TW594998B - A method of controlling the capacitance of the TFT-LCD storage capacitor - Google Patents

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、發明說明( 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、本發明是有關於一種薄臈電晶體液晶顯示器的製造方 法且特別是有關於一種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲 存電容器電容的方法。 夜曰曰顯示器具有咼晝質、體積小、重量輕、低電壓驅 動、低消耗功率及應用範圍廣等優點。因此被廣泛應用於 t小型可攜式電視、行動電話、攝錄放影機、筆記型電 月:、桌上型顯示器、以及投影電視等消費性電子或電腦產 並已逐漸取代陰極射線管（Cath〇de Ray Tube ; CRT)成 為顯示器的主流。其中特別是薄膜電晶體（Thin Film

TranS1StGr ; TFT)液晶顯示器，因其高顯示品質、低消耗功 率’幾乎佔據了大部分的市場。 Q :般薄膜電晶體液晶顯示器之薄膜電晶體的閘介電層 疋由鼠化石夕層所組成。—般在閘介電層上形成源極/汲極堆 疊層（底閘極結構；bottomgate)或是閘極（頂閘極結構； gate)日寸’常會進行短時間的過蝕刻⑽步驟，以 確保非晶矽層沒有殘留。因為整片透明基板面積十分大， 而作為閘介電層的氮化矽層在過蝕刻步驟之後，其厚度之 均勻度常常不佳，因此影響該畫素内，薄膜電晶體之儲存 電容器之介電層均勻度。 儲存電容器的儲存電量是用來補償晝素電極的漏電 流，以維持整個畫素的電壓穩定。因此，由晝素電極所控 3 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)a4規格(210X 297公釐) 1—1 #^9— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 594998 五、發明説明（ 制的液晶分子排列方向就可以跟著穩定下來，使液晶顯示 器的畫面不會閃爍。若在整片透明基板上之儲存電容器的 電容大小不一，各儲存電容間的充放電狀態也會不均一， 為了補償儲存電容器間的電容不均句，薄膜電晶體的尺寸 就不能依取理想的情況（儲存電容器之電容非常均一）而 設計，為確保神電容能力較不足的電容n也能在既定的 時間規格)^正常的充放電，因A，電晶體的尺寸就需要 大到足以使最差的儲存電容正常作用，以免影響畫面的穩 疋度，在此同時，畫素的開口率也跟著被犧牲了。 的目的就是在提供一種薄膜電晶體液晶顯 電容器電容的方法，用以控制儲存電容器 勻度。 一目的是在提供一種薄膜電晶體液晶顯示 容器電容的方法，用以提升儲存電容器電 一目的是在提供一種薄膜電晶體液晶顯示 谷裔電容的方法，用以縮小薄膜電晶體的 一目的是在提供一種薄膜電晶體液晶顯示 容器電容的方法，用以提升液晶顯示器的 之上述目的，提出一種薄膜電晶體液晶顯 ..............费.........、可......... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明目的與概诚 因此本發明 示器之控制儲存 介電層厚度之均 本發明的另 器之控制儲存電 容的均勻度。 本發明的再 器之控制儲存電 尺寸。 本發明的又 為'之控制儲存電 開口率。 根據本發明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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2晶梦層與第二導電層，再依序圖案化第二導電声、 :非晶矽層、未摻雜非晶矽層與第二 ^ 電層與摻雜非晶矽層在閘極兩側 2使第一導 广及未穆雜非晶彻成源極與 >及極:== 4:::=護層’再圖索化此護層以形成接觸窗 出及極的表面。再來，在護層上形成透明導電芦 化此透明導電層以形成畫素電極。此畫素電極, 口與及極電性相連，且其與下電 成儲存電容器。 I刀心 :據本發明之上述目的，提出又—種薄膜電晶體液 顯不器之控制儲存電容器電容的方法，此方法至少 =。在透明基底上形成未摻雜非晶石夕層，然後圖幸化 此未摻雜非晶矽層以在透明基底上分別形成矽島 極。在透明基底上依序形成第一氮化石夕層、介電層^、 氮化石夕層與第-導電層’其中非料材f/該介電層材㈣ ，刻選擇比大於等於5.0。接著，依序圖案化第—導電層盘 弟：虱化矽層以於矽島中間部分的上方形成堆疊層，其中 隹$層之導電層為薄膜電晶體的閘極。再來，以 罩幕’進行離子植人㈣以摻雜離子至位㈣極兩側^ 的矽島以及下電極中，其中閘極兩側下方的矽島為薄膜電 晶體的源極與汲極。接著’在透明基底上形成護層，再依 =圖案化護層、介電層與第__氮化♦層，以形成第一接觸 窗口暴露出該源極的表面，以及第二接㈣口暴露出該沒 極的表面。然後在透明基底上形成第二導電層，再圖案化 6 本紙張尺度適财關家標準(CNS)A4規格⑽X297公董)—

