠点別という項目を設けているのは、納入拠点に応じて
マスクの搬送時間が異なってくるからである。
【００４３】上記マスクメーカに与えるマスク情報の相
互公開は、製品着工計画連動マスク着工スケジュール結
果、製品着工予定および実績、製品着工実績連動マスク
着工再スケジュール結果の３つを有している。マスクメ
ーカは、このマスク情報を使って、受注予測を行い平準
化生産を達成する。
【００４４】上記マスク進度異常監視は、マスク着工異
常監視およびマスク納期異常監視の２つを有している。
【００４５】一方、図５の右側は、マスク平準化生産支
援を示している。ここでのマスク情報の相互公開は、製
品着工計画連動マスク着工スケジュール結果の取得（マ
スク仕様別、納入拠点別）、製品着工予定および実績の
取得、製品着工実績連動マスク着工再スケジュール結果
の取得の３つを有している。ここで取得したマスクの製
造計画情報には、受注済みのマスクはもとより、これか
ら受注される情報も含まれている為、受注予測の範囲が
拡大し、平準化生産対応が容易となる。また、半導体メ
ーカに与えるマスク情報として、マスク着工実績および
納期回答がある。半導体メーカは、この情報を進度管理
と異常監視に使用する。
【００４６】ここでの優先着工制御は、優先着工表示、
製品着工実績連動マスク着工再スケジュール結果のフィ
ードバックを有している。
【００４７】図６は、図３のマスク手配方法およびマス
ク納期管理方式の基本的な構成を示している。
【００４８】まず、半導体メーカＭＡは、マスクメーカ
ＭＢに対してマスクを手配する。すなわち、製品着工計
画Ｓ１に則って、マスク手配情報Ｓ２を、キーボード等
のような入力手段を使用してマスク手配システムＳ３に
入力する。マスク手配情報Ｓ２は、例えば発注情報、図
面情報および仕様書情報等を有している。続いて、マス
ク手配システムＳ３は、マスク手配情報Ｓ２をマスク手
配ドキュメント＆データＳ４に変換し、例えばインター
ネット等のような通信回線Ｓ５を経由して、マスクメー
カＭＢのマスク受注システムＳ６に転送すると共にマス
ク手配情報Ｓ２を発注側のマスク納期管理Ｓ７のマスク
着工スケジューラＳ８にも転送する。
【００４９】次に、マスク着工スケジューラＳ８は、マ
スク手配情報Ｓ２を、予め登録されているマスク仕様別
マスタ、納入拠点別マスタ、製品工完マスタを使ってマ
スク着工スケジュール（製造計画情報）Ｓ９を生成し、
第１のマスク情報公開Ｓ１０および通信回線５を経由し
てマスクメーカＭＢにマスク着工スケジュールＳ９を公
開する（製品着工計画連動マスク着工スケジュール＆公
開工程）。このようにすることで、マスクの手配ミスを
激減させることができる。また、製品の製作進度に合わ
せてマスクを作製することができる。
【００５０】次に、マスク着工スケジューラＳ８は、製
品進度管理システムＳ１１から製品進度実績Ｓ１２を周
期的（例えば約１時間毎）に取得して、製品進度実績に
連動したマスク着工スケジュールＳ９を再スケジュール
し、製品着工計画、実績と共に第１のマスク情報公開Ｓ
１０および通信回線Ｓ５を経由してマスクメーカＭＢに
公開する。製品進度実績Ｓ１２は、製品着工計画、着工
実績および進度予測の３つの要素をグラフにして表示し
ている（製品実績連動マスク着工再スケジュール＆公開
工程）。
【００５１】次に、受注側のマスク納期管理Ｓ１３のマ
スク優先着工Ｓ１４は、公開されたマスク着工スケジュ
ールＳ９を基に優先着工表示Ｓ１５を行う。マスクメー
カＭＢは、優先着工表示に従ってマスクの着工を行う
（マスク優先着工工程）。これにより、無駄な時間を生
じることなく、必要なマスクを必要な時に製造して半導
体メーカＭＡにタイミング良く提供することができる。
【００５２】次に、受注側のマスク納期管理Ｓ１３の第
２のマスク情報公開Ｓ１６は、マスク進度管理システム
Ｓ１７よりマスク進度実績Ｓ１２を取得し、マスク着工
スケジュールＳ９に対比した形（マスク進度管理表示Ｓ
１８）で通信回線Ｓ５を経由して半導体メーカＭＡに公
開する（マスク進度実績公開工程）。
【００５３】次に、マスク進度異常監視Ｓ１９は、マス
ク着工スケジュールＳ９と取得したマスク進度実績を基
に、監視条件マスタを用いてマスク進度異常を監視す
る。このマスク進度異常監視の結果、マスク進度実績が
着工予定より速い場合、製品着工を速めるよう製品進度
管理システムＳ１１にフィードバックする。マスク進度
実績が着工予定より遅れた場合、マスクメーカＭＢに対
するフォローと製品着工の調整指示とを、製品進度管理
システムＳ１１にフィードバックする（マスク進度異常
監視）。すなわち、半導体集積回路装置の一連の製造工
程中において、半導体集積回路装置の製造とマスクの製
造との双方の全体的な流れを的確に把握することができ
るので、半導体集積回路装置の製造とマスクの製造とが
整合しているか否かを的確に判断することができる。し
かも、マスク供給の遅延徴候を捕らえることができるの
で、その遅れが生じそうな段階でその遅延を防止するた
めの調整またはフォローができ、半導体集積回路装置の
製造とマスクの製造との不整合を小さくまたは無くすこ
とができる。また、マスクの遅延の理由（マスク手配起
因か、マスク製造起因か等）を的確に判断することがで
きるので、その遅延を防止するための有効な対策を立て
ることができる。
【００５４】なお、上記半導体メーカＭＡおよびマスク
メーカＭＢの相互間の公開は、半導体メーカＭＡおよび
マスクメーカＭＢの双方のみに情報が提供されることで
行われる。そして、これらの公開情報は、半導体メーカ
ＭＡまたはマスクメーカＭＢのディスプレイ等のような
表示手段に表示される。
【００５５】次に、上記マスク着工スケジューラについ
て図７〜図１０を用いて説明する。図７は、マスク着工
スケジューラのシステム構成を示している。また、図８
は、マスク着工スケジューラのマスタテーブルの一例を
示している。図９は、マスク着工スケジューラのアルゴ
リズムの一例を示している。さらに、図１０は、マスク
着工スケジューラのスケジュールの基本例を示してい
る。
【００５６】製品別投入日時と対象工程ｎをマスク着工
スケジューラにインプットする。対象工程ｎとは、半導
体集積回路装置の製造工程中のどの工程で用いるマスク
かを示したものである。マスク着工スケジューラは、予
め登録しておいた製品着工準備時間マスタ、マスク着工
準備時間マスタ、製品別工完マスタ（ＳＫ）、納入拠点
別工完マスタ（ＮＫＫ）、マスク仕様別工完マスタ（Ｒ
