TW594293B - Liquid crystal display device - Google Patents

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TW594293B TW090110498A TW90110498A TW594293B TW 594293 B TW594293 B TW 594293B TW 090110498 A TW090110498 A TW 090110498A TW 90110498 A TW90110498 A TW 90110498A TW 594293 B TW594293 B TW 594293B
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Hirohide Fukumoto
Hiromi Fukumori
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Description

594293 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關一種液晶顯示裝置,其中配向膜之膜厚度不 規則與摩擦不規則減至最低,其中即使當柱狀間隔體設置 於其中時仍可提供優異影像品質。 【先前技術】 液晶顯示裝置通常具有一種結構,其中液晶物質係夾置 於一對彼此面對面的基板間。藉液晶顯示裝置的影像顯示 係經由外加電壓於一對基板間,以及係經由基於顯示的雙 折射現象而控制光透射率而予達成。如此若彼此面對面的 基板間之空間於一螢幕為非均勻,則外加於彼此面對面的 基板間的電場強度於螢幕上變不同,而發生影像品質低 劣。如此於習知實務上,介於一對基板間之空間係藉撒佈 指定量之小玻璃珠於基板上作為空間維持件;結果由於玻 璃珠分散於液晶物質,而該對基板間之空間獲得控制。 但極為難以均勻撒佈玻璃珠於基板上,且偶爾玻璃珠非 均勻分佈(侷限)於螢幕上,結果導致影像品質低劣。 近年來’替代撒佈玻璃珠於基板上作為空間維持件,絕 緣树知例如感光樹脂、或絕緣體例如氧化石夕等組成的氧化 物膜形成為島(亦即彼此獨立無關的柱狀間隔體),係使用光 微影蝕刻技術和蝕刻技術設置於一對彼此面對面的基板之 一上,俾達成優異位置準確、維度準確、和形狀準確。 但聚醯亞胺(PI)等組成的配向膜係於柱狀間隔體形成後 被形成與摩擦,·以及若柱狀間隔體形成不均勻,則當形成
O:\69\69796-930309.DOC -6- 594293 配向膜時’可能生成顯著因柱狀間隔體本身不均勻所致的 膜厚度不規則或摩擦不規則,如此,液晶方向變異常,結 果導致液晶顯示裝置的影像品質低劣。 【發明内容】 如此’本發明之一目的係解決習知技術之問題,特別係 提供一種液晶顯示裝置,其中配向膜之膜厚度不規則與摩 才祭不規則減至最低,其中即使當柱狀間隔體設置於其中時 仍可提供優異影像品質。 本發明發明人發現前述問題可藉由限制柱狀間隔體之設 置密度、陣列、大小等於某個指定範圍而予解決或緩和, 如此完成本發明。 提供一種液晶顯示裝置具有一種結構,其中一種液晶物 質夹置於一對彼此面對面的基板間,而基板間之空間係藉 多根彼此獨立無關的柱狀間隔體而控制於特定值,其中柱 狀間隔體之設置密度為100至2,〇〇〇/平方毫米。 提供一種製造液晶顯示裝置之方法,該裝置具有一種結 構為其中液晶物質係夾置於一對彼此面對面的基板間,該 方法包括一個步驟,其中柱狀間隔體係以1〇〇至2,〇〇〇/平方 毫米之設置密度而設置於一對基板之一上。 【實施方式】 根據本發明之液晶顯示裝置具有一種結構,其中一種液 晶物質夾置於一對彼此面對面的基板間,而基板間之空間 係藉多根彼此獨立無關的柱狀間隔體而控制於特定值。 本發明發明人發現若柱狀間隔體設置密度過高,則液晶