.............· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· Φ 594998 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第二導電層’以形成經由該第-接觸窗口與該源極電性相 連之資料線。再來，在透明基底上形成透明導電層 圖案化此透明導電層以形成晝素電極。此晝素電極藉由接 觸窗口纽極電性相連，且其與下電極重疊之部分 存電容器。 依照本發明一較佳實施例，上述之介電層的材質可為 例如氧化矽、氧化鈕、氧化鋁或鈦酸鋇。 如上所述，在圖案化出堆疊層時，介電層可以作為蝕 刻終止層，使得剩下之介電層與第一氮化矽層的厚度均 勻。因此，由下電極、第一氮化矽層、介電層、護層與部 ^的晝素電極所組成之儲存電容器具有均勻厚度的介電層 (第一氮化矽層、介電層與護層），也因此使得整片透明基底 上之儲存電容器的電容大小一致。如此，薄膜電晶體的尺 寸可以做得更小，提高每個畫素的開口率，提升薄膜電晶 體液晶顯示器的晝質。 發明之詳細說明 如上所述，本發明提供一種薄膜電晶體液晶顯示器之 控制儲存電容器電容的方法，藉由控制儲存電容器介電層 厚度之均勻度，達成提升儲存電容器電容的均勻度、縮小 薄膜電晶體的尺寸與提升液晶顯示器開口率的功效。 實施例一 請參照第1A - 1D圖，其繪示依照本發明一較佳實施 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐) ..............變.........訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} § 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594998 五、發明説明（） 例的一種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電容的 方法流程剖面圖。 在第1A圖中，先在透明基底1〇〇上形成第一導電層， 然後圖案化此第一導電層以在透明基底1〇〇上分別形成閘 極105與下電極110。接著，在透明基底1〇〇上依序形成第 一氮化矽層115、介電層12〇、第二氮化矽層125、未摻雜 非晶矽層130與摻雜非晶矽層135。 上述之第一導電層的材質可為例如銅金屬、鋁金屬、 鉻金屬或鉬鎢合金，其形成方法可為例如物理氣相沈積 法，如濺鍍法。第一氮化矽層115與第二氮化矽層125之 形成方法可為例如化學氣相沈積法，而其厚度較佳分別為 boo - 3500埃與200 _ 800埃，更佳分別為2〇〇〇_3〇㈧ 埃與400 埃。而介電層12〇的材質與氮化石夕材質的 蝕刻選擇比至少為大於等於5〇,介電層12〇通常為氧化 石夕，或是介電常數大於4·〇之氧化鈕、氧化銘或鈦酸鎖。介 ，層120的形成方法可為例如化學氣相沈積法，而其較佳 厚度為100 - 600埃，更佳厚度為200 — 4〇〇埃。 在第1B圖中，依序圖案化摻雜非晶矽層135、未摻雜 非阳石夕層130與第二氮化石夕層丨25，以於閘極1〇5之上方彤 成由第二氮化矽層125a、未摻雜非晶矽層13〇a與摻雜非晶 石夕層135a所組成之堆疊層。圖案化的方法可為例如微影: 刻法。 在第1C圖中，然後在透明基底1〇〇上形成第二導 層’再圖案化第二導電層，以在閘極1〇5兩側之上方分別 ..............變.........、一叮.........S. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇χ29 7公釐） 594998 A7 ---— B7 —__ 五、發明説明（） 形成源極/汲極丨40。再繼續_極你極⑽為㈣草幕， 蚀刻由開口 U5所暴露出之摻雜非晶石夕層咖，形成淡捧 雜沒極⑽的結構。第二導電層的材質可為例如銅金屬: 銘金屬、鉻金屬或錮鶴合金，其形成方法可為例如物理氣 相沈積法，如濺鍍法。 在第1D圖中，在透明基底100上形成護層150,再圖 案化此護層150以形成接觸窗σ 155來暴露出源極/沒極 140的表面。接著，在透明基底1〇〇上形成透明導電層，缺 後圖案化此透明導電層以形成畫素電極16〇。此晝素電極 160藉由接觸窗口 155與源極/汲極14〇電性相連。而位於 下電極U0上方之晝素電極160、護層15〇、介電層丨2〇、 第一氮化矽層115與下電極110形成薄膜電晶體之儲存電 容器。上述之透明導電層的材質可為例如氧化銦錫或氧化 銦鋅，其形成方法可為例如物理氣相沈積法，如濺鍍法。 實施例二 睛參照第2A - 2C圖，其繪示依照本發明另一較佳實 施例的一種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電容 的方法流程剖面圖。 在第2A圖中，先在透明基底200上形成第一導電層， 然後圖案化此第一導電層以在透明基底200上分別形成閘 極205與下電極210。接著，在透明基底200上依序形成第 一氮化矽層215、介電層220、第二氮化矽層225、未摻雜 非晶矽層230與钱刻終止層235。 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐) ..............f : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594998 A7 B7