ＳＫ）を基に、図９に示すマスク着工スケジューラのア
ルゴリズムによってスケジュールを作成する。
【００５７】その結果として、図１０に示す対象工程ｎ
の製品着工予定、マスク納期予定、マスク着工予定、マ
スク発注予定を含めたスケジュールを自動的に出力す
る。図１０の横軸は日程、縦軸は対象工程（半導体集積
回路装置の製造工程（例えば拡散工程、続く配線工
程））をそれぞれ示している。ラフ工程は比較的低いパ
ターン転写精度で済む工程を示し、ファイン工程は比較
的高いパターン転写精度を必要とする工程を示してい
る。マスク着工予定からマスク納期予定までの期間は、
マスクの仕様や納入拠点の違いによって変わるので、そ
のマスク仕様別および納入拠点別に応じてスケジュール
が作成される。
【００５８】次に、上記した第１のマスクの情報の相互
公開（製品着工計画連動マスク着工スケジュール公開）
について図１１および図１２を用いて説明する。
【００５９】図１１は、本発明者らが検討したマスク着
工スケジュール（図１１の左側）およびマスク情報公開
範囲（図１１の右側）を比較のために示している。ここ
での半導体メーカからマスクメーカへのマスク情報公開
は、発注したマスクの納期情報のみのため、受注予測が
出来ず、マスクメーカにおける平準化生産は困難とな
る。
【００６０】図１２は、本実施の形態のマスク着工スケ
ジュール（図１２の左側）およびマスク情報公開範囲
（図１２の右側）を示している。本実施の形態における
半導体メーカＭＡからマスクメーカＭＢへの第１のマス
ク情報公開は、発注したマスク納期情報に加えて、製品
着工予定、製品着工実績、マスク納期予定、マスク着工
予定およびマスク発注予定を新たに設けた。しかも、こ
のマスク情報公開では、マスクメーカＭＡに製造を依頼
したマスクの情報の他、未だマスクメーカＭＡには製造
を依頼していないが将来依頼するであろうマスクの情報
をも提供されている。これにより、マスクメーカは、受
注予測の範囲を拡大させることができるので、マスクの
製造予定を立てるのが容易となり、マスクの平準化生産
の対応が容易となる。したがって、半導体集積回路装置
の製造と、マスクの製造および納品との不整合を小さ
く、または無くすことができるので、無駄な時間を無く
すことができ、半導体集積回路装置の開発期間を大幅に
短縮することができる。また、製品製造の管理に当たっ
て膨大な作業工数を必要としないので、半導体集積回路
装置のコストを低減することが可能となる。
【００６１】このような本実施の形態におけるマスクの
公開情報は、全てマスク着工スケジューラの出力結果で
あり、マスク着工スケジューラ無しにマスク情報公開範
囲を拡大することは出来ない。
【００６２】次に、上記した第２のマスクの情報の相互
公開（製品着工実績連動マスク着工再スケジュール公
開）について図１３を用いて説明する。図１３は、本実
施の形態の製品着工実績連動マスク着工再スケジュール
公開およびマスク着工実績公開の説明図である。
【００６３】本実施の形態において、半導体メーカＭＡ
からマスクメーカＭＢへのマスク情報公開（図１３の上
段の左側）には、製品着工予定、製品着工実績、マスク
納期予定、マスク着工予定およびマスク発注予定が含ま
れている。マスク着工スケジューラは、製品進度管理シ
ステムから製品進度実績を周期的（例えば約１時間毎）
に取得して、製品進度実績に連動したマスク着工スケジ
ュールを再スケジュールし、その結果を公開マスク情報
にフィードバックすることで、製品着工実績と連動した
マスク着工スケジュールをリアルタイムで提供すること
が可能となっている（図１３の上段の右側）。
【００６４】本実施の形態におけるマスクメーカＭＢか
ら半導体メーカＭＡへのマスク情報公開（図１３の下段
の右側）には、例えばマスク着工実績およびマスク納期
回答が含まれている。この公開マスク情報を使って、マ
スク進度管理およびマスク進度異常監視を行う。このマ
スク着工実績およびマスク納期回答は、マスクメーカＭ
Ｂでマニュアル入力されるか、マスク進度管理システム
から自動取得される（図１３の下段の左側）。
【００６５】次に、上記マスク優先着工制御について図
１４を用いて説明する。図１４は、上記マスク優先着工
制御の説明図を示している。
【００６６】図１４の上段左側は、製品着工計画連動着
工スケジュール結果を示している。マスクメーカＭＢに
おいて、半導体メーカＭＡから公開（提供）されたマス
ク情報（製品着工予定、製品着工実績、マスク納期予
定、マスク着工予定およびマスク発注予定）を基に、図
１４の上段右側に示すような優先着工表示を行う。この
優先着工表示は、受注した全マスクを対象に着工および
納期を優先に上から順番に表示したもので、例えば製
品、マスク名、工程名称、枝番、着工予定および納期予
定等のような項目が示されている。マスクメーカＭＢ
は、この優先着工表示を参照し、その上から順番に着工
して行く。
【００６７】図１４の下段左側に、製品進度実績に連動
したマスク着工再スケジュール結果を示す。ここで、図
１４の上段右側の太線で囲んだマスクが何らかの理由で
後回しにした方が良い場合が発生したとする。そのよう
な場合、本実施の形態においては、製品進度実績に連動
したマスク着工再スケジュール結果がリアルタイムにフ
ィードバックされるため、上記再スケジュール後の優先
着工表示は、図１４の下段右側に示すような優先着工表
示となり、表示もスケジュールに従って更新することが
できる。したがって、マスクメーカＭＢは、効率的にマ
スクを製造することができるので、マスクの製造時間を
大幅に短縮することが可能となる。
【００６８】次に、上記したマスク進度異常監視につい
て図１５〜図１９を用いて説明する。
【００６９】図１５は、異常監視画面イメージを示して
いる。異常監視項目は、マスク着工予定に対する実績の
遅れと、マスク納期予定に対する回答の遅れである。遅
れが生じた場合にそれぞれ第１アラーム、第２アラーム
を出力するようになっている。アラームに変えてディス
プレイ上に遅れを表示することもできる。
【００７０】図１６は、異常監視システムの構成を示し
ている。また、図１７は、監視条件マスタの一例を示し
ている。監視条件マスタには、着工異常および納期異常
について、監視の要否、監視周期および監視プリ時間が
設定されている。また、図１８および図１９は、異常監
視アルゴリズムの一例をそれぞれ示している。
【００７１】インプットデータとしては、マスク着工予
定、マスク着工実績、マスク納期予定、マスク納期回答
および現在日時が例示されている。本実施の形態の異常