O:\69\69796-930309.DOC 594293 物質之定向受妨礙,因而容易發生稱作液晶分子配列境界 線(disclination)的定向紊亂,施用於柱狀間隔體上的配向膜 堆積於柱狀間隔體周圍,易於造成膜厚度方向的定向不規 則。它方面,也發現若柱狀間隔體之設置密度過低,則膜 厚度不規則變顯著,而影像品質低劣。 如此藉如下具體實施例所述製造一種液晶顯示裝置,檢 驗柱狀間隔體設置密度與影像品質間之關係,而找出圖1所 示關係。圖1顯示柱狀間隔體之設置密度為1 〇 Q至2,⑽〇 /平方 毫米,而最理想設置密度為200至400/平方毫米。如此表示 若柱狀間隔體之設置密度係低於100/平方毫米,則柱狀間 隔體彼此太過遠隔,故配向膜之膜厚度不規則變顯著,而 無法達成影像品質最低容許程度。它方面,也發現若柱狀 間隔體之設置密度超過2,000/平方毫米,則柱狀間隔體彼此 太過靠近,而配向膜之膜厚度不規則周緣部重疊,結果膜 厚度不規則較不顯著,纟易產生液晶分子配列境界線,而 無法達成影像品質最低容許程度。 當柱狀間隔體儘可能地小時,液晶定向較不易受妨礙, 而其截面積較佳為1至100平方微米且更佳為5至25平方微 米。 根據本發明之液晶顯示裝置中,當多個像素電極22係以 矩陣形式形成於-對基板之—基板21上時,如圖2a所示, ,]隔體23較佳係均等設置於各個像素電極22。如此螢 幕上的基板間空間維持更為Μ。此外,配向膜之膜厚度 不規則也可變均勻。
O:\69\69796-930309 D〇C -8 - 594293 對於其它柱狀間隔體23對各個像素電極22具有相等陣列 的實例,柱狀間隔體較佳係以如圖2B所示之祺盤狀或如圖 2C所不之陣列(其中任意一根柱狀間隔體與多根毗鄰柱狀 間隔體間距實質上為恆定)設置。特別以圖2C為例,柱狀間 隔體於摩擦處理期間(其中摩擦係於箭頭所指方向)重疊比 圖2A和2B之案例減少,配向膜之膜厚度不規則與摩擦不規 則變均勻,且較不易產生液晶分子配列境界線。 如則述,根據本發明之液晶顯示裝置係以柱狀間隔體設 置您度、以及陣列或截面積決定其特徵。但其它組件包括 一對基板、液晶物質、電極等可具有眾所周知液晶顯示裝 置組件配置之類似配置。 根據本發明之液晶顯示裝置換言之具有一種結構,其中 一種液晶物質夾置於一對彼此面對面的基板間之液晶顯示 a置可根據眾所周知之方法製造,但例外為柱狀間隔體之 ^置密度為1〇〇至2,000/平方毫/卡。例如感光樹脂可施用於 1 土板之’且乾燥而形成感光樹脂層,而感光樹脂 層可藉光微影蝕刻法加工成為以設置密度為1〇〇至2,_,平 方毫米形成的柱狀間隔體。 圖3顯示根據本發明之凉a _ 豕个知月炙及曰日顯不裝置(主動矩陣液晶顯示 裝置)之製造實例。 形成TFT具有厚度50至150毫微米之半導體薄臈2(例如多 晶石夕膜組成)係形成於玻璃等製成的驅動基板【上。若有所 而Si離子植入非晶薄臈,以及然後薄膜加熱至約6〇〇。。, 或以準分子雷射束退火特得較佳晶粒粒徑。
O:\69\69796-930309.DOC -9- 594293 此種半導體薄膜2經圖樣化成為預定形狀,而使用熱氧化 法、LPC VD法等手段,形成厚i 〇至i 〇〇毫微米的問極絕緣膜 3a ° 其次,形成由多晶矽或矽化鉬、矽化鎢、鋁、鈕、鉬/鈕、 鉬、鎢、鈦、鉻等組成的金屬層作為閉極3 ,且經圖樣化。 當閘極3係由多⑭製成時,p +離子等可熱擴散而低電阻。 隨後,雜質離子藉離子植入法或離子換雜法、使用閑極3 作為阻罩植入而形成源區S和汲區D。 隨後,厚400至800毫微米之PSG、NSG等製成的薄膜係藉 大氣壓CVD方法沈積而形成第一層間絕緣膜4。與源區咏 汲區D連通的接觸孔c〇NS和COND開口於該處。 厚300至700毫微米之銘等製成的導電薄膜係藉錢鑛形 成。薄膜經圖樣化成為預定形狀,且於源極6S和汲極6〇加 工。厚3GG至2GGG毫微米之由PSG等組成的薄膜係藉大氣壓 CVD沈積而形成第二層間絕緣膜5。第二層間絕緣膜5表面 可視需要藉CMP等方法而平坦化。 接觸孔CON2係開口於第二層間絕緣膜5,俾電連結汲極 6D至金屬膜’該金屬膜也用作為遮光膜7。