上述之第一導電層的材質可為例如銅金屬、鋁金屬、 鉻金屬或錮鶴合金，其形成方法可為例如物理氣相沈積 法，如濺鍍法。第一氮化矽層215與第二氮化矽層225之 形成方法可為例如化學氣相沈積法，而其厚度較佳分別為 1500 _ 3500 埃與 200 — 8〇〇埃，更佳分別為 2〇〇〇_3〇〇〇 埃與400 - 6GG埃。而介電層22G的材f與氮化碎材質的 I虫刻選擇比至少為大於等於5 〇，介電層22〇通常為氧化 矽，或是介電常數大於4.0之氧化鈕、氧化鋁或鈦酸鋇。介 電層22G的形成方法可為例如化學氣相沈積法，而其較佳 厚度為100 - 600埃，更佳厚度為2〇〇 — 4〇〇埃。蝕刻終 止層235的形成方法可為例如化學氣相沈積法，而其材質 可為例如氮化矽或氧化矽/氮化矽，更佳厚度為2〇〇 — 4〇〇 埃0 在第2B圖中’圖案化姓刻終止層235，以在閉極205 上方形成敍刻罩幕235a覆蓋在未摻雜非晶石夕^ 23〇之中央 部分。接著在透明基底扇上依序沈積摻雜非晶發層· 與第二導電層245。第二導電層245的材f可為例如銅金 屬：鋁金屬、鉻金屬或銦鎢合金，其形成方法可為例如物 理氣相沈積法，如賤鍍法。 在第2C圖中，再依序圖案化第二導電層245、推 晶石夕層240、未摻雜非晶石夕層23〇與第二氮化石，以 於閘極205之上方形成由第二氮化石夕層225a、未摻雜 ★I 刻罩幕2353、摻雜非晶石夕層24〇a與源極/汲 aU成之堆疊層，並於㈣層之巾央部分形成開口 10 本紙張尺度適财目國家標準(CNS)A4規格⑽Χ297公楚了