監視システムは、予め登録されている図１７に示す監視
条件マスタと図１８及び図１９に示す異常監視アルゴリ
ズムを使ってマスク着工異常およびマスク納期異常を監
視し第１および第２アラームを出力する。これらの機能
によりマスク進度異常をリアルタイムに検知することが
可能となり、マスク納期遵守率の向上を図ることが可能
となる。
【００７２】次に、上記マスク手配およびマスク納期管
理ワークについて図２０および上記図６を用いて説明す
る。
【００７３】図２０の最も左側のフローは、マスク手配
および着工スケジュール（マスク手配毎に実行）のワー
クフローを示している。まず、製品着工計画Ｓ１を確認
した後（工程１００）、マスク手配情報Ｓ２を生成（描
画データ、図面、仕様書等）し（工程１０１）、マスク
手配システムＳ３を使ってマスクを手配する（工程１０
２）。次に、マスク着工スケジューラＳ８を使ってマス
ク着工スケジュールを生成し（工程１０３）、マスクメ
ーカＭＢにマスク情報を公開する（工程１０４，Ｓ１
０）。
【００７４】図２０の左から２番目のフローは、マスク
着工再スケジュール（一定周期で実行）のワークフロー
を示している。まず、製品進度管理システムＳ１１より
製品進度実績を取得し（工程２００）、マスク着工スケ
ジュールを更新（製品着工実績に連動したマスク着工再
スケジュール）する（工程２０１，Ｓ８）。スケジュー
ルの結果と製品着工計画および実績とをマスクメーカＭ
Ｂにマスク情報として公開する（工程２０２，Ｓ１
０）。
【００７５】図２０の左から３番目のフローは、マスク
進度管理のワークフローを示している。マスクメーカＭ
Ｂからのマスク公開情報（マスク着工実績、納期回答
等）を確認し（工程３００，Ｓ１６）、マスク進度管理
異常監視を行う（工程３０１，Ｓ１９）。その結果、予
定より速い場合、製品着工を予定より速める（工程３０
２，Ｓ１１）。また、予定より遅い場合、アラーム等を
出し、マスクメーカＭＢのフォローと製品着工の調整を
行う（工程３０３，Ｓ１９）。
【００７６】図２０の最も右側のフローは、マスク優先
着工制御（一定周期で実行）のワークフローを示してい
る。半導体メーカＭＡからのマスク公開情報（マスク着
工スケジュール、製品着工予定、実績等）を確認した後
（工程４００）、マスク優先着工表示（例えばマスク着
工予定順またはマスク納期順に表示を並び替える）を実
施し（工程４０１，Ｓ１４）、優先着工表示順にマスク
を着工する（工程４０２）。また、その結果（マスク着
工実績、納期回答等）を半導体メーカＭＡに公開する
（工程４０３，Ｓ１６）。
【００７７】次に、マスク着工スケジュールの具体例に
ついて説明する。図２１は、マスク着工スケジュールの
具体例を示している。この図２１は、縦方向が半導体集
積回路装置の製造工程を表し、横方向が日程を表してい
る。ここには、例えばＮウエル、フィールド、Ｐウエ
ル、ゲート電極、Ｎチャネル、Ｐチャネル、ポリシリコ
ン、抵抗、コンタクト、第１層配線（ＡＬ−１）、スル
ーホール、第２層配線（ＡＬ−２）およびボンディング
パッドのフォトリソグラフィ工程が示されている。半導
体メーカにおいて半導体集積回路装置を製造するのと並
行してマスクメーカにおいてその半導体集積回路装置の
製造に用いるマスクを製造し、半導体メーカに納品す
る。例えば半導体メーカが、Ｎウエル形成のための露光
処理を行っている段階では、マスクメーカはＰウエルや
ゲート電極を形成するためのフォトマスク等を製造して
いることになっている。このように半導体メーカおよび
マスクメーカは、図２１のマスク着工スケジューラに従
って、半導体集積回路装置およびマスクの製造を進め
る。スケジュールは、例えば４つで、右側から順に製品
着工予定、マスク納期予定、マスク着工予定、マスク発
注予定（仕様書、描画データ等）等が示されている。ラ
フ工程のマスクとファイン工程のマスクとでは、ファイ
ン工程のマスク製作工数が長い為、マスク着工予定も速
くなる。すなわち、マスク着工時期が早くなる。これに
より、半導体集積回路装置の一連の製造工程において、
納品されるマスクの製造の平準化を図ることができる。
すなわち、マスクを予定通りに半導体メーカに納品でき
るので、半導体集積回路装置の開発期間を短縮すること
が可能となる。
【００７８】次に、本実施の形態の半導体集積回路装置
の製造方法に用いるマスクの製造方法を説明する。
【００７９】図２２〜図２６は、上記ラフ工程で用いる
マスクＮＭの製造工程中の要部断面図を示している。図
２２に示すマスク基板１は、例えば平面四角形に形成さ
れた厚さ６ｍｍ程度の透明な合成石英ガラス板等からな
る。まず、マスク基板１に対して洗浄処理を施した後、
図２３に示すように、このマスク基板１の第１主面上
に、例えばクロム（Ｃｒ）等のような露光光に対して遮
光性の高いメタル膜２をスパッタリング法等によって堆
積し、さらに、図２４に示すように、メタル膜２上にフ
ォトレジスト膜３ａを塗布しベークする。続いて、この
フォトレジスト膜３ａに電子線描画装置によって所定の
パターンを描画した後、現像処理を施すことにより、図
２５に示すように、メタル膜２上にフォトレジスト膜３
ａのパターンを形成する。その後、そのフォトレジスト
膜３ａのパターンをエッチングマスクとして、そこから
露出するメタル膜２をエッチング除去することにより、
図２６に示すように、マスク基板１の第１主面上にメタ
ル膜２からなる遮光パターンを形成する。その後、フォ
トレジスト膜３ａのパターンを除去した後、マスク基板
１に対して洗浄処理を施し、外観検査等を経てマスクＮ
Ｍを製造する。このマスクＮＭは、上記通常のマスクに
該当するものであり、ウエハ上において比較的低い転写
精度で良いパターンを転写する際のマスクとして使用す
る。なお、マスクＮＭをバイナリマスクとする場合は、
その遮光パターンの透過率がほぼ０、すなわち、１％未
満、望ましくは０．５％未満、更に実際的には０．１％
未満とする。
【００８０】次に、図２７〜図３５は、上記ファイン工
程で用いるマスクＰＭの製造工程中の要部断面図を示し
ている。図２７に示すように、前記したのと同じマスク
基板１を用意して洗浄処理を施した後、図２８に示すよ
うに、マスク基板１の第１主面上に、例えばモリブデン
シリサイド（ＭｏＳｉ2）等からなるハーフトーン膜４
をスパッタリング法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition）法等によって堆積する。続いて、図２９に示