形成遮光膜 7(也用於黑阻罩)之金屬薄膜例如係、由欽^、钥、絡、鶴、 鈦氮化物或此等金屬之矽化物製成,該膜係藉濺鍍法等沈 積至5至500毫微米厚度,且圖樣化至預定形狀。 P S G等組成的薄膜藉大氣壓c v D方法沈積於此遮光膜7 上至300至2000毫微米厚度,而形成第三層間絕緣膜8。為 了改進液晶的方向性,第三層間絕緣膜8視需要可使用CM? O:\69\69796-930309.DOC -10- 方法等平坦化。第二和第三層間絕緣膜表面可使用而 平坦化,或有機薄膜藉旋塗法而平坦化。 一然後,供電連結至像素電極9之接觸孔C0N3係開口於第 二層間絕緣膜8。形成像素電極9之金屬膜或金屬氧化物膜 (透月V电膜例如於透射型液晶顯示裝置之例為IT〇膜, 或於反射型液晶顯示裝置之例為銀、鋁等製成的光反射導 電膜)係藉㈣等方法沈積至3()至1_毫微米厚度,且圖樣 化成為預疋形狀。此張薄膜若有所需可於約至4⑼t溫 度退火。 感光樹脂塗膜等施用於其上至2至6微米厚度,且於島圖 樣化(如圖2C所示)而形成柱狀間隔體10,具有密度100至 2,000/平方毫米。柱狀間隔體i 〇可藉CVD方法形成不僅由感 光樹脂製成同時也由氧化矽等製成的無機薄膜形成;或藉 旋塗法或印刷法形成非感光樹脂塗膜,以及然後圖樣化薄 膜而形成。柱狀間隔體10截面積設定為is i⑻平方微米。 隨後,聚醯亞胺等製成的配向膜(圖中未顯示)係藉常規方 法形成於驅動基板丨上,使用擦光材料例如棉摩擦而定向液 晶,且疊置與固定至相對基板12,相對基板設置有經以類 似方式處理的對電極1丨而構成液晶晶格。然後,液晶13填 裝於液晶晶格,以及視需要經加熱處理而完成液晶裝置。 所得液晶顯示裝置中,驅動基板丨與相對基板丨2間之間距 係維持於對準柱狀間隔體1〇高度,配向膜之膜厚度不規則 與摩擦不規則較不顯著,同時也較不易產生液晶分子配列 境界線。如此可獲得高品質影像。 O:\69\69796-930309.DOC -11 - 根據本發明之液晶顯示裝置 置密度、陣列和大小可獲得不 向膜之膜厚度不規則或摩擦不 影像。 中’藉由載明柱狀間隔體設 含任何液晶方向性紊亂、配 規則較不顯著、且高品質的 【圖式簡單說明】 圖1顯不柱狀間隔體設置密度與影像品質間之n係、; 圖2A-2C為根據本發明之柱狀間隔體設置圖樣之示意代 表圖;以及 圖3為根據本發明之液晶顯示裝置之示意剖示圖。 O:\69\69796-930309.DOC 12-

Claims (1)

  1. 594293 丨公告本 #7'中1^專利範園·· L —種液晶顯示裝置,其包含·· 對基板’其彼此面對面而有空間介於其間; 一種液晶物質,1 + 32 # i 貝其係夾置於該對基板間;以及 多根柱狀間隔體,並效 彼此獨立無關,及其調節該對J 板間距, 其中該柱狀間隔體設置密度為100至2,_/平方毫米£ 2. 如申請專利範圍第i項之液晶顯示裝置,其中該柱狀間 隔體截面積為1至1〇〇平方微米。 3. 如申請專利範圍第丄項之液晶顯示裝置,其中多個像素 电極係於4對基板之—上形成為矩陣,以及該柱狀間隔 體係均等設置於各個像素電極上。 4. 如申請專利範圍第}項之液晶顯示裝置,其中該柱狀間 隔體係以方格方式設置。 5. 如申請專利範圍第!項之液晶顯示裝置,其中任意一根 柱狀間隔體與多根相鄰柱狀間隔體間距實質上為固定。 6_
    -種製造液晶顯示裝置之方法,該裝置具有一種結構為 其中之液晶物質係夾置於_對彼此面對面的基板間,該 方法包括—個步驟,其中柱狀間隔體係以1GG至2,000/ 平方毫米之設置密度而設置於一對基板之一上。 如申w專利範圍第6項之方法,其進一步包含下列步驟: 施用感光樹脂至該對基板之一上; ;以及 乾燥該感光樹脂而形成一層感光樹脂層 O:\69\69796-930309.DOC 594293 藉光微影蝕刻方法加 體0 工該感光樹脂層成為柱狀間隔 O:\69\69796-930309.DOC -2-
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