............... (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -，可 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 594998 A7 五、發明説明（） 250。其中未摻雜非晶石夕> ^ 層23〇a之上因為有蝕刻罩暮235a 的保護，所以在圖案化出R ^ 旱奉235a 罩幕235^卜，/= G的部分時’會停在姓刻 之圖幸化傷到未摻雜非晶矽層23〇a。上述 圖案化的方法可為例如微影蝕刻法。後續的製程與實施 例一相同，因此不再贅述之。 實施例三 睛參照第3A - 3C圖，其縿示依照本發明又一較佳 施例的-種薄膜電晶體液晶顯示器之控制健存電 的方法流程剖面圖。 电 在第3A圖中，先在透明基底3〇〇上形成未捧雜非晶石夕 層’然後圖案化此未摻雜非晶㈣以在透明基底_ 別形成#305與下電極训。接在透明基底3⑻上依 序形成第一氮化石夕層315、介電層320、第二氮切層325 與第一導電層330。 上述之第一氮化矽層315與第二氮化矽層325之形成 方法可為例如化學氣相沈積法，而其厚度較佳分別為 1500 _ 3500 埃與 200 - 800 埃，更佳分別為 2〇〇〇 3〇〇〇 埃與400 - 600埃。而介電層32〇的材質與氮化妙材質的 蚀刻選擇比至少為大於等於5 〇，介電層32〇通常為氧化 石夕’或是介電常數大於4.0之氧化组、氧化銘或鈦酸鎖。介 電層32G的形成方法可為例如化學氣相沈積法，而其較佳 厚度為100 - 600埃，更佳厚度為2〇〇_4〇〇埃。第一導 電層330的材質可為例如鋁金屬、鉻金屬或鉬鎢合金；其 ..............I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 11 594998 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（ 閘極時，在最後過姓刻的階段，因為介電層的餘刻選擇比 大於氮化石夕層的蚀刻選擇比，可以利用介電層作為姓刻级 止層。因此，在過蝕刻完之後，整片透'明基底上之剩下的 閘，I電層可以維持相當均勻的厚度。接著在後續沈積護層 以及透明導電層以完成儲存電容器的製作之後，可以得到 電容量相當均勻的儲存電容器。 根據本發明之實施例，非晶矽層/氮化矽層的蝕刻選擇 比約為3.0 - 5.0，而非晶矽層/氧化矽層的蝕刻選擇比約為 5.0 - 10.0。若以底閘極結構為例，比較以氮化矽層為閘介 電層與由第-氮化石夕層、氧化石夕層與第二氮化石夕層之複層 所組成之閘介電層的狀況，其結果如下。只有以氮化矽‘ 為閘介電層的狀況為，在以化學氣相沈積法來沈積氮化^ 層後，在整片if明基底上之其厚度均句度約& 5%，在過敍 刻步驟之後，其厚度均勻度降為2〇%。但是在由第一氮化 矽層、氧化矽層與第二氮化矽層之複層所組成之閘介電層 的狀況下日寸，整片透明基板上之第一氮化石夕層、氧化石夕層 與第二氮化矽層的厚度均勻度都可以維持在5%。在過蝕刻 步驟之後，剩下的第一氮化矽層與氧化矽層的厚度均勻度 仍可以維持在5%左右，再加上後來沈積之護層的厚度均勻 度也可以維持在5%左右，使得整片透明基板上之儲存電容 器的電容量也可以維持很好的均勻度。 此外上述之介電層若是使用具有介電常數大於4.〇之 介電材質，還可以增加儲存電容器的電容量。如此，薄膜 電晶體的尺寸可以再繼續縮小，使液晶顯示器的開口率增 13 張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格(膽297公楚) ------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、發明説明（） 力口’提升晝面品質。 、雖然本發明以-較佳實施例揭露如±，然其 =限f本發明’任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 2犯圍θ ’當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 圓A又簡單說明 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下： 5月多照第1A - 1D圖，其繪示依照本發明一較佳實施 例的一種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電容的 方法流程剖面圖。 請參照第2A - 2C圖，其繪示依照本發明另一較佳實 施例的一種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電容 的方法流程剖面圖。 請參照第3 A - 3C圖，其繪示依照本發明又一較佳實 施例的一種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電容 的方法流程剖面圖。 圖式之標記說明 100、200、300 :透明基底 105、205、330a :閘極 14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公董) ----------------tr (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 594998 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 110、210、310、310a :下電極 115、215、315:第一氮化矽層 120、220、320 :介電層 125、125a、225、225a、325、325a :第二氮化石夕層 130、130a、230、230a :未摻雜非晶矽層 135、135a、240、240a :摻雜非晶矽層 140、245a、305a :源極/汲極 145、250 ··開口 135b :淡摻雜汲極 150、335 :護層 155、340、350 ·•接觸窗口 160、345 :畫素電極 235 :蝕刻終止層 235a :蝕刻罩幕 245 :第二導電層 305 :矽島 305b :通道 330 ··第一導電層 335 :離子 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 355 :資料線 15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