すように、ハーフトーン膜４上に、例えばクロム等のよ
うなメタル膜２をスパッタリング法等によって堆積した
後、その上に、図３０に示すように、フォトレジスト膜
３ｂを塗布しベークする。続いて、このフォトレジスト
膜３ｂに電子線描画装置によって所定のパターンを描画
した後、現像処理を施すことにより、図３１に示すよう
に、メタル膜２上にフォトレジスト膜３ｂのパターンを
形成する。その後、そのフォトレジスト膜３ｂのパター
ンをエッチングマスクとして、そこから露出するメタル
膜２およびハーフトーン膜４をエッチング除去した後、
フォトレジスト膜３ｂを図３２に示すように除去する。
その後、洗浄および外観検査を経た後、図３３に示すよ
うに、マスク基板１の第１主面上に、フォトレジスト膜
３ｃおよび導電性膜５を下層から順に塗布する。導電性
膜５は、フォトレジスト膜３ｃにパターンを描画するた
めの電子線描画処理における電子の帯電を防止するため
の透明な膜である。これにより、電子の帯電に起因する
フォトレジストパターンの形状劣化や位置ずれ不良等の
不具合を抑制または防止することが可能となる。次い
で、このフォトレジスト膜３ｃに電子線描画装置によっ
て所定のパターンを描画した後、現像処理を施すことに
より、図３４に示すように、メタル膜２上にフォトレジ
スト膜３ｃのパターンを形成する。続いて、そのフォト
レジスト膜３ｃのパターンをエッチングマスクとして、
そこから露出するメタル膜２を選択的にエッチング除去
した後、フォトレジスト膜３ｃを除去し、洗浄および外
観検査等を経て、図３５に示すように、マスクＰＭを製
造する。このマスクＰＭは、上記ハーフトーン型の位相
シフトマスクに該当するものであり、ウエハ上において
比較的高い転写精度を要するパターンを転写する際のマ
スクとして使用する。マスク基板１の第１主面上には、
メタル膜２と、ハーフトーン膜４とが形成されている。
メタル膜２は、上記と同様に遮光パターンを形成する。
ハーフトーン膜４は、半透明パターンを形成し、かつ、
マスクＰＭの透明領域を透過した光に対して透過光の位
相を１８０度反転させる機能を有している。
【００８１】次に、このようにして作製されたマスクを
用いた露光処理について説明する。
【００８２】まず、例えばシリコン単結晶からなる半導
体を基板とするウエハの被露光面（主面）、すなわち、
デバイス形成面上にフォトレジスト膜を塗布した後、ウ
エハを縮小投影露光装置にセッティングする。また、作
製されたマスクを縮小投影露光装置にセッティングす
る。この時、マスクの第１主面（すなわち、遮光パター
ンや位相シフタパターン（ハーフトーンパターンを含
む）が形成された面を、縮小投影露光装置の縮小投影レ
ンズ、すなわち、ウエハの主面側に向けた状態でマスク
をセッティングする。続いて、縮小投影露光装置の露光
光を、マスクの第２主面（第１主面の裏側の面）に対し
て照射し、マスクを透過した光を縮小投影レンズを介し
てウエハの主面のフォトレジスト膜に縮小投影露光す
る。これにより、ウエハ上のフォトレジスト膜に所望の
パターンを転写する。そして、現像処理等を通じて形成
されるフォトレジストパターンをエッチングマスクまた
はイオン注入マスクとして用いてウエハに所望のパター
ンまたは所望の半導体領域を形成する。
【００８３】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８４】例えば上記の例では通常のマスクおよびハ
ーフトーンマスクについて説明したが、これに限定され
るものではなく種々適用可能であり、例えば上記したレ
ベンソン型の位相シフトマスクやレジストマスクを用い
ることもできる。
【００８５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造方法に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、例えば超電導装
置、マイクロマシーン、磁気ヘッド、電子デバイスまた
は液晶パネル等の製造にも適用できる。
【００８６】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００８７】すなわち、半導体集積回路装置の製造と、
マスクの製造との通信回線を用いた整合支援を行う工程
を有することにより、半導体集積回路装置の製造とマス
クの供給との間の不整合を小さく、または無くすことが
できるので、半導体集積回路装置の開発期間を短縮する
ことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明者らが検討したフォトマスク進度管理方
式およびフォトマスク生産方式の課題を示す説明図であ
る。
【図２】本発明者らが検討したフォトマスク手配および
納期管理の課題の説明図である。
【図３】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装
置の製造方法におけるフォトマスク手配方法と納期管理
方式の説明図である。
【図４】図１の方法による効果の説明図である。
【図５】図３の半導体集積回路装置の製造方法における
マスク手配方法およびマスク納期管理方式のさらに詳細
な説明図である。
【図６】図３の半導体集積回路装置の製造方法における
マスク手配方法およびマスク納期管理方式の基本的な構
成の説明図である。
【図７】図６のマスク着工スケジューラのシステム構成
の説明図である。
【図８】マスク着工スケジューラのマスタテーブルの一
例の説明図である。
【図９】マスク着工スケジューラのアルゴリズムの一例
の説明図である。
【図１０】マスク着工スケジューラのスケジュールの基
本例の説明図である。
【図１１】本発明者らが検討したマスク着工スケジュー
ル（左側）およびマスク情報公開範囲（右側）を比較の
ために示した説明図である。
【図１２】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法のマスク着工スケジュール（左側）およ
びマスク情報公開範囲（右側）の説明図である。
【図１３】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法の製品着工実績連動マスク着工再スケジ
ュール公開およびマスク着工実績公開の説明図である。
【図１４】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法のマスク優先着工制御の説明図である。