1. 594998 A BCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 申請_專利範圍 一认士 #薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電 ς的方法，該控制儲存電容器電容的方法至少包含下列步 形成一第一冑電層於—透明基底上； 圖案化該第'一導雷岸]；』游Λ、 „a . 明基底上； 胃场成―閘極與-下電極於該透 形成一第一氮化矽層於該透明基底上； 人層㈣f —氮切層上，且非^材質/該 ”電層材質的蝕刻選擇比大於等於5 〇; 形成一第二氮化矽層於該介電層上； 形成-未摻雜非晶矽層於該第：氮化矽層上； 形成-摻雜非晶石夕層於該未換雜非晶石夕層上； 斤一，序圖案化_雜非晶石夕層、該未摻雜非晶石夕層與該 弟-氮化石夕層，以形成—堆疊層於該閘極之上方； 形成一第二導電層於該透明基底上； 依序圖案化該第二導電層與該摻雜非晶石夕層以形成源 極/汲極於該閘極兩侧之上方； 形成一護層於該透明基底上； 圖案化該護層以形成一接觸窗口來暴露出該源極/汲 極的表面； 形成一透明導電層於該透明基底上；以及 圖案化忒透明導電層以形成一晝素電極，該畫素電極 .............费.........、可.........Φ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 16

   594998 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ------------D8 _— 一 ‘申請專利範圍 藉由該接觸窗口與該源極/汲極電性相連且其與該下電極 重豐之部分形成一儲存電容器。 2·如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該介電層至少包含 氧》化層。 3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該介電層材質之介 電常數大於4.0。 4. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該介電層係選自於 由氧化鈕、氧化鋁與鈦酸鋇所族成之族群。 5·如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該護層至少包含氮 化矽層。 6·如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該透明導電層至少 包含氧化銦錫或氧化銦辞。 7· —種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電 、可 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 17