【図１５】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法のマスク進度異常監視方法における異常
監視画面イメージの説明図である。
【図１６】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法のマスク進度異常監視システムの構成の
説明図である。
【図１７】図１６のマスク進度異常監視システムが用い
る監視条件マスタの一例を示す説明図である。
【図１８】図１６のマスク進度異常監視システムが用い
る異常監視アルゴリズムの一例を示す説明図である。
【図１９】図１６のマスク進度異常監視システムが用い
る異常監視アルゴリズムの一例を示す説明図である。
【図２０】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法におけるマスク手配およびマスク納期管
理ワークのフロー図である。
【図２１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法におけるマスク着工スケジュールの具体
例の説明図である。
【図２２】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法に用いるフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図２３】図２２に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図２４】図２３に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図２５】図２４に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図２６】図２５に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図２７】本発明の一実施の形態である半導体集積回路
装置の製造方法に用いる他のフォトマスクの製造工程中
の要部断面図である。
【図２８】図２７に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図２９】図２８に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図３０】図２９に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図３１】図３０に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図３２】図３１に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図３３】図３２に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図３４】図３３に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【図３５】図３４に続くフォトマスクの製造工程中の要
部断面図である。
【符号の説明】
１ マスク基板 ２ メタル膜 ３ａ フォトレジスト膜 ４ ハーフトーン膜 ５ 導電性膜 ＭＡ 半導体メーカ ＭＡ１ 設計部 ＭＡ２ 製造部 ＭＢ マスクメーカ Ｍ 整合支援手段 Ｍ１ マスク進度管理支援手段 Ｍ２ マスク平準化生産支援手段 Ｓ１ 製品着工計画 Ｓ２ マスク手配情報 Ｓ３ マスク手配システム Ｓ４ マスク手配ドキュメント＆データ Ｓ５ 通信回線 Ｓ６ マスク受注システム Ｓ７ マスク納期管理 Ｓ８ マスク着工スケジューラ Ｓ９ マスク着工スケジュール Ｓ１０ 第１のマスク情報公開 Ｓ１１ 製品進度管理システム Ｓ１２ 製品進度実績 Ｓ１３ マスク納期管理 Ｓ１４ マスク優先着工 Ｓ１５ 優先着工表示 Ｓ１６ マスク情報公開 Ｓ１７ マスク進度管理システム Ｓ１８ マスク進度管理表示 Ｓ１９ マスク進度異常監視 ＮＭ フォトマスク ＰＭ フォトマスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） (72)発明者 森井 敏博 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 関口 幸治 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者 岡本 好彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内

Claims (39)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （ａ）半導体集積回路装置を半導体集積
    回路装置製造部で製造する工程、（ｂ）前記半導体集積
    回路装置の製造工程で用いる複数枚のフォトマスクをフ
    ォトマスク製造部で製造する工程、（ｃ）前記半導体集
    積回路装置の製造と、前記複数枚のフォトマスクの製造
    との整合支援を通信回線を通じて行う工程を有し、 前記整合支援は、前記フォトマスクの製造進度を管理す
    る手段、前記フォトマスクの生産を平準化する手段を有
    することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置の製
    造方法において、前記フォトマスクの製造進度を管理す
    る手段は、フォトマスクの製造計画情報の作成機能、フ
    ォトマスクの製造計画情報の相互公開機能およびフォト
    マスクの製造進度異常の監視機能の少なくとも１つを有
    し、前記フォトマスクの生産を平準化する手段は、フォ
    トマスクの製造計画情報の相互公開機能およびフォトマ
    スクの優先着工の制御機能の少なくとも１つを有してい
    ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 以下の工程を有することを特徴とする半
    導体集積回路装置の製造方法； （ａ）半導体集積回路装置製造部が、半導体集積回路装
    置の製造で用いるフォトマスクの着工をフォトマスク製
    造部に通信回線を通じて依頼する工程、（ｂ）前記半導
    体集積回路装置製造部が、半導体集積回路装置の製造で
    用いるフォトマスクの着工から納品までの製造計画情報
    をフォトマスク製造部に通信回線を通じて提供する工
    程、（ｃ）前記フォトマスク製造部が、前記フォトマス
    クの着工依頼および製造計画情報に従ってフォトマスク
    を製造する工程、（ｄ）前記フォトマスク製造部で製造
    されたフォトマスクを前記半導体集積回路装置製造部に
    納品する工程、（ｅ）前記半導体集積回路装置製造部
    が、前記納品されたフォトマスクを用いた露光処理によ
    ってウエハに所望のパターンを転写する工程。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体集積回路装置の製
    造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報は、
    前記フォトマスク製造部に対して将来製造を依頼するこ
    とを予定しているフォトマスクの製造計画情報をも有す
    ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項３記載の半導体集積回路装置の製
    造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報に基
    づいて、複数のフォトマスクのうちの所定のフォトマス
    クを優先的に製造する工程を有することを特徴とする半
    導体集積回路装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項３記載の半導体集積回路装置の製
    造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報は、
    フォトマスクの仕様別情報および納入拠点情報を基に作
    成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 請求項３記載の半導体集積回路装置の製
    造方法において、前記半導体集積回路装置の製造工程中
    には、位相シフトマスクを用いる工程を有することを特
    徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  8. 【請求項８】 以下の工程を有することを特徴とする半
    導体集積回路装置の製造方法； （ａ）半導体集積回路装置製造部が、半導体集積回路装
    置の製造で用いるフォトマスクの着工をフォトマスク製
    造部に通信回線を通じて依頼する工程、（ｂ）前記半導
    体集積回路装置製造部が、半導体集積回路装置の製造で
    用いるフォトマスクの着工から納品までの製造計画情報
    をフォトマスク製造部に通信回線を通じて提供する工
    程、（ｃ）前記フォトマスク製造部が、前記フォトマス
    クの着工依頼および製造計画情報に従ってフォトマスク
    を製造する工程、（ｄ）前記フォトマスク製造部が、前
    記フォトマスクの製造進度情報を前記半導体集積回路装
    置製造部に前記通信回線を通じて周期的に提供する工
    程、（ｅ）前記半導体集積回路装置製造部が、前記フォ
    トマスクの製造進度情報に基づいてフォトマスクの製造
    進度を監視する工程、（ｆ）前記フォトマスク製造部で
    製造されたフォトマスクを前記半導体集積回路装置製造
    部に納品する工程、（ｇ）前記半導体集積回路装置製造
    部が、前記フォトマスクを用いた露光処理によってウエ
    ハに所望のパターンを転写する工程。
  9. 【請求項９】 請求項８記載の半導体集積回路装置の製
    造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報は、
    前記フォトマスク製造部に対して将来製造を依頼するこ
    とを予定しているフォトマスクの製造計画情報をも有す
    ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
    製造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報に
    基づいて、複数のフォトマスクのうちの所定のフォトマ
    スクを優先的に製造する工程を有することを特徴とする
    半導体集積回路装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
    製造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報
    は、フォトマスクの仕様別情報および納入拠点情報を基
    に作成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
    方法。
  12. 【請求項１２】 請求項８記載の半導体集積回路装置の
    製造方法において、前記半導体集積回路装置の製造工程
    中には、位相シフトマスクを用いる工程を有することを
    特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  13. 【請求項１３】 以下の工程を有することを特徴とする
    半導体集積回路装置の製造方法； （ａ）半導体集積回路装置製造部が、半導体集積回路装
    置の製造で用いるフォトマスクの着工をフォトマスク製
    造部に通信回線を通じて依頼する工程、（ｂ）前記半導
    体集積回路装置製造部が、半導体集積回路装置の製造で
    用いるフォトマスクの着工から納品までの製造計画情報
    をフォトマスク製造部に通信回線を通じて提供する工
    程、（ｃ）前記フォトマスク製造部が、前記フォトマス
    クの着工依頼および製造計画情報に従ってフォトマスク
    を製造する工程、（ｄ）前記フォトマスク製造部が、前
    記フォトマスクの製造進度情報を前記半導体集積回路装
    置製造部に前記通信回線を通じて周期的に提供する工
    程、（ｅ）前記半導体集積回路装置製造部が、前記フォ
    トマスクの製造進度情報に基づいて前記半導体集積回路
    装置の製造とフォトマスクの製造とを調整する工程、
    （ｆ）前記フォトマスク製造部で製造されたフォトマス
    クを前記半導体集積回路装置製造部に納品する工程、
    （ｇ）前記半導体集積回路装置製造部が、前記フォトマ
    スクを用いた露光処理によってウエハに所望のパターン
    を転写する工程。