   ABC D8j 穴、申請專利範圍 驟：/ 儲存電容器電容的方法至少包含下列夕 形Ϊ 導電層於一透明基底上； 明基底上； /成—閘極與一下電極於該透 形成-第-氮化石夕層於該透明基底上； 介電= 層於該第一氮切層上，且非晶梦材質/該 ，丨電層材貝的蝕刻選擇比大於等於5 0; 形成-第二氮化石夕層於該介電層上. 形成一未摻雜非晶㈣於該第二氮切層上； 形成一钱刻終止層於該未摻雜非晶石夕層上； 晶二:該_終止層以形成-触刻罩幕於該未摻雜非 幕上甲成-摻雜非晶㈣於該未摻雜非晶㈣與該钱刻罩 形成一第二導電層於該透明基底上； 雜非案化該第二導電層、該摻雜非晶矽層、該未摻 與該第二氮切層’該第二導電層與該摻雜非 曰曰矽層形成一源極與一汲極於該開極兩側之上方，該 雜非晶矽層形成該源極與該汲極間之通道； 乂 形成一護層於該透明基底上； 圖案化該護層以形成一接觸窗口來暴露出該汲極 面； 形成一透明導電層於該透明基底上；以及 18 一請先閱4謂背面之注意事項再填寫本頁) 、tr. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本、.氏張尺度翻+國目家鮮(CNS)A4規格(21()Χ 297公爱） 594998

   圖案化該透明導電層以形成一晝素電極，該晝素電極 藉由該接觸窗口與該汲極電性相連且與該下電極重疊之部 分形成一儲存電容器。 8·如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該介電層至少包含 氧化石夕層。 9.如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該介電層材質之介 電常數大於4.0。 ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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   10·如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該介電層係選自於 由氧化鈕、氧化鋁與鈦酸鋇所族成之族群。

   本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇χ 297公董)

   申請專利範圍 ABCD 13.如申凊專利範圍第7項所述之薄膜電晶體液晶顯示 器之控制儲存電容器電容的方法，其中該蚀刻終止層至少 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 包含氮化矽層。 ^ 14*種薄膜電晶體液晶顯示器之控制儲存電容器電 容的方法，該控制儲存電容器電容的方法至少包含 驟： $成未換雜非晶石夕層於一透明基底上； 圖案化4未摻雜非晶矽層以形成一矽島與一下電極於 該透明基底上； 、 形成一第一氮化矽層於該透明基底上； 形成一介電層於該第一氮化矽層上，且非晶矽材質/該 介電層材質的蝕刻選擇比大於等於5 〇 ; 形成一第二氮化矽層於該介電層上； 形成一第一導電層於該第二氮化矽層上； 田依序圖案化該第一導電層與該第二氮化矽層以形成一 堆且層於”亥石夕島中間部分的上方，其中該堆疊層之該第一 導電層為薄膜電晶體的閘極； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以4堆疊層為罩幕，進行離子植入步驟以摻雜離子至 .亥閘極兩側下方的矽島以及該下電極中，其中該閘極兩側 下方的矽島為薄膜電晶體的源極/汲極； 形成一護層於該透明基底上； 依序圖案化該護層、該介電層與該第一氮化矽層，以 升y成第接觸窗口暴露出該源極的表面，以及一第二接 20 本紙張尺度適财_家標準(CNS)A4祕(2歐297公爱) ---— 594998 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 觸窗口暴露出該汲極的表面； 形成一第二導電層於該透明基底上； 一圖案化該第二導電層，以形成資料線，該二#料線經由 忒第一接觸窗口與該源極電性相連； 形成一透明導電層於該透明基底上；以及 —圖案化該透明導電層以形成一畫素電極，該晝素電極 精：该接觸窗口與該汲極做電性連接，且與該下電極重疊 之部分形成一儲存電容器。 —口/5·如中請專利範圍f 14項所述之薄膜電晶體液晶顯 人：之控制儲存電容器電容的方法，丨中該介電層至少包 各氧1化句^層。 干哭請專·㈣14項所述之薄膜電晶體液晶顯 :;=tr電容的方法，其中該介電層材質之 …。17^申請專利範圍第14項所述之薄膜電晶體液晶顯 不杰之控制儲存電容器電容的方法 於* tl /卜如 - /、T 5亥介電層係選自 、 、—、氣化鋁與鈦酸鋇所族成之族群。 18·如申請專利範圍第14 示5|之抻制枝六；— 义之，專膜電晶體液晶顯 不為之控制儲存電容器電容的方法，苴 氮化矽層。 一中忒蠖層至少包含 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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