  14. 【請求項１４】 請求項１３記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、前記（ｅ）工程は、前記フォトマ
    スクの製造進度情報に基づいて、前記フォトマスクの製
    造計画情報を再作成し、前記通信回線を通じて前記フォ
    トマスク製造部に提供する工程、前記フォトマスク製造
    部が、前記再作成されたフォトマスクの製造計画情報に
    従ってフォトマスクを製造する工程を有することを特徴
    とする半導体集積回路装置の製造方法。
  15. 【請求項１５】 請求項１３記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報
    は、前記フォトマスク製造部に対して将来製造を依頼す
    ることを予定しているフォトマスクの製造計画情報をも
    有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
    法。
  16. 【請求項１６】 請求項１３記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報
    に基づいて、複数のフォトマスクのうちの所定のフォト
    マスクを優先的に製造する工程を有することを特徴とす
    る半導体集積回路装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 請求項１３記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、前記フォトマスクの製造計画情報
    は、フォトマスクの仕様別情報および納入拠点情報を基
    に作成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
    方法。
  18. 【請求項１８】 請求項１３記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、前記半導体集積回路装置の製造工
    程中には、位相シフトマスクを用いる工程を有すること
    を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  19. 【請求項１９】 フォトマスクを製造するフォトマスク
    製造ラインと、前記フォトマスクを用いて露光装置によ
    りウエハに集積回路パターンを転写する半導体製造ライ
    ンとが分離している半導体集積回路装置の製造方法であ
    って、 前記半導体製造ライン側では、半導体集積回路装置の製
    造に必要となるフォトマスクの製造計画情報をフォトマ
    スク製造ラインに与え、 前記フォトマスク製造ライン側では、前記フォトマスク
    の製造計画情報を受けてフォトマスクの着工順位を決定
    する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置
    の製造方法。
  20. 【請求項２０】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記半導体製造ライン側では、半導体製造に必要となる
    フォトマスクの製造計画情報を、手配したフォトマスク
    のみならず、これから手配する手配予定のフォトマスク
    についてマスク製造ラインに与えることを特徴とする半
    導体集積回路装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスクの製造計画情報は、手配したフォトマ
    スクを使用する半導体集積回路装置の半導体製造ライン
    における半導体集積回路装置の着工計画情報を有するこ
    とを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスクの製造計画情報は、手配したフォトマ
    スクを使用する半導体集積回路装置の半導体製造ライン
    における半導体集積回路装置の着工計画情報および製造
    工程毎の製造進度情報を有することを特徴とする半導体
    集積回路装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスク製造ライン側では、フォトマスクの製
    造工程毎の製造進度情報を半導体製造ラインに与え、 前記半導体製造ライン側では、前記製造進度情報を受け
    てフォトマスクの進度異常を監視することを特徴とする
    半導体集積回路装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】 請求項２３記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスクの進度異常の監視は、予め指定された
    監視条件マスタ、フォトマスク着工スケジュールおよび
    フォトマスク着工実績を基に異常監視して、フォトマス
    ク着工異常および納期異常の２つの異常を検出すること
    を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  25. 【請求項２５】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスク製造ライン側では、フォトマスクの製
    造工程毎の製造進度情報を半導体製造ラインに与え、 前記半導体製造ライン側では、前記製造進度情報を受け
    てフォトマスクの進度異常を監視し、かつ、前記半導体
    集積回路装置と、前記フォトマスクとの生産調整を行う
    ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  26. 【請求項２６】 請求項２５記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスクの進度異常の監視は、予め指定された
    監視条件マスタ、フォトマスク着工スケジュールおよび
    フォトマスク着工実績を基に異常監視して、フォトマス
    ク着工異常および納期異常の２つの異常を検出すること
    を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  27. 【請求項２７】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスクの製造計画情報は、半導体集積回路装
    置の着工計画情報、フォトマスク仕様別情報および納入
    拠点別情報を基に作成することを特徴とする半導体集積
    回路装置の製造方法。
  28. 【請求項２８】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスクの製造計画情報は、半導体集積回路装
    置の着工計画情報、フォトマスク仕様別情報および納入
    拠点別情報を基に作成すると共に、前記半導体集積回路
    装置製の製造進行に伴って着工実績をリアルタイムで取
    得し、それを基に周期的に再作成することを特徴とする
    半導体集積回路装置の製造方法。
  29. 【請求項２９】 請求項１９記載の半導体集積回路装置
    の製造方法において、 前記フォトマスクの製造計画情報を基にしたフォトマス
    クの着工順位の決定方法として、フォトマスク製造ライ
    ン側で、手配された全フォトマスクを対象にフォトマス
    クの製造計画情報着内の着工予定および納期予定を基に
    優先着工を表示することを特徴とする半導体集積回路装
    置の製造方法。
  30. 【請求項３０】 以下の工程を有することを特徴とする
    フォトマスクの製造方法； （ａ）フォトマスク製造部が、半導体集積回路装置の製
    造で用いるフォトマスクの着工を半導体集積回路装置製
    造部から通信回線を通じて受ける工程、（ｂ）前記フォ
    トマスク製造部が、半導体集積回路装置の製造で用いる
    フォトマスクの着工から納品までの製造計画情報を前記
    半導体集積回路装置製造部から通信回線を通じて受ける
    工程、（ｃ）前記フォトマスク製造部が、前記フォトマ
    スクの着工依頼および製造計画情報に従ってフォトマス
    クを製造する工程、（ｄ）前記フォトマスク製造部で製
    造されたフォトマスクを前記半導体集積回路装置製造部
    に納品する工程。
  31. 【請求項３１】 請求項３０記載のフォトマスクの製造
    方法において、前記フォトマスクの製造計画情報は、前
    記フォトマスク製造部に対して将来製造を依頼すること
    を予定しているフォトマスクの製造計画情報をも有する
    ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
  32. 【請求項３２】 請求項３０記載のフォトマスクの製造
    方法において、前記フォトマスクの製造計画情報に基づ
    いて、複数のフォトマスクのうちの所定のフォトマスク
    を優先的に製造する工程を有することを特徴とするフォ
    トマスクの製造方法。
  33. 【請求項３３】 請求項３０記載のフォトマスクの製造
    方法において、前記フォトマスクの製造工程は、位相シ
    フトマスクの製造工程を有することを特徴とするフォト
    マスクの製造方法。
  34. 【請求項３４】 以下の工程を有することを特徴とする
    フォトマスクの製造方法； （ａ）フォトマスク製造部が、半導体集積回路装置の製
    造で用いるフォトマスクの着工を半導体集積回路装置製
    造部から通信回線を通じて受ける工程、（ｂ）前記フォ
    トマスク製造部が、半導体集積回路装置の製造で用いる
    フォトマスクの着工から納品までの製造計画情報を前記
    半導体集積回路装置製造部から通信回線を通じて受ける
    工程、（ｃ）前記フォトマスク製造部が、前記フォトマ
    スクの着工依頼および製造計画情報に従ってフォトマス
    クを製造する工程、（ｄ）前記フォトマスク製造部が、
    前記フォトマスクの製造進度情報を前記半導体集積回路
    装置製造部に前記通信回線を通じて周期的に提供する工
    程、（ｅ）前記半導体集積回路装置製造部が、前記フォ
    トマスクの製造進度情報に基づいて前記半導体集積回路
    装置の製造とフォトマスクの製造とを調整する工程、
    （ｆ）前記フォトマスク製造部で製造されたフォトマス
    クを前記半導体集積回路装置製造部に納品する工程。
  35. 【請求項３５】 請求項３４記載のフォトマスクの製造
    方法において、前記（ｅ）工程は、前記フォトマスクの
    製造進度情報に基づいて再作成されたフォトマスクの製
    造計画情報を、前記フォトマスク製造部が前記通信回線
    を通じて前記受け取る工程、前記フォトマスク製造部
    が、前記再作成されたフォトマスクの製造計画情報に従
    ってフォトマスクを製造する工程を有することを特徴と
    するフォトマスクの製造方法。
  36. 【請求項３６】 請求項３４記載のフォトマスクの製造
    方法において、前記フォトマスクの製造計画情報は、前
    記フォトマスク製造部に対して将来製造を依頼すること
    を予定しているフォトマスクの製造計画情報をも有する
    ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
  37. 【請求項３７】 請求項３４記載のフォトマスクの製造
    方法において、前記フォトマスクの製造計画情報に基づ
    いて、複数のフォトマスクのうちの所定のフォトマスク
    を優先的に製造する工程を有することを特徴とするフォ
    トマスクの製造方法。
  38. 【請求項３８】 請求項３４記載のフォトマスクの製造
    方法において、前記フォトマスクの製造工程は、位相シ
    フトマスクの製造工程を有することを特徴とするフォト
    マスクの製造方法。
  39. 【請求項３９】 フォトマスクを製造するフォトマスク
    製造ラインと、前記フォトマスクを用いて露光装置によ
    りウエハに集積回路パターンを転写する半導体製造ライ
    ンとが分離しており、 前記半導体製造ライン側では、半導体集積回路装置の製
    造に必要となるフォトマスクの製造計画情報をフォトマ
    スク製造ラインに与え、 前記フォトマスク製造ライン側では、前記フォトマスク
    の製造計画情報を受けてフォトマスクの着工順位を決定
    する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造
    方法。
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